JP2008004545A - 有機デバイスのカプセル化 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、有機物質、特に、ＯＬＥＤを有する電子デバイス、又はその他有機オプトエレクトロニックデバイスのための薄膜カプセル化構造、対応のコンポーネント及び製造方法に関する。
【解決手段】カプセル化されるデバイス又は表面に直接配置された第１の無機バリア層（５）と、該第１の無機バリア層上に配置された平坦化層（６）であって、該平坦化層の厚さを選択して、第１のバリア層の表面又は第１のバリア層の下のデバイスの表面又はカプセル化される表面の最頂部と最底部間の距離の単純値よりも厚くなるようにした平坦化層（６）と、平坦化層上に配置された第２のバリア層（１４）とを備えている。
【選択図】図１
【解決手段】カプセル化されるデバイス又は表面に直接配置された第１の無機バリア層（５）と、該第１の無機バリア層上に配置された平坦化層（６）であって、該平坦化層の厚さを選択して、第１のバリア層の表面又は第１のバリア層の下のデバイスの表面又はカプセル化される表面の最頂部と最底部間の距離の単純値よりも厚くなるようにした平坦化層（６）と、平坦化層上に配置された第２のバリア層（１４）とを備えている。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機物質、特に、ＯＬＥＤを有する電子デバイス、又はその他有機オプトエレクトロニックデバイス用の薄膜カプセル化構造、及びかかる薄膜カプセル化構造の製造方法及びそれを備えた電子技術部品に関する。
有機エレクトロニックデバイス、特にＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）には、気密及び防湿カプセル化が、酸素、特に環境からの水分を、反応性のある感度の高い有機物質及び電極から断つために必要である。これまで、いわゆるゲッタリング材料の挿入を用いてガラス及び金属の気密筐体を与えることが確立されたやり方として広く行われてきた。これは、有機物質に達する前に、ゲッタリング材料により酸素及び水分を寄せ付けない、又は少なくとも阻止するためである。しかしながら、かかる気密筐体は質量及び対応の寸法が大きく、用途によっては不向きであり、大きな製造努力も伴う。更に、金属は透明性を欠くため、やはり用途によっては不向きである。
かかる欠点を回避する周知の方法は薄膜カプセル化であり、水及び／又は酸素の透過を制限又は防ぐために、筐体を施す、或いは、様々な薄層のスタックを適用するものである。
この種の薄膜カプセル化については、例えば、ＷＯ第０３／０５０８９４Ａ２号に記載されており、複数の異なる誘電体層が提案されている。誘電体層は、バリア効果の高い無機層から形成されるのが好ましい。しかしながら、無機層は弾性力が低く、機械的応力の散逸にほとんど寄与しないため、無機層のスタックは容易に亀裂を導いて、水及び酸素が亀裂から浸透してくる可能性がある。このため、高弾性力を有していて、亀裂を防ぐ有機層又はポリマー層を無機層間に提供することは既知である。かかる層構造は、例えば、ＷＯ第０３／０１６５８９Ａ１号に提案されている。
層のスタック中の有機及び無機層の組み合わせもまた、ＥＰ第７７７２８０号、ＵＳ第６，１９８，２１７号、ＤＥ第１０２２２９５８号及びＵＳ第２００５／００２９５１３Ａ１号より公知である。
良い結果が得られているものの、先行技術の層だと複数の層による大きな製造努力を伴うという欠点がある。加えて、様々な層であるにもかかわらず、シーリング機能が最終的に不十分であることが明らかになっている。
従って、本発明の目的は、少ない経費で、即ち、できる限り少ない層で、先行技術よりも改善されたシーリング性を示し、同時に、その他の基本的な条件、例えば、可視波長範囲での光の高透過率や単純なプロセス制御を維持する薄膜カプセル化及びその製造方法を提供することである。
この目的は、請求項１の特徴を有する薄膜カプセル化構造、請求項１４による対応のカプセル化構造を備えた電子技術コンポーネント、及び請求項１７の特徴を有する薄膜カプセル化構造の製造方法により達成される。有利な実施形態は従属項の対象である。
本発明の特徴は、本発明者らが、粗い微粒子付着−例えば、真空コーティング設備そのものでの粒子生成による−又はカプセル化する表面の構造がカプセル化特性に悪影響を及ばす可能性があるという必須の側面を認識したということである。ＯＬＥＤの場合は特に、段やリセスの形態のかかる表面凹凸や粗さが、対応の構造により存在するため、そして、コストの圧迫により半導体回路製造に匹敵するダストフリーの環境での製造条件が不可能なため、効果的且つ単純なカプセル化構造のためには、平坦化層により凹凸や粗さを排除することが必須である。
また、本発明の特徴は、カプセル化される表面の第１のバリア層又は有機デバイスの後にのみ平坦化層が配置されるということである。これによって、単純な製造プロセスが実現できる。第１の無機バリア層の効果は、有機物質を後の層付着の影響から保護することである。これによって、平坦化層の効果的且つ単純な適用が促される。これは、平坦化層の平坦な表面に後に配置される第２のバリア層による効果的なカプセル化にとって重要である。
従って、全体のやり方としては、まず、保護するデバイス又はカプセル化する表面に第１の無機バリア層を直接配置して、カプセル化されるデバイス又は表面に初期の保護を与えることである。続いて、有機平坦化層を適用して、表面の凹凸、層成長欠陥又は構造及び機械的応力を補って基礎を形成することによって、いくつかある後のバリア層に有効なバリア効果が得られる。従って、本発明は、第２のバリア層を平坦化層に提供するものであり、該バリア層は、段、リセス等が存在しない、又はあっても少ないため、非常に効果的なやり方で適用することができる。
有機平坦化層が、表面凹凸や構造の点欠陥排除を確実に補償するためには、その厚さを選択して、第１のバリア層の表面又は第１のバリア層の下のデバイスの表面又はカプセル化される表面の最頂部と最底部間の距離の単純値よりも厚くなるようにする。
コートされる各表面の最頂部と最底部間の距離の単純値は、最大プロファイル高さＲｙ（ＩＳＯ／ＪＩＳ／ＤＩＮ４７６２）についての通常の規格に従って求められ、これは中心線からの最頂部と最底部間の距離の合計と定義される。
第２のバリア層は数枚の副層を有しているのが好ましく、特に、２枚以上の無機副層が提供されていて、水分及び酸素に対するバリア効果を示すと特に好ましい。数枚の副層を与えると、副層の１枚に欠陥が生じても漏れにはつながらない。
少なくとも１枚、好ましくは数枚、特に２枚の有機副層を第２のバリア層に与えるのが好ましく、特に、それらは無機副層間に配置される、又はそれらの間に挟まれる。無機副層に比べて有機副層の弾性が増加すると、機械的応力の散逸にも寄与して、漏れにつながる亀裂も防ぐ。
第２のバリア層の副層、特に、有機副層は、その厚さが、デバイス又は保護する表面の方向において、カプセル化構造の近接する層又は副層に少なくとも対応している、或いはデバイス又は保護する表面の方向において、カプセル化構造の近接する層又は副層の最頂部と最底部間の距離の単純値に少なくとも等しいように形成されている。
対応の厚さの設定によって、欠陥があってもカプセル化が機能しなくなることはない。
好ましくは、有機副層は、それが、特に、デバイス又は保護する表面の方向に近接した無機副層の厚さに対応するように調整し、一方、無機副層の厚さは、デバイス又は保護する表面の方向にある表面の最頂部と最底部間の距離の単純値に少なくとも等しい。
好ましい実施形態において、疎水性層は、第２又は補助バリア層に少なくとも配置されている。これは、水分浸透をはじめから排除するために、表面での水又は水分の堆積を排除することが目的である。従って、疎水性層を選択して、その表面エネルギーを、水との接触角が好ましくは８０°を超えるように大きなものとする。疎水性層は、特に、ハイドロカーボンモノマー、フルオロカーボンモノマー又は有機ケイ素モノマーベースのポリマーから形成され、例えば、プラズマ重合により適用される。
第１及び／又は第２のバリア層は、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素又は有機ケイ素酸化物の無機副層を有し、１８０℃未満、好ましくは１４０℃未満の温度で低温ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成長）により適用されるのが好ましい。
平坦化層は、好ましい実施形態において、放射線硬化性ポリマー、フォトレジスト又は有機モノマーから形成され、スピンコーティング、スプレーコーティング又は印刷により、液体又は流動性のあるポリマーの蒸発又は機械的適用か、真空コーティング技術、特に、プラズマエンハンスド真空コーティング技術のいずれかにより適用される。
平坦化層はまた、重合又は硬化を行うために、放射線、例えば、ＵＶ、ＩＲ又は電子ビーム処理により後処理されるのも有利である。その結果、オプトエレクトロニックデバイス又は基板の有害な熱応力が抑制される。
第２のバリア層の有機副層は、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、炭化水素モノマー、放射線硬化性モノマー、フォトレジスト及び／又はポリマーから形成されるのが好ましい。これらの層もプラズマエンハンスド適用法により適用されるのが好ましい。
本発明の薄膜カプセル化構造では、水透過率は１日あたり＜１０Ｘ１０−６ｇ／ｍ２、特に、１日あたり５Ｘ１０−６ｇ／ｍ２、可視波長範囲の光透過率が８０％を超える、好ましくは８５％であるのが好ましい。
この構造によって、例えば、インライン設備で単純な製造を行える。
図１に、本発明による薄膜カプセル化構造１２でのＯＬＥＤ部分を示す。
例えば、好適なガラス枠又は可撓性透明フィルムの基板１上の２枚の電極層２と４の間に提供されているのは、有機エレクトロルミネッセントユニット３であり、図示されていない７枚の副層からなっている。層２と４は、有機オプトエレクトロニックデバイス１３を形成する。図１に示す実施形態においては、ＯＬＥＤである。しかしながら、その他の有機エレクトロニックデバイス、例えば、光電池デバイスもまた想定される。
有機オプトエレクトロニックデバイス１３を保護するために、本発明の薄膜カプセル化構造１２を適用する。
薄膜カプセル化構造１２は、合計で６枚の層５〜１０を有する。以下に詳細を説明する。
無機物質、例えば、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素又は有機ケイ素酸化物から形成されたケイ素化合物から形成された第１のバリア層５を有機デバイス１３の電極層４に適用する。電極層４で例示のためのみに示された通り、有機デバイス１３は、構造１１又は微粒子付着構造１１を有するため、段、リセス等が、電極層４と第１のバリア層５との間の境界面に形成される。これらの構造はまた、基板１の凹凸によっても、又は有機デバイス１３の層構造により平坦化されないその表面から生じる場合がある。該構造は、形成された第１のバリア層の表面での第１のバリア層５の適用の際に再形成される。
無機物質、例えば、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素又は有機ケイ素酸化物から形成されたケイ素化合物から形成された第１のバリア層５を有機デバイス１３の電極層４に適用する。電極層４で例示のためのみに示された通り、有機デバイス１３は、構造１１又は微粒子付着構造１１を有するため、段、リセス等が、電極層４と第１のバリア層５との間の境界面に形成される。これらの構造はまた、基板１の凹凸によっても、又は有機デバイス１３の層構造により平坦化されないその表面から生じる場合がある。該構造は、形成された第１のバリア層の表面での第１のバリア層５の適用の際に再形成される。
これらの構造又は凹凸を補うために、本発明は平坦化層６、例えば、液体又は流動可能なポリマーを提供する。これは、構造１１を補って、平坦化層６の平滑又は平坦な表面が第１のバリア層の反対５の表面に形成されるようにする。副層７〜９から形成された第２のバリア層１４は、平坦化層６に形成される。
副層７〜９は、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素又は有機ケイ素酸化物から形成された化合物から形成されていてよい２枚の無機副層７と９、及び、例えば、プラズマ偏光により製造されたポリマーからの有機中間体又は補償層８により形成される。この補償層８は、応力を補償する役割を果たし、無機層７と９よりも弾性が大きい。
最後に、薄膜カプセル化構造１２の上側に、疎水性層１０を与える。これは、特に、水との接触角＝８０°の性質の表面エネルギーを有する。このように、薄膜カプセル化構造１２に付着する水分の傾向が減少する。
薄膜カプセル化構造１２の構造が示すように、第１のバリア層によって、有機デバイス１３が、更なる適用又はカプセル化前に、環境の影響から保護される。平坦化層６は、基板１又は有機デバイス１３の構造により生じる粗さ及び凹凸を補う目的に適う。表面構造が、バリア層の後の適用を妨げるからである。
平坦化層６により提供される平坦な表面のために、数枚の副層により、効果的な第２のバリア層１４を適用することができ、これが、水分又は酸素の有機デバイス１３への浸透を効果的に防ぐ。第２のバリア層１４の数枚の副層の組み合わせによって、生じる恐れのある欠陥がバリア層全体に連続的に延在することはない。補償層８は、特に、同じく副層７と９により生じる機械的応力を散逸する可能性を提供し、これは、無機材料から構成されているのが好ましい。全体の成果は層構造であり、有機デバイス１３上に、まず、無機材料５からできた第１のバリア層を、次に、好ましくは有機材料からできた平坦化層６を、次に第２のバリア層１４の無機副層７を与える。その上部には、有機補償又は副層８を配置し、次に、第２のバリア層１４の無機副層９を与える。最後に、疎水性機能層１０を提供する。
平坦化層６の厚さは、特に、第１のバリア層の表面に存在する構造１１の最頂部と最底部間の距離の単純値よりも厚くなるように選択する。これは、基板の粗さ或いは有機デバイス１３又は微粒子付着の構造による。
第２のバリア層１４の無機副層７は、２０ｎｍを超える厚さで形成されるのが好ましい。
有機中間層又は補償層８は、近接する無機副層７と同じ厚さを有しているのが好ましい。
図２は、図１に示す薄膜カプセル化構造の製造のための設備の概略側面図である。かかる薄膜カプセル化構造は、図２に示すインライン設備１００において、本発明に従って製造することができる。
インライン設備１００は、真空プロセスチャンバ１０４を含む。ここでは、第１のバリア層が低温ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成長）により付着される。プラズマは、真空プロセスチャンバ１０４及び電極１０２に提供される、例えば、高周波交流電圧により生成でき、対向電極として機能する基板キャリア１０１及び電源１１４と共に、対応のプラズマを生成することができる。必要なプロセスガスは、入口１０３を介して真空プロセスチャンバ１０４に導入される。
第１のバリア層を低温ＰＥＣＶＤにより適用した後、コートされる基板を近接するチャンバ１０５に基板キャリア１０１で搬送する。例えば、このとき、真空条件は存在させる必要はない。従って、対応のロック機構を２つのチャンバ１０４と１０５の間に提供してもよい。
処理チャンバ１０５においては、設定された雰囲気は、不活性ガスのみであるのが好ましく、そこで、スプレーノズル１０６を通したスプレーコーティングにより平坦化層６を適用する。しかしながら、スピンコーティング、印刷、蒸発等といったその他の適用方法も想定される。
基板キャリア１０１上の基板を他の真空コーティングチャンバ１０７、１０８、１０９及び１１０に移動して、プラズマエンハンスド方法により残りの層７〜１０を適用する。従って、各処理チャンバ１０７〜１１０は、それぞれ、電極１１１と、基板キャリア１０１用の対応の電源１１２とを有している。加えて、入口１１３はまた、低温ＰＥＣＶＤ付着又はプラズマ重合のための対応のプロセスガスが、対応のプロセスチャンバへ導入されるよう互いに配置されている。
このように、処理チャンバ１０７内で無機副層７は低温ＰＥＣＶＤにより付着され、一方、有機副層８は処理チャンバ１０８内でプラズマ重合により形成される。処理チャンバ１０９内で無機副層９を再び低温ＰＥＣＶＤにより適用した後、疎水性層１０を処理チャンバ１１０内で再びプラズマ重合により付着する。
以下に、カプセル化構造１２の製造プロセスを例証する実施形態について説明する。
真空チャンバ１０４を１Ｐａ未満の出発圧力まで排気し、プロセスガスをＳｉＨ４については１００ｓｃｃｍ、ＮＨ３については３００ｓｃｃｍ及びＮ２については３００ｓｃｃｍの流量でプロセスチャンバ１０４に導入する。５００Ｗの出力で高周波電圧を印加し、プラズマを６０秒間点火して、窒化ケイ素層を付着させる。
その後、フォトレジストを処理チャンバ１０５においてスプレーコーティング、印刷又はスピンコーティングにより適用する。続いて、真空プロセスチャンバ１０４におけるのと同じやり方で、無機層、特に、窒化ケイ素を処理チャンバ１０７及び１０９で適用する。
処理チャンバ１０８において、ハイドロカーボン層をプラズマ重合工程において、ＣＨ４等のカーボン含有ガスを用いて、４００ｓｃｃｍの流量で、１００ＷのＨＦ出力にて６０秒間付着する。
最後に、疎水性フルオロハイドロカーボン層を、処理チャンバ１１０において、ＣＨＦ３等のフッ素含有作動ガスを用いて、１００ＷのＨＦ出力にて１０秒間プラズマ点火により適用する。
層の厚さは、第１のバリア層５については２０〜１００ｎｍ、平坦化層６については３〜１００μｍ、副層７については２０〜１００ｎｍ、副層８については３〜１００μｍ、副層９については２０〜１００ｎｍ、疎水性層１０については５〜１０００００ｎｍである。
本発明を前述の実施形態により詳細に説明してきたが、本発明はそれに限定されるものではなく、添付の請求の範囲において、請求の範囲の保護範囲に同様にカバーされる変形及び変更が可能であることが当業者には明白である。特に、本発明の保護範囲から逸脱することなしに、本発明の異なる特徴を組み合わせたり交換しても構わず、個々の特徴を排除してもよい。
利点、特徴及び特性は、添付の図面を用いた以下の実施形態の詳細な説明から明らかとなる。図面は概略を示すに過ぎない。
本発明のＯＬＥＤ部分の層構造の概略断面図である。
本発明の薄膜カプセル化構造の製造のための設備の概略側面図である。
Claims (23)
- 有機物質、特に、ＯＬＥＤを有する電子デバイス、又はその他有機オプトエレクトロニックデバイスのための薄膜カプセル化構造であって、
カプセル化されるデバイス又は表面に直接配置された第１の無機バリア層（５）と、
前記第１の無機バリア層上に配置された平坦化層（６）であって、前記平坦化層の厚さを選択して、第１のバリア層の表面又は第１のバリア層の下のデバイスの表面又はカプセル化される表面の最頂部と最底部間の距離の単純値よりも厚くなるようにした平坦化層（６）と、
前記平坦化層上に配置された第２のバリア層（１４）とを備えたカプセル化構造。 - 前記第２のバリア層（１４）が少なくとも１枚、好ましくは２枚以上の無機副層（７，９）を有する請求項１記載のカプセル化構造。
- 前記第２のバリア層が少なくとも１枚、好ましくは２枚の有機副層（８）を有し、特に、無機副層（７，９）間に配置、又はこれら自身の間に挟まれており、好ましくは、前記有機副層の前記表面の水との接触角が好ましくは８０°を超えるようなものである請求項１又は２記載のカプセル化構造。
- 前記副層が、その厚さが前記カプセル化構造の前記デバイスの方向において、近接する層又は副層の厚さに少なくとも対応する、或いは前記カプセル化構造の前記デバイスの方向において、前記近接する層又は副層の最頂部と最底部間の距離の単純値に少なくとも等しいように形成されている請求項２又は３記載のカプセル化構造。
- 前記有機副層の厚さが少なくとも、前記デバイスの方向において、前記近接する無機副層の厚さである請求項３記載のカプセル化構造。
- 前記無機副層の厚さが少なくとも２０ｎｍである請求項２記載のカプセル化構造。
- 前記第２のバリア層（１４）が、２枚の無機副層（７，９）を含み、有機副層（８）がその間に配置されている請求項１〜６のいずれか１項記載のカプセル化構造。
- 前記第２のバリア層上に配置されているのは疎水性層（１０）であり、その表面エネルギーが水との接触角が好ましくは８０°を超えるようなものである請求項１〜７のいずれか１項記載のカプセル化構造。
- 前記疎水性層（１０）が、ポリマー、フルオロカーボンモノマー、フルオロハイドロカーボン、ハイドロカーボン、有機ケイ素モノマー及びこれらの化合物を含む群の１種類以上の成分を含む請求項８記載のカプセル化構造。
- 前記第１及び／又は第２のバリア層、特に、前記無機副層が、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素及び有機ケイ素酸化物から形成された化合物を含む群の１種類以上の成分を含む請求項１〜９のいずれか１項記載のカプセル化構造。
- 前記平坦化層（６）が、ポリマー、フォトレジスト、ハイドロカーボン、フルオロハイドロカーボン、放射線硬化性モノマー及び有機モノマーを含む群の１種類以上の成分を含む請求項１〜１０のいずれか１項記載のカプセル化構造。
- 前記第２のバリア層の前記有機副層が、有機ケイ素化合物、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ハイドロカーボンモノマー及びポリマーを含む群の１種類以上の成分を含む請求項１〜１１のいずれか１項記載のカプセル化構造。
- 前記構造の水透過率が１日あたり１０Ｘ１０−６ｇ／ｍ２未満、特に、１日あたり５Ｘ１０−６ｇ／ｍ２未満であり、可視波長範囲の光透過率が８０％を超える、好ましくは８５％である請求項１〜１２のいずれか１項記載のカプセル化構造。
- 少なくとも１種類の有機物質、特にＯＬＥＤを有し、その片側に請求項１〜１３のいずれか１項記載のカプセル化構造がある電子技術コンポーネント。
- 基板を有し、その上に有機オプトエレクトロニックデバイスが提供されていて、前記オプトエレクトロニックデバイス及び／又は基板上の前記カプセル化構造が特に完全なカプセル化を提供している請求項１４記載のコンポーネント。
- 請求項１７〜２３の構成要素を有する方法により製造される、請求項１〜１３のいずれか１項記載のカプセル化構造又は請求項１４又は１５記載の電子技術コンポーネント。
- 有機物質、特に、ＯＬＥＤを有する電子デバイス、又はその他有機オプトエレクトロニックデバイス又は対応のエレクトロニックコンポーネントのための薄膜カプセル化構造の製造方法であって、
前記デバイス（１３）及び／又はコンポーネント上に、
第１の無機バリア層（５）と、
前記第１の無機バリア層上に配置された平坦化層（６）であって、前記平坦化層の厚さを選択して、第１のバリア層の表面又は第１のバリア層の下のデバイス又はコンポーネントの表面の最頂部と最底部間の距離の単純値よりも厚くなるようにした平坦化層（６）と、
前記平坦化層上に配置された第２のバリア層（１４）とを挙げた順番で適用する工程を含む方法。 - 疎水性層（１０）が前記第２のバリア層（１４）上に配置されている請求項１７記載の方法。
- 前記第１及び／又は第２のバリア層、特に前記第２のバリア層の無機副層が、低温ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成長）により、特に、基板温度１８０℃未満、好ましくは１４０℃未満で製造される請求項１７又は１８記載の方法。
- 前記第２のバリア層のポリマー層、特に有機副層及び／又は疎水性表面層がプラズマ重合により製造される請求項１７〜１９のいずれか１項記載の方法。
- 前記平坦化層及び／又は有機副層が、蒸発或いは液体又は流体ポリマーの機械的適用により、特に、スピンコーティング、スプレーコーティング又は印刷により、或いは真空コーティング技術、特に、プラズマエンハンスドにより製造される請求項１７〜２０のいずれか１項記載の方法。
- 前記平坦化層及び／又は有機副層が、放射線により後処理される請求項１７〜２１のいずれか１項記載の方法。
- 前記方法がインライン設備で実施される請求項１７〜２２のいずれか１項記載の方法。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013524473A (ja) * | 2010-04-12 | 2013-06-17 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 有機オプトエレクトロニックデバイス及びそれをカプセル化する方法 |
| KR20150020054A (ko) * | 2013-08-12 | 2015-02-25 | 에버디스플레이 옵트로닉스 (상하이) 리미티드 | 유연기판과 그 제조방법 및 이 유연기판을 구비하는 평판 디스플레이 |
| JP2016517134A (ja) * | 2013-03-04 | 2016-06-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｏｌｅｄ薄膜カプセル化のためのフッ素含有プラズマ重合ｈｍｄｓｏ |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006027393A1 (de) | 2006-06-13 | 2007-12-20 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Verkapselung für organisches Bauelement |
| KR101842675B1 (ko) | 2009-07-08 | 2018-03-27 | 플라즈마시, 인크. | 플라즈마 처리를 위한 장치 및 방법 |
| JP5611812B2 (ja) | 2009-12-31 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置及び表示装置の製造方法 |
| JP5611811B2 (ja) | 2009-12-31 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | バリア・フィルム複合体及びこれを含む表示装置 |
| JP5290268B2 (ja) | 2009-12-31 | 2013-09-18 | 三星ディスプレイ株式會社 | バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置、バリア・フィルム複合体の製造方法、及びこれを含む表示装置の製造方法 |
| CN106887522B (zh) | 2010-07-26 | 2018-09-18 | 默克专利有限公司 | 包含纳米晶体的器件 |
| US8765232B2 (en) | 2011-01-10 | 2014-07-01 | Plasmasi, Inc. | Apparatus and method for dielectric deposition |
| US8772066B2 (en) | 2011-02-08 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode |
| JP6351974B2 (ja) | 2011-02-14 | 2018-07-04 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 細胞および細胞組織の処置のためのデバイスおよび方法 |
| JP6356060B2 (ja) | 2011-03-24 | 2018-07-11 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機イオン性機能材料 |
| EP2707911B1 (en) | 2011-05-12 | 2017-07-05 | Merck Patent GmbH | Compositions and electronic devices |
| EP2783849B1 (en) * | 2012-01-06 | 2021-09-22 | LG Chem, Ltd. | Encapsulation film |
| US9299956B2 (en) | 2012-06-13 | 2016-03-29 | Aixtron, Inc. | Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices |
| US10526708B2 (en) | 2012-06-19 | 2020-01-07 | Aixtron Se | Methods for forming thin protective and optical layers on substrates |
| US9397318B2 (en) * | 2012-09-04 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode |
| JP6186698B2 (ja) | 2012-10-29 | 2017-08-30 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置、電子機器 |
| CN104183757A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN103490019B (zh) | 2013-09-29 | 2016-02-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件的封装结构及封装方法、显示装置 |
| KR102088203B1 (ko) * | 2013-10-01 | 2020-03-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법 |
| CN103956373A (zh) | 2013-12-18 | 2014-07-30 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置及其制造方法 |
| US9502686B2 (en) * | 2014-07-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-containing polymerized HMDSO applications for OLED thin film encapsulation |
| CN104538425B (zh) * | 2014-12-19 | 2018-01-12 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阻挡膜及其制作方法、显示装置 |
| KR20160129192A (ko) * | 2015-04-29 | 2016-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| DE102016115742B4 (de) | 2015-12-08 | 2022-11-24 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Verbundsubstrat, flexible Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| CN105702624A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-06-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 叠层柔性基板及制作方法 |
| WO2017194435A1 (de) | 2016-05-11 | 2017-11-16 | Merck Patent Gmbh | Zusammensetzungen für elektrochemische zellen |
| CN106601779A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-04-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled基板及其制作方法 |
| CN206685388U (zh) * | 2017-03-14 | 2017-11-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种封装结构、显示面板及显示装置 |
| KR102603870B1 (ko) | 2018-02-01 | 2023-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 봉지 구조, 상기 봉지 구조를 갖는 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 |
| CN109616492B (zh) * | 2018-10-26 | 2020-11-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示装置和柔性显示面板的制备方法 |
| CN111211238A (zh) * | 2018-11-21 | 2020-05-29 | 陕西坤同半导体科技有限公司 | 薄膜封装结构、薄膜封装方法及凹孔的设计方法 |
| CN110518118B (zh) * | 2019-08-08 | 2021-05-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005100815A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | 有機電界発光素子 |
| JP2006004650A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示素子及び光学デバイス |
| JP2006147528A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5686360A (en) | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
| JP3290375B2 (ja) * | 1997-05-12 | 2002-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
| TW546857B (en) * | 2001-07-03 | 2003-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
| JP2004537448A (ja) | 2001-08-20 | 2004-12-16 | ノバ−プラズマ インコーポレイテッド | 気体および蒸気に対する浸透度の低いコーティング |
| EP1459394B1 (en) | 2001-12-13 | 2014-10-29 | Koninklijke Philips N.V. | Sealing structure for display devices |
| DE10222958B4 (de) | 2002-04-15 | 2007-08-16 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element |
| US20030203210A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-10-30 | Vitex Systems, Inc. | Barrier coatings and methods of making same |
| US7229703B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-06-12 | Dai Nippon Printing Co. Ltd. | Gas barrier substrate |
| KR100563057B1 (ko) * | 2003-11-14 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 초박형 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2006004781A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Tohoku Pioneer Corp | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ表示パネル |
| WO2006014591A2 (en) * | 2004-07-08 | 2006-02-09 | Itn Energy Systems, Inc. | Permeation barriers for flexible electronics |
| DE102006027393A1 (de) | 2006-06-13 | 2007-12-20 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Verkapselung für organisches Bauelement |
-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005100815A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | 有機電界発光素子 |
| JP2006004650A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示素子及び光学デバイス |
| JP2006147528A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013524473A (ja) * | 2010-04-12 | 2013-06-17 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 有機オプトエレクトロニックデバイス及びそれをカプセル化する方法 |
| JP2016517134A (ja) * | 2013-03-04 | 2016-06-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｏｌｅｄ薄膜カプセル化のためのフッ素含有プラズマ重合ｈｍｄｓｏ |
| KR20150020054A (ko) * | 2013-08-12 | 2015-02-25 | 에버디스플레이 옵트로닉스 (상하이) 리미티드 | 유연기판과 그 제조방법 및 이 유연기판을 구비하는 평판 디스플레이 |
| KR101641632B1 (ko) * | 2013-08-12 | 2016-07-21 | 에버디스플레이 옵트로닉스 (상하이) 리미티드 | 유연기판과 그 제조방법 및 이 유연기판을 구비하는 평판 디스플레이 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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