JP2016517134A - Ｏｌｅｄ薄膜カプセル化のためのフッ素含有プラズマ重合ｈｍｄｓｏ - Google Patents
Ｏｌｅｄ薄膜カプセル化のためのフッ素含有プラズマ重合ｈｍｄｓｏ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016517134A JP2016517134A JP2015561352A JP2015561352A JP2016517134A JP 2016517134 A JP2016517134 A JP 2016517134A JP 2015561352 A JP2015561352 A JP 2015561352A JP 2015561352 A JP2015561352 A JP 2015561352A JP 2016517134 A JP2016517134 A JP 2016517134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- buffer
- fluorine
- barrier
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 23
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 title claims abstract description 23
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 148
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 26
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007833 carbon precursor Substances 0.000 description 4
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SiON Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010944 pre-mature reactiony Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
ＯＬＥＤデバイスを形成するための方法が記載される。バリア層の間に挟まれた有機バッファ層を有するカプセル化構造が、ＯＬＥＤ構造の上に堆積される。バッファ層は、フッ素含有プラズマを用いて形成される。その後、第２バリア層が、バッファ層の上に堆積される。更に、良好な接着性を確保するために、バッファ接着層が、バッファ層と第１バリア層との間に形成される。最後に、良好な透過率を確保するために、応力緩和層が、バッファ層と第２バリア層との間に堆積される。
Description
（分野）
本発明の実施形態は、概して、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）をカプセル化するための方法及び装置に関する。
本発明の実施形態は、概して、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）をカプセル化するための方法及び装置に関する。
（関連技術の説明）
ＯＬＥＤは、情報を表示するための、テレビスクリーン、コンピュータモニター、携帯電話、他のハンドヘルドデバイス等の製造に使用される。ＯＬＥＤディスプレイは、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と比べて、より速い応答時間、より大きな視野角、より高いコントラスト、より軽い重量、低消費電力、及びフレキシブル基板への適合性のため、ディスプレイ用途において最近かなりの関心を集めている。
ＯＬＥＤは、情報を表示するための、テレビスクリーン、コンピュータモニター、携帯電話、他のハンドヘルドデバイス等の製造に使用される。ＯＬＥＤディスプレイは、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と比べて、より速い応答時間、より大きな視野角、より高いコントラスト、より軽い重量、低消費電力、及びフレキシブル基板への適合性のため、ディスプレイ用途において最近かなりの関心を集めている。
ＯＬＥＤ構造は、エレクトロルミネセンス効率の低下及び駆動電圧の上昇によって特徴付けられる限られた寿命を有する可能性がある。ＯＬＥＤ構造の劣化の主な理由は、水分又は酸素の侵入に起因する非発光ダークスポットの形成である。このため、ＯＬＥＤ構造は、典型的には、バリア層の間に挟まれたバッファ層によってカプセル化される。バッファ層は、第２バリア層が堆積用に実質的に均一な表面を有するように第１バリア層内の任意のボイド又は欠陥を充填するために利用される。現在のカプセル化層は、不完全な粒子被覆からの故障を防止する上で困難を有する可能性があることが観察されている。
したがって、ＯＬＥＤ構造をカプセル化するための改良された方法及び装置が必要である。
ＯＬＥＤデバイスを形成するための方法が記載される。バリア層の間に挟まれたバッファ層を有するカプセル化構造は、ＯＬＥＤ構造の上に堆積される。バッファ層は、フッ素含有プラズマを用いて形成される。その後、第２バリア層が、バッファ層の上に堆積される。更に、良好な接着性を確保するために、バッファ接着層が、バッファ層と第１バリア層の間に形成される。最後に、良好な透過率を確保するために、応力緩和層が、バッファ層と第２バリア層の間に堆積される。
一実施形態では、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス上にカプセル化構造を形成するための方法は、ＯＬＥＤ構造が上に配置された基板の領域上に第１バリア層を堆積させる工程と、第１バリア層上にバッファ接着層を堆積させる工程と、バッファ接着層上にフッ素含有プラズマを用いてバッファ層を堆積させる工程と、バッファ層上に応力緩和層を堆積させる工程と、応力緩和層上に第２バリア層を堆積させる工程を含む。
別の一実施形態では、ＯＬＥＤデバイスは、ＯＬＥＤ構造が上に配置された基板の領域上に配置された第１バリア層と、第１バリア層上に配置されたバッファ接着層と、バッファ接着層上に配置されたフッ素化バッファ層と、フッ素化バッファ層上に堆積された応力緩和層と、応力緩和層上に配置された第２バリア層を含む。
本開示の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本開示の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を限定していると解釈されるべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
本明細書に記載された方法を実行するために使用することができるＰＥＣＶＤ装置のチャンバの概略断面図である。
図１ＡのＰＥＣＶＤ装置の概略上面図である。
本発明の一実施形態に係るＯＬＥＤデバイスを形成するための方法のフロー図である。
〜
図２の方法の異なる段階の間のＯＬＥＤデバイスの概略断面図を示す。
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。
ＯＬＥＤデバイスを形成するための方法が記載される。バリア層の間に挟まれた有機バッファ層を有するカプセル化構造は、ＯＬＥＤ構造の上に堆積される。バッファ層は、フッ素含有プラズマを用いて形成される。その後、第２バリア層が、バッファ層の上に堆積される。更に、良好な接着性を確保するために、バッファ接着層が、バッファ層と第１バリア層の間に形成される。最後に、良好な透過率を確保するために、応力緩和層が、バッファ層と第２バリア層の間に堆積される。
図１Ａは、本明細書に記載される操作を実行するために使用することができるプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）装置の概略断面図である。本装置は、１以上の膜を基板１２０上に堆積することができるチャンバ１００を含む。チャンバ１００は、概して、処理容積を画定する、壁１０２、底部１０４、及びシャワーヘッド１０６を含む。基板支持体１１８は、処理容積内に配置される。処理容積は、スリットバルブ開口部１０８を介してアクセスされ、これによって基板１２０は、チャンバ１００の内外に搬送することができる。基板支持体１１８は、基板支持体１１８を上下動するアクチュエータ１１６に結合される。リフトピン１２２が、基板支持体１１８を貫通して移動自在に配置され、これによって基板受け面へ及び基板受け面から基板１２０を移動する。基板支持体１１８はまた、基板支持体１１８を所望の温度に維持するための加熱及び／又は冷却要素１２４を含む。基板支持体１１８はまた、ＲＦリターンストラップ１２６を含み、これによって基板支持体１１８の周囲にＲＦリターンパスを提供する。
シャワーヘッド１０６は、締結機構１５０によってバッキングプレート１１２に結合される。シャワーヘッド１０６は、１以上の締結機構１５０によってバッキングプレート１１２に結合され、これによってシャワーヘッド１０６の垂下の防止及び／又は真直度／曲率の制御を助長する。
ガス源１３２は、バッキングプレート１１２に結合され、これによってシャワーヘッド１０６内のガス通路を介してシャワーヘッド１０６と基板１２０の間の処理領域へガスを供給する。真空ポンプ１１０は、チャンバ１００に結合され、これによって処理容積を所望の圧力に維持する。ＲＦ電源１２８は、整合ネットワーク１９０を介してバッキングプレート１１２及び／又はシャワーヘッド１０６へ結合し、これによってＲＦ電流をシャワーヘッド１０６に供給することができる。ＲＦ電流は、シャワーヘッド１０６と基板支持体１１８の間に電界を生成し、これによってシャワーヘッド１０６と基板支持体１１８の間にガスからプラズマを生成することができる。
リモートプラズマ源１３０（例えば、誘導結合リモートプラズマ源１３０）は、ガス供給源１３２とバッキングプレート１１２の間に結合される。基板を処理する間に、洗浄ガスをリモートプラズマ源１３０に供給し、これによってリモートプラズマを生成することができる。リモートプラズマからのラジカルが、チャンバ１００に供給され、これによってチャンバ１００のコンポーネントを洗浄することができる。洗浄ガスは、シャワーヘッド１０６に供給されるＲＦ電源１２８によって更に励起することができる。
シャワーヘッド１０６は、更に、シャワーヘッドサスペンション１３４によってバッキングプレート１１２に結合される。一実施形態では、シャワーヘッドサスペンション１３４は、可撓性のある金属製スカートである。シャワーヘッドサスペンション１３４は、シャワーヘッド１０６を載置することができるリップ１３６を有することができる。バッキングプレート１１２は、チャンバ１００を密閉するチャンバ壁１０２に結合された棚部１１４の上面に載置することができる。
図１Ｂに示されるように、ガス供給源１３２は、第１部分１３２Ａと第２部分１３２Ｂを含む。第１部分１３２Ａは、ガスを直接リモートプラズマ源１３０に供給し、その後、バッキングプレート１１２を通してチャンバ１００に供給する。第２部分１３２Ｂは、リモートプラズマ源１３０を迂回することによって、バッキングプレート１１２を通してチャンバ１００にガスを送出する。
図２は、本発明の様々な実施形態に係るＯＬＥＤデバイスの上にカプセル化構造を形成するための方法２００のフロー図である。図３Ａ〜３Ｅは、図２の方法２００の異なる段階中のＯＬＥＤデバイスの概略断面図を示す。方法２００は、予め形成されたＯＬＥＤ構造３０４が上に配置された基板３００を処理チャンバ（例えば、チャンバ１００）内へ導入することによるプロセス２０２で開始する。基板３００は、図３Ａに示されるように、上に配置されたコンタクト層３０２を、コンタクト層３０２の上に配置されたＯＬＥＤ構造３０４と共に有することができる。
プロセス２０４では、図３Ａに示されるように、マスク３０９が基板３００の上に位置合わせされ、これによってＯＬＥＤ構造３０４は、マスク３０９によって保護されていない開口部３０７を介して露出される。マスク３０９は、ＯＬＥＤ構造３０４に隣接するコンタクト層３０２の部分３０５がマスク３０９によって覆われ、これによって任意の後続の堆積材料が部分３０５上に堆積しないように位置決めされる。コンタクト層３０２の部分３０５は、ＯＬＥＤデバイス用の電気接点であり、このためいかなる材料もその上に堆積させることはできない。マスク３０９は、金属材料（例えば、ＩＮＶＡＲ（商標名））から作ることができる。
プロセス２０６では、図３Ａに示されるように、第１バリア層３０８が、基板３００上に堆積される。第１バリア層３０８は、第１部分３０８ａ及び第２部分３０８ｂを有し、約５０００オングストローム〜約１００００オングストロームの厚さを有する。第１バリア層３０８の第１部分３０８ａは、ＯＬＥＤ構造３０４及びコンタクト層３０２を含むマスク３０９によって露出された基板３００の領域の上に開口部３０７を介して堆積される。第１バリア層３０８の第２部分３０８ｂは、コンタクト層３０２の部分３０５を含む基板３００の第２領域を覆うマスク３０９の上に堆積される。第１バリア層３０８は、誘電体層（例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又は他の適切な誘電体層）である。一実施形態では、第１バリア層３０８は、窒化ケイ素を含む。第１バリア層３０８は、適切な堆積技術（例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）、ＰＥＣＶＤ、物理蒸着（ＰＶＤ）、スピンコーティング、又は他の適切な技術）によって堆積させることができる。第１バリア層３０８は、ケイ素含有前駆体（例えば、シラン）を、１以上の窒素含有前駆体（例えば、Ｎ２及びＮＨ３）と共に、水素と共に導入することによって堆積させることができる。
プロセス２０８では、図３Ｂに示されるように、第１バリア層３０８が基板３００上に形成された後、バッファ接着層３１２が、次いで、基板３００上の第１バリア層３０８の上に形成される。バッファ接着層３１２の第１部分３１２ａは、マスク３０９によって露出された基板３００の領域上のマスク３０９の開口部３０７を通して基板３００の上に堆積され、第１無機層３０８の第１部分３０８ａを覆う。バッファ接着層３１２の第２部分３１２ｂは、コンタクト層３０２の部分３０５を覆うマスク３０９上に配置された第１バリア層３０８の第２部分３０８ｂ上に堆積される。バッファ接着層３１２は、第１バリア層３０８が形成されるのと同じチャンバ内で第１バリア層３０８上に堆積される。バッファ接着層３１２は、誘電体材料（例えば、酸窒化ケイ素）を含むことができる。
図３Ｃに示されるように、バッファ接着層３１２を堆積した後、バッファ層３１４が、プロセス２１０で堆積される。バッファ層３１４は、ＰＥＣＶＤチャンバ内でフッ素化プラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン（ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆ）堆積させることができる。バッファ層３１４は、約２μｍ〜約５μｍの厚さを有する。ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆ層の堆積は、１以上のフッ素含有ガス及びＨＭＤＳＯガスをＯ２又はＮ２Ｏガスのいずれかと共に流すことによって達成される。フッ素含有ガスは、フッ化窒素（ＮＦ３）、フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、フッ素ガス（Ｆ２）、四フッ化炭素（ＣＦ４）、又はそれらの任意の組み合わせとすることができる。フッ素ドープされたプラズマ重合ＨＭＤＳＯ層は、優れた粒子カバー性能と表面平坦化効果を有する。得られたバッファ層３１４は、１０原子％未満のフッ素含有量を有する。
ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆの堆積中、フッ素含有ガス及びＨＭＤＳＯガスの流量の比率は、約０．２５〜約１．５とすることができる。あまりにも多くのフッ素が存在する場合、ＨＭＤＳＯ中の炭素が取り出される可能性がある。一実施形態では、ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：ＦのＰＥＣＶＤは、以下の条件下で行われる。ＳｉＦ４は、１２５標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）の流量を有し、ＨＭＤＳＯは、３００ｓｃｃｍの流量を有する。つまり、ＨＭＤＳＯに対するＳｉＦ４の比は、約０．４０〜約０．４５である。プラズマは、７００Ｗで生成され、チャンバ圧力は、約１８００ミリトルである。ＰＥＣＶＤは、約８０℃で堆積され、基板３００とシャワーヘッド１０６との間の距離は、約６５０ミルである。
バッファ層３１４を堆積するとき、ＨＭＤＳＯは、最初は液体前駆体であり、チャンバへの送達前に気化される。このように、液体前駆体は、たとえ気化されていても、チャンバ内に噴霧することができ、これはバッファ接着層３１２との界面で形成する望ましくない粒子をもたらす。粒子は、バッファ層３１４の層間剥離とデバイスの故障につながる可能性がある。望ましくない粒子の形成を防止するために、ＨＭＤＳＯの噴霧は、低減及び／又は排除する必要がある。したがって、バッファ層３１４の前駆体の流れは、単に最終的な所望の流量で流されるのではなく、ランプアップされる（高められる）。ランプアップは、２ステッププロセスで行われ、第１ステップは、約０．０００３７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００６７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量でケイ素−炭素含有前駆体（例えば、ＨＭＤＳＯ）を導入し、同時に約０．０００３７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００６７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量で不活性ガス（例えば、ヘリウム）もまた導入することを含む。その後、約０．００３１２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００３３７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量で酸素含有前駆体（例えば、Ｎ２Ｏ）を導入し、同時に約０．０００３ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００４ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量でフッ素前駆体を導入する。第２ステップは、第１ステップと同じくらい継続する。第２ステップの間、前駆体は流れ続けるが、ケイ素−炭素含有前駆体は、約０．０００８７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００１１２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２まで増加し、不活性ガスは、約０．０００７ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００８ｓｃｃｍ／ｍｍ２まで増加し、フッ素前駆体は、約０．０００４２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００５５ｓｃｃｍ／ｍｍ２まで増加する。酸素含有前駆体は、同じ流速のままでいる。
ランプアップに続いて、バッファ層の堆積は、約０．００１３７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００１６ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量でケイ素−炭素前駆体を流し、約０．０００９５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００１１ｓｃｃｍ／ｍｍ２で不活性ガスを流し、０．０００７ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００８２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量でフッ素前駆体を流すことによって継続する。酸素含有前駆体の基板表面積当たりの流量は、１０〜２０秒毎に０．０００５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の増分で、約０．００１１２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００１２７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の間まで徐々に減少させることにより、堆積全体を通して変化する。酸素含有前駆体は、増加前に、約７０〜９０秒間、安定状態を保つ。酸素前駆体の基板表面積当たりの流量は、６０〜７０秒毎に０．０００５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の増分で、約０．００３１２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００３３７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の間まで徐々に増加する。ランプアップのため、バッファ層とバッファ接着層との間の界面での粒子発生は、低減又は排除される。
粒子生成の問題に加えて、ケイ素−炭素前駆体とフッ素前駆体が反応するので、前駆体が早期に反応しないことを保証するように注意しなければならない。前駆体間の早期の反応を回避するために、フッ素含有前駆体とケイ素−炭素前駆体は、別々に送出させることができる。図１の処理チャンバを使用して、フッ素含有前駆体は、部分１３２Ｂから送出され、リモートプラズマ源１３０を迂回させることができ、一方、残りの前駆体ガスは、部分１３２Ａから送出され、リモートプラズマ源１３０を通過させることができる。
ケイ素−炭素前駆体は、気化される液体前駆体であるので、シャワーヘッド１０６は依然として「濡れた状態」である可能性がある（すなわち、液体前駆体の残留物が、シャワーヘッド１０６上又はガス通路内に残る可能性がある）。その後、シャワーヘッド１０６は、乾燥させなければならない。乾燥は、前駆体をランプダウンさせ、同時に不活性ガス（例えば、Ｎ２）を約０．００９５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０１１２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量で導入することによって起こる。不活性ガスは、他の前駆体が流れるのを停止した後に流れ続ける。不活性ガスの流れと同時に、前駆体の流れが停止した後に、基板は、シャワーヘッド１０６から離れるように移動させることができる。
第２バリア層３１８が、バッファ層３１４上に堆積された場合は、得られたカプセル化構造は、悪い光透過率（例えば、約７０％）を有するだろう。第２バリア層３１８は、約５０００オングストローム〜約１００００オングストロームの厚さを有することができる。悪い透過率は、圧縮応力を有する第２バリア層３１８によって引き起こされると考えられている。良好な光透過率（すなわち、９０％を超える透過率）を確保するために、図３Ｄに示されるように、応力緩和層３１６をプロセス２１２で堆積させることができる。応力緩和層３１６は、誘電体材料（例えば、酸窒化ケイ素）を含むことができ、ケイ素含有前駆体、窒素含有前駆体、及び酸素含有前駆体及び水素を導入することによって形成することができる。応力緩和層３１６は、第２バリア層３１８の圧縮応力を相殺するために若干の引張応力を有するだろう。応力緩和層３１６は、バッファ層３１４の第１部分３１４ａの上に堆積された第１部分３１６ａと、バッファ層３１４の第２部分３１４ｂの上に堆積された第２部分３１６ｂを含む。
プロセス２１４では、図３Ｅに示されるように、第２バリア層３１８が、基板３００上に形成され、応力緩和層３１６を覆う。第２バリア層３１８は、応力緩和層３１６の第１部分３１６ａの上に堆積された第１部分３１８ａと、応力緩和層３１６の第２部分３１６ｂの上に堆積された第２部分３１８ｂを含む。
第２バリア層３１８は、第１バリア層３０８と同様の誘電体層とすることができる。第２バリア層３１８は、誘電体層（例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２、又は他の適切な誘電体層）である。一実施形態では、第２バリア層３１８は、窒化ケイ素を含む。第２バリア層３１８は、適切な堆積技術（例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、スピンコーティング、又は他の適切な技術）によって堆積させることができる。
本明細書に記載されるような、第１バリア層、バッファ接着層、バッファ層、応力緩和層、及び第２バリア層の堆積は、単一の堆積チャンバ（例えば、ＰＥＣＶＤチャンバ１００）内で実行することができる。汚染の危険性を最小限にするために、処理チャンバのパージをサイクルの間に実行することができる。単一チャンバプロセスは、サイクル時間を低減させるだけでなく、複数のチャンバプロセスを使用することのチャンバ数（及び設備コスト）を低減させるのに有利である可能性がある。
要約すると、ＯＬＥＤデバイスが、２つのバリア層の間に挟まれたバッファ層を使用して形成される。バッファ層は、フッ素含有プラズマを使用して、第１バリア層の上に形成される。第２バリア層は、有機層の上に形成される。
上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他の及び更なる実施形態は本開示の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
Claims (15)
- 有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス上にカプセル化構造を形成するための方法であって、
ＯＬＥＤ構造が上に配置された基板の領域上に第１バリア層を堆積させる工程と、
第１バリア層上にバッファ接着層を堆積させる工程と、
バッファ接着層上にフッ素含有プラズマを用いてバッファ層を堆積させる工程と、
バッファ層上に応力緩和層を堆積させる工程と、
応力緩和層上に第２バリア層を堆積させる工程を含む方法。 - バッファ層は、フッ素化プラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン（ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆ）を含む、請求項１記載の方法。
- フッ素含有プラズマは、１以上のフッ素含有ガス及びＨＭＤＳＯガスを含む、請求項２記載の方法。
- フッ素含有ガスは、ＮＦ３、ＳｉＦ４、Ｆ２、ＣＦ４、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項３記載の方法。
- 第１及び第２バリア層、バッファ接着層、応力緩和層、及びバッファ層は、単一の処理チャンバ内で堆積される、請求項１記載の方法。
- 単一の処理チャンバは、ＰＥＣＶＤチャンバである、請求項５記載の方法。
- バッファ接着層は、酸窒化ケイ素を含む、請求項６記載の方法。
- 応力緩和層は、酸窒化ケイ素を含む、請求項７記載の方法。
- 第１及び第２バリア層は、窒化ケイ素を含む、請求項８記載の方法。
- ＯＬＥＤ構造が上に配置された基板の領域上に配置された第１バリア層と、
第１バリア層上に配置されたバッファ接着層と、
バッファ接着層上に配置されたフッ素化バッファ層と、
フッ素化バッファ層上に堆積された応力緩和層と、
応力緩和層上に配置された第２バリア層を含むＯＬＥＤデバイス。 - フッ素化バッファ層は、フッ素化プラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン（ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆ）を含む、請求項１０記載のデバイス。
- 第１及び第２バリア層は、窒化ケイ素を含む、請求項１１記載のデバイス。
- バッファ接着層は、酸窒化ケイ素を含む、請求項１２記載のデバイス。
- 応力緩和層は、酸窒化ケイ素を含む、請求項１３のデバイス。
- フッ素化バッファ層は、１０原子％未満のフッ素を有する、請求項１４記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361772509P | 2013-03-04 | 2013-03-04 | |
| US61/772,509 | 2013-03-04 | ||
| US201361893384P | 2013-10-21 | 2013-10-21 | |
| US61/893,384 | 2013-10-21 | ||
| PCT/US2014/015060 WO2014137529A1 (en) | 2013-03-04 | 2014-02-06 | Fluorine-containing plasma polymerized hmdso for oled thin film encapsulation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016517134A true JP2016517134A (ja) | 2016-06-09 |
| JP6431488B2 JP6431488B2 (ja) | 2018-11-28 |
Family
ID=51420525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015561352A Active JP6431488B2 (ja) | 2013-03-04 | 2014-02-06 | Ｏｌｅｄ薄膜カプセル化のためのフッ素含有プラズマ重合ｈｍｄｓｏ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US9331311B2 (ja) |
| JP (1) | JP6431488B2 (ja) |
| KR (1) | KR102139211B1 (ja) |
| CN (2) | CN105009319B (ja) |
| TW (1) | TWI655796B (ja) |
| WO (1) | WO2014137529A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019534538A (ja) * | 2016-11-06 | 2019-11-28 | オルボテック エルティ ソラー，エルエルシー | 有機発光ダイオードの封止方法及び装置 |
| JP2021122044A (ja) * | 2020-11-18 | 2021-08-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | Ｏｌｅｄデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、ｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
| JP2021536092A (ja) * | 2019-08-09 | 2021-12-23 | 武漢華星光電半導体顕示技術有限公司Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Disolay Technology Co., Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
| JP2022522964A (ja) * | 2019-01-15 | 2022-04-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｈｍｄｓｏ熱安定性のための方法 |
| JP2023515932A (ja) * | 2020-02-28 | 2023-04-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄膜封入を改善するための方法 |
| US11673170B2 (en) | 2017-04-28 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a vacuum system used in the manufacture of OLED devices, method for vacuum deposition on a substrate to manufacture OLED devices, and apparatus for vacuum deposition on a substrate to manufacture OLED devices |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180006967A (ko) | 2015-05-14 | 2018-01-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Oled 애플리케이션들을 위한 필름 스택들의 캡슐화 |
| CN105118933B (zh) * | 2015-09-02 | 2018-03-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜封装方法及有机发光装置 |
| JP6232041B2 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| KR102541448B1 (ko) | 2016-03-08 | 2023-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US10615368B2 (en) * | 2017-01-09 | 2020-04-07 | Applied Materials, Inc. | Encapsulating film stacks for OLED applications with desired profile control |
| CN106876607B (zh) * | 2017-03-21 | 2019-07-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜封装结构、薄膜封装方法及显示装置 |
| KR102343390B1 (ko) | 2017-04-03 | 2021-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN110785866B (zh) | 2017-07-25 | 2022-07-19 | 应用材料公司 | 改良的薄膜包封 |
| US20190109300A1 (en) * | 2017-10-10 | 2019-04-11 | Applied Materials, Inc. | Planarizing hmdso buffer layer with chemical vapor deposition |
| CN107945665B (zh) * | 2017-11-15 | 2019-09-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示屏的贴合方法及柔性显示屏贴合设备 |
| CN108539044B (zh) * | 2018-04-25 | 2020-04-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled器件的封装结构及封装方法 |
| TWI735847B (zh) * | 2018-10-12 | 2021-08-11 | 財團法人工業技術研究院 | 光電元件封裝體 |
| CN111048654B (zh) * | 2018-10-12 | 2021-10-22 | 财团法人工业技术研究院 | 光电元件封装体 |
| CN112349860B (zh) * | 2019-10-15 | 2023-03-14 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 发光器件及其有机缓冲封装层与制作方法 |
| KR102107446B1 (ko) * | 2019-11-17 | 2020-05-07 | 주식회사 지에스아이 | 코팅장치, 코팅방법, 및 이러한 코팅방법에 따라 제조된 코팅막 |
| CN111755625A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329720A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Samco International Inc | デバイス用保護膜及びその作製方法 |
| JP2004311430A (ja) * | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Toppoly Optoelectronics Corp | 有機発光装置用カプセル構造の形成方法 |
| JP2005335067A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Nippon Zeon Co Ltd | ガスバリア積層体及び発光素子 |
| JP2006164543A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Serubakku:Kk | 有機ｅｌ素子の封止膜、有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法 |
| JP2008004545A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-01-10 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | 有機デバイスのカプセル化 |
| US20110097533A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Suna Displays Co., Ltd. | Thin film encapsulation method |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100205318B1 (ko) * | 1996-10-11 | 1999-07-01 | 구본준 | 자유전율의 절연막 제조방법 |
| KR100249784B1 (ko) * | 1997-11-20 | 2000-04-01 | 정선종 | 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법 |
| US6068884A (en) * | 1998-04-28 | 2000-05-30 | Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc | Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films |
| US6268695B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| EP1524708A3 (en) * | 1998-12-16 | 2006-07-26 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material and methods of making. |
| US6465953B1 (en) | 2000-06-12 | 2002-10-15 | General Electric Company | Plastic substrates with improved barrier properties for devices sensitive to water and/or oxygen, such as organic electroluminescent devices |
| EP1419286A1 (en) * | 2001-08-20 | 2004-05-19 | Nova-Plasma Inc. | Coatings with low permeation of gases and vapors |
| TW519853B (en) * | 2001-10-17 | 2003-02-01 | Chi Mei Electronic Corp | Organic electro-luminescent display and its packaging method |
| US7220687B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method to improve water-barrier performance by changing film surface morphology |
| US7214600B2 (en) | 2004-06-25 | 2007-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method to improve transmittance of an encapsulating film |
| CN101412300A (zh) * | 2007-10-16 | 2009-04-22 | 富士胶片株式会社 | 阻隔性层叠体、阻隔性薄膜基板、器件以及阻隔性层叠体的制造方法 |
| KR101001552B1 (ko) * | 2009-01-20 | 2010-12-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101560234B1 (ko) * | 2009-06-29 | 2015-10-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| CN201616434U (zh) * | 2009-10-29 | 2010-10-27 | 彩虹集团公司 | 一种有机发光器件的薄膜封装结构 |
| KR101155904B1 (ko) * | 2010-01-04 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101127595B1 (ko) * | 2010-05-04 | 2012-03-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| US8877546B2 (en) * | 2010-05-28 | 2014-11-04 | Corning Incorporated | Enhanced semiconductor devices employing photoactive organic materials and methods of manufacturing same |
| CN109390496B (zh) | 2011-02-07 | 2021-06-15 | 应用材料公司 | 用于封装有机发光二极管的方法 |
| KR101844557B1 (ko) * | 2011-02-08 | 2018-04-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 유기 발광 다이오드의 하이브리드 캡슐화를 위한 방법 |
| WO2012173692A1 (en) | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Applied Materials, Inc. | Cvd mask alignment for oled processing |
| US9312511B2 (en) * | 2012-03-16 | 2016-04-12 | Universal Display Corporation | Edge barrier film for electronic devices |
| KR101889013B1 (ko) * | 2012-05-17 | 2018-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치의 박막 봉지 및 그 제조방법 |
| US9449809B2 (en) | 2012-07-20 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Interface adhesion improvement method |
| US9397318B2 (en) | 2012-09-04 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode |
| US9525155B2 (en) * | 2012-12-03 | 2016-12-20 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Gas and moisture permeation barriers |
-
2014
- 2014-02-06 WO PCT/US2014/015060 patent/WO2014137529A1/en active Application Filing
- 2014-02-06 JP JP2015561352A patent/JP6431488B2/ja active Active
- 2014-02-06 KR KR1020157024718A patent/KR102139211B1/ko active IP Right Grant
- 2014-02-06 US US14/174,248 patent/US9331311B2/en active Active
- 2014-02-06 CN CN201480011308.4A patent/CN105009319B/zh active Active
- 2014-02-06 CN CN201710686083.8A patent/CN107464894B/zh active Active
- 2014-02-10 TW TW103104222A patent/TWI655796B/zh not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-04-08 US US15/094,582 patent/US9761836B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-11 US US15/700,681 patent/US10181581B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329720A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Samco International Inc | デバイス用保護膜及びその作製方法 |
| JP2004311430A (ja) * | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Toppoly Optoelectronics Corp | 有機発光装置用カプセル構造の形成方法 |
| JP2005335067A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Nippon Zeon Co Ltd | ガスバリア積層体及び発光素子 |
| JP2006164543A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Serubakku:Kk | 有機ｅｌ素子の封止膜、有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法 |
| JP2008004545A (ja) * | 2006-06-13 | 2008-01-10 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | 有機デバイスのカプセル化 |
| US20110097533A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Suna Displays Co., Ltd. | Thin film encapsulation method |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019534538A (ja) * | 2016-11-06 | 2019-11-28 | オルボテック エルティ ソラー，エルエルシー | 有機発光ダイオードの封止方法及び装置 |
| US11673170B2 (en) | 2017-04-28 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a vacuum system used in the manufacture of OLED devices, method for vacuum deposition on a substrate to manufacture OLED devices, and apparatus for vacuum deposition on a substrate to manufacture OLED devices |
| JP2022522964A (ja) * | 2019-01-15 | 2022-04-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｈｍｄｓｏ熱安定性のための方法 |
| JP7317975B2 (ja) | 2019-01-15 | 2023-07-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｈｍｄｓｏ熱安定性のための方法 |
| US12041840B2 (en) | 2019-01-15 | 2024-07-16 | Applied Materials, Inc. | Methods for HMDSO thermal stability |
| JP2021536092A (ja) * | 2019-08-09 | 2021-12-23 | 武漢華星光電半導体顕示技術有限公司Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Disolay Technology Co., Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
| JP2023515932A (ja) * | 2020-02-28 | 2023-04-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄膜封入を改善するための方法 |
| JP7450051B2 (ja) | 2020-02-28 | 2024-03-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄膜封入を改善するための方法 |
| JP2021122044A (ja) * | 2020-11-18 | 2021-08-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated | Ｏｌｅｄデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、ｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
| JP7174100B2 (ja) | 2020-11-18 | 2022-11-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｏｌｅｄデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、ｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201442314A (zh) | 2014-11-01 |
| CN107464894B (zh) | 2019-03-15 |
| TWI655796B (zh) | 2019-04-01 |
| US9331311B2 (en) | 2016-05-03 |
| US20180013097A1 (en) | 2018-01-11 |
| US10181581B2 (en) | 2019-01-15 |
| CN105009319A (zh) | 2015-10-28 |
| WO2014137529A1 (en) | 2014-09-12 |
| US9761836B2 (en) | 2017-09-12 |
| KR102139211B1 (ko) | 2020-07-29 |
| US20140246655A1 (en) | 2014-09-04 |
| JP6431488B2 (ja) | 2018-11-28 |
| CN107464894A (zh) | 2017-12-12 |
| CN105009319B (zh) | 2017-09-05 |
| US20160226025A1 (en) | 2016-08-04 |
| KR20150125667A (ko) | 2015-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6431488B2 (ja) | Ｏｌｅｄ薄膜カプセル化のためのフッ素含有プラズマ重合ｈｍｄｓｏ | |
| US9530990B2 (en) | Plasma curing of PECVD HMDSO film for OLED applications | |
| US10224507B2 (en) | Fluorine-containing polymerized HMDSO applications for OLED thin film encapsulation | |
| US20140349422A1 (en) | Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode | |
| US20230172033A1 (en) | Processes for improving thin-film encapsulation | |
| US20190097175A1 (en) | Thin film encapsulation scattering layer by pecvd | |
| US12041840B2 (en) | Methods for HMDSO thermal stability |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170203 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180406 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180607 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180702 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181009 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181102 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6431488 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |