CN112771423A - 液晶化合物取向层转印用薄膜 - Google Patents

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Abstract

提供：用于转印液晶化合物取向层的环状聚烯烃系转印用薄膜、且该转印用薄膜能形成减少了针孔等坏点的发生的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)。一种液晶化合物取向层转印用薄膜，其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的环状聚烯烃系薄膜，薄膜的脱模面的表面粗糙度(SRa)为1nm以上且30nm以下。

Description

液晶化合物取向层转印用薄膜
技术领域
本发明涉及用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜。更详细而言，涉及：在制造层叠有由液晶化合物取向层形成的相位差层的圆偏光板等偏光板、相位差板时、制造具有由液晶化合物取向层形成的偏光层的偏光板时等能够使用的、用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜。
背景技术
以往，图像显示装置中，为了降低外来光的反射，在图像显示面板的观看者侧的面板面配置圆偏光板。该圆偏光板由直线偏光板与λ/4等相位差薄膜的层叠体构成，通过直线偏光板将面向图像显示面板的面板面的外来光转换为直线偏振光，然后，通过λ/4等相位差薄膜转换为圆偏振光。基于圆偏振光的外来光在图像显示面板的表面进行反射时偏光面的旋转方向倒转，该反射光相反地通过λ/4等相位差薄膜转换为由直线偏光板遮光的方向的直线偏振光，之后通过直线偏光板遮光，因此，可抑制对外部的出射。如此，圆偏光板使用的是，在偏光板上贴合有λ/4等相位差薄膜者。
作为相位差薄膜，使用有环状烯烃(参照专利文献1)、聚碳酸酯(参照专利文献2)、三乙酰纤维素的拉伸薄膜(参照专利文献3)等单独的相位差薄膜。另外，作为相位差薄膜，使用有在透明薄膜上具有由液晶化合物形成的相位差层的层叠体的相位差薄膜(参照专利文献4、5)。记载了上述中在设置由液晶化合物形成的相位差层(液晶化合物取向层)时，可以将液晶化合物转印。
另外，专利文献6等中已知通过将由液晶化合物形成的相位差层转印至透明薄膜而制成相位差薄膜的方法。通过这种转印法，还已知在透明薄膜上设置λ/4等的液晶化合物形成的相位差层而形成λ/4薄膜的方法(参照专利文献7、8)。
这些转印法中，作为转印用的基材，介绍了各种基材，大量示例了聚酯、三乙酰纤维素、环状聚烯烃等透明树脂薄膜。其中，环状聚烯烃系薄膜由于无折射率各向异性，因此，可以以将相位差层设于薄膜基材的状态检查(评价)相位差层的状态而优选。
然而，使用环状聚烯烃系薄膜作为转印用的薄膜基材而制造的相位差层层叠偏光板(圆偏光板)用于图像显示装置的防反射用的情况下，有时产生针孔状、刮痕状的漏光，成为问题。
另外，还已知有如下方法：将层叠在转印用薄膜上的包含液晶化合物和二色性色素的偏光层(液晶化合物取向层)转印至保护膜，从而制造偏光板，但该情况也与上述同样地有时产生针孔状、刮痕状的漏光，成为问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-56322号公报
专利文献2：日本特开2004-144943号公报
专利文献3：日本特开2004-46166号公报
专利文献4：日本特开2006-243653号公报
专利文献5：日本特开2001-4837号公报
专利文献6：日本特开平4-57017号公报
专利文献7：日本特开2014-071381号公报
专利文献8：日本特开2017-146616号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是以上述现有技术的课题作为背景而作出的。即，本发明的目的在于，想要提供：用于转印液晶化合物取向层的环状聚烯烃系转印用薄膜，且该转印用薄膜能形成减少了针孔等坏点的发生的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)。
用于解决问题的方案
本发明人为了达成上述目的，对在使用环状聚烯烃系薄膜作为转印用的薄膜基材而制造的相位差层层叠偏光板(圆偏光板)中产生针孔等坏点的原因进行了研究。其结果发现：薄膜基材的表面的微小结构对形成于薄膜基材上的由液晶化合物形成的相位差层中的液晶化合物的取向状态、相位差产生较大的影响，有时得不到符合设计的取向状态、相位差，因此，产生针孔等坏点。而且，本发明人着眼于这些微小结构中以特定的参数所示的薄膜基材的表面粗糙度，发现：通过使用该表面粗糙度被控制为特定的范围内的薄膜基材，从而能形成减少了针孔等坏点的发生的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)而不产生上述以往的问题，至此完成了本发明。
即，本发明具有以下的(1)～(4)的构成。
(1)一种液晶化合物取向层转印用薄膜，其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的环状聚烯烃系转印用薄膜，转印用薄膜的脱模面的表面粗糙度(SRa)为1nm以上且30nm以下。
(2)根据(1)所述的液晶化合物取向层转印用薄膜，其特征在于，转印用薄膜的脱模面的十点表面粗糙度(SRz)为5nm以上且200nm以下。
(3)一种液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，其为层叠有液晶化合物取向层与转印用薄膜的层叠体，转印用薄膜为(1)或(2)所述的转印用薄膜。
(4)一种液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：使偏光板与(3)所述的层叠体的液晶化合物取向层面贴合而形成中间层叠体的工序；和，从中间层叠体剥离转印用薄膜的工序。
发明的效果
根据本发明，使用表面粗糙度被控制为特定的范围内的环状聚烯烃系薄膜作为相位差层、偏光层的转印用薄膜，从而可以使相位差层、偏光层中的液晶化合物的取向状态、相位差符合设计，可以形成减少了针孔等坏点的发生的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)。
具体实施方式
本发明的转印用薄膜的特征在于，其用于将液晶化合物取向层转印至对象物(其他透明树脂薄膜、偏光板等)，转印用薄膜的脱模面的表面粗糙度(SRa)为1nm以上且30nm以下。需要说明的是，转印用薄膜可以为单独的薄膜，也可以通过涂布等在成为基材的薄膜上设置脱模层。另外，可以在背面设置抗静电层、易滑层等。需要说明的是，本发明中，将在不使用脱模涂层等层的情况下单独用转印用薄膜者、设置脱模涂层、背面的涂层等用作转印用薄膜者统称为转印用薄膜，将设置涂层等前的状态的薄膜称为基材薄膜。
构成本发明的转印用薄膜中使用的薄膜基材的树脂为环状聚烯烃系的树脂。环状聚烯烃是指，聚合物的重复单元中含有脂环式结构的化合物。作为脂环式结构，可以举出环烷烃结构、环烯烃结构等，从透明性的观点出发，优选环烷烃结构。环状聚烯烃中的具有脂环式结构的重复单元的比率可以根据使用目的而适宜选择，通为50重量％以上、优选70重量％以上、更优选90重量％以上。作为优选的环状聚烯烃，可以举出降冰片烯系聚合物，特别优选降冰片烯系聚合物的氢化物。它们可以使用用作光学薄膜者作为适合的例子。
本发明的转印用薄膜可以为单层也可以为基于共挤出的多层作为构成。多层的情况下，可以举出表层(脱模面侧层A)/背面侧层(B)、A/中间层(C)/A(脱模面侧层与背面侧层相同)、A/C/B等构成。另外，进一步也可以为4层以上的多层构成。
转印用薄膜在工业上以卷绕薄膜而成的卷的形式供给。卷宽的下限优选30cm、更优选50cm、进一步优选70cm、特别优选90cm、最优选100cm。卷宽的上限优选5000cm、更优选4000cm、进一步优选3000cm。
卷长度的下限优选100m、更优选500m、进一步优选1000m。卷长度的上限优选100000m、更优选50000m、进一步优选30000m。
(脱模面粗糙度)
本发明的转印用薄膜的脱模面(A层表面)优选为平滑。需要说明的是，本发明中，转印用薄膜的“脱模面”是指，转印用薄膜的表面中、意图设置转印用薄膜转印的液晶化合物取向层的表面。在设置后述的平坦化涂层、脱模层等的情况下，如果在其上设置液晶化合物取向层，则这些平坦化层、脱模层等的表面(与液晶化合物取向层接触的面)为转印用薄膜的“脱模面”。
本发明的转印用薄膜的脱模面的三维算术平均粗糙度(SRa)的下限优选1nm、更优选2nm。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，本发明的转印用薄膜的脱模面的SRa的上限优选30nm、更优选25nm、进一步优选20nm、特别优选15nm、最优选10nm。如果超过上述，则液晶化合物的取向有时紊乱。
本发明的转印用薄膜的脱模面的三维十点平均粗糙度(SRz)的下限优选5nm、更优选10nm、进一步优选13nm。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，本发明的转印用薄膜的脱模面的SRz的上限优选200nm、更优选150nm、进一步优选120nm、特别优选100nm、最优选80nm。如果超过上述，则液晶化合物的取向有时紊乱。
本发明的转印用薄膜的脱模面的最大高度(SRy：脱模面最大山峰高度SRp+脱模面最大谷深度SRv)的下限优选10nm、更优选15nm、进一步优选20nm。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，本发明的转印用薄膜的脱模面的SRy的上限优选300nm、更优选250nm、进一步优选150nm、特别优选120nm、最优选100nm。如果超过上述，则液晶化合物的取向有时紊乱。
本发明的转印用薄膜的脱模面的高低差0.5μm以上的突起的数量的上限优选5个/m2、更优选4个/m2、进一步优选3个/m2、特别优选2个/m2、最优选1个/m2。如果超过上述，则液晶化合物的取向有时紊乱。
脱模面的粗糙度如果超过上述范围，则在形成于本发明的转印用薄膜上的液晶化合物取向层的微小部分不成为符合设计的取向状态、相位差，有时产生针孔状、刮痕状的坏点。其理由如以下考虑。首先，认为，如后述，在转印用薄膜与液晶化合物取向层之间可以设置刷磨处理取向控制层、光取向控制层等取向控制层，但该取向控制层如果为刷磨处理取向控制层，则刷磨时凸部分的取向控制层被剥离、凸部分的山角部、凹部分的刷磨变得不充分是成为坏点发生的原因。另外，脱模面层中包含颗粒的情况下，刷磨时颗粒脱落，划伤表面也认为是坏点发生的原因。另外，无论为刷磨处理取向控制层还是光取向控制层，在设有取向控制层的状态下将薄膜卷取的情况下，与背面层摩擦，因此凸部分的取向控制层中会有空穴，或由于压力而取向紊乱也认为是坏点发生的原因。由于这些取向控制层的缺陷而在取向控制层上设置液晶化合物取向层时在其微小部分不适当地引起液晶化合物的取向，得不到符合设计的取向状态、相位差，作为其结果，认为产生针孔状、刮痕状的坏点。
另外，在转印用薄膜上直接形成液晶化合物取向层而不设置取向控制层的情况下，涂覆液晶化合物时，液晶化合物取向层的厚度在转印用薄膜的脱模面的凸部分处变薄、或相反地液晶化合物取向层的厚度在转印用薄膜的脱模面的凹部分处变厚等，因该理由，得不到符合设计的相位差也认为是坏点发生的原因。
为了使脱模面(A)的粗糙度为上述范围，可以举出以下的方法。
·使基材薄膜的脱模面侧层(表层)不含颗粒。
·基材薄膜的脱模面侧层(表层)包含颗粒的情况下，使其为粒径小的颗粒。
·使成为脱模面的侧的辊(浇铸辊或接触辊)的表面平滑。
·在基材薄膜的脱模面侧设置平坦化涂层。
需要说明的是，本发明中，基材薄膜的“脱模面侧层”是指，构成基材薄膜的树脂的各层中、存在有脱模面的层。此处，基材薄膜为单一的层的情况下，也有时称为脱模面侧层。该情况下，后述的背面侧层与脱模面侧层成为相同层。
另外，除上述以外，如以下那样清洁原料、制造工序也是重要的。
·对熔融后的环状聚烯烃树脂施行过滤。
·对涂布剂施行过滤，将异物去除。
·制膜、涂布、干燥时在清洁环境下进行。
表层为了平滑化而优选实质上不含颗粒。实质上不含颗粒是指，颗粒含量低于50ppm、优选低于30ppm。
为了提高表面的滑动性，表层可以包含颗粒。包含颗粒的情况下，表层颗粒含量的下限优选30ppm、更优选50ppm、进一步优选100ppm。另外，表层颗粒含量的上限优选20000ppm、更优选10000ppm、进一步优选8000ppm、特别优选6000ppm。如果超过上述，则有时无法使表层的粗糙度为优选的范围内。
表层粒径的下限优选0.005μm、更优选0.01μm、进一步优选0.02μm。另外，表层粒径的上限优选3μm、更优选1μm、进一步优选0.5μm、特别优选0.3μm。如果超过上述，则有时无法使表层的粗糙度为优选的范围内。
即使在表层不含颗粒的情况、形成粒径小的颗粒的情况下，有时其下层包含颗粒时，由于下层的颗粒的影响也会使脱模面层的粗糙度变高。这种情况下，优选采用增大脱模面层的厚度、或设置不含颗粒的下层(中间层)等方法。
表层厚度的下限优选0.1μm、更优选0.5μm、进一步优选1μm、特别优选3μm、最优选5μm。另外，表层厚度的上限相对于转印用薄膜的总厚度，优选97％、更优选95％、进一步优选90％。
不含颗粒的中间层是指实质上不含颗粒的含义，颗粒的含量低于50ppm、优选低于30ppm。相对于转印用薄膜的总厚度，中间层的厚度的下限相对于转印用薄膜的总厚度，优选10％、更优选20％、进一步优选30％。上限优选95％、更优选90％。
转印用薄膜(基材薄膜)的表层的粗糙度高的情况下，可以设置平坦化涂层。作为平坦化涂层中使用的树脂，可以举出聚酯、丙烯酸类、聚氨酯、聚苯乙烯、聚酰胺等通常用作涂布剂的树脂者。也优选使用三聚氰胺、异氰酸酯、环氧树脂、噁唑啉化合物等交联剂。它们作为溶解或分散于有机溶剂、水的涂布剂进行涂覆并使其干燥。或丙烯酸类的情况下，可以以无溶剂涂覆，在辐射线下使其固化。平坦化涂层可以为低聚物阻挡涂层。利用涂布来设置脱模层的情况下，可以加厚脱模层本身。
表面平坦化涂层的厚度的下限优选0.01μm、更优选0.1μm、进一步优选0.2μm、特别优选0.3μm。如果低于上述，则平坦化的效果有时变得不充分。另外，表面平坦化涂层的厚度的上限优选10μm、更优选7μm、进一步优选5μm、特别优选3μm。即使超过上述，有时也得不到其以上的平坦化效果。
平坦化涂层可以在制膜过程中以在线涂布设置，也可以另行以离线设置。
(脱模层)
得到的基材薄膜只要具有与转印物(液晶化合物取向层)的剥离性就可以直接用作转印用薄膜。为了调整脱模性，可以对薄膜进行表面处理。作为表面处理，可以举出电晕处理、等离子体处理等。
另外，可以设置脱模层。作为脱模层，可以使用公知的脱模剂，可以举出醇酸树脂、氨基树脂、长链丙烯酸类丙烯酸酯系、有机硅树脂、氟树脂作为优选例。它们可以根据与转印物的密合性而适宜选择。为了提高基材薄膜与脱模层的密合性，可以对基材薄膜进行表面处理。作为表面处理，可以举出上述处理。另外，也可以进行易粘接涂布。
(背面侧粗糙度)
另外，即使使本发明的转印用薄膜的脱模面为平滑，在液晶化合物取向层中也有时产生坏点。已知这是由于，转印用薄膜以卷取为卷状的状态被供给，表面与背面接触，背面的粗糙度转印至表面(背面的凸部转印至脱模层而形成凹部)。对于设有液晶化合物取向层的转印用薄膜，为了保护液晶化合物取向层，也有时贴合并卷取掩蔽薄膜，但为了降低成本，直接卷取的情况也多。认为，在如此以设有液晶化合物取向层的状态进行卷取的情况下，液晶化合物取向层由于背面的凸部而有凹陷、或空穴、或引起取向紊乱的现象。另外，认为，不在设有液晶化合物取向层的状态下卷取，而在之后设置液晶化合物取向层的情况下，由于背面的凸部而在液晶化合物取向层中会有空穴，引起取向紊乱的现象。特别是在卷芯部压力高，容易引起这些现象。基于以上的见解可知，可以通过使脱模面的相反面表面(背面)的粗糙度为特定的范围内而防止上述坏点。
本发明的转印用薄膜的背面的三维算术平均粗糙度(SRa)的下限优选3nm、更优选4nm、进一步优选5nm。如果低于上述，则滑动性变差，卷输送时、卷取时等不顺利地滑动，有时变得容易带来刮痕。另外，本发明的转印用薄膜的背面的SRa的上限优选50nm、更优选45nm、进一步优选40nm。如果超过上述，则坏点有时变多。
本发明的转印用薄膜的背面的三维十点平均粗糙度(SRz)的下限优选15nm、更优选20nm、进一步优选25nm。另外，本发明的转印用薄膜的背面的SRz的上限优选1500nm、更优选1200nm、进一步优选1000nm、特别优选700nm、最优选500nm。如果超过上述，则坏点有时变多。
本发明的转印用薄膜的背面的最大高度(SRy：背面最大峰高度SRp+背面最大谷深度SRv)的下限优选20nm、更优选30nm、进一步优选40nm、特别优选50nm。另外，本发明的转印用薄膜的背面的最大高度SRy的上限优选2000nm、更优选1500nm、进一步优选1200nm、特别优选1000nm、最优选700nm。如果超过上述，则坏点有时变多。
本发明的转印用薄膜的背面的高低差2μm以上的突起的数量的上限优选5个/m2、更优选4个/m2、进一步优选3个/m2、特别优选2个/m2、最优选1个/m2。如果超过上述，则坏点有时变多。
以上的参数所示的本发明的转印用薄膜的背面的粗糙度如果低于上述范围，则薄膜的滑动性变差，薄膜以卷输送时、卷取时等变得不易滑动，有时变得容易带来刮痕。另外，制造薄膜时的卷取中，卷取不稳定，产生褶皱，成为不良品，或卷取后的卷的端部的凹凸变大，后续工序中变得容易引起薄膜的蛇行，或变得容易断裂。
需要说明的是，本发明的转印用薄膜的背面的粗糙度如果超过上述，则变得容易产生上述坏点。
为了使背面的粗糙度为上述范围，可以举出以下的方法。
·使成为背面的侧的辊(浇铸辊或接触辊)的表面的粗糙度为特定的范围。
·使基材薄膜的背面侧层(背面层)包含特定的颗粒。
·基材薄膜的中间层使用包含颗粒的层，以背面层侧(背面层)中不含颗粒的方式减薄厚度。
·基材薄膜的背面侧层(背面层)的粗糙度大的情况下，设置平坦化涂层。
·基材薄膜的背面侧层(背面层)过度平滑的情况下，设置易滑涂层(含颗粒涂层)。
背面层粒径的下限优选0.005μm、更优选0.01μm、进一步优选0.05μm、特别优选0.1μm。如果低于上述，则滑动性变差，有时引起卷取不良。另外，背面层粒径的上限优选5μm、更优选3μm、进一步优选2μm。如果超过上述，则背面有时过度变粗糙。
背面包含颗粒的情况下，背面层颗粒含量的下限优选50ppm、更优选100ppm。如果低于上述，则有时得不到添加颗粒所产生的滑动性的效果。另外，背面层颗粒含量的上限优选10000ppm、更优选7000ppm、进一步优选5000ppm。如果超过上述，则背面有时过度变粗糙。
背面层厚度的下限优选0.1μm、更优选0.5μm、进一步优选1μm、特别优选3μm、最优选5μm。另外，背面层厚度的上限相对于转印用薄膜的总厚度，优选95％、更优选90％、进一步优选85％。
也优选中间层中包含颗粒，背面层不含颗粒而减薄，从而控制背面的粗糙度。通过取这种形态，从而可以边防止颗粒的脱落边确保背面的粗糙度。
作为中间层的颗粒的粒径、添加量，与背面层的颗粒同样。该情况下的背面层的厚度的下限优选0.5μm、更优选1μm、进一步优选2μm。厚度的上限优选30μm、更优选25μm、进一步优选20μm。
基材薄膜的背面粗糙的情况下，也优选设置平坦化涂层。平坦化涂层可以同样使用表面的平坦化涂层中列举者。
背面平坦化涂层的厚度的下限优选0.01μm、更优选0.03μm、进一步优选0.05μm。如果低于上述，则平坦化的效果有时变小。另外，背面平坦化涂层的厚度的上限优选10μm、更优选5μm、进一步优选3μm。即使超过上述，平坦化的效果也会饱和。
可以在背面设置含有颗粒的易滑涂层。在基材薄膜的背面侧不含颗粒的情况、粗糙度不足的情况下，易滑涂层有效。
背面易滑涂层的粒径的下限优选0.01μm、更优选0.05μm。如果低于上述，则有时得不到易滑性。另外，背面易滑涂层的粒径的上限优选5μm、更优选3μm、进一步优选2μm、特别优选1μm。如果超过上述，则背面的粗糙度有时过高。
背面易滑涂层的颗粒含量的下限优选0.1质量％、更优选0.5质量％、进一步优选1质量％、特别优选1.5质量％、最优选2质量％。如果低于上述，则有时得不到易滑性。另外，背面易滑涂层的颗粒含量的上限优选20质量％、更优选15质量％、进一步优选10质量％。如果超过上述，则背面的粗糙度有时过高。
背面易滑涂层的厚度的下限优选0.01μm、更优选0.03μm、进一步优选0.05μm。另外，背面易滑涂层的厚度的上限优选10μm、更优选5μm、进一步优选3μm、特别优选2μm、最优选1μm。
设置这些涂层的情况下，优选对基材薄膜进行上述表面处理、易粘接涂布。
环状聚烯烃系薄膜通常可以利用熔融挤出法制造。以下，关于该方法简单地进行说明。
熔融挤出法中，对于环状聚烯烃树脂，在单螺杆挤出机或双螺杆挤出机中，通常加热至(Tg+30)～(Tg+180)℃、优选加热至(Tg+50)～(Tg+150)℃、特别优选加热至(Tg+60)～(Tg+140)℃并熔融，从模挤出至浇铸辊上。此处，Tg为环状聚烯烃树脂的玻璃化转变温度。
为了达成适当的表面粗糙度，优选将熔融树脂从挤出机至模之间用过滤器过滤，将粗大颗粒去除。使用的过滤器的过滤精度的下限优选0.5μm、更优选1μm。过滤器的过滤精度的上限优选100μm、更优选50μm、进一步优选25μm、特别优选20μm、最优选10μm。其值可以根据添加的颗粒的粒径而适宜确定。
(辊粗糙度)
通过调节辊的粗糙度，从而可以调节制成的薄膜的表面的粗糙度。例如，对于使浇铸辊为脱模面、接触辊为背面的情况，以下中对优选的辊的粗糙度进行说明。
使浇铸辊为脱模面时的浇铸辊的三维算术平均面粗糙度(SRa)的下限优选1nm、更优选1.3nm、进一步优选1.5nm。使浇铸辊为脱模面时的浇铸辊的三维算术平均面粗糙度(SRa)的上限优选250nm、更优选200nm、进一步优选150nm、特别优选100nm、最优选50nm。
使浇铸辊为脱模面时的浇铸辊的三维十点平均粗糙度(SRz)的下限优选3nm、更优选5nm、进一步优选7nm。使浇铸辊为脱模面时的浇铸辊的三维十点平均粗糙度(SRz)的上限优选1000nm、更优选700nm、进一步优选500nm、特别优选300nm、最优选250nm。
使浇铸辊为脱模面时的浇铸辊的最大高度(SRy)的下限优选5nm、更优选8nm、进一步优选10nm。使浇铸辊为脱模面时的浇铸辊的最大高度(SRy)的上限优选1500nm、更优选1000nm、进一步优选800nm、特别优选600nm。
使接触辊为背面时的接触辊的三维算术平均面粗糙度(SRa)的下限优选5nm、更优选10nm、进一步优选15nm。使接触辊为背面时的接触辊的三维算术平均面粗糙度(SRa)的上限优选500nm、更优选400nm、进一步优选300nm、特别优选250nm、最优选200nm。
使接触辊为背面时的接触辊的三维十点平均粗糙度(SRz)的下限优选20nm、更优选30nm、进一步优选40nm。使接触辊为背面时的接触辊的三维十点平均粗糙度(SRz)的上限优选2000nm、更优选1500nm、进一步优选1200nm、特别优选1000nm、最优选800nm。
使接触辊为背面时的接触辊的最大高度(SRy)的下限优选30nm、更优选40nm、进一步优选50nm。使接触辊为背面时的接触辊的最大高度(SRy)的上限优选3000nm、更优选2500nm、进一步优选2000nm、特别优选1500nm、最优选1000nm。
通过使浇铸辊和/或接触辊的各粗糙度的参数为上述范围，从而变得容易将基材薄膜的粗糙度控制为适当的范围。
通常，制膜条件与薄膜表面的粗糙度存在以下的关系，考虑它们来确定辊的粗糙度。
·浇铸辊和接触辊中为相同的粗糙度的情况下，薄膜的浇铸辊面变粗糙。
·模与浇铸辊的间隔越少，薄膜的浇铸辊面的粗糙度越变大。
·熔融树脂与浇铸辊接触的位置跟接触辊推入的位置越接近，各面的粗糙度越变大。
·树脂的熔融粘度越低，各面的粗糙度越变大。
·浇铸辊与接触辊的温度越高，各面的粗糙度越变大。
·接触辊的挤压力越高，各面的粗糙度越变大。
浇铸辊的温度优选(Tg-30)～(Tg+30)℃、进一步优选(Tg-20)～(Tg+20)℃。
接触辊的温度优选(Tg-100)～(Tg+30)℃、进一步优选(Tg-90)～(Tg+20)℃。另外，与浇铸辊的温度相比，优选低0～50℃、进一步优选低5～40℃地设定。
接触辊的挤压力(线压)优选10～250kgf/cm、进一步优选20～200kgf/cm。
之后，将薄膜从浇铸辊剥离，边通过辊边冷却，卷取于芯。卷取时，可以对两端进行厚度对齐加工(切削加工)。
进行涂覆的情况下，将卷取后的薄膜安装于涂覆装置，卷出，进行涂覆干燥。上述制膜工序中，在将薄膜从浇铸辊剥离后至卷取为止的期间进行涂覆、干燥，之后，可以进行卷取。
这些工序中的空气优选通过HEPA过滤器等形成等级10000以下、进一步等级1000以下的空气。
接着，对本发明的转印用薄膜的追加特征进行说明。
(转印用薄膜的面内延迟量)
本发明的转印用薄膜的面内延迟量优选低。具体而言，本发明的转印用薄膜的面内延迟量优选50nm以下、更优选30nm以下、进一步优选20nm以下、特别优选10nm以下。通过使转印用薄膜的面内延迟量为上述范围，从而以在转印用薄膜上层叠有液晶化合物取向层的状态照射直线偏振光，可以检查液晶化合物取向层的取向状态。例如，液晶化合物取向层为相位差层的情况下，对样品照射相对于检查的相位差层的慢轴为倾斜方向(例如45度)的直线偏振光，利用相位差层使成为椭圆偏振光的偏振光通过其他相位差层，恢复至直线偏振光，经由该直线偏振光成为消光状态的偏光板进行光接收。由此，在相位差层中有针孔状的坏点的情况下，作为亮点，可以检测坏点。
转印用薄膜的延迟量可以通过测定2轴方向的折射率和厚度而求出，也可以使用KOBRA-21ADH(王子计测机器株式会社)等市售的自动双折射测定装置而求出。
为了使转印用薄膜的面内延迟量为上述范围，可以举出如下方法：基材薄膜的制膜工序中不进行拉伸，或进行拉伸的情况下调整流动方向与宽度方向的拉伸倍率等。
本发明的转印用薄膜的雾度的下限优选0.01％、更优选0.1％。如果低于上述，则实际上可能难以达成数值。另外，本发明的转印用薄膜的雾度的上限优选3％、更优选2.5％、进一步优选2％、特别优选1.7％。如果超过上述，则照射偏光UV时偏振光紊乱，有时变得得不到符合设计的相位差层。另外，检查相位差层时由于漫反射而引起漏光，有时变得难以进行检查。
本发明的转印用薄膜的抗静电性(表面电阻)的下限优选1×105Ω/□、更优选1×106Ω/□。即使低于上述，效果也饱和，有时得不到其以上的效果。另外，本发明的转印用薄膜的抗静电性(表面电阻)的上限优选1×1013Ω/□、更优选1×1012Ω/□、进一步优选1×1011Ω/□。如果超过上述，则产生静电所导致的排斥，或有时产生液晶化合物的取向方向的紊乱。抗静电性(表面电阻)可以通过在转印用薄膜中混炼抗静电剂、在脱模层的下层、相反面设置抗静电涂层、或在脱模层中添加抗静电剂等而设为上述范围内。
作为抗静电涂层、脱模层、转印用薄膜中添加的抗静电剂，可以举出聚苯胺、聚噻吩等导电性高分子、聚苯乙烯磺酸盐等离子性高分子、锡掺杂氧化铟、锑掺杂氧化锡等导电性细粒。
转印用薄膜上可以设置脱模层。但是，薄膜本身与相位差层、取向层等转印物的密合性低，在即使不设置脱模层也有充分的脱模性的情况下，也可以不设置脱模层。另外，密合性过低的情况下，可以对表面进行电晕处理等来调整密合性。脱模层可以使用公知的脱模剂而形成，可以举出醇酸树脂、氨基树脂、长链丙烯酸类丙烯酸酯系、有机硅树脂、氟树脂作为优选例。它们可以根据与转印物的密合性而适宜选择。
(液晶化合物取向层转印用层叠体)
接着，对本发明的液晶化合物取向层转印用层叠体进行说明。
本发明的液晶化合物取向层转印用层叠体具有层叠有液晶化合物取向层与本发明的转印用薄膜的结构。液晶化合物取向层必须涂覆于转印用薄膜上并取向。作为取向的方法，有如下方法：对液晶化合物取向层的下层(脱模面)进行刷磨处理等而赋予取向控制功能的方法；涂布液晶化合物后照射偏振紫外线等直接使液晶化合物取向的方法。
(取向控制层)
另外，也优选在转印用薄膜上设置取向控制层，在该取向控制层上设置液晶化合物取向层的方法。需要说明的是，本发明中，不是液晶化合物取向层单独而是也有时将取向控制层与液晶化合物取向层一并统称为液晶化合物取向层。作为取向控制层，只要可以使液晶化合物取向层为期望的取向状态就可以为任意取向控制层，可以举出对树脂的涂覆膜经刷磨处理的刷磨处理取向控制层、通过偏振光的光照射而使分子取向而产生取向功能的光取向控制层作为适合的例子。
(刷磨处理取向控制层)
作为通过刷磨处理形成的取向控制层中使用的聚合物材料，优选使用聚乙烯醇和其衍生物、聚酰亚胺和其衍生物、丙烯酸类树脂、聚硅氧烷衍生物等。
以下，对刷磨处理取向控制层的形成方法进行说明。首先，将包含上述聚合物材料的刷磨处理取向控制层涂布液涂布于薄膜的脱模面上后，进行加热干燥等，得到刷磨处理前的取向控制层。取向控制层涂布液可以具有交联剂。
作为刷磨处理取向控制层涂布液的溶剂，只要使聚合物材料溶解就可以没有限制地使用。作为具体例，可以举出水、甲醇、乙醇、乙二醇、异丙醇、丙二醇、溶纤剂等醇；乙酸乙酯、乙酸丁酯、γ-丁内酯等酯系溶剂；丙酮、甲乙酮、环戊酮、环己酮等酮系溶剂；甲苯或二甲苯等芳香族烃溶剂；四氢呋喃或二甲氧基乙烷等醚系溶剂等。这些溶剂可以单独使用，也可以组合。
刷磨处理取向控制层涂布液的浓度可以根据聚合物的种类、想要制造的取向控制层的厚度而适宜调节，以固体成分浓度表示，优选设为0.2～20质量％，特别优选0.3～10质量％的范围。作为涂布的方法，可以采用凹版涂覆法、模涂法、棒涂法和涂抹器法等涂布法、柔印法等印刷法等公知的方法。
加热干燥温度优选30℃～170℃的范围、更优选50～150℃、进一步优选70～130℃。干燥温度低的情况下，产生取较长的干燥时间的必要，生产率有时差。干燥温度过高的情况下，转印用薄膜由于热而伸长，或热收缩变大，变得无法达成符合设计的光学功能，或平面性有时变差。加热干燥时间例如只要为0.5～30分钟即可，更优选1～20分钟、进一步更优选2～10分钟。
刷磨处理取向控制层的厚度优选0.01～10μm、进一步优选0.05～5μm、特别优选0.1μm～1μm。
接着，实施刷磨处理。刷磨处理通常可以通过用纸、布沿恒定方向摩擦聚合物层的表面而实施。通常使用尼龙、聚酯、丙烯酸类等纤维的起毛布的刷磨辊，对取向控制层表面进行刷磨处理。为了设置相对于长尺寸状的薄膜的长度方向沿倾斜的规定方向取向的液晶化合物取向控制层，取向控制层的刷磨方向也需要设为符合其的角度。角度的调整可以以刷磨辊与薄膜的角度调整、薄膜的输送速度与辊的转速的调整来符合。
需要说明的是，也可以对转印用薄膜的脱模面直接进行刷磨处理，使转印用薄膜表面具有取向控制功能，该情况下，也包含于本发明的技术范围。
(光取向控制层)
光取向控制层是指如下取向膜：将包含具有光反应性基团的聚合物或单体且包含溶剂的涂覆液涂布于薄膜，照射偏振光、优选偏振紫外线，从而赋予取向限制力。光反应性基团是指，通过光照射而产生液晶取向能力的基团。具体而言，产生通过照射光而产生的分子的取向诱导或异构化反应、二聚化反应、光交联反应、或光分解反应那样的、成为液晶取向能力的起源的光反应。该光反应性基团中，在取向性优异、保持液晶化合物取向层的近晶型液晶状态的方面，优选引起二聚化反应或光交联反应的基团。作为能产生以上的反应的光反应性基团，优选不饱和键、特别是双键，特别优选具有选自由C＝C键、C＝N键、N＝N键、C＝O键组成的组中的至少一者的基团。
作为具有C＝C键的光反应性基团，例如可以举出乙烯基、多烯基、二苯乙烯基(stilbene)、芪唑基、偶氮茋鎓基、查耳酮基和肉桂酰基等。作为具有C＝N键的光反应性基团，可以举出具有芳香族Schiff碱和芳香族腙等结构的基团。作为具有N＝N键的光反应性基团，可以举出偶氮苯基、偶氮萘基、芳香族杂环偶氮基、双偶氮基和甲瓒基等、以氧化偶氮基苯为基本结构的基团。作为具有C＝O键的光反应性基团，可以举出二苯甲酮基、香豆素基、蒽醌基和马来酰亚胺基等。这些基团可以具有烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基、氰基、烷氧基羰基、羟基、磺酸基和卤代烷基等取代基。
其中，优选能引起光二聚化反应的光反应性基团，肉桂酰基和查耳酮基的光取向所需的偏振光照射量较少、且容易得到热稳定性、经时稳定性优异的光取向层，故优选。进一步而言，作为具有光反应性基团的聚合物，特别优选具有该聚合物侧链的末端部成为桂皮酸结构的肉桂酰基。作为主链的结构，可以举出聚酰亚胺、聚酰胺、(甲基)丙烯酸类、聚酯等。
作为具体的取向控制层，例如可以举出日本特开2006-285197号公报、日本特开2007-76839号公报、日本特开2007-138138号公报、日本特开2007-94071号公报、日本特开2007-121721号公报、日本特开2007-140465号公报、日本特开2007-156439号公报、日本特开2007-133184号公报、日本特开2009-109831号公报、日本特开2002-229039号公报、日本特开2002-265541号公报、日本特开2002-317013号公报、日本特表2003-520878号公报、日本特表2004-529220号公报、日本特开2013-33248号公报、日本特开2015-7702号公报、日本特开2015-129210号公报中记载的取向控制层。
作为光取向控制层形成用涂覆液的溶剂，只要使具有光反应性基团的聚合物和单体溶解就可以没有限制地使用。作为具体例，可以示例刷磨处理取向控制层的形成方法中列举者。也优选在光取向控制层形成用涂覆液中添加光聚合引发剂、阻聚剂、各种稳定剂。另外，也可以加入具有光反应性基团的聚合物和单体以外的聚合物、不具有能跟具有光反应性基团的单体共聚的光反应性基团的单体。
光取向控制层形成用涂覆液的浓度、涂布方法、干燥条件也可以示例刷磨处理取向控制层的形成方法中列举者。厚度也与刷磨处理取向控制层的优选的厚度同样。
偏振光可以为从取向前的光取向控制层面的方向照射的方法、从转印用薄膜面的方向透过转印用薄膜而照射的方法中的任意者。
偏振光的波长优选具有光反应性基团的聚合物或单体的光反应性基团能吸收光能的波长区域。具体而言，优选波长250～400nm的范围的紫外线。作为偏振光的光源，可以举出氙灯、高压汞灯、超高压汞灯、金属卤化物灯、KrF、ArF等紫外光激光等，优选高压汞灯、超高压汞灯和金属卤化物灯。
偏振光例如可以通过使来自前述光源的光通过偏振片而得到。通过调整前述偏振片的偏振角，从而可以调整偏振光的方向。前述偏振片可以举出偏振滤光片、葛兰-汤普生、格兰-泰勒等的偏光棱镜、线栅型的偏振片。偏振光优选实质上为平行光。
通过调整照射的偏振光的角度，从而可以任意调整光取向控制层的取向限制力的方向。
照射强度根据聚合引发剂、树脂(单体)的种类、量而不同，例如以365nm基准计、优选10～10000mJ/cm2、进一步优选20～5000mJ/cm2。
(液晶化合物取向层)
液晶化合物取向层只要使液晶化合物取向就没有特别限制。作为具体例，可以举出包含液晶化合物和二色性色素的偏光膜(偏振片)、包含棒状、盘状液晶化合物的相位差层。
(偏光膜)
偏光膜具有使仅单向的偏振光通过的功能，且包含二色性色素。
(二色性色素)
二色性色素是指，分子的长轴方向上的吸光度与短轴方向上的吸光度具有不同性质的色素。
二色性色素优选在300～700nm的范围内具有吸收极大波长(λMAX)者。这种二色性色素例如可以举出吖啶色素、噁嗪色素、菁色素、萘色素、偶氮色素和蒽醌色素等，其中，优选偶氮色素。偶氮色素可以举出单偶氮色素、双偶氮色素、三偶氮色素、四偶氮色素和茋偶氮色素等，优选双偶氮色素和三偶氮色素。二色性色素可以单独也可以组合，为了调整(无彩色)色调，优选将2种以上组合。特别优选组合3种以上。特别优选组合3种以上的偶氮化合物。
作为优选的偶氮化合物，可以举出日本特开2007-126628号公报、日本特开2010-168570号、日本特开2013-101328号、日本特开2013-210624号中记载的色素。
二色性色素也优选在丙烯酸类等聚合物的侧链中导入的二色性色素聚合物。作为这些二色性色素聚合物，可以示例日本特开2016-4055号中列举的聚合物、日本特开2014-206682号的[化6]～[化12]的化合物进行聚合而成的聚合物。
对于偏光膜中的二色性色素的含量，从使二色性色素的取向良好的观点出发，在偏光膜中，优选0.1～30质量％、更优选0.5～20质量％、进一步优选1.0～15质量％、特别优选2.0～10质量％。
偏光膜中，优选还包含聚合性液晶化合物以改善膜强度、偏光度、膜均质性。需要说明的是，此处聚合性液晶化合物也包含作为膜聚合后的物质。
(聚合性液晶化合物)
聚合性液晶化合物是指，具有聚合性基团、且体现液晶性的化合物。
聚合性基团是指，参与聚合反应的基团，优选光聚合性基团。此处，光聚合性基团是指，通过由后述的光聚合引发剂产生的活性自由基、酸等而能发生聚合反应的基团。作为聚合性基团，可以举出乙烯基、乙烯氧基、1-氯乙烯基、异丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、环氧乙烷基、氧杂环丁烷基等。其中，优选丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、乙烯氧基、环氧乙烷基和氧杂环丁烷基，更优选丙烯酰氧基。体现液晶性的化合物可以为热致性液晶也可以为溶致液晶，另外，可以为热致液晶中的向列型液晶也可以为近晶型液晶。
在得到更高的偏光特性的方面，聚合性液晶化合物优选近晶型液晶化合物，更优选高阶近晶型液晶化合物。聚合性液晶化合物形成的液晶相如果为高阶近晶型相，则可以制造取向秩序度更高的偏光膜。
作为具体的优选聚合性液晶化合物，例如可以举出日本特开2002-308832号公报、日本特开2007-16207号公报、日本特开2015-163596号公报、日本特表2007-510946号公报、日本特开2013-114131号公报、WO2005/045485号公报、Lub et al.Recl.Trav.Chim.Pays-Bas，115，321-328(1996)等中记载的物质。
对于偏光膜中的聚合性液晶化合物的含有比率，从提高聚合性液晶化合物的取向性的观点出发，在偏光膜中，优选70～99.5质量％、更优选75～99质量％、进一步优选80～97质量％、特别优选83～95质量％。
偏光膜可以通过涂覆偏光膜组合物涂料而设置。偏光膜组合物涂料可以包含溶剂、聚合引发剂、敏化剂、阻聚剂、流平剂和聚合性非液晶化合物、交联剂等。
作为溶剂，优选使用作为取向层涂布液的溶剂列举者。
聚合引发剂只要使聚合性液晶化合物聚合就没有限定，优选通过光而产生活性自由基的光聚合引发剂。作为聚合引发剂，例如可以举出苯偶姻化合物、二苯甲酮化合物、烷基苯酮化合物、酰基氧化膦化合物、三嗪化合物、碘鎓盐和锍盐等。
敏化剂优选光敏化剂。例如可以举出氧杂蒽酮化合物、蒽化合物、吩噻嗪、红荧烯等。
作为阻聚剂，可以举出氢醌类、邻苯二酚类、苯硫酚类。
作为聚合性非液晶化合物，优选跟聚合性液晶化合物共聚者，例如聚合性液晶化合物具有(甲基)丙烯酰氧基的情况下，可以举出(甲基)丙烯酸酯类。(甲基)丙烯酸酯类可以为单官能也可以为多官能。通过使用多官能的(甲基)丙烯酸酯类，从而可以改善偏光膜的强度。使用聚合性非液晶化合物的情况下，在偏光膜中优选所谓1～15质量％、进一步优选设为2～10质量％、特别优选设为3～7质量％。如果超过15质量％，则偏光度有时降低。
作为交联剂，可以举出能跟聚合性液晶化合物、聚合性非液晶化合物的官能团反应的化合物，可以举出异氰酸酯化合物、三聚氰胺、环氧树脂、噁唑啉化合物等。
将偏光膜组合物涂料直接涂覆于转印用薄膜上或取向控制层上后，根据需要进行干燥、加热、固化，从而设置偏光膜。
对于涂覆方法，作为涂布的方法，可以采用凹版涂覆法、模涂法、棒涂法和涂抹器法等涂布法、柔印法等印刷法等公知的方法。
涂覆后的转印用薄膜被导入至热风干燥机、红外线干燥机等，在30～170℃、更优选50～150℃、进一步优选70～130℃下进行干燥。干燥时间优选0.5～30分钟、更优选1～20分钟、进一步更优选2～10分钟。
可以进行加热以使偏光膜中的二色性色素和聚合性液晶化合物更牢固地取向。加热温度优选设为聚合性液晶化合物形成液晶相的温度范围。
偏光膜组合物涂料中包含聚合性液晶化合物的情况下，优选进行固化。作为固化方法，可以举出加热和光照射，优选光照射。可以以通过固化而使二色性色素取向的状态进行固定。固化优选以聚合性液晶化合物中形成液晶相的状态进行，可以在体现液晶相的温度下进行光照射而固化。作为光照射中的光，可以举出可见光、紫外光和激光。在容易操作的方面，优选紫外光。
照射强度根据聚合引发剂、树脂(单体)的种类、量而不同，例如以365nm基准计、优选100～10000mJ/cm2、进一步优选200～5000mJ/cm2。
对于偏光膜，将偏光膜组合物涂料涂布于取向控制层上，从而色素随着取向层的取向方向而取向，其结果，变得具有规定方向的偏振光透光轴，但在直接涂覆于转印用薄膜而不设置取向控制层的情况下，照射偏振光使偏光膜形成用组合物固化，从而也可以使偏光膜取向。此时，照射相对于转印用薄膜的长尺寸方向成为期望的方向的偏振光(例如倾斜方向的偏振光)。进一步优选之后进行加热处理，从而使二色性色素随着高分子液晶的取向方向而牢固地取向。
偏光膜的厚度为0.1～5μm、优选0.3～3μm、更优选0.5～2μm。
(相位差层)
相位差层可以举出：设置于液晶显示装置的偏振片与液晶单元之间以进行光学补偿的层、圆偏光板的λ/4层、λ/2层等为代表性的层。作为液晶化合物，根据目的而可以使用正、负的A板、正、负的C板、O板等棒状液晶化合物、盘状液晶化合物等。
用作液晶显示装置的光学补偿的情况下，相位差的程度可以根据液晶单元的类型、单元中使用的液晶化合物的性质而适宜设定。例如，TN方式的情况下，优选使用利用了盘状液晶的O板。VA方式、IPS方式的情况下，优选使用利用了棒状液晶化合物、盘状液晶化合物的C板、A板。另外，圆偏光板的λ/4相位差层、λ/2相位差层的情况下，优选利用使用棒状化合物而形成A板。这些相位差层不仅可以为单层，也可以组合形成多层而使用。
作为这些相位差层中使用的液晶化合物，在可以固定取向状态的方面，优选具有双键等聚合性基团的聚合性液晶化合物。
作为棒状液晶化合物的例子，可以举出日本特开2002-030042号公报、日本特开2004-204190号公报、日本特开2005-263789号公报、日本特开2007-119415号公报、日本特开2007-186430号公报、和日本特开平11-513360号公报中记载的具有聚合性基团的棒状液晶化合物。
作为具体的化合物，可以举出：
CH2＝CHCOO-(CH2)m-O-Ph1-COO-Ph2-OCO-Ph1-O-(CH2)n-OCO-CH＝CH2
CH2＝CHCOO-(CH2)m-O-Ph1-COO-NPh-OCO-Ph1-O-(CH2)n-OCO-CH＝CH2
CH2＝CHCOO-(CH2)m-O-Ph1-COO-Ph2-OCH3
CH2＝CHCOO-(CH2)m-O-Ph1-COO-Ph1-Ph1-CH2CH(CH3)C2H5
式中，m、n为2～6的整数，
Ph1、Ph2为1,4-苯基(Ph2的2位可以为甲基)，
NPh为2,6-萘基。
这些棒状液晶化合物由BASF株式会社制并作为LC242等被市售，可以利用它们。
这些棒状液晶化合物可以以任意比率组合多种而使用。
另外，作为盘状液晶化合物，可以举出苯衍生物、Truxene衍生物、环己烷衍生物、氮杂冠醚系、苯乙炔系大环等，记载有日本特开2001-155866号公报中的各种物质，适合使用它们。
其中，作为盘状化合物，优选使用下述通式(1)所示的具有三亚苯基环的化合物。
Figure BDA0002996582810000241
式中、R1～R6各自独立地为氢、卤素、烷基、或-O-X所示的基(此处，X为烷基、酰基、烷氧基苄基、环氧改性烷氧基苄基、丙烯酰氧基改性烷氧基苄基、丙烯酰氧基改性烷基)。R1～R6优选为下述通式(2)所示的丙烯酰氧基改性烷氧基苄基(此处，m为4～10)。
Figure BDA0002996582810000242
相位差层可以通过涂覆相位差层用组合物涂料而设置。相位差层用组合物涂料可以包含溶剂、聚合引发剂、敏化剂、阻聚剂、流平剂和聚合性非液晶化合物、交联剂等。它们可以使用取向控制层、液晶偏振片的部分中说明的物质。
将相位差层用组合物涂料涂覆于转印用薄膜的脱模面或取向控制层上后，进行干燥、加热、固化，从而设置相位差层。
这些条件也使用取向控制层、液晶偏振片的部分中说明的条件作为优选条件。
有时设置多个相位差层，但该情况下，可以在1个转印用薄膜上设置多个相位差层，将其转印至对象物，也可以准备在1个转印用薄膜上设有单一的相位差层的材料多种，将它们依次转印至对象物。
另外，可以在1个转印用薄膜上设置偏光层与相位差层，将其转印至对象物。进而，有时在偏振片与相位差层之间设置保护层，或在相位差层上、相位差层之间设置保护层。这些保护层也可以与相位差层、偏光层一起设置于转印用薄膜上并转印至对象物。
作为保护层，可以举出透明树脂的涂覆层。作为透明树脂，不特别限定于聚乙烯醇、乙烯乙烯醇共聚物、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚苯乙烯、丙烯酸类树脂、环氧树脂等。可以在这些树脂中加入交联剂而形成交联结构。另外，也可以为硬涂层那样的使丙烯酸类等的光固化性的组合物固化而成者。另外，可以在转印用薄膜上设置保护层后，对保护层进行刷磨处理，在其上设置液晶化合物取向层而不设置取向层。
(液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法)
接着，对本发明的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法进行说明。
本发明的液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法包括如下工序：使偏光板与本发明的液晶化合物取向层转印用层叠体的液晶化合物取向层面贴合而形成中间层叠体的工序；和，从中间层叠体剥离转印用薄膜的工序。
以下，以液晶化合物取向层为圆偏光板中使用的液晶化合物取向层的情况为例进行说明。圆偏光板的情况下，作为相位差层(转印用层叠体中，被称为液晶化合物取向层)，使用有λ/4层。λ/4层的正面延迟量优选100～180nm。进一步优选120～150nm。仅使用λ/4层作为圆偏光板的情况下，λ/4层的取向轴(慢轴)与偏振片的透光轴优选35～55度、更优选40度～50度、进一步优选42～48度。与聚乙烯醇的拉伸薄膜的偏振片组合使用的情况下，偏振片的吸收轴通常成为长尺寸偏振片薄膜的长度方向，因此，在长尺寸的转印用薄膜上设置λ/4层的情况下，优选使液晶化合物取向使得相对于长尺寸的转印用薄膜的长度方向成为上述范围。需要说明的是，偏振片的透光轴的角度不同于上述的情况下，考虑到偏振片的透光轴的角度，使液晶化合物取向成为上述关系。
通过将层叠有λ/4层与转印用薄膜的转印用层叠体中的λ/4层转印至偏光板，从而制成圆偏光板。具体而言，使偏光板与转印用层叠体的λ/4层面贴合而形成中间层叠体，从该中间层叠体剥离转印用薄膜。偏光板可以在偏振片的两面设有保护膜，优选仅在单面设有保护膜。如果为仅在单面设有保护膜的偏光板，则优选使保护膜的相反面(偏振片面)与相位差层贴合。如果在两面设有保护膜，则相位差层优选贴合于假定图像单元侧的面。假定图像单元侧的面是指，低反射层、防反射层、防眩层等通常设置于可视侧的未经表面加工的面。贴合相位差层的一侧的保护膜优选为TAC、丙烯酸类、COP等无相位差的保护膜。
作为偏振片，可以举出：将PVA系的薄膜单独拉伸而制成的偏振片；在聚酯、聚丙烯等未拉伸基材上涂覆PVA、连同基材一起进行拉伸而制成偏振片，将该偏振片转印至偏振片保护膜而成者；在偏振片保护膜上涂覆或转印由液晶化合物和二色性色素形成的偏振片而成者；等，均优选使用。
作为粘附的方法，可以使用粘接剂、粘合剂等以往已知的物质。作为粘接剂，优选使用聚乙烯醇系粘接剂、丙烯酸类、环氧等紫外线固化型粘接剂、环氧、异氰酸酯(氨基甲酸酯)等热固化型粘接剂。粘合剂可以举出丙烯酸类、氨基甲酸酯系、橡胶系等的粘合剂。另外，也优选使用无丙烯酸类基材的光学用透明粘合剂片。
使用转印型的偏振片作为偏振片的情况下，可以在转印用层叠体的相位差层(液晶化合物取向层)上转印偏振片，之后，将偏振片和相位差层转印至对象物(偏振片保护膜)。
作为跟设置相位差层的一侧相反侧的偏振片保护膜，可以使用TAC、丙烯酸类、COP、聚碳酸酯、聚酯等通常已知者。其中，优选TAC、丙烯酸类、COP、聚酯。聚酯优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。聚酯的情况下，优选面内延迟量100nm以下、特别是50nm以下的零延迟量薄膜、或3000nm～30000nm的高延迟量薄膜。
使用聚酯的高延迟量薄膜的情况下，出于防止戴上偏光太阳镜而观察图像时的眩晕、着色的目的，偏振片的透光轴与聚酯的高延迟量薄膜的慢轴的角度优选30～60度的范围、进一步优选35～55度的范围。为了降低在裸眼下从角度小的倾斜方向观察时的虹斑等，偏振片的透光轴与聚酯的高延迟量薄膜的慢轴的角度设为10度以下、进一步设为7度以下，或优选设为80～100度、进一步优选设为83～97度。
在相反侧的偏振片保护膜上可以设有防眩层、防反射层、低反射层、硬涂层等。
(复合相位差层)
对于单独λ/4层，遍及可见光区域宽的范围地不成为λ/4而有时产生着色。因此，有时将λ/4层与λ/2层组合而使用。λ/2层的正面延迟量优选200～360nm。进一步优选240～300nm。
该情况下，优选配置为将λ/4层与λ/2层合并成为λ/4的角度。具体而言，λ/2层的取向轴(慢轴)与偏振片的透光轴的角度(θ)优选5～20度、更优选7度～17度。λ/2层的取向轴(慢轴)与λ/4的取向轴(慢轴)的角度优选2θ+45度±10度的范围、更优选2θ+45度±5度的范围、进一步优选2θ+45度±3度的范围。
该情况下，与聚乙烯醇的拉伸薄膜的偏振片组合而使用时，也通常偏振片的吸收轴成为长尺寸偏振片薄膜的长度方向，因此，在长尺寸的转印用薄膜上设有λ/2层、λ/4层的情况下，优选的是使液晶化合物取向使得相对于长尺寸的转印用薄膜的长度方向或长度的垂直方向成为上述范围。需要说明的是，偏振片的透光轴的角度不同于上述的情况下，考虑到偏振片的透光轴的角度，使液晶化合物取向成为上述关系。
作为这些方法、相位差层的例子，可以将日本特开2008-149577号公报、日本特开2002-303722号公报、WO2006/100830号公报、日本特开2015-64418号公报等作为参考。
进而，为了降低从斜向观察时的着色的变化等，在λ/4层上设置C板层也是优选的方式。根据λ/4层、λ/2层的特性，C板层使用正或负的C板层。
作为它们的层叠方法，例如，如果为λ/4层与λ/2层的组合，则可以采用：
·通过转印在偏振片上设置λ/2层，进一步在其上通过转印设置λ/4层。
·在转印用薄膜上依次设置λ/4层和λ/2层，将其转印至偏振片上。
·在转印用薄膜上依次设置λ/4层、λ/2层和偏光层，将其转印至对象物。
·在转印用薄膜上依次设置λ/2层和偏光层，将其转印至对象物，进一步在其上转印λ/4层。
等各种方法。
另外，层叠C板的情况下，可以采用：在设置于偏振片上的λ/4层上转印C板层的方法、在薄膜上设置C板层、进一步在其上设置λ/4层或λ/2层和λ/4层并将其转印的方法等各种方法。
如此得到的圆偏光板的厚度优选120μm以下。更优选100μm以下、进一步优选90μm以下、特别优选80μm以下、最优选70μm以下。
实施例
以下，参照实施例，对本发明更具体地进行说明，但本发明不限定于下述实施例，在能符合本发明的主旨的范围内也可以适宜加以变更而实施，这些均包含于本发明的技术的范围内。需要说明的是，实施例中的物性的评价方法如以下所述。
(1)三维表面粗糙度SRa、SRz、SRy
使用触针式三维粗糙度计(SE-3AK、株式会社小坂研究所社制)，在针的半径2μm、载荷30mg的条件下，沿薄膜的长度方向，以截止值0.25mm、遍及测定长1mm地以针的送入速度0.1mm/秒进行测定，以2μm间距分割成500个点，由三维粗糙度解析装置(SPA-11)收集各点的高度。对于薄膜的宽度方向，以2μm间隔连续地进行150次与此同样的操作，即，遍及薄膜的宽度方向0.3mm进行，由解析装置收集数据。然后，用解析装置求出中心面平均粗糙度(SRa)、十点平均粗糙度(SRz)、最大高度(SRy)。
(2)脱模面高低差0.5μm以上(脱模面)、2.0μm(背面)以上的突起数
沿薄膜长度方向切出宽度100mm、长度100mm的试验片，将其夹入到2张偏光板之间，从而形成交叉棱镜状态，以保持了消光位置的状态安装。在该状态下，用Nikon万能投影机V-12(测定条件：投影透镜50倍、透过照明光束切换旋钮50倍、透射光检查)，使光透射，检测看上去闪亮的部分(刮痕、异物)的长径为50μm以上者。从试验片切成适当的大小，使用三维形状测定装置(Ryoka System Co.,Ltd.制、Micromap TYPE550；测定条件：波长550nm、WAVE模式、物镜10倍)，从相对于薄膜面为垂直方向，对如此检测到的部分进行观察并测定。此时，从相对于薄膜面为垂直方向进行观察时接近于50μm以内的凹凸是将假定覆盖相同的刮痕、异物的长方形、并将该长方形的长度和宽度视作刮痕、异物的长度和宽度。关于该刮痕、异物，使用截面影像(SURFACE PROFILE DISPLAY)，定量坏点数。需要说明的是，测定对20张的试验片进行，换算为每1m2的坏点数。在脱模面中，计数高低差(最高处与低处之差)为0.5μm以上者的坏点数，在背面计数高低差2.0μm以上者的坏点数。
(3)薄膜厚度(各层厚度)
将薄膜包埋于环氧树脂后，切出截面，用光学显微镜进行观察，求出厚度。
(4)相位差层的坏点的检查
制成在转印用薄膜与液晶化合物取向层之间配置有作为取向控制层的刷磨处理取向控制层或光取向控制层的样品作为检查用样品。具体的制成步骤如以下所述。
(取向控制层为刷磨处理取向控制层的情况)
将转印用薄膜切成A4的大小，用棒涂机在脱模层面涂布下述组成的刷磨处理取向控制层用涂料，以80℃干燥5分钟，形成厚度100nm的膜。然后，对得到的膜的表面用卷绕有尼龙制的起毛布的刷磨辊进行处理，得到层叠有刷磨处理取向控制层的转印用薄膜。需要说明的是，刷磨以相对于转印用薄膜的长尺寸方向成为45度的方式进行。
完全皂化型聚乙烯醇分子量800 2质量份
离子交换水 100质量份
表面活性剂 0.1质量份
然后，通过棒涂法在实施了刷磨处理的面涂布下述组成的相位差层形成用溶液。以110℃干燥3分钟，照射紫外线使其固化，设置1/4波长层，得到检查用样品。
Figure BDA0002996582810000301
(取向控制层为光取向控制层的情况)
基于日本特开2013-33248号公报的实施例1、实施例2、实施例3的记载，制造下述式所示的聚合物的环戊酮5质量％溶液，作为光取向控制层用涂料。
Figure BDA0002996582810000302
接着，将转印用薄膜切成A4的大小，用棒涂机在脱模层面涂布上述组成的光取向控制层用涂料，以80℃干燥1分钟，形成厚度80nm的膜。然后，以相对于薄膜的长尺寸方向为45度的方向照射偏光UV光，得到层叠有光取向控制层的转印用薄膜。需要说明的是，这些涂料用孔径0.2μm的膜滤器过滤，在清洁室内进行涂覆、干燥。
然后，在层叠有光取向控制层的面上，通过棒涂法涂布相位差层形成用溶液。以110℃干燥3分钟，照射紫外线使其固化，设置1/4波长层，得到检查用样品。
接着，使用这些检查用样品，按照以下的步骤检查相位差层的坏点。
在以使用了黄色荧光体的白色LED为光源的面发光光源上放置下侧偏光板，在其上放置如上述制成的检查用样品，使得偏光板的消光轴方向(吸收轴方向)与检查用样品的长边方向成为平行。进一步在其上放置环状聚烯烃的拉伸薄膜所形成的λ/4薄膜使得取向主轴与下侧偏光板的消光轴成为45度的方向，在其上放置上侧偏光板，使得上侧偏光板的消光轴与下侧偏光板的消光轴成为平行。在该状态下，以肉眼(中央部15cm×20cm)和20倍的放大镜(5cm×5cm)观察消光状态，以以下的基准进行评价。
◎：以肉眼确认不到亮点，即使以放大镜观察也基本确认不到亮点(5cm×5cm中为2个以下)。
○：以肉眼确认不到亮点，以放大镜观察能确认到少数的亮点(5cm×5cm中为3个以上且20个以下)。
△：以肉眼确认不到亮点，但以放大镜观察能确认到亮点(5cm×5cm中超过20个)。
×：以肉眼能确认到亮点，或确认不到亮点但有认为源自以放大镜观察能观察到的大量亮点的存在的整体的漏光。
(5)重叠后的坏点的检查1
准备使用了上述刷磨处理取向控制层的检查用样品二张，使第一张样品的相位差层设置面与第二张样品的相反面重叠，施加1kg/cm2的载重10分钟。与(4)相位差层坏点的检查同样地检查该样品的相位差层的坏点。
(6)重叠后的坏点的检查2
重叠后的坏点的检查1中，脱模面的粗糙度较大的情况下，由于不易得知背面的粗糙度的影响，因此，利用使用了脱模面的粗糙度较小的实施例2的光取向控制层的检查用样品，调查了使用了其他实施例和比较例的光取向控制层的检查用样品的背面的粗糙度的影响。
具体而言，使实施例2的光取向控制层上设有1/4波长层的检查用样品的相位差层设置面与使用了各实施例和比较例的光取向控制层的检查用样品的相反面重叠，施加1kg/cm2的载重10分钟。与(4)相位差层坏点的检查同样地检查该样品(实施例2的检查用样品)的相位差层的坏点。
薄膜A1～A7的制造
将热塑性降冰片烯树脂(Zeon Corporation制ZEONOR1420R)干燥后，供给至挤出机，在215℃下进行熔融，用不锈钢烧结体的滤材(公称过滤精度10μm颗粒95％截止)过滤，在浇铸辊上挤出为片状。从卷绕于浇铸辊的树脂的相反面用接触辊使树脂推入至浇铸辊。从浇铸辊剥离冷却后的薄膜，卷取为卷状。浇铸辊和接触辊的表面粗糙度如表1所示。需要说明的是，薄膜A1～A4、A7以接触线压200Kgf/cm、A5、A6以接触线压200Kgf/cm制造。
[表1]
Figure BDA0002996582810000331
实施例1
使用薄膜A1，将其浇铸辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
实施例2
使用薄膜A2，将其浇铸辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
实施例3
使用薄膜A3，将其浇铸辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
实施例4
使用薄膜A2，将其接触辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
实施例5
使用薄膜A4，将其浇铸辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
实施例6
使用薄膜A5，将其浇铸辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
实施例7
使用薄膜A6，将其浇铸辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
实施例8
使用薄膜A2，对其浇铸辊面进行电晕处理，在其上涂布作为脱模层(表面平坦化涂层)的下述组成的涂布剂，在加热烘箱中、以150℃干燥3分钟。涂层的厚度为2μm。
(涂布剂)
·三聚氰胺交联烷基改性醇酸树脂(Hitachi Kasei Polymer Co.,Ltd.制：
Tesfine 322：固体成分40％) 10质量份
·对甲苯磺酸(Hitachi Kasei Polymer Co.,Ltd.制：Dryer 900)
0.1质量份
·溶剂(甲苯/甲乙酮＝1/1质量份) 40质量份
需要说明的是，涂布剂用2μm的过滤器过滤后使用。
将形成有表面平坦化涂层的面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
实施例9
使用薄膜A7，对其接触辊面进行电晕处理，在其上涂布作为背面易滑涂层的下述组成的涂布液使得干燥后的涂布量成为0.07g/m2后，导入至干燥机，以80℃干燥30秒。
(涂布液)
Figure BDA0002996582810000351
将得到的薄膜的浇铸辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
实施例10
使用薄膜A4，对其接触辊面进行电晕处理，在其上涂布作为抗静电层的将PeltronC-4402(锑掺杂氧化锡颗粒)用MEK制成固体成分浓度5％而成者，在加热烘箱中、以80℃干燥3分钟。涂层的厚度为200nm。需要说明的是，表面电阻为7.5×107Ω/□。将得到的薄膜的浇铸辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
实施例11
在双螺杆挤出机中添加干燥后的热塑性降冰片烯树脂(Zeon Corporation制ZEONOR1420R)和粒径2.5μm的二氧化硅颗粒(KE-P250日本触媒制)，使得以固体成分计颗粒含量成为1000ppm，得到粒料1。
向挤出机1供给干燥后的粒料1，向挤出机2供给干燥后的热塑性降冰片烯树脂(Zeon Corporation制ZEONOR1420R)，分别用不锈钢烧结体的滤材(公称过滤精度10μm颗粒95％截止)过滤，在2种2层合流块中进行层叠，与薄膜A1同样地在浇铸辊上挤出为片状，得到薄膜B1。此时，挤出机2侧的树脂成为浇铸辊面。
将得到的薄膜的浇铸辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
实施例12
在双螺杆挤出机中添加干燥后的热塑性降冰片烯树脂(Zeon Corporation制ZEONOR1420R)和粒径100nm的二氧化硅颗粒(KE-P10日本触媒制)，使得以固体成分计颗粒含量成为600ppm，得到粒料2。
向挤出机2供给粒料2，除此之外，与实施例11同样地得到薄膜B2。
将得到的薄膜的浇铸辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
比较例1
使用薄膜A3，将其接触辊面作为脱模层面，进行了上述物性的评价。将其评价结果示于表2。
[表2]
Figure BDA0002996582810000371
由表2表明，对于脱模面的表面粗糙度满足本发明的特征的实施例1～12，在坏点评价中坏点均显著少，针孔状、刮痕状的漏光的发生均被充分抑制。另外，实施例1～6、8～12中，背面的表面粗糙度也被抑制为低的水平，因此，坏点评价中，重叠后的坏点1、2也显著少，针孔状、刮痕状的漏光的发生被充分抑制。与此相对，对于脱模面的表面粗糙度过度大的比较例1，在坏点评价中坏点显著多，无法充分抑制针孔状、刮痕状的漏光的发生。
需要说明的是，表1中未示出，但求出实施例、比较例中使用的基材薄膜的面内延迟量(Re)，结果任意基材薄膜均为10nm以下，充分低，为可以在转印用薄膜上层叠有液晶化合物取向层的状态下照射直线偏振光来检查液晶化合物取向层的取向状态的水平。
面内延迟量的具体的测定步骤如以下所述。即，从实施例、比较例中使用的基材薄膜切出4cm×2cm的长方形使得流动方向成为长边，作为测定用样品。对于该样品，用阿贝折射率计(ATAGO CO.,LTD.制、NAR-4T、测定波长589nm)测定折射率(流动方向nx，宽度方向ny)。沿薄膜的宽度方向测定5点(中央部、两端部、中央部与端部的中间部)，作为其平均，根据与薄膜的厚度d(nm)之积((nx-ny)×d)求出面内延迟量(Re)。
产业上的可利用性
本发明的液晶化合物取向层转印用薄膜使用表面粗糙度被控制为特定的范围内的薄膜作为相位差层、偏光层的转印用的薄膜，因此，可以使相位差层、偏光层中的液晶化合物的取向状态、相位差符合设计，可以形成减少了针孔等坏点的发生的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)。因此，根据本发明，可以以高品质稳定地制造圆偏光板等相位差层层叠偏光板。

Claims (4)

1.一种液晶化合物取向层转印用薄膜，其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的环状聚烯烃系薄膜，薄膜的脱模面的表面粗糙度(SRa)为1nm以上且30nm以下。
2.根据权利要求1所述的液晶化合物取向层转印用薄膜，其特征在于，薄膜的脱模面的十点表面粗糙度(SRz)为5nm以上且200nm以下。
3.一种液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，其为层叠有液晶化合物取向层与薄膜的层叠体，薄膜为权利要求1或2所述的薄膜。
4.一种液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：使偏光板与权利要求3所述的层叠体的液晶化合物取向层面贴合而形成中间层叠体的工序；和，从中间层叠体剥离薄膜的工序。
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