CN111508809B - 霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统 - Google Patents

霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统 Download PDF

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Abstract

本公开内容涉及霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统。本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。

Description

霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统
本申请是申请日为2015年2月9日、申请号为201580012315.0、发明名称为“霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开内容的实施方式一般涉及半导体处理设备。更特定而言，本公开内容的实施方式涉及等离子体源、消除系统，及真空处理系统，上述各者用于消除在半导体工艺中产生的化合物。
背景技术
半导体处理设施使用的工艺气体包含许多种化合物，由于法规要求及对于环境及安全问题的考虑，这些化合物须在弃置(disposal)之前予以消除(abate)或处理。通常，远程等离子体源可耦接至处理腔室以消除从处理腔室中出来的化合物。含卤素的等离子体及气体频繁用于蚀刻或清洁工艺，且处理腔室的部件及远程等离子体源易受由含卤素的等离子体及气体所引起的腐蚀的影响。腐蚀缩短处理腔室部件及远程等离子体源的可用寿命，且额外地将不良缺陷及污染引入处理环境。
因此，本领域内需要的是：用于消除半导体工艺中所产生的化合物的经改良的等离子体源及消除系统。
发明内容
本文所公开的实施方式包括等离子体源、消除系统及真空处理系统，上述各者用于消除在半导体工艺中产生的化合物。在一个实施方式中，公开了等离子体源。等离子体源包含第一板件、平行于第一板件的第二板件、外壁、电极、第一多个磁体及第二多个磁体，所述第一板件具有外边缘及内边缘，所述第二板件具有外边缘及内边缘，所述外壁安置于第一板件的外边缘与第二板件的外边缘之间，所述电极安置于第一板件的内边缘与第二板件的内边缘之间，所述第一多个磁体安置于第一板件上，且所述第二多个磁体安置于第二板件上。
在另一个实施方式中，公开了消除系统。消除系统包含等离子体源，所述等离子体源包含主体，所述主体具有第一端部及第二端部，且所述第一端部经配置以耦接至前级管道，及所述第二端部经配置以耦接至导管。等离子体源进一步包含安置于主体内的电极、安置于主体的第一板件上的第一多个磁体及安置于主体的第二板件上的第二多个磁体。
在另一个实施方式中，公开了真空处理系统。真空处理系统包含真空处理腔室及等离子体源，所述等离子体源包含第一板件、平行于第一板件的第二板件、外壁、电极、第一多个磁体及第二多个磁体，所述第一板件具有外边缘及内边缘，所述第二板件具有外边缘及内边缘，所述外壁安置于第一板件的外边缘与第二板件的外边缘之间，所述电极安置于第一板件的内边缘与第二板件的内边缘之间，所述第一多个磁体安置于第一板件上，且所述第二多个磁体安置于第二板件上。
附图说明
以上简要概述的本公开内容的上述特征能够被详细理解的方式、以及本公开内容更详细的描述，可通过参考实施方式获得，本公开内容的实施方式中的一些实施方式在附图中示出。然而，应当注意，附图仅图示本公开内容的典型实施方式，因而不应被视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其它等效的实施方式。
图1A是真空处理系统的示意侧视图，该真空处理系统具有等离子体源。
图1B是图1A中的等离子体源的截面图。
图2A是等离子体源的横截面透视图。
图2B是等离子体源的横截面仰视图。
图2C是金属护罩的放大视图。
图3是等离子体源的透视图。
图4示意性地图示了与等离子体源相关联的部件。
图5是排放冷却装置的透视图。
为了便于理解，尽可能的使用了相同数字符号以标示附图中共通的相同元件。考虑到一个实施方式的元件及特征在没有进一步描述的情况下可以有益地并入其它实施方式。
具体实施方式
图1A是真空处理系统170的示意侧视图，真空处理系统170具有消除系统193中所使用的等离子体源100。真空处理系统170包含至少一个真空处理腔室190及等离子体源100。消除系统193至少包含等离子体源100。对真空处理腔室190进行一般性地配置以执行至少一种集成电路制造工艺，例如沉积工艺、蚀刻工艺、等离子体处理工艺、预清洁工艺、离子注入工艺，或其它集成电路制造工艺。在真空处理腔室190中执行的工艺可为等离子体辅助工艺。例如，在真空处理腔室190中执行的工艺可为用于沉积硅基材料的等离子体沉积工艺。
真空处理腔室190具有腔室排放口191，腔室排放口191经由前级管道192耦接至消除系统193的等离子体源100。等离子体源100的排放装置借由排放导管194耦接至泵及设施排放装置，图1A中采用单个元件符号196示例性地标示该泵及设施排放装置。一般采用泵对真空处理腔室190进行抽真空，而为了对真空处理腔室190的排出物进入大气做准备，设施排放装置一般包括洗涤器或其它排放清洁装置。
采用等离子体源100对离开真空处理腔室190的气体和/或其它材料实施消除工艺，使得这些气体和/或其它材料可转变成更环保和/或对于工艺设备更有利的组成物。等离子体源100的细节进一步描述如下。
在一些实施方式中，消除剂源114耦接至前级管道192和/或等离子体源100。消除剂源114向等离子体源100内提供消除剂，该消除剂可受到激发以与将要离开真空处理腔室190的材料反应，或协助将上述材料转变至更环保且/或对工艺设备更有利的组成物。可选地，净化气源115可耦接至等离子体源100，用于减少等离子体源100内的部件上的沉积。
排放冷却装置117可耦接在等离子体源100与排放导管194之间，用于降低从等离子体源100中排出的排出物的温度。在一个实例中，排放冷却装置117是消除系统193的一部分。
可选地，可将压力调节模块182耦接至等离子体源100或排放导管194至少之一。压力调节模块182注入压力调节气体，诸如氩、氮或使等离子体源100内的压力能受到更好控制的其它的合适气体，且由此提供更高效的消除效能。在一个实例中，压力调节模块182是消除系统193的一部分。
图1B是根据一个实施方式的等离子体源100的侧视图。等离子体源100可安置于真空处理腔室190的下游。等离子体源100中产生的等离子体部分地或完全地激发和/或分解从真空处理腔室190中排出的排出物中的化合物，并且将排出物中的化合物转变成更良性的形式。在一个实施方式中，由于等离子体源100的产生密集等离子体的能力，等离子体源100可充当远程等离子体源，该远程等离子体源安置于处理腔室上游以将诸如分子或原子物种之类的等离子体产物(亦即密集等离子体)输送至处理腔室中。
等离子体源100可包括主体102，主体102具有第一端部104及第二端部106。第一端部104可平行于第二端部106。第一端部104可具有开口120，开口120经配置以在有或没有法兰的情况下耦接至前级管道192，且第二端部106可具有开口122，开口122经配置以在有或没有法兰的情况下耦接至排放冷却装置117。法兰通过参照图3在下文中得到进一步图示及描述。主体102可为圆形、正方形、矩形，或成其它合适的形状。在一个实施方式中，主体102具有圆环面的(toroidal)形状。开口108可贯穿主体102而形成。开口108可为圆形、正方形、矩形，或成其它合适的形状。在一个实施方式中，主体102是环形的(annular)。在其它实施方式中，主体102不包括开口108。
气体混合物110可经由第一端部104处的开口120进入等离子体源100，该气体混合物为例如离开真空处理腔室190的排出物中的副产物，或是在等离子体源100为远程等离子体源的实例中用于产生远程等离子体的前驱物和/或载气。气体混合物110可由在等离子体区124中形成的等离子体分解并且被消除剂处理，且作为危险性降低的材料经由第二端部106处的开口122离开。气体混合物110可由开口108分为两股流110A及110B，然后在离开主体102时合并为流110C，这由图1B中所图示的路径“A”表示。若气体混合物110是离开真空处理腔室的排出物中的副产物，则可从图1A中所示的消除剂源114将一或多种消除剂引入等离子体源100中。排出物中的副产物可包括含有硅、钨、钛，或铝的材料。存在于排出物中可通过采用本文所公开的等离子体源100得以消除的含硅材料的实例包括：例如氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、硅烷(SiH4)、乙硅烷、四氯化硅(SiCl4)、氮化硅(SiNx)、二氯硅烷(SiH2Cl2)、六氯二硅烷(Si2Cl6)、双(叔丁基氨基)硅烷、三甲硅基胺(trisilylamine)、二甲硅基甲烷(disilylmethane)、三甲硅基甲烷(trisilylmethane)、四甲硅基甲烷(tetrasilylmethane)、四乙氧基硅烷(tetraethyl orthosilicate)(TEOS)(Si(OEt)4)、二硅氧烷类(举例而言，二硅氧烷(SiH3OSiH3)、三硅氧烷(SiH3OSiH2OSiH3)、四硅氧烷(SiH3OSiH2OSiH2OSiH3)，及环三硅氧烷(cyclotrisiloxane；-SiH2OSiH2OSiH2O-))。存在于排出物中可通过采用本文所公开的方法得以消除的含钨材料的实例包括：例如W(CO)6、WF6、WCl6，或WBr6。存在于排出物中可通过采用本文所公开的方法得以消除的含钛材料的实例包括：例如TiCl4及TiBr4。存在于排出物中可通过采用本文所公开的方法得以消除的含铝材料的实例包括：例如三甲基铝。
消除剂可包括：例如CH4、H2O、H2、NF3、SF6、F2、HCl、HF、Cl2、HBr、H2、H2O、O2、N2、O3、CO、CO2、NH3、N2O、CH4，以及上述各者的组合。消除剂也可包括CHxFy与O2和/或H2O的组合，及CFx与O2和/或H2O的组合。不同消除剂可用于具有不同组成的排出物。
图2A是根据一个实施方式的等离子体源100的横截面透视图。如图2A所示，主体102可包括外壁204、内壁206、第一板件203及第二板件205。第一板件203及第二板件205可具有环形形状，且外壁204及内壁206可为圆筒状。内壁206可为中空电极，该中空电极可耦接至RF源(未图示)。外壁204可接地。第一板件203及第二板件205可与内壁206同心。第一板件203可具有外边缘207及内边缘209，且第二板件205可具有外边缘211及内边缘213。外壁204可具有第一端部212及第二端部214，且内壁206可具有第一端部216及第二端部218。第一绝缘环230可邻接于内壁206的第一端部216设置，且第二绝缘环232可邻接于内壁206的第二端部218设置。绝缘环230、232可由绝缘陶瓷材料制成。第一板件203的外边缘207可邻接于外壁204的第一端部212，且第二板件205的外边缘211可邻接于外壁204的第二端部214。在一个实施方式中，外壁204的端部212、214分别与外边缘207、211相接触。第一板件203的内边缘209可邻接于第一绝缘环230，且第二板件205的内边缘213可邻接于第二绝缘环232。等离子体区124界定在外壁204与内壁206之间、及第一板件203与第二板件205之间，且电容耦合等离子体可在等离子体区124中形成。
为了在操作期间使内壁206保持冷却，冷却套管(jacket)220可耦接至内壁206。内壁206可具有第一表面242及第二表面244，该第一表面面对外壁204，该第二表面与第一表面相对。在一个实施方式中，两个表面242、244都为线形的，且冷却套管220耦接至第二表面244。在一个实施方式中，第一表面242是弯曲的，而第二表面244是直线形的，如图2B中所示。冷却套管220中可形成有冷却通道208，且冷却通道208耦接至冷却剂入口217及冷却剂出口219，用于使诸如水之类的冷却剂流入及流出冷却套管220。第一多个磁体210可安置于第一板件203上。在一个实施方式中，第一多个磁体210可为磁控管，该磁控管具有磁体阵列，并且该第一多个磁体可具有环形的形状。第二多个磁体240可安置于第二板件205上，且第二多个磁体240可为磁控管，该磁控管具有磁体阵列，并且该第二多个磁体可具有与第一多个磁体210相同的形状。在一个实施方式中，第二多个磁体240是磁控管且具有环形的形状。在一个实施方式中，磁体210、240是在端部104、106附近处形成的线性阵列。磁体210、240可具有面对等离子体区124的相反的极性。磁体210、240可为稀土磁体，如钕陶瓷磁体。一或多个注气口270可以在第一板件203或第一及第二板件203、205上形成，用于注入消除剂和/或净化气体。净化气体可减少(图2B中所示)护罩250、252上的沉积。或者，注气口270可在前级管道192中形成。
图2B是根据一个实施方式的等离子体源100的横截面仰视图。如图2B中所示，内壁206的第一表面242上设置有多个凹槽246。凹槽246可为连续沟槽。尽管图2B中图示的第一表面242是弯曲的，但凹槽246可在直线形的第一表面242上形成，如图2A中所示。在操作期间，内壁206由射频(RF)电源供电，且外壁204接地，从而在等离子体区124中形成依施加的功率类型而定的振荡或恒定电场“E”所施加的功率类型即为，是RF的还是直流(DC)的，或是介于两者之间的某个频率的。双极直流电及双极脉冲直流电也可与内壁及外壁一起用，内壁及外壁形成两个相对的电极。磁体210、240产生大体均匀的磁场“B”，该磁场“B”基本上垂直于电场“E”。在此配置中，合力使原本会沿电场“E”方向的电流朝向端部106弯曲(出向纸外)，且这种力通过限制接地壁的等离子体电子损失来显著升高等离子体密度。在施加射频功率的情况下，这会导致环形振荡电流被大量引导离开接地壁。在施加直流电功率的情况下，这会导致恒定的环形电流被大量引导离开接地壁。由所施加的电场产生的这种电流偏离(current divergence)的效应被称作“霍尔效应”。在等离子体区124中形成的等离子体分解排出物中的副产物的至少一部分，该排出物从第一端部104处的开口120流入。消除剂也可被注入以与分解产物反应及形成的危险性更低的化合物。在一个实施方式中，排出物包含硅烷，且消除剂可为水或氧，该消除剂把排出物中的硅烷转变为玻璃。
可以将第一金属护罩250安置于等离子体区124内侧邻近于第一板件203之处，可以将第二金属护罩252安置于等离子体区124内侧邻近于第二板件205之处，以及可以将第三金属护罩259安置于等离子体区内邻近于外壁204之处。由于材料可沉积在护罩250、252、259上，所以这些护罩可为可移除的、可替换的和/或可重复使用的。第一金属护罩250与第二金属护罩252可具有相似的配置。在一个实施方式中，第一金属护罩250及第二金属护罩252都具有环形形状。第一金属护罩250及第二金属护罩252各自包括金属板254a至254e的堆叠(stack)，这些金属板彼此相互隔离。一或多个间隙272(在图2A中图示)可在金属板254a至254e的每一块金属板中形成，以容许膨胀而不使金属板254a至254e变形。图2C是根据一个实施方式的金属护罩250的放大视图。为清楚起见，省略了等离子体源100的一些部件，例如一或多个注气口270。板254a至254e中的每块板可为环形，且可具有内边缘256及外边缘258。可以对金属板254a至254e进行涂布以改变护罩表面辐射率(shield surfaceemissivity)。涂层可为阳极化材料以改善耐化学性、辐射热传递及应力降低(reduction)。在一个实施方式中，采用黑色氧化铝涂布金属板254a至254e。金属板254a的内部部分274可由陶瓷材料制成，用于防止产生电弧和获得尺寸稳定性。金属板254a至254e的内边缘256借助于绝缘垫圈260而互相隔开，因此金属板254a至254e彼此相互隔离。垫圈260也将板254e与第一板件203相隔开。金属板254a至254e的堆叠可由一或多个陶瓷棒或间隔件(未图示)紧固。一或多个陶瓷棒可穿过垫圈和金属板254a至254e的堆叠，并且每个陶瓷棒的一端耦接至内壁206，而每个陶瓷棒的另一端耦接至第一板件203/第二板件205。
在一个实施方式中，板254a的内边缘256与外边缘258之间的距离“D1”小于板254b的内边缘256与外边缘258之间的距离“D2”，距离“D2”小于板254c的内边缘256与外边缘258之间的距离“D3”，距离“D3”小于板254d的内边缘256与外边缘258之间的距离“D4”，距离“D4”小于板254e的内边缘256与外边缘258之间的距离“D5”。换而言之，板件的内边缘256与外边缘258之间的距离与板位置有关，即,板距离等离子体区124设置得越远，则内边缘256与外边缘258之间的距离越大。在此配置中，由于存在六个间隙，所以内壁206与外壁204之间的电压被除以六，这六个间隙如下：内壁206与板254a的外边缘258之间的间隙、板254a的外边缘258与板254b的外边缘258之间的间隙、板254b的外边缘258与板254c的外边缘258之间的间隙、板254c的外边缘258与板254d的外边缘258之间的间隙、板254d的外边缘258与板254e的外边缘258之间的间隙，及板254e的外边缘258与外壁204之间的间隙。每一处间隙具有较小电势，因此整个该间隙的电场小，这样的区域无法点亮且消耗所施加的功率，由此促使功率进入等离子体区124，在等离子体区124中产生等离子体。在没有如上所述的护罩250、252的情况下，内壁206的第一端部216与外壁204的第一端部212之间及内壁206的第二端部218与外壁204的第二端部214之间可能存在局部的等离子体放电，而且等离子体区124可能不会充满等离子体。
金属板254a至254e之间的空间可为暗区，这些暗区可由沉积在这些板上的材料桥接，从而导致这些板互相短路。为了阻止此情况发生，在一个实施方式中，金属板254a至254e的每一块金属板包括梯级262，因此金属板254a至254e的每一块金属板的外边缘258与相邻的板相距更远。梯级262使外边缘258变得对于内边缘256为非直线性的。每一个梯级262对在相邻金属板之间形成的暗区264起到保护作用，因此在暗区264内不会沉积材料。
外壁204、内壁206及护罩250、252、259可全部由金属制成，因为金属对半导体工艺中使用的大多数化学品具有耐受性。所使用的金属类型可依据在等离子体源100上游的真空处理腔室中使用的化学品而定。在一个实施方式中，采用氯基(chlorine based)化学品，则金属可为不锈钢，例如316不锈钢。氯基化学品中的绝缘环230、232可由石英制成。在另一个实施方式中，采用氟基化学品，则金属可为铝，且绝缘环230、232可由氧化铝制成。内壁206可由阳极化铝(anodized aluminum)或喷涂铝制成。
在一个实例中，等离子体源包括圆筒形电极，该圆筒形电极具有第一端部及第二端部，圆筒状外壁围绕该圆筒形电极，且该圆筒状外壁具有第一端部及第二端部。等离子体源进一步包括第一环形板，该第一环形板具有内边缘及外边缘，且内边缘与圆筒形电极的第一端部接近，且外边缘与圆筒状外壁的第一端部相邻近。等离子体源进一步包括第二环形板，该第二环形板具有内边缘及外边缘，且内边缘与圆筒形电极的第二端部接近，且外边缘与圆筒状外壁的第二端部相邻近。等离子体区由圆筒形电极、圆筒状外壁、第一环形板及第二环形板界定。等离子体源进一步包括第一多个磁体及第二多个磁体，该第一多个磁体安置于第一环形板上，该第二多个磁体安置于第二环形板上。
在另一个实例中，等离子体源包括第一环形板、平行于第一环形板的第二环形板，该第一环形板具有外边缘及内边缘，该第二环形板具有外边缘及内边缘，且其中该第一环形板具有面对第二环形板的表面，该第二环形板具有面对第一环形板的表面。等离子体源进一步包括圆筒状外壁、圆筒形电极、第一护罩及第二护罩，该圆筒状外壁安置于第一环形板与第二环形板的外边缘之间，该圆筒形电极安置于第一环形板与第二环形板的内边缘之间，该第一护罩邻近于第一环形板的表面安置，且该第二护罩邻近于第二环形板的表面安置。
图3是等离子体源100的透视图。入口法兰302及出口法兰304可分别耦接至等离子体源100的第一端部104及第二端部106。入口法兰302可耦接至前级管道192，而第二法兰304可耦接至排放冷却装置117，如图1A中所示。法兰302、304可由任何合适的方法分别耦接至等离子体源100的第一端部104及第二端部106。盒306可安置于等离子体源100上以用于围封射频匹配器(未图示)。
图4示例性地图示与等离子体源100关联的部件。机架400或其它容器/支撑结构可包括交流配电箱402、射频发生器404及控制器406。交流配电箱402向射频发生器404及控制器406馈电。射频发生器404产生射频功率，该射频功率可经由射频匹配器被供应至等离子体源100。控制器406与半导体制造工具或半导体制造设备通信，且控制射频发生器404及工艺气体。
图5是排放冷却装置117的透视图。当等离子体源100中经激发的排出物经由第二端部106离开等离子体源100时，该经激发的排出物可复合(recombine)，并且复合反应释放能量及导致离开等离子体源100的排出物升温。具有诸如高于150℃的高温的排出物可损伤泵196。为了冷却具有高温的排出物，排放冷却装置117可耦接至等离子体源100的第二端部106。或者，排放冷却装置117可耦接至等离子体源100的下游及压力调节模块182的上游的排放导管194中。排放冷却装置117可包括第一端部502及第二端部504，第一端部502用于耦接至法兰304，且第二端部504用于耦接至排放导管194。可以在第一端部502与第二端部504之间形成空腔505，且可以将冷却板506安置于空腔505中。冷却板506可包括在冷却板506中形成的冷却通道(未图示)，且冷却剂入口508及冷却剂出口510可设置于冷却板506上。诸如水之类的冷却剂可自冷却剂入口508流入冷却通道，且从冷却剂出口510流出。可以在冷却板中形成多个孔512，用以使热排出物从这些孔中穿过。孔512的直径可足够大，以使得有最小至没有的压力积累(pressure build-up)。在一个实施方式中，孔512各自具有约0.5英寸的直径，且压力限制(pressure restriction)小于约100毫托。
尽管前述是针对本公开内容的实施方式，但在不脱离本公开内容的基本范围的前提下，可设计本公开内容的其它的和进一步的实施方式，且本公开内容的范围由以下权利要求确定。

Claims (19)

1.一种等离子体源，所述等离子体源包含：
第一板件，所述第一板件具有外边缘和内边缘；
第二板件，所述第二板件平行于所述第一板件，其中所述第二板件具有外边缘及内边缘；
外壁，所述外壁安置于所述第一板件的外边缘与所述第二板件的外边缘之间；
电极，所述电极安置于所述第一板件的内边缘与所述第二板件的内边缘之间，其中等离子体区界定在所述电极、所述外壁、所述第一板件与所述第二板件之间；
第一金属护罩，所述第一金属护罩安置于所述等离子体区内邻近于所述第一板件之处；及
第二金属护罩，所述第二金属护罩安置于所述等离子体区内邻近于所述第二板件之处，其中所述第一金属护罩和所述第二金属护罩各自包括彼此相互隔离的金属板件的堆叠。
2.如权利要求1所述的等离子体源，其中所述第一板件与所述第二板件是环形的。
3.如权利要求1所述的等离子体源，其中所述外壁具有第一端部及第二端部，其中所述第一端部与所述第一板件的所述外边缘相接触，且所述第二端部与所述第二板件的所述外边缘相接触。
4.如权利要求3所述的等离子体源，其中所述电极具有第一端部及第二端部，其中所述第一端部与所述第一板件的所述内边缘接近，且所述第二端部与所述第二板件的所述内边缘接近。
5.如权利要求4所述的等离子体源，进一步包含：第一绝缘环，所述第一绝缘环安置于所述电极的所述第一端部与所述第一板件的所述内边缘之间。
6.如权利要求5所述的等离子体源，进一步包含：第二绝缘环，所述第二绝缘环安置于所述电极的所述第二端部与所述第二板件的所述内边缘之间。
7.如权利要求1所述的等离子体源，进一步包含：第一多个磁体，所述第一多个磁体安置于所述第一板件上；及第二多个磁体，所述第二多个磁体安置于所述第二板件上。
8.如权利要求7所述的等离子体源，其中所述第一多个磁体具有环形形状，且所述第二多个磁体具有环形形状。
9.如权利要求8所述的等离子体源，其中所述第一多个磁体面对所述等离子体区的极性与所述第二多个磁体面对所述等离子体区的极性相反。
10.一种等离子体源，所述等离子体源包含：
第一环形板件，所述第一环形板件具有外边缘和内边缘；
第二环形板件，所述第二环形板件平行于所述第一环形板件，其中所述第二环形板件具有外边缘及内边缘；
圆筒状外壁，所述圆筒状外壁安置于所述第一环形板件的外边缘与所述第二环形板件的外边缘之间；
圆筒状电极，所述圆筒状电极安置于所述第一环形板件的内边缘与所述第二环形板件的内边缘之间，其中等离子体区界定在所述圆筒状电极、所述圆筒状外壁、所述第一环形板件与所述第二环形板件之间；
第一金属护罩，所述第一金属护罩安置于所述等离子体区内邻近于所述第一环形板件之处；及
第二金属护罩，所述第二金属护罩安置于所述等离子体区内邻近于所述第二环形板件的表面之处，其中所述第一金属护罩和所述第二金属护罩各自包括彼此相互隔离的金属板件的堆叠。
11.如权利要求10所述的等离子体源，进一步包含：第三护罩，所述第三护罩安置于邻近于所述圆筒状外壁之处。
12.如权利要求10所述的等离子体源，其中所述金属板件是环形的且各自具有内边缘和外边缘。
13.如权利要求12所述的等离子体源，其中各金属板件在所述内边缘与所述外边缘之间具有不同的距离。
14.如权利要求13所述的等离子体源，其中各金属板件具有梯级，且所述外边缘对于所述内边缘是非线性的。
15.一种真空处理系统，所述真空处理系统包含：
真空处理腔室；
前级管道，所述前级管道耦接至所述真空处理腔室；及
等离子体源，所述等离子体源耦接至所述前级管道，所述等离子体源包含：
第一板件，所述第一板件具有外边缘及内边缘；
第二板件，所述第二板件平行于所述第一板件，其中所述第二板件具有外边缘及内边缘；
外壁，所述外壁安置于所述第一板件的外边缘与所述第二板件的外边缘之间；
电极，所述电极安置于所述第一板件的内边缘与所述第二板件的内边缘之间，其中等离子体区界定在所述电极、所述外壁、所述第一板件与所述第二板件之间；
第一护罩，所述第一护罩安置于所述等离子体区内邻近于所述第一板件之处；及
第二护罩，所述第二护罩安置于所述等离子体区内邻近于所述第二板件之处。
16.如权利要求15所述的真空处理系统，进一步包含消除剂源，所述消除剂源耦接至所述前级管道。
17.如权利要求15所述的真空处理系统，进一步包含消除剂源，所述消除剂源耦接至所述等离子体源。
18.如权利要求15所述的真空处理系统，进一步包含：第一多个磁体，所述第一多个磁体安置于所述第一板件上；及第二多个磁体，所述第二多个磁体安置于所述第二板件上。
19.如权利要求15所述的真空处理系统，其中所述等离子体源进一步包含冷却套管，所述冷却套管耦接至所述电极。
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