CN111801785A - 真空处理装置的运转方法 - Google Patents

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Abstract

关于真空处理装置的运转方法，在链接式的真空处理装置的情况下，提供一种能够实现多个工序处理所涉及的有效的搬运以及处理的技术。实施方式的真空处理装置的运转方法具有第一步骤(步骤601～607)，在该第一步骤中，对于各个晶片选择多个处理单元当中的一个第一处理单元以及一个第二处理单元，确定包括使用所选择的处理单元的搬运路径的搬运调度表，使得在多个工序处理中多个晶片的全部的处理所需的时间为最短。在第一步骤中，对于至少一个晶片，使用从多个第一处理单元中除去至少一个第一处理单元而选择的第一处理单元，来构成包括搬运路径的搬运调度表。在该运转方法中，在第二工序进行速度控制的情况下，选择最佳搬运调度表。

Description

真空处理装置的运转方法
技术领域
本发明涉及真空处理装置等技术，涉及真空处理装置的多个工序处理中的运转方法等。
背景技术
作为真空处理装置，有连杆(link)式的真空处理装置，其中，连接有在各个真空搬运容器内具有搬运机器人的多个真空搬运容器，且对于多个真空搬运容器连接有多个处理单元。
作为上述那样的真空处理装置的运转方法所涉及的在先技术例，可列举日本特开2013-98412号公报(专利文献1)。在专利文献1中，记载了如下主旨的技术：在多个搬运机器之间，在进行晶片的交接的线形工具的真空处理装置中，提高连续地处理多个晶片时的吞吐量(每单位时间的处理片数)。在专利文献1中，记载了如下主旨：通过从在多个晶片搬运开始前针对处理室的数量以及配置和晶片的处理时间的组合的每种条件对控制晶片的搬运的多个搬运算法进行模拟而得到的搬运算法判断规则中，选择预测最大的吞吐量值的搬运算法，根据选择的搬运算法计算晶片的搬运目的地，从而提供最高吞吐量的搬运控制。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-98412号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1的技术中，关于多个工序处理，通过基于模拟选择吞吐量最大的搬运算法，从而提高装置利用效率。多个工序处理是指，对于相同的晶片等被处理体，在多个不同的处理室中，进行各工序的各处理，从而完成整个处理。单一工序处理指，对于相同的被处理体，在任意一个处理室中进行单一工序的一次处理从而完成整个处理。
在上述那样的以往技术中，在多个工序处理所涉及的搬运算法(换言之，搬运调度表)的选择时，存在模拟计算的负载增大的情况。在这种情况下，例如产生与真空处理装置的控制系统的能力相符地简化计算处理的必要性。因此，会产生无法选择包括最佳搬运模式的最佳搬运调度表的情况。在以往技术中，没有充分考虑到与单一工序处理相比，由于产生用于晶片的搬运以及处理的处理室的组合而导致模拟对象的搬运模式的数量增加。
一般地，例如在多个半导体设备的制造时，通过在多个工序处理的各工序中连续地实施所确定的相同的条件的处理，来运用在量产过程中使用的真空处理装置。
本发明的目的为，关于真空处理装置的运转方法，提供一种在链接式的真空处理装置的情况下能够实现多个工序处理所涉及的有效的搬运以及处理的技术。本发明的其他的目的是提供如下技术：在针对每个工序成为使用的候补的多个处理单元(对应的多个处理室)的处理时间为相同的处理条件下，即使在作为多个工序当中的后一工序的第二工序进行速度控制的情况(换言之，成为瓶颈的情况)下，也能够抑制整体的处理负载并且选择最佳搬运模式。
用于解决课题的技术方案
本发明当中的代表性的实施方式是真空处理装置的运转方法，具有以下所示的结构。真空处理装置具备：多个真空搬运容器，其是排列配置的多个真空搬运容器，在各个真空搬运容器中，收纳有搬运晶片的搬运机器人；多个中间室，其配置在所述多个真空搬运容器中的相邻的两个真空搬运容器之间，收纳所述晶片；装载室，其与所述多个真空搬运容器当中的一个真空搬运容器连接，收纳所述晶片，并能够减压到给定的压力以及升压到大气压；以及多个处理单元，其是与所述多个真空搬运容器连接的多个处理单元，在各个处理单元中包括对所述晶片进行处理的处理室，所述多个处理单元包括用于进行多个工序处理当中的第一工序的第一处理的多个第一处理单元、以及用于进行第二工序的第二处理的多个第二处理单元。所述运转方法具有：第一步骤，其是确定搬运调度表使得在所述多个工序处理中多个晶片的全部的处理所需的时间为最短的步骤，所述第一步骤针对各个晶片选择所述多个处理单元当中的一个第一处理单元以及一个第二处理单元，并确定包括使用所选择的处理单元的搬运路径的所述搬运调度表；以及第二步骤，进行控制，使得根据所述搬运调度表搬运在所述装载室的前方配置的盒中收纳的所述多个晶片的各个晶片，并使用所述第一工序的所述一个第一处理单元实施所述第一处理，之后使用所述第二工序的所述一个第二处理单元实施所述第二处理。在所述第一步骤中，对于所述多个晶片当中的至少一个晶片，使用从所述多个第一处理单元中除去至少一个第一处理单元而选择的第一处理单元，来构成包括所述搬运路径的所述搬运调度表。
发明效果
根据本发明当中的代表性的实施方式，关于真空处理装置的运转方法，在链接式的真空处理装置的情况下，能够实现多个工序处理所涉及的有效的搬运以及处理。此外，根据本发明当中的代表性的实施方式，在针对每个工序成为使用的候补的多个处理单元(对应的多个处理室)的处理时间相同的处理条件下，即使在作为多个工序当中的后一工序的第二工序进行速度控制的情况下，也能够抑制整体的处理负载并且选择最佳搬运模式。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式的真空处理装置的运转方法中的、真空处理装置的整体概要结构的图。
图2是示出在实施方式中真空处理装置的机械部的结构的图。
图3是示出在实施方式中多个工序处理的条件下的、多个处理单元的配置结构例的图。
图4是示出在实施方式中多个工序处理的条件下的、搬运路径信息的结构例的图。
图5是示出相对于实施方式的比较例的运转方法中的、多个工序处理的条件下的多个处理单元的晶片处理的时序图的图。
图6是示出在实施方式中用于确定使多个工序处理的条件下的吞吐量最优化的搬运调度表的搬运判断处理的处理流程的图。
图7是比较并示出实施方式中的搬运判断方式的应用前后的搬运路径的例子的图。
图8是比较并示出实施方式中的搬运判断方式的应用前后的晶片处理的时序图的图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的实施方式进行详细说明。
[课题等]
对与以往技术相关的课题等进行补充说明。如上所述，在以往技术的运转方法中，确定链接式(或者线形工具)的真空处理装置中的多个工序处理所涉及的搬运调度表。此时，在以往技术的运转方法中，由于需要考虑多个处理单元(对应的多个处理室)的组合来进行计算，因此处理负载增大，有可能无法选择包含最佳搬运模式的搬运调度表。
以往技术的运转方法例如在有多个处理单元的组合的情况下，控制系统的吞吐量不足。因此，在以往技术的运转方法中，对于真空处理装置的一般的处理条件，以具备第二工序不进行速度控制的多个处理室的装置结构为前提，进行仅以第一工序为对象的搬运控制。在该情况下，在以往技术的运转方法中，关于包括作为前一工序的第一工序以及作为后一工序的第二工序的搬运路径，存在最佳搬运模式不被选择的情况。具体地，根据第一工序以及第二工序的各工序的处理时间的关系、选择的处理室的组合，第二工序进行速度控制。
在上述各工序的处理时间的关系中，存在如下产生搬运等待时间的情况。由于对于前一工序的处理室，比后一工序的处理室所需要的定时较早地从FOUP(Front-Opening-Unified Pod：前开式晶圆传送盒)搬运晶片，因此前一工序的晶片滞留。FOUP换言之是盒，收容多片晶片。由此，产生滞留在搬运路径上的晶片。由于该影响，接下来将无法在各工序的处理室所需要的定时搬运晶片。由此，在各工序的处理室中产生晶片的搬运等待时间。
在上述选择的处理室的组合的关系中，存在如下所述产生搬运等待时间的情况。由于在来自前一工序的处理室的晶片搬运中没有正确选择接下来变空的后一工序的处理室，因此后一工序的处理室的晶片滞留。与此相伴，前一工序的晶片也滞留。另外，另一方面，晶片在必要的定时将不会被搬运到已经变空的其他的后一工序的处理室。由此，在各工序的处理室中产生晶片的搬运等待时间。
因此，在本发明的实施方式的运转方法中，在链接式的真空处理装置中的多个工序处理的每个工序的多个处理室的处理时间相同的条件下，即使在作为后一工序的第二工序进行速度控制的情况下，也确定搬运等待时间少的最佳搬运调度表。
(实施方式1)
使用图1～图8，对本发明的实施方式的真空处理装置的运转方法进行说明。实施方式的运转方法是链接式的真空处理装置的多个工序处理所涉及的运转方法，换言之，是控制方法、计算方法。该运转方法是确定包含对于被处理体的多个工序处理所涉及的多个处理室(对应的处理单元)的有效的搬运模式的搬运调度表，换言之，是确定吞吐量最大的搬运调度表的方法。
[(1)概要]
在实施方式的运转方法中应用的真空处理装置是对作为被处理体的晶片在真空容器内的处理室内进行使用等离子体等的处理的链接式(换言之，线形工具)的真空处理装置。被处理体例如是用于制造半导体设备的半导体晶片。链接式的真空处理装置是具有用于减小机械部的设置面积而实现吞吐量提高的构造的方式的真空处理装置。链接式的真空处理装置具有如下构造：在各个真空搬运容器内具有搬运机器人的多个真空搬运容器例如在第一方向上排列配置，在各真空搬运容器的侧壁上连接有包括处理室的处理单元。多个真空搬运容器例如经由中间室(换言之，中间容器)连结。该真空处理装置具备多个搬运机器人，各搬运机器人并行地进行晶片的搬运。
在该运转方法中，在晶片处理中，作为多个工序处理，作为前一工序的第一工序以及作为后一工序的第二工序各自在第一处理单元以及第二处理单元各自中分别实施。第一处理单元包括第一处理室。第二处理单元包括第二处理室。多个工序处理具有作为前一工序的第一工序的第一处理和作为后一工序的第二工序的第二处理而构成。第一工序的第一处理在选择的第一处理单元的第一处理室中进行，第二工序的第二处理在选择的第二处理单元的第二处理室中进行。
该运转方法基于控制系统中的模拟计算来确定搬运调度表，使得晶片处理的吞吐量更高。搬运调度表是包含搬运模式(换言之，多个搬运路径)和各搬运路径中的搬运定时的概念。搬运定时是来自各站的晶片的搬运开始定时等。在该运转方法中，对于汇集在一起的多片晶片，换言之，对于批次，在该晶片的搬运的开始前，预先选择包含成为搬运以及处理该晶片的对象的处理单元及其顺序的搬运调度表。搬运调度表包括针对处理对象的每个晶片在第一工序中使用的第一处理单元以及在第二工序中使用的第二处理单元的选择。
真空处理装置的机械部具备给定的多个(设为个数M)的第一处理单元以及给定的多个(设为个数N)的第二处理单元。这些处理单元是搬运调度表中的使用的候补。特别是，在实施方式中，作为处理单元以及处理室的个数的关系，第二工序用的第二处理单元的个数N比第一工序用的第一处理单元的个数M少(M＞N)。此外，作为条件，第一工序的多个各第一处理单元以及第一处理室的处理时间(设为T1)相同，第二工序的多个各第一处理单元以及第二处理室的处理时间(设为T2)相同。根据这种处理室个数、处理时间的条件，存在第二工序进行速度控制的情况。
在实施方式的运转方法中，在该情况下，基于各处理单元的个数(M、N)以及各工序的处理时间(T1、T2)的关系的判断，计算前一工序中需要的处理室的使用个数(设为K)(K≤M)。即，在该运转方法中，将第一工序用的多个第一处理单元当中的一部分的第一处理单元从第一工序中的使用的候补中除去。在该运转方法中，使用作为除去后的候补的多个(使用个数K)的第一处理单元，来创建包括多个搬运路径的候补的多个调度表的候补。而且，在该运转方法中，基于计算，从多个调度表的候补中选择吞吐量最高的一个调度表，并确定为搬运调度表。在该运转方法中，将确定的搬运调度表用于晶片处理的实施。吞吐量最高对应于在多个工序处理中多个晶片的全部的处理需要的时间最短。
在实施方式的运转方法中，从FOUP向前一工序的第一处理室搬运晶片，使得前一工序的第一处理与后一工序的第二处理室需要晶片的定时相符地结束，并构成搬运调度表，使得正确选择接下来变空的后一工序的第二处理室作为来自前一工序的第一处理室的晶片的搬运目的地。
在该运转方法中，具体地，选择在前一工序中使用的第一处理室，使得在后一工序的各第二处理室中处理的晶片处理片数的差最小。也就是说，在该运转方法中，计算使晶片处理片数接近均衡的情况下所需的前一工序的第一处理室的使用个数K。在该运转方法中，与该使用个数K相符地除去前一工序当中的一部分的第一处理室，并构成选择的使用个数K的第一处理室和针对该第一处理室的搬运路径。而且，在该运转方法中，根据后一工序的各第二处理室的处理状况从前一工序的第一处理室中选择后一工序使用的第二处理室，并构成从第一处理室向第二处理室的搬运路径。通过这样构成的每个晶片的搬运调度表，防止在各工序的处理室中产生晶片搬运等待时间，或者使搬运等待时间最小。
[(2)真空处理装置]
使用图1，对实施方式的真空处理装置1的整体概要结构进行说明。该真空处理装置1大致由机械部101和控制机械部101的动作的控制部102构成。控制部101和机械部102通过电缆等手段连接。机械部101是具有包括搬运机器人的搬运机构、包括处理室的处理单元等而构成的装置机械部。处理室是进行对晶片的处理的真空处理室。
控制部102由包含控制机械部101的动作的控制器或者处理器等的装置例如IC基板、计算机构成。控制部102具有运算部103和存储部104。此外，控制部102经由通信接口装置以及LAN等网络114与成为主机115的计算机等连接。能够根据需要从主机115的计算机等对控制部102进行处理命令、状态监视。使用者对主机115的计算机等进行输入操作，能够在显示画面等上确认真空处理装置的状态等。
运算部103监视机械部101的整体的状态，并且进行伴随多个晶片的搬运以及处理的各站的动作控制，进行晶片的搬运调度表的确定、按照搬运调度表的晶片搬运动作的指示、控制。站是指晶片移动、停留、经过的场所，具体地，包括真空搬运容器、中间室、装载室。
运算部103具有搬运调度表处理部105以及搬运控制处理部106来作为更详细的功能块即处理部。各处理部通过软件程序处理或者电路等来实现。搬运调度表处理部105是进行与确定搬运调度表的第一步骤对应的处理的部分，搬运控制处理部106是进行与基于搬运调度表来控制搬运等的第二步骤对应的处理的部分。
搬运调度表处理部105确定对于收纳在FOUP中的处理对象的多片晶片的各晶片的搬运调度表。搬运调度表包括按照每个晶片进行搬运的顺序、搬运路径、搬运定时等。搬运调度表处理部105按照预先记载在软件中的搬运算法，经由通信得到存储在存储部104中的各信息。各信息是装置结构信息107、装置状态信息108、处理室信息109、搬运路径信息110、处理进展信息111以及动作时间信息112。搬运调度表处理部105使用这些得到的信息计算搬运调度表，并存储到存储部104的晶片搬运顺序信息113中。搬运调度表处理部105将与计算的搬运调度表对应的晶片搬运顺序信息发送到搬运控制处理部106。
搬运控制处理部106根据由搬运调度表处理部105确定的搬运调度表(对应的晶片搬运顺序信息113)，控制机械部101中的多个晶片的搬运处理。搬运控制处理部106控制机械部101的搬运机器人的动作、站间的闸阀等设备的动作。搬运控制处理部106基于晶片搬运顺序信息113计算并发送用于对机械部101进行晶片搬运控制的指令信号。搬运控制处理部106使用指令信号来控制搬运机器人的晶片的搬入、搬出、移动、装载室的减压、升压、处理单元的处理、闸阀的开闭等各个动作。
存储部104由存储器等构成，存储控制部102具有的各种信息、数据。存储部104存储装置结构信息107、装置状态信息108、处理室信息109、搬运路径信息110、处理进展信息111、动作时间信息112以及晶片搬运顺序信息113作为运算部103的运算处理所需的信息。
在装置结构信息107中，包括机械部101中具备的各种设备的结构信息，包括包含多个处理室的多个处理单元的ID(识别信息)、个数、种类的信息。装置结构信息107包括第一处理单元的第一处理的种类、第二处理单元的第二处理的种类的信息。装置结构信息107包括多个第一处理单元的个数M、多个第二处理单元的个数N的信息。
在装置状态信息108中，包括表示机械部101的各部的动作的状态的信息、压力值等信息。
在处理室信息109中，包括表示装置结构、装置状态当中的、特别是机械部101的多个处理室的各个处理室的当前的内部的状态、处理的状况的信息。此外，在处理室信息109中，包括进行各处理室的各处理的处理时间(T1、T2)的信息、以及表示各处理室的处理的剩余时间的信息等。处理时间是第一工序用的多个第一处理室的相同的处理时间T1以及第二工序用的多个第二处理室的相同的处理时间T2。这些信息随着处理推进而变化，以给定的时间间隔周期性地更新，并包括最新的信息和过去的信息。对这些信息进行区别，并存储到装置状态信息108或者处理室信息109中。另外，也可以在装置结构信息107、装置状态信息108中合并处理室信息109。
在搬运路径信息110中，包括与晶片通过搬运而移动、经过的各站所涉及的每个晶片的搬运路径、多个晶片的搬运的顺序这样的序列信息。某个搬运路径由具有顺序的多个站构成，包括在第一工序中使用的第一处理室的ID和在第二工序中使用的第二处理室的ID。搬运调度表信息使用搬运路径信息110的搬运路径构成。另外，也可以将搬运路径信息110和晶片搬运顺序信息113合并为一个。
在处理进展信息111中，对于在机械部101中处理正在推进的晶片的确定的汇总即批次，存放有表示在该批次中的处理的进展状况的信息。作为例子，在一个FOUP中，收纳有给定的多片例如15片、25片这样的晶片。各晶片具有编号等ID。处理进展信息111包括如下信息：在以给定的时间间隔获取信息的情况下，表示在其中的任意的时刻，预先赋予的晶片处理顺序当中的第几片晶片从FOUP被搬出并被处理等的信息。此外，处理进展信息111包括表示对应的晶片处理指示信息(换言之，序列方案(recipe))中的哪个序列在执行中的信息。
在动作时间信息112中，存放有机械部101的各部的动作时间信息。动作时间信息112包括机械部101中具备的搬运机器人的动作时间、闸阀的动作时间所涉及的信息。
在晶片搬运顺序信息113中，存放有搬运调度表信息当中的、表示关于收纳在FOUP中的多片晶片的各个晶片的搬运顺序的信息、各晶片的搬运路径的信息等。该信息例如包括表示各晶片的搬运顺序的编号、表示收纳各晶片的FOUP内的槽(slot)的编号、以及处理各晶片的处理室的编号等。
[(3)机械部]
接下来，使用图2，对机械部101的结构进行说明。图2示出机械部101的上表面图(X-Y面)。另外，作为说明上的方向，示出(X、Y、Z)。X方向以及Y方向是构成水平面并正交的两个方向，Z方向是铅垂方向。Y方向所示的第一方向设为多个真空搬运容器排列配置的前后方向。X方向所示的第二方向设为图示的左右方向。机械部101大致由大气侧装置结构部201和真空侧装置结构部202构成。
大气侧装置结构部201是从FOUP实施晶片的搬出以及搬入的部分。FOUP能够在大气压下将多片晶片收纳在内部。大气侧装置结构部201具有设于框体200的多个(例如三个)作为装载端口的装载端口41、42、43、大气侧搬运机器人47、对准器48以及退避站49而构成。例如，对于框体200，在Y方向的前侧的侧面连接有多个装载端口，在X方向上在一个侧面连接有对准器48，在Y方向的后侧且在靠X方向的一方的一个位置的侧面连接有退避站49。在多个装载端口上放置FOUP。大气侧搬运机器人47是进行在大气压下的晶片搬运的机器人，能够进行机器人臂的伸缩、上下移动、回转等。对准器48进行晶片的朝向的调节以及中心位置检测。退避站49是晶片的暂时性退避用的场所。
大气侧装置结构部201通过大气侧搬运机器人47从FOUP搬出处理对象的晶片，经由对准器48，进行向与真空侧装置结构部202连接的装载室10的搬入、向退避站48的搬入。此外，大气侧装置结构部201将从真空侧装置结构部202搬运到装载室10的晶片搬出，进行向FOUP或者退避站48的收纳。另外，装载室10设为包括在真空侧装置结构部202中。
但是，该大气侧装置结构部201是一个例子，不限于该结构。真空处理装置的装载端口的数量可以多于三个，也可以少于三个。此外，真空处理装置不限于一个大气侧搬运机器人47，也可以具备多个大气侧搬运机器人。真空处理装置不限于一个对准器48，也可以具备多个对准器，也可以没有对准器48。此外，真空处理装置不限于一个退避站49，也可以具备两个以上的待机站，也可以没有退避站49。
真空侧装置结构部202是在从大气压减压到给定的真空度的压力的压力下进行晶片的搬运等，并在多个处理室的内部对晶片进行处理的部分。真空侧装置结构部202具有作为多个真空处理室的处理室11～17、作为多个真空搬运容器的搬运容器20、21、22和作为多个中间室的中间室18、19而构成。
在大气侧装置结构部201和真空侧装置结构部202之间，特别是在框体200和Y方向上最前的搬运容器20之间，经由闸阀51、52具备装载室10。装载室10是在内部具有晶片的状态下，能够减压到给定的真空压力、升压到大气压，并承担向大气侧和真空侧的相互的区域的流通的中介的部分。
作为多个真空搬运容器的搬运容器20、21、22在Y方向上排列配置以及连接。多个真空搬运容器具备真空侧搬运机器人23、24、25作为多个真空侧搬运机器人。在各搬运容器内具备真空侧搬运机器人。例如在搬运容器20内包括真空侧搬运机器人23。在本例中，整体上有三个真空搬运容器。真空侧搬运机器人23、24、25分别是进行晶片的搬运的机器人。真空侧搬运机器人23、24、25具备能够保持晶片的手部、机器人臂。机器人臂能够伸缩、回转、上下运动等。真空侧搬运机器人将晶片搬运到相邻的装载室10或者处理室或者中间室。
作为多个真空处理室的处理室11、12、13、14、15、16、17分别是对晶片进行给定的处理的处理室。在本例中，包括第一工序以及第二工序的整体有七个处理室。各处理室与处理单元建立对应。换言之，真空侧装置结构部202具备与处理室11～17对应的多个(七个)处理单元。具体地，作为多个处理室的配置，在搬运容器20上，在第二方向(X方向)上左右连接有处理室11、12。在搬运容器21上，在第二方向上左右连接有处理室13、16。在搬运容器22上，在第二方向上左右连接有处理室14、15，在第一方向上且在后侧连接有处理室17。
作为多个中间室的中间室18、19分别具有保持晶片的机构，连接在相邻的两个真空搬运容器之间。在本例中，整体上有两个中间室。具体地，在搬运容器20和搬运容器21之间，连接有中间室18。在搬运容器21和搬运容器22之间，连接有中间室19。
在机械部101中的这多个设备之间，配置有闸阀51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63作为多个闸阀。通过各闸阀，对应的两个部分相互连结。例如，在搬运容器20和处理室11之间，具有闸阀53。在搬运容器20和中间室18之间，具有闸阀59。通过各闸阀的开闭的控制，能够划分、连接各设备的空间。
但是，该真空侧装置结构部202是一个例子，不限于该结构。真空处理装置不限于七个处理室，可以多于七个，也可以少于七个。此外，在该实施方式中，对于一个真空搬运容器的侧壁连接有两个或者三个处理室。真空处理装置不限于这种处理室的连接的个数，可以在一个真空搬运容器上连接一个处理室，也可以连接三个以上的处理室。此外，真空处理装置不限于三个真空搬运容器，可以多于三个，电可以少于三个。多个真空搬运容器仅配置在第一方向上，但不限于此，也可以配置在其他方向上。此外，在该实施方式中，在真空搬运容器和中间室之间具备闸阀，该闸阀可以是不进行开闭动作的结构，也可以是没有闸阀的结构。
[(4)处理室]
接下来，使用图3，对真空处理装置1的真空侧构成部202中的多个处理室的配置的一个结构例进行说明。图3示出在该实施方式中与图2对应的多个处理室11～17的配置结构。该结构由用于在作为前一工序的第一工序中使用的多个(个数M＝5)的第一处理室即处理室11～15、和用于在作为后一工序的第二工序中使用的多个(个数N＝2)的第二处理室即处理室16、17构成。第一处理室与包括其的第一处理单元建立对应，第二处理室与包括其的第二处理单元建立对应。第一处理单元进行第一处理作为第一种类。第二处理单元进行第二处理作为第二种类。
在实施方式中，在多个工序处理中，第一工序的第一处理作为第一种类是灰化(ashing)处理，第二工序的第二处理作为第二种类是冷却(cooling)处理。灰化处理是除去不需要的抗蚀剂等有机物等的处理。冷却处理是将由灰化处理产生的热进行冷却而使其下降的处理。另外，第一处理以及第二处理可以不限于这些结构。第一处理不限于灰化处理，也可以是其他种类的处理，第二处理不限于冷却处理，也可以是其他种类的处理。在其他实施方式中，作为其他种类，同样能够应用蚀刻处理、成膜处理等。
在实施方式中，为了方便，将在前一工序中使用的处理室11～15(对应的第一处理单元)也记载为AU{AU1、AU2、AU3、AU4、AU5}，将在后一工序中使用的处理室16、17(对应的第二处理单元)也记载为CU{CU1、CU2}。AU是灰化单元的简称，是进行灰化处理的第一处理单元。CU是冷却单元的简称，是进行冷却处理的第二处理单元。
在实施方式中，机械部101中具备的第一处理单元以及第一处理室的个数M是5，机械部101中具备的第二处理单元以及第二处理室的个数N是2，是M＞N的关系。此外，在个数M当中，在搬运调度表中将在前一工序中使用的第一处理单元以及第一处理室的个数设为使用个数K，K≤M。在搬运调度表中将要除去的第一处理室的个数设为除去个数L(L＝1、2、......)。K＝M-L。
但是，该配置结构是一个例子，不限于该结构。在真空处理装置中，前一工序的第一处理室的个数M不限于五个，只要是三个以上即可。此外，在真空处理装置中，后一工序的第二处理室的个数N不限于两个，只要是两个以上即可。
在实施方式中，如图所示，第一工序用的处理单元AU{AU1～AU5}配置在与处理室11～15对应的场所，如图所示，第二工序用的处理单元CU{CU1、CU2}配置在与处理室16、17对应的场所。关于各处理单元(AU、CU)的配置的场所可以不限于该结构。
[(5)搬运路径]
图4示出实施方式以及后述的比较例中的搬运路径信息的结构例。在图4的表401中，存放有包括五个路径候补的搬运路径信息，与前述的搬运路径信息110对应。图4的搬运路径信息表示以图3的机械部101的结构，在使用前一工序以及后一工序的全部处理室的多个工序处理的条件下构成搬运调度表的情况下，假定的搬运路径的候补。整个搬运路径是以FOUP作为开始位置，经由装载室、第一处理单元以及第二处理单元，并返回到FOUP的路径。在表401中，例如，第一行中的以“1”识别的第一路径候补将开始设为FOUP，前一工序为处理单元AU1，后一工序为处理单元CU1或者CU2，结束为FOUP。另外，这五个路径候补虽然是不将处理单元CU1、CU2单独划分而集中记载的情况，但在单独划分的情况下全部相当于十个路径候补。
[(6)比较例-课题]
接下来，使用图5，对包括前一工序以及后一工序的多个工序处理的条件所涉及的以往技术的方法的搬运算法中的课题进行说明。
图5示出作为相对于实施方式的比较例的方法的结构，在与图3同样的机械部的多个处理室的配置结构中，对于图4的搬运路径信息，实施多个工序处理的情况下的晶片处理的时序图501。该时序图501与通过前一工序以及后一工序的各处理单元(AU、CU)在给定的处理条件下实施多个晶片的处理的情况下的搬运调度表对应。在该时序图501中，图示的横方向表示时间，纵方向表示多个处理单元{AU1、AU2、AU3、CU1、AU4、AU5、CU2}。该时序图501中的处理条件表示如下情况：包括前一工序的第一处理室的第一处理单元AU{AU1～AU5}的处理时间T1为相同的50秒，包括后一工序的第二处理室的第二处理单元CU{CU1、CU2}的处理时间T2为相同的30秒的情况。实线框所示的处理时间502表示晶片的处理时间，虚线框所示的滞留时间503表示晶片的滞留时间。框内的数字表示晶片的编号。例如，在处理单元AU1中，对以“2”识别的晶片进行处理的时间为处理时间502，之后，在以接下来的“7”识别的晶片的处理时间之前，有滞留时间503。
比较例中的搬运路径以及对应的搬运调度表如下所示。例如对于用“1”表示的晶片，成为从第一工序的处理单元AU4向第二工序的处理单元CU2的搬运路径。若简化记载，则各晶片的搬运路径如下。晶片“1”：AU4→CU2，晶片“2”：AU1→CU1，晶片“3”：AU3→CU2，晶片“4”：AU5→CU1，晶片“5”：AU2→CU2，晶片“6”：AU4→CU1，晶片“7”：AU1→CU1，晶片“8”：AU3→CU2，晶片“9”：AU5→CU2，晶片“10”：AU2→CU1，晶片“11”：AU4→CU2，晶片“12”：AU1→CU1，晶片“13”：AU3→CU2，晶片“14”：AU5→CU1，晶片“15”：AU2→CU2。
在该比较例中的装置结构并且处理条件下，后一工序以及与其对应的第二处理单元CU进行速度控制(换言之，成为瓶颈)。这样，在第二工序进行速度控制的情况下，在前一工序中的第一处理室的使用个数K多到需要以上的情况下，换言之，在前一工序的使用个数K和后一工序的个数N的差大的情况下，存在产生晶片的搬运等待时间的情况。即，与前述同样地，由于比后一工序的处理单元CU1以及CU2所需要的定时较早地从FOUP搬运晶片，因此真空处理装置内的晶片片数增加。而且，产生用于搬运其他晶片的搬运机器人的动作完成等待，由此，存在产生晶片的搬运等待时间的情况。
此外，由于产生晶片滞留在中间室的时间，因此产生滞留在其他晶片的搬运路径上的晶片。由于该影响，在接下来的第二工序的任一个处理单元CU需要的定时将无法搬运晶片，由此产生晶片的搬运等待时间。
由于这些搬运等待时间，如滞留时间504、505、506、507的例子那样，在作为速度控制区域的后一工序的各处理单元CU中产生晶片的滞留时间。例如，滞留时间504是在处理单元CU1中的晶片“2”的处理之后、在晶片“4”的处理之前产生的滞留时间。由此，在比较例中，存在损害真空处理装置整体的处理效率的课题。
[(7)搬运判断方式-处理流程]
接下来，使用图6，对实施方式的真空处理装置的运转方法中的、作为多个工序处理的条件下的搬运判断方式的吞吐量最优化搬运判断方式进行说明。图6的处理流程600是安装了该搬运判断方式的处理流程，是图1的运算部103的搬运调度表处理部105以及第一步骤所涉及的处理流程。该处理流程600表示根据多个工序中的处理时间(T1、T2)的关系选择最佳的前一工序的第一处理室的使用个数K，并控制工序间的搬运的方式。该处理流程600具有步骤601～607，以下按照步骤的顺序进行说明。作为概要，步骤601～605的处理是确定前一工序的第一处理单元的使用个数K的处理，是除去一部分的第一处理单元的处理。步骤606是确定与前一工序的使用个数K的第一处理单元相关的搬运路径的处理。进而，步骤607是确定后一工序的第二处理单元作为来自前一工序的第一处理单元的搬运目的地的处理。在步骤607中，从多个第二处理单元中选择吞吐量最高的第二处理单元，确定从前一工序的第一处理单元向后一工序的第二处理单元的搬运路径。由此，该处理流程600实现多个工序处理的条件下的搬运动作的最优化。
另外，在处理流程600之前或者步骤601之前，虽然未图示，但有给定的条件的确认。控制部102确认该条件，在满足条件的情况下，进行步骤601以后的处理，即进行除去一部分的第一处理单元并确定搬运调度表的处理等。控制部102在不满足条件的情况下，不进行步骤601以后的处理，而进行例如以往那样的处理，即，进行使用全部的第一处理单元来确定搬运调度表的处理等。该条件是第二工序是否进行速度控制所涉及的条件，并且如下所述。该条件为：第一工序的处理时间T1和第二工序的处理时间T2分别比从晶片的装载室10到第一处理单元的搬运时间(设为H1)和从第一处理单元到第二处理单元的搬运时间(设为H2)各自长(T1＞H1、T1＞H2、T2＞H1、T2＞H2)。
在步骤601中，运算部103根据装置结构信息107计算第一处理单元的个数M和第二处理单元的个数N的个数比率(Q＝M/N)。此外，作为多个工序的各工序的处理室的处理时间的关系，运算部103根据处理室信息108，计算以后一工序的处理时间T2为基准的、前一工序的处理时间T1的比率即时间比率R。各处理时间(T1、T2)相当于每一片晶片在一个处理室(对应的处理单元)中的占有时间。将前一工序的第一处理单元中的晶片的第一处理的占有时间设为处理时间T1，将后一工序的第二处理单元中的晶片的第二处理的占有时间设为处理时间T2。作为式子，为[时间比率(R)]＝[前一工序的处理时间(T1)]/[后一工序的处理时间(T2)]，即，R＝T1/T2。
在步骤602中，作为条件的确认，运算部103确认个数比率(Q＝M/N)是否大于时间比率(R＝T1/T2)。在该条件下，在大于的情况(Q＞R)下，运算部103进行以下的处理。运算部103通过对在上述步骤601中计算的时间比率R，乘以存储在装置结构信息107中的后一工序的第二处理室的个数N，计算前一工序所需要的第一处理室的使用个数K。作为式子，为[前一工序的处理室的使用个数(K)]＝[时间比率(R)]×[后一工序的处理室的个数(N)]，即，K＝R×N(＝T1/T2×N)。
在步骤603、604、605中，由于实际的使用个数K需要是自然数，因此运算部103进行根据该确认来确定自然数的使用个数K的处理。步骤603是步骤602的计算值是否是自然数的确认，在肯定(Y)的情况下进入步骤604，在否定(N)的情况下进入步骤605。步骤604是将计算值视为在前一工序中需要的处理室的使用个数K的处理。步骤605是将计算值以上的最小的自然数视为在前一工序中需要的处理室的使用个数K的处理。
在步骤606中，运算部103对根据处理时间(T1、T2)的关系，存储在装置结构信息107中的前一工序的处理室的个数M是否具备前一工序所需要的处理室的使用个数K(换言之，是否M≥K)进行确认。而且，运算部103根据该前一工序的处理室的个数M和使用个数K，确定针对前一工序中的使用个数K的处理室(对应的第一处理单元)的搬运路径。
在前一工序中需要的处理室的使用个数K比前一工序的处理室的个数M小的情况(K＜M)下，运算部103从前一工序的个数M的第一处理室中选择不使用而要从候补中除去的第一处理室。即，运算部103选择并除去与除去个数L(＝M-K)对应的一个以上的一部分的第一处理室。运算部103使用成为除去后的候补的使用个数M的第一处理室来构成多个搬运路径的候补。
运算部103针对多个晶片的至少一个晶片，从个数M的第一处理单元中，按照考虑了搬运路径的长度或者搬运时间等的给定的顺序，选择要除去的第一处理单元。在实施方式中，搬运路径的长度由从起点到终点经由的站的数量表示。另外，也可以通过其他方式来计测、表现搬运路径的长度。
在从前一工序的个数M的第一处理室中选择要除去的第一处理室的情况下，详细地说，可列举以下的处理例。在前一工序和后一工序中经由的站数多的处理室是工序间的晶片的搬运时间长的处理室，或者搬运路径长的处理室。另外，经由的站数能够根据装置结构信息107等来计算。工序间的搬运时间能够根据动作时间信息112等来计算。
这种处理室在从某个第一处理室向接下来的第二处理室的晶片搬运时，由于堵塞其他晶片的搬运路径等的错综复杂，从而产生动作等待时间，损害处理效率的可能性高。因此，运算部103从这种工序间的搬运时间最长的第一处理室开始依次从候补中除去除去个数L。运算部103构成使用了该除去的结果的多个第一处理室的候补的搬运路径，并存储为新的搬运路径信息109。
具体地，例如，运算部103从在从前一工序的各第一处理室向后一工序的各第二处理室的搬运路径中经由的站数最多的第一处理室开始，依次进行除去。另外，此时，在有搬运路径或者搬运时间相同的两个以上的第一处理室，即有经由的站数相同的两个以上的第一处理室的情况下，运算部103还从这两个以上的第一处理室中选择要除去的第一处理室。具体地，运算部103考虑从FOUP到该前一工序的第一处理室的搬运时间，从该搬运时间最长的第一处理室开始，依次进行除去。
在该实施方式的例子中，与比较例同样地，前一工序的处理时间T1设为50秒，后一工序的处理时间T2设为30秒。在图3的装置结构的条件的情况下，图6的处理流程600的搬运判断结果例如如下所示。作为处理时间(T1、T2)的关系，前一工序的处理时间T1是后一工序的处理时间T2的约1.666倍(R＝T1/T2＝50/30
Figure BDA0002390426800000181
1.66)。在该装置结构中，由于在后一工序中具有两个处理室{处理单元CU1、CU2}，因此前一工序所需要的处理室的使用个数K的计算值为约3.33(K＝R×N
Figure BDA0002390426800000182
1.66×2＝3.33)。前一工序的处理室的使用个数K为了设为自然数而为4。
由于前一工序的处理室的个数M为5，使用个数K为4，因此根据L＝M-K，除去L＝1个第一处理室。在选择要除去的第一处理单元时，运算部103考虑从各第一处理单元AU{AU1～AU5}向各第二处理单元{CU1、CU2}搬运过程中经由的站数。其结果，经由的站数最多的第一处理单元例如是处理单元AU1以及AU2。因此，这两个处理单元AU1以及AU2成为除去的候补。
进而，为了从这两个第一处理单元中选择一个第一处理单元，运算部103考虑前一工序的第一处理单元所涉及的搬运时间、动作时间等。具体地，运算部103还考虑真空侧搬运机器人的回转动作等动作时间。其结果，搬运时间最长的前一工序的第一处理单元例如成为处理单元AU2。运算部103选择并除去该处理单元AU2，使用剩余的使用个数M的第一处理单元来构成搬运路径的组合。
在步骤607中，运算部103基于步骤606的搬运路径，选择从前一工序的第一处理室向后一工序的第二处理室的搬运中的最佳搬运目的地的第二处理室(对应的第二处理单元)作为多个工序处理用的搬运模式。运算部103选择后一工序的处理结束的第二处理室作为从前一工序向后一工序的搬运目的地，或基于存储在处理室信息108中的剩余的处理时间，选择处理最早结束的第二处理室作为该后一工序的搬运目的地。
在此，在后一工序的多个第二处理室已经结束处理、或有成为在同时期处理结束的预定的搬运目的地的候补的多个第二处理室的情况下，运算部103如下选择搬运目的地。即，运算部103根据动作时间信息111，选择搬运时间最短的第二处理室，具体地选择在工序间经由的站数最少的第二处理室作为搬运目的地。
这样，在实施方式的真空处理装置的运转方法中，通过控制部102，确定使用了从在上述步骤606中选择的前一工序的处理室向在步骤607中选择的后一工序的处理室的搬运路径的搬运调度表。该处理流程600的处理针对处理对象的每个晶片(例如每个批次)同样地反复。即，能够针对处理对象的每个晶片(例如每个批次)确定最佳搬运调度表。在应用相同的处理条件的晶片的情况下，应用基于相同的搬运调度表的搬运控制。之后，控制部102的搬运控制处理部106控制基于确定的搬运调度表的晶片处理的实施。
实施方式的运转方法如上述那样的步骤所示，针对处理对象的每个晶片，进行使处理时间和处理室个数的关系最优化而选择的搬运模式以及对应的搬运调度表的确定以及切换。由此，在该运转方法中，每一恒定期间的后一工序的各处理室的晶片处理片数的差最小，即使在第二工序进行速度控制的情况下，也抑制施加在控制系统上的处理负载并且选择最佳搬运模式。由此，多个晶片的处理的吞吐量被最优化。
上述处理流程600根据计算的结果例如除去某一个第一处理单元(例如处理单元AU2)，但不限于此，也存在根据计算的结果、条件，除去两个以上的第一处理单元的情况。即，存在根据晶片而除去不同的第一处理单元的情况。在该情况下，对于多个晶片当中的至少两个晶片，除去不同的第一处理单元，成为包括不同的搬运模式的搬运调度表。换言之，对于其中的第一晶片，构成除去某第一处理单元(例如处理单元AU2)并包括从其以外的单元中选择的搬运路径的第一调度表，对于第二晶片，构成除去其他的第一处理单元(例如处理单元AU3)并包括从其以外的单元中选择的搬运路径的第二调度表。
[(8)搬运动作]
接下来，使用图7以及图8，对实施方式的真空处理装置的运转方法(对应的图6的搬运判断方式)的应用前后的搬运动作的不同和其效果进行说明。图7以及图8示出在图3的装置结构以及图4的搬运路径信息的情况下，前一工序的第一处理室的处理时间T1为50秒，后一工序的第二处理室的处理时间T2为30秒的处理条件的情况下的、应用前后的搬运动作的比较。
图7示出应用前后的搬运路径。搬运路径701表示应用前的多个搬运路径，搬运路径702表示应用后的多个搬运路径。箭头表示工序间的晶片搬运路径。应用前具有的多个搬运路径与图4的五个路径候补(在分开处理单元CU1、CU2的情况下，为十个路径候补)对应。相对于应用前的搬运路径701，在应用后的搬运路径702中，根据处理时间(T1、T2)的关系，判断最佳前一工序的处理室的使用个数K，其结果，将要除去的处理单元AU2所涉及的搬运路径k1、k2除去。具体地，在应用前，针对第一工序的每个第一处理单元AU{AU1～AU5}，具有去往两个第二处理单元CU1、CU2的两个搬运路径。例如，搬运路径k1是从处理单元AU2到处理单元CU1的搬运路径，搬运路径k2是从处理单元AU2到处理单元CU1的搬运路。在应用后，通过除去处理单元AU2，除去这两个搬运路径k1、k2。
图8示出与图7对应的应用前后的晶片处理的时序图的比较。时序图703表示应用前的每个理单元的晶片处理的时序图，表示与图5的时序图501同样的搬运动作。时序图704表示应用后的每个处理单元的晶片处理的时序图。横轴表示时间，纵轴表示多个处理单元{AU1、AU2、AU3、CU1、AU4、AU5、CU2}。处理时间502、滞留时间503的意思与前述同样。
在应用后，搬运路径以及对应的调度表如下所示。若简化记载，则各晶片的搬运路径如下。晶片“1”：AU4→CU2，晶片“2”：AU1→CU1，晶片“3”：AU5→CU2，晶片“4”：AU3→CU1，晶片“5”：AU4→CU2，晶片“6”：AU1→CU1，晶片“7”：AU5→CU2，晶片“8”：AU3→CU1，晶片“9”：AU4→CU2，晶片“10”：AU1→CU1，晶片“11”：AU5→CU2，晶片“12”：AU3→CU1，晶片“13”：AU4→CU2，晶片“14”：AU1→CU1，晶片“15”：AU5→CU2。
若比较应用前的时序图703和应用后的时序图704，则如下所述。在应用前，关于进行速度控制的第二工序，如晶片的搬运等待时间504、506、507、508那样，产生晶片滞留位置。与此相对，在应用后，如在时间方向上相邻的处理时间之间的时点(晶片滞留消除位置)704、705、706、707所示，消除了应用前的晶片搬运等待时间。在应用后，前一工序中的处理室的使用个数M被最佳化为所需的数量(K＝4)。由此，真空处理装置内的晶片片数被最优化，工序间的晶片搬运动作中的搬运机器人的动作等待等影响消失或者减少。由此，在应用后，消除了搬运等待时间。例如，在时点704，在晶片“2”的处理时间后，晶片“4”的处理时间立即持续而没有滞留。
处理效率提高时间(ΔT)713表示应用前的整个处理的结束时点和应用后的整个处理的结束时点的差分。在应用前后，例如对于晶片“1”～“15”这15片晶片的处理，实现了与处理效率提高时间(ΔT)713对应的装置利用效率，换言之，实现了吞吐量的提高。
[(9)效果等]
如上所述，根据实施方式的真空处理装置的运转方法，在链接式的真空处理装置的情况下，能够实现多个工序处理所涉及的有效的搬运以及处理。根据实施方式，在针对每个工序成为使用的候补的多个处理单元的多个处理室的处理时间相同的处理条件下，即使在多个工序当中的作为后一工序的第二工序进行了速度控制的情况下，也能够抑制整体的处理负载并且选择包括最佳搬运模式的搬运调度表。根据实施方式，如图8的处理效率提高时间(ΔT)713那样，即使在第二工序进行了速度控制的情况下，也能够提供能够提高装置利用效率等的控制方式。根据实施方式，针对处理对象的每个晶片，进行处理时间和处理室个数的关系被最优化的搬运模式的确定以及切换。由此，每个恒定期间内的第二工序的各处理室的晶片处理片数的差成为最小。因此，即使在第二工序进行了速度控制的情况下，也能够不对控制系统施加过大的处理负载地选择最佳搬运模式。
为了最优化，需要将晶片从FOUP搬运到前一工序的第一处理室并正确地选择接下来变空的后一工序的第二处理室作为来自第一处理室的晶片的搬运目的地，使得前一工序的处理室的处理与后一工序的处理室需要的晶片的定时相符地结束。因此，在实施方式的运转方法中，根据各工序的处理时间(T1、T2)的关系，在前一工序的处理室的使用个数K的计算后，更新搬运路径信息，在工序间的搬运中，根据后一工序的处理状况选择搬运效率好的后一工序的处理室。由此，该运转方法实现了切换最佳搬运模式的控制。
以上，根据实施方式具体地说明了本发明，本发明不限于前述实施方式，在不脱离主旨的范围内能够进行各种变更。
附图标记说明
101...机械部，102...控制部，103...运算部，104...存储部，105...搬运调度表处理部，106...搬运控制处理部，107...装置结构信息，108...装置状态信息，109...处理室信息，110...搬运路径信息，111...处理进展信息，112...动作时间信息，113...晶片搬运顺序信息，114...网络，115...主机，201...大气侧装置结构部，202...真空侧装置结构部，10...装载室，11、12、13、14、15，16、17...处理室，18、19...中间室，20、21、22...搬运容器，23、24、25...真空侧搬运机器人，26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38...闸阀，41、42、43...装载端口，47...大气侧搬运机器人，48...对准器，49...退避站。

Claims (7)

1.一种真空处理装置的运转方法，其中，
所述真空处理装置具备：
多个真空搬运容器，其是排列配置的多个真空搬运容器，在各个真空搬运容器中，收纳有搬运晶片的搬运机器人；
多个中间室，其配置在所述多个真空搬运容器中的相邻的两个真空搬运容器之间，收纳所述晶片；
装载室，其与所述多个真空搬运容器当中的一个真空搬运容器连接，收纳所述晶片，并能够减压到给定的压力以及升压到大气压；
多个处理单元，其是与所述多个真空搬运容器连接的多个处理单元，在各个处理单元中包括对所述晶片进行处理的处理室，所述多个处理单元包括用于进行多个工序处理当中的第一工序的第一处理的多个第一处理单元、以及用于进行第二工序的第二处理的多个第二处理单元，
所述运转方法具有：
第一步骤，其是确定搬运调度表使得在所述多个工序处理中多个晶片的全部的处理所需的时间为最短的步骤，所述第一步骤针对各个晶片选择所述多个处理单元当中的一个第一处理单元以及一个第二处理单元，并确定包括使用所选择的处理单元的搬运路径的所述搬运调度表；以及
第二步骤，进行控制，使得根据所述搬运调度表搬运在所述装载室的前方配置的盒中收纳的所述多个晶片的各个晶片，并使用所述第一工序的所述一个第一处理单元实施所述第一处理，之后使用所述第二工序的所述一个第二处理单元实施所述第二处理，
在所述第一步骤中，对于所述多个晶片当中的至少一个晶片，使用从所述多个第一处理单元中除去至少一个第一处理单元而选择的第一处理单元，来构成包括所述搬运路径的所述搬运调度表。
2.根据权利要求1所述的真空处理装置的运转方法，其中，
在所述第一步骤中，
计算所述真空处理装置中具备的所述多个第一处理单元的个数和所述多个第二处理单元的个数的个数比率，
计算所述多个第一处理单元的各第一处理单元的所述第一处理所需的第一处理时间和所述多个第二处理单元的各第二处理单元的所述第二处理所需的第二处理时间的时间比率，
在所述个数比率比所述时间比率大的情况下，对于所述多个晶片的至少一个晶片，根据将所述多个第二处理单元的个数乘以所述时间比率所得的计算值以上的最小的自然数来计算使用个数，选择所述使用个数的第一处理单元来确定所述搬运调度表。
3.根据权利要求1所述的真空处理装置的运转方法，其中，
所述多个第一处理单元的各第一处理单元的所述第一处理所需的第一处理时间、以及所述多个第二处理单元的各第二处理单元的所述第二处理所需的第二处理时间的各个处理时间比所述各个晶片的从所述装载室到所述第一处理单元的第一搬运时间、以及从所述第一处理单元到所述第二处理单元的第二搬运时间的各个搬运时间长。
4.根据权利要求1所述的真空处理装置的运转方法，其中，
在所述第一步骤中，对于所述多个晶片的至少一个晶片，按照考虑了所述搬运路径的长度或者搬运时间的给定的顺序，从所述多个第一处理单元中选择要除去的所述处理单元。
5.根据权利要求4所述的真空处理装置的运转方法，其中，
在所述第一步骤中，除去从所述第一处理单元到所述第二处理单元的搬运路径的长度最大的所述第一处理单元。
6.根据权利要求5所述的真空处理装置的运转方法，其中，
在所述第一步骤中，在存在从所述第一处理单元到所述第二处理单元的搬运路径的长度相等的除去候补的多个第一处理单元的情况下，除去所述除去候补的多个第一处理单元当中的从所述装载室到所述第一处理单元的搬运路径的长度最大的所述第一处理单元。
7.根据权利要求1所述的真空处理装置的运转方法，其中，
在所述第一步骤中，对于所述多个晶片当中的至少两个晶片，从所述多个第一处理单元中除去不同的第一处理单元，确定包括选择的不同的搬运路径的所述搬运调度表。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7240980B2 (ja) * 2019-07-29 2023-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
WO2022064623A1 (ja) * 2020-09-25 2022-03-31 株式会社日立ハイテク 真空処理装置の運転方法
JP7324811B2 (ja) * 2021-09-22 2023-08-10 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06119352A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 生産管理方法ならびにシステムおよびスケジューラ
JPH11121582A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウェハ製造設備制御方法および半導体ウェハ製造設備
US20030098125A1 (en) * 2001-11-29 2003-05-29 Jae-Hyuck An Method of and apparatus for performing sequential processes requiring different amounts of time in the manufacturing of semiconductor devices
US20060182533A1 (en) * 2004-12-06 2006-08-17 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method adopted in substrate processing apparatus
JP2009071180A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Intevac Inc 基板を搬送及び処理する装置並びに方法
US20100174397A1 (en) * 2009-01-07 2010-07-08 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and operating method therefor
CN102800615A (zh) * 2011-05-26 2012-11-28 株式会社日立高新技术 真空处理装置以及真空处理方法
JP2013251420A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置及び真空処理方法
US20140099176A1 (en) * 2012-10-10 2014-04-10 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
CN104011845A (zh) * 2011-10-26 2014-08-27 布鲁克斯自动化公司 半导体晶片搬运和运输
CN105517922A (zh) * 2013-12-24 2016-04-20 株式会社日立制作所 拣选系统
JP2016096211A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
CN107481963A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种控制晶圆排队等待时间的方法和系统

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08316119A (ja) * 1995-05-15 1996-11-29 Fujitsu Ltd 割り込み処理方法および割り込み処理装置
TW466622B (en) * 1996-09-11 2001-12-01 Hitachi Ltd Operating method of vacuum processing device and vacuum processing device
JPH11251399A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000150619A (ja) * 1999-01-01 2000-05-30 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
US20070282480A1 (en) * 2003-11-10 2007-12-06 Pannese Patrick D Methods and systems for controlling a semiconductor fabrication process
US10163667B2 (en) * 2007-03-22 2018-12-25 Brooks Automation, Inc. Linear wafer drive for handling wafers during semiconductor fabrication
DE102009045286A1 (de) * 2009-10-02 2011-04-21 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Abbildung des Umfelds eines Fahrzeugs
JP5592863B2 (ja) * 2011-11-02 2014-09-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置および被処理体の搬送方法
JP6017134B2 (ja) * 2011-12-13 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 生産効率化システム、生産効率化装置および生産効率化方法
JP5921200B2 (ja) * 2012-01-05 2016-05-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、縮退運用プログラムおよび生産リストの作成プログラム

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06119352A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 生産管理方法ならびにシステムおよびスケジューラ
JPH11121582A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウェハ製造設備制御方法および半導体ウェハ製造設備
US20030098125A1 (en) * 2001-11-29 2003-05-29 Jae-Hyuck An Method of and apparatus for performing sequential processes requiring different amounts of time in the manufacturing of semiconductor devices
US20060182533A1 (en) * 2004-12-06 2006-08-17 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method adopted in substrate processing apparatus
JP2009071180A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Intevac Inc 基板を搬送及び処理する装置並びに方法
US20100174397A1 (en) * 2009-01-07 2010-07-08 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and operating method therefor
CN102800615A (zh) * 2011-05-26 2012-11-28 株式会社日立高新技术 真空处理装置以及真空处理方法
CN104011845A (zh) * 2011-10-26 2014-08-27 布鲁克斯自动化公司 半导体晶片搬运和运输
JP2013251420A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置及び真空処理方法
US20140099176A1 (en) * 2012-10-10 2014-04-10 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
CN105517922A (zh) * 2013-12-24 2016-04-20 株式会社日立制作所 拣选系统
JP2016096211A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
CN107481963A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种控制晶圆排队等待时间的方法和系统

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