CN109075038B - 成膜装置 - Google Patents

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Abstract

提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。

Description

成膜装置
技术领域
本发明涉及成膜装置。
背景技术
在从基板的上方供给Si原料气体、C原料气体而外延生长出SiC膜的成膜装置中，若在向反应室内导入前使Si原料气体与C原料气体混合，则会有如下问题：在导入部、壁面发生反应而附着沉积物，而成为颗粒源。
因此，为了在反应室内混合，而提出了将Si原料气体、C原料气体分别从分离的多个配管向反应室供给的成膜装置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015－5658号公报
发明要解决的课题
但是，在上述的构造中从分离的配管供给的气体可能会再次蔓延到配管，而在配管的导入口附着沉积物。因此，本发明人们发现了，将原料气体的供给管设为由内侧导管和外侧导管构成的双层管构造，从内侧导管供给Si原料气体、C原料气体，并从内侧导管与外侧导管之间供给净化气体，由此能够抑制气体的蔓延。
由于设置配管的气体供给部在SiC等的高温过程中也会变得高温，因此配管需要使用用SiC等进行了涂层的碳等的耐热性高的材料。但是，在采用这种双层管构造时，为了抑制由热膨胀导致的变形，必须设为具有某程度的游隙的分离的构造。因此，难以维持内侧导管与外侧导管的位置精度。并且，在由于位置偏离从而形成了内侧导管与外侧导管互相接近的部位时，可能从该部位未充分供给净化气体，而发生沉积物的附着。并且，各导管的沉积物作为颗粒而落到基板上，从而存在使膜质恶化的问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。
用于解决课题的手段
本发明的一个方式的成膜装置，具备：反应室，在基板上进行反应；以及供给部，配置在反应室的上方，至少将第1气体以及第2气体供给到基板上，供给部具备：第1隔壁；第2隔壁，以规定间隔设置在第1隔壁的下部；第3隔壁，以规定间隔设置在第2隔壁的下部；第1流路，设置在被导入第1气体的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路，设置在被导入第2气体的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面或第2配管的内周面，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。
在上述的成膜装置中，可以是，凸部设置于第1配管的外周面，并朝向第2配管的内周面突出。
在上述的成膜装置中，可以是，凸部设置在比第1配管以及第2配管的下端靠上方。
在上述的成膜装置中，可以是，凸部具有在第1配管的中心轴方向上延伸的形状。
在上述的成膜装置中，可以是，凸部的下端具有锥形。
在上述的成膜装置中，可以是，凸部的径向的尺寸为，在由热导致的第1配管以及第2配管的变形后，凸部与第2配管的内周面不接触的尺寸。
在上述的成膜装置中，可以是，第1配管的下端位于与第2配管的下端相同的高度。
在上述的成膜装置中，可以是，凸部在第1配管的外周面在圆周方向上等相位地设置有3个以上。
在上述的成膜装置中，可以是，第1配管具有随着趋向下方而内径渐增的锥形形状的下端部，第2配管具有直线形状。
在上述的成膜装置中，可以是，第1配管以及第2配管具有随着趋向下方而内径渐增的锥形形状的下端部。
发明的效果
根据本发明，能够抑制气体的蔓延，能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生，能够防止形成的膜发生结晶缺陷。
附图说明
图1是表示第1实施方式的成膜装置的概略剖视图。
图2A是第1实施方式的第1内侧导管的剖视图，图2B是图2A的第1内侧导管的仰视图。
图3是第1实施方式的第2内侧导管的剖视图。
图4是第2实施方式的双层管构造的导管的剖视图。
图5是第3实施方式的双层管构造的导管的剖视图。
图6是表示第4实施方式的成膜装置的概略剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明涉及的实施方式进行说明。实施方式并不对本发明进行限定。
(第1实施方式)
图1是第1实施方式的成膜装置1的概略剖视图。图1的成膜装置1能够用于在作为基板的一例的SiC基板2上进行作为成膜处理的一例的SiC膜的外延生长。如图1所示，成膜装置1具备作为成膜室的一例的腔室3及供给部4。另外，成膜装置1具备旋转部51及气体排出部6。
腔室3通过SUS等的金属形成为中空。腔室3例如具有大致圆筒形状。在保持为常压或减压的腔室3内，对SiC基板2上进行外延生长。
供给部4配置在腔室3的上部。供给部4从腔室3的外部向腔室3的内部导入原料气体，并将所导入的原料气体向位于供给部4的D11方向(以下，记为下方)的SiC基板2上供给。供给部4的具体的构成后述。
旋转部51配置在供给部4的下部的反应室33内。旋转部51载置基座(susceptor)51a并旋转。在基座51a上载置SiC基板2。在旋转部51的内部配置加热机构52。旋转部51与向下方延伸的管状的支承轴51b连接，支承轴51b与未图示的旋转机构连结。通过旋转机构，经由旋转部51来旋转基座51a。加热机构52通过例如电阻加热加热器等构成。加热机构52与在支承轴51b的内部通过的未图示的布线连接。加热机构52通过从布线被馈电而经由基座51a将SiC基板2从其背面加热。
旋转部51在通过加热机构52对载置于基座51a上的SiC基板2加热的同时旋转。被供给到被加热后的SiC基板2上的原料气体，在SiC基板2的表面或其附近进行热分解反应以及氢还原反应。由此，在SiC基板2上外延生长出SiC膜。另外，SiC基板2旋转，从而能够使SiC膜的生长速度在SiC基板2的面内均匀化。由此，能够提高SiC基板2的面内的SiC膜的膜厚的均匀性(以下，也称为面内均匀性)。
气体排出部6被设置于比基座51a靠下方例如腔室3的侧壁31。气体排出部6将反应副生成物、通过SiC基板2后的未反应气体等排出。另外，能够通过未图示的泵从气体排出部6进行真空吸引，能够适当调整腔室3内的气氛压力。
(供给部4)
接下来，对供给部4的具体的构成例进行说明。
如图1所示，供给部4具有作为隔壁的一例的腔室3的上壁32以及第1～第4气体隔板401～404、作为第1配管的一例的第1、第2内侧导管411、412、作为第2配管的一例的第1、第2外侧导管421、422。为了能够耐受高温的反应过程，它们通过例如被进行了SiC涂层的碳来形成。
(气体隔板401～404)
第1～第4气体隔板401～404从腔室3的上壁32起向下方依次以规定的间隔配置。并且，在第1～第4气体隔板401～404与腔室3的上壁32各自之间设置独立的气体的流路。
具体而言，在作为第1隔壁的一例的腔室3的上壁32与作为第2隔壁的一例的第1气体隔板401之间，设置有作为第1流路的一例的第1导入通路431。第1导入通路431导入含有Si的Si类原料气体。在第1导入通路431的上游端的腔室3的侧壁31，设置有与第1导入通路431连通的第1导入口441。在第1导入口441，连接有未图示的Si类原料气体的气体源。另外，通过未图示的流量调整机构，调整从气体源对第1导入口441供给的Si类原料气体的流量。作为Si类原料气体，除了能够使用例如硅烷(SiH4)作为硅烷类气体以外，也能够使用SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4等的含氯的气体。另外，作为Si类原料气体，可以使用对硅烷添加了HCl的气体。
另外，在第1气体隔板401与作为第3隔壁的一例的第2气体隔板402之间，设置有作为第2流路的一例的第2导入通路432。第2导入通路432对腔室3内导入原料气体的混合抑制用的净化气体。在第2导入通路432的上游端的腔室3的侧壁31，设置有与第2导入通路432连通的第2导入口442。在第2导入口442，连接有未图示的净化气体的气体源。另外，通过未图示的流量调整机构，来调整从气体源对第2导入口442供给的净化气体的流量。作为净化气体，除了能够使用例如H2以外，还能够使用Ar、He等的惰性气体即稀有气体。
另外，在也作为第1隔壁的一例的第2气体隔板402与作为第2隔壁的一例的第3气体隔板403之间，配置有作为第1流路的一例的第3导入通路433。第3导入通路433对腔室3内导入C类原料气体。在第3导入通路433的上游端的腔室3的侧壁31，设置有与第3导入通路433连通的第3导入口443。在第3导入口443，连接有未图示的C类原料气体的气体源。另外，通过未图示的流量调整机构，调整从气体源对第3导入口443供给的C类原料气体的流量。作为C类原料气体，能够使用例如丙烷(C3H8)等。
另外，在第3气体隔板403与作为第3隔壁的一例的第4气体隔板404之间，配置有作为第2流路的一例的第4导入通路434。第4导入通路434对腔室3内导入原料气体的混合抑制用的净化气体。在第4导入通路434的上游端的腔室3的侧壁31，配置有与第4导入通路434连通的第4导入口444。在第4导入口444连接有未图示的净化气体的气体源。另外，通过未图示的流量调整机构，调整从气体源对第4导入口444供给的净化气体的流量。
另外，第2导入通路432以及第4导入通路434除了导入净化气体以外，还可以导入用于控制SiC膜的导电型的杂质掺杂气体。在将SiC膜的导电型设为n型的情况下，能够使用例如N2作为杂质掺杂气体。在将SiC膜的导电型设为p型的情况下，能够使用例如TMA(三甲基铝)作为杂质掺杂气体。
(导管411、412、421、422)
第1内侧导管411具有在D1方向(以下，记为铅垂方向)上延伸的大致圆筒形状。第1内侧导管411配置于将第1导入通路431与第1导入通路431的下方D11的第2导入通路432隔开的第1气体隔板401。第1内侧导管411与第1导入通路431连通，从第1气体隔板401一直到第4气体隔板404的下方。具体而言，在第1内侧导管411的上端，设置有圆环状的凸缘411a。另外，在与第1内侧导管411对应的第1～第4气体隔板401～404，设置有贯通孔401a～404a。第1内侧导管411以从D12方向(以下，记为上方)使凸缘411a与贯通孔401a的内周缘部抵接的状态，从第1气体隔板401在贯通孔402a～404a通过，贯通第2导入通路432、第2气体隔板402、第3导入通路403、第3气体隔板403及第4导入通路434，并一直到达第4气体隔板404的下方。
第1外侧导管421具有在铅垂方向上延伸的大致圆筒形状。第1外侧导管421比第1内侧导管411短。另外，第1外侧导管421的内径比第1内侧导管411的外径大。第1外侧导管421以包围第1内侧导管411的方式配置于将第2导入通路432与第3导入通路433隔开的第2气体隔板402。第1外侧导管421与第2导入通路432连通，从第2气体隔板402一直到第4气体隔板404的下方。具体而言，在第1外侧导管421的上端设置有圆环状的凸缘421a。第1外侧导管421以从上方使凸缘421a与贯通孔402a的内周缘部抵接的状态下，从第2气体隔板402通过贯通孔403a、404a，贯通第3导入通路433、第3隔板403、第4导入通路434，并一直到达第4气体隔板404的下方。第1外侧导管421的下端位于与第1内侧导管411的下端相同的高度。
通过这种构成，能够用从第1外侧导管421与第1内侧导管411之间向下方供给的净化气体从周围将从第1内侧导管411从下方供给的Si类原料气体屏蔽。由此，能够抑制Si类原料气体的蔓延。
第2内侧导管412具有在铅垂方向上延伸的大致圆筒形状。第2内侧导管412比第1外侧导管421短。第2内侧导管412配置于将第3导入通路433与第3导入通路433的下方的第4导入通路434隔开的第3气体隔板403。第2内侧导管412与第3导入通路433连通，从第3气体隔板403一直到第4气体隔板404的下方。具体而言，在第2内侧导管412的上端，设置有圆环状的凸缘412a。另外，在与第2内侧导管412对应的第3、第4气体隔板403、404上设置有贯通孔403b、404b。第2内侧导管412以从上方使凸缘412a与贯通孔403b的内周缘部抵接的状态，从第3气体隔板403通过贯通孔404b，贯通第4导入通路434，并一直到第4气体隔板404的下方。第2内侧导管412的下端位于与第1内侧导管411的下端相同的高度。
第2外侧导管422具有在铅垂方向上延伸的大致圆筒形状。第2外侧导管422比第2内侧导管412短。另外，第2外侧导管422的内径比第2内侧导管412的外径大。第2外侧导管422以包围第2内侧导管412的方式配置于将第4导入通路434与第4导入通路434的下方的反应室33隔开的第4气体隔板404。第2外侧导管422与第4导入通路434连通，一直到第4气体隔板404的下方。具体而言，在第2外侧导管422的上端设置有圆环状的凸缘422a。第2外侧导管422设置为，在从上方使凸缘422a与贯通孔404b的内周缘部抵接的状态下，下端位于与第1内侧导管411的下端相同的高度。
通过这种构成，能够用从第2外侧导管422与第2内侧导管412之间向下方供给的净化气体从周围将从第2内侧导管412向下方供给的C类原料气体屏蔽。由此，能够抑制C类原料气体的蔓延。
第1内侧导管411以及第1外侧导管421与第2内侧导管412以及第2外侧导管422，在D2方向(以下，记为水平方向)上适当设置间隔而配置。
(引导部411b、412b)
图2A是第1实施方式的第1内侧导管411的剖视图，图2B是图2A的第1内侧导管411的仰视图。
在组装供给部4时，对第2气体隔板402设置了第1外侧导管421后，对第1气体隔板401设置第1内侧导管411。此时，对第1外侧导管421的内部插入第1内侧导管411。为了对第1内侧导管411相对于第1外侧导管421的插入以及定位进行引导，而设置有如图1、图2A以及图2B所示的第1引导部411b。
第1引导部411b设置于第1内侧导管411的外周面411c，从外周面411c朝向第1外侧导管421的内周面421b突出。即，如图2A所示，第1引导部411b在第1内侧导管411的D21方向上(以下，记为径向外侧)突出。第1引导部411b设置于第1内侧导管411，从而与将第1引导部411b设置于第1外侧导管421的情况相比较，能够容易地形成第1引导部411b。
另外，第1引导部411b具有在第1内侧导管411的中心轴方向即铅垂方向上延伸的翅片形状。由此，能够避免第1引导部411b妨碍Si类原料气体的流动。另外，第1引导部411b如图2B所示，能够使用径向的截面具有矩形状的部件。第1引导部411b的径向的截面可以是三角形状，另外径向外侧的端部可以是带有圆角的形状。
另外，第1引导部411b设置于比第1内侧导管411以及第1外侧导管421的下端靠上方。由此，能够在距供给部4的下方的反应空间33较远的位置配置第1引导部411b，所以能够抑制在第1引导部411b产生由原料气体导致的沉积物。
另外，如图2A所示，第1引导部411b的下端411b1，在径向外侧具有锥形。由此，能够将第1内侧导管411容易地向第1外侧导管421插入。
在图2B的例子中，第1引导部411b在第1内侧导管411的外周面的411c的D3方向(圆周方向)上等相位地配置在4个地方。第1引导部411b需要设置多个，优选将3处以上大致等相位地设置，另外，在不妨碍Si类原料气体的流动的限度内可以设置为5处以上。通过设置3处以上第1引导部411b，从而第1内侧导管411能够全方位在其与第1外侧导管421之间确保间隙G(参照图1)。
第1引导部411b的径向的尺寸希望为，在由成膜时的加热器热导致的第1内侧导管411以及第1外侧导管421的变形后，第1引导部411b与第1外侧导管421的内周面421b不接触的尺寸。
根据第1引导部411b，通过对第1内侧导管411相对于第1外侧导管421的插入以及定位进行引导，从而能够使第1内侧导管411的中心轴A1与第1外侧导管421的中心轴几乎一致。即，通过第1引导部411b，能够提高第1内侧导管411的位置精度。由此，能够在第1内侧导管411与第1外侧导管421之间确保间隙G。通过确保间隙G，从而能够避免在组装时第1内侧导管411与第1外侧导管421接触。
图3是第1实施方式的第2内侧导管412的剖视图。
在组装供给部4时，在对第3气体隔板403的下方的第4气体隔板404设置了第2外侧导管422后，对第3气体隔板403设置第2内侧导管412。此时，对第2外侧导管422的内部插入第2内侧导管412。为了对第2内侧导管412相对于第2外侧导管422的插入以及定位进行引导，而设置有图1以及图3所示的第2引导部412b。
第2引导部412b是从第2内侧导管412以及第2外侧导管422的一方朝向另一方突出的凸部的一例。
第2引导部412b设置在第2内侧导管412的外周面412c，从外周面412c朝向第2外侧导管422的内周面422b突出。第2引导部412b设置于第2内侧导管412，从而与将第2引导部412b设置于第2外侧导管422的情况相比较，能够容易地形成第2引导部412b。
另外，第2引导部412b具有在第2内侧导管412的中心轴方向即铅垂方向上延伸的翅片形状。由此，能够避免第2引导部412b妨碍C类原料气体的流动。第2引导部412b的径向的截面形状可以与第1引导部411b是同样的。
另外，第2引导部412b设置于比第2内侧导管412以及第2外侧导管422的下端靠上方。由此，能够在距供给部4的下方的反应空间33较远的位置配置第2引导部412b，所以能够抑制第2引导部412b发生由原料气体导致的沉积物。
另外，如图3所示，第2引导部412b的下端412b1在径向外侧具有锥形。由此，能够将第2内侧导管412容易地向第2外侧导管422插入。
第2引导部412b与第1引导部411b同样地、在第2内侧导管412的外周面的412c的圆周方向上隔着等间隔地配置有4个。第2引导部412b的个数，可以是3个，另外在不妨碍C类原料气体的流动的限度内可以为5个以上。通过将第2引导部412b设置3个以上，第2内侧导管412能够全方位在其与第2外侧导管422之间确保间隙G。
第2引导部412b的径向的尺寸希望为，在由热导致的第2内侧导管412以及第2外侧导管422的变形后，第2引导部412b与第2外侧导管422的内周面422b不接触的尺寸。
根据第2引导部412b，通过对第2内侧导管412相对于第2外侧导管422的插入以及定位进行引导，能够使第2内侧导管412的中心轴A2与第2外侧导管422的中心轴几乎一致。即，根据第2引导部412b，能够提高第2内侧导管412的位置精度。由此，能够在第2内侧导管412与第2外侧导管422之间确保间隙G。通过确保间隙G，能够避免在组装时第2内侧导管412与第2外侧导管422接触。
另外，第1引导部411b、第2引导部412b可以分别从外侧导管的内周面朝向内侧导管的外周面突出，能够获得同样的效果。
另外，在图1中，导管411、412、421、422分别配置有多根。图1所示的导管411、412、421、422的根数不过是一例，并不是限定。实际上，也可以配置比图1所示的更多的导管411、412、421、422。另外，导管411、412、421、422不仅可以在径向，也可以还在气体隔板401～404的圆周方向上隔着间隔而配置。
(成膜方法)
接下来，作为如以上那样构成的第1实施方式的成膜装置1的动作例，对SiC膜的成膜方法进行说明。
首先，在基座51a上，载置通过n型或者p型的SiC单结晶构成的SiC基板2，通过气体排出部6对反应室33内进行真空吸引而设为所期望的压力。另外，通过使加热机构52发热，从而将SiC基板2加热到例如1600℃前后。另外，用旋转机构经由旋转部51使基座51a以及SiC基板2旋转，从而不受加热机构52的圆周方向的发热分布的影响，而谋求SiC基板2的面内的温度分布的均匀化。
接着，通过第1～第4导入口441～444向腔室3内导入Si类原料气体、净化气体、C类原料气体。各气体，通过第1～第4导入通路431～434被导入到反应室33内后，通过导管411、412、421、422被供给至SiC基板2上。
此时，从第1内侧导管411供给的Si类原料气体，被从第1外侧导管421供给的净化气体屏蔽。通过被屏蔽，Si类原料气体的蔓延得以抑制。由此，能够抑制到达SiC基板2上前的Si类原料气体与C类原料气体的反应。另外，从第2内侧导管412供给的C类原料气体，被从第2外侧导管422供给的净化气体屏蔽。通过被屏蔽，C类原料气体的蔓延得以抑制。由此，能够进一步抑制到达SiC基板2上前的Si类原料气体与C类原料气体的反应。
通过供给到SiC基板2上的原料气体，在SiC基板2的表面外延生长出SiC膜。
这里，如已叙述那样，气体隔板401～404、内侧导管411、412以及外侧导管421、422，通过例如进行了SiC涂层的碳而形成，以能够耐受高温的反应过程。SiC与碳的热膨胀率不同，从而气体隔板401～404、内侧导管411、412以及外侧导管421、422，在制作它们的时间点可能发生翘曲等的变形。因此，难以确保气体隔板401～404、内侧导管411、412以及外侧导管421、422的加工精度。由此，在对气体隔板401～404安装内侧导管411、412以及外侧导管421、422时，确保各导管411、412、421、422的位置精度也变得困难。并且，在反应时，气体隔板401～404、内侧导管411、412以及外侧导管421、422由于热而进一步变形，因此确保各导管411、412、421、422的位置精度变得更加困难。
在不设置引导部411b、412b的情况下，导管411、412、421、422的位置精度的确保是困难的，从而内侧导管411、412的中心轴A1、A2与外侧导管421、422的中心轴可能较大地偏离。由此，有时内侧导管411、412与外侧导管421、422会互相接触。并且，在内侧导管411、412与外侧导管421、422的接触位置产生了由原料气体引起的沉积物的情况下，内侧导管411、412与外侧导管421、422可能会通过沉积物而彼此粘合。若内侧导管411、412与外侧导管421、422被粘合，外侧导管421、422的流路的截面积会变得不均匀，因此难以以均匀的流量供给净化气体。由此，净化气体无法作为混合抑制气体而适当发挥功能，在内侧导管411、412以及外侧导管421、422的出口，由于Si类原料气体、C类原料气体的蔓延，由此容易在各导管411、412、421、422产生沉积物。并且，各导管411、412、421、422的沉积物作为颗粒而落到SiC基板2上，从而会产生SiC膜的结晶缺陷。
与此相对，在第1实施方式中，在将内侧导管411、412向外侧导管421、422插入时，通过引导部411b、412b能够对内侧导管411、412的中心轴A1、A2的定位进行引导。能够对定位进行引导，由此能够使内侧导管411、412的中心轴A1、A2与外侧导管421、422的中心轴几乎一致。能够使中心轴一致，所以能够在内侧导管411、412与外侧导管421、422之间可靠地确保间隙G。能够确保间隙G，从而能够避免内侧导管411、412与外侧导管421、422的接触。由此，能够防止在内侧导管411、412与外侧导管421、422的接触位置产生沉积物，能够避免由沉积物引起的SiC膜的结晶缺陷。
如以上所述那样，根据第1实施方式，通过引导部411b、412b能够防止内侧导管411、412与外侧导管421、422的接触，所以能够防止由于气体的蔓延而在内侧导管411、412与外侧导管421、422的接触位置产生沉积物。由此，能够防止由沉积物引起的结晶缺陷的发生。
(第2实施方式)
接下来，作为第2实施方式，对内侧导管411、412的下端部具有锥形形状的实施方式进行说明。另外，在第2实施方式中，对与已述的实施方式对应的构成部使用同一符号并省略重复的说明。
图4是第2实施方式的双层管构造的导管的剖视图。如图4所示，第2实施方式的内侧导管411、412具有锥形形状的下端部411d、412d。另一方面，外侧导管421、422是不具有与第1实施方式同样的锥形的直线形状。下端部411d、412d的锥形形状为，随着趋向原料气体的下流即下方D11，下端部411d、412d的内径即气体流路的截面积渐增的形状。
在第2实施方式中，第1内侧导管411的下端部411d具有锥形形状，从而能够以从第1内侧导管411向径向外侧稍微扩展的方式放出Si类原料气体。径向外侧成分的Si类原料气体的流动，对抗要从径向外侧向第1内侧导管411蔓延的C类原料气体的流动，所以能够抑制C类原料气体向第1内侧导管411蔓延。由此，能够抑制第1内侧导管411的下端部411d处的Si类原料气体与C类原料气体的混合，能够抑制对第1内侧导管411产生沉积物。
同样地，在第2实施方式中，第2内侧导管412的下端部412d具有锥形形状，从而能够以从第2内侧导管412向径向外侧稍微扩展的方式放出C类原料气体。径向外侧成分的C类原料气体的流动，对抗要从径向外侧向第2内侧导管412蔓延的Si类原料气体的流动，所以能够抑制Si类原料气体向第2内侧导管412蔓延。由此，能够抑制第2内侧导管412的下端部412d处的Si类原料气体与C类原料气体的混合，能够抑制对第2内侧导管412产生沉积物。
下端部411d、412d具有锥形形状，从而下端处的内侧导管411、412与外侧导管421、422的间隔变得比第1实施方式狭小。即，与第1实施方式相比，内侧导管411、412与外侧导管421、422变得容易接触。
然而，在第2实施方式中，与第1实施方式同样地设置有引导部411b、412b，所以在下端也能够在内侧导管411、412与外侧导管421、422之间可靠地确保间隙。
因此，根据第2实施方式，与第1实施方式同样地，能够有效地抑制对导管411、412、421、422产生沉积物。
(第3实施方式)
接下来，作为第3实施方式，对内侧导管411、412以及外侧导管421、422的双方的下端部具有锥形形状的实施方式进行说明。另外，在第3实施方式中，对于与已述的实施方式对应的构成部使用同一符号并省略重复的说明。
图5是第3实施方式的双层管构造的导管的剖视图。如图5所示，在第3实施方式中，除了第2实施方式的构成以外，外侧导管421、422还具备随着趋向下方而内径渐增的锥形形状的下端部421c、422c。
外侧导管421、422的下端部421c、422c的锥角，例如与内侧导管411、412的下端部411d、412d的锥角相同。也可以使外侧导管421、422的下端部421c、422c的锥角，与内侧导管411、412的下端部411d、412d的锥角不同。
在第3实施方式中，内侧导管411、412的下端部411d、412d和外侧导管421、422的下端部421c、422c这两方具有锥形形状，从而能够使原料气体的放出方向与净化气体的放出方向一致。由此，能够抑制乱流的发生，能够适当地将原料气体供给到SiC基板2上。
(第4实施方式)
接下来，作为第4实施方式，对具有三层管构造的导管的实施方式进行说明。另外，在第4实施方式中，对于与已述的实施方式对应的构成部使用同一符号并省略重复的说明。
图6是表示第4实施方式的成膜装置1的概略剖视图。如图6所示，第4实施方式的供给部4具有已述的实施方式中说明的第2内侧导管412包围第1外侧导管421的构成的三层管构造的导管。在以下的说明中，将第1外侧导管421称为中间导管421，将第2内侧导管412称为外侧导管412。
如图6所示，在第4实施方式中，在中间导管421的外周面421d，设置有朝向外侧导管412突出的第3引导部421e。
在第4实施方式中，通过第1引导部411b，能够避免第1内侧导管411与中间导管421的接触，并且，通过第3引导部421e，能够避免中间导管421与外侧导管412的接触。
因此，根据第4实施方式，与第1～第3实施方式同样地，能够抑制对导管411、412、421产生沉积物。
另外，如图6的虚线部所示那样，可以采用在第1～第3实施方式中说明的第2外侧导管422包围外侧导管412的构成的四层管构造的导管。在该情况下，只要在例如导管412的外周面设置朝向导管422的内周面突出的未图示的引导部即可。
在上述的实施方式中，作为凸部的一例，采用了翅片形状的引导部411b。凸部只要是能够在内侧导管411、412与外侧导管421、422之间确保间隙G的方式即可，不限定于翅片形状的部件。例如，凸部可以是从内侧导管411、412向径向外侧突出的柱状的部件。
另外，引导部可以在铅垂方向上隔着间隔配置有多个。
另外，为了提高热效率，可以在腔室3的上部设置将来自下方的热源的辐射反射的圆环状的反射器。在该情况下，导管411、412、421、422配置为贯通反射器。另外，也可以在供给部4与旋转部51之间的腔室3的侧壁31设置辅助加热器。
上述的实施方式，是作为例子提示的，无意限定发明的范围。实施方式能够以其他的各种各样的方式实施，在不脱离发明的宗旨的范围内，能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形，包含在发明的范围及宗旨中，同样包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围中
符号说明
1：成膜装置
2：SiC基板
3：腔室
32：上壁
4：供给部
401：第1气体隔板
402：第2气体隔板
403：第3气体隔板
404：第4气体隔板
411：第1内侧导管
411b：第1引导部
412：第2内侧导管
412b：第2引导部
421：第1外侧导管
422：第2外侧导管
431：第1导入通路
432：第2导入通路
433：第3导入通路
434：第4导入通路

Claims (9)

1.一种成膜装置，具备：
反应室，在基板上进行反应；以及
供给部，配置在上述反应室的上方，至少将第1气体以及第2气体供给到上述基板上，
上述供给部具有：
第1隔壁；
第2隔壁，以规定间隔设置在上述第1隔壁的下部；
第3隔壁，以规定间隔设置在上述第2隔壁的下部；
第1流路，供上述第1气体导入，设置在上述第1隔壁与上述第2隔壁之间；
第2流路，供上述第2气体导入，设置在上述第2隔壁与上述第3隔壁之间；
第1配管，从上述第2隔壁一直到上述第3隔壁的下方，与上述第1流路连通；
第2配管，设置为包围上述第1配管，从上述第3隔壁一直到上述第3隔壁的下方，与上述第2流路连通；以及
凸部，设置在上述第1配管的外周面或上述第2配管的内周面，从上述第1配管的外周面以及上述第2配管的内周面的一方朝向另一方突出，
上述凸部的下端与上述第1配管以及上述第2配管的下端相比在上方分离设置。
2.如权利要求1所述的成膜装置，其中，
上述凸部设置在上述第1配管的外周面，朝向上述第2配管的内周面突出。
3.如权利要求1或2所述的成膜装置，其中，
上述凸部具有在上述第1配管的中心轴方向上延伸的形状。
4.如权利要求3所述的成膜装置，其中，
上述凸部的下端具有锥形。
5.如权利要求2所述的成膜装置，其中，
上述凸部的径向的尺寸为，在由热导致的上述第1配管以及上述第2配管的变形后、上述凸部与上述第2配管的内周面不接触的尺寸。
6.如权利要求1或2所述的成膜装置，其中，
上述第1配管的下端位于与上述第2配管的下端相同的高度。
7.如权利要求1或2所述的成膜装置，其中，
上述凸部在上述第1配管的外周面在圆周方向上等相位地设置有3个以上。
8.如权利要求1或2所述的成膜装置，其中，
上述第1配管具有随着趋向下方而内径渐增的锥形形状的下端部，上述第2配管具有直线形状。
9.如权利要求1或2所述的成膜装置，其中，
上述第1配管以及上述第2配管具有随着趋向下方而内径渐增的锥形形状的下端部。
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