KR20050066673A - 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 제 1 기판 상에 형성된 다수 개의 게이트 배선, 데이터 배선, 파워 배선과;상기 게이트 배선과 데이터 배선에서 인가되는 전압을 제어하는 스위칭용 박막트랜지스터와;상기 스위칭용 박막트랜지스터 및 상기 파워 배선에서 인가되는 전압을 이용하여 발광 휘도를 조절하며, 환(環)형상의 캐리어(carrier) 이동통로인 채널(channel)을 가지는 구동용 박막트랜지스터와;상기 구동용 박막트랜지스터의 환 형상 내부에 위치하며, 상기 구동용 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되고 일정 두께를 가지는 전기적 연결패턴과;상기 제 1 기판과 대향되는 제 2 기판 하부에 형성되며, 상기 전기적 연결패턴과 연결되는 유기전계발광 다이오드 소자를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 구동용 박막트랜지스터를 포함하는 어레이 소자와, 상기 구동용 박막트랜지스터와 연결되는 전기적 연결패턴이 형성된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향되게 배치되는 제 2 기판과, 상기 제 2 기판 하부에 위치하며, 상기 전기적 연결패턴과 연결되는 유기전계발광 다이오드 소자를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판에 있어서,기판 상에 형성된 다수 개의 게이트 배선, 데이터 배선, 파워 배선과;상기 게이트 배선과 데이터 배선에서 인가되는 전압을 제어하는 스위칭용 박막트랜지스터와;상기 스위칭용 박막트랜지스터 및 상기 파워 배선에서 인가되는 전압을 이용하여 발광 휘도를 조절하며, 환(環)형상의 캐리어(carrier) 이동통로인 채널(channel)을 가지는 구동용 박막트랜지스터와;상기 구동용 박막트랜지스터의 채널 내부 영역에 위치하며, 상기 구동용 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되고 일정 두께를 가지는 전기적 연결패턴을 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 구동용 박막트랜지스터를 포함하는 어레이 소자와, 상기 구동용 박막트랜지스터와 연결되는 전기적 연결패턴이 형성된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향되게 배치되는 제 2 기판과, 상기 제 2 기판 하부에 위치하며, 상기 전기적 연결패턴과 연결되는 유기전계발광 다이오드 소자를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판에 있어서,기판 상에 형성된 다수 개의 게이트 배선, 데이터 배선, 파워 배선과;상기 게이트 배선과 데이터 배선에서 인가되는 전압을 제어하는 스위칭용 박막트랜지스터와;상기 스위칭용 박막트랜지스터 및 상기 파워 배선에서 인가되는 전압을 이용하여 발광 휘도를 조절하며, U자형상의 채널을 포함하고 병렬 연결된 적어도 두 개이상의 박막트랜지스터로 이루어진 구동용 박막트랜지스터와;상기 구동용 박막트랜지스터의 채널 내부 영역에 위치하며, 상기 구동용 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되고 일정 두께를 가지는 전기적 연결패턴을 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 채널폭은 상기 환형상의 내측과 외측간의 중앙지점을 연결하는 둘레길이에 해당되고, 상기 채널길이는 상기 환형상의 폭에 해당되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 채널폭은 상기 환형상의 내측과 외측간의 중앙지점을 연결하는 둘레길이에 해당되고, 상기 채널길이는 상기 환형상의 폭에 해당되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 제 3 항에 있어서,상기 채널폭은 상기 U자형상의 내측과 외측간의 중앙지점을 연결하는 둘레길이에 해당되고, 상기 채널길이는 상기 U자형상의 폭에 해당되는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 제 2 항에 있어서,상기 구동용 박막트랜지스터는, 원형의 오픈부를 가지는 환(環)형상의 게이트 전극과;상기 게이트 전극을 덮는 영역에 형성된 반도체층과;상기 반도체층 상부에서, 상기 게이트 전극의 외측을 두르는 영역에 위치하며, 또 하나의 환형상을 가지는 소스 전극과;상기 소스 전극과 일정 간격을 유지하며, 상기 원형의 오픈부 영역 내 형성된 원형 구조의 드레인 전극으로 이루어지는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 제 2 항에 있어서,상기 구동용 박막트랜지스터는, 원형의 오픈부를 가지는 환(環)형상의 게이트 전극과;상기 게이트 전극을 덮는 영역에 형성된 반도체층과;상기 반도체층 상부에서, 상기 게이트 전극의 외측을 두르는 영역에 위치하는 또 하나의 환형상을 가지며, 상기 게이트 전극 영역을 일부 노출시키는 오목부를 가지는 소스 전극과;상기 소스 전극과 일정 간격을 유지하며, 상기 원형의 오픈부 영역 내 형성되고, 상기 소스 전극의 오목부와 마주대하는 위치에서, 상기 게이트 전극 영역을 일부 노출시키는 또 하나의 오목부를 가지는 원형 구조의 드레인 전극으로 이루어지고, 상기 오목부를 경계로 하여 다수 개의 병렬로 연결된 박막트랜지스터로 이루어지는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 제 3 항에 있어서,상기 구동용 박막트랜지스터는, 서로 이격되게 위치하는 반원형의 오목부를 가지는 곡선구조 W형상의 게이트 전극과;상기 게이트 전극을 덮는 영역에 형성된 반도체층과;상기 반도체층 상부에서, 상기 게이트 전극의 외측과, 상기 반원형 오목부 간 게이트 전극 영역의 중앙부와 중첩되게 형성된 또 하나의 곡선구조 W형상의 소스 전극과;상기 소스 전극과 일정 간격을 유지하며, 상기 반원형의 오목부 영역 내 각각 형성되는 제 1, 2 드레인 전극으로 이루어지는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 스위칭 박막트랜지스터 및 구동용 박막트랜지스터는 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극으로 이루어지고, 상기 반도체층은 비정질 실리콘 물질 또는 마이크로 결정화 물질 중 어느 하나에서 선택되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 제 10 항에 있어서,상기 전기적 연결패턴은, 상기 드레인 전극과 연결되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 제 11 항에 있어서,상기 전기적 연결패턴은, 일정두께를 가지는 돌출 패턴과, 상기 돌출 패턴을 감싸는 구조로 상기 드레인 전극과 연결되는 연결 전극으로 구성되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 제 10 항에 있어서,상기 소스 전극과 드레인 전극은, 상기 게이트 전극의 측면부와 일정간격 중첩되게 위치하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 환형상 및 원형 구조는 타원형 구조를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판.
- 제 1 기판 상에 다수 개의 게이트 배선, 데이터 배선, 파워 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 데이터 배선에서 인가되는 전압을 제어하는 스위칭용 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 스위칭용 박막트랜지스터 및 상기 파워 배선에서 인가되는 전압을 이용하여 발광 휘도를 조절하며, 환형상의 채널을 가지는 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 구동 박막트랜지스터의 환형상 내에, 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되며, 일정 두께를 가지는 전기적 연결패턴을 형성하는 단계와;상기 제 1 기판과 대향되게 배치되며, 상기 전기적 연결패턴과 연결되는 유기전계발광 다이오드 소자를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 채널폭은 상기 환형상의 내측과 외측간의 중앙지점을 연결하는 둘레길이에 해당되고, 상기 채널길이는 상기 환형상의 폭에 해당되는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 구동용 박막트랜지스터를 포함하는 어레이 소자와, 상기 구동용 박막트랜지스터와 연결되는 전기적 연결패턴이 형성된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향되게 배치되는 제 2 기판과, 상기 제 2 기판 하부에 위치하며, 상기 전기적 연결패턴과 연결되는 유기전계발광 다이오드 소자를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판의 제조방법에 있어서,제 1 기판 상에 다수 개의 게이트 배선, 데이터 배선, 파워 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 데이터 배선에서 인가되는 전압을 제어하는 스위칭용 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 스위칭용 박막트랜지스터 및 상기 파워 배선에서 인가되는 전압을 이용하여 발광 휘도를 조절하며, 환형상의 채널을 가지는 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 구동 박막트랜지스터의 환형상 내에, 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되며, 일정 두께를 가지는 전기적 연결패턴을 형성하는 단계와;상기 제 1 기판과 대향되게 배치되며, 상기 전기적 연결패턴과 연결되는 유기전계발광 다이오드 소자를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 채널폭은 상기 환형상의 내측과 외측간의 중앙지점을 연결하는 둘레길이에 해당되고, 상기 채널길이는 상기 환형상의 폭에 해당되는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판의 제조방법.
- 구동용 박막트랜지스터를 포함하는 어레이 소자와, 상기 구동용 박막트랜지스터와 연결되는 전기적 연결패턴이 형성된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향되게 배치되는 제 2 기판과, 상기 제 2 기판 하부에 위치하며, 상기 전기적 연결패턴과 연결되는 유기전계발광 다이오드 소자를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판의 제조방법에 있어서,제 1 기판 상에 다수 개의 게이트 배선, 데이터 배선, 파워 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 데이터 배선에서 인가되는 전압을 제어하는 스위칭용 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 스위칭용 박막트랜지스터 및 상기 파워 배선에서 인가되는 전압을 이용하여 발광 휘도를 조절하며, U자형의 채널을 적어도 두 개 이상 가지는 병렬 구조로 연결된 다수 개의 박막트랜지스터로 이루어진 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;상기 구동 박막트랜지스터의 U자 형상 내에, 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되며, 일정 두께를 가지는 전기적 연결패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 채널폭은 상기 환형상의 내측과 외측간의 중앙지점을 연결하는 둘레길이에 해당되고, 상기 채널길이는 상기 환형상의 폭에 해당되는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 구동용 박막트랜지스터를 형성하는 단계에서는,원형의 오픈부를 가지며 환형상을 가지는 게이트 전극과;상기 게이트 전극을 덮는 영역에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상부의 게이트 전극을 덮는 위치에 반도체층을 형성하는 단계와;상기 반도체층 상부의 게이트 전극의 외측을 두르는 영역에 또 하나의 환형상을 가지는 소스 전극과, 상기 원형의 오픈부 영역에 원형 구조 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 소스 전극과 드레인 전극 사이 구간에, 상기 반도체층의 순수 반도체 물질로 이루어지는 채널을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판의 제조방법.
- 제 16 항 또는 제 17 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 전기적 연결패턴을 형성하는 단계는, 상기 구동용 박막트랜지스터를 덮는 위치에 상기 드레인 전극을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀을 가지는 보호층을 형성하는 단계와;상기 보호층 상부의 드레인 전극 형성부에, 일정 두께를 갖는 돌출 패턴과, 상기 돌출 패턴을 감싸는 구조로 이루어지며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되는 연결 전극으로 이루어지는 전기적 연결패턴을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판의 제조방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 드레인 콘택홀을, 상기 돌출 패턴의 양쪽에 위치하는 제 1, 2 드레인 콘택홀로 이루어지는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 구동용 박막트랜지스터를 형성하는 단계는,원형의 오픈부를 가지며 환형상을 가지는 게이트 전극과;상기 게이트 전극을 덮는 영역에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상부의 게이트 전극을 덮는 위치에 반도체층을 형성하는 단계와;상기 반도체층 상부의 게이트 전극의 외측을 두르는 영역에 또 하나의 환형상을 가지고, 상기 게이트 전극 영역을 일부 노출시키는 오목부를 가지는 소스 전극과, 상기 원형의 오픈부 영역에 원형 구조를 가지며, 상기 소스 전극과 마주대하는 위치에서 상기 게이트 전극 영역을 노출시키는 또 하나의 오목부를 가지는 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 소스 전극과 드레인 전극 사이 구간에, 상기 오목부를 경계부로 하여 적어도 두 개이상의 채널을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판의 제조방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 구동용 박막트랜지스터를 형성하는 단계는,제 1 기판 상에, 서로 일정간격 이격되게 위치하는 반원형의 오픈부를 가지는 곡선구조 W형상으로 이루어진 게이트 전극과;상기 게이트 전극을 덮는 영역에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상부의 반원형 오픈부 영역을 포함하여 상기 게이트 전극을 덮는 위치에 반도체층을 형성하는 단계와;상기 반도체층 상부의 게이트 전극의 외측 및 상기 반원형 오픈부 간 게이트 전극 영역과 중첩되는 또 하나의 곡선구조 W형상을 가지는 소스 전극과, 상기 반원형 오픈부 영역에 각각 반원형 구조 제 1, 2 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 드레인 전극과 소스 전극 간의 이격 영역에 위치하는 제 1 채널과, 상기 제 2 드레인 전극과 소스 전극 간 이격 영역에 위치하는 제 2 채널을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 기판의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 유기전계발광 다이오드 소자를 형성하는 단계는,상기 제 2 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 1 전극 상부의 비화소 영역에 역테이퍼 구조로 일정 두께를 갖는 격벽을 형성하는 단계와;상기 격벽에 의해 자동 패터닝되어, 화면을 구현하는 최소 단위인 화소 영역별로 분리된 구조를 가지는 유기발광층 및 제 2 전극을 차례대로 형성하는 단계를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법.
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