JP2017157678A - 成膜装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ガスの回り込みを抑え、堆積物の付着に起因するパーティクルの発生を抑制し、形成される膜の結晶欠陥の発生を防止できる成膜装置を提供する。【解決手段】供給部４は、第１隔壁３２と、第1隔壁の下部に所定間隔で設けられる第２隔壁４０１と、第２隔壁の下部に所定間隔で設けられる第３隔壁４０２と、第１ガスが導入される第1の隔壁と第２隔壁の間に設けられる第１流路４３１と、第２ガスが導入される第２隔壁と第３隔壁との間に設けられる第２流路４３２と、第２隔壁から第３隔壁の下方に至り、第1流路と連通する第１配管４１１と、第１配管を囲むように設けられ、第３隔壁から第３隔壁の下方に至り、第２流路と連通する第２配管４２１と、第１配管の外周面４１１ｃまたは第２配管の内周面４２１ｂに設けられ、第１配管の外周面および第２配管の内周面の一方から他方に向かって突出した凸部と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、成膜装置に関する。
Ｓｉ原料ガスやＣ原料ガスを基板の上方から供給してＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させる成膜装置において、反応室内への導入前にＳｉ原料ガスとＣ原料ガスを混合させると、導入部や壁面で反応して堆積物が付着し、パーティクル源となるという問題がある。
そこで、反応室内で混合されるように、Ｓｉ原料ガスやＣ原料ガスをそれぞれ分離した複数の配管から反応室に供給する成膜装置が提案されている。
特開２０１５−５６５８号公報
しかしながら、上述の構造では分離した配管から供給されたガスが配管に再度回り込み、配管の導入口に堆積物が付着するおそれがある。そこで、本発明者らは、原料ガスの供給管を内側パイプと外側パイプからなる二重管構造とし、内側パイプからＳｉ原料ガス、Ｃ原料ガスを供給し、内側パイプと外側パイプの間からパージガスを供給することにより、ガスの回り込みを抑えることができることを見出した。
ＳｉＣ等の高温プロセスでは配管が設けられるガス供給部も高温になるため、配管にＳｉＣでコートされたカーボンなどの耐熱性が高い材料を用いる必要がある。しかしながら、このような二重管構造とすると、熱膨張による変形を抑えるため、ある程度のあそびを有する分離した構造としなければならない。そのため、内側パイプと外側パイプとの位置精度を維持することが困難である。そして、位置がずれることで、内側パイプと外側パイプとが互いに近接する箇所ができると、その箇所からパージガスが十分供給されず、堆積物の付着が発生するおそれが生じる。そして、各パイプの堆積物がパーティクルとして基板上に落下することで、膜質を悪化させてしまうといった問題がある。
本発明の目的は、ガスの回り込みを抑え、堆積物の付着に起因するパーティクルの発生を抑制し、形成される膜の結晶欠陥の発生を防止することができる成膜装置を提供することにある。
本発明の一態様である成膜装置は、基板上に反応を行う反応室と、反応室の上方に配置され、基板上に少なくとも第１ガスおよび第２ガスを供給する供給部と、を備え、供給部は、第１隔壁と、第1隔壁の下部に所定間隔で設けられる第２隔壁と、第２隔壁の下部に所定間隔で設けられる第３隔壁と、第１ガスが導入される第1の隔壁と第２隔壁の間に設けられる第１流路と、第２ガスが導入される第２隔壁と第３隔壁との間に設けられる第２流路と、第２隔壁から第３隔壁の下方に至り、第1流路と連通する第１配管と、第１配管を囲むように設けられ、第３隔壁から第３隔壁の下方に至り、第２流路と連通する第２配管と、第１配管の外周面または第２配管の内周面に設けられ、第１配管の外周面および第２配管の内周面の一方から他方に向かって突出した凸部と、を備えるものである。
上述の成膜装置において、凸部は、第１配管の外周面に設けられ、第２配管の内周面に向かって突出していてもよい。
上述の成膜装置において、凸部は、第１配管および第２配管の下端より上方に設けられていてもよい。
上述の成膜装置において、凸部は、第１配管の中心軸方向に伸延した形状を有していてもよい。
上述の成膜装置において、凸部の下端は、テーパを有していてもよい。
本発明によれば、ガスの回り込みを抑え、堆積物の付着に起因するパーティクルの発生を抑制し、形成される膜の結晶欠陥の発生を防止することができる。
第１の実施形態による成膜装置を示す概略断面図である。 図２Ａは、第１の実施形態による第１内側パイプの断面図であり、図２Ｂは、図２Ａの第１内側パイプの下面図である。 第１の実施形態による第２内側パイプの断面図である。 第２の実施形態による二重管構造のパイプの断面図である。 第３の実施形態による二重管構造のパイプの断面図である。 第４の実施形態による成膜装置を示す概略断面図である。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。実施形態は、本発明を限定するものではない。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態による成膜装置１の概略断面図である。図１の成膜装置１は、基板の一例であるＳｉＣ基板２上に、成膜処理の一例であるＳｉＣ膜のエピタキシャル成長を行うために用いることができる。図１に示すように、成膜装置１は、成膜室の一例であるチャンバ３と、供給部４とを備える。また、成膜装置１は、回転部５１と、ガス排出部６とを備える。
チャンバ３は、ＳＵＳなどの金属によって中空に形成されている。チャンバ３は、例えば、略円筒形状を有している。常圧または減圧に保持されたチャンバ３内において、ＳｉＣ基板２上へのエピタキシャル成長が行われる。
供給部４は、チャンバ３の上部に配置されている。供給部４は、チャンバ３の外部からチャンバ３の内部に原料ガスを導入し、導入された原料ガスを供給部４のＤ１１方向（以下、下方と記す）に位置するＳｉＣ基板２上に供給する。供給部４の具体的な構成は後述する。
回転部５１は、供給部４の下部の反応室３３内に配置されている。回転部５１は、サセプタ５１ａを載置して回転する。サセプタ５１ａ上にＳｉＣ基板２が載置される。回転部５１の内部に加熱機構５２が配置される。回転部５１は、下方に延びる管状の支持軸５１ｂと接続され、支持軸５１ｂは、不図示の回転機構に連結されている。回転機構により、回転部５１を介してサセプタ５１ａが回転される。加熱機構５２は、例えば抵抗加熱ヒータなどで構成されている。加熱機構５２は、支持軸５１ｂの内部を通る不図示の配線に接続されている。加熱機構５２は、配線から給電されることで、ＳｉＣ基板２をサセプタ５１ａを介してその裏面から加熱する。
回転部５１は、サセプタ５１ａ上に載置されたＳｉＣ基板２を加熱機構５２で加熱しながら回転させる。加熱されたＳｉＣ基板２上に供給された原料ガスは、ＳｉＣ基板２の表面またはその近傍で熱分解反応および水素還元反応する。これにより、ＳｉＣ基板２上にＳｉＣ膜がエピタキシャル成長する。また、ＳｉＣ基板２が回転していることで、ＳｉＣ膜の成長速度をＳｉＣ基板２の面内において均一化できる。これにより、ＳｉＣ基板２の面内におけるＳｉＣ膜の膜厚の均一性（以下、面内均一性ともいう）を向上できる。
ガス排出部６は、サセプタ５１ａより下方において例えばチャンバ３の側壁３１に設けられている。ガス排出部６は、反応副生成物や、ＳｉＣ基板２を通過した後の未反応ガスなどを排出する。また、ガス排出部６から不図示のポンプで真空吸引を行うことができ、チャンバ３内の雰囲気圧力を適宜調整できる。
（供給部４）
次に、供給部４の具体的な構成例について説明する。
図１に示すように、供給部４は、隔壁の一例であるチャンバ３の上壁３２および第１〜第４ガス仕切板４０１〜４０４と、第１配管の一例である第１、第２内側パイプ４１１、４１２と、第２配管の一例である第１、第２外側パイプ４２１、４２２とを有する。高温の反応プロセスに耐え得るように、これらは、例えばＳｉＣコートされたカーボンによって形成されている。
（ガス仕切板４０１〜４０４）
第１〜第４ガス仕切板４０１〜４０４は、チャンバ３の上壁３２から下方に順次所定の間隔で配置されている。そして、第１〜第４ガス仕切板４０１〜４０４とチャンバ３の上壁３２とのそれぞれの間に独立したガスの流路が設けられる。
具体的には、第１隔壁の一例であるチャンバ３の上壁３２と、第２隔壁の一例である第１ガス仕切板４０１との間には、第１流路の一例である第１導入路４３１が設けられている。第１導入路４３１は、Ｓｉを含有するＳｉ系原料ガスを導入する。第１導入路４３１の上流端のチャンバ３の側壁３１には、第１導入路４３１に連通した第１導入口４４１が設けられている。第１導入口４４１には、不図示のＳｉ系原料ガスのガス源が接続されている。また、不図示のフロー調整機構によって、ガス源から第１導入口４４１に供給されるＳｉ系原料ガスの流量が調整される。Ｓｉ系原料ガスとしては、例えばシラン系ガスとしてシラン（ＳｉＨ４）を用いることができるほか、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４などの塩素を含むガスを用いることもできる。また、Ｓｉ系原料ガスとして、シランにＨＣｌを添加したガスを用いてもよい。
また、第１ガス仕切板４０１と、第３隔壁の一例である第２ガス仕切板４０２との間には、第２流路の一例である第２導入路４３２が設けられている。第２導入路４３２は、チャンバ３内に原料ガスの混合抑制用のパージガスを導入する。第２導入路４３２の上流端のチャンバ３の側壁３１には、第２導入路４３２に連通した第２導入口４４２が設けられている。第２導入口４４２には、不図示のパージガスのガス源が接続されている。また、不図示のフロー調整機構によって、ガス源から第２導入口４４２に供給されるパージガスの流量が調整される。パージガスとしては、例えばＨ２のほか、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスすなわち希ガスを用いることもできる。
また、第１隔壁の一例でもある第２ガス仕切板４０２と、第２隔壁の一例である第３ガス仕切板４０３との間には、第１流路の一例である第３導入路４３３が配置されている。第３導入路４３３は、チャンバ３内にＣ系原料ガスを導入する。第３導入路４３３の上流端のチャンバ３の側壁３１には、第３導入路４３３に連通した第３導入口４４３が設けられている。第３導入口４４３には、不図示のＣ系原料ガスのガス源が接続されている。また、不図示のフロー調整機構によって、ガス源から第３導入口４４３に供給されるＣ系原料ガスの流量が調整される。Ｃ系原料ガスとしては、例えばプロパン（Ｃ３Ｈ８）などを用いることができる。
また、第３ガス仕切板４０３と、第３隔壁の一例である第４ガス仕切板４０４との間には、第２流路の一例である第４導入路４３４が配置されている。第４導入路４３４は、チャンバ３内に原料ガスの混合抑制用のパージガスを導入する。第４導入路４３４の上流端のチャンバ３の側壁３１には、第４導入路４３４に連通した第４導入口４４４が配置されている。第４導入口４４４には、不図示のパージガスのガス源が接続されている。また、不図示のフロー調整機構によって、ガス源から第４導入口４４４に供給されるパージガスの流量が調整される。
なお、第２導入路４３２および第４導入路４３４は、パージガスの他に、ＳｉＣ膜の導電型を制御するための不純物ドーピングガスを導入してもよい。ＳｉＣ膜の導電型をｎ型にする場合には、不純物ドーピングガスとして例えばＮ２を用いることができる。ＳｉＣ膜の導電型をｐ型にする場合には、不純物ドーピングガスとして例えばＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を用いることができる。
（パイプ４１１、４１２、４２１、４２２）
第１内側パイプ４１１は、Ｄ１方向（以下、鉛直方向と記す）に延びる略円筒形状を有している。第１内側パイプ４１１は、第１導入路４３１と第１導入路４３１の下方Ｄ１１の第２導入路４３２とを仕切る第１ガス仕切板４０１に配置されている。第１内側パイプ４１１は、第１導入路４３１と連通し、第１ガス仕切板４０１から第４ガス仕切板４０４の下方に至る。具体的には、第１内側パイプ４１１の上端には、円環状のフランジ４１１ａが設けられている。また、第１内側パイプ４１１に対応する第１〜第４ガス仕切板４０１〜４０４には、貫通孔４０１ａ〜４０４ａが設けられている。第１内側パイプ４１１は、Ｄ１２方向（以下、上方と記す）から貫通孔４０１ａの内周縁部にフランジ４１１ａを当接させた状態で、第１ガス仕切板４０１から貫通孔４０２ａ〜４０４ａを通り、第２の導入路４３２、第２のガス仕切板４０２、第３の導入路４０３、第３のガス仕切板４０３、第４の導入路４３４を貫通して、第４ガス仕切板４０４の下方に至っている。
第１外側パイプ４２１は、鉛直方向に延びる略円筒形状を有している。第１外側パイプ４２１は、第１内側パイプ４１１よりも短い。また、第１外側パイプ４２１の内径は、第１内側パイプ４１１の外径よりも大きい。第１外側パイプ４２１は、第１内側パイプ４１１を囲むように、第２導入路４３２と第３導入路４３３とを仕切る第２ガス仕切板４０２に配置されている。第１外側パイプ４２１は、第２導入路４３２と連通し、第２ガス仕切板４０２から第４ガス仕切板４０４の下方に至る。具体的には、第１外側パイプ４２１の上端には、円環状のフランジ４２１ａが設けられている。第１外側パイプ４２１は、上方から貫通孔４０２ａの内周縁部にフランジ４２１ａを当接させた状態で、第２ガス仕切板４０２から貫通孔４０３ａ、４０４ａを通り、第３の導入路４３３、第３の仕切板４０３、第４の導入路４３４を貫通して、第４ガス仕切板４０４の下方に至っている。第１外側パイプ４２１の下端は、第１内側パイプ４１１の下端と同じ高さに位置している。
このような構成により、第１内側パイプ４１１から下方に供給されるＳｉ系原料ガスを、第１外側パイプ４２１と第１内側パイプ４１１との間から下方に供給されるパージガスで周囲からシールドできる。これにより、Ｓｉ系原料ガスの回り込みを抑制できる。
第２内側パイプ４１２は、鉛直方向に延びる略円筒形状を有している。第２内側パイプ４１２は、第１外側パイプ４２１よりも短い。第２内側パイプ４１２は、第３導入路４３３と第３導入路４３３の下方の第４導入路４３４とを仕切る第３ガス仕切板４０３に配置されている。第２内側パイプ４１２は、第３導入路４３３と連通し、第３ガス仕切板４０３から第４ガス仕切板４０４の下方に至る。具体的には、第２内側パイプ４１２の上端には、円環状のフランジ４１２ａが設けられている。また、第２内側パイプ４１２に対応する第３、第４ガス仕切板４０３、４０４には、貫通孔４０３ｂ、４０４ｂが設けられている。第２内側パイプ４１２は、上方から貫通孔４０３ｂの内周縁部にフランジ４１２ａを当接させた状態で、第３ガス仕切板４０３から貫通孔４０４ｂを通り、第４の導入路４３４を貫通して、第４ガス仕切板４０４の下方に至っている。第２内側パイプ４１２の下端は、第１内側パイプ４１１の下端と同じ高さに位置している。
第２外側パイプ４２２は、鉛直方向に延びる略円筒形状を有している。第２外側パイプ４２２は、第２内側パイプ４１２よりも短い。また、第２外側パイプ４２２の内径は、第２内側パイプ４１２の外径よりも大きい。第２外側パイプ４２２は、第２内側パイプ４１２を囲むように、第４導入路４３４と第４導入路４３４の下方の反応室３３とを仕切る第４ガス仕切板４０４に配置されている。第２外側パイプ４２２は、第４導入路４３４と連通し、第４ガス仕切板４０４の下方に至っている。具体的には、第２外側パイプ４２２の上端には、円環状のフランジ４２２ａが設けられている。第２外側パイプ４２２は、上方から貫通孔４０４ｂの内周縁部にフランジ４２２ａを当接させた状態で、下端が第１内側パイプ４１１の下端と同じ高さに位置するように設けられている。
このような構成により、第２内側パイプ４１２から下方に供給されるＣ系原料ガスを、第２外側パイプ４２２と第２内側パイプ４１２との間から下方に供給されるパージガスで周囲からシールドできる。これにより、Ｃ系原料ガスの回り込みを抑制できる。
第１内側パイプ４１１および第１外側パイプ４２１と、第２内側パイプ４１２および第２外側パイプ４２２は、Ｄ２方向（以下、水平方向と記す）に適宜間隔を設けて配置されている。
（ガイド部４１１ｂ、４１２ｂ）
図２Ａは、第１の実施形態による第１内側パイプ４１１の断面図であり、図２Ｂは、図２Ａの第１内側パイプ４１１の下面図である。
供給部４を組み立てる際には、第２ガス仕切板４０２に第１外側パイプ４２１を設置した後、第１ガス仕切板４０１に第１内側パイプ４１１を設置する。このとき、第１外側パイプ４２１の内部に第１内側パイプ４１１を挿入する。第１外側パイプ４２１に対する第１内側パイプ４１１の挿入および位置決めをガイドするため、図１、図２Ａおよび図２Ｂに示す第１ガイド部４１１ｂが設けられている。
第１ガイド部４１１ｂは、第１内側パイプ４１１の外周面４１１ｃに設けられており、外周面４１１ｃから第１外側パイプ４２１の内周面４２１ｂに向かって突出している。すなわち、図２Ａに示すように、第１ガイド部４１１ｂは、第１内側パイプ４１１のＤ２１方向（以下、径方向外方と記す）に突出している。第１ガイド部４１１ｂが第１内側パイプ４１１に設けられていることで、第１ガイド部４１１ｂを第１外側パイプ４２１に設ける場合と比較して、第１ガイド部４１１ｂを容易に形成できる。
また、第１ガイド部４１１ｂは、第１内側パイプ４１１の中心軸方向である鉛直方向に伸延したフィン形状を有する。これにより、第１ガイド部４１１ｂがＳｉ系原料ガスの流動を妨げないようにすることができる。また、第１ガイド部４１１ｂは、図２Ｂに示すように、径方向の断面が矩形状を有するものを用いることができる。第１ガイド部４１１ｂの径方向の断面は、三角形状であってもよく、また、径方向外方の端部が丸みを帯びた形状であってもよい。
また、第１ガイド部４１１ｂは、第１内側パイプ４１１および第１外側パイプ４２１の下端より上方に設けられている。これにより、供給部４の下方の反応空間３３から遠い位置に第１ガイド部４１１ｂを配置できるので、第１ガイド部４１１ｂに原料ガスによる堆積物が生じることを抑制できる。
また、図２Ａに示すように、第１ガイド部４１１ｂの下端４１１ｂ１は、径方向外方にテーパを有している。これにより、第１内側パイプ４１１を容易に第１外側パイプ４２１に挿入することができる。
図２Ｂの例において、第１ガイド部４１１ｂは、第１内側パイプ４１１の外周面の４１１ｃのＤ３方向（周方向）に等位相で４か所に配置されている。第１ガイド部４１１ｂは、複数設けられることが必要であり、３か所以上を略等位相で設けることが好ましく、また、Ｓｉ系原料ガスの流動を妨げない限度において５か所以上に設けてもよい。第１ガイド部４１１ｂを３か所以上に設けることで、第１内側パイプ４１１は、全方位において第１外側パイプ４２１との間に間隙Ｇ（図１参照）を確保できる。
第１ガイド部４１１ｂの径方向の寸法は、熱による第１内側パイプ４１１および第１外側パイプ４２１の変形後においても第１ガイド部４１１ｂが第１外側パイプ４２１の内周面４２１ｂに接触しないような寸法であることが望ましい。
第１ガイド部４１１ｂによれば、第１外側パイプ４２１に対する第１内側パイプ４１１の挿入および位置決めをガイドすることで、第１内側パイプ４１１の中心軸Ａ１を第１外側パイプ４２１の中心軸と殆ど一致させることができる。すなわち、第１ガイド部４１１ｂによれば、第１内側パイプ４１１の位置精度を向上させることができる。これにより、第１内側パイプ４１１と第１外側パイプ４２１との間に間隙Ｇを確保できる。間隙Ｇを確保することで、組み立て時に第１内側パイプ４１１と第１外側パイプ４２１とが接触することを回避できる。
図３は、第１の実施形態による第２内側パイプ４１２の断面図である。
供給部４を組み立てる際には、第３ガス仕切板４０３の下方の第４ガス仕切板４０４に第２外側パイプ４２２を設置した後、第３ガス仕切板４０３に第２内側パイプ４１２を設置する。このとき、第２外側パイプ４２２の内部に第２内側パイプ４１２を挿入する。第２外側パイプ４２２に対する第２内側パイプ４１２の挿入および位置決めをガイドするため、図１および図３に示す第２ガイド部４１２ｂが設けられている。
第２ガイド部４１２ｂは、第２内側パイプ４１２および第２外側パイプ４２２の一方から他方に向かって突出した凸部の一例である。
第２ガイド部４１２ｂは、第２内側パイプ４１２の外周面４１２ｃに設けられており、外周面４１２ｃから第２外側パイプ４２２の内周面４２２ｂに向かって突出している。第２ガイド部４１２ｂが第２内側パイプ４１２に設けられていることで、第２ガイド部４１２ｂを第２外側パイプ４２２に設ける場合と比較して、第２ガイド部４１２ｂを容易に形成できる。
また、第２ガイド部４１２ｂは、第２内側パイプ４１２の中心軸方向である鉛直方向に伸延したフィン形状を有する。これにより、第２ガイド部４１２ｂがＣ系原料ガスの流動を妨げないようにすることができる。第２ガイド部４１２ｂの径方向の断面形状は、第１ガイド部４１１ｂと同様でよい。
また、第２ガイド部４１２ｂは、第２内側パイプ４１２および第２外側パイプ４２２の下端より上方に設けられている。これにより、供給部４の下方の反応空間３３から遠い位置に第２ガイド部４１２ｂを配置できるので、第２ガイド部４１２ｂに原料ガスによる堆積物が生じることを抑制できる。
また、図３に示すように、第２ガイド部４１２ｂの下端４１２ｂ１は、径方向外方にテーパを有している。これにより、第２内側パイプ４１２を容易に第２外側パイプ４２２に挿入することができる。
第２ガイド部４１２ｂは、第１ガイド部４１１ｂと同様に、第２内側パイプ４１２の外周面の４１２ｃの周方向に等間隔を開けて４つ配置されている。第２ガイド部４１２ｂの個数は、３つであってもよく、また、Ｃ系原料ガスの流動を妨げない限度において５つ以上であってもよい。第２ガイド部４１２ｂを３つ以上設けることで、第２内側パイプ４１２は、全方位において第２外側パイプ４２２との間に間隙Ｇを確保できる。
第２ガイド部４１２ｂの径方向の寸法は、熱による第２内側パイプ４１２および第２外側パイプ４２２の変形後においても第２ガイド部４１２ｂが第２外側パイプ４２２の内周面４２２ｂに接触しないような寸法であることが望ましい。
第２ガイド部４１２ｂによれば、第２外側パイプ４２２に対する第２内側パイプ４１２の挿入および位置決めをガイドすることで、第２内側パイプ４１２の中心軸Ａ２を第２外側パイプ４２２の中心軸と殆ど一致させることができる。すなわち、第２ガイド部４１２ｂによれば、第２内側パイプ４１２の位置精度を向上させることができる。これにより、第２内側パイプ４１２と第２外側パイプ４２２との間に間隙Ｇを確保できる。間隙Ｇを確保することで、組み立て時に第２内側パイプ４１２と第２外側パイプ４２２とが接触することを回避できる。
なお、第1のガイド部４１１ｂ、第２のガイド部４１２ｂは、それぞれ外側パイプの内周面から内側パイプの外周面に向かって突出していてもよく、同様の効果を得ることができる。
また、図１において、パイプ４１１、４１２、４２１、４２２はそれぞれ複数本配置されている。図１に示されるパイプ４１１、４１２、４２１、４２２の本数はあくまで一例であって限定されるものではない。実際は、図１に示すものよりも多数のパイプ４１１、４１２、４２１、４２２を配置してよい。また、パイプ４１１、４１２、４２１、４２２は、径方向だけでなく、ガス仕切板４０１〜４０４の周方向にも間隔を空けて配置されていてよい。
（成膜方法）
次に、以上のように構成された第１の実施形態の成膜装置１の動作例として、ＳｉＣ膜の成膜方法について説明する。
先ず、サセプタ５１ａ上に、ｎ型もしくはｐ型のＳｉＣ単結晶によって構成されたＳｉＣ基板２を載置し、ガス排出部６を通して反応室３３内を真空吸引して所望の圧力にする。また、加熱機構５２を発熱させることで、ＳｉＣ基板２を例えば１６００℃前後に加熱する。また、回転機構で回転部５１を介してサセプタ５１ａおよびＳｉＣ基板２を回転することで、加熱機構５２の周方向の発熱分布の影響を受けず、ＳｉＣ基板２の面内における温度分布の均一化を図る。
次いで、第１〜第４導入口４４１〜４４４を通してチャンバ３内にＳｉ系原料ガス、パージガス、Ｃ系原料ガスを導入する。各ガスは、第１〜第４導入路４３１〜４３４を通じて反応室３３内に導入された後、パイプ４１１、４１２、４２１、４２２を通じてＳｉＣ基板２上に供給される。
このとき、第１内側パイプ４１１から供給されるＳｉ系原料ガスは、第１外側パイプ４２１から供給されるパージガスでシールドされる。シールドされることで、Ｓｉ系原料ガスの回り込みが抑制される。これにより、ＳｉＣ基板２上に達する前のＳｉ系原料ガスとＣ系原料ガスとの反応を抑制できる。また、第２内側パイプ４１２から供給されるＣ系原料ガスは、第２外側パイプ４２２から供給されるパージガスでシールドされる。シールドされることで、Ｃ系原料ガスの回り込みが抑制される。これにより、ＳｉＣ基板２上に達する前のＳｉ系原料ガスとＣ系原料ガスとの反応を更に抑制できる。
ＳｉＣ基板２上に供給された原料ガスにより、ＳｉＣ基板２の表面にＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させる。
ここで、既述したように、ガス仕切板４０１〜４０４、内側パイプ４１１、４１２および外側パイプ４２１、４２２は、高温の反応プロセスに耐え得るように、例えばＳｉＣコートされたカーボンによって形成されている。ＳｉＣとカーボンとの熱膨張率が異なることで、ガス仕切板４０１〜４０４、内側パイプ４１１、４１２および外側パイプ４２１、４２２は、これらを製作する時点で反りなどの変形が生じ得る。このため、ガス仕切板４０１〜４０４、内側パイプ４１１、４１２および外側パイプ４２１、４２２の加工精度を確保することは困難である。これにより、ガス仕切板４０１〜４０４に内側パイプ４１１、４１２および外側パイプ４２１、４２２を取り付ける際に、各パイプ４１１、４１２、４２１、４２２の位置精度を確保することも困難となる。さらに、反応時には、ガス仕切板４０１〜４０４、内側パイプ４１１、４１２および外側パイプ４２１、４２２が熱によって更に変形するため、各パイプ４１１、４１２、４２１、４２２の位置精度を確保することは一層困難となる。
ガイド部４１１ｂ、４１２ｂを設けない場合、パイプ４１１、４１２、４２１、４２２の位置精度の確保が困難であることで、内側パイプ４１１、４１２の中心軸Ａ１、Ａ２と外側パイプ４２１、４２２の中心軸とが大きくずれる可能性がある。これにより、内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２とが互いに接触することがある。そして、内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２との接触位置に原料ガスによる堆積物が生じた場合、堆積物で内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２とが互いに固着されるおそれがある。内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２とが固着されると、外側パイプ４２１、４２２の流路の断面積が不均一となるため、均一な流量でパージガスを供給することが困難となる。これにより、パージガスが混合抑制ガスとして適切に機能できず、内側パイプ４１１、４１２および外側パイプ４２１、４２２の出口においてＳｉ系原料ガスやＣ系原料ガスの回り込みにより各パイプ４１１、４１２、４２１、４２２に堆積物が生じ易くなる。そして、各パイプ４１１、４１２、４２１、４２２の堆積物がパーティクルとしてＳｉＣ基板２上に落下することで、ＳｉＣ膜の結晶欠陥を生じさせてしまう。
これに対して、第１の実施形態では、内側パイプ４１１、４１２を外側パイプ４２１、４２２に挿入する際に、ガイド部４１１ｂ、４１２ｂによって内側パイプ４１１、４１２の中心軸Ａ１、Ａ２の位置決めをガイドできる。位置決めをガイドできることで、内側パイプ４１１、４１２の中心軸Ａ１、Ａ２を、外側パイプ４２１、４２２との中心軸と殆ど一致させることができる。中心軸を一致させることができるので、内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２との間に確実に間隙Ｇを確保することができる。間隙Ｇを確保できることで、内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２との接触を回避できる。これにより、内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２との接触位置に堆積物が発生することを防止でき、堆積物に起因するＳｉＣ膜の結晶欠陥を回避できる。
以上述べたように、第１の実施形態によれば、ガイド部４１１ｂ、４１２ｂによって内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２との接触を防止できるので、ガスの回り込みによって内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２との接触位置に堆積物が発生することを防止できる。これにより、堆積物に起因する結晶欠陥の発生を防止できる。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態として、内側パイプ４１１、４１２の下端部がテーパ形状を有する実施形態について説明する。なお、第２の実施形態において、既述の実施形態に対応する構成部については同一の符号を用いて重複した説明を省略する。
図４は、第２の実施形態による二重管構造のパイプの断面図である。図４に示すように、第２の実施形態の内側パイプ４１１、４１２は、テーパ形状の下端部４１１ｄ、４１２ｄを有する。一方、外側パイプ４２１、４２２は、第１の実施形態と同様にテーパを有しない直線形状である。下端部４１１ｄ、４１２ｄのテーパ形状は、原料ガスの下流すなわち下方Ｄ１１に向かうにしたがって下端部４１１ｄ、４１２ｄの内径すなわちガス流路の断面積が漸増する形状である。
第２の実施形態では、第１内側パイプ４１１の下端部４１１ｄがテーパ形状を有することで、第１内側パイプ４１１から径方向外方にやや広がるようにＳｉ系原料ガスを吐出できる。径方向外方成分のＳｉ系原料ガスの流れは、径方向外方から第１内側パイプ４１１に回り込もうとするＣ系原料ガスの流れに抗するので、第１内側パイプ４１１へのＣ系原料ガスの回り込みを抑制できる。これにより、第１内側パイプ４１１の下端部４１１ｄにおけるＳｉ系原料ガスとＣ系原料ガスとの混合を抑制して、第１内側パイプ４１１への堆積物の発生を抑制できる。
同様に、第２の実施形態では、第２内側パイプ４１２の下端部４１２ｄがテーパ形状を有することで、第２内側パイプ４１２から径方向外方にやや広がるようにＣ系原料ガスを吐出できる。径方向外方成分のＣ系原料ガスの流れは、径方向外方から第２内側パイプ４１２に回り込もうとするＳｉ系原料ガスの流れに抗するので、第２内側パイプ４１２へのＳｉ系原料ガスの回り込みを抑制できる。これにより、第２内側パイプ４１２の下端部４１２ｄにおけるＳｉ系原料ガスとＣ系原料ガスとの混合を抑制して、第２内側パイプ４１２への堆積物の発生を抑制できる。
下端部４１１ｄ、４１２ｄがテーパ形状を有していることで、下端における内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２との間隔は第１の実施形態よりも狭小になっている。すなわち、第１の実施形態よりも内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２とが接触し易くなっている。
しかるに、第２の実施形態では、第１の実施形態と同様にガイド部４１１ｂ、４１２ｂが設けられているので、下端においても内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２との間に確実に隙間を確保することができる。
したがって、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、パイプ４１１、４１２、４２１、４２２への堆積物の発生を有効に抑制できる。
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態として、内側パイプ４１１、４１２および外側パイプ４２１、４２２の双方の下端部がテーパ形状を有する実施形態について説明する。なお、第３の実施形態において、既述の実施形態に対応する構成部については同一の符号を用いて重複した説明を省略する。
図５は、第３の実施形態による二重管構造のパイプの断面図である。図５に示すように、第３の実施形態では、第２の実施形態の構成に加えて、更に、外側パイプ４２１、４２２がテーパ形状の下端部４２１ｃ、４２２ｃを有する。
外側パイプ４２１、４２２の下端部４２１ｃ、４２２ｃのテーパ角は、例えば、内側パイプ４１１、４１２の下端部４１１ｄ、４１２ｄのテーパ角と同じである。外側パイプ４２１、４２２の下端部４２１ｃ、４２２ｃのテーパ角を、内側パイプ４１１、４１２の下端部４１１ｄ、４１２ｄのテーパ角と異ならせてもよい。
第３の実施形態では、内側パイプ４１１、４１２の下端部４１１ｄ、４１２ｄと外側パイプ４２１、４２２の下端部４２１ｃ、４２２ｃとの双方がテーパ形状を有することで、原料ガスの吐出方向とパージガスの吐出方向とを揃えることができる。これにより、乱流の発生を抑制して、原料ガスをＳｉＣ基板２上に適切に供給できる。
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態として、三重管構造のパイプを有する実施形態について説明する。なお、第４の実施形態において、既述の実施形態に対応する構成部については同一の符号を用いて重複した説明を省略する。
図６は、第４の実施形態による成膜装置１を示す概略断面図である。図６に示すように、第４の実施形態の供給部４は、既述の実施形態で説明した第２内側パイプ４１２が第１外側パイプ４２１を囲む構成の三重管構造のパイプを有する。以下の説明では、第１外側パイプ４２１のことを中間パイプ４２１と呼び、第２内側パイプ４１２のことを外側パイプ４１２と呼ぶ。
図６に示すように、第４の実施形態では、中間パイプ４２１の外周面４２１ｄに、外側パイプ４１２に向かって突出する第３ガイド部４２１ｅが設けられている。
第４の実施形態では、第１ガイド部４１１ｂによって、第１内側パイプ４１１と中間パイプ４２１との接触を回避することができ、かつ、第３ガイド部４２１ｅによって、中間パイプ４２１と外側パイプ４１２との接触を回避できる。
したがって、第４実施形態によれば、第１〜第３の実施形態と同様に、パイプ４１１、４１２、４２１への堆積物の発生を抑制できる。
なお、図６の破線部に示すように、第１〜第３の実施形態で説明した第２外側パイプ４２２が外側パイプ４１２を囲む構成の四重管構造のパイプを採用してもよい。この場合には、例えばパイプ４１２の外周面に、パイプ４２２の内周面に向かって突出する不図示のガイド部を設ければよい。
上述の実施形態では、凸部の一例として、フィン形状のガイド部４１１ｂを採用した。凸部は、内側パイプ４１１、４１２と外側パイプ４２１、４２２との間に間隙Ｇを確保できる態様であればフィン形状のものに限定されない。例えば、凸部は、内側パイプ４１１、４１２から径方向外方に突出する柱状の部材であってもよい。
また、ガイド部は、鉛直方向に間隔を空けて複数配置してもよい。
また、熱効率を上げるため、チャンバ３の上部に、下方の熱源からの輻射を反射する円環状のリフレクタを設けてもよい。この場合、パイプ４１１、４１２、４２１、４２２はリフレクタを貫通するように配置される。また、供給部４と回転部５１との間のチャンバ３の側壁３１に補助ヒータを設けてもよい。
上述の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１ 成膜装置
２ ＳｉＣ基板
３ チャンバ
３２ 上壁
４ 供給部
４０１ 第１ガス仕切板
４０２ 第２ガス仕切板
４０３ 第３ガス仕切板
４０４ 第４ガス仕切板
４１１ 第１内側パイプ
４１１ｂ 第１ガイド部
４１２ 第２内側パイプ
４１２ｂ 第２ガイド部
４２１ 第１外側パイプ
４２２ 第２外側パイプ
４３１ 第１導入路
４３２ 第２導入路
４３３ 第３導入路
４３４ 第４導入路

Claims (5)

  1. 基板上に反応を行う反応室と、
    前記反応室の上方に配置され、前記基板上に少なくとも第１ガスおよび第２ガスを供給する供給部と、を備え、
    前記供給部は、
    第１隔壁と、前記第1隔壁の下部に所定間隔で設けられる第２隔壁と、前記第２隔壁の下部に所定間隔で設けられる第３隔壁と、
    前記第１ガスが導入される前記第1の隔壁と前記第２隔壁の間に設けられる第１流路と、
    前記第２ガスが導入される前記第２隔壁と前記第３隔壁との間に設けられる第２流路と、
    前記第２隔壁から前記第３隔壁の下方に至り、前記第1流路と連通する第１配管と、
    前記第１配管を囲むように設けられ、前記第３隔壁から前記第３隔壁の下方に至り、前記第２流路と連通する第２配管と、
    前記第１配管の外周面または前記第２配管の内周面に設けられ、前記第１配管の外周面および前記第２配管の内周面の一方から他方に向かって突出した凸部と、
    を備える成膜装置。
  2. 前記凸部は、前記第１配管の外周面に設けられ、前記第２配管の内周面に向かって突出した請求項１に記載の成膜装置。
  3. 前記凸部は、前記第１配管および前記第２配管の下端より上方に設けられた請求項１または２に記載の成膜装置。
  4. 前記凸部は、前記第１配管の中心軸方向に伸延した形状を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の成膜装置。
  5. 前記凸部の下端は、テーパを有する請求項４に記載の成膜装置。
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