JP2009538504A - 封止されたプラズマ敏感性デバイスの作製方法 - Google Patents
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Abstract
封止されたプラズマ敏感性デバイスの作製方法。この方法は、基板に隣接してプラズマ敏感性デバイスを設けるステップと、非プラズマベースのプロセス、または修正型スパッタリングプロセスから選択されたプロセスを使用して、プラズマ保護層をプラズマ敏感性デバイス上に堆積するステップと、少なくとも１つのバリアスタックをプラズマ保護層に隣接して堆積するステップであって、その少なくとも１つのバリアスタックが、少なくとも１つのデカップリング層と、少なくとも１つのバリア層とを備え、プラズマ敏感性デバイスが基板と少なくとも１つのバリアスタックとの間で封止され、デカップリング層、バリア層、または両方がプラズマプロセスを使用して堆積され、封止されたプラズマ敏感性デバイスが、プラズマ保護層なしで作製された、封止されたプラズマ敏感性デバイスに比べて、プラズマによって引き起こされる損傷の量が低減されている、ステップとを含む。封止されたプラズマ敏感性デバイスもまた述べられている。
Description
本発明は、一般に封止デバイスに関し、より詳細には、封止されたプラズマ敏感性デバイスに、また封止されたプラズマ敏感性デバイスの作製方法に関する。
多数のデバイスは、大気中の酸素および水蒸気など環境の気体または液体、あるいは電子製品の処理で使用される化学薬品が浸透することによって引き起こされる劣化を受ける。これらのデバイスは、通常、劣化を防止するために封止される。
様々なタイプの封止デバイスが知られている。たとえば、２００１年７月３１日に発行された「Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｆｏｒ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ Ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ」という名称の米国特許第６２６８６９５号、２００３年２月１８日に発行された「Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｆｏｒ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ Ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ」という名称の米国特許第６５２２０６７号、および２００３年５月２７日に発行された「Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｆｏｒ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ Ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ」という名称の米国特許第６５７０３２５号は、封止された有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）について述べており、これらのすべてを参照により本明細書に組み込む。２００３年６月３日に発行された「Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅｓ」という名称の米国特許第６５７３６５２号は、封止された液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、発光ポリマー（ＬＥＰ）、電気泳動インクを使用する電子サイネージ、エレクトロルミネッセントデバイス（ＥＤ）、リン光デバイスについて述べており、これを参照により本明細書に組み込む。２００３年４月１５日に発行された「Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ Ｕｓｉｎｇ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｃｏａｔｉｎｇｓ」という名称の米国特許第６５４８９１２号は、集積回路、電荷結合素子、発光ダイオード、発光ポリマー、有機発光デバイス、金属センサパッド、マイクロディスクレーザ、エレクトロクロミックデバイス、フォトクロミックデバイス、微小電子機械システム、太陽電池を含めて、封止されたマイクロ電子デバイスについて述べており、これを参照により本明細書に組み込む。
一般に、封止デバイスは、デバイスの片面または両面に隣接してバリアスタックを堆積することによって作製することができる。バリアスタックは、典型的には、少なくとも１つのバリア層と、少なくとも１つのデカップリング層とを含む。１つのデカップリング層と１つのバリア層があることもあれば、１つまたは複数のバリア層の片面に複数のデカップリング層があることもあれば、１つまたは複数のバリア層の両面に１つまたは複数のデカップリング層があることもある。重要な特徴は、バリアスタックが少なくとも１つのデカップリング層と少なくとも１つのバリア層を有することである。
封止されたディスプレイデバイスの一実施形態が図１に示されている。この封止されたディスプレイデバイス１００は、基板１０５と、ディスプレイデバイス１１０と、バリアスタック１１５とを含む。バリアスタック１１５は、バリア層１２０と、デカップリング層１２５とを含む。バリアスタック１１５は、ディスプレイデバイス１１０を封止し、環境の酸素および水蒸気がディスプレイデバイスを劣化させるのを防止する。
バリアスタック内の各バリア層および各デカップリング層は、同じ材料製とすることも、異なる材料製とすることもできる。バリア層は、典型的には厚さ約１００〜４００Åであり、デカップリング層は、典型的には厚さ約１０００〜１０，０００Åである。
図１にはバリアスタックが１つだけ示されているが、バリアスタックの数は制限されない。必要とされるバリアスタックの数は、特定の応用例に必要とされる水蒸気および酸素の耐浸透性のレベルによって決まる。１つまたは２つのバリアスタックにより、いくつかの応用例にとって十分な障壁特性が得られるはずである。最も厳しい応用例は、５つ以上のバリアスタックを必要とする可能性がある。
バリア層は、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、蒸着、昇華（ｓｕｂｌｉｍａｔｉｏｎ）、電子サイクロトロン共鳴プラズマ蒸着（ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ）、およびそれらの組合せなど、真空プロセスを使用して堆積することができる。好適なバリア材料は、それだけには限らないが、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物、金属酸ホウ化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｙｂｏｒｉｄｅ）、およびそれらの組合せを含む。
デカップリング層は、真空下でのインサイチュ重合を伴うフラッシュ蒸着、またはプラズマ堆積および重合など真空プロセス、あるいはスピンコーティング、インクジェット印刷、スクリーン印刷、またはスプレイなど大気中プロセスを使用して堆積することができる。デカップリング層用の好適な材料は、それだけには限らないが、有機ポリマー、無機ポリマー、有機金属ポリマー、有機／無機ハイブリッドポリマー系、ケイ酸を含む。
一例として、ＯＬＥＤは、１つまたは複数のポリマーデカップリング層と、１つまたは複数のバリア層とを含むバリアスタックで封止することができる。ポリマーデカップリング層は、アクリレート機能性前駆体から形成することができ、これらの前駆体は、フラッシュ蒸着を使用して堆積され、紫外線（ＵＶ）露光によって重合される。バリア層は、反応性スパッタ形成された酸化アルミニウムとすることができる。
多層バリアスタックを、ポリマーフィルムなど比較的不感の基板上で堆積すると、通常、基板に対する損傷が生じない。実際、いくつかの特許は、基板上の多層バリアについて特性を改善するための、プラズマ処理の使用を開示している。米国特許第６０８３６２８号は、特性を改善するための手段として、ポリマーフィルム基板、およびフラッシュ蒸着プロセスを使用して堆積されたアクリレートからのポリマー層のプラズマ処理を開示している。同様に、米国特許第５４４０４６６号は、特性を改善するための基板およびアクリレート層のプラズマ処理について論じている。
しかし、本発明者らは、封止されるいくつかのデバイスが、バリア層および／またはデカップリング層を堆積する際に使用されたプラズマによって損傷を受けていることを発見した。プラズマ損傷は、ＯＬＥＤなどプラズマ敏感性デバイスが載置された基板が、バリア層またはデカップリング層を堆積するためにプラズマをベースとするプロセスおよび／またはプラズマ支援プロセスが使用される多層バリアスタックで封止されたとき発生した。たとえば、プラズマ損傷は、ＡｌＯｘのバリア層を、障壁特性を達成するのに適した条件下で反応性スパッタ形成するとき、ＡｌＯｘのバリア層をプラズマ敏感性デバイスの上面上にスパッタ形成するとき、および／またはＡｌＯｘのバリア層を、真空堆積された、アクリレートをベースとするポリマー層上にスパッタ形成するとき発生した。先に堆積されたデカップリング層上にバリア層を堆積するとき観察される損傷は独特なもの（ｄｉｓｔｉｎｃｔ）であり、同時係属の特許出願第６０／７１１１３６号（ＶＩＴ００６２ＭＡ）の主題である。
バリア層、デカップリング層、または別の層の堆積に関連するプラズマ損傷は、本質的には、封止に起因する、デバイスの電気特性および／またはルミネッセンスの特性に対する負の影響を有する。これらの作用は、デバイスのタイプ、デバイスの製造者、および放たれる光の波長によって変わることになる。プラズマ損傷は封止しようとするデバイスの設計に依存することに留意することが重要である。たとえば、一部の製造者によって作製されたＯＬＥＤは、プラズマ損傷をほとんど、ないし全く示さず、一方、他の製造者によって作製されたＯＬＥＤは、同じ堆積条件下で、著しいプラズマ損傷を示す。これは、プラズマ暴露に対するデバイスの敏感性に影響を及ぼす、デバイス内の特徴があることを示唆する。
プラズマ損傷を検出するための１つの方法は、指定されたレベルのルミネッセンスを達成するために必要とされる電圧を測定することである。もう１つの方法は、ルミネッセンスの強度を測定することである。プラズマ損傷により、同じレベルのルミネッセンスを達成するための電圧要件が高くなり（典型的には、ＯＬＥＤについて０．２Ｖから０．５Ｖ高くなる）、かつ／またはルミネッセンスが低くなる。
理論に縛られることは望まないが、プラズマを使用するデカップリング層、スパッタ形成されたＡｌＯｘ、またはプラズマを使用する別の層がＯＬＥＤまたは他の敏感性デバイス上に直接形成（堆積）されるとき観察されるプラズマ損傷は、荷電化学種または中性化学種、ＵＶ放射、および高い熱入力を含めた、プラズマの１つまたは複数の構成要素との有害な相互作用によるものと考えられる。
したがって、様々なデバイスの封止において、プラズマを使用するプロセスによって引き起こされる損傷を防止する方法が求められている。
本発明は、封止されたプラズマ敏感性デバイスの作製方法において、基板に隣接してプラズマ敏感性デバイスを設けるステップと、非プラズマベースのプロセス、または修正型スパッタリングプロセスから選択されたプロセスを使用して、プラズマ保護層をプラズマ敏感性デバイス上に堆積するステップと、少なくとも１つのバリアスタックをプラズマ保護層に隣接して堆積するステップであって、その少なくとも１つのバリアスタックが、少なくとも１つのデカップリング層と、少なくとも１つのバリア層とを備え、プラズマ敏感性デバイスが基板と少なくとも１つのバリアスタックとの間で封止され、デカップリング層、バリア層、または両方がプラズマプロセスを使用して堆積され、封止されたプラズマ敏感性デバイスが、プラズマ保護層なしで作製された、封止されたプラズマ敏感性デバイスに比べて、プラズマによって引き起こされる損傷の量が低減されている、ステップとを含む方法を提供することによって、この必要を満たす。
本発明の他の態様は、封止されたプラズマ敏感性デバイスである。この封止されたプラズマ敏感性デバイスは、基板と、基板に隣接するプラズマ敏感性デバイスと、非プラズマベースのプロセス、または修正型スパッタリングプロセスから選択されたプロセスを使用して堆積された、プラズマ敏感性デバイス上のプラズマ保護層と、保護層に隣接する少なくとも１つのバリアスタックであって、その少なくとも１つのバリアスタックが、少なくとも１つのデカップリング層と、少なくとも１つのバリア層とを備え、プラズマ敏感性デバイスが基板と少なくとも１つのバリアスタックとの間で封止され、封止されたプラズマ敏感性デバイスが、プラズマ保護層なしで作製された、封止されたプラズマ敏感性デバイスに比べて、プラズマによって引き起こされる損傷の量が低減されている、バリアスタックとを含む。「ａｄｊａｃｅｎｔ（隣接）」により、本発明者らは隣りを意味するが、必ずしも直接隣りを意味するものではない。基板とバリアスタックの間に介在する追加の層があってもよい。「ｏｎ（上に、上で）」により、本発明者らは、どの介在する層もなしに先の層上に直接堆積されることを意味する。
プラズマ損傷を低減する、または回避するために、層を追加し、下にあるデバイスを（バリア層、デカップリング層、または両方の堆積からの）プラズマに対する暴露から遮蔽することが示されている。
１つの方法は、非プラズマベースのプロセスを使用してプラズマ保護層を堆積することを含む。好適な非プラズマベースのプロセスは、真空プロセスと大気中プロセスを共に含む。好適な真空プロセスは、それだけには限らないが、熱蒸着、電子ビーム蒸着、化学蒸着（ＣＶＤ）および有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、触媒化学蒸着、レーザ熱転写、または蒸着もしくは化学蒸着と、それに続くイオン支援高密度化（ｉｏｎ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ）を含む。好適な大気中プロセスは、それだけには限らないが、スピンコーティング、インクジェット印刷、スクリーン印刷、スプレイ、グラビア印刷、オフセット印刷、レーザ熱転写を含む。大気中プロセスの場合、作動ガスは、Ｏ２およびＨ２Ｏを含有しないものとすべきである。
プラズマ保護層は、無機材料および有機材料製とすることができる。好適な無機材料は、それだけには限らないが、ＬｉＦ２、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｉＯｘなど、ハロゲン化金属を含む。好適な有機材料は、それだけには限らないが、アルミニウムトリ８−８−ヒドロキシキノリン、フタロシアニン、ナフタロシアニン、および同様の多環式芳香族を含む。
他の方法は、修正型スパッタリングプロセスを使用してプラズマ保護層を堆積することを含む。修正型スパッタリングプロセスは、それだけには限らないが、修正型反応性スパッタリングプロセスを含む。スパッタリング構成および／またはスパッタリングのプロセス条件を変更することにより、受容表面に対する影響の点で、より低いエネルギーのプロセスを得ることができる。これにより、より広範な無機化合物、たとえばＡｌＯｘおよびＳｉＯｘをベースとする層を含むようにプラズマ保護層の範囲が拡張され、これらの化合物は、誘電体であり化学的に不活性であることを含めて、利点を有する。しかし、これらの変更は、堆積された層の物理特性、またあまり大きくないが化学特性に影響を及ぼす。たとえば、密度（気孔率の増大）、応力、粒径が変わる可能性がある。この１つの結果は、下にあるＯＬＥＤをプラズマ損傷から遮蔽する能力が実証されているにもかかわらず、障壁特性の損失となる可能性がある。たとえば、ＡｌＯｘの層を、プラズマ損傷を回避する条件下で堆積することができ、封止がバリア層を最初にして設計されているとき、ＡｌＯｘの第２の層をバリア層として堆積することができる。
スパッタリングプロセスの１つの修正は、ターゲットカソード（堆積される材料の少なくとも一部のソース）と、スパッタ被覆しようとするデバイスを有する基板との間に配置されたスクリーンの使用を含む。このプロセスの図が、図２に示されている。カソード２１０はスクリーン２１５の側にあり、一方、ＯＬＥＤ２２５を有する基板２２０は他方の側にある。不活性のスパッタリングガス２３０がカソード側に導入され、スパッタリングプラズマ２３５もまた、この側にある。反応ガス２４０が基板／デバイス側で供給される。スクリーン２１５が存在することにより、反応ガスの、カソード２１０の表面との反応が低減される。
スパッタリングプロセスの他の修正は、軸外しスパッタリングを含む。このプロセスの一実施形態の図が、図３に示されている。スパッタ形成される材料を受ける基板／デバイスは、スパッタリングプラズマから離れた（斜めの）位置に配置される。図３は、「対面ターゲット」または「対面カソード」構成を示す。互いに面する２つのカソード２５０、２５５がある。スパッタリングプラズマ２６０は、２つのカソード２５０、２５５間に配置される。基板／デバイス２６５は、そばに離れて位置し、２つのカソード２５０、２５５に対して垂直である。この構成により、カソード２５０、２５５から基板／デバイス２６５への直接経路がなくなる。スパッタリングされる化学種は、複数の衝突の後で初めて基板に到達し、途中で大半のエネルギーを失うことになる。これにより、デカップリング層内でのラジカルの生成が低減される。軸外しスパッタリングプロセスの別の利点は、熱に敏感な基板に対するスパッタ堆積の熱影響の緩和である。すなわち、より低いエネルギーの化学種の直接的でない経路により、受容表面の加熱が少なくなる。同様の堆積方式をもたらす、また使用することができる軸外しスパッタリングの、他の変形形態がある。
スパッタリング構成を変更する代わりに、またはそれに加えて、暴露時間またはプラズマのエネルギー／電力を含めて、スパッタリングのためのプロセスパラメータを変えることも可能である。実験結果では、デバイスがプラズマに長く暴露されるほど、プラズマ損傷が大きくなることが示されている。これにより、プラズマ損傷を低減する、またはなくするためにプロセス速度を増大することになった。
典型的には、満足のゆくバリア層を堆積するように決定されているスパッタリング構成（カソード、磁石配置、間隔、ガス供給など）の場合、バリア層は、約２０００ワットの電力で、約３０ｃｍ／分のトラック速度で堆積される。１つの修正型プロセスは、トラック速度を約９０ｃｍ／分（標準的なトラック速度の約３倍）に増大すること、および電力を２５００ワットに増大することを含む。トラック速度の増大がより高い電力を相殺し、プラズマに対する暴露全体が減少する。別法として、トラック速度を約２０ｃｍ／分に低減し、電力を約５００ワットに低減することができる。電力削減がより低い速度を相殺し、プラズマに対する暴露が低下する。
２つの製造者によって作製されたＯＬＥＤで、電圧シフトおよび光の減少についてテストした。ＯＬＥＤは、製造者によって、ガラス基板上で供給された。次いでこれらが封止された。第１の層はＡｌＯｘの厚い層（１０００Å）であり、４つのアクリレートポリマー（０．５ミクロン）／ＡｌＯｘ（３００Å）対がそれに続いた。酸化物層が、スクリーンなしでスパッタ形成された（構成Ｉ）。
結果が表１に示されている。製造者１によって作製された青色ＯＬＥＤは、０．５〜０．８Ｖの電圧シフトと、あまり大きくない光の減少を示した。製造者３によって作製された緑色ＯＬＥＤは、１Ｖの電圧シフトと、強い光の減少を示した。
スクリーンを用いて酸化物層をスパッタ形成することによって封止されたＯＬＥＤに関する電圧シフトおよび光の減少が測定された（構成ＩＩ）。これらのＯＬＥＤは、ＡｌＯｘの第１の厚い層（１０００Å）と、それに続く４つまたは６つのアクリレートポリマー（０．５ミクロン）／ＡｌＯｘ（３００Å）対で封止された。これらのＯＬＥＤは、３０ｃｍ／分の標準的なトラック速度、および２０００ワットの標準的な電力で処理された。
結果が表１に示されている。異なる製造者からのＯＬＥＤは、様々な量の電圧シフトおよび光の減少を示した。さらに、同じ製造者からの異なる色のＯＬＥＤは、異なる量の電圧シフトおよび光の減少を示した。これにより、異なる製造者からのＯＬＥＤに関して、また異なる色のＯＬＥＤに関してプラズマ損傷の変動があることが確認される。
いくつかの封止されたＯＬＥＤが、ＬｉＦの３００Åのプラズマ保護層を用いて作製された。ＬｉＦは、熱蒸着プロセスを使用して堆積された。これらのＯＬＥＤは、ＡｌＯｘの厚い層（１０００Å）と、それに続く４つまたは６つのアクリレートポリマー（０．５ミクロン）／ＡｌＯｘ（３００Å）対を有していた。
これらのＯＬＥＤで、電圧シフト、漏れ電流、および消灯についてテストした。比較のために、いくつかのＯＬＥＤが、ＬｉＦ保護層なしで作製された。結果は、図４〜６および表２に示されている。ＬｉＦ保護層により、厚いバリア層のスパッタリング堆積中に、プラズマに対する暴露によって引き起こされる電圧シフトがなくなった。
図７は、ＬｉＦの様々な厚さに関する電圧シフトを示す。ＬｉＦの層がＯＬＥＤ上に堆積され、バリア層としてＡｌＯｘの層がそれに続いた。それらの結果は、電圧シフトをなくするために、少なくとも約３００Åの厚さが必要とされる可能性があることを示唆している。
電圧シフトに対するプロセスパラメータの作用が評価された。表３は、プラズマ損傷に対する暴露時間の作用の比較を示す。修正された条件は、トラック速度を９０ｃｍ／分（標準的なトラック速度の約３倍）に増大すること、および電力を２５００ワットに増大すること、ならびにトラック速度を２０ｃｍ／分に、かつ電力を５００ワットに低減することを含んでいた。構成ＩＩと、バリアのための標準的なスパッタリング条件（２０００ワットの電力、３０ｃｍ／分のトラック速度）を使用して作製されたＯＬＥＤの電圧シフトおよび光の減少が、比較のために含まれる。電圧シフトおよび光の減少は、暴露時間が低減されたとき低減される、またはなくなる。
図８は、放電ファクタ（ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｆａｃｔｏｒ）の関数としての電圧シフトを示す。放電ファクタは、ポリマー、ＯＬＥＤなど、受容表面の、スパッタリングプラズマ内に存在する反応性化学種に対する暴露を定量化するための手法である。放電ファクタは照射線量（エネルギー／面積）に関連し、照射時間に放電電力を乗ずることによって計算される。電圧シフトは、図８で示されているように、増大する放電ファクタと共に増大した。比較可能な電圧シフトを、異なる堆積条件、たとえば電力またはトラック速度の下で得ることができる。支配的な要因は暴露時間であり、電力は影響がより少ない。これは、暴露時間を低減することにより電圧シフトが減少するはずであることを示唆する。
また、電圧シフトが、酸化アルミニウム保護層の厚さの関数として測定された。プロセス条件を変更することにより（トラック速度を９０ｃｍ／分（標準的なトラック速度の約３倍）に増大すること、および電力を２５００ワットに増大すること、ならびにトラック速度を２０ｃｍ／分に、かつ電力を５００ワットに低減すること）、酸化アルミニウム保護層の厚さが変わった。図９に示されているように、約１００Åの最小の厚さがあり、それを超えると、それ以上の電圧シフトは、プラズマプロセスによって引き起こされない。
いくつかの代表的な実施形態および詳細が本発明を例示するために示されているが、添付の特許請求の範囲で規定される本発明の範囲から逸脱することなしに、本明細書に開示されている組成および方法に様々な変更を加えることができることが、当業者には明らかになるであろう。
Claims (26)
- 封止されたプラズマ敏感性デバイスの作製方法において、
基板に隣接してプラズマ敏感性デバイスを設けるステップと、
非プラズマベースのプロセス、または修正型スパッタリングプロセスから選択されたプロセスを使用して、プラズマ保護層を前記プラズマ敏感性デバイス上に堆積するステップと、
少なくとも１つのバリアスタックを前記プラズマ保護層に隣接して堆積するステップであって、前記少なくとも１つのバリアスタックが、少なくとも１つのデカップリング層と、少なくとも１つのバリア層とを備え、前記プラズマ敏感性デバイスが前記基板と前記少なくとも１つのバリアスタックとの間で封止され、前記デカップリング層、前記バリア層、または両方がプラズマプロセスを使用して堆積され、前記封止されたプラズマ敏感性デバイスが、前記プラズマ保護層なしで作製された、封止されたプラズマ敏感性デバイスに比べて、プラズマによって引き起こされる損傷の量が低減されている、ステップとを含む方法。 - 前記プラズマ保護層が前記非プラズマベースのプロセスを使用して堆積される、請求項１に記載の方法。
- 前記非プラズマベースのプロセスが、真空下で実施されるプロセスである、請求項２に記載の方法。
- 前記非プラズマベースのプロセスが、熱蒸着、電子ビーム蒸着、化学蒸着、有機金属化学蒸着、触媒化学蒸着、レーザ熱転写、蒸着もしくは化学蒸着とそれに続くイオン高密度化、またはそれらの組合せから選択される、請求項２に記載の方法。
- 前記非プラズマベースのプロセスが、大気圧で実施されるプロセスである、請求項２に記載の方法。
- 前記非プラズマベースのプロセスが、スピンコーティング、インクジェット印刷、スクリーン印刷、スプレイ、グラビア印刷、オフセット印刷、レーザ熱転写、またはそれらの組合せから選択される、請求項２に記載の方法。
- 前記プラズマ保護層が無機コーティングである、請求項２に記載の方法。
- 前記無機コーティングが、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、またはそれらの組合せから選択される、請求項７に記載の方法。
- 前記プラズマ保護層が有機コーティングである、請求項２に記載の方法。
- 前記有機コーティングが、アルミニウムトリ８−ヒドロキシキノリン、フタロシアニン、ナフタロシアニン、多環式芳香族、またはそれらの組合せから選択される、請求項９に記載の方法。
- 前記プラズマ保護層が、前記修正型スパッタリングプロセスを使用して堆積される、請求項１に記載の方法。
- 前記修正が、ターゲットカソードと前記プラズマ敏感性デバイスの間にスクリーンを設けるステップを含む、請求項１１に記載の方法。
- 前記修正が、軸外しスパッタリングを適用するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
- 前記修正が、前記プラズマ敏感性デバイスの、プラズマに対する暴露の時間を低減するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
- 前記修正が、プラズマのエネルギーを低減するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
- 前記プラズマ保護層が、ＡｌＯｘ、ＳｉＯ２、またはそれらの組合せから選択される、請求項１１に記載の方法。
- 前記プラズマ保護層がバリア層でない、請求項１１に記載の方法。
- 前記修正型スパッタリングプロセスが、修正型反応性スパッタリングプロセスを含む、請求項１１に記載の方法。
- 請求項１に記載の方法によって生産された製品。
- 請求項２に記載の方法によって生産された製品。
- 請求項１１に記載の方法によって生産された製品。
- 基板と、
基板に隣接するプラズマ敏感性デバイスと、
非プラズマベースのプロセス、または修正型スパッタリングプロセスから選択されたプロセスを使用して堆積された、前記プラズマ敏感性デバイス上のプラズマ保護層と、
前記プラズマ保護層に隣接する少なくとも１つのバリアスタックであって、前記少なくとも１つのバリアスタックが、少なくとも１つのデカップリング層と、少なくとも１つのバリア層とを備え、前記プラズマ敏感性デバイスが前記基板と前記少なくとも１つのバリアスタックとの間で封止され、封止されたプラズマ敏感性デバイスが、前記プラズマ保護層なしで作製された、封止されたプラズマ敏感性デバイスに比べて、プラズマによって引き起こされる損傷の量が低減されている、バリアスタックとを備える、封止されたプラズマ敏感性デバイス。 - 前記プラズマ保護層が無機コーティングである、請求項２２に記載の封止されたプラズマ敏感性デバイス。
- 前記無機コーティングが、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＡｌＯｘ、ＳｉＯ２、またはそれらの組合せから選択される、請求項２３に記載の封止されたプラズマ敏感性デバイス。
- 前記プラズマ保護層が有機コーティングである、請求項２２に記載の封止されたプラズマ敏感性デバイス。
- 前記有機コーティングが、アルミニウムトリ８−ヒドロキシキノリン、フタロシアニン、ナフタロシアニン、多環式芳香族、またはそれらの組合せから選択される、請求項２５に記載の封止されたプラズマ敏感性デバイス。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013540890A (ja) * | 2010-08-16 | 2013-11-07 | ゴリョデハックギョ・サンハックヒョップリョックダン | 気体遮断膜形成装置及び気体遮断膜形成方法 |
| JP2017076635A (ja) * | 2011-02-14 | 2017-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2018060813A (ja) * | 2012-03-02 | 2018-04-12 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機発光表示装置 |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US20100330748A1 (en) | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
| US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US8808457B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| US7648925B2 (en) * | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
| US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
| US20070249360A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-10-25 | Arnab Das | Methods and aparatus related to determining, communicating, and/or using delay information in a wireless communications system |
| JP2009193774A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Choshu Industry Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP5303199B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2013-10-02 | ローム株式会社 | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法 |
| TW201034228A (en) * | 2008-12-05 | 2010-09-16 | Solopower Inc | Method and apparatus for forming contact layers for continuous workpieces |
| US9337446B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output |
| US9184410B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
| CN103597119B (zh) | 2009-07-08 | 2017-03-08 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于等离子体处理的装置和方法 |
| US20110008525A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | General Electric Company | Condensation and curing of materials within a coating system |
| US8590338B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-11-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
| US8766240B2 (en) * | 2010-09-21 | 2014-07-01 | Universal Display Corporation | Permeation barrier for encapsulation of devices and substrates |
| US8765232B2 (en) | 2011-01-10 | 2014-07-01 | Plasmasi, Inc. | Apparatus and method for dielectric deposition |
| KR101900362B1 (ko) | 2012-01-16 | 2018-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| KR101900363B1 (ko) | 2012-01-16 | 2018-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| KR20130089039A (ko) | 2012-02-01 | 2013-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 소스, 증착 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| US9299956B2 (en) | 2012-06-13 | 2016-03-29 | Aixtron, Inc. | Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices |
| US10526708B2 (en) | 2012-06-19 | 2020-01-07 | Aixtron Se | Methods for forming thin protective and optical layers on substrates |
| KR101937258B1 (ko) | 2012-09-04 | 2019-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20140033724A (ko) * | 2012-09-10 | 2014-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101473311B1 (ko) * | 2012-12-20 | 2014-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101990555B1 (ko) | 2012-12-24 | 2019-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법 |
| KR102120896B1 (ko) * | 2013-07-25 | 2020-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 대향 타겟 스퍼터링 장치를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101673016B1 (ko) | 2013-08-27 | 2016-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막봉지 제조장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 |
| KR102107109B1 (ko) | 2013-10-17 | 2020-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN103956373A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-07-30 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置及其制造方法 |
| TW201539736A (zh) | 2014-03-19 | 2015-10-16 | 3M Innovative Properties Co | 用於藉白光成色之 oled 裝置的奈米結構 |
| TWI574441B (zh) * | 2014-04-15 | 2017-03-11 | 聖約翰科技大學 | 可撓性發光二極體之連續加工裝置 |
| KR20170036701A (ko) | 2014-07-25 | 2017-04-03 | 카티바, 인크. | 유기 박막 잉크 조성물 및 방법 |
| US9594287B2 (en) * | 2014-08-24 | 2017-03-14 | Royole Corporation | Substrate-less flexible display and method of manufacturing the same |
| KR102314466B1 (ko) | 2014-10-06 | 2021-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102393372B1 (ko) | 2014-11-11 | 2022-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101943689B1 (ko) * | 2015-06-19 | 2019-01-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| KR101943688B1 (ko) | 2015-06-19 | 2019-01-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| EP3344712A4 (en) | 2015-08-31 | 2019-05-15 | Kateeva, Inc. | INK COMPOSITIONS FOR ORGANIC THIN FILM BASED ON DI AND MONO (METH) ACRYLATE |
| KR102474203B1 (ko) | 2015-12-22 | 2022-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치 |
| JP7144864B2 (ja) | 2017-04-21 | 2022-09-30 | カティーバ， インコーポレイテッド | 有機薄膜を形成するための組成物および技術 |
| US10923680B2 (en) | 2018-10-11 | 2021-02-16 | The Boeing Company | Multifunctional composite panels and methods for the same |
| US11085111B2 (en) | 2018-10-11 | 2021-08-10 | The Boeing Company | Laminate composite structural components and methods for the same |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003234179A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｏｌｅｄディスプレイ |
| JP2003347045A (ja) * | 2002-05-02 | 2003-12-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 基板上に作製される複数のデバイスを封入する方法および電子デバイス |
| JP2004022398A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスの製造方法 |
| JP2004310053A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
| JP2005174701A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Toyota Industries Corp | 電界発光デバイス |
| JP2005522891A (ja) * | 2002-04-15 | 2005-07-28 | ヴィテックス・システムズ・インコーポレーテッド | 多層コーティングを個別のシートにデポジットする装置 |
Family Cites Families (159)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2382432A (en) | 1940-08-02 | 1945-08-14 | Crown Cork & Seal Co | Method and apparatus for depositing vaporized metal coatings |
| US2384500A (en) | 1942-07-08 | 1945-09-11 | Crown Cork & Seal Co | Apparatus and method of coating |
| US3475307A (en) | 1965-02-04 | 1969-10-28 | Continental Can Co | Condensation of monomer vapors to increase polymerization rates in a glow discharge |
| US3607365A (en) | 1969-05-12 | 1971-09-21 | Minnesota Mining & Mfg | Vapor phase method of coating substrates with polymeric coating |
| US3941630A (en) | 1974-04-29 | 1976-03-02 | Rca Corporation | Method of fabricating a charged couple radiation sensing device |
| US4055530A (en) | 1975-02-27 | 1977-10-25 | Standard Oil Company (Indiana) | Aqueous dispersion of addition polymer of an alpha-beta-ethylenically unsaturated monomer and suspended polypropylene particles |
| US4098965A (en) | 1977-01-24 | 1978-07-04 | Polaroid Corporation | Flat batteries and method of making the same |
| US4266223A (en) * | 1978-12-08 | 1981-05-05 | W. H. Brady Co. | Thin panel display |
| JPS55129345A (en) | 1979-03-29 | 1980-10-07 | Ulvac Corp | Electron beam plate making method by vapor phase film formation and vapor phase development |
| US4313254A (en) * | 1979-10-30 | 1982-02-02 | The Johns Hopkins University | Thin-film silicon solar cell with metal boride bottom electrode |
| US4581337A (en) * | 1983-07-07 | 1986-04-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polyether polyamines as linking agents for particle reagents useful in immunoassays |
| US4426275A (en) * | 1981-11-27 | 1984-01-17 | Deposition Technology, Inc. | Sputtering device adaptable for coating heat-sensitive substrates |
| JPS58156848A (ja) | 1982-03-15 | 1983-09-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | イオン選択電極及びその製造法 |
| JPS59138440A (ja) | 1983-01-27 | 1984-08-08 | 豊田合成株式会社 | セラミツクス被膜層を有する樹脂成形体 |
| US4521458A (en) | 1983-04-01 | 1985-06-04 | Nelson Richard C | Process for coating material with water resistant composition |
| DE3324106A1 (de) * | 1983-07-05 | 1985-01-17 | Draiswerke Gmbh, 6800 Mannheim | Verfahren zum beleimen von holz-spaenen und dergl. mit fluessigleim und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE3331707A1 (de) | 1983-09-02 | 1985-03-21 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufstaeuben von verbindungen von metallen und halbleitern |
| US4710426A (en) | 1983-11-28 | 1987-12-01 | Polaroid Corporation, Patent Dept. | Solar radiation-control articles with protective overlayer |
| US4557978A (en) | 1983-12-12 | 1985-12-10 | Primary Energy Research Corporation | Electroactive polymeric thin films |
| US5032461A (en) | 1983-12-19 | 1991-07-16 | Spectrum Control, Inc. | Method of making a multi-layered article |
| US4842893A (en) | 1983-12-19 | 1989-06-27 | Spectrum Control, Inc. | High speed process for coating substrates |
| EP0155823B1 (en) | 1984-03-21 | 1989-07-26 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Improvements in or relating to the covering of substrates with synthetic resin films |
| DE3427057A1 (de) | 1984-07-23 | 1986-01-23 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Anlage zum herstellen von halbleiter-schichtstrukturen durch epitaktisches wachstum |
| US4722515A (en) * | 1984-11-06 | 1988-02-02 | Spectrum Control, Inc. | Atomizing device for vaporization |
| US4695618A (en) | 1986-05-23 | 1987-09-22 | Ameron, Inc. | Solventless polyurethane spray compositions and method for applying them |
| US4954371A (en) | 1986-06-23 | 1990-09-04 | Spectrum Control, Inc. | Flash evaporation of monomer fluids |
| DE3707214A1 (de) | 1987-03-06 | 1988-09-15 | Hoechst Ag | Beschichtete kunststoffolie und daraus hergestelltes kunststofflaminat |
| US4768666A (en) | 1987-05-26 | 1988-09-06 | Milton Kessler | Tamper proof container closure |
| US4843036A (en) | 1987-06-29 | 1989-06-27 | Eastman Kodak Company | Method for encapsulating electronic devices |
| JPH0193129A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置 |
| US4931158A (en) | 1988-03-22 | 1990-06-05 | The Regents Of The Univ. Of Calif. | Deposition of films onto large area substrates using modified reactive magnetron sputtering |
| US4977013A (en) | 1988-06-03 | 1990-12-11 | Andus Corporation | Tranparent conductive coatings |
| JP2742057B2 (ja) | 1988-07-14 | 1998-04-22 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
| US4889609A (en) | 1988-09-06 | 1989-12-26 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Continuous dry etching system |
| US5189405A (en) * | 1989-01-26 | 1993-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent panel |
| US5792550A (en) | 1989-10-24 | 1998-08-11 | Flex Products, Inc. | Barrier film having high colorless transparency and method |
| US5047131A (en) | 1989-11-08 | 1991-09-10 | The Boc Group, Inc. | Method for coating substrates with silicon based compounds |
| US5036249A (en) | 1989-12-11 | 1991-07-30 | Molex Incorporated | Electroluminescent lamp panel and method of fabricating same |
| CA2038117A1 (en) | 1990-03-29 | 1991-09-30 | Mahfuza B. Ali | Controllable radiation curable photoiniferter prepared adhesives for attachment of microelectronic devices and a method of attaching microelectronic devices therewith |
| US5362328A (en) | 1990-07-06 | 1994-11-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem |
| US5711816A (en) * | 1990-07-06 | 1998-01-27 | Advanced Technolgy Materials, Inc. | Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same |
| US5204314A (en) * | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
| US5059861A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer |
| FR2666190B1 (fr) | 1990-08-24 | 1996-07-12 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'encapsulation hermetique de composants electroniques. |
| JP2755844B2 (ja) | 1991-09-30 | 1998-05-25 | シャープ株式会社 | プラスチック基板液晶表示素子 |
| US5336324A (en) | 1991-12-04 | 1994-08-09 | Emcore Corporation | Apparatus for depositing a coating on a substrate |
| US5203898A (en) * | 1991-12-16 | 1993-04-20 | Corning Incorporated | Method of making fluorine/boron doped silica tubes |
| US5759329A (en) | 1992-01-06 | 1998-06-02 | Pilot Industries, Inc. | Fluoropolymer composite tube and method of preparation |
| US5393607A (en) * | 1992-01-13 | 1995-02-28 | Mitsui Toatsu Chemiclas, Inc. | Laminated transparent plastic material and polymerizable monomer |
| US5402314A (en) * | 1992-02-10 | 1995-03-28 | Sony Corporation | Printed circuit board having through-hole stopped with photo-curable solder resist |
| JP3203623B2 (ja) | 1992-03-06 | 2001-08-27 | ソニー株式会社 | 有機電解液電池 |
| JP2958186B2 (ja) | 1992-04-20 | 1999-10-06 | シャープ株式会社 | プラスチック基板液晶表示素子 |
| US5427638A (en) | 1992-06-04 | 1995-06-27 | Alliedsignal Inc. | Low temperature reaction bonding |
| US5652192A (en) | 1992-07-10 | 1997-07-29 | Battelle Memorial Institute | Catalyst material and method of making |
| GB9215928D0 (en) * | 1992-07-27 | 1992-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Manufacture of electroluminescent devices |
| US5260095A (en) | 1992-08-21 | 1993-11-09 | Battelle Memorial Institute | Vacuum deposition and curing of liquid monomers |
| JPH06182935A (ja) | 1992-12-18 | 1994-07-05 | Bridgestone Corp | ガスバリア性ゴム積層物及びその製造方法 |
| ES2090893T3 (es) * | 1993-01-28 | 1996-10-16 | Applied Materials Inc | Aparato de tratamiento en vacio que tiene una capacidad de produccion mejorada. |
| US5771177A (en) | 1993-05-17 | 1998-06-23 | Kyoei Automatic Control Technology Co., Ltd. | Method and apparatus for measuring dynamic load |
| JP3170105B2 (ja) | 1993-07-01 | 2001-05-28 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
| US5357063A (en) | 1993-07-12 | 1994-10-18 | Battelle Memorial Institute | Method and apparatus for acoustic energy identification of objects buried in soil |
| US5510173A (en) * | 1993-08-20 | 1996-04-23 | Southwall Technologies Inc. | Multiple layer thin films with improved corrosion resistance |
| US5440446A (en) | 1993-10-04 | 1995-08-08 | Catalina Coatings, Inc. | Acrylate coating material |
| WO1995010117A1 (en) * | 1993-10-04 | 1995-04-13 | Catalina Coatings, Inc. | Cross-linked acrylate coating material useful for forming capacitor dielectrics and oxygen barriers |
| JP2846571B2 (ja) * | 1994-02-25 | 1999-01-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5451449A (en) | 1994-05-11 | 1995-09-19 | The Mearl Corporation | Colored iridescent film |
| US5795399A (en) | 1994-06-30 | 1998-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing apparatus, method for removing reaction product, and method of suppressing deposition of reaction product |
| US5654084A (en) | 1994-07-22 | 1997-08-05 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Protective coatings for sensitive materials |
| US5464667A (en) | 1994-08-16 | 1995-11-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Jet plasma process and apparatus |
| TW295677B (ja) | 1994-08-19 | 1997-01-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JP3274292B2 (ja) | 1994-09-30 | 2002-04-15 | 富士写真フイルム株式会社 | カセット用収納ケース |
| DE4438359C2 (de) * | 1994-10-27 | 2001-10-04 | Schott Glas | Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung |
| US6083628A (en) * | 1994-11-04 | 2000-07-04 | Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. | Hybrid polymer film |
| US5607789A (en) | 1995-01-23 | 1997-03-04 | Duracell Inc. | Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same |
| JP3364081B2 (ja) | 1995-02-16 | 2003-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US5620524A (en) * | 1995-02-27 | 1997-04-15 | Fan; Chiko | Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems |
| US5811183A (en) | 1995-04-06 | 1998-09-22 | Shaw; David G. | Acrylate polymer release coated sheet materials and method of production thereof |
| GB9507817D0 (en) * | 1995-04-18 | 1995-05-31 | Philips Electronics Uk Ltd | Touch sensing devices and methods of making such |
| US5771562A (en) | 1995-05-02 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Passivation of organic devices |
| US5554220A (en) | 1995-05-19 | 1996-09-10 | The Trustees Of Princeton University | Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities |
| US5629389A (en) * | 1995-06-06 | 1997-05-13 | Hewlett-Packard Company | Polymer-based electroluminescent device with improved stability |
| US5681615A (en) | 1995-07-27 | 1997-10-28 | Battelle Memorial Institute | Vacuum flash evaporated polymer composites |
| US5811177A (en) | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
| US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
| US5684084A (en) | 1995-12-21 | 1997-11-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Coating containing acrylosilane polymer to improve mar and acid etch resistance |
| US6195142B1 (en) * | 1995-12-28 | 2001-02-27 | Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. | Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element |
| US5660961A (en) | 1996-01-11 | 1997-08-26 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member having enhanced layer adhesion and freedom from reflection interference |
| US5738920A (en) * | 1996-01-30 | 1998-04-14 | Becton, Dickinson And Company | Blood collection tube assembly |
| US5683771A (en) | 1996-01-30 | 1997-11-04 | Becton, Dickinson And Company | Blood collection tube assembly |
| US5731661A (en) * | 1996-07-15 | 1998-03-24 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
| US5902688A (en) * | 1996-07-16 | 1999-05-11 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent display device |
| US5693956A (en) | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
| US5844363A (en) | 1997-01-23 | 1998-12-01 | The Trustees Of Princeton Univ. | Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices |
| US5895228A (en) * | 1996-11-14 | 1999-04-20 | International Business Machines Corporation | Encapsulation of organic light emitting devices using Siloxane or Siloxane derivatives |
| US5821692A (en) | 1996-11-26 | 1998-10-13 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package |
| US5912069A (en) | 1996-12-19 | 1999-06-15 | Sigma Laboratories Of Arizona | Metal nanolaminate composite |
| US5872355A (en) * | 1997-04-09 | 1999-02-16 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent device and fabrication method for a light detection system |
| US6117266A (en) * | 1997-12-19 | 2000-09-12 | Interuniversifair Micro-Elektronica Cenirum (Imec Vzw) | Furnace for continuous, high throughput diffusion processes from various diffusion sources |
| US6198220B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-03-06 | Emagin Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
| US6203898B1 (en) * | 1997-08-29 | 2001-03-20 | 3M Innovatave Properties Company | Article comprising a substrate having a silicone coating |
| US6512561B1 (en) * | 1997-08-29 | 2003-01-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with at least one phase compensation element |
| US6224948B1 (en) * | 1997-09-29 | 2001-05-01 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds |
| US5902641A (en) * | 1997-09-29 | 1999-05-11 | Battelle Memorial Institute | Flash evaporation of liquid monomer particle mixture |
| US6045864A (en) * | 1997-12-01 | 2000-04-04 | 3M Innovative Properties Company | Vapor coating method |
| US6569515B2 (en) * | 1998-01-13 | 2003-05-27 | 3M Innovative Properties Company | Multilayered polymer films with recyclable or recycled layers |
| US6178082B1 (en) * | 1998-02-26 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | High temperature, conductive thin film diffusion barrier for ceramic/metal systems |
| US6066826A (en) * | 1998-03-16 | 2000-05-23 | Yializis; Angelo | Apparatus for plasma treatment of moving webs |
| US5904958A (en) * | 1998-03-20 | 1999-05-18 | Rexam Industries Corp. | Adjustable nozzle for evaporation or organic monomers |
| US6361885B1 (en) * | 1998-04-10 | 2002-03-26 | Organic Display Technology | Organic electroluminescent materials and device made from such materials |
| US6352777B1 (en) * | 1998-08-19 | 2002-03-05 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes |
| US6040017A (en) * | 1998-10-02 | 2000-03-21 | Sigma Laboratories, Inc. | Formation of multilayered photonic polymer composites |
| EP1127381B1 (en) * | 1998-11-02 | 2015-09-23 | 3M Innovative Properties Company | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
| US6837950B1 (en) * | 1998-11-05 | 2005-01-04 | Interface, Inc. | Separation of floor covering components for recycling |
| TW439308B (en) * | 1998-12-16 | 2001-06-07 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6207239B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer |
| US6228436B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making light emitting polymer composite material |
| US6217947B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-04-17 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced polymer deposition onto fixtures |
| US6228434B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making a conformal coating of a microtextured surface |
| US6207238B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers |
| US6268695B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| JP3817081B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2006-08-30 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US6172810B1 (en) * | 1999-02-26 | 2001-01-09 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective articles having polymer multilayer reflective coatings |
| US6358570B1 (en) * | 1999-03-31 | 2002-03-19 | Battelle Memorial Institute | Vacuum deposition and curing of oligomers and resins |
| US6660409B1 (en) * | 1999-09-16 | 2003-12-09 | Panasonic Communications Co., Ltd | Electronic device and process for producing the same |
| US7198832B2 (en) * | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US6866901B2 (en) * | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US6460369B2 (en) | 1999-11-03 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Consecutive deposition system |
| US6867539B1 (en) * | 2000-07-12 | 2005-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Encapsulated organic electronic devices and method for making same |
| US6537688B2 (en) * | 2000-12-01 | 2003-03-25 | Universal Display Corporation | Adhesive sealed organic optoelectronic structures |
| JP4101522B2 (ja) | 2001-02-01 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置及び成膜方法 |
| TWI222838B (en) * | 2001-04-10 | 2004-10-21 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Packaging method of organic electroluminescence light-emitting display device |
| US6397776B1 (en) * | 2001-06-11 | 2002-06-04 | General Electric Company | Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators |
| US6888307B2 (en) * | 2001-08-21 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Patterned oxygen and moisture absorber for organic optoelectronic device structures |
| JP2003077651A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| TW519853B (en) * | 2001-10-17 | 2003-02-01 | Chi Mei Electronic Corp | Organic electro-luminescent display and its packaging method |
| US6888305B2 (en) * | 2001-11-06 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror |
| US6948448B2 (en) * | 2001-11-27 | 2005-09-27 | General Electric Company | Apparatus and method for depositing large area coatings on planar surfaces |
| US6681716B2 (en) * | 2001-11-27 | 2004-01-27 | General Electric Company | Apparatus and method for depositing large area coatings on non-planar surfaces |
| US6597111B2 (en) * | 2001-11-27 | 2003-07-22 | Universal Display Corporation | Protected organic optoelectronic devices |
| US6765351B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-07-20 | The Trustees Of Princeton University | Organic optoelectronic device structures |
| US7012363B2 (en) * | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
| JP2003258189A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2003292394A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Canon Inc | 液相成長方法および液相成長装置 |
| US8900366B2 (en) * | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| NL1020634C2 (nl) * | 2002-05-21 | 2003-11-24 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het passiveren van een halfgeleider substraat. |
| US6734625B2 (en) * | 2002-07-30 | 2004-05-11 | Xerox Corporation | Organic light emitting device (OLED) with multiple capping layers passivation region on an electrode |
| US7015640B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
| US7056584B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-06 | General Electric Company | Bond layer for coatings on plastic substrates |
| US6975067B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
| US7018713B2 (en) * | 2003-04-02 | 2006-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Flexible high-temperature ultrabarrier |
| US7029765B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-04-18 | Universal Display Corporation | Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage |
| US7820255B2 (en) * | 2003-05-29 | 2010-10-26 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Transparent film for display substrate, display substrate using the film and method of manufacturing the same, liquid crystal display, organic electroluminescence display, and touch panel |
| US6998648B2 (en) * | 2003-08-25 | 2006-02-14 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant |
| US7282244B2 (en) * | 2003-09-05 | 2007-10-16 | General Electric Company | Replaceable plate expanded thermal plasma apparatus and method |
| US7052355B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-05-30 | General Electric Company | Organic electro-optic device and method for making the same |
| JP2005251671A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表示装置 |
| US7033850B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Roll-to-sheet manufacture of OLED materials |
| US20060063015A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | 3M Innovative Properties Company | Protected polymeric film |
| US7342356B2 (en) * | 2004-09-23 | 2008-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer |
-
2006
- 2006-05-23 US US11/439,474 patent/US7510913B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
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- 2007-04-24 CN CNA2007800185843A patent/CN101507011A/zh active Pending
- 2007-04-24 WO PCT/US2007/010068 patent/WO2007139643A1/en active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003234179A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｏｌｅｄディスプレイ |
| JP2005522891A (ja) * | 2002-04-15 | 2005-07-28 | ヴィテックス・システムズ・インコーポレーテッド | 多層コーティングを個別のシートにデポジットする装置 |
| JP2003347045A (ja) * | 2002-05-02 | 2003-12-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 基板上に作製される複数のデバイスを封入する方法および電子デバイス |
| JP2004022398A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスの製造方法 |
| JP2004310053A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
| JP2005174701A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Toyota Industries Corp | 電界発光デバイス |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013540890A (ja) * | 2010-08-16 | 2013-11-07 | ゴリョデハックギョ・サンハックヒョップリョックダン | 気体遮断膜形成装置及び気体遮断膜形成方法 |
| JP2017076635A (ja) * | 2011-02-14 | 2017-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2018060813A (ja) * | 2012-03-02 | 2018-04-12 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機発光表示装置 |
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