CN111326402B - 清洁半导体晶圆的方法与装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种清洁多个半导体晶圆的一方法与一清洁装置。所述清洁装置包含多个清洁槽、一浸泡槽、一第一机械臂、一第二机械臂、以及至少一干燥室。所述多个清洁槽配置以使用多个清洁剂清洁由一匣具支撑的多个晶圆。所述多个晶圆通过一批次流程在所述多个清洁槽中清洁。所述浸泡槽配置以使用一替代剂清洗所述多个晶圆。所述至少一干燥室配置以通过一单一晶圆流程对所述第二机械臂所提取的所述晶圆进行干燥。

Description

清洁半导体晶圆的方法与装置
技术领域
本发明涉及一种清洁半导体晶圆的方法与装置。更进一步地，本发明涉及一种结合批次流程与单晶圆流程以清洁半导体晶圆的方法与装置。
背景技术
为了提供高质量的集成电路，一湿式清洁流程在一集成电路的制造流程期间是必要的。在一个干式蚀刻流程后，晶圆会被清洁以移除残留光阻、在干式蚀刻期间所产生的有机化合物以及附着在晶圆表面上的薄膜材料。用于清洁晶圆的主要的化学溶液包括一第一标准清洁(Standard Clean 1，SC1)、一缓冲氧化物蚀刻(Buffered Oxide Etch，BOE)以及一硫酸过氧化物混合物(Sulfuric Peroxide Mixture，SPM)。所述SPM为硫酸(H2SO4)与过氧化氢(H2O2)的混合物。所述SPM的温度会高于摄氏90度。所述SPM是用于移除残留光阻以及有机化合物。一般来说，工厂中会用两种方式来清洁晶圆。一种是批次清洁，而另一种是单晶圆清洁。
批次清洁可一次清洁多个晶圆。一个用于批次清洁的装置包括机械传递装置以及多个清洁槽。多个晶圆会同时在多个清洁槽的其中一个中进行清洁，因此批次清洁的效率高。例如：一个小时内可以清洁大约400片晶圆。然而，批次清洁过程通常会(为了支持多重序列的浸泡循环)运用较多的清洁槽来完成晶圆的清洁要求。
单晶圆清洁一次只能清洁一片晶圆。一个用于单晶圆清洁的装置包括机械传递装置以及多个独立的单晶圆清洁模块。针对一个晶圆的清洁与干燥流程会在所述多个单晶圆清洁模块中的一个来执行。在清洁完一片晶圆后，单晶圆清洁模块中的化学溶液会被排出，而新的化学溶液会提供到单晶圆清洁模块来清洁另一片晶圆(以避免交叉污染)。单晶圆清洁可以有效的移除颗粒与薄膜材料，但单晶圆清洁的处理速度(例如：每机台小时的数量，unit per equipment hours，UPEH)相对比批次清洁的处理速度慢。
因此，需要提出一种可以优化处理速度以及清洁效果，并用于晶圆清洁流程的清洁系统。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种清洁半导体晶圆的方法与装置。
在一实施例中，本发明提供了一种清洁半导体晶圆的方法。所述方法S600包含步骤S601到步骤S612。在步骤S601中，将支撑多个晶圆的一匣具装载到一清洁装置。所述清洁装置包含多个清洁槽、一浸泡槽以及至少一个干燥室。所述多个清洁槽配置以容纳用于清洁所述多个晶圆的多个清洁剂。所述多个清洁槽包含一第一槽、一第二槽、一第三槽以及一第四槽。所述第一槽配置以容纳磷酸(H3PO4)溶液或低氟化铵液体(low ammonium fluorideliquid，LAL)溶液，所述第二槽配置以容纳去离子水，所述第三槽配置以容纳SC1溶液，所述第四槽配置以容纳去离子水。在步骤S602-S605中，所述匣具所支撑的所述多个晶圆在所述多个清洁槽中，经由一批次流程通过所述多个清洁剂进行清洁。明确来说，在步骤S602中，所述多个晶圆在所述第一槽中通过所述H3PO4溶液或所述LAL溶液进行清洁。在步骤S603中，所述多个晶圆在所述第二槽中通过所述去离子进行清洗。在步骤S604中，所述多个晶圆在所述第三槽中通过所述SC1溶液进行清洁。在步骤S605中，所述多个晶圆在所述第四槽中通过所述去离子水进行清洗。在步骤S606中，一替代剂被提供到所述第四槽中，以取代所述多个晶圆的表面上的所述去离子水。在步骤S607中，支撑所述多个晶圆的所述匣具被从所第四槽中移出，并旋转以允许所述多个晶圆被水平放入所述浸泡槽中。在步骤S608中，所述多个晶圆被浸泡在所述浸泡槽中的所述替代剂中。在步骤S609中，所述匣具被机械臂所提取，以使所述多个晶圆中的一个从所述替代剂水平暴露出来。在步骤S610中，被覆盖一替代剂层的所述晶圆被移动到所述清洁装置的所述干燥室中。在步骤S611中，所述晶圆通过单晶圆流程，并以超临界气体在所述干燥室中进行干燥。在步骤S612中，所述干燥后晶圆被从所述干燥室中取出。
在一实施例中，本发明提供了一种用于半导体晶圆的清洁装置。所述清洁装置包含多个清洁槽、一浸泡槽、一第一机械臂、一第二机械臂以及至少一干燥室。所述多个清洁槽配置以通过多个清洁剂来清洁由一匣具支撑的多个晶圆。所述多个晶圆通过批次流程在多个清洁槽中进行清洁。所述浸泡槽配置以通过一替代剂来清洗所述多个晶圆。所述第一机械臂配置以在所述多个清洁槽以及所述浸泡槽之间移动所述匣具，并从所述浸泡槽中提取所述匣具。所述第二机械臂配置以在所述匣具从所述浸泡槽中取出时，从所述匣具取出所述多个晶圆中的一个。所述至少一干燥室配置以通过单晶圆流程来干燥被所述第二机械臂抓取的所述晶圆。
综上所述，本发明实施例之方法与清洁装置结合了批次流程与单晶圆流程来清洁半导体晶圆。同样的，所述多个晶圆在批次流程的最末端被浸泡在一异丙醇(isopropylalcohol，IPA)浸泡槽中，以使所述晶圆在被移动到一干燥室之前被覆盖一IPA层。因此，不需要通过一IPA喷嘴额外的IPA喷洒程序来避免晶圆破裂。本发明实施例之方法与清洁装置优化了清洁半导体晶圆的处理速度以及效果。
附图说明
图1为本发明一实施例之一种批次清洁装置的示意图。
图2为本发明一实施例之一种批次清洁方法的流程图。
图3为本发明一实施例之一种单晶圆清洁装置的示意图。
图4为本发明一实施例之一种单晶圆清洁方法的流程图。
图5为本发明一实施例之一种清洁装置的示意图。
图6为本发明一实施例之一种清洁方法的流程图。
图7为图6清洁方法中多个步骤的示意图。
主要元件符号说明
批次清洁装置 100
导引轨 110、510
机械臂 120、520
匣具 130、530
晶圆 131、331、531
清洁槽 140、540
第一槽 141、541
第二槽 142、542
第三槽 143、543
第四槽 144、544
第五槽 145
干燥器 150
单晶圆清洁装置 300
清洁模块 310
清洁室 311
旋转台 312
第一喷嘴 313
第二喷嘴 314
第三喷嘴 315
废弃液体出口 316
干燥模块 320
干燥室 321、560
IPA层 332、532
清洁装置 500
浸泡槽 550
方法 S200、S400、S600
步骤 S201～S207、S401～S408、S601～S612
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
下面结合附图，对本发明的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
请参阅图1及图2，本发明之一第一实施例以及第二实施例提供用于半导体晶圆的一批次清洁装置100的示意图与一批次清洁方法S200的流程图。如图1所示，所述批次清洁装置100包含在一批次中用于清洁多个晶圆131的多个清洁槽140。在至少一示例性的实施例中，所述批次清洁装置100包含一第一槽141、一第二槽142、一第三槽143、一第四槽144以及一第五槽145。所述第一槽141配置以一磷酸(H3PO4)溶液清洁所述多个晶圆131，所述第二槽142配置以去离子水(Deionized Water，DI Water)清洗所述多个晶圆131，所述第三槽143配置以一第一标准清洁(Standard Clean 1，SC1)溶液，即：氨水(NH4OH)与过氧化氢(H2O2)的一混合溶液，所述第四槽144配置再次以去离子水清洗所述多个晶圆131，以及所述第五槽145作为一最终清洗。至少一机械臂120被使用来将支撑所述多个晶圆131的一匣具130从一个槽移动到另一个槽。在一较佳的实施例中，一个匣具内有五十个晶圆。所述机械臂120沿着一导引轨110移动来移动所述匣具130。在通过第五槽145的最终清洗过程后，所述匣具130被移动到一干燥器150，以对所述晶圆131进行干燥。
如图2所示，所述批次清洁方法S200包含步骤S201到步骤S207。在所述第二实施例的所述批次清洁方法S200是通过在图1中的所述第一实施例的所述批次清洁装置100来执行。在步骤S201时，支撑所述多个晶圆131的所述匣具130被所述机械臂120装入所述第一槽141以通过所述H3PO4溶液清洁所述多个晶圆131。在步骤S202中，所述匣具130被所述机械臂120移动到所述第二槽142以通过所述去离子水清洗所述多个晶圆131。在步骤S203中，所述匣具130被移动到所述第三槽143以通过所述SC1溶液清洁所述多个晶圆131。在步骤S204中，所述匣具130被移动到所述第四槽144以通过所述去离子水清洗所述多个晶圆131。在步骤S205中，所述匣具130被移动到所述第五槽145以通过所述去离子水最终清洗所述多个晶圆131。在步骤S206中，所述匣具130被所述机械臂120移动到所述干燥器150以对所述多个晶圆131进行干燥。在步骤S207中，所述机械臂120从所述干燥器150取出所述匣具130。
请参阅图3及图4，本发明之一第三实施例以及第四实施例提供用于半导体晶圆的一单晶圆清洁装置300的示意图与一单晶圆清洁方法S400的流程图。如图3所示，所述第三实施例的所述单晶圆清洁装置300包含一清洁模块310以及一干燥模块320。所述清洁模块310提供一清洁室311，所述清洁室311具有用于将一晶圆331维持在所述清洁室311的一可旋转台312。在一实施例中，所述可旋转台312为一卡盘(Chuck)。在所述可旋转台312上还具有一第一喷嘴313、一第二喷嘴314、一第三喷嘴315以及一废弃液体出口316。所述第一喷嘴313配置以提供一低氟化铵液体(low ammonium fluoride liquid，LAL)溶液来清洁所述晶圆331。所述LAL溶液为氟化氢(HF)与氟化铵(NH4F)的混和溶液。所述第二喷嘴314配置以提供去离子水来清洗所述晶圆331。所述第三喷嘴315配置以提供异丙醇(isopropylalcohol，IPA)到所述晶圆331的一上表面。在所述清洁室311的下方提供所述废弃液体出口316。提供到所述晶圆331的所述表面之液态化学物质或去离子水将从所述废弃液体出口316被排出。在经过所述IPA清洗过程后，涂布了一IPA层332的所述晶圆331被移动到所述干燥模块320。所述晶圆331的所述表面上的所述IPA层332用于在所述移动的过程中避免所述晶圆331破裂。所述干燥模块320包含一干燥室321(例如：一超临界干燥室)。在所述干燥室321中，所述晶圆331通过超临界二氧化碳(CO2)以及所述IPA的多个循环进行干燥。在所述晶圆331干燥后，所述晶圆331从所述干燥室321中取出。
如图4所示，所述单晶圆清洁方法S400包含步骤S401到步骤S408。在所述第四实施例的所述单晶圆清洁方法S400是通过在图3中的所述第三实施例的所述单晶圆清洁装置300来执行。在步骤S401时，单一晶圆331被装载到所述清洁室311中。在步骤S402中，所述第一喷嘴313提供所述LAL溶液到所述晶圆331的所述表面，通过自旋所述晶圆331来清洁所述晶圆331的所述表面。在步骤S403中，所述第二喷嘴314提供所述去离子水到所述晶圆331的所述表面，通过自旋所述晶圆331来清洗所述晶圆331的所述表面。在步骤S204中，所述第三喷嘴315提供所述IPA到所述晶圆331的所述表面，通过自旋所述晶圆331来清洗所述晶圆331的所述表面。在步骤S405中，停止所述晶圆331的自旋，使所述晶圆331的所述表面上维持一IPA层332。在步骤S406中，所述晶圆331被移动到所述干燥室321(例如：所述超临界干燥室)。在步骤S407中，所述晶圆331通过超临界CO2以及所述IPA的多个循环进行干燥。在步骤S408中，所述晶圆331从所述干燥室321中取出。
请参阅图5及图6，本发明之一第五实施例以及第六实施例提供一清洁装置500的示意图与清洁半导体晶圆的一方法S600的流程图。请参阅图7，为显示了图6中的所述第六实施例的所述方法S600的多个步骤的一示意图。如图5所示，所述清洁装置500包含多个清洁槽540、一浸泡槽550以及至少一个干燥室560。所述多个清洁槽540配置以容纳用于清洁由一匣具530支撑的多个晶圆531的多个清洁剂。例如：所述多个清洁剂可为一第一标准清洁(Standard Clean 1，SC1)溶液、一缓冲氧化物蚀刻(Buffered Oxide Etch，BOE)溶液、一低氟化铵液体(low ammonium fluoride liquid，LAL)溶液、一磷酸(H3PO4)溶液或一硫酸过氧化物混合物(Sulfuric Peroxide Mixture，SPM)溶液。在一较佳的实施例中，一个匣具内有五十个晶圆。在一实施例中，所述多个清洁槽540包含一第一槽541、一第二槽542、一第三槽543以及一第四槽544。所述第一槽541配置以容纳所述H3PO4溶液或所述LAL溶液，所述第二槽542配置以容纳去离子水，所述第三槽543配置以容纳所述SC1溶液，所述第四槽544配置以容纳去离子水。所述第四槽544也可配置以通过添加一替代剂，来执行取代所述晶圆531的一表面上的水的一取代流程。所述浸泡槽550配置以容纳用于清洗所述多个晶圆531的所述替代剂。在一实施例中，所述替代剂为异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)。所述干燥室560可为通过超临界CO2以及所述IPA的多个循环依次进行一个晶圆531的干燥的一超临界干燥室。当所述晶圆531被移动到所述干燥室560时，所述晶圆531的所述表面上在所述移动与干燥的的过程中，覆盖了IPA层532以避免所述晶圆531破裂。所述清洁装置500更包括一导引轨510与至少一机械臂520。所述机械臂520与所述导引轨510连接，并配置以沿着所述导引轨510移动所述晶圆531。例如：在所述多个槽541-544与550间移动支撑着多个晶圆531的所述匣具530。
所述匣具530以所述多个晶圆531是被垂直放入的方式来放入到所述多个槽541-544中。明确的说，所述多个晶圆531的每一个都具有一上表面以及一下表面，而所述上表面以及所述下表面都是垂直指向的。当所述匣具531从所述第四槽544移动到所述浸泡槽550时，所述匣具530被所述机械臂520所旋转，以使所述多个晶圆531是被水平的放入所述浸泡槽550中。明确的说，所述匣具530被所述机械臂520以90度的一角度来旋转，以使所述多个晶圆531的所述上表面以及所述下表面为水平指向的。在所述晶圆531在所述浸泡槽550中进行IPA浸泡后，所述匣具530通过所述机械臂520从所述浸泡槽550中以晶圆之间间距的一高度被提取，使所述多个晶圆531中的一个从所述IPA中暴露出来。从所述IPA中暴露出来的所述晶圆531在其所述上表面上具有一IPA层532。然后，覆盖了所述IPA层532的所述晶圆531被移动到所述干燥室560，并通过所述超临界CO2以及所述IPA的多个循环来针对所述晶圆531进行干燥。在移动与干燥的过程中，所述晶圆531的所述表面上的所述IPA层是必要的，以避免所述晶圆531破裂。如图5所示，所述多个槽541-544的流程是批次性流程，所述浸泡槽555的流程会从批次次性流程切换到单晶圆流程，而所述干燥室560的流程为单晶圆流程。
如图6所示，清洁半导体晶圆的所述方法S600包含步骤S601到步骤S612。在所述方法S600是通过在图5中的所述装置500来执行。图7为所述方法S600的所述多个步骤的示意图。
在步骤S601时，将支撑多个晶圆531的一个匣具装载到一清洁装置550。所述清洁装置550包含多个清洁槽540、一浸泡槽550以及至少一个干燥室560。所述多个清洁槽540配置以容纳用于清洁多个晶圆531的多个清洁剂。如图5所示，所述多个清洁槽540包含一第一槽541、一第二槽542、一第三槽543以及一第四槽544。所述第一槽541配置以容纳H3PO4溶液或LAL溶液，所述第二槽542配置以容纳去离子水，所述第三槽543配置以容纳SC1溶液，所述第四槽544配置以容纳去离子水。所述清洁装置500更包括一导引轨510与至少一机械臂520。所述机械臂520与所述导引轨510连接，并配置以沿着所述导引轨510移动所述多个晶圆531。
在步骤S602-S605，所述匣具530所支撑的所述多个晶圆531，在所述多个清洁槽540中经由一批次流程通过所述多个清洁剂进行清洁。在清洁的过程中，所述多个晶圆531是垂直放入所述多个清洁槽540中。明确来说，在步骤S602中，所述多个晶圆531在所述第一槽541中通过所述H3PO4溶液或所述LAL溶液进行清洁。在步骤S603中，所述多个晶圆531在所述第二槽542中通过所述去离子进行清洗。在步骤S604中，所述多个晶圆531在所述第三槽543中通过所述SC1溶液进行清洁。在步骤S605中，如图7中的步骤S605所示，所述多个晶圆531在所述第四槽544中通过所述去离子水进行清洗。
在步骤S606中，提供一替代剂到所述第四槽中，以取代所述多个晶圆531的所述表面上的所述去离子水。所述取代剂可为IPA。在步骤S606中，如图7中的步骤S606所示，所述IPA被添加到所述第四槽544中，以取代所述多个晶圆531的所述表面上的所述IPA。在步骤S602-S606中，所述匣具530所支撑的所述多个晶圆531仍维持垂直放入所述多个清洁槽540中。
在步骤S607中，如图7中的步骤S607所示，支撑所述多个晶圆531的所述匣具530被从所第四槽544中移出，并旋转以允许所述多个晶圆531被水平放入所述浸泡槽550中。在步骤S607中，所述匣具530被所述机械臂530以90度的一角度来旋转，以允许所述多个晶圆被水平放置。
在步骤S608中，所述多个晶圆531被浸泡在所述浸泡槽550中的所述替代剂中。所述替代剂为IPA。如图7中的步骤608所示，所述匣具530所支撑的所述多个晶圆531被水平的放入到所述浸泡槽550中。
在步骤S609中，如图7中的步骤608所示，所述匣具530被所述机械臂520所提取，以使所述多个晶圆531中的一个从所述浸泡槽550中的所述替代剂水平暴露出来。从所述替代剂暴露出来的所述晶圆531的所述表面被覆盖了所述替代剂的一层。明确来说，所述匣具530以晶圆之间间距的一高度被提取，使所述多个晶圆531中的一个从所述替代剂中暴露出来。另一方面，所述匣具530亦可被以晶圆之间两个间距的一高度来提取，使所述多个晶圆531中的两个从所述替代剂中暴露出来。在最上面的所述晶圆531被移出后，可降低所述匣具530使其他的晶圆531可浸泡在所述替代剂中。通过以晶圆之间两个间距的一高度来提取所述匣具530，所述机械臂520可在不接触到所述浸泡槽550中的替代剂下抓取最上面的所述晶圆531。由于所述晶圆531是从所述替代剂(例如：IPA)水平暴露出来，所以所述晶圆531在其上表面上维持一IPA层532。因此，由于所述晶圆531已经从所述浸泡槽550中覆盖上所述IPA层532，所以相较于单晶圆过程，并不需要通过一IPA喷嘴的额外IPA喷洒过程来润湿所述晶圆531的所述表面。在步骤609中，所述方法S600可从一批次流程转换成一单晶圆流程。
在步骤S610中，被覆盖所述IPA层532的所述晶圆531被移动到所述清洁装置500的所述干燥室560中。所述干燥室560可为使用超临界气体来干燥所述晶圆531的一超临界干燥室。在步骤S611中，如图7所示，所述晶圆531通过所述单晶圆流程，并以超临界气体在所述干燥室560中进行干燥。较佳的，所述晶圆531通过超临界CO2在所述干燥室560中进行干燥。另一方面，所述晶圆531通过所述超临界CO2以及所述IPA的多个循环在所述干燥室560中进行干燥。在步骤S612中，所述干燥后晶圆被从所述干燥室560中取出。所述方法S600在步骤S610-S612中是单晶圆流程。
本发明也提供了用于半导体晶圆的一清洁装置。所述清洁装置可参考图5中的清洁装置500以及第五实施例以及第六实施例。所述清洁装置500包含多个清洁槽540、一浸泡槽550、至少一机械臂520以及至少一个干燥室560。所述多个清洁槽540配置以通过多个清洁剂来清洁由一匣具530支撑的多个晶圆531。所述多个晶圆531通过一批次流程在多个清洁槽540中进行清洁。如图5所示，所述多个清洁槽540包含一第一槽541、一第二槽542、一第三槽543以及一第四槽544。所述第一槽541配置以容纳H3PO4溶液或LAL溶液，所述第二槽542配置以容纳去离子水，所述第三槽543配置以容纳SC1溶液，所述第四槽544配置以容纳去离子水。所述第四槽544可配置以接收一替代剂，来取代所述晶圆531的所述表面上的所述去离子水。所述匣具530支撑的所述多个晶圆531被垂直的放入所述多个清洁槽540中。所述浸泡槽540配置以通过所述替代剂来清洗所述多个晶圆530。较佳的，所述替代剂为IPA。
如图5所示，所述清洁装置500包含作为一的第一机械臂与一第二机械臂的两个机械臂520。所述清洁装置500更包含一个导引轨510。所述第一机械臂与所述第二机械臂与所述导引轨510连接，并沿着所述导引轨510移动。所述第一机械臂520配置以在所述多个清洁槽540以及所述浸泡槽550之间移动所述匣具530。由所述匣具530支撑的所述多个晶圆531被垂直的放入所述多个清洁槽540中。当所述匣具530从所述多个清洁槽540移到所述浸泡槽550时，所述第一机械臂配置以旋转所述匣具530，以允许所述多个晶圆531被水平的放入所述浸泡槽550中。同样的，所述第一机械臂560配置以从所述浸泡槽550中提取所述匣具530。所述第一机械臂560被配置以晶圆之间一个间距的一高度来提取所述匣具530，使所述多个晶圆531中的一个从所述浸泡槽550的所述替代剂中暴露出来。从所述替代剂暴露出来的所述晶圆531的所述表面被所述替代剂的一层所覆盖，以避免在移动到所述干燥室560的期间产生晶圆破裂。所述第二机械臂配置以在所述匣具530从所述浸泡槽550中取出时，从所述匣具530取出所述多个晶圆531中的一个。
所述干燥室560配置以通过单晶圆流程来干燥被所述第二机械臂抓取的所述晶圆531。所述干燥室560是配置通过超临界CO2来干燥所述晶圆531的一超临界干燥室。较佳的，所述晶圆531通过所述超临界CO2以及所述IPA的多个循环来进行干燥。
综上所述，本发明实施例之方法与清洁装置结合了批次流程与单晶圆流程来清洁半导体晶圆。同样的，所述多个晶圆在批次流程的最末端被浸泡在一IPA浸泡槽中，以使所述晶圆在被移动到一干燥室之前被覆盖一IPA层。因此，不需要通过一IPA喷嘴额外的IPA喷洒程序来避免晶圆破裂。本发明实施例之方法与清洁装置优化了清洁半导体晶圆的处理速度以及效果。
以上所述，仅是本发明的较佳实施方式而已，并非对本发明任何形式上的限制，虽然本发明已是较佳实施方式揭露如上，并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施方式，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施方式所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (7)

1.一种清洁半导体晶圆的方法，其特征在于，其包含：
将支撑多个晶圆的一匣具装载到一清洁装置，其中所述清洁装置包含多个清洁槽、一浸泡槽以及至少一个干燥室，所述多个清洁槽配置以容纳清洁所述多个晶圆的多个清洁剂，所述浸泡槽配置以容纳清洗所述多个晶圆的一替代剂，所述至少一个干燥室配置以干燥所述多个晶圆；
通过一批次流程，将支撑所述多个晶圆的所述匣具依次装入所述多个清洗槽中，从而使用所述多个清洁剂，依次在所述多个清洁槽中清洁所述匣具所支撑的所述多个晶圆，其中所述多个晶圆是垂直的置入到所述多个清洁槽中；
依次将所述匣具移出所有所述多个清洁槽后，旋转所述匣具以允许所述多个晶圆水平的放置到所述清洁装置的所述浸泡槽中；
在所述浸泡槽内，在所述替代剂中清洗所述多个晶圆；
将所述匣具取出，使所述多个晶圆中的一个从所述替代剂中水平的露出，其中露出所述替代剂的所述晶圆的一表面被所述替代剂的一层所覆盖；以及
移动覆盖有所述替代剂的所述晶圆到所述清洁装置的所述至少一个干燥室中的其中一个。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述多个清洁槽包含一第一槽、一第二槽、一第三槽以及一第四槽，其中所述第一槽配置以容纳一磷酸溶液或一低氟化铵液体，所述第二槽配置以容纳去离子水，所述第三槽配置以容纳一第一SC1溶液，以及所述第四槽配置以容纳去离子水。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：
提供所述替代剂到所述第四槽，以使所述多个晶圆在所述第四槽中经由所述去离子水清洗后，取代所述多个晶圆的所述表面上的所述去离子水。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述替代剂为异丙醇。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
在所述晶圆被移动到所述清洁装置的所述干燥室中后，通过一单一晶圆流程，在所述干燥室中使用一超临界气体对所述晶圆进行干燥。
6.一种半导体晶圆的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置包含：
多个清洁槽，其配置以使用多个清洁剂来清洁由一匣具支撑的多个晶圆，其中所述多个晶圆通过一批次流程在所述多个清洁槽中清洁，所述匣具支撑的多个晶圆是垂直的置入到所述多个清洁槽中；
一浸泡槽，其配置以使用一替代剂清洗所述多个晶圆；
一第一机械臂，其配置以将支撑所述多个晶圆的所述匣具依次装入所述多个清洗槽中，从而使用所述多个清洁剂，依次在所述多个清洁槽中清洁所述匣具所支撑的所述多个晶圆，其中所述匣具支撑的多个晶圆是垂直的置入到所述多个清洁槽中，所述第一机械臂还配置以依次将所述匣具移出所有所述多个清洁槽后，旋转所述匣具以旋转所述匣具以允许所述多个晶圆水平的放置到所述浸泡槽中，所述第一机械臂还配置以将所述匣具从所述浸泡槽中取出，使所述多个晶圆中的一个从所述替代剂中水平的露出，其中露出所述替代剂的所述晶圆的一表面被所述替代剂的一层所覆盖；
一第二机械臂，其配置以在所述匣具从所述浸泡槽取出时，从所述匣具取出所述多个晶圆中的一个；以及
至少一干燥室，其配置以通过一单一晶圆流程，对所述第二机械臂所取出的所述晶圆进行干燥。
7.如权利要求6所述的清洁装置，其特征在于，所述多个清洁槽包含：
一第一槽配置以容纳一磷酸溶液或一低氟化铵液体；
一第二槽配置以容纳去离子水；
一第三槽配置以容纳一第一SC1溶液；以及
一第四槽配置以容纳去离子水，其中所述第四槽配置以接收所述替代剂，以取代所述多个晶圆的表面上的所述去离子水。
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