CN110034169A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

一种显示设备，包括：第一薄膜晶体管，包括第一半导体，第一半导体包括源区、漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；第一电极层，位于第一半导体上方并且与第一半导体的沟道区重叠；第二电极层，位于第一电极层上方，第二电极层的一部分与第一电极层重叠；数据线，位于第二电极层上方；第四薄膜晶体管，包括第四半导体，第四半导体的一端连接至第一电极层，且第四半导体的另一端连接至初始化电压线；第二屏蔽层，位于数据线和第四半导体之间的层中并且与第四半导体的一部分重叠；以及第三屏蔽层，位于数据线和第一半导体之间的层中并且与第一半导体的源区和漏区之一的一部分重叠。

Description

显示设备
分案申请声明
本申请是于2015年8月3日提交的、发明名称为“显示设备”的第201510468235.8号发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年8月5日提交于韩国知识产权局的第10-2014-0100700号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示设备。
背景技术
在有机发光显示设备中，薄膜晶体管(TFT)可位于每个(子)像素中以控制每个(子)像素的亮度。这种TFT根据接收到的数据信号控制(子)像素的亮度。
然而，一般的显示设备的(子)像素中实现的亮度可与取决于接收到的数据信号的亮度不同。因此，显示在一般显示设备上的图像会具有恶化的品质。
发明内容
本发明的一个或多个实施方式包括用于防止显示图像的品质恶化的显示设备。
附加的方面将部分地记载于下面的描述中，并且将部分地通过描述而变得明确或者可通过当前的实施方式的实践而习得。
根据本发明的一些实施方式，显示设备包括具有源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管、位于不同于源电极、漏电极和栅电极的层中并且配置成传送数据信号的数据线、以及位于数据线与薄膜晶体管的部件之间的屏蔽层。
屏蔽层可位于源电极与数据线之间、漏电极与数据线之间、或者栅电极与数据线之间中的至少一处。
显示设备还可包括存储电容器，该存储电容器包括第一存储电容器板和第二存储电容器板，第二存储电容器板与第一存储电容器板重叠并且位于第一存储电容器板上方，数据线可位于第二存储电容器板上方的层中，第二存储电容器板可包括屏蔽层，并且屏蔽层可在栅电极与数据线之间延伸或者在数据线下方延伸。
第一存储电容器板可电耦合至栅电极。
第一存储电容器板和栅电极可形成为一体。
栅电极可包括第一栅电极和第二栅电极，屏蔽层可位于数据线与位于薄膜晶体管的第一栅电极与第二栅电极之间的部件之间。
显示设备还可包括存储电容器，存储电容器包括第一存储电容器板和第二存储电容器板，第二存储电容器板与第一存储电容器板重叠并且位于第一存储电容器板上方，数据线可位于第二存储电容器板上方的层中，以及第二存储电容器板可包括屏蔽层，并且在数据线与部件之间、薄膜晶体管的第一栅电极和第二栅电极之间、或者在数据线下方中的至少一处延伸。
显示设备还可包括驱动薄膜晶体管，驱动薄膜晶体管包括电耦合至第一存储电容器板的驱动栅电极以及电耦合至源电极的驱动漏电极，并且第一存储电容器板可电耦合至漏电极。
显示设备还可包括：存储电容器，存储电容器包括第一存储电容器板和第二存储电容器板，第二存储电容器板与第一存储电容器板重叠并且位于第一存储电容器板上方；以及初始化电压线，配置成向电耦合至第一存储电容器板的驱动薄膜晶体管的驱动栅电极传送初始化电压，初始化电压线可位于与第二存储电容器板相同的层中，漏电极可电耦合至第一存储电容器板，并且源电极可电耦合至初始化电压线，数据线可位于第二存储电容器板上方的层中，并且屏蔽层可与初始化电压线集成并且在数据线与部件之间、薄膜晶体管的第一栅电极和第二栅电极之间的部件上方、或者在数据线下方中的至少一处延伸。
根据本发明的一些实施方式，显示设备包括薄膜晶体管、数据线、存储电容器、以及初始化电压线，其中，薄膜晶体管包括源电极、漏电极和栅电极，数据线位于与源电极、漏电极和栅电极不同的层中并且数据线配置成传送数据信号，存储电容器包括电耦合至漏电极的第一存储电容器板以及位于不同于第一存储电容器板的层中并且与第一存储电容器板重叠的第二存储电容器板，初始化电压线配置成向电耦合至第一存储电容器板的驱动薄膜晶体管的驱动栅电极传送初始化电压并且电耦合至源电极，其中，栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极中的一个至少部分地位于薄膜晶体管的第一栅电极与第二栅电极之间的部件与数据线之间。
第一栅电极和第二栅电极中的一个可在数据线下方或上方延伸。
根据本发明的一些实施方式，显示设备包括具有源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管、位于与源电极、漏电极和栅电极不同的层中并且配置成传送控制信号的控制信号线、以及位于控制信号线与薄膜晶体管的部件之间的屏蔽层。
附图说明
通过结合附图的实施方式的以下描述，这些方面和/或其他方面将变得明确且更容易理解，在附图中：
图1是根据本发明实施方式的有机发光显示设备的(子)像素的电路图；
图2是示意性示出根据本发明实施方式的图1的(子)像素中的多个薄膜晶体管(TFT)和电容器的位置的示意图；
图3至图6是按照各个层来示出图2的多个TFT和电容器的部件的示意图；
图7是沿图2的线VII-VII取得的剖视图；
图8是根据本发明一些实施方式的有机发光显示设备的剖视图；
图9是沿图2的线IX-IX取得的剖视图；
图10是沿图2的线X-X取得的剖视图；
图11是示出根据本发明另一实施方式的有机发光显示设备的(子)像素中的多个TFT和电容器的位置的示意图；以及
图12是沿图11的线XII-XII取得的剖视图。
具体实施方式
通过参考下面的对于实施方式以及附图的详细描述，可更加容易理解本发明的一个或多个实施方式的方面和特征以及实现其的方法。由此，本实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为受限于本文中所记载的描述。相反，这些实施方式被提供以便本公开将是更加透彻且完整，并且将本实施方式的概念更加全面地传递给本领域的普通技术人员，并且本发明将仅通过随附的权利要求书及其等同物来限定。
在下文中，将在下面参照附图对本发明的一个或多个实施方式进行更加详细的描述。与附图编号无关地，相同或相对应的那些部件赋予相同的参考编号，并且省略冗余的解释。
应理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，其可直接或间接地形成在另一层、区域或部件上。即，例如，可存在有中间层、区域或部件。为了解释的便利起见，附图中的元件的大小可被夸大。换言之，因为为了解释的便利起见部件在附图中的大小和厚度是被任意示出的，所以下面的实施方式并不限于此。
在下面的示例中，x-轴线、y-轴线和z-轴线并不限于直角坐标系的三个轴线，并且可被解释成更宽泛的含义。例如，x-轴线、y-轴线和z-轴线可彼此垂直，或者可表示并不彼此垂直的不同的方向。
如本文中所使用，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。
图1是根据本发明一些实施方式的有机发光显示设备的(子)像素的等效电路图。
如图1中所示，根据实施方式的有机发光显示设备的(子)像素包括多个信号线、耦合至多个信号线的多个薄膜晶体管(TFT)、存储电容器Cst、以及有机发光器件OLED。此处，多个信号线可由多个(子)像素共享。
多个TFT包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFTT5、以及发射控制TFT T6。
多个信号线包括传送扫描信号Sn的扫描线121、向初始化TFT T4传送先前扫描信号Sn-1的先前扫描线122、向操作控制TFT T5和发射控制TFT T6传送发射控制信号En的发射控制线123、与扫描线121交叉并且传送数据信号Dm的数据线171、传送驱动电压ELVDD并且几乎与数据线171平行布置的驱动电压线172、以及传送用于初始化驱动TFT T1的初始化电压Vint的初始化电压线124。
驱动TFT T1的栅电极G1耦合至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1，驱动TFTT1的源电极S1经由操作控制TFT T5耦合至驱动电压线172，并且驱动TFT T1的漏电极D1经由发射控制TFT T6电耦合至有机发光器件OLED的像素电极。根据开关TFT T2的开关操作，驱动TFT T1接收数据信号Dm并且将驱动电流IOLED供给至有机发光器件OLED。
开关TFT T2的栅电极G2耦合至扫描线121，开关TFT T2的源电极S2耦合至数据线171，并且开关TFT T2的漏电极D2耦合至驱动TFT T1的源电极S1以及经由操作控制TFT T5耦合至驱动电压线172。这种开关TFT T2根据经由扫描线121接收到的扫描信号Sn而被导通，并且通过将来自数据线171的数据信号Dm传送至驱动TFT T1的源电极S1来执行开关操作。
补偿TFT T3的栅电极G3耦合至扫描线121，补偿TFT T3的源电极S3耦合至驱动TFTT1的漏电极D1并经由发射控制TFT T6耦合至有机发光器件OLED的像素电极，并且补偿TFTT3的漏电极D3耦合至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、初始化TFT T4的漏电极D4以及驱动TFT T1的栅电极G1。这种补偿TFT T3根据经由扫描线121接收到的扫描信号Sn而被导通，并且通过使驱动TFT T1的栅电极G1与漏电极D1电耦合而二极管连接驱动TFT T1。
初始化TFT T4的栅电极G4耦合至先前扫描线122，初始化TFT T4的源电极S4耦合至初始化电压线124，初始化TFT T4的漏电极D4耦合至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿TFT T3的漏电极D3以及驱动TFT T1的栅电极G1。初始化TFT T4根据经由先前扫描线122接收到的先前扫描信号Sn-1而被导通，并且通过将初始化电压Vint传送至驱动TFTT1的栅电极G1而通过初始化驱动TFT T1的栅电极G1的电压来执行初始化操作。
操作控制TFT T5的栅电极G5耦合至发射控制线123，操作控制TFT T5的源电极S5耦合至驱动电压线172，并且操作控制TFT T5的漏电极D5耦合至驱动TFT T1的源电极S1和开关TFT T2的漏电极D2。
发射控制TFT T6的栅电极G6耦合至发射控制线123，发射控制TFT T6的源电极S6耦合至驱动TFT T1的漏电极D1以及补偿TFT T3的源电极S3，并且发射控制TFT T6的漏电极D6电耦合至有机发光器件OLED的像素电极。操作控制TFT T5和发射控制TFT T6根据经由发射控制线123接收到的发射控制信号En而被同时(例如，同步地)导通，并且向有机发光器件OLED传送驱动电压ELVDD以使得驱动电流IOLED流过有机发光器件OLED。
存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2耦合至驱动电压线172，并且有机发光器件OLED的对电极耦合至公共电压ELVSS。因此，有机发光器件OLED通过从驱动TFT T1接收驱动电流IOLED而发光，从而显示了图像。
下面将对这种有机发光显示设备中的像素的详细操作进行简要描述。
首先，在初始化周期期间，经由先前扫描线122供给处于低电平的先前扫描信号Sn-1。随后，初始化TFT T4响应于处于低电平的先前扫描信号Sn-1而被导通，并由此，初始化电压Vint从初始化电压线124经由初始化TFT T4传送至驱动TFT T1的栅电极G1，并且驱动TFT T1通过初始化电压Vint而被初始化。
随后，在数据编程周期期间，经由扫描线121供给处于低电平的扫描信号Sn。因此，开关TFT T2和补偿TFT T3响应于处于低电平的扫描信号Sn而被导通。由此，驱动TFT T1通过导通的补偿TFT T3而被二极管耦合并且正向偏置。随后，通过在从数据线171供给的数据信号Dm上减去驱动TFT T1的阈值电压Vth而获得的补偿电压(Dm+Vth，其中，Vth具有负值)被施加至栅电极G1。接着，驱动电压ELVDD和补偿电压被施加至存储电容器Cst的两端，并由此，与两端之间的电压差相对应的电荷被存储在存储电容器Cst中。
随后，在发射周期期间从发射控制线123供给的发射控制信号En从高电平转变成低电平。因此，在发射周期期间，操作控制TFT T5和发射控制TFT T6根据处于低电平的发射控制信号En而被导通。随后，生成基于驱动TFT T1的栅电极G1的电压与驱动电压ELVDD之间的电压差来确定的驱动电流IOLED，并且驱动电流IOLED经由发射控制TFT T6供给至有机发光器件OLED。在发射周期期间，驱动TFT T1的栅-源电压VGS通过存储电容器Cst保持为‘(Dm+Vth)-ELVDD’，并且因为驱动电流IOLED与‘(Dm-ELVDD)2’(即，根据驱动TFT T1的电流-电压关系，在栅-源电压VGS上减去阈值电压Vth而获得的值的平方)成比例，因此驱动电流IOLED的确定可与驱动TFT T1的阈值电压Vth无关。
现在将参照图2至图10对图1的有机发光显示设备的(子)像素的更加详细的结构进行描述。
图2是示出根据本发明实施方式的图1的(子)像素的多个TFT和电容器的位置的示意图。图3至图6是按照各个层来示出图2的多个TFT和电容器的部件的示意图。换言之，图3至图6中的每个示出了布置在同一层中的布线和半导体层的布局，并且绝缘层可位于图3至图6中示出的层之间。例如，图7的第一绝缘层141可位于图3的层与图4的层之间，图7的第二绝缘层142可位于图4的层与图5的层之间，并且图7的层间绝缘层160可位于图5的层与图6的层之间。此处，接触孔等可形成在这种绝缘层上，以使得图3至图6的层彼此电耦合。
根据当前实施方式的有机发光显示设备的(子)像素包括扫描线121、先前扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124，其中，扫描线121、先前扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124分别施加扫描信号Sn、先前扫描信号Sn-1、发射控制信号En和初始化电压Vint并且沿着行方向形成。并且，根据当前实施方式的有机发光显示设备的(子)像素可包括数据线171和驱动电压线172，其中，数据线171和驱动电压线172与扫描线121、先前扫描线122、发射控制线123以及初始化电压线124交叉并且分别向(子)像素施加数据信号Dm和驱动电压ELVDD。
并且，(子)像素可包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6、存储电容器Cst、以及有机发光器件OLED。
驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和发射控制TFT T6形成在如图3中所示的半导体层上，其中，半导体层可具有弯曲或呈任意形状轮廓的形状。半导体层可包括与驱动TFT T1相对应的驱动半导体层131a、与开关TFT T2相对应的开关半导体层131b、与补偿TFT T3相对应的补偿半导体层131c1、131c2和131c3、与初始化TFT T4相对应的初始化半导体层131d1、131d2和131d3、与操作控制TFT T5相对应的操作控制半导体层131e、以及与发射控制TFT T6相对应的发射控制半导体层131f。换言之，驱动半导体层131a、开关半导体层131b、补偿半导体层131c1、131c2和131c3、初始化半导体层131d1至131d3、操作控制半导体层131e和发射控制半导体层131f可理解为构成图3的半导体层的部分区域。
半导体层可包括多晶硅。并且，半导体层可包括例如不掺杂杂质的沟道区、以及通过在沟道区的两侧上掺杂杂质而形成的源区和漏区。此处，杂质根据TFT的类型而有所不同，并且可为N-型杂质或P-型杂质。并且，源区或漏区可被解释为TFT的源电极或漏电极。换言之，例如，驱动源电极176a可与在图3的半导体层的驱动半导体层131a附近掺有杂质的驱动源区相对应，驱动漏电极177a可与在图3的半导体层的驱动半导体层131a附近掺有杂质的驱动漏区相对应。并且，TFT之间的图3中的半导体层的区域可掺有杂质以操作作为电耦合TFT的布线。
与此同时，存储电容器Cst可被形成。存储电容器Cst可包括第一存储电容器板125a和第二存储电容器板127，其中，第二绝缘层142位于第一存储电容器板125a与第二存储电容器板127之间。此处，第一存储电容器板125a也可操作作为驱动TFT T1的驱动栅电极。换言之，驱动栅电极和第一存储电容器板125a可形成为一体。下文中，为了便利起见，可对驱动栅电极使用与第一存储电容器板125a相同的参考编号。
如图4中所示，第一存储电容器板125a可具有与相邻的(子)像素隔离的矩形形状。如图4中所示，这种第一存储电容器板125a可形成在与扫描线121、先前扫描线122和发射控制线123相同的层中并且由与扫描线121、先前扫描线122和发射控制线123相同的材料形成。
作为参考，开关栅电极125b和补偿栅电极125c1和125c2可为扫描线121中与半导体层交叉的一部分或者从扫描线121突出的一部分，初始化栅电极125d1和125d2可为先前扫描线122中与半导体层交叉的部分或者从先前扫描线122突出的部分，并且操作控制栅电极125e和发射控制栅电极125f可为发射控制线123中与半导体层交叉的部分或者从发射控制线123突出的一部分。
相邻的(子)像素的第二存储电容器板127可彼此耦合，并且如图5中所示，可形成在与初始化电压线124相同的层中并且由与初始化电压线124相同的材料形成。存储开口27可形成在第二存储电容器板127上并且可使得第一存储电容器板125a和补偿TFT T3的补偿漏电极177c经由将在稍后更加详细描述的连接单元174而彼此电耦合。第二存储电容器板127可经由形成在层间绝缘层160上的接触孔168耦合至驱动电压线172。
驱动TFT T1包括驱动半导体层131a、驱动栅电极125a、驱动源电极176a和驱动漏电极177a。如上所述，驱动栅电极125a也可作为第一存储电容器板125a操作。驱动源电极176a为驱动栅电极125a的外部区域(在图3中的-x方向上)，并且驱动漏电极177a为驱动栅电极125a的外部区域(在图3中的+x方向上)并且布置成基于驱动栅电极125a与驱动源电极176a相对。
开关TFT T2包括开关半导体层131b、开关栅电极125b、开关源电极176b和开关漏电极177b。开关源电极176b可经由穿过第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160形成的接触孔164电耦合至数据线171。此处，如果需要，则数据线171中位于接触孔164附近的一部分可被理解为开关TFT T2的源电极S2。开关漏电极177b与在开关半导体层131b附近掺有杂质的开关漏区相对应。
补偿TFT T3包括补偿半导体层131c1、131c2和131c3、补偿栅电极125c1和125c2、补偿源电极176c和补偿漏电极177c。补偿源电极176c与在补偿半导体层附近掺有杂质的补偿源区相对应，并且补偿漏电极177c与在补偿半导体层附近掺有杂质的补偿漏区相对应。补偿栅电极125c1和125c2为包括第一栅电极125c1和第二栅电极125c2的双栅电极，并且可防止或减少漏电流的产生。补偿TFT T3的补偿漏电极177c可经由连接单元174耦合至第一存储电容器板125a。补偿半导体层可包括与第一栅电极125c1相对应的一部分或部件131c1、与第二栅电极125c2相对应的一部分或部件131c3、以及位于部分131c1与部分131c3之间的一部分或部件131c2。
如图6中所示，连接单元174可由与数据线171相同的材料形成并且形成在与数据线171相同的层中。连接单元174的一个端部经由穿过第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160形成的接触孔166耦合至补偿漏电极177c和初始化漏电极177d，并且连接单元174的另一端部经由穿过第二绝缘层142和层间绝缘层160形成的接触孔167耦合至第一存储电容器板125a。此处，连接单元174的另一端部经由形成在第二存储电容器板127上的存储开口27耦合至第一存储电容器板125a。
初始化TFT T4包括初始化半导体层131d1、131d2和131d3、初始化栅电极125d1和125d2、初始化源电极176d和初始化漏电极177d。初始化漏电极177d与在初始化半导体层131d1、131d2和131d3附近掺有杂质的初始化漏区相对应。
初始化源电极176d经由初始化连接线78耦合至初始化电压线124。初始化连接线78的一个端部可经由穿过第二绝缘层142和层间绝缘层160形成的接触孔161耦合至初始化电压线124，并且初始化连接线78的另一端部可经由穿过第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160形成的接触孔162耦合至初始化源电极176d。
操作控制TFT T5包括操作控制半导体层131e、操作控制栅电极125e、操作控制源电极176e和操作控制漏电极177e。操作控制源电极176e可经由穿过第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160形成的接触孔165电耦合至驱动电压线172。此处，如果需要，则驱动电压线172中位于接触孔165附近的一部分可理解为操作控制TFT T5的源电极S5。操作控制漏电极177e与在操作控制半导体层131e附近掺有杂质的操作控制漏区相对应。
发射控制TFT T6包括发射控制半导体层131f、发射控制栅电极125f、发射控制源电极176f和发射控制漏电极177f。发射控制源电极176f与在发射控制半导体层131f附近掺有杂质的发射控制源区相对应。如图6中所示，发射控制漏电极177f可理解为与数据线171或驱动电压线172一同形成在层间绝缘层160上的一部分。发射控制漏电极177f可经由穿过第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160形成的接触孔163耦合至下部半导体层。可选地，可理解的是，下部半导体层的一部分为发射控制漏电极，并且参考编号177f指示用于耦合发射控制漏电极与有机发光器件OLED的像素电极的中间连接层。
驱动TFT T1的驱动半导体层131a的一个端部耦合至开关半导体层131b和操作控制半导体层131e，并且驱动半导体层131a的另一端部耦合至补偿半导体层和发射控制半导体层131f。因此，驱动源电极176a耦合至开关漏电极177b和操作控制漏电极177e，并且驱动漏电极177a耦合至补偿源电极176c和发射控制源电极176f。
与此同时，开关TFT T2被用作用于选择(子)像素来发光的开关装置。开关栅电极125b耦合至扫描线121，开关源电极176b耦合至数据线171，并且开关漏电极177b耦合至驱动TFT T1和操作控制TFT T5。
并且，如图6中所示，发射控制TFT T6的发射控制漏电极177f经由形成在钝化膜或平坦化膜上的接触孔181耦合至有机发光器件OLED的像素电极，其中，钝化膜或平坦化膜覆盖形成在同一层中的数据线171或驱动电压线172。
图7是沿图2的线VII-VII取得的剖视图。如图7中所示，上面所描述的各种部件可布置在衬底110上。衬底110可由各种适当的衬底材料(例如，玻璃、金属和塑料)中的任一种形成。必要时，缓冲层111可布置在衬底110上。缓冲层111可平坦化衬底110的表面，或者防止杂质渗入衬底110上的半导体层中。这种缓冲层111可为由硅氧化物、硅氮化物、或硅氮氧化物形成的单层或多层结构。
在上面参照图3描述的驱动半导体层131a、开关半导体层131b和补偿半导体层可布置在缓冲层111上。由硅氮化物、硅氧化物、或硅氮氧化物形成的第一绝缘层141可布置在驱动半导体层131a、开关半导体层131b和补偿半导体层上。
已在上面参照图4描述的、包括驱动栅电极125a的布线、包括开关栅电极125b和补偿栅电极125c1和125c2的扫描线121、包括初始化栅电极125d1和125d2的先前扫描线122、包括操作控制栅电极125e和发射控制栅电极125f的发射控制线123可布置在第一绝缘层141上。驱动栅电极125a、扫描线121、先前扫描线122和发射控制线123可共同地称为第一栅极布线。
第二绝缘层142可覆盖第一栅极布线。第二绝缘层142可由硅氮化物、硅氧化物、或硅氮氧化物形成。在上面参照图5描述的第二存储电容器板127和初始化电压线124可布置在第二绝缘层142上。第二存储电容器板127和初始化电压线124可共同地称为第二栅极布线。
层间绝缘层160布置在第二栅极布线上。层间绝缘层160可由硅氮化物、硅氧化物、或硅氮氧化物形成。
已在上面参照图6描述的数据线171、驱动电压线172、连接单元174、初始化连接线78和发射控制漏电极177f可布置在层间绝缘层160上。数据线171、驱动电压线172、连接单元174、初始化连接线78和发射控制漏电极177f可共同地称为数据布线。如上所述，数据线171、驱动电压线172、连接单元174、初始化连接线78和发射控制漏电极177f可经由形成在第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160中的至少一部分上的接触孔161至168电耦合至下部半导体层或电极。
钝化膜或平坦化膜布置在数据布线上，并且有机发光器件OLED的像素电极可布置在钝化膜或平坦化膜上。像素电极可经由形成在钝化膜或平坦化膜上的接触孔181耦合至发射控制漏电极177f。
与此同时，如图2、图5和图7中所示，第二存储电容器板127可包括位于一侧处的第一屏蔽层SD1。如图2和图5中所示，第一屏蔽层SD1可为从第二存储电容器板127凸出的一部分。第一屏蔽层SD1可理解为第二存储电容器板127中在补偿TFT T3的第一栅电极125c1与第二栅电极125c2之间的至少一部分与数据线171之间延伸的部分。
作为参考，图2是一个(子)像素的视图，并且具有相同或相似结构的(子)像素可布置在(子)像素的顶部、底部、左侧和右侧。在图7中，(子)像素P1与图2的(子)像素相对应，并且示出了在图2的+x方向上布置成与(子)像素P1相邻的(子)像素P2的一部分。(子)像素P2还可包括数据线171，并且相应地，(子)像素P1的第一屏蔽层SD1可被理解为第二存储电容器板127中在补偿TFT T3的第一栅电极125c1和第二栅电极125c2之间的至少一部分与(子)像素P2的数据线171之间延伸的部分。
如果第一屏蔽层SD1不存在，则补偿TFT T3的第一栅电极125c1和第二栅电极125c2之间的部件(例如，补偿半导体层的部分131c2)可受数据线171的影响。
数据线171向在+x方向上布置在(子)像素P1附近的(子)像素P2传送数据信号，并且也向在+y和-y方向上布置在(子)像素P2附近的多个(子)像素传送数据信号。此处，所传送的数据信号可根据在+y和-y方向上布置在(子)像素P2附近的多个(子)像素中待实现的亮度而变化，并且相应地，在(子)像素P1发光时，位于(子)像素P1的补偿半导体层的部分131c2附近的数据线171可根据时间而传送不同的电信号。
如果第一屏蔽层SD1不存在，则寄生电容可发生在(子)像素P2的数据线171与(子)像素P1的补偿TFT T3的部分131c2之间，并且相应地，(子)像素P1的补偿TFT T3的部分131c2的电势可受在(子)像素P1发光时通过(子)像素P2的数据线171根据时间而传送的不同电信号的影响。因为补偿TFT T3电耦合至驱动TFT T1，所以如果(子)像素P1的补偿TFTT3的部分131c2的电势受通过(子)像素P2的数据线171传送的不同电信号的影响，则通过驱动TFT T1确定的有机发光器件OLED的亮度可变得不同于最初的强度，并由此，通过有机发光显示设备显示的图像的品质可能恶化。
然而，根据一些实施方式的有机发光显示设备，因为第一屏蔽层SD1布置在(子)像素P2的数据线171与(子)像素P1的补偿TFT T3的部分131c2之间，(子)像素P1的补偿TFT T3的部分131c2可不受(子)像素P2的数据线171的影响或者可受(子)像素P2的数据线171很小的影响，并由此，有机发光显示设备可能够显示具有更精确的亮度和相对较高品质的图像。例如，如果第一屏蔽层SD1为第二存储电容器板127的一部分，第二存储电容器板127经由接触孔168连接至一直具有恒定电势的驱动电压线172，并由此第一屏蔽层SD1也可一直具有恒定电势。相应地，可减小相邻的电信号在补偿TFT T3的部分131c2上产生的影响。
可选地，如作为根据本发明的一些实施方式的有机发光显示设备的剖视图的图8中所示，第一屏蔽层SD1可延伸至(子)像素P2的数据线171下方。相应地，补偿TFT T3的部分131c2可进一步被屏蔽。此处，补偿TFT T3的部分131c2也可通过使第一屏蔽层SD1在补偿TFT T3的第一栅电极125c1和第二栅电极125c2之间的部分131c2的至少一部分上方延伸而进一步被屏蔽。
图9是沿图2的线IX-IX取得的剖视图。如图2、图5和图9中所示，初始化电压线124可包括第二屏蔽层SD2。
如图2和图5中所示，第二屏蔽层SD2可为初始化电压线124中沿着x-轴线延伸的部分。第二屏蔽层SD2可被理解为初始化电压线124中在初始化TFT T4的初始化栅电极125d1和125d2的第一栅电极125d1与第二栅电极125d2之间的至少一部分与数据线171之间延伸的部分。
在图2和图5中，初始化电压线124在初始化TFT T4的第一栅电极125d1与第二栅电极125d2之间的部分上方延伸，但是实施方式并不限于此。如果初始化电压线124具有另一位置或另一形状(例如，在+y方向上、-y方向上、或者另一方向上移动或被弯曲)，则初始化电压线124可具有突出部，并且突出部可在初始化TFT T4的第一栅电极125d1与第二栅电极125d2之间的至少一部分与数据线171之间延伸以操作作为第二屏蔽层SD2。换言之，在图2和图5中，初始化电压线124可沿着x-轴线方向延伸并经过初始化TFT T4的第一栅电极125d1与第二栅电极125d2之间的至少一部分与数据线171之间，以使得初始化电压线124的位置被具体化，而无需包括突出部。
如果第二屏蔽层SD2不存在，则初始化TFT T4的第一栅电极125d1与第二栅电极125d2之间的部件(例如，初始化半导体层131d1、131d2和131d3中的一部分131d2)可受数据线171影响。
数据线171向图2的(子)像素传送数据信号，并且也向在+y和-y方向上布置在图2的(子)像素附近的多个(子)像素传送数据信号。此处，所传送的数据信号可根据通过在+y和-y方向上布置在图2的(子)像素附近的多个(子)像素待实现的亮度而变化，并且相应地，在图2的(子)像素发光时，位于图2的(子)像素的初始化半导体层131d1、131d2和131d3中的一部分131d2附近的数据线171可根据时间而传送不同的电信号。
如果第二屏蔽层SD2不存在，则寄生电容可发生在数据线171与初始化TFT T4的初始化半导体层131d1、131d2和131d3中的一部分131d2之间，并由此，初始化TFT T4的初始化半导体层131d1、131d2和131d3中的一部分131d2可受在图2的(子)像素发光时由数据线171根据时间而传送的不同电信号的影响。因为初始化TFT T4电耦合至驱动TFT T1，所以如果初始化TFT 4的初始化半导体层131d1、131d2和131d3中的一部分131d2的电势受由数据线171传送的不同电信号的影响，则通过驱动TFT T1确定的有机发光器件OLED的亮度可变得不同于最初的强度，并由此，通过有机发光显示设备显示的图像的品质可能恶化。
然而，根据一些实施方式的有机发光显示设备，因为第二屏蔽层SD2布置在数据线171与初始化TFT T4的初始化半导体层131d1、131d2和131d3中的一部分131d2之间，初始化TFT T4的初始化半导体层131d1、131d2和131d3中的一部分131d2可不受数据线171的影响或者可受数据线171很小的影响，并由此，有机发光显示设备可以显示具有更精确的亮度和相对较高品质的图像。例如，如果第二屏蔽层SD2为初始化电压线124的一部分，则第二屏蔽层SD2可通过一直具有恒定电势的初始化电压线124而一直具有恒定电势。相应地，可减小相邻的电信号在初始化TFT T4的初始化半导体层131d1、131d2和131d3中的一部分131d2上的影响。
此处，如果各种布线或半导体层的布局不同于图2中所示，则第二屏蔽层SD2可为至少在初始化TFT T4的第一栅电极125d1与第二栅电极125d2之间的初始化半导体层131d1、131d2和131d3中的一部分131d2上方延伸的部分、或者为在数据线171下方延伸的部分。
图10是沿图2的线X-X取得的剖视图。如图2、图5和图10中所示，第二存储电容器板127可包括第三屏蔽层SD3。
如图2和图5中所示，第三屏蔽层SD3可为第二存储电容器板127的一部分。第三屏蔽层SD3可被理解为第二存储电容器板127中在数据线171与驱动TFT T1的驱动栅电极125a之间延伸的部分。例如，第二存储电容器板127可具有-x方向上的(虚设)端部，该(虚设)端部与位于第二存储电容器板127下方的第一存储电容器板125a的-x方向上的端部大致匹配，并且在从(虚设)端部的-x方向上，第三屏蔽层SD3可存在于数据线171与驱动TFT T1的驱动栅电极125a之间，其中，第三屏蔽层SD3可被理解为与第二存储电容器板127形成为一体。
可选地，不同于图2和图5中所示，由于不存在第三屏蔽层SD3，第二存储电容器板127可不在数据线171所处的-x方向上延伸，并且第二存储电容器板127的-x方向上的端部可与第一存储电容器板125a的-x方向上的端部大致匹配。在这种情况下，驱动TFT T1的驱动栅电极125a不受数据线171影响。
数据线171向图2的(子)像素传送数据信号，并且也向布置在(子)像素的+y方向和-y方向上的多个(子)像素传送数据信号。此处，所传送的数据信号可根据通过布置在图2的(子)像素的+y和-y方向上的多个(子)像素待实现的亮度而变化，并且相应地，在图2的(子)像素发光时，位于图2的(子)像素的初始化半导体层131d1、131d2和131d3中的一部分131d2附近的数据线171可根据时间而传送不同的电信号。
如果第三屏蔽层SD3不存在，并由此第二存储电容器板127不在布置有数据线171的-x方向上延伸，并且第二存储电容器板127的-x方向上的端部与第一存储电容器板125a的-x方向上的端部大致匹配，则寄生电容存在于数据线171与驱动TFT T1的驱动栅电极125a之间，并且相应地，驱动TFT T1的驱动栅电极125a的电势受在图2的(子)像素发光时由数据线171根据时间而传送的不同电信号的影响。由此，通过驱动TFT T1确定的有机发光器件OLED的亮度可变得不同于最初的强度，并由此，通过有机发光显示设备显示的图像的品质可能恶化。
然而，根据当前实施方式的有机发光显示设备，因为第三屏蔽层SD3存在于数据线171与驱动TFT T1的驱动栅电极125a之间，驱动TFT T1的驱动栅电极125a可不受数据线171的影响或者可受数据线171很小的影响，并由此，有机发光显示设备可能够显示具有更精确的亮度和相对较高品质的图像。例如，如果第三屏蔽层SD3为第二存储电容器板127的一部分，则第二存储电容器板127经由接触孔168耦合至一直具有恒定电势的驱动电压线172，并由此，第三屏蔽层SD3也可一直具有恒定电势。相应地，可减小相邻的电信号在驱动TFT T1的驱动栅电极125a上的影响。
当然，第三屏蔽层SD3不仅可以布置在数据线171与驱动栅电极125a之间，而且还可如图10中所示在数据线171下方延伸。相应地，驱动TFT T1的驱动栅电极125a可进一步被屏蔽。
在上文中，有机发光显示设备可包括第一屏蔽层SD1、第二屏蔽层SD2和第三屏蔽层SD3，但是可选地，有机发光显示设备可包括第一屏蔽层SD1至第三屏蔽层SD3中的仅一些。换言之，有机发光显示设备可包括第一屏蔽层SD1至第三屏蔽层SD3中的至少任一个。
在上面的实施方式中，补偿TFT T3和初始化TFT T4包括双栅电极。然而，实施方式并不限于此，即使补偿TFT T3和初始化TFT T4包括单栅电极，有机发光显示设备也可包括布置在数据线171与补偿TFT T3和/或初始化TFT T4的一部分之间的第一屏蔽层SD1或第二屏蔽层SD2。
与此同时，如图2和图5中所示的第一屏蔽层SD1至第三屏蔽层SD3中的所有被包括在第二栅极布线中，但是实施方式并不限于此。换言之，第一屏蔽层SD1至第三屏蔽层SD3可为第二存储电容器板127的一部分或者初始化电压线124的一部分。
图11是示出根据本发明另一实施方式的有机发光显示设备的(子)像素中的多个TFT和电容器的位置的示意图，并且图12是沿图11的线XII-XII取得的剖视图。图2的有机发光显示设备与图11的有机发光显示设备之间的差异在于先前扫描线122、初始化电压线124(在图11和图12中未示出)和初始化TFT T4的形状。
参照图11和图12，初始化电压线(在图11和图12中未示出)可布置在与第二存储电容器板127相同的层中，或者与像素电极相同的层中。初始化电压线可经由接触孔162耦合至初始化TFT T4的初始化源电极176d。如参照图2在上面所述的那样，初始化TFT T4的初始化漏电极177d电耦合至补偿TFT T3的补偿漏电极177c以及驱动TFT T1的驱动栅电极125a。
可与驱动栅电极125a、扫描线121和发射控制线123布置在相同的层中的先前扫描线122可包括与初始化TFT T4的位置相对应的两个突出部。此处，两个突出部可为初始化TFT T4的第一栅电极125d1和第二栅电极125d2。第二栅电极125d2的至少一部分可为第二屏蔽层SD2。
双栅电极可具有与半导体层重叠的两个部分。例如，参照图11，初始化TFT T4的第二栅电极125d2可为先前扫描线122中沿着x轴线延伸的一部分，而不需要从先前扫描线122突出，并且与初始化源电极176d附近的半导体层交叉的、第一栅电极125d1的-x方向上的部分125d2’可操作作为第二栅电极。然而，在这种情况下，与部分125d2’相对应的半导体层的一部分与对应于第一栅电极125d1的半导体层的一部分之间的部分布置成与数据线171相邻，并且不被屏蔽，并由此，可受数据线171影响。
然而，根据一些实施方式的有机发光显示设备，先前扫描线122包括两个突出部，其中，突出部中的一个操作作为第一栅电极125d1并且突出部中的另一个从先前扫描线122的部分125d2’突出，并且操作作为第二栅电极125d2。此处，第二栅电极125d2将半导体层中与部分125d2’相对应的一部分和半导体层中与第一栅电极125d1相对应的一部分之间的部分与数据线171屏蔽，并由此，可有效地阻断或减小初始化TFT T4的来自数据线171的非预期的影响。
根据具有这种结构的初始化TFT T4，初始化TFT T4包括第一栅电极125d1和第二栅电极125d2，并且第一栅电极125d1和第二栅电极125d2中的至少任一个部分地布置在作为初始化TFT T4的第一栅电极125d1与第二栅电极125d2之间的一部分的半导体层131d2与数据线171之间。在图11和图12中，第二栅电极125d2至少部分地布置在作为初始化TFT T4的第一栅电极125d1与第二栅电极125d2之间的一部分的半导体层131d2与数据线171之间，并由此，半导体层131d2被与数据线171屏蔽。换言之，第二栅电极125d2被示出为第二屏蔽层SD2。此处，第二栅电极125d2不仅可被如图11和图12中所示的布置在数据线171与半导体层131d2之间，而且还可在-x方向上在数据线171下方延伸。在图12中，数据线171布置在第二栅电极125d2上方，但是如果数据线171布置在半导体层131d2下方并且第二栅电极125d2布置在数据线171与半导体层131d2之间，则第二栅电极125d2可在数据线171上方延伸。
由此，如参照图2、图5和图9在上面所述的第二屏蔽层SD2可形成为第二栅极布线，但是可选地如参照图11和图12所述可形成为第一栅极布线。除了第二屏蔽层SD2以外，如果也包括第一屏蔽层SD1或第三屏蔽层SD3，则第一屏蔽层SD1或第三屏蔽层SD3可形成为第一栅极布线。在这种情况下，第一屏蔽层SD1或第三屏蔽层SD3可不电耦合至第二存储电容器板127，但可具有岛型和电力浮动。
在上文中，描述了将驱动TFT T1、补偿TFT T3和初始化TFT T4中的部分与数据线171屏蔽，但是实施方式并不限于此。换言之，如果有机发光显示设备的(子)像素的TFT位于数据线171附近，屏蔽层可布置在TFT的至少一部分与数据线171之间，以使得有机发光显示设备显示具有高品质的图像。屏蔽层可布置在数据线171与TFT的源电极之间、数据线171与TFT的漏电极之间、以及数据线171与TFT的栅电极之间中的至少一处。
与此同时，在上文中，描述了屏蔽层布置在TFT的一部分与数据线之间，但是实施方式并不限于此。例如，有机发光显示设备可包括TFT、控制信号线、以及屏蔽层，其中，TFT包括源电极、漏电极和栅电极，控制信号线布置在不同于源电极、漏电极和栅电极的层中并且传送控制信号，屏蔽层布置在控制信号线与TFT的至少一部分之间。此处，控制信号线可为上述的多个信号线中的至少任一个。换言之，控制信号线可为扫描线121、先前扫描线122、发射控制线123、数据线171、驱动电压线172、或初始化电压线124。屏蔽层可将TFT的至少一部分与控制信号线屏蔽，以阻断或减小从控制信号线传送过来的控制信号在TFT上的影响。
本发明的实施方式并不限于有机发光显示设备。只要是在(子)像素中包括TFT和数据线的显示设备以上述的相同或相似的方式具有屏蔽层，则可显示具有高品质的图像。
如上所述，根据本发明的一个或多个实施方式，可实现能够防止所显示图像的品质恶化的显示设备。
虽然已参照附图描述了本发明的一个或多个实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解，在不背离如通过随附的权利要求书及其等同物所限定的本发明的精神和范围的情况下，可对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (9)

1.显示设备，包括：
第一薄膜晶体管，包括第一半导体，所述第一半导体包括源区、漏区以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；
第一电极层，位于所述第一半导体上方并且与所述第一半导体的所述沟道区重叠；
第二电极层，位于所述第一电极层上方，所述第二电极层的一部分与所述第一电极层重叠；
数据线，位于所述第二电极层上方；
第四薄膜晶体管，包括第四半导体，所述第四半导体的一端连接至所述第一电极层，且所述第四半导体的另一端连接至初始化电压线；
第二屏蔽层，位于所述数据线和所述第四半导体之间的层中并且与所述第四半导体的一部分重叠；以及
第三屏蔽层，位于所述数据线和所述第一半导体之间的层中并且与所述第一半导体的所述源区和所述漏区之一的一部分重叠。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二屏蔽层和所述第三屏蔽层是电屏蔽层。
3.如权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第四薄膜晶体管的栅电极包括位于同一层中的第一栅电极和第二栅电极并且与所述第四半导体重叠，以及
其中，所述第二屏蔽层是所述初始化电压线的一部分并且与位于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的所述第四半导体的一部分重叠。
4.如权利要求3所述的显示设备，
其中，所述第四薄膜晶体管的所述栅电极是与所述数据线交叉的扫描线的一部分且位于与所述第一电极层相同的层中。
5.显示设备，包括：
第一薄膜晶体管，包括第一半导体，所述第一半导体包括源区、漏区以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；
第一电极层，位于所述第一半导体上方并且与所述第一半导体的所述沟道区重叠；
第二电极层，位于所述第一电极层上方，所述第二电极层的一部分与所述第一电极层重叠；
数据线，位于所述第二电极层上方；
第四薄膜晶体管，包括第四半导体，所述第四半导体的一端连接至所述第一电极层，且所述第四半导体的另一端连接至初始化电压线；以及
第二屏蔽层，位于所述数据线和所述第四半导体之间的层中并且与所述第四半导体的第一沟道区和第二沟道区之间的部分重叠；以及
第三屏蔽层，位于所述数据线与所述第一半导体之间的层中并且与所述第一半导体的所述源区和所述漏区之一的一部分重叠。
6.如权利要求5所述的显示设备，其中，所述第二屏蔽层和所述第三屏蔽层是电屏蔽层。
7.如权利要求5所述的显示设备，
其中，所述第二屏蔽层是所述初始化电压线的一部分。
8.如权利要求5所述的显示设备，
其中，所述第四薄膜晶体管的栅电极包括位于同一层中的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极与所述第四半导体的所述第一沟道区重叠，且所述第二栅电极与所述第四半导体的所述第二沟道区重叠，以及
其中，所述第四薄膜晶体管的所述栅电极是与所述数据线交叉的扫描线的一部分且位于与所述第一电极层相同的层中。
9.如权利要求5所述的显示设备，还包括：
连接线，连接所述第四半导体的所述一端和所述第一电极层，并且位于与所述数据线相同的层中。
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