JPH02308534A - 半導体基板の薄膜形成装置 - Google Patents
半導体基板の薄膜形成装置Info
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- JPH02308534A JPH02308534A JP12895789A JP12895789A JPH02308534A JP H02308534 A JPH02308534 A JP H02308534A JP 12895789 A JP12895789 A JP 12895789A JP 12895789 A JP12895789 A JP 12895789A JP H02308534 A JPH02308534 A JP H02308534A
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体処理装置に係り、とくに半導体基板の
薄膜形成装置に関する。
薄膜形成装置に関する。
（従来の技術）
従来の半導体ウェーハ（以下、基板という）の薄膜形成
装置の一例を示す第３図において、密封構造の略円筒状
の反応管１の上下端には、上端にステンレス鋼板製の上
部フランジ６Ａが、下端に下部フランジ６Ｂが管１ａの
上下端の溶接された縁部６Ｃに挿着されたＯ ＩＪング
と締結部品を介してそれぞれ気密に取付けられ、管１ａ
の左側には、管６ｂの左端に基板３を取換えるための蓋
７が気密に取付けられている。
装置の一例を示す第３図において、密封構造の略円筒状
の反応管１の上下端には、上端にステンレス鋼板製の上
部フランジ６Ａが、下端に下部フランジ６Ｂが管１ａの
上下端の溶接された縁部６Ｃに挿着されたＯ ＩＪング
と締結部品を介してそれぞれ気密に取付けられ、管１ａ
の左側には、管６ｂの左端に基板３を取換えるための蓋
７が気密に取付けられている。
更に、上部フランジ６Ａには、中心下面に管状の案内筒
６８が取付けられ、中心上面には反応管１内に後述する
酸素原子を供給する石英製の導入管４Ａが０リングで気
密に取付けられ、下部フランジ６Ｂの中心にも下端から
図示しない真空ポンプに接続された・排気口４Ｂが設け
られている。
６８が取付けられ、中心上面には反応管１内に後述する
酸素原子を供給する石英製の導入管４Ａが０リングで気
密に取付けられ、下部フランジ６Ｂの中心にも下端から
図示しない真空ポンプに接続された・排気口４Ｂが設け
られている。
又、案内筒６ａの上部左側には、上部フランジ６Ａを上
方から貫通した原料ガスの導入管５が接続され、案内筒
６ａの下方の反応管１内には、基板台２の上に基板３が
載置されている。
方から貫通した原料ガスの導入管５が接続され、案内筒
６ａの下方の反応管１内には、基板台２の上に基板３が
載置されている。
このような構成の薄膜形成装置において、外部に設置さ
れた図示しないマイクロ波による励起装置で励起された
酸素原子は、導入管４Ａの下端の接続部４ｂを経て開口
部４ａから案内筒６ａ内に供給され、更に下方の基板３
を経て下端の排気口から排出される。
れた図示しないマイクロ波による励起装置で励起された
酸素原子は、導入管４Ａの下端の接続部４ｂを経て開口
部４ａから案内筒６ａ内に供給され、更に下方の基板３
を経て下端の排気口から排出される。
又、導入管５内に送られた原料ガスは、開口部５ａから
案内筒６ａ内に供給され、更に基板３を経て排気口４Ｂ
から排出される。
案内筒６ａ内に供給され、更に基板３を経て排気口４Ｂ
から排出される。
ところで、半導体基板の薄膜形成装置においては、基板
上に供給される酸素原子と原料ガスの流れは、膜厚、膜
質の均一度や、形成速度を左右し、更に反応ガスの使用
効率と反応管内の洗浄などの保守面にも影響する。
上に供給される酸素原子と原料ガスの流れは、膜厚、膜
質の均一度や、形成速度を左右し、更に反応ガスの使用
効率と反応管内の洗浄などの保守面にも影響する。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、このような構成の半導体基板の薄膜形成装置
では、開口部５ａから案内筒６ａ内に供給された原料ガ
スは、隣接して設けられた開口部４ａから接続部４ｂ内
に入って、導入管４Ａから送られた酸素原子とＣＶＤ反
応を生じて、接続部４ｂの内壁に反応生成物が付着する
。すると、基板３の表面の膜厚や膜質が不均一になるだ
けでなく、被膜の形成速度も落ちてくる。
では、開口部５ａから案内筒６ａ内に供給された原料ガ
スは、隣接して設けられた開口部４ａから接続部４ｂ内
に入って、導入管４Ａから送られた酸素原子とＣＶＤ反
応を生じて、接続部４ｂの内壁に反応生成物が付着する
。すると、基板３の表面の膜厚や膜質が不均一になるだ
けでなく、被膜の形成速度も落ちてくる。
そこで、本発明の目的は、半導体製造装置の保守性を損
うことなく、均一な膜厚、膜質を効率的に形成すること
のできる半導体基板の薄膜形成装置を得ることである。
うことなく、均一な膜厚、膜質を効率的に形成すること
のできる半導体基板の薄膜形成装置を得ることである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段と作用）
本発明は、励起された酸素原子を供給する接続管が密封
容器の片側の第１の開口部に接続され、密封容器の他側
の排気口の内側に半導体基板の載置台が設けられ、第１
の開口部の内面に取付けられた案内筒の外周に原料ガス
を案内筒内に供給する第２の開口部が設けられた半導体
基板の薄膜形成装置において、接続管を第２の開口部よ
りも載置台側に突き出すことで、原料ガスの接続管への
侵入を抑えて保守が容易で膜厚、膜質を効率的に基板面
に形成することのできる半導体基板の薄膜形成装置であ
る。
容器の片側の第１の開口部に接続され、密封容器の他側
の排気口の内側に半導体基板の載置台が設けられ、第１
の開口部の内面に取付けられた案内筒の外周に原料ガス
を案内筒内に供給する第２の開口部が設けられた半導体
基板の薄膜形成装置において、接続管を第２の開口部よ
りも載置台側に突き出すことで、原料ガスの接続管への
侵入を抑えて保守が容易で膜厚、膜質を効率的に基板面
に形成することのできる半導体基板の薄膜形成装置であ
る。
（実施例）
以下、本発明の半導体基板の薄膜形成装置の一実施例を
図面を参照して説明する。但し、第３図と重複する部分
は省く。
図面を参照して説明する。但し、第３図と重複する部分
は省く。
第１図において、反応管１の上部フランジ６Ａの中心下
面に取付けられた案内筒６ａ内には、フランジ６Ａの中
心を上下に貫通した接続部４ｂの下端が案内筒６ａの下
端近傍まで延びている。
面に取付けられた案内筒６ａ内には、フランジ６Ａの中
心を上下に貫通した接続部４ｂの下端が案内筒６ａの下
端近傍まで延びている。
このような構成の薄膜形成装置においては、開口部５ａ
から案内筒６ａ内に供給された原料ガスは、点線で示す
矢印のように接続部４ｂと案内筒６ａとの間の流路を層
流となって下方に流れて、案内筒６ａの下端近傍まで導
かれるので、接続部４ｂの下端の開口部４ａから内部へ
の侵入を減らすことができる。したがって、基板３の表
面には、所定の膜厚、膜質を所定の速度で形成させるこ
とができ、案内筒６ａなどの保守性を損うことがなく、
使用される原料ガスや酸素原子の効率低下を防ぐことが
できる。
から案内筒６ａ内に供給された原料ガスは、点線で示す
矢印のように接続部４ｂと案内筒６ａとの間の流路を層
流となって下方に流れて、案内筒６ａの下端近傍まで導
かれるので、接続部４ｂの下端の開口部４ａから内部へ
の侵入を減らすことができる。したがって、基板３の表
面には、所定の膜厚、膜質を所定の速度で形成させるこ
とができ、案内筒６ａなどの保守性を損うことがなく、
使用される原料ガスや酸素原子の効率低下を防ぐことが
できる。
なお、上記実施例では、開口部５ａは一箇所としたが、
導入管５の途中から継手で分岐して案内筒６ａの右側に
設けてもよく、更に１２０°間隔て三箇所にしてもよい
。その場合には、案内筒６ａ内のガスの流れは更に層流
になるので、接続部４ｈ内への原料ガスの侵入が更に減
る利点がある。
導入管５の途中から継手で分岐して案内筒６ａの右側に
設けてもよく、更に１２０°間隔て三箇所にしてもよい
。その場合には、案内筒６ａ内のガスの流れは更に層流
になるので、接続部４ｈ内への原料ガスの侵入が更に減
る利点がある。
第２図は、本発明の薄膜形成装置において、開口部４ａ
の位置と、原料ガスの開口部４ａからの侵入による接続
部４ｂ内の反応生成物との関係を、５インチのシリコン
基板上にシリコン酸化膜を生成させる場合で調べた試験
結果を示す。
の位置と、原料ガスの開口部４ａからの侵入による接続
部４ｂ内の反応生成物との関係を、５インチのシリコン
基板上にシリコン酸化膜を生成させる場合で調べた試験
結果を示す。
その他の条件は、案内筒６ａの内径１２０ ｍｍ 、同
じく長さ１５０胴、接続管４ｂの内径３０ｍｍ、開口部
５ａから上部フランジ６Ａ内面までの距離２５ｍｍであ
る。
じく長さ１５０胴、接続管４ｂの内径３０ｍｍ、開口部
５ａから上部フランジ６Ａ内面までの距離２５ｍｍであ
る。
第２図において、従来の開口部４ａの位置が上部フラン
ジ６Ａの乍面のときの反応生成物の付着量を１００％と
すると、開口部４ａの位置を開口部５ａから下方に約５
ｍｍまで延ばすことで約５０％に減り、下方に３０ｍｍ
まで延長すると、約１５％に減っていることが分かる。
ジ６Ａの乍面のときの反応生成物の付着量を１００％と
すると、開口部４ａの位置を開口部５ａから下方に約５
ｍｍまで延ばすことで約５０％に減り、下方に３０ｍｍ
まで延長すると、約１５％に減っていることが分かる。
［発明の効果］
以上、本発明によれば、密封容器の片側に設けられた第
１の開口部に励起された酸素原子を容器内に供給する接
続管が接続され、容器の他側に排気口が設けられ、この
排気口の内側に半導体基板を載置する基板台が設けられ
、第１の開口部の内側に案内筒が取付けられ、この案内
筒の外周に原料ガスを案内筒内に供給する第２の開口部
が設けられた半導体基板の薄膜形成装置において、接続
管を第２の開口部より基板側に突き出すことで、原料ガ
スの接続管への侵入を抑えたので、保守が容易で均一な
膜厚・膜質を効率的に基板上に形成することのできる半
導体基板の薄膜形成装置を得ることができる。
１の開口部に励起された酸素原子を容器内に供給する接
続管が接続され、容器の他側に排気口が設けられ、この
排気口の内側に半導体基板を載置する基板台が設けられ
、第１の開口部の内側に案内筒が取付けられ、この案内
筒の外周に原料ガスを案内筒内に供給する第２の開口部
が設けられた半導体基板の薄膜形成装置において、接続
管を第２の開口部より基板側に突き出すことで、原料ガ
スの接続管への侵入を抑えたので、保守が容易で均一な
膜厚・膜質を効率的に基板上に形成することのできる半
導体基板の薄膜形成装置を得ることができる。
第１図は本発明の半導体基板の薄膜形成装置の一実施例
を示す縦断面図、第２図は本発明の半導体基板の薄膜形
成装置の作用を示す図、第３図は従来の半導体基板の薄
膜形成装置の縦断面図である。 １・・・反応管 ２・・・基板台 ３・・・基板 ４ｂ・・・接続管 ４Ｂ・・・排気口 ５３・・・開口部 ６ａ・・・案内筒 （８７３３）代理人 弁理士 猪 股 祥 晃（ほか
１名） −二→・原料ガ゛ス埠入Ｕがうの距鎚Ｏａり第 ２ 図
を示す縦断面図、第２図は本発明の半導体基板の薄膜形
成装置の作用を示す図、第３図は従来の半導体基板の薄
膜形成装置の縦断面図である。 １・・・反応管 ２・・・基板台 ３・・・基板 ４ｂ・・・接続管 ４Ｂ・・・排気口 ５３・・・開口部 ６ａ・・・案内筒 （８７３３）代理人 弁理士 猪 股 祥 晃（ほか
１名） −二→・原料ガ゛ス埠入Ｕがうの距鎚Ｏａり第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 密封容器の片側の第１の開口部に励起された酸素原子を
供給する接続管が接続され前記密封容器の他側の排気口
の内側に半導体基板の載置台が設けられ、前記第１の開
口部の内面に取付けられた案内筒の外周に原料ガスを前
記案内筒内に供給する第２の開口部が設けられた半導体
基板の薄膜形成装置において、 前記接続管を前記第２の開口部よりも前記載置台方向に
突出させたことを特徴とする半導体基板の薄膜形成装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12895789A JPH02308534A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 半導体基板の薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12895789A JPH02308534A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 半導体基板の薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02308534A true JPH02308534A (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=14997596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12895789A Pending JPH02308534A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 半導体基板の薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02308534A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014070237A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Kojima Press Industry Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP5961297B1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-08-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JP2017157678A (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置 |
| JP2021122044A (ja) * | 2020-11-18 | 2021-08-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | Ｏｌｅｄデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、ｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
| US11673170B2 (en) | 2017-04-28 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a vacuum system used in the manufacture of OLED devices, method for vacuum deposition on a substrate to manufacture OLED devices, and apparatus for vacuum deposition on a substrate to manufacture OLED devices |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP12895789A patent/JPH02308534A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014070237A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Kojima Press Industry Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP5961297B1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-08-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JP2017157678A (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置 |
| US11673170B2 (en) | 2017-04-28 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a vacuum system used in the manufacture of OLED devices, method for vacuum deposition on a substrate to manufacture OLED devices, and apparatus for vacuum deposition on a substrate to manufacture OLED devices |
| JP2021122044A (ja) * | 2020-11-18 | 2021-08-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | Ｏｌｅｄデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、ｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
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