JP2021122044A - Oledデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、oledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びoledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 141
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 54
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title claims description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 25
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 61
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Claims (15)
- OLEDデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法であって、
前記真空システムの少なくとも一部を洗浄するための事前洗浄を実行することと、
遠隔プラズマ源を使用してプラズマ洗浄を実行することと
を含む方法。 - 前記プラズマ洗浄が、前記真空システムを操作する前の最終洗浄手順である、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマ洗浄が、真空チャンバの洗浄を含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記プラズマ洗浄が、前記真空チャンバの一又は複数の内壁の洗浄を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記プラズマ洗浄が、前記真空システムの真空チャンバ内部の構成要素の洗浄を含む、請求項1から4の何れか一項に記載の方法。
- 前記構成要素は、機械的構成要素、移動可能な構成要素、駆動装置、バルブ、及びこれらの任意の組み合わせから成る群から選択される、請求項5に記載の方法。
- 前記プラズマ洗浄が、堆積プロセス中に使用される一又は複数のマスクデバイスの洗浄を含む、請求項1から6の何れか一項に記載の方法。
- 前記真空システム又は前記真空システムの一部の保守手順の後に実行される、請求項1から7の何れか一項に記載の方法。
- 前記プラズマ洗浄が、ロードロックチャンバ、洗浄チャンバ、真空堆積チャンバ、真空処理チャンバ、移送チャンバ、ルーティングモジュール、及びこれらの任意の組み合わせから成る群から選択される前記真空システムの一又は複数のチャンバ内で実行される、請求項1から8の何れか一項に記載の方法。
- 前記プラズマ洗浄が、純酸素又は窒素若しくはアルゴンとの酸素混合物のプラズマを使用する、請求項1から9の何れか一項に記載の方法。
- 前記事前洗浄が湿式化学洗浄プロセスを含む、請求項1から10の何れか一項に記載の方法。
- 前記事前洗浄が大気下で実行され、前記プラズマ洗浄が真空下で実行される、請求項1から10の何れか一項に記載の方法。
- OLEDデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法であって、
真空システムの少なくとも一部を洗浄するための事前洗浄を実行することと、
遠隔プラズマ源を使用して前記真空システムの少なくとも前記一部を洗浄するためのプラズマ洗浄を実行することと、
有機材料の一又は複数の層を基板の上に堆積させることと
を含む方法。 - OLEDデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置であって、
真空チャンバと、
前記真空チャンバに結合された遠隔プラズマ源と、
最終的な洗浄手順としてプラズマ洗浄を実行するための前記遠隔プラズマ源に結合されたコントローラと
を含む装置。 - 前記コントローラが、請求項1から13の何れか一項に記載の方法を実施するように構成されている、請求項14に記載の装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021063453A JP7174100B2 (ja) | 2020-11-18 | 2021-04-02 | Oledデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、oledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びoledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020191332A JP7404217B2 (ja) | 2017-04-28 | 2020-11-18 | Oledデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、oledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びoledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
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JP2020191332A Division JP7404217B2 (ja) | 2017-04-28 | 2020-11-18 | Oledデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、oledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びoledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021122044A true JP2021122044A (ja) | 2021-08-26 |
JP7174100B2 JP7174100B2 (ja) | 2022-11-17 |
Family
ID=75381487
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020191332A Active JP7404217B2 (ja) | 2017-04-28 | 2020-11-18 | Oledデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、oledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びoledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
JP2021063453A Active JP7174100B2 (ja) | 2020-11-18 | 2021-04-02 | Oledデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、oledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びoledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2020191332A Active JP7404217B2 (ja) | 2017-04-28 | 2020-11-18 | Oledデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、oledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びoledデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (2) | JP7404217B2 (ja) |
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-
2020
- 2020-11-18 JP JP2020191332A patent/JP7404217B2/ja active Active
-
2021
- 2021-04-02 JP JP2021063453A patent/JP7174100B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP7404217B2 (ja) | 2023-12-25 |
JP2021061404A (ja) | 2021-04-15 |
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