TW202030826A - 真空處理裝置之運轉方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 676
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 300
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 216
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 231
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 109
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 4
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41815—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the cooperation between machine tools, manipulators and conveyor or other workpiece supply system, workcell
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/4189—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the transport system
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/4189—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the transport system
- G05B19/41895—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the transport system using automatic guided vehicles [AGV]
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- G05B2219/31—From computer integrated manufacturing till monitoring
- G05B2219/31002—Computer controlled agv conveys workpieces between buffer and cell
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- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
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- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
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Abstract
關於真空處理裝置之運轉方法,提供於連桿式之真空處理裝置之情況,可以實現複數工程處理所涉及之有效率的搬運及處理之技術。實施型態之真空處理裝置之運轉方法具有:第1步驟(步驟601~607),其係在複數工程處理中以複數晶圓之全部的處理所需之時間成為最短之方式,針對各個晶圓,選擇複數處理單元之中的一個第1處理單元及一個第2處理單元,決定包含使用所選擇的處理單元之搬運路徑之搬運行程。第1步驟係針對至少一個晶圓,使用從複數第1處理單元排除至少一個第1處理單元而被選擇的第1處理單元而構成包含搬運路徑的搬運行程。該運轉方法係在第2工程進行速率限制之情況,選擇最佳的搬運行程。
Description
本發明係關於真空處理裝置等之技術,且關於在真空處理裝置之複數工程處理中之運轉方法等。
作為真空處理裝置,有連接在各個真空搬運容器內持有搬運機器人之複數真空搬運容器,對複數真空搬運容器連接複數處理單元的連桿式之真空處理裝置。
作為上述般之真空處理裝置之運轉方法所涉及之先前技術例,可舉出日本特開2013-98412號公報(專例文獻1)。專利文獻1係在複數搬運機器人間,進行晶圓之收授的線形工具之真空處理裝置中,連續性處理複數晶圓之時的處理量(每時間單位之處理片數)之意旨的技術。專利文獻1中記載從在複數晶圓搬運開始前按處理室之數量及配置和晶圓之處理時間之組合的每個條件,模擬控制晶圓之搬運的複數搬運演算法而獲得的搬運演算法判定規則之中,選擇預測最大之處理量值之搬運演算法,根據被選擇到的搬運演算法,算出晶圓之搬運目的地,提供最高處理量之搬運控制的意旨。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-98412號公報
[發明所欲解決之課題]
專利文獻1之技術係關於複數工程處理,藉由根據模擬選擇處理量成為最大之搬運演算法,提升裝置利用效率。複數工程處理係指對相同的晶圓等之被處理體,在複數不同的處理室,進行各工程之各處理,完成處理全體之情形。單一工程處理係指對相同的被處理體,在任一個處理室,完成單一工程之一次處理而完成處理全體之情形。
上述般之以往技術係於與複數工程處理所涉及之搬運演算法(換言之,搬運行程)之選擇時,模擬計算之負載增大之情形。在此情況,產生必須配合例如真空處理裝置之控制系統之能力而簡化計算處理。因此,能產生無法選擇包含最佳之搬運圖型之最佳的搬運行程之情形。以往技術對於係藉由晶圓之搬運及處理使用的處理室之組合發生,模擬對象之搬運圖型之數量比起單一工程增加的考慮不足。
一般而言,在量產過程使用的真空處理裝置係於例如多數半導體裝置之製造時,在複數工程處理之各工程中,藉由連續性地實施被決定的相同條件之處理而被運用。
本發明之目的係關於真空處理裝置之運轉方法,提供於連桿式之真空處理裝置之情況,可以實現複數工程處理所涉及之有效率的搬運及處理之技術。本發明之其他目的係提供在每工程成為使用候補之複數處理單元(對應的複數處理室)之處理時間為相同之處理條件下,即使在複數工程之中的後工程亦即第2工程進行速率限制(換言之,成為瓶頸之情形),亦可以邊抑制全體性的處理負載邊選擇最佳的搬運圖型之技術。
[用以解決課題之手段]
本發明之中,代表性的實施型態係真空處理裝置之運轉方法,具有以下所示之構成。真空處理裝置係被排列配置的複數真空搬運容器,具備:上述複數真空搬運容器,在各個真空搬運容器收納搬運晶圓之搬運機器人;複數中間室,其係被配置在上述複數真空搬運容器中相鄰的兩個真空搬運容器之間,收納上述晶圓;裝載鎖定室,其係被連接於上述複數真空搬運容器之中的一個真空搬運容器,收納上述晶圓,能夠進行直至特定壓力的減壓及直至大氣壓的升壓;及上述複數處理單元,其係被連接於上述複數真空搬運容器之複數處理單元,在各個處理單元含有對上述晶圓進行處理之處理室,包含用以進行複數工程處理之中之第1工程之第1處理的複數第1處理單元,及用以進行第2工程之第2處理的複數第2處理單元。上述運轉方法具有:第1步驟,其係在上述複數工程處理中以複數晶圓之全部的處理所需之時間成為最短之方式決定搬運行程的步驟,針對各個晶圓,選擇上述複數處理單元之中的一個第1處理單元及一個第2處理單元,決定包含使用所選擇的處理單元之搬運路徑之上述搬運行程;和第2步驟,其係進行控制,以使依照上述搬運行程搬運被收納於被配置在上述裝載鎖定室之前方的卡匣的上述複數晶圓之各個晶圓,使用上述第1工程之上述一個第1處理單元而實施上述第1處理,之後,使用上述第2工程之上述一個第2處理單元而實施上述第2處理。上述第1步驟係針對上述複數晶圓之中之至少一個晶圓,使用從上述複數第1處理單元排除至少一個第1處理單元而被選擇的第1處理單元而構成包含上述搬運路徑的上述搬運行程。
[發明之效果]
若藉由本發明之中的代表性實施型態時,關於真空處理裝置之運轉方法,在連桿式之真空處理裝置之情況,可以實現複數工程處理所涉及之有效率的搬運及處理。再者,若藉由本發明之中的代表性實施型態時,在每個工程成為使用之候補的複數處理單元(對應的複數處理室)之處理時間為相同的處理條件中,複數工程之中的後工程亦即第2工程進行速率限制之情況,可以邊抑制全體性的處理負載邊選擇最佳的搬運圖型。
以下,使用本發明之實施型態使用圖面予以詳細說明。
[課題等]
針對與以往技術有關之課題等補足說明。如上述般,以往技術之運轉方法係決定在連桿式(或線形工具)之真空處理裝置中之複數工程處理所涉及的搬運行程。此時,以往技術之運轉方法需要考慮複數處理單元(對應的複數處理室)之組合而進行計算,處理負載增大,有無法選擇包含最佳之搬運圖型之搬運行程的可能性。
以往技術之運轉方法係在例如有多數量處理單元之組合之情況,控制系統之處理能力不足。因此,以往技術之運轉方法係對真空處理裝置之一般的處理條件,以具備第2工程不進行速率限制之複數處理室的裝置構成為前提,進行僅以第1工程為對象之搬運控制。在此情況,以往技術之運轉方法係關於包含前工程亦即第1工程及後工程亦即第2工程之搬運路徑,有最佳的搬運圖型不被選擇之情形。具體而言,因應第1工程及第2工程之各工程之處理時間之關係,或被選擇的處理室之組合,第2工程進行速率限制。
在上述各工程之處理時間之關係中,有如下述般產生搬運等待時間之情形。相對於前工程的處理室,較後工程中之處理室所需的時序更早從FOUP(Front-Opening-Unified Pod:晶圓傳送盒)搬運晶圓,依此前工程之晶圓滯留。換言之FOUP係卡匣,收容複數片之晶圓。依此,產生在搬運路徑上滯留的晶圓。由於其影響,無法在接著各工程之處理室所需之時序搬運晶圓。依此,在各工程之處理室發生晶圓之搬運等待時間。
在上述被選擇之處理室之組合關係中,有如下述般產生搬運等待時間之情形。在前工程的從處理室之晶圓搬運中,無正確地選擇接著空置的後工程之處理室,依此後工程之處理室之晶圓滯留。依此,前工程之晶圓也滯留。又另一方面,在所需的時序晶圓不被搬運至成為空置之另外的後工程之處理室。依此,在各工程之處理室發生晶圓之搬運等待時間。
於是,本發明之實施型態之運轉方法係在連桿式之真空處理裝置中之複數工程處理之每個工程之複數處理室之處理時間為相同之條件中,決定即使後工程亦即第2工程進行速率限制之情況下搬運等待時間也少的最佳搬運行程。
(實施型態1)
使用圖1~圖8,針對本發明之實施型態之真空處理裝置之運轉方法予以說明。實施型態之運轉方法係連桿式之真空處理裝置之複數工程處理所涉及之運轉方法,換言之,控制方法或計算方法。該運轉方法係決定被處理體對複數工程處理所涉及之複數處理室(對應的處理單元)的高效搬運圖型之搬運行程,換言之,處理量成為最大的搬運行程之方法。
[(1)概要]
在實施型態之運轉方法中被適用的真空處理裝置係對被處理體亦即晶圓,在真空容器內之處理室內進行使用電漿等之處理的連桿式(換言之線形工具)之真空處理裝置。被處理體係例如用於製造半導體裝置的半導體晶圓。連桿式之真空處理裝置係具有用以縮小機械部之設置面積而實現處理量提升之構造之方式的真空處理裝置。連桿式之真空處理裝置具有在例如第1方向排列配置各個真空搬運容器內持有搬運機器人之複數真空搬運容器,在各真空搬運容器之側壁連接有包含處理室之處理單元之構造。複數真空搬運容器經由例如中間室(換言之中間容器)而被連結。該真空處理裝置具備複數搬運機器人,各搬運機器人並行進行晶圓之搬運。
在該運轉方法中,晶圓處理係在第1處理單元及第2處理單元之各者中分別實施前工程亦即第1工程及後工程亦即第2工程之各者,以作為複數工程處理。第1處理單元包含第1處理室。第2處理單元包含第2處理室。複數工程處理具有前工程亦即第1工程之第1處理,和後工程亦即第2工程之第2處理而被構成。第1工程之第1處理係在被選擇之第1處理單元之第1處理室被進行,第2工程之第2處理係在被選擇之第2處理單元之第2處理室被進行。
該運轉方法係以更提升晶圓處理之處理量之方式,根據在控制系統之模擬計算,決定搬運行程。搬運行程係包含搬運圖型(換言之,複數搬運路徑),和在各搬運路徑之搬運時序的概念。搬運時序係晶圓從各工作台搬運開始之時序等。該運轉方法係針對群集的複數片晶圓,換言之批量,於其晶圓之搬運開始前,事先選擇包含成為對其晶圓進行搬運及處理之對象的處理單元和其順序的搬運行程。搬運行程係處理對象之每個晶圓包含在第1工程使用的第1處理單元,及在第2工程中使用的第2處理單元之選擇。
真空處理裝置之機械部具備特定複數(設為個數M)之第1處理單元,及特定複數(設為個數N)之第2處理單元。該些處理單元係在搬運行程中使用的候補。尤其,在實施型態中,作為處理單元及處理室之個數的關係,第2工程用之第2處理單元之個數N少於第1工程用之第1處理單元之個數M(M>N)。再者,作為條件,第1工程之複數的各第1處理單元及第1處理室之處理時間(設為T1)為相同,第2工程之複數的各第1處理單元及第2處理室之處理時間(設為T2)為相同。有因應如此之處理室個數或處理時間之條件,第2工程進行速率限制之情況。
實施型態之運轉方法在此情況,針對各處理單元之個數(M、N)及各工程之處理時間(T1、T2)之關係的判斷,算出在前工程所需的處理室之使用個數(設為K) (K≦M)。即是,該運轉方法係從在第1工程中使用的候補排除第1工程用之複數第1處理單元之中之一部分的第1處理單元。該運轉方法係使用排除後之候補亦即複數(使用個數K)之第1處理單元,作成包含複數搬運路徑之候補的複數行程之候補。而且,該運轉方法係根據計算,從複數行程之候補選擇處理量最高之一個行程,決定成搬運行程。該運轉方法係於晶圓處理之實施使用決定的搬運行程。處理量最高係對應於在複數工程處理中複數晶圓之全部處理所需的時間成為最短。
實施型態之運轉方法係以前工程之第1處理配合後工程之第2處理室需要晶圓之時序而結束之方式,從FOUP搬運晶圓至前工程之第1處理室,且以正確選擇接著空置之後工程的第2處理室,作為來自前工程之第1處理室的晶圓搬運目的地之方式,構成搬運行程。
該運轉方法具體而言,係以在後工程之各第2處理室被處理之晶圓處理片數之差成為最小之方式,選擇在前工程使用之第1處理室。即是,該運轉方法算出在使晶圓處理片數均等接近之情況所需的前工程之第1處理室之使用個數K。該運轉方法係配合其使用個數K,排除前工程之中之一部分的第1處理室,構成所選擇的使用個數K之第1處理室,和相對於其第1處理室之搬運路徑,而且,該運轉方法係從前工程之第1處理室因應後工程之各第2處理室之處理狀況而選擇後工程使用的第2處理室,構成從第1處理室朝向第2處理室之搬運路徑。藉由如此被構成之每個晶圓之搬運行程,防止在各工程之處理室產生晶圓搬運等待時間,再者搬運等待時間成為最小。
[(2)真空處理裝置]
使用圖1,針對實施型態之真空處理裝置1之全體概略構成予以說明。該真空處理處理1係大致由機械部101、和控制機械部101之動作的控制部102構成。控制部101和機械部102係以纜線等之手段連接。機械部101係具有包含搬運機器人搬運機構,或包含處理室的處理單元等之裝置機械部。處理室係對晶圓進行處理的真空處理室。
控制部102係由包含機械部101之動作的控制器或處理器等之裝置,例如IC基板或計算機構成。控制部102具有演算部103和記憶部104。再者,控制部102係經由通訊介面裝置及LAN等之網路114而與成為主機115之計算機等連接。能夠從主機115之計算機等對控制部102因應所需進行處理命令或狀態監視。利用者可以對主機115之計算機等,進行輸入操作,在顯示畫面等確認真空處理裝置之狀態等。
演算部103係一面監視機械部101之全體之狀態,一面進行伴隨複數晶圓之搬運及處理的各工作站之動作控制,進行晶圓之搬運行程之決定,或依照搬運行程的晶圓搬運動作之指示或控制。工作站係指晶圓移動、滯在、經由的場所,具體而言,包含真空搬運容器、中間室、裝載鎖定室。
演算部103具有搬運行程處理部105及搬運控制處理部106,作為更詳細的機能區塊亦即處理部。各處理部係藉由軟體程式處理或電路等而實現。搬運行程處理部105係進行與決定搬運行程之第1步驟對應的處理之部分,搬運控制處理部106係進行與根據搬運行程而控制搬運等之第2步驟對應的處理之部分。
搬運行程處理部105係決定針對收納於FOUP之處理對象之複數片晶圓之各晶圓的搬運行程。搬運行程係每晶圓包含搬運的順序或搬運路徑或搬運時序等。搬運行程處理部105係沿著事先記載於軟體之搬運演算法,經由通訊取得被記憶於記憶部104之各資訊。各資料係裝置構成資訊107、裝置狀態資訊108、處理室資訊109、搬運路徑資訊110、處理進度資訊111及動作時間資訊112。搬運行程處理部105係使用該些取得的資訊算出搬運行程,記憶於記憶部104之晶圓搬運順序資訊113。搬運行程處理部105係將與算出的搬運行程對應之晶圓搬運順序資訊發送至搬運控制處理部106。
搬運控制處理部106係依照在搬運行程處理部105被決定的搬運行程(對應的晶圓搬運順序資訊113),控制在機械部101之複數晶圓的搬運處理。搬運控制處理部106係控制機械部101之搬運機器人之動作,或工作站間之閘閥等之機器的動作。搬運控制處理部106係根據晶圓搬運順序資訊113而對機械部101算出並發送用以進行晶圓搬運控制之指令訊號。搬運控制處理部106係使用指令訊號控制搬運機器人所致的晶圓之搬入、搬出、移動、裝載鎖定室之減壓或升壓、處理單元之處理、閘閥之開關等之各個動作。
記憶部104係由記憶體等構成,記憶控制部102具有的各種資訊或資料。記憶部104係記憶裝置構成資訊107、裝置狀態資訊108、處理室資訊109、搬運路徑資訊110、處理進度資訊111、動作時間資訊112及晶圓搬運順序資訊113,作為根據演算部103的演算處理所需的資訊。
裝置構成資訊107包含機械部101具備的各種設備之構成資訊,包含含有複數處理室之複數處理單元之ID(識別資訊)或個數或種類之資訊。裝置構成資訊107包含第1處理單元之第1處理之種類或第2處理單元之第2處理之種類的資訊。裝置構成資訊107包含複數第1處理單元之個數M、複數第2處理單元之個數N的資訊。
裝置狀態資訊108包含表示機械部101之各部之動作之狀態的資訊,或壓力值等之資訊。
處理室資訊109包含裝置構成或裝置狀態之中,尤其表示機械部101之複數處理室之各個處理室之現在內部之狀態或處理之狀況的資訊。再者,處理室資訊109包含表示進行各處理室之各處理的處理時間(T1、T2)之資訊及各處理室之處理的剩餘時間之資訊等。處理時間係第1工程用之複數第1處理室之相同處理時間T1及第2工程用之複數第2處理室之相同的處理時間T2。該些資訊隨著處理進行而變化,在特定時間間隔周期性地被更新,包含最新的資訊和過去的資訊。該些資訊被區別,被記憶於裝置狀態資訊108或處理室資訊109。另外,即使處理室資訊109與裝置構成資訊107或裝置狀態資訊108結合亦可。
搬運路徑資訊110包含晶圓藉由搬運移動或經由之各工作站所涉及之每個晶圓之搬運路徑、複數晶圓之搬運順序的序列資訊。某搬運路徑係由持有順序之複數工作站構成,包含在第1工程使用的第1處理室之ID,和在第2工程使用的第2處理室之ID。搬運行程資訊係使用搬運路徑資訊110之搬運路徑而構成。另外,即使將搬運路徑資訊110和晶圓搬運順序資訊113合併成一個亦可。
處理進度資訊111係對在機械部101正在進行處理之晶圓之特定群集亦即批量,儲存表示在該批量的處理之進度狀況的資訊。以例而言,在一個FOUP收納特定複數片,例如15片、25片的晶圓。各晶圓持有號碼等之ID。處理進度資訊111包含表示在以特定時間間隔取得資訊之情況,在其中的任意時刻,事先被賦予的晶圓處理順序之中的第幾片晶圓從FOUP被搬出且被處理等之資訊。再者,處理進度資訊111包含表示在對應的晶圓處理指示資訊(換言之,序列配方)之哪個序列在實行中之資訊。
在動作時間資訊112儲存機械部101之各部之動作時間資訊。動作時間資訊112包含機械部101具備的搬運機器人之動作時間,或閘閥之動作時間所涉及之資訊。
晶圓搬運順序資訊113儲存有搬運行程資訊之中,表示針對被收納於FOUP之複數片晶圓之各個晶圓的搬運順序之資訊,或各晶圓之搬運路徑之資訊等。該資訊包含例如表示各晶圓之搬運順序之號碼,表示收納各晶圓之FOUP內之批量的號碼,及各晶圓被處理之處理室的號碼等。
[(3)機械部]
接著,使用圖2針對機械部101之構成予以說明。圖2表示機械部101之上視圖(X-Y面)。另外,表示(X、Y、Z)作為說明上之方向。X方向及Y方向構成水平面,且正交的兩個方向,Z方向為垂直方向。在Y方向表示之第1方向成為排列配置複數真空搬運容器的前後方向。在X方向表示之第2方向成為圖式之左右方向。機械部101大概以大氣側裝置構成部201,和真空側裝置構成部202構成。
大氣側裝置構成部201係從FOUP實施晶圓之搬出及搬入之部分。FOUP係在大氣壓下能在內部收納複數片晶圓。大氣側裝置構成部201具有被設置在框體200之複數(例如三個)之裝載埠亦即裝載埠41、42、43,和大氣側搬運機器人47,和對準器48,和迴避站49而構成。例如,相對於框體200,在Y方向之前側之側面連接複數裝載埠,在X方向且一方之側面連接對準器48,在Y方向之後側且靠近X方向之一方之位置的側面連接迴避站49。在複數裝載埠放置FOUP。大氣側搬運機器人47係在大氣壓下進行晶圓搬運的機器人,可以進行機械手臂之伸縮、上下移動、旋轉等。對準器48係進行晶圓之方向的調節及中心位置檢測。迴避站49係晶圓之暫時性的迴避用的場所。
大氣側裝置構成部201係藉由大氣側搬運機器人47從FOUP搬出處理對象之晶圓,經由對準器48,進行朝被連接於真空側裝置構成部202之裝載鎖定室10的搬入,或朝迴避站48的搬入。再者,大氣側裝置構成部201係搬出從真空側裝置構成部202被搬運至裝載鎖定室10之晶圓,進行朝FOUP或迴避站48的收納。另外,裝載鎖定室10成為被包含在真空側裝置構成部202者。
但是,該大氣側裝置構成部201為一例,不限定於該構成。真空處理裝置即使裝載埠之數量多於或少於三個亦可。再者,真空處理裝置不限定於一個大氣側搬運機器人47,即使具備複數大氣側搬運機器人亦可。真空處理裝置不限定於一個對準器48,即使具備複數對準器亦可,即使無對準器48亦可。再者,真空處理裝置不限定於一個迴避站49,即使具備兩個以上之待機站亦可,即使無迴避站49亦可。
真空側裝置構成部202在從大氣壓被減壓至特定真空度之壓力的壓力下,進行晶圓之搬運等,在複數處理室之內部處理晶圓的部分。真空側裝置構成部202具有複數真空處理室亦即處理室11~17,和複數真空搬運容器亦即搬運容器20、21、22,和複數中間室亦即中間室18、19而構成。
在大氣側裝置構成部201和真空側裝置構成部202之間,尤其在框體200和Y方向最前面的搬運容器20之間,隔著閘閥51、52,具備裝載鎖定室10。在裝載鎖定室10係在內部具有晶圓之狀態,可以進行直至特定真空壓下的減壓,或直至大氣壓下的升壓,擔任朝大氣側和真空側彼此區域流通之仲介的部分。
複數真空搬運容器亦即搬運容器20、21、22在Y方向被排列配置及連接。複數真空搬運容器具備真空側搬運機器人23、24、25作為複數真空側搬運機器人。在各搬運容器內具備真空側搬運機器人。例如,在搬運容器20內包含真空側搬運機器人23。在本例中,全體有三個真空搬運容器。真空側搬運機器人23、24、25係分別進行晶圓之搬運的機器人。真空側搬運機器人23、24、25具備能夠保持晶圓之手部或機械手臂。機械手臂能夠進行伸縮、旋轉、上下運動等。真空側搬運機器人係將晶圓搬運至相鄰接的裝載鎖定室10或處理室或中間室。
複數真空處理室亦即處理室11、12、13、14、15、16、17係分別對晶圓進行特定處理的處理室。在本例中,在包含第1工程及第2工程之全體有七個處理室。各處理室與處理單元建立對應關係。換言之,真空側裝置構成部202具備與處理室11~17對應之複數(七個)的處理單元。具體而言,作為複數處理室之配置,在搬運容器20連接有在第2方向(X方向)於左右連接有處理室11、12。搬運容器21在第2方向於左右連接有處理室13、16。搬運容器22在第2方向於左右連接處理室14、15,在第1方向於後側連接處理室17。
複數中間室亦即中間室18、19分別具有保持晶圓之機構,被連接於相鄰接之兩個真空搬運容器之間。在本例中,全體具有兩個中間室。具體而言,在搬運容器20和搬運容器21之間連接中間室18。在搬運容器21和搬運容器22之間連接中間室19。
在機械部101中之該些複數設備之間,配置有閘閥51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63,作為複數閘閥。藉由各閘閥,對應的兩個部分互相連結。例如,在搬運容器20和處理室11之間具有閘閥53。在搬運容器20和中間室18之間具有閘閥59。藉由各閘閥之開關之控制,可以區隔或連結各設備之空間。
但是,該真空側裝置構成部202為一例,不限定於該構成。真空處理裝置不限定於七個處理室,即使多於或少於七個亦可。再者,在該實施型態中,對一個真空搬運容器之側壁連接兩個或三個處理室。真空處理裝置不限定於如此之處理室之連接的個數,即使一個處理室連接於一個真空搬運容器亦可,即使連接三個以上之處理室亦可。再者,真空處理裝置不限定於三個真空搬運容器,即使多於或少於三個亦可。複數真空搬運容器僅被配置在第1方向,不限定於此,即使被配置在其他方向亦可。再者,在該實施型態中,雖然在真空搬運容器和中間室之間具備閘閥,但是即使為該閘閥不進行開關動作之構成亦可,即使為無閘閥的構成亦可。
[(4)處理室]
接著,使用圖3針對在真空處理裝置1之真空側構成部202中之複數處理室之配置的一構成例予以說明。圖3為表示在該實施型態中,與圖2對應之複數處理室11~17之配置構成。該構成係由用以在前工程亦即第1工程使用之複數(個數M=5)之第1處理室亦即處理室11~15,和用以在後工程亦即第2工程使用之複數(個數N=2)之第2處理室亦即處理室16、17構成。第1處理室與包含本身的第1處理單元建立對應關係,第2處理室與包含此的第2處理單元建立對應關係。第1處理單元進行第1處理作為第1類別。第2處理單元進行第2處理作為第2類別。
在實施型態中,複數工程處理係第1工程之第1處理為灰化(ashing)處理作為第1種類,第2工程之第2處理為冷卻(cooling)處理作為第2種類。灰化處理係除去不需要的抗蝕劑等之有機物等的處理。冷卻處理係冷卻並降低藉由灰化處理而產生的熱的處理。另外,第1處理及第2處理能不限定於該些構成。第1處理不限定於灰化處理,即使為其他種類之處理亦可,第2處理不限定於冷卻處理,即使為其他種類之處理亦可。在其他的實施型態中,能夠同樣適用蝕刻處理或成膜處理等,作為其他種類。
在實施型態中,為了方便,將在前工程中使用的處理室11~15(對應的第1處理單元)也記載為AU{AU1、AU2、AU3、AU4、AU5},將在後工程中使用的處理室16、17(對應的第2處理單元)也記載為CU{CU1、CU2}。AU係灰化單元之略稱,為進行灰化處理的第1處理單元。CU係冷卻單元之略稱,為進行冷卻處理的第2處理單元。
在實施型態中,機械部101具備的第1處理單元及第1處理室之個數M為5,機械部101具備的第2處理單元及第2處理室之個數N為2,為M>N之關係。再者,將個數M之中,在搬運行程中於前工程中使用之第1處理單元及第1處理室之個數設為使用個數K,為K≦M。將在搬運行程中排除的第1處理室之個數設為排除個數L(L=1,2,……)。為K=M-L。
但是,該配置構成為一例,不限定於該構成。真空處理裝置係前工程之第1處理室之個數不限定於五個,若為三個以上即可。再者,真空處理裝置係後工程之第2處理室之個數N不限定於兩個,若為兩個以上即可。
在實施型態中,第1工程用之處理單元AU{AU1~AU5}係如圖示所示般,被配置在與處理室11~15對應的場所,第2工程用之處理單元CU{CU1、CU2}係如圖示般,被配置在與處理室16、17對應之場所。針對各處理單元(AU、CU)之配置之場所,能不限定於該構成。
[(5)搬運路徑]
圖4為表示在實施型態及後述之比較例中之搬運路徑資訊之構成例。在圖4之表401中儲存包含五個路徑候補的搬運路徑資訊,與上述搬運路徑資訊110對應。圖4之搬運路徑資訊表示圖3之機械部101之構成,表示在使用前工程及後工程之全處理室之複數工程處理之條件中,構成搬運行程之情況下,被假設的搬運路徑之候補。搬運路徑之全體係以FOUP作為開始位置,經由裝載鎖定室、第1處理單元及第2處理單元,返回至FOUP的路徑。在表401中,例如在第1行中之「1」被識別的第1路徑候補係將開始設為FOUP,前工程為處理單元AU1,後工程為處理單元CU1或CU2,結束為FOUP。另外,雖然該些五個路徑候補不個別區分處理單元CU1、CU2而係總結記載之情況,但是相當於在個別區分之情況下全部為10個的路徑候補。
[(6)比較例-課題]
接著,使用圖5,針對包含前工程及後工程之複數工程處理之條件所涉及之以往技術之方法之搬運演算法中之課題予以說明。
圖5係表示在與圖3相同之機械部之複數處理室之配置構成中,對圖4之搬運路徑資訊,實施複數工程處理之情況之晶圓處理之時序圖501,作為相對於實施型態之比較例之方法的構成。該時序圖501係與藉由前工程及後工程之各處理單元(AU、CU)以特定處理條件實施複數晶圓之處理之情況的搬運行程對應。該時序圖501係圖示之橫向表示時間,縱向表示複數處理單元{AU1、AU2、AU3、CU1、AU4、AU5、CU2}。在該時序圖501中之處理條件表示包含前工程之第1處理室的第1處理單元AU{AU1~AU5}之處理時間T1為相同的50秒,包含後工程之第2處理室的第2處理單元CU{CU1、CU2}之處理時間T2為相同的30秒之情況。以實線框表示的處理時間502表示晶圓之處理時間,以虛線框表示的滯留時間503表示晶圓之滯留時間。框內之數字表示晶圓之號碼。例如,在處理單元AU1中,對在「2」被識別的晶圓進行處理之時間為處理時間502,之後,在下一個的「7」被識別的晶圓之處理時間之前,有滯留時間503。
在比較例中之搬運路徑及對應的搬運行程成為下述般。例如,針對以「1」表示的晶圓,成為從第1工程之處理單元AU4往第2工程之處理單元CU2的搬運路徑。當簡化記載時,各晶圓之搬運路徑如同下述。 晶圓「1」:AU4→CU2、晶圓「2」:AU1→CU1、 晶圓「3」:AU3→CU2、晶圓「4」:AU5→CU1、 晶圓「5」:AU2→CU2、晶圓「6」:AU4→CU1、 晶圓「7」:AU1→CU1、晶圓「8」:AU3→CU2、 晶圓「9」:AU5→CU2、晶圓「10」:AU2→CU1、 晶圓「11」:AU4→CU2、晶圓「12」:AU1→CU1、 晶圓「13」:AU3→CU2、晶圓「14」:AU5→CU1、 晶圓「15」:AU2→CU2。
在該比較例之裝置構成並且處理條件中,後工程及與此對應之第2處理單元CU進行速率限制(換言之,成為瓶頸)。如此一來,第2工程進行速率限制之情況,將前工程的第1處理室之使用個數K增加成超過所需數量情況,換言之,前工程之使用個數K和後工程之個數N之差大之情況,有產生晶圓之搬運等待時間之情況。即是,與上述相同,藉由較後工程之處理單元CU1及CU2所需的時序更早從FOUP搬運晶圓,增加真空處理裝置內之晶圓片數。而且,產生用以搬運其他晶圓之搬運機器人之等待動作完成,依此,有產生晶圓之搬運等待時間。
再者,藉由產生在中間室滯留晶圓之時間,產生滯留在其他晶圓之搬運路徑上之晶圓。從其影響,由於變成在接下來的第2工程中之任一的處理單元CU所需的時間無法搬運晶圓,產生晶圓之搬運等待時間。
藉由該些搬運等待時間,如滯留時間504、505、506、507之例般,在速率限制區域亦即後工程之各處理單元CU,產生晶圓之滯留時間。例如,滯留時間504係在處理單元CU1的晶圓「2」之處理後,於晶圓「4」之處理前產生的滯留時間。依此,在比較例中,有真空處理裝置全體之處理效率受損之課題。
[(7)搬運判定方式-處理流程]
接著,使用圖6,針對在實施型態之真空處理裝置之運轉方法中,複數工程處理之條件下的搬運判定方式亦即處理量最佳化搬運判定方式予以說明。圖6之處理流程600係安裝該搬運判定方式之處理流程,為圖1之演算部103之搬運行程處理部105及第1步驟所涉及之處理流程。該處理流程600係表示從複數工程中之處理時間(T1、T2)之關係選擇最佳的前工程之第1處理室之使用個數K,控制工程間之搬運的方式。該處理流程600具有步驟601~607,以下,依步驟之順序予以說明。作為概要,至步驟601~605為止之處理係決定前工程之第1處理單元之使用個數K的處理,為排除一部分的第1處理單元的處理。步驟606係決定與前工程之使用個數K之第1處理單元有關的搬運路徑的處理。並且,步驟607係決定後工程之第2處理單元,作為來自前工程之第1處理單元的搬運目的地的處理。在步驟607中,從複數第2處理單元選擇處理量最高的第2處理單元,決定從前工程之第1處理單元朝後工程之第2處理單元的搬運路徑。依此,該處理流程600實現在複數工程處理之條件中的搬運動作之最佳化。
另外,處理流程600之前,或步驟601之前,雖然無圖示,有特定條件的確認。控制部102係確認該條件,滿足條件之情況,進行步驟601之後的處理,即是排除一部分的第1處理單元而決定搬運行程之處理等。控制部102係於不滿足條件之情況,不進行步驟601之後的處理,進行例如以往般之處理,即是使用全部的第1處理單元而決定搬運行程之處理等。該條件係與第2工程是否進行速率限制有關的條件,如下述般。該條件係第1工程之處理時間T1和第2工程之處理時間T2之各者較從晶圓之裝載鎖定室10至第1處理單元為止之搬運時間(設為H1)和從第1處理單元至第2處理單元為止之搬運時間(設為H2)之各者更長(T1>H1、T1>H2、T2>H1、T2>H2)。
在步驟601,演算部103係從裝置構成資訊107,算出第1處理單元之個數M和第2處理單元之個數N之個數比率(Q=M/N)。再者,演算部103係從處理室資訊108,算出以後工程之處理時間T2為基準之前工程之處理時間T1之比率亦即時間比率R,作為複數工程之各工程之處理室之處理時間的關係。各處理時間(T1、T2)相當於每一片晶圓在一個處理室(對應的處理單元)占有時間。在將前工程之第1處理單元的晶圓之第1處理之占有時間設為處理時間T1,將在後工程之第2處理單元的晶圓之第2處理之占有時間設為處理時間T2。作為計算式,則係[時間比率(R)]=[前工程之處理時間(T1)]/[後工程之処理時間(T2)],即是R=T1/T2。
在步驟602,演算部103係確認個數比率(Q=M/N)是否大於時間比率(R=T1/T2),作為條件之確認。演算部103係以該條件,在大的情況(Q>R),進行下述處理。演算部103係藉由對在上述步驟601算出的時間比率R,乘上被記憶於裝置構成資訊107之後工程之第2處理室之個數N,算出前工程所需的第1處理室之使用個數K。作為計算式,則為[前工程之處理室之使用個數(K)]=[時間比率(R)]×[後工程之處理室之個數(N)],即是K=R×N(=T1/T2×N)。
在步驟603、604、605中,因實際的使用個數K需要為自然數,故演算部103根據此確認,進行決定自然數之使用個數K的處理。步驟603係步驟602之算出值是否為自然數的確認,在肯定(Y)之情況,朝步驟604前進,在否定(N)之情況,朝步驟605前進。步驟604係將算出值視為在前工程中所需的處理室之使用個數K的處理。步驟605係將算出值以上且最小的自然數視為在前工程中所需的處理室之使用個數K的處理。
在步驟606,演算部103係從處理時間(T1、T2)之關係,確認被記憶於裝置構成資訊107之前工程之處理室的個數M是否具備前工程之所需的處理室之使用個數K(換言之,是否M≧K)。而且,演算部103係其前工程之處理室之個數M和使用個數K,決定相對於在前工程之使用個數K之處理室(對應的第1處理單元)的搬運路徑。
演算部103係在前工程所需之處理室之使用個數K小於前工程之處理室之個數M之情況(K<M),從前工程之個數M之第1處理室,選擇不使用而從候補排除的第1處理室。即是,演算部103係選擇與排除個數 L(=M-K)對應之一個以上之一部分之第1處理室並予以排除。演算部103使用成為排除後之候補的使用個數M之第1處理室而構成複數搬運路徑之候補。
演算部103係針對複數之晶圓之至少一個晶圓,從個數M之第1處理單元依考慮到搬運路徑之長度或搬運時間等的特定順序,選擇排除的第1處理單元。在實施型態中,搬運路徑之長度係以從起點至終點所經由的工作站之數量表示。另外,即使以其他方式測量、表現搬運路徑之長度亦可。
選擇前工程之個數M之第1處理室排除的第1處理室之情況,詳細可舉出以下的處理例。在前工程和後工程中所經由的工作站數多的處理室,即是工程間之晶圓之搬運時間長的處理室,或是搬運路徑長的處理室。另外,所經由的工作站數可以從裝置構成資訊107等算出。工程間之搬運時間可以從動作時間資訊112等算出。
如此之處理室係於從某第1處理室朝下一個第2處理室搬運晶圓時,由於其他阻塞晶圓之搬運路徑等的混亂,產生動作等待時間,處理效率受損的可能性高。因此,演算部103係從如此之工程間之搬運時間最長的第1處理室依序從候補排除僅排除個數L部分。演算部103係構成使用其排除之結果的複數第1處理室之候補的搬運路徑,作為新的搬運路徑資訊109而予以記憶。
具體而言,例如演算部103係由在從前工程之各第1處理室朝後工程之各第2處理室的搬運路徑所經的工作站數最多的第1處理室依序排除。另外,此時,有搬運路徑或搬運時間成為相同的兩個以上之第1處理室,即是所經由的工作站數成為相同之兩個以上之第1處理室之情況,演算部103則進一步從該些兩個以上之第1處理室選擇排除的第1處理室。具體而言,演算部103係考慮從FOUP至其前工程之第1處理室為止之搬運時間,從其搬運時間最長的第1處理室依序排除。
在該實施型態之例中,與比較例相同,前工程之處理時間T1設為50秒,後工程之處理時間T2設為30秒。在圖3之裝置構成之條件的情況,圖6之處理流程600所致的搬運判定結果,例如成為下述般。作為處理時間(T1、T2)之關係,前工程之處理時間T1成為後工程之處理時間T2之約1.666倍(R=T1/T2=50/30≒1.66)。在該裝置構成中,因於後工程具有兩個處理室{處理單元CU1、CU2},故前工程所需之處理室之使用個數K之算出值成為約3.33(K=R×N≒1.66×2=3.33)。前工程之處理室之使用個數K為了成為自然數,成為4。
因前工程之處理室之個數M為5,使用個數K為4,故從L=M-K排除L=1個之第1處理室。演算部103係於選擇排除的第1處理單元之時,考慮從各第1處理單元AU{AU1~AU5}朝各第2處理單元{CU1、CU2}搬運之期間所經由的工作站數。其結果,所經由的工作站數最多的第1處理單元成為例如處理單元AU1及AU2。因此,該些兩個處理單元AU1及AU2成為排除的候補。
並且,演算部103係為了從該些的兩個第1處理單元選擇一個第1處理單元,考慮前工程之第1處理單元所涉及的搬運時間、動作時間等。具體而言,演算部103也考慮真空側搬運機器人之旋轉動作等之動作時間。其結果,搬運時間最長的前工程之第1處理單元成為例如處理單元AU2。演算部103選擇並排除該處理單元AU2,使用剩下的使用個數M之第1處理單元,而構成搬運路徑之組合。
在步驟607,演算部103係根據步驟606之搬運路徑,作為複數工程處理用之搬運圖型,選擇從前工程之第1處理室朝後工程之第2處理室搬運中之最佳目的地的第2處理室(對應的第2處理單元)。演算部103係作為從前工程朝後工程的搬運目的地,演算部選擇後工程之處理結束的第2處理室,或是根據被記憶於處理室資訊108之剩餘的處理時間,處理最早結束之第2處理室,作為該後工程之搬運目的地。
在此,演算部103在有後工程之複數第2處理室成為已經完成處理,或是在同時期處理完成之預定的搬運目的地之候補的複數第2處理室之情況,如下述般選擇搬運目的地。即是,演算部103係從動作時間資訊111選擇搬運時間最短之第2處理室,具體而言在工程間所經由的工作站數最少的第2處理室作為搬運目的地。
如此一來,在實施型態之真空處理裝置之運轉方法中,藉由控制部102,決定使用從在上述步驟606中被選擇的前工程之處理室朝在步驟607被選擇之後工程之處理室的搬運路徑的搬運行程。該處理流程600之處理係對處理對象之每個晶圓(例如,每批量)同樣重複進行。即是,可以決定對於處理對象之每個晶圓(例如,每批量)最佳的搬運行程。在適用相同的處理條件之晶圓之情況,適用相同之搬運行程所致的搬運控制。之後,控制部102之搬運控制處理部106係控制被決定的搬運行程的晶圓處理之實施。
實施型態之運轉方法如同上述般之步驟,對處理對象之每個晶圓,進行使處理時間和處理室個數之關係最佳化並予以選擇後的搬運圖型及對應的搬運行程之決定及切換。依此,該運轉方法係在每一定期間的後工程之各處理室之晶圓處理片數之差成為最小,即使第2工程進行速率限制之情況,亦邊抑制施加於控制系統之處理負載,邊選擇最佳之搬運圖型。依此,複數晶圓之處理的處理量被最佳化。
上述處理流程600雖然計算結果係例如排除某一個第1處理單元(例如處理單元AU2),但是不限定於此,也有計算結果因應條件排除兩個以上之第1處理單元之情形。即是,有因應晶圓不同的第1處理單元被排除之情況。在此情況,針對複數晶圓之中至少兩個晶圓,不同的第1處理單元被排除,成為包含不同的搬運圖型之搬運行程。換言之,針對其中之第1晶圓,構成包含某第1處理單元(例如處理單元AU2)被排除而其他以所選擇出的搬運路徑之第1行程,針對第2晶圓,構成包含另外的第1處理單元(例如,處理單元AU3)被排除而從其他所選擇出的搬運路徑之第2行程。
[(8)搬運動作]
接著,使圖7及圖8,針對實施型態之真空處理裝置之運轉方法(對應的圖6之搬運判定方式)之適用前後中的搬運動作之不同和其效果予以說明。圖7及圖8表示在圖3之裝置構成及圖4之搬運路徑資訊之情況,前工程之第1處理室之處理時間T1為50秒,後工程之第2處理室之處理時間T2為30秒的處理條件之情況的適用前後之搬運動作的比較。
圖7表示適用前後之搬運路徑。搬運路徑701表示適用前之複數搬運路徑,搬運路徑702表示適用後之複數搬運路徑。箭號表示工程間之晶圓搬運路徑。適用前所擁有的複數搬運路徑與圖4之5個路徑候補(在分成處理單元CU1、CU2之情況,10個路徑候補)對應。對於適用前之搬運路徑701,在適用後之搬運路徑702中,從處理時間(T1、T2)的關係判定最佳的前工程之處理室之使用個數K之結果,被排除的處理單元AU2所涉及之搬運路徑k1、k2被排除。具體而言,在適用前,第1工程之每個第1處理單元AU{AU1~AU5}具有朝兩個第2處理單元CU1、CU2的兩個搬運路徑。例如,搬運路徑k1係處理單元AU2朝處理單元CU1之搬運路徑,搬運路徑k2係從處理單元AU2朝處理單元CU1之搬運路徑。在適用後中,藉由處理單元AU2被排除,該些兩個搬運路徑k1、k2被排除。
圖8表示與圖7對應之適用前後之晶圓處理之時序圖的比較。時序圖703係表示在適用前之每個處理單元之晶圓處理之時序圖,表示與圖5之時序圖501相同的搬運動作。時序圖704係表示在適用後的每個處理單元之晶圓處理之時序圖。橫軸表示時間,縱軸表示複數處理單元{AU1、AU2、AU3、CU1、AU4、AU5、CU2}。處理時間502或滯留時間503之意思與上述相同。
在適用後中,搬運路徑及對應的搬運行程成為下述般。當簡化記載時,各晶圓之搬運路徑如同下述。晶圓「1」:AU4→CU2,晶圓「2」:AU1→CU1,晶圓「3」:AU5→CU2,晶圓「4」:AU3→CU1,晶圓「5」:AU4→CU2,晶圓「6」:AU1→CU1,晶圓「7」:AU5→CU2,晶圓「8」:AU3→CU1,晶圓「9」:AU4→CU2,晶圓「10」:AU1→CU1,晶圓「11」:AU5→CU2,晶圓「12」:AU3→CU1,晶圓「13」:AU4→CU2,晶圓「14」:AU1→CU1,晶圓「15」:AU5→CU2。
比較適用前之時序圖703和適用後之時序圖704時,成為下述般。在適用前中,關於速率限制的第2工程,如晶圓之搬運等待時間504、506、507、508般,產生晶圓滯留處。對此,在適用後,如在時間方向相鄰的處理時間之間的時點(晶圓滯留消除處)704、705、706、707表示般,適用前之晶圓搬運等待時間被消除。在適用後,在前工程的處理室之使用個數M被最佳化成所需的數量(K=4)。依此,真空處理裝置內之晶圓片數被最佳化,工程間之晶圓搬運動作時之搬運機器人之動作等待等的影響消失或減少。依此,在適用後,搬運等待時間被消除。例如,在時點704中,於晶圓「2」之處理時間後無滯留,立即接著晶圓「4」之處理時間。
處理效率提升時間(ΔT)713表示適用前之處理全體之結束時點,和適用後之處理全體之結束時點之差量。在適用前後,針對例如晶圓「1」~「15」之15片晶圓之處理,實現與處理效率提升時間(ΔT)713對應之裝置利用效率,換言之處理量的提升。
[(9)效果等]
如上述般,若藉由實施型態之真空處理裝置之運轉方法時,關於連桿式之真空處理裝置之情況,可以實現複數工程處理所涉及之有效率的搬運及處理。若藉由實施型態時,即使在每個工程成為使用之候補的複數處理單元之複數處理室之處理時間為相同的處理條件中,複數工程之中的後工程亦即第2工程進行速率限制之情況,亦可以邊抑制全體性的處理負載邊選擇包含最佳的搬運圖型之搬運行程。若藉由實施型態時,提供如圖8之處理效率提升時間(ΔT)713般,即使在第2工程進行速率限制之情況,亦可以提升裝置利用效率等之控制方式。若藉由實施型態時,對處理對象之每個晶圓,進行處理時間和處理室個數之關係被最佳化的搬運圖型之決定及切換。依此,在每一定期間的第2工程之各處理室之晶圓處理片數之差成為最小。依此,即使在第2工程進行速率限制之情況,也不會對控制系統施加過多的處理負載,可以選擇最佳的搬運圖型。
為了最佳化,必須配合後工程之處理室需要晶圓的時序,如前工程之處理室之處理結束般,將晶圓從FOUP搬運至前工程之第1處理室,正確地選擇接著空置的後工程之第2處理室,作為來自第1處理室之晶圓的搬運目的地。因此,實施型態之運轉方法係從各工程之處理時間(T1、T2)之關係,於前工程之處理室之使用個數K之算出後,更新搬運路徑資訊,在工程間之搬運中,從後工程之處理狀況選擇搬運效率佳的後工程之處理室。依此,該運轉方法實現切換最佳的搬運圖型之控制。
以上,雖然根據實施型態具體性地說明本發明,但是本發明不限定於上述實施型態,可以在不脫離主旨的範圍進行各種變更。
101:機械部
102:控制部
103:演算部
104:記憶部
105:搬運行程處理部
106:搬運控制處理部
107:裝置構成資訊
108:裝置狀態資訊
109:處理室資訊
110:搬運路徑資訊
111:處理進度資訊
112:動作時間資訊
113:晶圓搬運順序資訊
114:網路
115:主機
201:大氣側裝置構成部
202:真空側裝置構成部
10:裝載鎖定室
11,12,13,14,15,16,17:處理室
18,19:中間室
20,21,22:搬運容器
23,24,25:真空側搬運機器人
26,27,28,29,30,31,32,33,34,35,36,37,38:閘閥
41,42,43:裝載埠
47:大氣側搬運機器人
48:對準器
49:迴避站
[圖1]為表示在本發明之實施型態之真空處理裝置之運轉方法中之真空處理裝置之全體概略構成之圖。
[圖2]為表示在實施型態中,真空處理裝置之機械部之構成的圖。
[圖3]為表示在實施型態中,在複數工程處理之條件中之複數處理單元之配置構成例的圖。
[圖4]為表示在實施型態中,在複數工程處理之條件中之搬運路徑資訊之構成例的圖。
[圖5]為表示在相對於實施型態之比較例之運轉方法中,在複數工程處理之條件下的複數處理單元之晶圓處理的時序圖。
[圖6]為表示在實施型態中,用以決定使複數工程處理之條件下的處理量最佳化之搬運行程的搬運判定處理之處理流程的圖。
[圖7]為比較表示在實施型態中之搬運判定方式之適用前後中之搬運路徑之例的圖。
[圖8]為比較表示在實施型態中之搬運判定方式之適用前後中之晶圓處理的時序圖。
Claims (7)
- 一種真空處理裝置之運轉方法, 上述真空處理裝置具備: 複數真空搬運容器,其係被排列配置的複數真空搬運容器,在各個真空搬運容器收納有搬運晶圓之搬運機器人; 複數中間室,其係被配置在上述複數真空搬運容器中相鄰的兩個真空搬運容器之間,收納上述晶圓; 裝載鎖定室,其係被連接於上述複數真空搬運容器之中的一個真空搬運容器,收納上述晶圓,能夠進行直至特定壓力的減壓及直至大氣壓的升壓;及 上述複數處理單元,其係被連接於上述複數真空搬運容器之複數處理單元,在各個處理單元含有對上述晶圓進行處理之處理室,包含用以進行複數工程處理之中之第1工程之第1處理的複數第1處理單元,及用以進行第2工程之第2處理的複數第2處理單元, 上述運轉方法具有: 第1步驟,其係在上述複數工程處理中以複數晶圓之全部的處理所需之時間成為最短之方式決定搬運行程的步驟,針對各個晶圓,選擇上述複數處理單元之中的一個第1處理單元及一個第2處理單元,決定包含使用所選擇的處理單元之搬運路徑之上述搬運行程;和 第2步驟,其係進行控制,以使依照上述搬運行程搬運被收納於被配置在上述裝載鎖定室之前方的卡匣的上述複數晶圓之各個晶圓,使用上述第1工程之上述一個第1處理單元而實施上述第1處理,之後,使用上述第2工程之上述一個第2處理單元而實施上述第2處理, 上述第1步驟係針對上述複數晶圓之中之至少一個晶圓,使用從上述複數第1處理單元排除至少一個第1處理單元而被選擇的第1處理單元而構成包含上述搬運路徑的上述搬運行程。
- 如請求項1所記載之真空處理裝置之運轉方法,其中 上述第1步驟係算出上述真空處理裝置所具備的上述複數第1處理單元之個數和上述複數第2處理單元之個數的個數比率, 算出上述複數第1處理單元之各第1處理單元之上述第1處理所需的第1處理時間,和上述複數第2處理單元之各第2處理單元之上述第2處理所需的第2處理時間之時間比率, 在上述個數比率大於上述時間比率之情況,針對上述複數晶圓之至少一個晶圓,從上述時間比率乘上上述複數第2處理單元之個數之後的算出值以上,且最小的自然數算出使用個數,選擇上述使用個數之第1處理單元而決定上述搬運行程。
- 如請求項1所記載之真空處理裝置之運轉方法,其中 上述複數第1處理單元之各第1處理單元之上述第1處理所需之第1處理時間,及上述複數第2處理單元之各第2處理單元之上述第2處理所需之第2處理時間的各個處理時間,較從上述各個晶圓的上述裝載鎖定室至上述第1處理單元為止之第1搬運時間,及從上述第1處理單元至上述第2處理單元為止之第2搬運時間的各個搬運時間長。
- 如請求項1所記載之真空處理裝置之運轉方法,其中 上述第1步驟係針對上述複數晶圓之至少一個晶圓,以考慮到上述搬運路徑之長度或搬運時間的特定順序,從上述複數第1處理單元選擇上述排除的處理單元。
- 如請求項4所記載之真空處理裝置之運轉方法,其中 上述第1步驟係排除從上述第1處理單元至上述第2處理單元為止之搬運路徑之長度最大的上述第1處理單元。
- 如請求項5所記載之真空處理裝置之運轉方法,其中 上述第1步驟在有從上述第1處理單元至上述第2處理單元為止之搬運路徑之長度相等的排除候補之複數第1處理單元的情況,排除上述排除候補之複數第1處理單元之中,從上述裝載鎖定室至上述第1處理單元為止之搬運路徑之長度最大的上述第1處理單元。
- 如請求項1所記載之真空處理裝置之運轉方法,其中 上述第1步驟係針對上述複數晶圓之中至少兩個晶圓,從上述複數第1處理單元排除不同的第1處理單元,決定包含被選擇的不同之搬運路徑的上述搬運行程。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
WOPCT/JP2019/004511 | 2019-02-07 | ||
PCT/JP2019/004511 WO2020161873A1 (ja) | 2019-02-07 | 2019-02-07 | 真空処理装置の運転方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202030826A true TW202030826A (zh) | 2020-08-16 |
TWI716275B TWI716275B (zh) | 2021-01-11 |
Family
ID=71947749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109103627A TWI716275B (zh) | 2019-02-07 | 2020-02-06 | 真空處理裝置之運轉方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11164766B2 (zh) |
JP (1) | JP6792098B1 (zh) |
KR (1) | KR102309759B1 (zh) |
CN (1) | CN111801785B (zh) |
TW (1) | TWI716275B (zh) |
WO (1) | WO2020161873A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7240980B2 (ja) * | 2019-07-29 | 2023-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
CN114568036A (zh) * | 2020-09-25 | 2022-05-31 | 株式会社日立高新技术 | 真空处理装置的运转方法 |
JP7324811B2 (ja) * | 2021-09-22 | 2023-08-10 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06119352A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 生産管理方法ならびにシステムおよびスケジューラ |
JPH08316119A (ja) * | 1995-05-15 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | 割り込み処理方法および割り込み処理装置 |
TW466622B (en) | 1996-09-11 | 2001-12-01 | Hitachi Ltd | Operating method of vacuum processing device and vacuum processing device |
JPH11121582A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウェハ製造設備制御方法および半導体ウェハ製造設備 |
JPH11251399A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2000150619A (ja) * | 1999-01-01 | 2000-05-30 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
KR100443121B1 (ko) * | 2001-11-29 | 2004-08-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정의 수행 방법 및 반도체 공정 장치 |
US20070282480A1 (en) * | 2003-11-10 | 2007-12-06 | Pannese Patrick D | Methods and systems for controlling a semiconductor fabrication process |
US8078311B2 (en) * | 2004-12-06 | 2011-12-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate transfer method adopted in substrate processing apparatus |
WO2008116222A2 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Crossing Automation, Inc. | A modular cluster tool |
JP5247094B2 (ja) * | 2007-09-14 | 2013-07-24 | インテヴァック インコーポレイテッド | 基板処理システム |
JP5359285B2 (ja) * | 2009-01-07 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理装置の運転方法 |
DE102009045286A1 (de) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Abbildung des Umfelds eines Fahrzeugs |
JP5476337B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2014-04-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置及びプログラム |
JP2015502654A (ja) * | 2011-10-26 | 2015-01-22 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 半導体ウェハのハンドリングおよび搬送 |
JP5592863B2 (ja) * | 2011-11-02 | 2014-09-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置および被処理体の搬送方法 |
JP6017134B2 (ja) | 2011-12-13 | 2016-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 生産効率化システム、生産効率化装置および生産効率化方法 |
JP5921200B2 (ja) * | 2012-01-05 | 2016-05-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、縮退運用プログラムおよび生産リストの作成プログラム |
JP6106370B2 (ja) * | 2012-06-01 | 2017-03-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法 |
JP6002532B2 (ja) * | 2012-10-10 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置及び真空処理方法 |
US20160229631A1 (en) * | 2013-12-24 | 2016-08-11 | Hitachi, Ltd. | Picking System |
JP2016096211A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
CN107481963B (zh) * | 2016-06-07 | 2020-01-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种控制晶圆排队等待时间的方法和系统 |
-
2019
- 2019-02-07 WO PCT/JP2019/004511 patent/WO2020161873A1/ja active Application Filing
- 2019-02-07 US US16/641,329 patent/US11164766B2/en active Active
- 2019-02-07 KR KR1020207004931A patent/KR102309759B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-07 JP JP2020511400A patent/JP6792098B1/ja active Active
- 2019-02-07 CN CN201980004067.3A patent/CN111801785B/zh active Active
-
2020
- 2020-02-06 TW TW109103627A patent/TWI716275B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111801785A (zh) | 2020-10-20 |
US11164766B2 (en) | 2021-11-02 |
JPWO2020161873A1 (ja) | 2021-02-18 |
CN111801785B (zh) | 2023-09-05 |
WO2020161873A1 (ja) | 2020-08-13 |
TWI716275B (zh) | 2021-01-11 |
US20210151336A1 (en) | 2021-05-20 |
KR20200098473A (ko) | 2020-08-20 |
KR102309759B1 (ko) | 2021-10-06 |
JP6792098B1 (ja) | 2020-11-25 |
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