KR102309759B1 - 진공 처리 장치의 운전 방법 - Google Patents

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Abstract

진공 처리 장치의 운전 방법에 관해서, 링크식의 진공 처리 장치의 경우에, 복수 공정 처리에 관한 효율적인 반송 및 처리를 실현할 수 있는 기술을 제공한다. 실시형태의 진공 처리 장치의 운전 방법은, 복수 공정 처리에 있어서 복수의 웨이퍼의 모든 처리에 요하는 시간이 최단으로 되도록, 각각의 웨이퍼에 대하여 복수의 처리 유닛 중 하나의 제1 처리 유닛 및 하나의 제2 처리 유닛을 선택하고, 선택한 처리 유닛을 사용하는 반송 경로를 포함하는 반송 스케줄을 결정하는 제1 스텝(스텝601∼607)을 갖는다. 제1 스텝은, 적어도 하나의 웨이퍼에 대하여, 복수의 제1 처리 유닛으로부터 적어도 하나의 제1 처리 유닛을 제외하고 선택된 제1 처리 유닛을 사용해서 반송 경로를 포함하는 반송 스케줄을 구성한다. 이 운전 방법은, 제2 공정이 율속할 경우에, 최적인 반송 스케줄을 선택한다.

Description

진공 처리 장치의 운전 방법
본 발명은, 진공 처리 장치 등의 기술에 관한 것이며, 진공 처리 장치의 복수 공정 처리에 있어서의 운전 방법 등에 관한 것이다.
진공 처리 장치로서는, 각각의 진공 반송 용기 내에 반송 로봇을 갖는 복수의 진공 반송 용기가 접속되고, 복수의 진공 반송 용기에 대하여 복수의 처리 유닛이 접속되어 있는, 링크식의 진공 처리 장치가 있다.
상기와 같은 진공 처리 장치의 운전 방법에 관한 선행기술예로서, 일본 특개2013-98412호 공보(특허문헌 1)를 들 수 있다. 특허문헌 1에는, 복수의 반송 로봇 간에, 웨이퍼의 주고받기를 행하는 선형 툴의 진공 처리 장치에 있어서, 복수 웨이퍼를 연속적으로 처리할 때의 스루풋(단위 시간당의 처리 매수)을 향상시키는 취지의 기술이 기재되어 있다. 특허문헌 1에는, 복수 웨이퍼 반송 개시 전에 처리실의 수 및 배치와 웨이퍼의 처리 시간의 조합의 조건마다 웨이퍼의 반송을 제어하는 복수의 반송 알고리즘을 시뮬레이션해서 얻어진 반송 알고리즘 판정 룰 중에서, 최대의 스루풋값이 예측되는 반송 알고리즘을 선택하고, 선택된 반송 알고리즘에 의거해서 웨이퍼의 반송처를 산출함에 의해, 최고 스루풋의 반송 제어를 제공하는 취지가 기재되어 있다.
일본 특개2013-98412호 공보
특허문헌 1의 기술은, 복수 공정 처리에 관해서, 시뮬레이션에 의거해서 스루풋이 최대로 되는 반송 알고리즘을 선택함으로써, 장치 이용 효율을 향상한다. 복수 공정 처리는, 동일한 웨이퍼 등의 피처리체에 대하여, 복수의 서로 다른 처리실에서, 각 공정의 각 처리를 행해서, 처리 전체를 완료하는 것을 가리킨다. 단일 공정 처리는, 동일한 피처리체에 대하여, 어느 하나의 처리실에서 단일 공정의 1회의 처리를 행해서 처리 전체를 완료하는 것을 가리킨다.
상기와 같은 종래 기술은, 복수 공정 처리에 관한 반송 알고리즘(환언하면 반송 스케줄)의 선택에 있어서, 시뮬레이션 계산의 부하가 증대하는 경우가 있다. 그 경우, 예를 들면 진공 처리 장치의 제어 시스템의 능력에 맞춰서 계산 처리를 간략화할 필요가 발생한다. 이 때문에, 최적인 반송 패턴을 포함하는 최적인 반송 스케줄을 선택할 수 없는 경우가 발생할 수 있다. 종래 기술은, 웨이퍼의 반송 및 처리에 사용하는 처리실의 조합이 발생함에 의해서 시뮬레이션 대상의 반송 패턴의 수가 단일 공정 처리에 비해서 증가하는 것에의 고려가 불충분하다.
일반적으로, 양산 과정에서 사용하는 진공 처리 장치는, 예를 들면 다수의 반도체 디바이스의 제조 시에, 복수 공정 처리의 각 공정에서, 정해진 같은 조건의 처리가 연속적으로 실시됨에 의해서 운용된다.
본 발명의 목적은, 진공 처리 장치의 운전 방법에 관해서, 링크식의 진공 처리 장치의 경우에, 복수 공정 처리에 관한 효율적인 반송 및 처리를 실현할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은, 공정마다 사용의 후보로 되는 복수의 처리 유닛(대응하는 복수의 처리실)의 처리 시간이 동일한 처리 조건에 있어서, 복수 공정 중의 후공정인 제2 공정이 율속(律速)하는 경우(환언하면 보틀넥으로 되는 경우)에도, 전체적인 처리 부하를 억제하면서 최적인 반송 패턴을 선택할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명 중 대표적인 실시형태는, 진공 처리 장치의 운전 방법으로서, 이하에 나타내는 구성을 갖는다. 진공 처리 장치는, 나열해서 배치되어 있는 복수의 진공 반송 용기로서, 각각의 진공 반송 용기에는 웨이퍼를 반송하는 반송 로봇이 수납되어 있는 상기 복수의 진공 반송 용기와, 상기 복수의 진공 반송 용기에 있어서의 이웃하는 두 진공 반송 용기 사이에 배치되고, 상기 웨이퍼가 수납되는 복수의 중간실과, 상기 복수의 진공 반송 용기 중 하나의 진공 반송 용기에 접속되고, 상기 웨이퍼가 수납되고, 소정의 압력까지의 감압 및 대기압까지의 승압이 가능한 로드 록실과, 상기 복수의 진공 반송 용기에 접속되는 복수의 처리 유닛으로서, 각각의 처리 유닛에는 상기 웨이퍼를 처리하는 처리실을 포함하고, 복수 공정 처리 중의 제1 공정의 제1 처리를 행하기 위한 복수의 제1 처리 유닛, 및 제2 공정의 제2 처리를 행하기 위한 복수의 제2 처리 유닛을 포함하는 상기 복수의 처리 유닛을 구비한다. 상기 운전 방법은, 상기 복수 공정 처리에 있어서 복수의 웨이퍼의 모든 처리에 요하는 시간이 최단으로 되도록 반송 스케줄을 결정하는 스텝으로서, 각각의 웨이퍼에 대하여 상기 복수의 처리 유닛 중 하나의 제1 처리 유닛 및 하나의 제2 처리 유닛을 선택하고, 선택한 처리 유닛을 사용하는 반송 경로를 포함하는 상기 반송 스케줄을 결정하는 제1 스텝과, 상기 로드 록실의 앞쪽에 배치된 카세트에 수납되어 있는 상기 복수의 웨이퍼의 각각의 웨이퍼를, 상기 반송 스케줄에 따라서 반송하고, 상기 제1 공정의 상기 하나의 제1 처리 유닛을 사용해서 상기 제1 처리를 실시하고, 그 후에 상기 제2 공정의 상기 하나의 제2 처리 유닛을 사용해서 상기 제2 처리를 실시하도록 제어하는 제2 스텝을 갖는다. 상기 제1 스텝은, 상기 복수의 웨이퍼 중 적어도 하나의 웨이퍼에 대하여, 상기 복수의 제1 처리 유닛으로부터 적어도 하나의 제1 처리 유닛을 제외하고 선택된 제1 처리 유닛을 사용해서 상기 반송 경로를 포함하는 상기 반송 스케줄을 구성한다.
본 발명 중 대표적인 실시형태에 따르면, 진공 처리 장치의 운전 방법에 관해서, 링크식의 진공 처리 장치의 경우에, 복수 공정 처리에 관한 효율적인 반송 및 처리를 실현할 수 있다. 또한, 본 발명 중 대표적인 실시형태에 따르면, 공정마다 사용의 후보로 되는 복수의 처리 유닛(대응하는 복수의 처리실)의 처리 시간이 동일한 처리 조건에 있어서, 복수 공정 중의 후공정인 제2 공정이 율속하는 경우에도, 전체적인 처리 부하를 억제하면서 최적인 반송 패턴을 선택할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태의 진공 처리 장치의 운전 방법에 있어서의, 진공 처리 장치의 전체 개략 구성을 나타내는 도면.
도 2는 실시형태에서, 진공 처리 장치의 기계부의 구성을 나타내는 도면.
도 3은 실시형태에서, 복수 공정 처리의 조건에 있어서의, 복수의 처리 유닛의 배치 구성예를 나타내는 도면.
도 4는 실시형태에서, 복수 공정 처리의 조건에 있어서의, 반송 경로 정보의 구성예를 나타내는 도면.
도 5는 실시형태에 대한 비교예의 운전 방법에 있어서의, 복수 공정 처리의 조건에서의, 복수의 처리 유닛의 웨이퍼 처리의 타임차트를 나타내는 도면.
도 6은 실시형태에서, 복수 공정 처리의 조건에서의 스루풋을 최적화하는 반송 스케줄을 결정하기 위한 반송 판정 처리의 처리 플로를 나타내는 도면.
도 7은 실시형태에서의 반송 판정 방식의 적용 전후에 있어서의 반송 경로의 예를 비교해서 나타내는 도면.
도 8은 실시형태에서의 반송 판정 방식의 적용 전후에 있어서의 웨이퍼 처리의 타임차트를 비교해서 나타내는 도면.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 도면을 이용해서 상세히 설명한다.
[과제 등]
종래 기술에 관한 과제 등에 대하여 보충 설명한다. 전술과 같이, 종래 기술의 운전 방법은, 링크식(또는 선형 툴)의 진공 처리 장치에 있어서의 복수 공정 처리에 관한 반송 스케줄을 결정한다. 그때, 종래 기술의 운전 방법은, 복수의 처리 유닛(대응하는 복수의 처리실)의 조합을 고려해서 계산할 필요로부터, 처리 부하가 증대하고, 최적인 반송 패턴을 포함하는 반송 스케줄을 선택할 수 없을 가능성이 있다.
종래 기술의 운전 방법은, 예를 들면 다수의 처리 유닛의 조합이 있을 경우에, 제어 시스템의 처리 능력이 부족하다. 그 때문에, 종래 기술의 운전 방법은, 진공 처리 장치의 일반적인 처리 조건에 대하여, 제2 공정이 율속하지 않는 복수의 처리실을 구비하는 장치 구성을 전제로 해서, 제1 공정만을 대상으로 하는 반송 제어를 행한다. 이 경우에, 종래 기술의 운전 방법은, 전공정인 제1 공정 및 후공정인 제2 공정을 포함하는 반송 경로에 관해서, 최적인 반송 패턴이 선택되지 않는 경우가 있었다. 구체적으로는, 제1 공정 및 제2 공정의 각 공정의 처리 시간의 관계나, 선택된 처리실의 조합에 따라서, 제2 공정이 율속한다.
상기 각 공정의 처리 시간의 관계에서는, 이하와 같이 반송 대기 시간이 발생하는 경우가 있다. 전공정의 처리실에 대해서 후공정의 처리실이 필요로 하는 타이밍보다도 빨리 FOUP(Front-Opening-Unified Pod : 후프)로부터 웨이퍼가 반송됨에 의해서, 전공정의 웨이퍼가 체류한다. FOUP는, 환언하면 카세트이고, 복수 매의 웨이퍼가 수용된다. 이것에 의해, 반송 경로 상에 체류하는 웨이퍼가 발생한다. 그 영향으로부터, 다음에 각 공정의 처리실이 필요로 하는 타이밍에 웨이퍼를 반송할 수 없어진다. 이것에 의해, 각 공정의 처리실에 웨이퍼의 반송 대기 시간이 발생한다.
상기 선택된 처리실의 조합의 관계에서는, 이하와 같이 반송 대기 시간이 발생하는 경우가 있다. 전공정의 처리실로부터의 웨이퍼 반송에서 다음에 비는 후공정의 처리실이 올바르게 선택되지 않음에 의해서, 후공정의 처리실의 웨이퍼가 체류한다. 이것에 수반하여, 전공정의 웨이퍼도 체류한다. 또한 한편, 비워진 다른 후공정의 처리실에는 필요한 타이밍에 웨이퍼가 반송되지 않게 된다. 이것에 의해, 각 공정의 처리실에 웨이퍼의 반송 대기 시간이 발생한다.
그래서, 본 발명의 실시형태의 운전 방법은, 링크식의 진공 처리 장치에 있어서의 복수 공정 처리의 공정마다의 복수의 처리실의 처리 시간이 동일한 조건에 있어서, 후공정인 제2 공정이 율속한 경우에도, 반송 대기 시간이 적은 최적인 반송 스케줄을 결정한다.
(실시형태 1)
도 1∼도 8을 이용해서, 본 발명의 실시형태의 진공 처리 장치의 운전 방법에 대하여 설명한다. 실시형태의 운전 방법은, 링크식의 진공 처리 장치의 복수 공정 처리에 관한 운전 방법, 환언하면 제어 방법이나 계산 방법이다. 이 운전 방법은, 피처리체의 복수 공정 처리에 관한 복수의 처리실(대응하는 처리 유닛)에 대한 효율적인 반송 패턴을 포함하는 반송 스케줄, 환언하면 스루풋이 최대로 되는 반송 스케줄을 결정하는 방법이다.
[(1) 개요]
실시형태의 운전 방법에 있어서 적용되는 진공 처리 장치는, 피처리체인 웨이퍼에 대하여, 진공 용기 내의 처리실 내에서 플라스마 등을 이용한 처리를 행하는, 링크식(환언하면 선형 툴)의 진공 처리 장치이다. 피처리체는, 예를 들면 반도체 디바이스를 제조하기 위하여 이용되는 반도체 웨이퍼이다. 링크식의 진공 처리 장치는, 기계부의 설치 면적을 작게 해서 스루풋 향상을 실현하기 위한 구조를 갖는 방식의 진공 처리 장치이다. 링크식의 진공 처리 장치는, 각각의 진공 반송 용기 내에 반송 로봇을 갖는 복수의 진공 반송 용기가 예를 들면 제1 방향으로 나열해서 배치되고, 각 진공 반송 용기의 측벽에는 처리실을 포함하는 처리 유닛이 접속되어 있는 구조를 갖는다. 복수의 진공 반송 용기는, 예를 들면 중간실(환언하면 중간 용기)을 개재해서 연결되어 있다. 이 진공 처리 장치는, 복수의 반송 로봇을 구비하고, 각 반송 로봇이 병행해서 웨이퍼의 반송을 행한다.
이 운전 방법에서는, 웨이퍼 처리는, 복수 공정 처리로서, 전공정인 제1 공정 및 후공정인 제2 공정의 각각이, 제1 처리 유닛 및 제2 처리 유닛의 각각에서 개별적으로 실시된다. 제1 처리 유닛은 제1 처리실을 포함한다. 제2 처리 유닛은 제2 처리실을 포함한다. 복수 공정 처리는, 전공정인 제1 공정의 제1 처리와, 후공정인 제2 공정의 제2 처리를 가져서 구성된다. 제1 공정의 제1 처리는, 선택된 제1 처리 유닛의 제1 처리실에서 행해지고, 제2 공정의 제2 처리는, 선택된 제2 처리 유닛의 제2 처리실에서 행해진다.
이 운전 방법은, 웨이퍼 처리의 스루풋을 보다 높게 하기 위해서, 제어 시스템에서의 시뮬레이션 계산에 의거해서, 반송 스케줄을 결정한다. 반송 스케줄은, 반송 패턴(환언하면 복수의 반송 경로)과, 각 반송 경로에서의 반송 타이밍을 포함하는 개념이다. 반송 타이밍은, 각 스테이션으로부터의 웨이퍼의 반송 개시 타이밍 등이다. 이 운전 방법은, 한 그룹의 복수 매의 웨이퍼, 환언하면 로트에 대하여, 그 웨이퍼의 반송의 개시 전에, 그 웨이퍼를 반송 및 처리하는 대상으로 되는 처리 유닛과 그 순서를 포함하는 반송 스케줄을 미리 선택한다. 반송 스케줄은, 처리 대상의 웨이퍼마다, 제1 공정에서 사용하는 제1 처리 유닛, 및 제2 공정에서 사용하는 제2 처리 유닛의 선택을 포함한다.
진공 처리 장치의 기계부는, 소정의 복수(개수 M으로 한다)의 제1 처리 유닛, 및 소정의 복수(개수 N으로 한다)의 제2 처리 유닛을 구비한다. 그들 처리 유닛이, 반송 스케줄에서의 사용의 후보이다. 특히, 실시형태에서는, 처리 유닛 및 처리실의 개수의 관계로서, 제2 공정용의 제2 처리 유닛의 개수 N이, 제1 공정용의 제1 처리 유닛의 개수 M보다도 적다(M>N). 또한, 조건으로서, 제1 공정의 복수의 각 제1 처리 유닛 및 제1 처리실의 처리 시간(T1로 한다)은 동일하고, 제2 공정의 복수의 각 제2 처리 유닛 및 제2 처리실의 처리 시간(T2로 한다)은 동일하다. 이와 같은 처리실 개수나 처리 시간의 조건에 따라서, 제2 공정이 율속하는 경우가 있다.
실시형태의 운전 방법은, 이 경우에, 각 처리 유닛의 개수(M, N) 및 각 공정의 처리 시간(T1, T2)의 관계의 판단에 의거해서, 전공정에서의 필요한 처리실의 사용 개수(K로 한다)를 산출한다(K≤M). 즉, 이 운전 방법은, 제1 공정용의 복수의 제1 처리 유닛 중 일부의 제1 처리 유닛을, 제1 공정에서의 사용의 후보로부터 제외한다. 이 운전 방법은, 제외 후의 후보인 복수(사용 개수 K)의 제1 처리 유닛을 사용해서, 복수의 반송 경로의 후보를 포함하는, 복수의 스케줄의 후보를 작성한다. 그리고, 이 운전 방법은, 계산에 의거해서, 복수의 스케줄의 후보로부터, 스루풋이 가장 높아지는 하나의 스케줄을 선택하고, 반송 스케줄로서 결정한다. 이 운전 방법은, 결정한 반송 스케줄을, 웨이퍼 처리의 실시에 이용한다. 스루풋이 가장 높은 것은, 복수 공정 처리에 있어서 복수의 웨이퍼의 모든 처리에 요하는 시간이 최단으로 되는 것에 대응한다.
실시형태의 운전 방법은, 후공정의 제2 처리실이 웨이퍼를 필요로 하는 타이밍에 맞춰서 전공정의 제1 처리가 끝나도록 FOUP로부터 전공정의 제1 처리실에 웨이퍼를 반송하고, 전공정의 제1 처리실로부터의 웨이퍼의 반송처로서 다음에 비는 후공정의 제2 처리실을 올바르게 선택하도록, 반송 스케줄을 구성한다.
이 운전 방법은, 구체적으로는, 후공정의 각 제2 처리실에서 처리되는 웨이퍼 처리 매수의 차가 최소로 되도록, 전공정에서 사용하는 제1 처리실을 선택한다. 즉, 이 운전 방법은, 웨이퍼 처리 매수를 균등하게 근사하게 할 경우에 필요한 전공정의 제1 처리실의 사용 개수 K를 산출한다. 이 운전 방법은, 그 사용 개수 K에 맞춰서, 전공정 중 일부의 제1 처리실을 제외하고, 선택한 사용 개수 K의 제1 처리실과, 그 제1 처리실에 대한 반송 경로를 구성한다. 그리고, 이 운전 방법은, 전공정의 제1 처리실로부터는, 후공정의 각 제2 처리실의 처리 상황에 따라서 후공정의 사용하는 제2 처리실을 선택하고, 제1 처리실로부터 제2 처리실에의 반송 경로를 구성한다. 이와 같이 해서 구성되는 웨이퍼마다의 반송 스케줄에 의해서, 각 공정의 처리실에 웨이퍼 반송 대기 시간이 발생하는 것이 방지되거나, 또는 반송 대기 시간이 최소로 된다.
[(2) 진공 처리 장치]
도 1을 이용해서, 실시형태의 진공 처리 장치(1)의 전체 개략 구성에 대하여 설명한다. 이 진공 처리 장치(1)는, 크게 나눠서, 기계부(101)와, 기계부(101)의 동작을 제어하는 제어부(102)로 구성된다. 제어부(101)와 기계부(102)는 케이블 등의 수단으로 접속되어 있다. 기계부(101)는, 반송 로봇을 포함하는 반송 기구나, 처리실을 포함하는 처리 유닛 등을 가져서 구성되는 장치 기계부이다. 처리실은, 웨이퍼에 대한 처리를 행하는 진공 처리실이다.
제어부(102)는, 기계부(101)의 동작을 제어하는 컨트롤러 또는 프로세서 등을 포함하는 장치, 예를 들면 IC 기판이나 계산기로 구성된다. 제어부(102)는, 연산부(103)와 기억부(104)를 갖는다. 또한, 제어부(102)는, 통신 인터페이스 장치 및 LAN 등의 네트워크(114)를 통해서 호스트(115)로 되는 계산기 등과 접속된다. 호스트(115)의 계산기 등으로부터 제어부(102)에 대하여 필요에 따라서 처리 명령이나 상태 감시를 행하는 것이 가능하다. 이용자는, 호스트(115)의 계산기 등에 대하여, 입력 조작을 행하여, 표시 화면 등에서 진공 처리 장치의 상태 등을 확인할 수 있다.
연산부(103)는, 기계부(101)의 전체의 상태를 감시하면서, 복수의 웨이퍼의 반송 및 처리에 수반하는 각 스테이션의 동작 제어를 행하여, 웨이퍼의 반송 스케줄의 결정이나, 반송 스케줄에 따른 웨이퍼 반송 동작의 지시나 제어를 행한다. 스테이션은, 웨이퍼가 이동, 체재, 경유하는 장소를 가리키고, 구체적으로는, 진공 반송 용기, 중간실, 로드 록실을 포함한다.
연산부(103)는, 보다 상세한 기능 블록인 처리부로서, 반송 스케줄 처리부(105), 및 반송 제어 처리부(106)를 갖는다. 각 처리부는, 소프트웨어 프로그램 처리 또는 회로 등에 의해서 실현된다. 반송 스케줄 처리부(105)는, 반송 스케줄을 결정하는 제1 스텝에 대응하는 처리를 행하는 부분이고, 반송 제어 처리부(106)는, 반송 스케줄에 의거해서 반송 등을 제어하는 제2 스텝에 대응하는 처리를 행하는 부분이다.
반송 스케줄 처리부(105)는, FOUP에 수납되어 있는 처리 대상의 복수 매의 웨이퍼의 각 웨이퍼에 대한 반송 스케줄을 결정한다. 반송 스케줄은, 웨이퍼마다, 반송하는 순번이나 반송 경로나 반송 타이밍 등을 포함한다. 반송 스케줄 처리부(105)는, 미리 소프트웨어로 기재된 반송 알고리즘을 따라, 기억부(104)에 기억된 각 정보를, 통신을 통해서 입수한다. 각 정보는, 장치 구성 정보(107), 장치 상태 정보(108), 처리실 정보(109), 반송 경로 정보(110), 처리 진척 정보(111), 및 동작 시간 정보(112)이다. 반송 스케줄 처리부(105)는, 이들 입수한 정보를 이용해서 반송 스케줄을 산출하고, 기억부(104)의 웨이퍼 반송 순서 정보(113)에 기억한다. 반송 스케줄 처리부(105)는, 산출한 반송 스케줄에 대응하는 웨이퍼 반송 순서 정보를, 반송 제어 처리부(106)에 송신한다.
반송 제어 처리부(106)는, 반송 스케줄 처리부(105)에서 결정된 반송 스케줄(대응하는 웨이퍼 반송 순서 정보(113))에 따라서, 기계부(101)에 있어서의 복수의 웨이퍼의 반송 처리를 제어한다. 반송 제어 처리부(106)는, 기계부(101)의 반송 로봇의 동작이나, 스테이션 간의 게이트 밸브 등의 기기의 동작을 제어한다. 반송 제어 처리부(106)는, 웨이퍼 반송 순서 정보(113)에 의거해서, 기계부(101)에 대하여 웨이퍼 반송 제어를 행하기 위한 지령 신호를 산출해서 송신한다. 반송 제어 처리부(106)는, 지령 신호를 이용해서, 반송 로봇에 의한 웨이퍼의 반입, 반출, 이동, 로드 록실의 감압이나 승압, 처리 유닛의 처리, 게이트 밸브의 개폐 등의 개개의 동작을 제어한다.
기억부(104)는, 메모리 등으로 구성되고, 제어부(102)가 갖는 각종 정보나 데이터를 기억한다. 기억부(104)는, 연산부(103)에 의한 연산 처리에 필요한 정보로서, 장치 구성 정보(107), 장치 상태 정보(108), 처리실 정보(109), 반송 경로 정보(110), 처리 진척 정보(111), 동작 시간 정보(112), 및 웨이퍼 반송 순서 정보(113)를 기억한다.
장치 구성 정보(107)에는, 기계부(101)에 구비하는 각종 설비의 구성 정보가 포함되고, 복수의 처리실을 포함하는 복수의 처리 유닛의 ID(식별 정보)나 개수나 종별의 정보가 포함된다. 장치 구성 정보(107)는, 제1 처리 유닛의 제1 처리의 종별이나 제2 처리 유닛의 제2 처리의 종별의 정보를 포함한다. 장치 구성 정보(107)는, 복수의 제1 처리 유닛의 개수 M, 복수의 제2 처리 유닛의 개수 N의 정보를 포함한다.
장치 상태 정보(108)에는, 기계부(101)의 각부(各部)의 동작의 상태를 나타내는 정보나, 압력값 등의 정보가 포함된다.
처리실 정보(109)에는, 장치 구성이나 장치 상태 중, 특히, 기계부(101)의 복수의 처리실의 각각의 처리실의 현재의 내부의 상태나 처리의 상황을 나타내는 정보를 포함한다. 또한, 처리실 정보(109)에는, 각 처리실의 각 처리를 행하는 처리 시간(T1, T2)의 정보, 및 각 처리실의 처리의 나머지 시간을 나타내는 정보 등을 포함한다. 처리 시간은, 제1 공정용의 복수의 제1 처리실의 동일한 처리 시간 T1, 및 제2 공정용의 복수의 제2 처리실의 동일한 처리 시간 T2이다. 이들 정보는, 처리 진행에 수반하여 변화하고, 소정의 시간 간격으로 주기적으로 갱신되고, 최신의 정보와 함께 과거의 정보를 포함한다. 이들 정보가 구별되어, 장치 상태 정보(108) 또는 처리실 정보(109)에 기억된다. 또, 장치 구성 정보(107)나 장치 상태 정보(108)에 처리실 정보(109)가 병합되어도 된다.
반송 경로 정보(110)에는, 웨이퍼가 반송에 의해서 이동이나 경유하는 각 스테이션에 관한, 웨이퍼마다의 반송 경로, 복수의 웨이퍼의 반송의 순번과 같은 시퀀스 정보가 포함된다. 어느 반송 경로는, 순서를 갖는 복수의 스테이션으로 구성되고, 제1 공정에서 사용하는 제1 처리실의 ID와, 제2 공정에서 사용하는 제2 처리실의 ID를 포함한다. 반송 스케줄 정보는, 반송 경로 정보(110)의 반송 경로를 이용해서 구성된다. 또, 반송 경로 정보(110)와 웨이퍼 반송 순서 정보(113)를 하나로 병합해도 된다.
처리 진척 정보(111)에는, 기계부(101)에서 처리가 진행되고 있는 웨이퍼의 특정의 그룹인 로트에 대하여, 이 로트에서의 처리의 진척 상황을 나타내는 정보가 저장된다. 예로서, 하나의 FOUP에는, 소정의 복수 매, 예를 들면 15매, 25매와 같은 웨이퍼가 수납된다. 각 웨이퍼에는 번호 등의 ID를 갖는다. 처리 진척 정보(111)는, 소정의 시간 간격으로 정보가 취득될 경우에, 그 중의 임의의 시각에, 미리 부여된 웨이퍼 처리 순서 중의 몇 매째의 웨이퍼가 FOUP로부터 반출되어 처리되고 있는지 등을 나타내는 정보를 포함한다. 또한, 처리 진척 정보(111)는, 대응하는 웨이퍼 처리 지시 정보(환언하면 시퀀스 레시피)에 있어서의 어느 시퀀스를 실행 중인지를 나타내는 정보를 포함한다.
동작 시간 정보(112)에는, 기계부(101)의 각부의 동작 시간 정보가 저장되어 있다. 동작 시간 정보(112)는, 기계부(101)에 구비하는 반송 로봇의 동작 시간이나, 게이트 밸브의 동작 시간에 관한 정보를 포함한다.
웨이퍼 반송 순서 정보(113)에는, 반송 스케줄 정보 중, FOUP에 수납된 복수 매의 웨이퍼의 각각의 웨이퍼에 대한 반송 순서를 나타내는 정보나, 각 웨이퍼의 반송 경로의 정보 등이 저장되어 있다. 이 정보는, 예를 들면, 각 웨이퍼의 반송 순서를 나타내는 번호, 각 웨이퍼가 수납되는 FOUP 내의 슬롯을 나타내는 번호, 및 각 웨이퍼가 처리되는 처리실의 번호 등을 포함한다.
[(3) 기계부]
다음으로, 도 2를 이용해서, 기계부(101)의 구성에 대하여 설명한다. 도 2는, 기계부(101)의 상면도(X-Y면)를 나타낸다. 또, 설명상의 방향으로서 (X, Y, Z)를 나타낸다. X 방향 및 Y 방향은 수평면을 구성하여 직교하는 두 방향이고, Z방향은 연직 방향이다. Y 방향으로 나타내는 제1 방향은, 복수의 진공 반송 용기가 나열해서 배치되는 전후 방향으로 한다. X 방향으로 나타내는 제2 방향은, 도시의 좌우 방향으로 한다. 기계부(101)는, 크게 나눠서, 대기측 장치 구성부(201)와, 진공측 장치 구성부(202)로 구성된다.
대기측 장치 구성부(201)는, FOUP로부터 웨이퍼의 반출 및 반입을 실시하는 부분이다. FOUP는 대기압 하에 있어서 복수 매의 웨이퍼를 내부에 수납 가능하다. 대기측 장치 구성부(201)는, 하우징(200)에 설치된, 복수(예를 들면 3개)의 로드 포트인 로드 포트(41, 42, 43)와, 대기측 반송 로봇(47)과, 얼라이너(48)와, 대피 스테이션(49)을 가져서 구성되어 있다. 예를 들면, 하우징(200)에 대하여, Y 방향의 전측의 측면에 복수의 로드 포트가 접속되어 있고, X 방향으로 한쪽의 측면에 얼라이너(48)가 접속되어 있고, Y 방향의 후측에 X 방향의 한쪽측의 위치의 측면에 대피 스테이션(49)이 접속되어 있다. 복수의 로드 포트에는, FOUP가 놓인다. 대기측 반송 로봇(47)은, 대기압 하에서의 웨이퍼 반송을 행하는 로봇이고, 로봇 암(arm)의 신축, 상하 이동, 선회 등을 할 수 있다. 얼라이너(48)는, 웨이퍼의 방향의 조절, 및 중심 위치 검출을 행한다. 대피 스테이션(49)은, 웨이퍼의 일시적인 대피용의 장소이다.
대기측 장치 구성부(201)는, 대기측 반송 로봇(47)에 의해서, FOUP로부터 처리 대상의 웨이퍼를 반출하고, 얼라이너(48)를 경유해서, 진공측 장치 구성부(202)에 접속되어 있는 로드 록실(10)에의 반입이나, 대피 스테이션(49)에의 반입을 행한다. 또한, 대기측 장치 구성부(201)는, 진공측 장치 구성부(202)로부터 로드 록실(10)에 반송되어 온 웨이퍼를 반출하고, FOUP 또는 대피 스테이션(49)에의 수납을 행한다. 또, 로드 록실(10)은, 진공측 장치 구성부(202)에 포함되는 것으로 한다.
단, 이 대기측 장치 구성부(201)는 일례이며, 이 구성으로 한정되지 않는다. 진공 처리 장치는, 로드 포트의 수가 셋보다 많아도 되고 적어도 된다. 또한, 진공 처리 장치는, 하나의 대기측 반송 로봇(47)으로 한정하지 않으며, 복수의 대기측 반송 로봇을 구비해도 된다. 진공 처리 장치는, 하나의 얼라이너(48)로 한정하지 않으며, 복수의 얼라이너를 구비해도 되고, 얼라이너(48)가 없어도 된다. 또한, 진공 처리 장치는, 하나의 대피 스테이션(49)으로 한정하지 않으며, 둘 이상의 대기 스테이션을 구비해도 되고, 대피 스테이션(49)이 없어도 된다.
진공측 장치 구성부(202)는, 대기압으로부터 소정의 진공도의 압력까지 감압된 압력 하에 있어서 웨이퍼의 반송 등을 행하여, 복수의 처리실의 내부에서 웨이퍼를 처리하는 부분이다. 진공측 장치 구성부(202)는, 복수의 진공 처리실인 처리실(11∼17)과, 복수의 진공 반송 용기인 반송 용기(20, 21, 22)와, 복수의 중간실인 중간실(18, 19)을 가져서 구성된다.
대기측 장치 구성부(201)와 진공측 장치 구성부(202) 사이, 특히, 하우징(200)과, Y 방향으로 제일 앞의 반송 용기(20) 사이에는, 게이트 밸브(51, 52)를 개재해서, 로드 록실(10)을 구비한다. 로드 록실(10)은, 내부에 웨이퍼를 가진 상태에서, 소정의 진공압 하까지의 감압이나, 대기압 하까지의 승압을 행할 수 있고, 대기측과 진공측의 상호의 영역에의 유통의 중개를 맡는 부분이다.
복수의 진공 반송 용기인 반송 용기(20, 21, 22)는, Y 방향으로 나열해서 배치 및 접속되어 있다. 복수의 진공 반송 용기는, 복수의 진공측 반송 로봇으로서 진공측 반송 로봇(23, 24, 25)을 구비한다. 각 반송 용기 내에는 진공측 반송 로봇을 구비한다. 예를 들면 반송 용기(20) 내에는 진공측 반송 로봇(23)을 포함한다. 본 예에서는, 전체로 3개의 진공 반송 용기가 있다. 진공측 반송 로봇(23, 24, 25)은, 각각, 웨이퍼의 반송을 행하는 로봇이다. 진공측 반송 로봇(23, 24, 25)은, 웨이퍼를 유지 가능한 핸드나 로봇 암을 구비한다. 로봇 암은, 신축, 선회, 상하 운동 등이 가능하다. 진공측 반송 로봇은, 웨이퍼를, 인접하는 로드 록실(10) 또는 처리실 또는 중간실에 반송한다.
복수의 진공 처리실인 처리실(11, 12, 13, 14, 15, 16, 17)은, 각각, 웨이퍼에 대하여 소정의 처리를 행하는 처리실이다. 본 예에서는, 제1 공정 및 제2 공정을 포함하는 전체로는 7개의 처리실이 있다. 각 처리실은, 처리 유닛과 대응된다. 환언하면, 진공측 장치 구성부(202)는, 처리실(11∼17)에 대응한 복수(7개)의 처리 유닛을 구비한다. 구체적으로, 복수의 처리실의 배치로서는, 반송 용기(20)에는 제2 방향(X 방향)으로 좌우에 처리실(11, 12)이 접속되어 있다. 반송 용기(21)에는 제2 방향으로 좌우에 처리실(13, 16)이 접속되어 있다. 반송 용기(22)에는 제2 방향으로 좌우에 처리실(14, 15)이 접속되고, 제1 방향으로 후측에 처리실(17)이 접속되어 있다.
복수의 중간실인 중간실(18, 19)은, 각각, 웨이퍼를 유지하는 기구를 갖고, 이웃하는 두 진공 반송 용기 사이에 접속되어 있다. 본 예에서는 전체로 2개의 중간실이 있다. 구체적으로는, 반송 용기(20)와 반송 용기(21) 사이에 중간실(18)이 접속되어 있다. 반송 용기(21)와 반송 용기(22) 사이에 중간실(19)이 접속되어 있다.
기계부(101)에 있어서의 이들 복수의 설비 간에는, 복수의 게이트 밸브로서, 게이트 밸브(51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63)가 배치되어 있다. 각 게이트 밸브에 의해서, 대응하는 두 부분이 상호 연결되어 있다. 예를 들면, 반송 용기(20)와 처리실(11) 사이에는 게이트 밸브(53)를 갖는다. 반송 용기(20)와 중간실(18) 사이에는 게이트 밸브(59)를 갖는다. 각 게이트 밸브의 개폐의 제어에 의해서, 각 설비의 공간을 구획하거나 연결할 수 있다.
단, 이 진공측 장치 구성부(202)는 일례이며, 이 구성으로 한정되지 않는다. 진공 처리 장치는, 7개의 처리실로 한정하지 않으며, 7개보다 많아도 되고 적어도 된다. 또한, 이 실시형태에서는, 하나의 진공 반송 용기의 측벽에 대하여 둘 또는 세 처리실이 접속되어 있다. 진공 처리 장치는, 이와 같은 처리실의 접속의 개수로 한정하지 않으며, 하나의 진공 반송 용기에 하나의 처리실이 접속되어도 되고, 셋 이상의 처리실이 접속되어도 된다. 또한, 진공 처리 장치는, 3개의 진공 반송 용기로 한정하지 않으며, 3개보다 많아도 되고 적어도 된다. 복수의 진공 반송 용기는, 제1 방향으로만 배치되어 있지만, 이에 한정하지 않으며, 다른 방향으로 배치되어도 된다. 또한, 이 실시형태에서는, 진공 반송 용기와 중간실 사이에 게이트 밸브를 구비하지만, 이 게이트 밸브가 개폐 동작하지 않는 구성이어도 되고, 없는 구성이어도 된다.
[(4) 처리실]
다음으로, 도 3을 이용해서, 진공 처리 장치(1)의 진공측 구성부(202)에 있어서의 복수의 처리실의 배치의 일 구성예에 대하여 설명한다. 도 3은, 이 실시형태에서, 도 2에 대응하는 복수의 처리실(11∼17)의 배치 구성을 나타낸다. 이 구성은, 전공정인 제1 공정에서 사용하기 위한 복수(개수 M=5)의 제1 처리실인 처리실(11∼15)과, 후공정인 제2 공정에서 사용하기 위한 복수(개수 N=2)의 제2 처리실인 처리실(16, 17)로 구성된다. 제1 처리실은, 그것을 포함하는 제1 처리 유닛과 대응되고, 제2 처리실은, 그것을 포함하는 제2 처리 유닛과 대응된다. 제1 처리 유닛은, 제1 종별로서 제1 처리를 행한다. 제2 처리 유닛은, 제2 종별로서 제2 처리를 행한다.
실시형태에서는, 복수 공정 처리는, 제1 공정의 제1 처리가 제1 종별로서 애싱(ashing) 처리이고, 제2 공정의 제2 처리가 제2 종별로서 쿨링(cooling) 처리이다. 애싱 처리는, 불필요한 레지스트 등의 유기물 등을 제거하는 처리이다. 쿨링 처리는, 애싱 처리에 의해서 발생한 열을 냉각해서 낮추는 처리이다. 또, 제1 처리 및 제2 처리는, 이들 구성으로 한정하지 않고 가능하다. 제1 처리는 애싱 처리로 한정하지 않으며 다른 종별의 처리여도 되고, 제2 처리는 쿨링 처리로 한정하지 않으며 다른 종별의 처리여도 된다. 다른 실시형태에서는, 다른 종별로서, 에칭 처리나 성막 처리 등을 마찬가지로 적용 가능하다.
실시형태에서는, 전공정에서 사용하는 처리실(11∼15)(대응하는 제1 처리 유닛)을, 편의적으로, AU{AU1, AU2, AU3, AU4, AU5}로도 기재하고, 후공정에서 사용하는 처리실(16, 17)(대응하는 제2 처리 유닛)을, CU{CU1, CU2}로도 기재한다. AU는, 애싱 유닛의 약어이고, 애싱 처리를 행하는 제1 처리 유닛이다. CU는, 쿨링 유닛의 약어이고, 쿨링 처리를 행하는 제2 처리 유닛이다.
실시형태에서는, 기계부(101)에 구비하는 제1 처리 유닛 및 제1 처리실의 개수 M은 5이고, 기계부(101)에 구비하는 제2 처리 유닛 및 제2 처리실의 개수 N은 2이고, M>N의 관계이다. 또한, 개수 M 중, 반송 스케줄에 있어서 전공정에서 사용하는 제1 처리 유닛 및 제1 처리실의 개수를 사용 개수 K로 하고, K≤M이다. 반송 스케줄에 있어서 제외하는 제1 처리실의 개수를 제외 개수 L(L=1, 2, ……)로 한다. K=M-L이다.
단, 이 배치 구성은 일례이며, 이 구성으로는 한정되지는 않는다. 진공 처리 장치는, 전공정의 제1 처리실의 개수 M을 5개로 한정하지 않으며, 3개 이상이면 된다. 또한, 진공 처리 장치는, 후공정의 제2 처리실의 개수 N을 2개로 한정하지 않으며, 2개 이상이면 된다.
실시형태에서는, 제1 공정용의 처리 유닛 AU{AU1∼AU5}는, 도시하는 바와 같이, 처리실(11∼15)에 대응하는 장소에 배치되어 있고, 제2 공정용의 처리 유닛 CU{CU1, CU2}는, 도시하는 바와 같이, 처리실(16, 17)에 대응하는 장소에 배치되어 있다. 각 처리 유닛(AU, CU)의 배치의 장소에 대해서는, 이 구성으로 한정하지 않고 가능하다.
[(5) 반송 경로]
도 4는, 실시형태 및 후술의 비교예에 있어서의, 반송 경로 정보의 구성예를 나타낸다. 도 4의 표(401)에는, 다섯의 경로 후보를 포함하는 반송 경로 정보가 저장되어 있고, 전술의 반송 경로 정보(110)와 대응하고 있다. 도 4의 반송 경로 정보는, 도 3의 기계부(101)의 구성에서, 전공정 및 후공정의 모든 처리실을 사용하는 복수 공정 처리의 조건에 있어서 반송 스케줄을 구성할 경우에, 상정되는 반송 경로의 후보를 나타낸다. 반송 경로의 전체는, FOUP를 개시 위치로 하고, 로드 록실, 제1 처리 유닛, 및 제2 처리 유닛을 경유해서, FOUP로 되돌아가는 경로이다. 표(401)에서, 예를 들면, 제1 행에 있어서의 「1」로 식별되는 제1 경로 후보는, 개시를 FOUP로 하고, 전공정이 처리 유닛 AU1이고, 후공정이 처리 유닛 CU1 또는 CU2이고, 종료가 FOUP이다. 또, 이들 다섯의 경로 후보는, 처리 유닛 CU1, CU2를 개별적으로 나누지 않고 묶어서 기재한 경우이지만, 개별적으로 나누는 경우에는 전부 10개의 경로 후보에 상당한다.
[(6) 비교예-과제]
다음으로, 도 5를 이용해서, 전공정 및 후공정을 포함하는 복수 공정 처리의 조건에 관한, 종래 기술의 방법의 반송 알고리즘에 있어서의 과제에 대하여 설명한다.
도 5는, 실시형태에 대한 비교예의 방법의 구성으로서, 도 3과 마찬가지의 기계부의 복수의 처리실의 배치 구성에 있어서, 도 4의 반송 경로 정보에 대하여, 복수 공정 처리를 실시하는 경우의 웨이퍼 처리의 타임차트(501)를 나타낸다. 이 타임차트(501)는, 전공정 및 후공정의 각 처리 유닛(AU, CU)에 의해서 소정의 처리 조건에서 복수의 웨이퍼의 처리를 실시하는 경우의 반송 스케줄과 대응하고 있다. 이 타임차트(501)는, 도시의 횡방향이 시간, 종방향이 복수의 처리 유닛{AU1, AU2, AU3, CU1, AU4, AU5, CU2}을 나타낸다. 이 타임차트(501)에 있어서의 처리 조건은, 전공정의 제1 처리실을 포함하는 제1 처리 유닛 AU{AU1∼AU5}의 처리 시간 T1이 동일한 50초이고, 후공정의 제2 처리실을 포함하는 제2 처리 유닛 CU{CU1, CU2}의 처리 시간 T2가 동일한 30초인 경우를 나타낸다. 실선 프레임으로 나타내는 처리 시간(502)은, 웨이퍼의 처리 시간을 나타내고, 파선 프레임으로 나타내는 체류 시간(503)은, 웨이퍼의 체류 시간을 나타낸다. 프레임 내의 숫자는, 웨이퍼의 번호를 나타낸다. 예를 들면, 처리 유닛 AU1에 있어서, 「2」로 식별되는 웨이퍼를 처리하는 시간이 처리 시간(502)이고, 그 후, 다음의 「7」로 식별되는 웨이퍼의 처리 시간 전에, 체류 시간(503)이 있다.
비교예에 있어서의 반송 경로 및 대응하는 반송 스케줄은 이하와 같이 된다. 예를 들면 「1」로 나타내는 웨이퍼에 대해서는, 제1 공정의 처리 유닛 AU4로부터 제2 공정의 처리 유닛 CU2에의 반송 경로로 된다. 간략화해서 기재하면, 각 웨이퍼의 반송 경로는 이하와 같이 된다. 웨이퍼 「1」 : AU4→CU2, 웨이퍼 「2」 : AU1→CU1, 웨이퍼 「3」 : AU3→CU2, 웨이퍼 「4」 : AU5→CU1, 웨이퍼 「5」 : AU2→CU2, 웨이퍼 「6」 : AU4→CU1, 웨이퍼 「7」 : AU1→CU1, 웨이퍼 「8」 : AU3→CU2, 웨이퍼 「9」 : AU5→CU2, 웨이퍼 「10」 : AU2→CU1, 웨이퍼 「11」 : AU4→CU2, 웨이퍼 「12」 : AU1→CU1, 웨이퍼 「13」 : AU3→CU2, 웨이퍼 「14」 : AU5→CU1, 웨이퍼 「15」 : AU2→CU2.
이 비교예에 있어서의 장치 구성 또한 처리 조건에 있어서는, 후공정 및 그것에 대응하는 제2 처리 유닛 CU가 율속한다(환언하면 보틀넥으로 된다). 이와 같이, 제2 공정이 율속할 경우, 전공정에서의 제1 처리실의 사용 개수 K를 필요 이상으로 많게 할 경우, 환언하면 전공정의 사용 개수 K와 후공정의 개수 N의 차가 클 경우, 웨이퍼의 반송 대기 시간이 발생하는 경우가 있다. 즉, 전술과 마찬가지로, 후공정의 처리 유닛 CU1 및 CU2가 필요로 하는 타이밍보다도 빨리 FOUP로부터 웨이퍼가 반송됨으로써, 진공 처리 장치 내의 웨이퍼 매수가 증가한다. 그리고, 다른 웨이퍼를 반송하기 위한 반송 로봇의 동작 완료 대기가 발생하고, 이것에 의해, 웨이퍼의 반송 대기 시간이 발생하는 경우가 있다.
또한, 중간실에 웨이퍼가 체류하는 시간이 발생함으로써, 다른 웨이퍼의 반송 경로 상에 머무는 웨이퍼가 발생한다. 그 영향으로부터, 다음의 제2 공정 중 어느 하나의 처리 유닛 CU가 필요로 하는 타이밍에 웨이퍼를 반송할 수 없어짐에 의해, 웨이퍼의 반송 대기 시간이 발생한다.
이들 반송 대기 시간에 의해서, 체류 시간(504, 505, 506, 507)의 예와 같이, 율속 영역인 후공정의 각 처리 유닛 CU에서 웨이퍼의 체류 시간이 발생한다. 예를 들면, 체류 시간(504)은, 처리 유닛 CU1에서의 웨이퍼 「2」의 처리 후에, 웨이퍼 「4」의 처리 전에 발생하는 체류 시간이다. 이것에 의해, 비교예에서는, 진공 처리 장치 전체의 처리 효율을 손상시킨다는 과제가 있다.
[(7) 반송 판정 방식-처리 플로]
다음으로, 도 6을 이용해서, 실시형태의 진공 처리 장치의 운전 방법에 있어서의, 복수 공정 처리의 조건에 있어서의 반송 판정 방식인 스루풋 최적화 반송 판정 방식에 대하여 설명한다. 도 6의 처리 플로(600)는, 이 반송 판정 방식을 실장한 처리 플로이고, 도 1의 연산부(103)의 반송 스케줄 처리부(105), 및 제1 스텝에 관한 처리 플로이다. 이 처리 플로(600)는, 복수 공정에 있어서의 처리 시간(T1, T2)의 관계로부터, 최적인 전공정의 제1 처리실의 사용 개수 K를 선택하고, 공정 간의 반송을 제어하는 방식을 나타낸다. 이 처리 플로(600)는, 스텝601∼607을 갖고, 이하, 스텝의 순으로 설명한다. 개요로서, 스텝601∼605까지의 처리는, 전공정의 제1 처리 유닛의 사용 개수 K를 결정하는 처리이고, 일부의 제1 처리 유닛을 제외하는 처리이다. 스텝606은, 전공정의 사용 개수 K의 제1 처리 유닛에 관한 반송 경로를 결정하는 처리이다. 또한, 스텝607은, 전공정의 제1 처리 유닛으로부터의 반송처로서, 후공정의 제2 처리 유닛을 결정하는 처리이다. 스텝607에서는, 복수의 제2 처리 유닛으로부터, 스루풋이 가장 높아지는 제2 처리 유닛이 선택되고, 전공정의 제1 처리 유닛으로부터 후공정의 제2 처리 유닛에의 반송 경로가 결정된다. 이것에 의해, 이 처리 플로(600)는, 복수 공정 처리의 조건에 있어서의 반송 동작의 최적화를 실현한다.
또, 처리 플로(600) 전, 또는 스텝601 전에는, 도시하지 않지만, 소정의 조건의 확인이 있다. 제어부(102)는, 이 조건을 확인하고, 조건을 충족시키는 경우에는, 스텝601 이후의 처리, 즉 일부의 제1 처리 유닛을 제외하고 반송 스케줄을 결정하는 처리 등을 행한다. 제어부(102)는, 조건을 충족시키지 않는 경우에는, 스텝601 이후의 처리를 하지 않고, 예를 들면 종래와 같은 처리, 즉, 모든 제1 처리 유닛을 이용해서 반송 스케줄을 결정하는 처리 등을 행한다. 이 조건은, 제2 공정이 율속하는지의 여부에 관한 조건이고, 이하와 같다. 이 조건은, 제1 공정의 처리 시간 T1과 제2 공정의 처리 시간 T2의 각각이, 웨이퍼의 로드 록실(10)로부터 제1 처리 유닛까지의 반송 시간(H1로 한다)과 제1 처리 유닛으로부터 제2 처리 유닛까지의 반송 시간(H2로 한다)의 각각보다도 긴 것이다(T1>H1, T1>H2, T2>H1, T2>H2).
스텝601에서, 연산부(103)는, 장치 구성 정보(107)로부터, 제1 처리 유닛의 개수 M과 제2 처리 유닛의 개수 N의 개수 비율(Q=M/N)을 산출한다. 또한, 연산부(103)는, 처리실 정보(108)로부터, 복수 공정의 각 공정의 처리실의 처리 시간의 관계로서, 후공정의 처리 시간 T2를 기준으로 한, 전공정의 처리 시간 T1의 비율인 시간 비율 R을 산출한다. 각 처리 시간(T1, T2)은, 웨이퍼 1매당의 하나의 처리실(대응하는 처리 유닛)에서의 점유 시간에 상당한다. 전공정의 제1 처리 유닛에서의 웨이퍼의 제1 처리의 점유 시간을 처리 시간 T1로 하고, 후공정의 제2 처리 유닛에서의 웨이퍼의 제2 처리의 점유 시간을 처리 시간 T2로 한다. 식으로서는, [시간 비율(R)]=[전공정의 처리 시간(T1)]/[후공정의 처리 시간(T2)], 즉, R=T1/T2이다.
스텝602에서, 연산부(103)는, 조건의 확인으로서, 개수 비율(Q=M/N)이, 시간 비율(R=T1/T2)보다도 큰지의 여부를 확인한다. 연산부(103)는, 이 조건에서, 큰 경우(Q>R)에는, 이하의 처리를 행한다. 연산부(103)는, 상기 스텝601에서 산출한 시간 비율 R에 대하여, 장치 구성 정보(107)에 기억되어 있는, 후공정의 제2 처리실의 개수 N을 곱셈함으로써, 전공정에 필요한 제1 처리실의 사용 개수 K를 산출한다. 식으로서는, [전공정의 처리실의 사용 개수(K)]=[시간 비율(R)]×[후공정의 처리실의 개수(N)], 즉, K=R×N(=T1/T2×N)이다.
스텝603, 604, 605에서, 연산부(103)는, 실제의 사용 개수 K가 자연수일 필요가 있기 때문에, 그 확인에 의거해서 자연수의 사용 개수 K를 결정하는 처리를 행한다. 스텝603은, 스텝602의 산출값이 자연수인지의 여부의 확인이고, 긍정(Y)의 경우에는 스텝604로 진행하고, 부정(N)의 경우에는 스텝605로 진행한다. 스텝604는, 산출값을, 전공정에서 필요한 처리실의 사용 개수 K로 간주하는 처리이다. 스텝605는, 산출값 이상이며 최소인 자연수를, 전공정에서 필요한 처리실의 사용 개수 K로 간주하는 처리이다.
스텝606에서, 연산부(103)는, 장치 구성 정보(107)에 기억되어 있는, 전공정의 처리실의 개수 M이, 처리 시간(T1, T2)의 관계로부터, 전공정의 필요한 처리실의 사용 개수 K를 구비하는지(환언하면 M≥K인지)를 확인한다. 그리고, 연산부(103)는, 그 전공정의 처리실의 개수 M과 사용 개수 K로부터, 전공정에서의 사용 개수 K의 처리실(대응하는 제1 처리 유닛)에 대한 반송 경로를 결정한다.
연산부(103)는, 전공정에서 필요한 처리실의 사용 개수 K가, 전공정의 처리실의 개수 M보다도 작은 경우(K<M)에는, 전공정의 개수 M의 제1 처리실로부터, 사용하지 않고 후보로부터 제외하는 제1 처리실을 선택한다. 즉, 연산부(103)는, 제외 개수 L(=M-K)에 대응하는 1개 이상의 일부의 제1 처리실을 선택해서 제외한다. 연산부(103)는, 제외 후의 후보로 되는 사용 개수 M의 제1 처리실을 이용해서, 복수의 반송 경로의 후보를 구성한다.
연산부(103)는, 복수의 웨이퍼의 적어도 하나의 웨이퍼에 대하여, 개수 M의 제1 처리 유닛으로부터, 반송 경로의 길이 또는 반송 시간 등을 고려한 소정의 순서로, 제외하는 제1 처리 유닛을 선택한다. 실시형태에서는, 반송 경로의 길이는, 기점으로부터 종점까지 경유하는 스테이션의 수로 나타난다. 또, 반송 경로의 길이를, 다른 방식으로 계측, 표현하도록 해도 된다.
전공정의 개수 M의 제1 처리실로부터 제외하는 제1 처리실을 선택할 경우, 상세하게는 이하의 처리예를 들 수 있다. 전공정과 후공정에서 경유하는 스테이션수가 많은 처리실은, 즉, 공정 간의 웨이퍼의 반송 시간이 긴 처리실, 혹은 반송 경로가 긴 처리실이다. 또, 경유하는 스테이션수는, 장치 구성 정보(107) 등으로부터 산출할 수 있다. 공정 간의 반송 시간은, 동작 시간 정보(112) 등으로부터 산출할 수 있다.
이와 같은 처리실은, 어느 제1 처리실로부터의 다음의 제2 처리실에의 웨이퍼 반송 시에, 다른 웨이퍼의 반송 경로를 막는 등의 착종(錯綜)에 의해서, 동작 대기 시간을 발생시켜서, 처리 효율을 손상시킬 가능성이 높다. 그 때문에, 연산부(103)는, 이와 같은 공정 간의 반송 시간이 가장 긴 제1 처리실로부터 순서대로, 제외 개수 L분만큼, 후보로부터 제외한다. 연산부(103)는, 그 제외의 결과의 복수의 제1 처리실의 후보를 이용한 반송 경로를 구성하고, 새로운 반송 경로 정보(109)로서 기억한다.
구체적으로는, 예를 들면, 연산부(103)는, 전공정의 각 제1 처리실로부터 후공정의 각 제2 처리실에의 반송 경로에서 경유하는 스테이션수가 가장 많은 제1 처리실로부터 순서대로, 제외한다. 또, 그때, 반송 경로 또는 반송 시간이 같게 되는 둘 이상의 제1 처리실, 즉 경유하는 스테이션수가 동일하게 되는 둘 이상의 제1 처리실이 있을 경우, 연산부(103)는, 또한, 그들 둘 이상의 제1 처리실로부터, 제외하는 제1 처리실을 선택한다. 구체적으로는, 연산부(103)는, FOUP로부터 그 전공정의 제1 처리실까지의 반송 시간을 고려하여, 그 반송 시간이 가장 긴 제1 처리실로부터 순서대로, 제외한다.
이 실시형태의 예에서는, 비교예와 마찬가지로, 전공정의 처리 시간 T1이 50초이고, 후공정의 처리 시간 T2가 30초인 것으로 한다. 도 3의 장치 구성의 조건일 경우, 도 6의 처리 플로(600)에 의한 반송 판정 결과는, 예를 들면 이하와 같이 된다. 처리 시간(T1, T2)의 관계로서, 전공정의 처리 시간 T1은, 후공정의 처리 시간 T2의 약 1.666배로 된다(R=T1/T2=50/30≒1.66). 이 장치 구성에서는, 후공정에 2개의 처리실{처리 유닛 CU1, CU2}을 가지므로, 전공정에 필요한 처리실의 사용 개수 K의 산출값은 약 3.33으로 된다(K=R×N≒1.66×2=3.33). 전공정의 처리실의 사용 개수 K는, 자연수로 하기 위하여, 4로 된다.
전공정의 처리실의 개수 M이 5, 사용 개수 K가 4이기 때문에, L=M-K로부터, L=1개의 제1 처리실이 제외된다. 연산부(103)는, 제외하는 제1 처리 유닛을 선택할 때에, 각 제1 처리 유닛 AU{AU1∼AU5}로부터 각 제2 처리 유닛{CU1, CU2}에 반송하는 동안에 경유하는 스테이션수를 고려한다. 이 결과, 경유하는 스테이션수가 가장 많은 제1 처리 유닛이, 예를 들면 처리 유닛 AU1 및 AU2로 된다. 그 때문에, 이들 두 처리 유닛 AU1 및 AU2가, 제외의 후보로 된다.
또한, 연산부(103)는, 그들의 두 제1 처리 유닛으로부터, 하나의 제1 처리 유닛을 선택하기 위하여, 전공정의 제1 처리 유닛에 관한 반송 시간, 동작 시간 등을 고려한다. 구체적으로, 연산부(103)는, 진공측 반송 로봇의 선회 동작 등의 동작 시간도 고려한다. 그 결과, 반송 시간이 가장 긴 전공정의 제1 처리 유닛이, 예를 들면 처리 유닛 AU2로 된다. 연산부(103)는, 이 처리 유닛 AU2를 선택해서 제외하고, 나머지 사용 개수 M의 제1 처리 유닛을 이용해서, 반송 경로의 조합을 구성한다.
스텝607에서, 연산부(103)는, 스텝606의 반송 경로에 의거해서, 복수 공정 처리용의 반송 패턴으로서, 전공정의 제1 처리실로부터 후공정의 제2 처리실에의 반송에 있어서의 최적인 반송처의 제2 처리실(대응하는 제2 처리 유닛)을 선택한다. 연산부(103)는, 전공정으로부터 후공정에의 반송처로서, 후공정의 처리가 종료되어 있는 제2 처리실, 혹은, 처리실 정보(108)에 기억되어 있는 나머지 처리 시간에 의거해서 가장 빨리 처리가 종료되는 제2 처리실을, 이 후공정의 반송처로서 선택한다.
여기에서, 연산부(103)는, 후공정의 복수의 제2 처리실이 이미 처리가 종료되어 있거나, 혹은 동(同)시기에 처리가 종료될 예정의 반송처의 후보로 되는 복수의 제2 처리실이 있는 경우에는, 이하와 같이 반송처를 선택한다. 즉, 연산부(103)는, 동작 시간 정보(111)로부터, 반송 시간이 가장 짧은 제2 처리실, 구체적으로는 공정 간에서 경유하는 스테이션수가 가장 적은 제2 처리실을, 반송처로서 선택한다.
이와 같이 해서, 실시형태의 진공 처리 장치의 운전 방법에서는, 제어부(102)에 의해서, 상기 스텝606에서 선택된 전공정의 처리실로부터 스텝607에서 선택된 후공정의 처리실에의 반송 경로를 이용한 반송 스케줄이 결정된다. 이 처리 플로(600)의 처리는, 처리 대상의 웨이퍼마다(예를 들면 로트마다) 마찬가지로 반복이다. 즉, 처리 대상의 웨이퍼마다(예를 들면 로트마다) 최적인 반송 스케줄을 결정할 수 있다. 동일한 처리 조건이 적용되는 웨이퍼의 경우에는, 동일한 반송 스케줄에 의한 반송 제어가 적용된다. 그 후, 제어부(102)의 반송 제어 처리부(106)는, 결정된 반송 스케줄에 의거한 웨이퍼 처리의 실시를 제어한다.
실시형태의 운전 방법은, 상기와 같은 스텝과 같이, 처리 대상의 웨이퍼마다, 처리 시간과 처리실 개수의 관계를 최적화해서 선택한 반송 패턴 및 대응하는 반송 스케줄의 결정 및 전환을 행한다. 이것에 의해, 이 운전 방법은, 일정 기간당의 후공정의 각 처리실의 웨이퍼 처리 매수의 차가 최소로 되고, 제2 공정이 율속하는 경우에도, 제어 시스템에 가해지는 처리 부하를 억제하면서 최적인 반송 패턴을 선택한다. 이것에 의해, 복수의 웨이퍼의 처리의 스루풋이 최적화된다.
상기 처리 플로(600)는, 계산의 결과, 예를 들면 어느 하나의 제1 처리 유닛(예를 들면 처리 유닛 AU2)을 제외하지만, 이에 한정하지 않으며, 계산의 결과, 조건에 따라서, 둘 이상의 제1 처리 유닛을 제외하는 경우도 있다. 즉, 웨이퍼에 따라서 서로 다른 제1 처리 유닛이 제외되는 경우가 있다. 이 경우, 복수의 웨이퍼 중 적어도 두 웨이퍼에 대해서는, 서로 다른 제1 처리 유닛이 제외되고, 서로 다른 반송 패턴을 포함하는 반송 스케줄로 된다. 환언하면, 그 중의 제1 웨이퍼에 대해서는, 어느 제1 처리 유닛(예를 들면 처리 유닛 AU2)이 제외되고 그 이외에서 선택된 반송 경로를 포함하는 제1 스케줄이 구성되고, 제2 웨이퍼에 대해서는, 다른 제1 처리 유닛(예를 들면 처리 유닛 AU3)이 제외되고 그 이외에서 선택된 반송 경로를 포함하는 제2 스케줄이 구성된다.
[(8) 반송 동작]
다음으로, 도 7 및 도 8을 이용해서, 실시형태의 진공 처리 장치의 운전 방법(대응하는 도 6의 반송 판정 방식)의 적용 전후에 있어서의 반송 동작의 차이와 그 효과에 대하여 설명한다. 도 7 및 도 8은, 도 3의 장치 구성 및 도 4의 반송 경로 정보의 경우이고, 전공정의 제1 처리실의 처리 시간 T1이 50초이고, 후공정의 제2 처리실의 처리 시간 T2가 30초인 처리 조건의 경우에 있어서의, 적용 전후의 반송 동작의 비교를 나타낸다.
도 7은, 적용 전후의 반송 경로를 나타낸다. 반송 경로(701)는, 적용 전의 복수의 반송 경로를 나타내고, 반송 경로(702)는, 적용 후의 복수의 반송 경로를 나타낸다. 화살표는, 공정 간의 웨이퍼 반송 경로를 나타낸다. 적용 전에 갖는 복수의 반송 경로는, 도 4의 다섯의 경로 후보(처리 유닛 CU1, CU2를 나누는 경우에는 10개의 경로 후보)와 대응하고 있다. 적용 전의 반송 경로(701)에 대하여, 적용 후의 반송 경로(702)에서는, 처리 시간(T1, T2)의 관계로부터, 최적인 전공정의 처리실의 사용 개수 K를 판정한 결과, 제외되는 처리 유닛 AU2에 관한 반송 경로 k1, k2가 제외되어 있다. 구체적으로는, 적용 전에 있어서, 제1 공정의 제1 처리 유닛 AU{AU1∼AU5}마다, 2개의 제2 처리 유닛 CU1, CU2에의 두 반송 경로를 갖는다. 예를 들면, 반송 경로 k1은, 처리 유닛 AU2로부터 처리 유닛 CU1에의 반송 경로이고, 반송 경로 k2는, 처리 유닛 AU2로부터 처리 유닛 CU1에의 반송 경로이다. 적용 후에 있어서는, 처리 유닛 AU2가 제외됨으로써, 이들 두 반송 경로 k1, k2가 제외되어 있다.
도 8은, 도 7에 대응한 적용 전후의 웨이퍼 처리의 타임차트의 비교를 나타낸다. 타임차트(703)는, 적용 전에 있어서의 처리 유닛마다의 웨이퍼 처리의 타임차트를 나타내고, 도 5의 타임차트(501)와 마찬가지의 반송 동작을 나타낸다. 타임차트(704)는, 적용 후에 있어서의 처리 유닛마다의 웨이퍼 처리의 타임차트를 나타낸다. 횡축은 시간, 종축은 복수의 처리 유닛{AU1, AU2, AU3, CU1, AU4, AU5, CU2}을 나타낸다. 처리 시간(502)이나 체류 시간(503)의 의미는 전술과 마찬가지이다.
적용 후에 있어서, 반송 경로 및 대응하는 스케줄은 이하와 같이 된다. 간략화해서 기재하면, 각 웨이퍼의 반송 경로는 이하와 같이 된다. 웨이퍼 「1」 : AU4→CU2, 웨이퍼 「2」 : AU1→CU1, 웨이퍼 「3」 : AU5→CU2, 웨이퍼 「4」 : AU3→CU1, 웨이퍼 「5」 : AU4→CU2, 웨이퍼 「6」 : AU1→CU1, 웨이퍼 「7」 : AU5→CU2, 웨이퍼 「8」 : AU3→CU1, 웨이퍼 「9」 : AU4→CU2, 웨이퍼 「10」 : AU1→CU1, 웨이퍼 「11」 : AU5→CU2, 웨이퍼 「12」 : AU3→CU1, 웨이퍼 「13」 : AU4→CU2, 웨이퍼 「14」 : AU1→CU1, 웨이퍼 「15」 : AU5→CU2.
적용 전의 타임차트(703)와 적용 후의 타임차트(704)를 비교하면, 이하와 같이 된다. 적용 전에는, 율속하는 제2 공정에 관하여, 웨이퍼의 반송 대기 시간(504, 506, 507, 508)과 같이, 웨이퍼 체류 개소가 발생하고 있다. 그것에 대하여, 적용 후에는, 시간 방향으로 이웃하는 처리 시간 사이의 시점(웨이퍼 체류 해소 개소)(704, 705, 706, 707)에서 나타내는 바와 같이, 적용 전의 웨이퍼 반송 대기 시간이 해소되어 있다. 적용 후에는, 전공정에서의 처리실의 사용 개수 M이 필요한 수(K=4)에 최적화되어 있다. 이것에 의해, 진공 처리 장치 내의 웨이퍼 매수가 최적화되고, 공정 간의 웨이퍼 반송 동작 시에 있어서의 반송 로봇의 동작 대기 등의 영향이 없어지거나, 또는 저감된다. 이것에 의해, 적용 후에는, 반송 대기 시간이 해소되어 있다. 예를 들면, 시점(704)에서는, 웨이퍼 「2」의 처리 시간 후에 체류가 없고 바로 웨이퍼 「4」의 처리 시간이 계속되고 있다.
처리 효율 향상 시간(ΔT)(713)은, 적용 전의 처리 전체의 종료 시점과, 적용 후의 처리 전체의 종료 시점의 차분을 나타낸다. 적용 전후에는, 예를 들면 웨이퍼 「1」∼「15」의 15매의 웨이퍼의 처리에 대하여, 처리 효율 향상 시간(ΔT)(713)에 대응한 장치 이용 효율, 환언하면 스루풋의 향상이 실현되어 있다.
[(9) 효과 등]
상기와 같이, 실시형태의 진공 처리 장치의 운전 방법에 따르면, 링크식의 진공 처리 장치의 경우에, 복수 공정 처리에 관한 효율적인 반송 및 처리를 실현할 수 있다. 실시형태에 따르면, 공정마다 사용의 후보로 되는 복수의 처리 유닛의 복수의 처리실의 처리 시간이 동일한 처리 조건에 있어서, 복수 공정 중의 후공정인 제2 공정이 율속한 경우에도, 전체적인 처리 부하를 억제하면서 최적인 반송 패턴을 포함하는 반송 스케줄을 선택할 수 있다. 실시형태에 따르면, 도 8의 처리 효율 향상 시간(ΔT)(713)과 같이, 제2 공정이 율속한 경우에도, 장치 이용 효율 등을 향상할 수 있는 제어 방식을 제공할 수 있다. 실시형태에 따르면, 처리 대상의 웨이퍼마다, 처리 시간과 처리실 개수의 관계가 최적화된 반송 패턴의 결정 및 전환이 행해진다. 이것에 의해, 일정 기간당에 있어서의 제2 공정의 각 처리실의 웨이퍼 처리 매수의 차가 최소로 된다. 따라서, 제2 공정이 율속한 경우에도, 제어 시스템에 처리 부하를 별로 가하지 않고 최적인 반송 패턴을 선택할 수 있다.
최적화를 위해서는, 후공정의 처리실이 웨이퍼를 필요로 하는 타이밍에 맞춰서 전공정의 처리실의 처리가 끝나도록, FOUP로부터 전공정의 제1 처리실에 웨이퍼를 반송하고, 제1 처리실로부터의 웨이퍼의 반송처로서 다음에 비는 후공정의 제2 처리실을 올바르게 선택하는 것이 필요하다. 그 때문에, 실시형태의 운전 방법은, 각 공정의 처리 시간(T1, T2)의 관계로부터, 전공정의 처리실의 사용 개수 K의 산출 후에, 반송 경로 정보를 갱신하고, 공정 간의 반송에서는, 후공정의 처리 상황으로부터 반송 효율이 좋은 후공정의 처리실을 선택하고 있다. 이것에 의해, 이 운전 방법은, 최적인 반송 패턴을 전환하는 제어를 실현하고 있다.
이상, 본 발명을 실시형태에 의거해서 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 전술의 실시형태로 한정되지 않으며, 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 변경 가능하다.
101 : 기계부 102 : 제어부
103 : 연산부 104 : 기억부
105 : 반송 스케줄 처리부 106 : 반송 제어 처리부
107 : 장치 구성 정보 108 : 장치 상태 정보
109 : 처리실 정보 110 : 반송 경로 정보
111 : 처리 진척 정보 112 : 동작 시간 정보
113 : 웨이퍼 반송 순서 정보 114 : 네트워크
115 : 호스트 201 : 대기측 장치 구성부
202 : 진공측 장치 구성부 10 : 로드 록실
11, 12, 13, 14, 15, 16, 17 : 처리실 18, 19 : 중간실
20, 21, 22 : 반송 용기 23, 24, 25 : 진공측 반송 로봇
26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38 : 게이트 밸브
41, 42, 43 : 로드 포트 47 : 대기측 반송 로봇
48 : 얼라이너 49 : 대피 스테이션

Claims (7)

  1. 진공 처리 장치의 운전 방법으로서,
    상기 진공 처리 장치는,
    나열해서 배치되어 있는 복수의 진공 반송 용기로서, 각각의 진공 반송 용기에는 웨이퍼를 반송하는 반송 로봇이 수납되어 있는 상기 복수의 진공 반송 용기와,
    상기 복수의 진공 반송 용기에 있어서의 이웃하는 두 진공 반송 용기 사이에 배치되고, 상기 웨이퍼가 수납되는 복수의 중간실과,
    상기 복수의 진공 반송 용기 중 하나의 진공 반송 용기에 접속되고, 상기 웨이퍼가 수납되고, 소정의 압력까지의 감압 및 대기압까지의 승압이 가능한 로드 록실과,
    상기 복수의 진공 반송 용기에 접속되는 복수의 처리 유닛으로서, 각각의 처리 유닛에는 상기 웨이퍼를 처리하는 처리실을 포함하고, 복수 공정 처리 중의 제1 공정의 제1 처리를 행하기 위한 복수의 제1 처리 유닛, 및 제2 공정의 제2 처리를 행하기 위한 복수의 제2 처리 유닛을 포함하는 상기 복수의 처리 유닛
    을 구비하고,
    상기 운전 방법은,
    상기 복수 공정 처리에 있어서 복수의 웨이퍼의 모든 처리에 요하는 시간이 최단으로 되도록 반송 스케줄을 결정하는 스텝으로서, 각각의 웨이퍼에 대하여 상기 복수의 처리 유닛 중 하나의 제1 처리 유닛 및 하나의 제2 처리 유닛을 선택하고, 선택한 처리 유닛을 사용하는 반송 경로를 포함하는 상기 반송 스케줄을 결정하는 제1 스텝과,
    상기 로드 록실의 앞쪽에 배치된 카세트에 수납되어 있는 상기 복수의 웨이퍼의 각각의 웨이퍼를, 상기 반송 스케줄에 따라서 반송하고, 상기 제1 공정의 상기 하나의 제1 처리 유닛을 사용해서 상기 제1 처리를 실시하고, 그 후에 상기 제2 공정의 상기 하나의 제2 처리 유닛을 사용해서 상기 제2 처리를 실시하도록 제어하는 제2 스텝
    을 갖고,
    상기 제1 스텝은, 상기 복수의 웨이퍼 중 적어도 하나의 웨이퍼에 대하여, 상기 복수의 제1 처리 유닛으로부터 적어도 하나의 제1 처리 유닛을 제외하고 선택된 제1 처리 유닛을 사용해서 상기 반송 경로를 포함하는 상기 반송 스케줄을 구성하는,
    진공 처리 장치의 운전 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스텝은,
    상기 진공 처리 장치에 구비하는 상기 복수의 제1 처리 유닛의 개수(M)와 상기 복수의 제2 처리 유닛의 개수(N)의 개수 비율(M/N)을 산출하고,
    상기 복수의 제1 처리 유닛의 각 제1 처리 유닛의 상기 제1 처리에 요하는 제1 처리 시간(T1)과, 상기 복수의 제2 처리 유닛의 각 제2 처리 유닛의 상기 제2 처리에 요하는 제2 처리 시간(T2)의 시간 비율(T1/T2)을 산출하고,
    상기 개수 비율이 상기 시간 비율보다도 큰 경우에는, 상기 복수의 웨이퍼의 적어도 하나의 웨이퍼에 대하여, 상기 시간 비율에 상기 복수의 제2 처리 유닛의 개수를 곱셈한 산출값 이상이며 최소인 자연수로부터 사용 개수를 산출하고, 상기 사용 개수의 제1 처리 유닛을 선택해서 상기 반송 스케줄을 결정하는,
    진공 처리 장치의 운전 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제1 처리 유닛의 각 제1 처리 유닛의 상기 제1 처리에 요하는 제1 처리 시간, 및 상기 복수의 제2 처리 유닛의 각 제2 처리 유닛의 상기 제2 처리에 요하는 제2 처리 시간의 각각의 처리 시간은, 상기 각각의 웨이퍼의 상기 로드 록실로부터 상기 제1 처리 유닛까지의 제1 반송 시간, 및 상기 제1 처리 유닛으로부터 상기 제2 처리 유닛까지의 제2 반송 시간의 각각의 반송 시간보다도 긴,
    진공 처리 장치의 운전 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스텝은, 상기 복수의 웨이퍼의 적어도 하나의 웨이퍼에 대하여, 상기 반송 경로의 길이 또는 반송 시간을 고려한 소정의 순서로, 상기 복수의 제1 처리 유닛으로부터 상기 제외할 처리 유닛을 선택하는,
    진공 처리 장치의 운전 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 스텝은, 상기 제1 처리 유닛으로부터 상기 제2 처리 유닛까지의 반송 경로의 길이가 가장 큰 상기 제1 처리 유닛을 제외하는,
    진공 처리 장치의 운전 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 스텝은, 상기 제1 처리 유닛으로부터 상기 제2 처리 유닛까지의 반송 경로의 길이가 동등한 제외 후보의 복수의 제1 처리 유닛이 있는 경우에는, 상기 제외 후보의 복수의 제1 처리 유닛 중, 상기 로드 록실로부터 상기 제1 처리 유닛까지의 반송 경로의 길이가 가장 큰 상기 제1 처리 유닛을 제외하는,
    진공 처리 장치의 운전 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스텝은, 상기 복수의 웨이퍼 중 적어도 두 웨이퍼에 대하여, 상기 복수의 제1 처리 유닛으로부터 서로 다른 제1 처리 유닛이 제외되고, 선택된 서로 다른 반송 경로를 포함하는 상기 반송 스케줄을 결정하는,
    진공 처리 장치의 운전 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7240980B2 (ja) * 2019-07-29 2023-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
CN114568036A (zh) * 2020-09-25 2022-05-31 株式会社日立高新技术 真空处理装置的运转方法
JP7324811B2 (ja) * 2021-09-22 2023-08-10 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100493644B1 (ko) 1996-09-11 2005-09-15 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 진공처리장치의운전방법
KR101447985B1 (ko) 2011-11-02 2014-10-07 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 진공 처리 장치 및 피처리체의 반송 방법
KR101953423B1 (ko) 2011-12-13 2019-02-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 생산 효율화 시스템, 생산 효율화 장치 및 생산 효율화 방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06119352A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 生産管理方法ならびにシステムおよびスケジューラ
JPH08316119A (ja) * 1995-05-15 1996-11-29 Fujitsu Ltd 割り込み処理方法および割り込み処理装置
JPH11121582A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウェハ製造設備制御方法および半導体ウェハ製造設備
JPH11251399A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000150619A (ja) * 1999-01-01 2000-05-30 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
KR100443121B1 (ko) * 2001-11-29 2004-08-04 삼성전자주식회사 반도체 공정의 수행 방법 및 반도체 공정 장치
US20070282480A1 (en) * 2003-11-10 2007-12-06 Pannese Patrick D Methods and systems for controlling a semiconductor fabrication process
US8078311B2 (en) * 2004-12-06 2011-12-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method adopted in substrate processing apparatus
WO2008116222A2 (en) * 2007-03-22 2008-09-25 Crossing Automation, Inc. A modular cluster tool
JP5247094B2 (ja) * 2007-09-14 2013-07-24 インテヴァック インコーポレイテッド 基板処理システム
JP5359285B2 (ja) * 2009-01-07 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理装置の運転方法
DE102009045286A1 (de) * 2009-10-02 2011-04-21 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Abbildung des Umfelds eines Fahrzeugs
JP5476337B2 (ja) * 2011-05-26 2014-04-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及びプログラム
JP2015502654A (ja) * 2011-10-26 2015-01-22 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 半導体ウェハのハンドリングおよび搬送
JP5921200B2 (ja) * 2012-01-05 2016-05-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、縮退運用プログラムおよび生産リストの作成プログラム
JP6106370B2 (ja) * 2012-06-01 2017-03-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法
JP6002532B2 (ja) * 2012-10-10 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理方法
US20160229631A1 (en) * 2013-12-24 2016-08-11 Hitachi, Ltd. Picking System
JP2016096211A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
CN107481963B (zh) * 2016-06-07 2020-01-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种控制晶圆排队等待时间的方法和系统

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100493644B1 (ko) 1996-09-11 2005-09-15 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 진공처리장치의운전방법
KR101447985B1 (ko) 2011-11-02 2014-10-07 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 진공 처리 장치 및 피처리체의 반송 방법
KR101953423B1 (ko) 2011-12-13 2019-02-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 생산 효율화 시스템, 생산 효율화 장치 및 생산 효율화 방법

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