JP7324811B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム - Google Patents
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Description
前記基板を搬送する搬送機構を有する搬送室と、
前記基板がそれぞれの前記処理室に搬送可能となる基板搬送可能時間を算出し、算出したそれぞれの前記処理室への前記基板搬送可能時間のうち、最も短い時間となる前記処理室への基板搬送経路を選択し、選択した前記基板搬送経路に基づいて前記搬送機構の制御を行う制御部と、
を備える技術が提供される。
図1に示されるように、本実施形態に係る基板処理装置10は、減圧状態で基板Sを取り扱う真空側の構成と、大気圧状態において基板Sを取り扱う大気圧側の構成とを備えている。真空側の構成は、主に、真空搬送室TMと、ロードロック室LM1,LM2と、基板Sを処理する処理室(処理機構)PM1~PM4とを備えている。大気圧側の構成は、主に、大気圧搬送室EFEMと、配置部としてのロードポートLP1~LP3とを備えている。ロードポートLP1~LP3には、基板Sを収納したキャリアCA1~CA3が、基板処理装置10の外部から搬送されて載置され、また、基板処理装置10の外部へ搬送される。このような構成により、例えば、ロードポートLP1上のキャリアCA1から未処理の基板Sが取り出され、ロードロック室LM1を経て、処理室PM1へ搬入されて処理された後、処理済みの基板Sは、その逆の手順で、ロードポートLP1上のキャリアCA1へ戻される。
真空搬送室TMは、真空状態などの大気圧未満の負圧(減圧)に耐えることが出来る真空気密可能な構造に構成されている。なお、本実施形態においては、真空搬送室TMの筐体は、平面視が五角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。ロードロック室LM1,LM2、処理室PM1~PM4は、真空搬送室TMの外周を囲むように配置されている。なお、処理室PM1~PM4を総称又は代表する場合は、処理室PMと称する。ロードロック室LM1,LM2を総称又は代表する場合は、ロードロック室LMと称する。その他の構成(後述する真空ロボットVR、アームVRA等)についても同様のルールとする。
一方、基板処理装置10の大気圧側には、上述の通り、ロードロック室LM1,LM2に接続されたフロントモジュールである大気圧搬送室EFEM(Equipment Front End Module)と、大気圧搬送室EFEMに接続され、例えば1ロット分、25枚の基板Sをそれぞれ収納した基板収納容器としてのキャリアCA1~CA3を載置する配置部としてのロードポートLP1~LP3と、が設けられている。このようなキャリアCA1~CA3としては、例えばFOUP(Front Opening Unified Pod)が使用される。ここで、ロードポートLP1~LP3を総称又は代表する場合は、ロードポートLPと称する。キャリアCA1~CA3を総称又は代表する場合は、キャリアCAと称する。真空側の構成と同様に大気圧側の構成(後述するキャリアドアCAH1~CAH3、キャリアオープナCP1~CP3等)についても同様のルールとする。
図3には、本実施形態の基板処理装置10において、基板Sが処理される際の搬送工程のフローが示されている。ロードポートLPにキャリアCAとしてFOUPを載置し(H1)、大気圧ロボットARを用いてFOUPから基板Sを取り出して大気圧搬送室EFEM内に搬送する(H2)。次に、大気圧ロボットARにより大気圧搬送室EFEMからロードロック室LMへ搬送し(H3)、真空ロボットVRを用いてロードロック室LMから真空搬送室TMへ搬送する(H4)。そして、真空ロボットVRにより真空搬送室TMから処理室PMへ搬送し(H5)、処理室PM内で処理が行われる。 処理室PM内での処理が終了した後、真空ロボットVRにより処理室PMから真空搬送室TMへ搬送し(H6)、真空ロボットVRで真空搬送室TMからロードロック室LMへ搬送する(H7)。そして、大気圧ロボットARによりロードロック室LMから大気圧搬送室EFEMへ搬送し(H8)、大気圧ロボットARを用いて大気圧搬送室EFEMからFOUP内で基板Sを戻す(H9)
TJPre:JOB前処理実行予定時間
TMain:本処理実行予定時間
TPre:前処理実行予定時間
TPost:後処理実行予定時間
TCC:枚数クリーニング処理実行予定時間
TT:対象基板が処理室に搬送可能となる時間(基板搬送可能時間)
TE:載置部を大気状態の雰囲気に整える時間
TV:載置部を真空状態の雰囲気に整える時間
TC:対象基板の冷却に要する時間
TAT:対象基板の大気搬送に要する時間
TCO:対象基板を載置部からの払出しに要する時間(基板Sの払い出し時間)
本開示の一態様では、
基板を処理する複数の処理室と、
前記基板を搬送する搬送機構を有する搬送室と、
前記基板がそれぞれの前記処理室に搬送可能となる基板搬送可能時間を算出し、算出したそれぞれの前記処理室への前記基板搬送可能時間のうち、最も短い時間となる前記処理室への基板搬送経路を選択し、選択した前記基板搬送経路に基づいて前記搬送機構の制御を行う制御部と、
を備えた基板処理装置、が提供される。
好ましくは、
前記制御部は、
それぞれの前記処理室の基板処理残時間と、前記搬送機構で搬送途中の先行基板について前記処理室での処理実行予定時間と、各処理室に対応する前記基板の前記搬送機構での搬送時間と、に基づいて前記基板搬送可能時間の算出を行う、付記1の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記基板を載置する複数の載置部を備え、
前記制御部は、
前記載置部に載置された前記基板のそれぞれが前記処理室に搬送可能となる基板搬送可能時間を算出し、
算出した基板搬送可能時間が最も短い前記基板を前記載置部から前記処理室へ向かって搬送するように前記搬送機構の制御を行う付記1の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
複数の基板を収納する容器が配置される複数の配置部を備え、
前記制御部は、
前記載置部に未処理基板と処理済基板が配置されている場合に、前記処理済基板の前記配置部への搬送後に前記未処理基板を前記処理室へ搬送できる時間が、前記処理室の基板搬送可能時間よりも短い場合に、前記処理済基板を前記配置部へ搬送するように前記搬送機構を制御する付記3の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記制御部は、
前記処理室への基板搬送可能時間と、前記処理室での前記基板の処理開始が可能となる処理開始可能時間に基づいて、前記処理開始可能時間の経過に合わせて前記基板搬送可能時間が到来するように、前記処理室の前処理開始時間を制御する付記1の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記搬送機構は、
大気状態で前記基板の搬送を行うように大気搬送室内に配置される付記1の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記搬送機構は、
真空状態で前記基板の搬送を行うように真空搬送室内に配置される付記1の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記載置部は前記載置部内の雰囲気を大気状態と真空状態と切り替えることができ、
前記載置部は2枚以上の前記基板を載置できる構成となっており、
前記制御部は、
前記載置部に未処理の前記基板と処理済の前記基板が載置されている場合に、
未処理の前記基板が前記処理室に搬送可能となる時間と、
前記載置部内の雰囲気の状態及び処理済みの前記基板の冷却状況から、処理済みの前記基板を前記載置部払い出した後前記載置部の雰囲気を真空状態にするまでの時間と、
を算出し、
未処理の前記基板が前記処理室に搬送可能となる時間に影響を与えない場合に、前記載置部から処理済みの前記基板を払い出して前記載置部に空きを作るように制御を行う付記1の基板処理装置が提供される。
本開示の他の態様では、
複数の処理室で基板を処理する工程と、
前記基板を搬送する工程と、
前記基板がそれぞれの前記処理室に搬送可能となる基板搬送可能時間を算出し、算出したそれぞれの前記処理室への前記基板搬送可能時間のうち、最も短い時間となる前記処理室への基板搬送経路を選択し、選択した前記基板搬送経路に基づいて前記基板の搬送制御を行う工程と、
を有する半導体装置の製造方法、が提供される。
本開示の他の態様では、
複数の処理室で基板を処理する手順と、
前記基板を搬送する手順と、
前記基板がそれぞれの前記処理室に搬送可能となる基板搬送可能時間を算出し、算出したそれぞれの前記処理室への前記基板搬送可能時間のうち、最も短い時間となる前記処理室への基板搬送経路を選択し、選択した前記基板搬送経路に基づいて前記基板の搬送制御を行う手順と、
を有する基板処理装置を実行するためのプログラム、が提供される。
PM 処理室
TM 真空搬送室(搬送室)
EFEM 大気圧搬送室(搬送室)
S 基板
20 制御部
Claims (16)
- 基板を処理する複数の処理室と、
前記基板を搬送する搬送機構を有する搬送室と、
基板処理装置内にすでに搬送されている全ての前記基板がそれぞれの前記処理室に搬送可能となる基板搬送可能時間を算出し、算出したそれぞれの前記処理室への前記基板搬送可能時間のうち、最も短い時間となる前記処理室への基板搬送経路を選択し、選択した前記基板搬送経路に基づいて前記搬送機構の制御を行う制御部と、
を備えた基板処理装置。 - 前記制御部は、
それぞれの前記処理室の基板処理残時間と、前記搬送機構で搬送途中の先行基板について前記処理室での処理実行予定時間と、各処理室に対応する前記基板の前記搬送機構での搬送時間と、に基づいて前記基板搬送可能時間の算出を行う、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記基板を載置する複数の載置部を備え、
前記制御部は、
前記載置部に載置された前記基板のそれぞれが前記処理室に搬送可能となる基板搬送可能時間を算出し、
算出した基板搬送可能時間が最も短い前記基板を前記載置部から前記処理室へ向かって搬送するように前記搬送機構の制御を行う、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 複数の基板を収納する容器が配置される複数の配置部を備え、
前記制御部は、
前記載置部に未処理基板と処理済基板が配置されている場合に、前記処理済基板の前記配置部への搬送後に前記未処理基板を前記処理室へ搬送できる時間が、前記処理室の基板搬送可能時間よりも短い場合に、前記処理済基板を前記配置部へ搬送するように前記搬送機構の制御を行う、
請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記基板搬送経路は、前記配置部と、前記載置部と、前記搬送室と、前記処理室のそれぞれの間での前記基板の搬送時間より選択される、請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、
前記処理室への前記基板搬送可能時間と、前記処理室での前記基板の処理開始が可能となる処理開始可能時間を算出し、前記基板搬送可能時間が前記処理開始可能時間を下回った場合に、前記処理室の条件を整える処理を実行する、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、未処理基板の搬送で滞留が発生した場合に、前記滞留が解消される時間を算出し、前記滞留が解消される時間から、前処理開始時間を制御する、請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記搬送室は前記配置部と前記載置部との間に配置され、大気状態で前記基板の搬送を行うことが可能な大気搬送室を含む、請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記搬送室は前記処理室と前記載置部との間に配置され、真空状態で前記基板の搬送を行うことが可能な真空搬送室を含む、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記搬送機構の少なくとも一部は前記大気搬送室内に配置され、大気状態で前記基板の搬送を行う、請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記搬送機構の少なくとも一部は前記真空搬送室内に配置され、真空状態で前記基板の搬送を行う、請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記載置部は前記載置部内の雰囲気を大気状態と真空状態とを切り替えることができ、前記載置部は少なくとも1枚の前記基板を載置できる構成を有する、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、
前記載置部に未処理の前記基板と処理済の前記基板が載置されている場合に、
未処理の前記基板が前記処理室に搬送可能となる時間と、
処理済みの前記基板を前記載置部から払い出して、前記載置部の雰囲気を真空状態にするまでの時間と、
を算出し、
未処理の前記基板が前記処理室に搬送可能となる時間に影響を与えない場合に、前記載置部から処理済みの前記基板を払い出して前記載置部に空きを作るように制御を行う、請求項12に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、 前記載置部に未処理の前記基板と処理済の前記基板が載置されている場合に、前記載置部の排気完了状態を確認し、前記排気完了状態が未完了状態であれば、排気処理を継続するよう制御を行う、請求項13に記載の基板処理装置。
- 複数の処理室で基板を処理する工程と、
前記基板を搬送する工程と、
基板処理装置内にすでに搬送されている全ての前記基板がそれぞれの前記処理室に搬送可能となる基板搬送可能時間を算出し、算出したそれぞれの前記処理室への前記基板搬送可能時間のうち、最も短い時間となる前記処理室への基板搬送経路を選択し、選択した前記基板搬送経路に基づいて前記基板の搬送制御を行う工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 複数の処理室で基板を処理する手順と、
前記基板を搬送する手順と、
基板処理装置内にすでに搬送されている全ての前記基板がそれぞれの前記処理室に搬送可能となる基板搬送可能時間を算出し、算出したそれぞれの前記処理室への前記基板搬送可能時間のうち、最も短い時間となる前記処理室への基板搬送経路を選択し、選択した前記基板搬送経路に基づいて前記基板の搬送制御を行う手順と、
を有する基板処理装置を実行するためのプログラム。
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