KR101513871B1 - 다층 장벽 스택 및 그 제조 방법 - Google Patents
다층 장벽 스택 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101513871B1 KR101513871B1 KR1020107003148A KR20107003148A KR101513871B1 KR 101513871 B1 KR101513871 B1 KR 101513871B1 KR 1020107003148 A KR1020107003148 A KR 1020107003148A KR 20107003148 A KR20107003148 A KR 20107003148A KR 101513871 B1 KR101513871 B1 KR 101513871B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- barrier
- inorganic
- substrate
- polymer
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 290
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 110
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 101
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims abstract description 61
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 59
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 50
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 50
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 44
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 27
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 7
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 3
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 293
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 103
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 13
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 3
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000254 damaging effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000037427 ion transport Effects 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000001617 migratory effect Effects 0.000 description 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229920005787 opaque polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
- 230000009978 visual deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
개량된 장벽 스택. 장벽 스택은 기판 상에 폴리머 분리층을 침적하는 단계; 제1 세트의 조건들 하에서 상기 분리층 상에 제1 무기층을 침적하는 단계-상기 제1 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴(neutral) 에너지는 약 20eV보다 낮으며, 따라서 상기 제1 무기층은 비장벽층(non-barrier layer)이고, 상기 기판의 온도는 약 150℃보다 낮음-; 및 제2 세트의 조건들 하에서 상기 제1 무기층 상에 제2 무기층을 침적하는 단계-상기 제2 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 약 50eV보다 높으며, 따라서 상기 제2 무기층은 장벽층(barrier layer)임-를 포함하는 프로세스에 의해 제조된다. 장벽 스택 내의 폴리머층에 대한 손상을 줄이는 방법들도 설명된다.
Description
본 발명은 일반적으로 다층 장벽에 관한 것으로서, 구체적으로는 향상된 특성을 갖는 다층 장벽 스택에 관한 것이다.
많은 장치들은 대기 중의 산소 및 수증기 또는 전자 제품의 가공에 사용되는 화학 약품들과 같은 환경 기체들 또는 액체들의 침투에 의해 유발되는 열화를 겪는다. 장치들은 통상적으로 열화를 방지하기 위하여 캡슐화된다.
다양한 타입의 캡슐화된 장치들이 공지되어 있다. 예를 들어, 2001년 7월 31일자로 허여된 "Environmental Barrier Material For Organic Light Emitting Device And Method Of Making"이라는 제목의 미국 특허 제6,268,695호; 2003년 2월 18일자로 허여된 "Environmental Barrier Material For Organic Light Emitting Device And Method Of Making"이라는 제목의 미국 특허 제6,522,067호; 및 2003년 5월 27일자로 허여된 "Environmental Barrier Material For Organic Light Emitting Device And Method Of Making"이라는 제목의 미국 특허 제6,570,325호는 캡슐화된 유기 발광 다이오드(OLED)를 기술하고 있으며, 이들 특허 모두는 본 명세서에 참고 문헌으로 포함된다. 본 명세서에 참고 문헌으로 포함되는, 2003년 6월 3일자로 허여된 "Encapsulated Display Devices"라는 제목의 미국 특허 제6,573,652호는 캡슐화된 액정 디스플레이(LCD), 발광 다이오드(LED), 발광 폴리머(LEP), 전기 영동 잉크를 이용하는 전자 사이니지(signage), 전기 발광 장치(ED) 및 인광 장치를 기술하고 있다. 본 명세서에 참고 문헌으로 포함되는, 2003년 4월 15일자로 허여된 "Semiconductor Passivation Using Barrier Coatings"라는 제목의 미국 특허 제6,548,912호는 집적 회로, 전하 결합 장치, 발광 다이오드, 발광 폴리머, 유기 발광 장치, 금속 센서 패드, 마이크로 디스크 레이저, 전기 변색 장치, 광 변색 장치, 마이크로 전기 기계 시스템 및 태양 전지를 포함하는 캡슐화된 마이크로 전자 장치를 기술하고 있다.
일반적으로, 캡슐화된 장치들은 장치의 일면 또는 양면에 인접하는 장벽 스택들을 침적함으로써 제조될 수 있다. 통상적으로, 장벽 스택들은 적어도 하나의 장벽층 및 적어도 하나의 분리층을 포함한다. 하나의 분리층 및 하나의 장벽층이 존재할 수 있거나, 하나 이상의 장벽층의 일면 상에 다수의 분리층이 존재할 수 있거나, 하나 이상의 장벽층의 양면 상에 하나 이상의 분리층이 존재할 수 있다. 중요한 특징은 장벽 스택이 적어도 하나의 분리층 및 적어도 하나의 장벽층을 갖는다는 것이다.
캡슐화된 디스플레이 장치의 일 실시예가 도 1에 도시되어 있다. 캡슐화된 디스플레이 장치(100)는 기판(105), 디스플레이 장치(110) 및 장벽 스택(115)을 포함한다. 장벽 스택(115)은 장벽층(120) 및 분리층(125)을 포함한다. 장벽 스택(115)은 디스플레이 장치(110)를 캡슐화하여, 환경 산소 및 수증기가 디스플레이 장치를 열화시키는 것을 방지한다.
장벽 스택 내의 장벽층들 및 분리층들은 동일 재료 또는 상이한 재료로 제조될 수 있다. 장벽층은 통상적으로 100-400Å의 두께를 가지며, 분리층은 통상적으로 1000-10,000Å의 두께를 갖는다.
도 1에는 하나의 장벽 스택만이 도시되어 있지만, 장벽 스택의 수는 제한되지 않는다. 필요한 장벽 스택의 수는 특정 응용에 필요한 수증기 및 산소 침투 저항의 레벨에 의존한다. 일부 응용들에 대해서는 하나 또는 두 개의 장벽 스택이 충분한 장벽 특성을 제공해야 하는 반면, 대다수의 응용들에서는 3개 또는 4개의 장벽 스택으로 충분하다. 대다수의 엄격한 응용들은 5개 이상의 장벽 스택을 필요로 할 수 있다.
분리층은 진공하의 인시투(in situ) 폴리머화를 이용하는 순간 증발과 같은 진공 프로세스, 또는 플라즈마 침적 및 폴리머화, 또는 스핀 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅 또는 분사와 같은 대기압 프로세스를 이용하여 침적될 수 있다. 분리층을 위한 적절한 재료들은 유기 폴리머, 무기 폴리머, 유기 금속 폴리머, 혼성 유기/무기 폴리머 시스템 및 실리케이트를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
장벽층은 스퍼터링, 화학 기상 증착(CVD), 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD), 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 증발, 승화, 전자 사이클로트론 공명-플라즈마 강화 화학 기상 증착(ECR-PECVD) 및 이들의 조합들과 같은 진공 프로세스를 이용하여 침적될 수 있다. 적절한 장벽 재료들은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물, 금속 산질화물, 금속 산붕소화물 및 이들의 조합들을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
일반적으로, 적절한 장벽 특성들을 갖는 치밀한 층들의 침적은 기판 상에 충돌하는 종(species)에 에너지를 공급하여 층을 형성함으로써 달성된다. 그러한 에너지는 열 에너지로서 공급될 수 있다. 전술한 침적들의 일부에서, 보다 구체적으로, 그러한 에너지는 이온화 방사선을 이용하여 플라즈마 내의 이온 생성을 증가시키고 그리고/또는 증발된 재료 스트림들 내의 이온들의 수를 증가시킴으로써 공급된다. 이온화 방사선은 UV 광, 이온빔, 전자빔 및 전자기장일 수 있다. 이어서, 그렇게 생성된 이온들은 기판에 DC 또는 AC 바이어스를 인가함으로써 또는 플라즈마와 기판 사이에 전위차를 형성함으로써 기판으로 가속된다.
본 발명자들은 다층 장벽 스택들로 캡슐화된 일부 장치들이 장벽 및/또는 분리 층들의 침적에 사용되는 플라즈마에 의해 손상되는 것을 발견하였다. 장치의 플라즈마 손상은, OLED와 같이 플라즈마에 민감한 장치를 상부에 갖는 기판이 OLED 상에 장벽층 및/또는 분리층을 침적하기 위하여 플라즈마 기반 및/또는 지원 프로세스가 사용되는 다층 장벽 스택으로 캡슐화될 때 발생하였다. 예를 들어, 장치 플라즈마 손상은 장벽 특성들을 얻는 데 적합한 조건들 하에서 AlOx의 장벽층을 반응성 스퍼터링할 때, 플라즈마에 민감한 장치의 상면 위에 AlOx의 장벽층을 스퍼터링할 때 그리고/또는 진공 증착된 아크릴레이트 기반 폴리머 층 위에 AlOx의 장벽층을 스퍼터링할 때 발생하였다.
장치 상에 장벽층, 분리층 또는 다른 층을 침적할 때의 플라즈마의 사용과 연관된 장치의 플라즈마 손상은 본질적으로 캡슐화된 장치의 전기 및/또는 발광 특성에 부정적인 영향을 미친다. 이러한 영향들은 장치의 타입, 장치의 구조 및 OLED에 의해 방출되는 광의 파장에 따라 다를 것이다. 장치의 플라즈마 손상은 캡슐화될 장치의 설계에 의존한다는 점에 주목하는 것이 중요하다. 예를 들어, 일부 제조자들에 의해 제조된 OLED들은 장치 플라즈마 손상을 거의 또는 전혀 나타내지 않는 반면, 다른 제조자들에 의해 제조된 OLED들은 동일 침적 조건들에서 큰 장치 플라즈마 손상을 나타낸다. 이것은 플라즈마 노출에 대한 장치의 민감도에 영향을 미치는 장치 내의 특징들이 존재한다는 것을 암시한다.
이러한 타입의 장치 플라즈마 손상을 검출하는 하나의 방법은 지정된 레벨의 발광을 달성하는 데 필요한 전압을 측정하는 것이다. 또 하나의 방법은 발광의 강도를 측정하는 것이다. 장치 플라즈마 손상은 동일 레벨의 발광을 달성하기 위한 더 높은 전압 요구(통상적으로 OLED에 대해 0.2 내지 0.5V 더 높음) 및/또는 더 낮은 발광으로 이어진다.
이론에 얽매이는 것을 원하지 않지만, 플라즈마를 이용한 분리층, 스퍼터링된 AlOx 또는 플라즈마를 이용하는 다른 층이 OLED 또는 다른 민감한 장치 상에 직접 형성(침적)될 때 관측되는 장치 플라즈마 손상은 장치와, 이온, 전자, 뉴트럴 종(neutral species), UV 방사선 및 고열 입력을 포함하는 플라즈마의 하나 이상의 성분 사이의 부정적인 상호작용에 기인하는 것으로 생각된다.
이러한 타입의 장치 플라즈마 손상 및 이를 줄이는 방법들이 "Method of Making an Encapsulated Plasma Sensitive Device"라는 제목으로 2006년 5월 23일자로 출원된 미국 특허 출원 번호 11/439,474에 기술되어 있다.
또한, 플라즈마 처리는 폴리머의 특성을 변경할 수 있는 것으로 알려져 있다. 여러 특허는 기판 상의 다층 장벽의 특성들을 개선하기 위한 플라즈마 처리의 이용을 개시하고 있다. 미국 특허 제6,083,628호는 특성들을 개선하기 위한 방법으로서 순간 증발 프로세스를 이용하여 침적된 아크릴레이트로부터의 폴리머 막 기판 및 폴리머 층의 플라즈마 처리를 개시하고 있다. 미국 특허 제5,440,466호는 또한 접착을 개선하기 위한 기판 및 아크릴레이트 층의 플라즈마 처리를 설명하고 있다. 접착의 개선은 화학 결합들을 파괴하여 기판의 표면 상에 새로운 화학 종을 생성한 결과이다. 한편, 일부 예들에서는, 플라즈마 및/또는 방사선 노출이 폴리머의 기능적 특성들을 저하시키는 것으로 알려져 있다(폴리머 플라즈마 손상).
장벽 스택 및/또는 장벽 스택을 포함하는 장치를 제조할 때 플라즈마를 사용하는 프로세스들을 제거하는 것이 바람직할 것이다. 그러나, 이러한 프로세스를 피하는 것이 항상 가능한 것은 아니다.
따라서, 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이거나 없애는 개선된 침적 조건들 및 손상이 감소된 폴리머 분리층들을 갖는 다층 장벽이 필요하다.
이러한 필요는 본 발명의 개량된 장벽 스택에 의해 충족된다. 장벽 스택은, 기판 상에 폴리머 분리층을 침적하는 단계; 제1 세트의 조건들 하에서 상기 분리층 상에 제1 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제1 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지(neutral energy)는 약 20eV보다 낮으며, 따라서 상기 제1 무기층은 장벽층이 아니고, 상기 기판의 온도는 약 150℃보다 낮음 -; 및 제2 세트의 조건들 하에서 상기 제1 무기층 상에 제2 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제2 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 약 50eV보다 높으며, 따라서 상기 제2 무기층은 장벽층임 - 를 포함하는 프로세스에 의해 제조된다.
본 발명의 다른 양태는, 기판 상에 폴리머 분리층을 침적하는 단계; 제1 세트의 조건들에서 상기 분리층 상에 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제1 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 약 20eV보다 낮으며, 따라서 상기 폴리머 분리층에 인접하는 상기 무기층의 제1 부분은 비장벽층이고, 상기 기판의 온도는 약 150℃보다 낮음 -, 및 제2 세트의 조건들로 변경하는 단계 - 상기 제2 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 약 50eV보다 높으며, 따라서 상기 무기층의 제2 부분은 장벽층임 - 를 포함하는 프로세스에 의해 제조되는 장벽 스택이다.
본 발명의 또 다른 양태는 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법이다. 이 방법은 기판 상에 폴리머 분리층을 침적하는 단계; 제1 세트의 조건들 하에서 상기 분리층 상에 제1 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제1 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 약 20eV보다 낮으며, 따라서 상기 제1 무기층은 비장벽층이고, 상기 기판의 온도는 약 150℃보다 낮음 -; 및 제2 세트의 조건들 하에서 상기 제1 무기층 상에 제2 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제2 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 약 50eV보다 높으며, 따라서 상기 제2 무기층은 장벽층임 - 를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태는 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법이다. 이 방법은 기판 상에 폴리머 분리층을 침적하는 단계; 제1 세트의 조건들에서 상기 분리층 상에 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제1 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 약 20eV보다 낮으며, 따라서 상기 폴리머 분리층에 인접하는 상기 무기층의 제1 부분은 비장벽층이고, 상기 기판의 온도는 약 150℃보다 낮음 -, 및 제2 세트의 조건들로 변경하는 단계 - 상기 제2 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 약 50eV보다 높으며, 따라서 상기 무기층의 제2 부분은 장벽층이고, 상기 기판의 온도는 약 150℃보다 낮음 - 를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태는 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법이다. 이 방법은 기판 상에 폴리머 분리층을 침적하는 단계; 타겟과 상기 기판 사이에 스크린을 배치하는 단계; 상기 분리층 상에 제1 무기층을 플라즈마 침적하는 단계 - 상기 제1 무기층은 장벽층이 되지 않는 조건들 하에서 침적됨 -; 및 상기 제1 무기층 상에 제2 무기층을 플라즈마 침적하는 단계 - 상기 제2 무기층은 장벽층이 되도록 침적됨 - 를 포함한다.
본 명세서에서, "무기 비장벽층"은 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지가 약 20eV보다 낮은 프로세스를 이용하여 침적된 무기층을 의미한다. "무기 장벽층"은 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지가 약 50eV보다 높은 프로세스를 이용하여 침적된 무기층을 의미한다. "기판"은 기판 단독, 장치를 상부에 갖는 기판, 또는 하나 이상의 층이 상부에 있는 장치를 상부에 갖는 기판을 의미한다. "~ 상(on)"은 중간층 없이 바로 다음을 의미한다. "인접"은 반드시 바로 다음은 아닌 다음을 의미한다. 2개의 인접 층 사이에는 추가 층들이 존재할 수 있다.
도 1은 캡슐화된 디스플레이 장치의 일 실시예의 일부의 단면도이다.
도 2a-b는 LiF의 보호층의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 3은 시간 경과에 따른 흑점들의 크기를 나타내는 그래프이다.
도 4a 및 4c는 교차 전극 구성을 갖는 상부 발광 및 하부 발광 OLED 장치들의 평면도들이고, 도 4b는 라인 4B-4B를 따른 도 4a의 단면도이며, 도 4d는 라인 4D-4D를 따른 도 4c의 단면도이다.
도 5a-c는 장벽 스택에서의 증착된 알루미늄 층 및 스퍼터링된 알루미늄 층의 사용을 비교하는 사진들이다.
도 6은 타겟 전압 대 타겟 전력을 나타내는 그래프이다.
도 7은 2개의 캐소드 설계에 대한 타겟 전압 대 타겟 수명을 나타내는 그래프이다.
도 8은 다양한 플라즈마 가스에 대해, 굴절된 뉴트럴들의 에너지를 압력과 거리의 곱의 함수로서 나타낸 그래프이다.
도 9a-b는 장벽층의 침적 동안 스크린의 존재의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 10a는 패시브 매트릭스 장치의 평면도이고, 도 10b 및 10c는 라인 10B-10B 및 10C-10C를 따른 도 10a의 패시브 매트릭스 장치의 단면도들이다.
도 11a-d는 폴리머 손상에 대한 압력과 거리의 곱의 상이한 조합들의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 12a-c는 폴리머 손상에 대한 상이한 플라즈마 가스 압력들의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 13a-b는 TRIM 코드를 이용하여 행해진 몬테카를로 시뮬레이션들로서, Ar 대 Xe에 대한 손상을 나타낸다.
도 14는 장벽층의 굴절률을 플라즈마 가스 압력의 함수로서 나타낸 그래프이다.
도 15a-c는 장벽 성능에 대한 플라즈마 가스 압력의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 16a-b는 장벽 성능에 대한 플라즈마 가스 압력의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 17a-c는 장벽 성능에 대한 무기 비장벽층의 두께의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 18은 헤일로(halo)의 크기에 대한 무기 비장벽층의 두께의 효과를 나타내는 그래프이다.
도 19a-e는 무기 비장벽층의 두께의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 20은 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 이용하여 캡슐화된 환경에 민감한 장치의 일 실시예의 단면도이다.
도 21은 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 이용하여 캡슐화된 환경에 민감한 장치의 다른 실시예의 단면도이다.
도 22는 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 이용하여 캡슐화된 환경에 민감한 장치의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 23은 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 이용하여 캡슐화된 환경에 민감한 장치의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 24는 기판의 대향 면 상에 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 갖는 환경에 민감한 장치의 일 실시예의 단면도이다.
도 25는 양면 상에 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 구비하는 기판의 일 실시예의 단면도이다.
도 2a-b는 LiF의 보호층의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 3은 시간 경과에 따른 흑점들의 크기를 나타내는 그래프이다.
도 4a 및 4c는 교차 전극 구성을 갖는 상부 발광 및 하부 발광 OLED 장치들의 평면도들이고, 도 4b는 라인 4B-4B를 따른 도 4a의 단면도이며, 도 4d는 라인 4D-4D를 따른 도 4c의 단면도이다.
도 5a-c는 장벽 스택에서의 증착된 알루미늄 층 및 스퍼터링된 알루미늄 층의 사용을 비교하는 사진들이다.
도 6은 타겟 전압 대 타겟 전력을 나타내는 그래프이다.
도 7은 2개의 캐소드 설계에 대한 타겟 전압 대 타겟 수명을 나타내는 그래프이다.
도 8은 다양한 플라즈마 가스에 대해, 굴절된 뉴트럴들의 에너지를 압력과 거리의 곱의 함수로서 나타낸 그래프이다.
도 9a-b는 장벽층의 침적 동안 스크린의 존재의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 10a는 패시브 매트릭스 장치의 평면도이고, 도 10b 및 10c는 라인 10B-10B 및 10C-10C를 따른 도 10a의 패시브 매트릭스 장치의 단면도들이다.
도 11a-d는 폴리머 손상에 대한 압력과 거리의 곱의 상이한 조합들의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 12a-c는 폴리머 손상에 대한 상이한 플라즈마 가스 압력들의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 13a-b는 TRIM 코드를 이용하여 행해진 몬테카를로 시뮬레이션들로서, Ar 대 Xe에 대한 손상을 나타낸다.
도 14는 장벽층의 굴절률을 플라즈마 가스 압력의 함수로서 나타낸 그래프이다.
도 15a-c는 장벽 성능에 대한 플라즈마 가스 압력의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 16a-b는 장벽 성능에 대한 플라즈마 가스 압력의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 17a-c는 장벽 성능에 대한 무기 비장벽층의 두께의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 18은 헤일로(halo)의 크기에 대한 무기 비장벽층의 두께의 효과를 나타내는 그래프이다.
도 19a-e는 무기 비장벽층의 두께의 효과를 나타내는 사진들이다.
도 20은 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 이용하여 캡슐화된 환경에 민감한 장치의 일 실시예의 단면도이다.
도 21은 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 이용하여 캡슐화된 환경에 민감한 장치의 다른 실시예의 단면도이다.
도 22는 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 이용하여 캡슐화된 환경에 민감한 장치의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 23은 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 이용하여 캡슐화된 환경에 민감한 장치의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 24는 기판의 대향 면 상에 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 갖는 환경에 민감한 장치의 일 실시예의 단면도이다.
도 25는 양면 상에 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 구비하는 기판의 일 실시예의 단면도이다.
장벽층 및/또는 분리층을 침적하는 데 사용되는 플라즈마에 의해 유발되는 환경에 민감한 장치에 대한 장치 플라즈마 손상에 더하여, 일부 환경에서, 플라즈마 기반 프로세스 또는 다른 고에너지 프로세스를 이용하는 무기 장벽층의 침적은 무기 장벽층이 침적되는 폴리머 층에 손상을 유발할 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링 또는 반응성 스퍼터링 프로세스를 이용하여 장벽층이 침적될 때, 폴리머 분리층에 대한 손상이 발생할 수 있다. 본 설명의 목적으로, 임의의 고에너지 프로세스에 의한 폴리머 분리층의 손상을 "폴리머 플라즈마 손상"으로서 지칭할 것이다. 그러나, 이 분야의 기술자들은 고에너지 프로세스가 플라즈마 기반 프로세스, 및 플라즈마의 사용을 수반하지 않는 다른 고에너지 프로세스 모두를 포함한다는 것을 인식할 것이다. 본 설명과 관련하여, 고에너지 프로세스는 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지가 약 50eV보다 큰 프로세스를 의미한다.
이러한 방식으로 손상된 폴리머 분리층들은 일반적으로, 결합 파괴에 민감한 폴리머 백본 또는 사이드체인들 내의 헤테로 원자들을 갖는다. 폴리머 플라즈마 손상을 나타내는 폴리머들의 예는 1. 아크릴레이트, 특히 알콕시 그룹을 포함하는 아크릴레이트, 2. 플라즈마 폴리머화로부터 발생하는 것들을 포함하여, 주로 선형(Si(CH3)2O 단위들의 반복)에서 고도로 분기된 것들(SiCH3O2 단위들의 반복)에 이르는 범위의 폴리실록산, 3.우레탄, 특히 폴리알콕시 폴리올 계열의 우레탄 또는 폴리디메틸실록산 계열의 하이브리드 폴리올을 포함하는 우레탄, 4. 폴리에스테르 및 에폭시, 특히 폴리알콕시 폴리올 계열의 폴리에스테르 및 에폭시 또는 폴리디메틸실록산 계열의 하이브리드 폴리올을 포함하는 폴리에스테르 및 에폭시, 5. 티올, 및 이들의 조합을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에서 사용될 때, 폴리에스테르는 알키드 및 불포화 폴리에스테르 서브그룹을 포함한다.
폴리머 플라즈마 손상은 흑점 및/또는 그레이 헤일로(grey halo)로 나타난다. 흑점들은 유기 발광 재료들 및 전하 전송층들 또는 캐소드 계면층들(예를 들어, Ca, Ba, LiF 등)과, 금속 캐소드 내의 핀홀들을 통해 확산되는 반응성 가스 종들과 반응에 의해 형성되는 비발광 영역들이다. 일부 예들에서, 비발광 영역(흑점)은 발광이 감소된 영역(그레이 헤일로)에 의해 둘러싸인다. 측면 확산에 의해 유발되는 반응성 종들의 에지 침투에 의한 발광 영역의 축소는 흑점들의 형성과 연관되며, 동일 현상들에 의해 발생한다. 이것은 조명된 픽셀에서의 비발광 다크 에지의 형성으로서 나타난다. 반응성 종들은 캡슐화 실패로 인해 층들로 확산되는 대기로부터의 수분 또는 산소 또는 아마도 이산화질소 또는 이산화탄소일 수 있다. 폴리머에 대한 손상에 의해 유발되는 유기층 내의 휘발성 종들이 생성되는 경우에는, 수분 및 산소의 부재하에서, 또는 일반적인 외부 가스들 속에서도 흑점들이 발생할 수 있는 것으로 또한 밝혀졌다. 따라서, 수분 또는 산소의 부재하에서의 흑점들 및 측면 에지들의 성장을 모니터링하는 것은 폴리머층에 대한 손상을 평가하는 좋은 메트릭이다. 이러한 목적으로, OLED는 드라이 박스에 저장되거나, 건조제를 갖는 금속 유리 캔으로 캡슐화되어야 한다.
폴리머 분리층의 저항력을 향상시키는 한 가지 방법은 손상 감소를 돕는 다양한 설계 기준을 이용하여 폴리머를 선택하는 것이다. 이러한 접근법은 "Encapsulated Devices And Method Of Making"이라는 제목으로 2006년 8월 24일자로 출원된 미국 출원 번호 11/509,837에 설명되어 있으며, 이 출원은 본 명세서에 참고 문헌으로 포함된다.
폴리머 분리층의 손상을 줄이는 또 하나의 접근법은 무기 장벽층을 침적하는 데 이용되는 프로세스에서 사용되는 플라즈마로부터 폴리머층을 보호하는 것이다. 예를 들어, 각각의 폴리머 분리층이 무기 장벽층 침적 동안에 열 증착 LiF 층에 의해 보호되는 경우(즉, 플라즈마 노출 전에 폴리머 분리층 위에 열 증착막이 침적되는 경우), 흑점/헤일로의 큰 성장은 관찰되지 않는다.
흑점/헤일로의 일례가 도 2에 도시되어 있다. 도 2a의 OLED는 아크릴 폴리머층/LiF/AlxOy 및 아크릴 폴리머/AlxOy/아크릴 폴리머 스택을 포함하는 다층 장벽 스택으로 코팅되었다. 따라서, 폴리머층들 중 하나는 산화물층의 침적 전에 보호되었지만, 다른 하나는 보호되지 않았다. 도 2b의 OLED는 아크릴 폴리머층/LiF/AlxOy를 포함하는 3개의 다층 스택으로 코팅되었다. 수분으로부터의 흑점/헤일로 성장에 대한 어떠한 기여도 배제하기 위하여, 양 OLED들의 장벽 스택들 위에 금속 캔들이 도포되었다. 도 2a에서는 결함 주위에서 헤일로가 관찰된 반면, 도 2b에서는 헤일로가 관찰되지 않았는데, 이는 손상이 방지되었음을 나타낸다. 도 3에는, 도 2b에 도시된 것(검정 사각형)과 유사한 하나의 결함의 시간 경과(섭씨 60도/90% RH에서의 가속화된 수명 테스트)에 따른 변화가 도시되어 있다. OLED 장치는 도 2b에서와 동일한 아크릴 폴리머층/LiF/AlxOy 장벽 구조로 코팅되었으며, 장벽 구조 위에는 금속 캔이 도포되었다. 그래프는 측정 실험 오차 내에서 흑점/그레이 헤일로 크기의 변화가 존재하지 않음을 보여준다. 비교로서, 백색 사각형은 통상적인 프로세스의 흑점 성장을 보여준다.
폴리머 분리층의 열화의 원인이 교차 전극 구성을 갖는 OLED 장치들을 이용하여 조사되었다. 이러한 타입의 장치의 일례가 도 4에 도시되어 있다. 도 4a 및 4b는 상부 발광 OLED를 나타낸다. 기판(130), 금속 애노드(135), 장치(140) 및 투명 캐소드(145)가 존재한다. OLED는 발광 영역(150)을 갖는다. 도 4c 및 4d는 하부 발광 OLED를 나타낸다. 투명 기판(155), 투명 도체(160), 장치(165) 및 금속 캐소드(170)가 존재한다. OLED는 발광 영역(175)을 갖는다.
도 4에 도시된 바와 같이, 장벽을 구성하는 상부층들로부터의 해로운 종들의 확산으로 인한 그러한 장치들에서의 열화는 캐소드 내의 핀홀들에 일치하여 발생하며, 결과적으로 흑점들이 그레이 헤일로에 의해 둘러싸이고, 캐소드에 수직인 측면 확산에 의해 캐소드 방향을 따라 다크 에지가 형성된다.
OLED가 아크릴 폴리머층 및 건조제를 갖는 금속 캔으로 피복되었다. 장치는 RT에서 500 시간 동안 에이징(aging)되었다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 흑점/헤일로가 관측되지 않았으며, 에지에 다크닝(darkening)이 존재하지 않았다. 이것은, 모노머 블렌드(monomer blend)가 액체로서 침적되고, 적절히 경화될 때(그리고 경화가 플라즈마의 사용을 수반하지 않을 때), 폴리머와의 직접 상호작용에 의해 손상이 유발되지 않음을 암시한다. (도 5b에 도시된) 제2 OLED가 아크릴 폴리머층 및 증착된 Al 막으로 코팅되었고, 금속 캔 및 건조제로 캡슐화되었으며, RT에서 500 시간 동안 에이징되었다. 이 장치는 흑점 성장을 보이지 않았다. 10㎛ 미만의 다크 에지가 존재하였다. 흑점의 부재는 Al과 폴리머 간의 화학적 상호작용의 가능성을 열화의 원인으로부터 배제하는 것으로 보인다. 또한, 종들의 외부 확산에 대한 장벽으로서 작용하는 상부 Al 층의 존재는 폴리머 내에 존재하는 해로운 종들이 외부 확산되어 건조제에 의해 제거되는 가능성을 배제한다. 도 5c는, 아크릴 폴리머층 및 스퍼터링된 Al 막으로 코팅되고, 금속 캔 및 건조제로 캡슐화되며, RT에서 500 시간 동안 에이징된 OLED를 나타낸다. 에이징 후에 흑점들이 존재하며, 50㎛ 미만의 다크 에지가 발생하였다. 이것은 폴리머 분리층에 대한 손상의 원인이 스퍼터링 프로세스에 있으며, 그러한 프로세스에서 발생하는 종들이 OLED 장치들에 대한 열화의 원인임을 암시한다.
스퍼터링 프로세스 동안에 플라즈마에 노출될 때, 폴리머 분리층의 손상에 대한 많은 가능한 메커니즘이 존재하며, 이들은 다음을 포함하지만 그에 한정되지 않는다:
고에너지의 반사된 뉴트럴(수백 eV)에 의한 충돌
플라즈마 내의 고속 전자들(벌크 2-4eV, 최대 20-40eV)에 의한 충돌
기판 주위의 플라즈마 가리개(sheath)에서의 이온들(<20eV)에 의한 충돌
자외선 광(<10eV)에 대한 노출.
폴리머층 상부의 산화물 장벽층의 스퍼터링 침적 전에 OLED 상의 UV 흡착층의 침적을 수반하는 실험들, 및 전자 충돌이 감소된 실험들은 건조한 환경에서의 폴리머/산화물 침적 및 저장 후에 OLED 발광 특성들의 열화의 변화를 나타내지 않았다. 한편, 본 발명자들은 산화물 장벽층 침적 동안에 중요한 침적 파라미터들을 변경함으로써, 타겟으로부터 반사된 고에너지 이온들 및 뉴트럴들이 폴리머 손상의 주요 메커니즘임을 밝혀냈다. 플라즈마 내의 고속 입자들의 충돌에 의해 유발되는 폴리머층의 손상을 고려할 때, 입자들의 선속(flux) 및/또는 에너지를 결정함으로써 효과를 변경하는 것이 가능하다. 타겟 전력 2000W, 타겟 전압 350V, 타겟 전류 5.7A, 타겟 면적 310cm2 및 압력 2.5mTorr의 스퍼터링 조건들에 대해, 2.4 x 1017/cm2 선속의 Ar 이온들이 400eV의 예상 에너지로 스퍼터링 타겟에 도달한다. 0.5%의 반사율을 가정할 때, 약 1 x 1015 이온/cm2의 Ar 뉴트럴들이 타겟 표면으로부터 반사된다. 이들 중 많은 수는 타겟과 기판 사이의 공간을 가로질러 이동하여, 표면 상의 폴리머막에 충돌한다. 뉴트럴들의 에너지는 후술하는 바와 같이 플라즈마의 가스 방전 압력 및 타겟-기판 거리에 의존할 것이다.
폴리머 플라즈마 손상을 줄이거나 방지하기 위하여, 조작이 가능한 프로세스의 3개 단계가 식별될 수 있다:
스퍼터링 타겟의 표면 상에서의 높은 운동 에너지의 뉴트럴들 및 이온들의 생성 및 반사;
가스(예를 들어, Ar)의 높은 운동 에너지의 뉴트럴들 및 이온들의 폴리머막 표면으로의 운반;
가스(예를 들어, Ar)의 높은 운동 에너지의 뉴트럴들 및 이온들의 폴리머막 표면 상에서의 충돌.
고에너지 뉴트럴들에 의한 폴리머 플라즈마 손상을 줄이거나 방지하기 위하여, 뉴트럴들의 선속 밀도 및 에너지의 감소가 필요하다. 본 발명의 일 양태는 플라즈마 파라미터들을 결정하여, 뉴트럴 선속 및 뉴트럴 에너지를 변경함으로써 폴리머 플라즈마 손상을 줄이거나 방지하는 방법에 관한 것이다.
뉴트럴들의 선속 밀도 및 에너지는 상이한 단계에서 상이한 방식으로 감소될 수 있다.
높은 운동 에너지의 뉴트럴 및 이온 생성 단계
타겟 전압은 통상적으로 -200 내지 -600V의 범위 내이다. 음의 전위는 Ar 이온들을 타겟 표면을 향해 끌어당기고 가속시킨다. 타겟 전압은 플라즈마를 점화하고 유지하는 데 사용되는 전력에 따라 증가한다. 따라서, 캐소드 타겟 전력은 도 6에 도시된 바와 같이 타겟 전압을 줄이기 위해 낮춰질 수 있다. 그러나, 더 낮은 전력은 더 낮은 플라즈마 밀도를 생성하며, 이는 더 낮은 침적 속도로 이어진다.
스퍼터링 캐소드 타겟 전압을 낮추면서도, 캐소드의 자기장을 최적화함으로써(즉, 마그네트론 설계 및 가스 주입 설계를 최적화함으로써) 동등한 플라즈마 밀도를 유지할 수 있다. 도 7은 동일한 플라즈마 밀도를 생성하지만 상이한 타겟 전압들을 갖는 2개의 캐소드를 비교하고 있다. 2개의 캐소드는 자기장의 강도 및 균일도만이 상이하다. 더 강한 자기장은 전자들을 타겟 표면에 더 가깝게 포획하고, Ar 이온화 확률을 증가시키며, 이는 타겟 전압의 감소로 이어진다.
주어진 전력에서, 뉴트럴들의 에너지는 상이한 질량을 갖는 스퍼터링 가스 및 상이한 스퍼터링 타겟 재료들을 사용함으로써 감소될 수 있다. Xe 이온들의 에너지 및 반사율 양자는 Al 타겟 표면 상에서 Ar 이온들의 그것들보다 낮다.
2) 높은 운동 에너지의 뉴트럴 및 이온 운반 단계
타겟으로부터 반사된 Ar 뉴트럴들은 플라즈마 내에 존재하는 Ar 이온들(및 뉴트럴들)과 운동량을 교환한다. 뉴트럴들은 Ar 원자들과의 충돌로 인해 에너지를 잃고, 다른 방향들로 산란된다. 플라즈마 방전을 생성하는 데 사용되는 가스의 압력(P) 및/또는 타겟-기판 거리(D)를 증가시킴으로써, 폴리머 표면에 충돌하는 뉴트럴들의 에너지는 낮아질 것이고, 충돌은 더 낮은 각도에서 발생할 것이며, 따라서 손상 영역이 얕아질 것이다. 도 8은 압력과 거리의 곱(PD)을 이용한 Ar 에너지의 이론적 계산을 나타낸다. Kr 또는 Xe와 같은 대안 스퍼터링 가스를 사용함으로써 충격이 더 감소할 수 있다.
타겟과 기판 사이의 스크린(예를 들어, 40%의 개구 및 1/8 인치 직경의 홀들을 갖는 스크린)의 삽입은 플라즈마를 한정하며, 타겟에서 기판으로 반사되는 뉴트럴 선속을 제한한다. 폴리머 플라즈마 손상을 평가하는 한 가지 방법은 이전에 플라즈마에 노출되었던 장벽 스택을 UV/오존(254nm에서 28,000μWatts/cm2)에 노출시키는 것이다. 장벽 스택에 대한 15분 동안의 UV/오존 노출 후의 심한 버블링은 플라즈마 침적에 의하여 유발된 폴리머의 기존 손상을 지시하는 반면, 동일 조건에서의 UV/오존 노출 후에 나타나는 더 적거나 전혀 없는 버블들은 폴리머층의 손상이 더 적거나 없음을 지시한다. 도 9는 스크린이 없는 동등한 플라즈마 조건 (A) 및 스크린을 갖는 조건 (B)에서 폴리머층 상에 산화물층이 침적된 2개의 샘플을 비교하고 있다. 침적 후에, 샘플들은 UV/오존 테스트를 거쳤다. 더 낮은 수의 버블들로부터, 스크린이 사용될 때, 폴리머 플라즈마 손상의 큰 감소가 얻어짐이 명백하다.
패시브 매트릭스(PM) 디스플레이들에서, 플라즈마 노출에 의한 폴리머의 부분적 분해에 의해 생성되는 반응성 종들은 캐소드의 에지들 근처의 장치의 민감한 영역들로 확산된다. 그 이유는 도 10에 도시된 장치의 개략도를 볼 때 쉽게 이해된다. 유리 기판(205)이 인듐 주석 산화물(ITO)(210)의 층으로 피복된다. ITO 층(210)이 장치의 부분들로부터 제거된다. ITO 층(210) 위에는 폴리머 발광 다이오드/폴리에틸렌디옥시티오펜(PLED/PDOT) 층(215)이 존재한다. 알루미늄 캐소드 층(220)이 PLED/PDOT 층(215) 위에 위치한다. 알루미늄 캐소드 층(220)을 분리하는 캐소드 분리기(225)가 존재한다.
이러한 타입의 장치에서, 캐소드는 10C-10C의 방향으로 계속 연장하며, 따라서 픽셀 내의 확산은 10B-10B의 방향에서만 발생할 수 있다. 도 11은 수분에 의한 열화의 임의의 가능성을 제거하기 위하여 다층 장벽 스택(알루미늄 산화물 및 아크릴레이트)으로 코팅되고 드라이 박스 내에 저장된 4개의 PM 장치를 나타낸다. 도 11a는 코팅되지 않은 장치의 이미지를 기준으로서 나타낸다. 코팅된 플레이트들 내의 픽셀들은 운반 동안에 발생한 소정의 열화로 인해 수령시에 약 220㎛의 길이 및 180㎛의 폭을 가졌다. 다층 장벽층 스택들은 알루미늄 산화물층의 플라즈마 침적을 위한 캐소드-기판 거리(D) 및 가스 압력(P)의 상이한 조합들을 이용하여 침적되었다. 도 11b(PD=19), 11C(PD=39) 및 11D(PD=78)는 드라이 박스 내에서의 100 시간 후의 장치들을 나타낸다. 모든 픽셀들은 도 11a에 도시된 최초 크기에 비해 상당한 축소를 보였다. 그러나, PD 값의 증가의 함수로서, 픽셀 면적은 최초 값에 더 가까워진다.
도 12는 산화물층 침적을 위해 상이한 Ar 압력들을 이용한 다층 장벽 스택들에서 UV/오존 방법을 이용하여 측정된 바의 폴리머 플라즈마 손상을 나타낸다. 도 12a는 2.5mTorr의 압력(PD=53)에서 침적되었고, 도 12b는 5.0mTorr의 압력(PD=106)에서 침적되었고, 도 12c는 10mTorr의 압력(PD=213)에서 침적되었다(타겟-기판 거리는 160mm로 일정하게 유지되었다). 모든 샘플들은 UV/오존 테스트에 노출되었다. 버블들의 수는 압력 증가의 함수로서 감소하였으며, 10mT에서 손상이 나타나지 않았다.
3) 높은 운동 에너지의 뉴트럴 및 이온 충돌 단계
플라즈마 내에 존재하는 가속된 입자들, 이들 중에서 반사된 뉴트럴들에 의한 폴리머층의 직접 충돌은 폴리머 구조 내의 더 약한 결합들의 파괴, 및 이동하여 OLED 장치를 구성하는 재료들과 반응할 수 있는 잠재적으로 해로운 이동성 종들의 형성의 원인일 수 있다.
폴리머층 내의 가속 입자들의 침투는 몬테카를로 이온-고체 상호작용 코드인 TRIM 시뮬레이션을 이용하여 평가되었다. 이것은 이온 주입 프로파일들의 계산에 그리고 이온빔 분석 문제들에 널리 사용된다. 계산에 대한 충분한 설명은 "The Stopping and Range of Ions in Solids", by J.F. Ziegler, J.P. Biersack and U. Littmark, Pergamon Press, New York, 1985에서 발견되며, 이 논문은 본 명세서에 참고 문헌으로 포함된다.
TRIM 시뮬레이션(도 13)은 가속 입자들의 침투 깊이가 정상적으로 입사하는 400eV의 Ar에 대해 약 200Å의 범위 내임을 보여준다. 그러나, 손상된 층의 두께는 충돌된 층 내의 원자들의 변위에 의해 생성되는 충돌 캐스케이드로 인하여 침투 범위보다 클 수 있다. 폴리머는 약 200Å보다 약간 큰 두께로 폴리머의 표면 상에 층을 퇴적함으로써 이온/뉴트럴 손상으로부터 보호되어야 한다. 손상을 완전히 방지하기 위하여, 층은 투과 범위보다 두꺼워야 한다. 유효 두께는 충돌 입자 에너지, 그의 전하, 및 투사물 및 기판의 질량 및 원자 번호에 의해 정의된다. 안전한 범위는 침투 범위의 2배이다.
증착된 무기 또는 유기층이 보호층으로 사용될 수 있다. 증착된 LiF 층을 사용하는 이러한 개념의 일 실시예가 위에서 설명되었으며, 그 결과들은 도 2에 도시되어 있다.
손상 없는 조건들 하의 플라즈마 프로세스를 이용하여, 예를 들어 높은 PD를 갖는 (전술한 바와 같은 P 및 D를 갖는) 구성을 이용하여 침적된 산화물도 고에너지 플라즈마 조건들에서의 산화물 침적에 의해 생성되는 손상으로부터 폴리머를 보호할 수 있다. 이러한 타입의 보호층의 일례가 도 11에 도시되어 있다. 전술한 바와 같이, PM 디스플레이들은 산화물/폴리머 구조로 부분적으로 코팅되었으며, 여기서 산화물층은 상이한 PD 값들(도 11b: PD=19, 도 11c: PD=39, 도 11D: PD=78)을 갖는 구성들에서 침적되었다. 코팅되지 않은 장치가 기준으로서 도 11a에 도시되어 있다. 조명 영역의 폭의 감소에 따라 손상이 나타나며, 이는 유효 픽셀 영역의 축소를 나타낸다. 산화물층이 최고 PD 값(78 Pa mm)을 이용하여 침적된 도 11d는 최소의 픽셀 축소를 갖는다.
손상 없는 조건들은 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지를 이용하여 정의될 수도 있는데, 전술한 바와 같이 이는 일반적으로 약 20eV보다 낮을 것이다.
c) 이러한 개념의 확장으로서, 강한 플라즈마를 필요로 하지 않는 방법에 의해 침적되는 임의의 무기층이 구현될 수 있다. 강하지 않은 플라즈마 조건 및 강한 플라즈마 조건이 아래에 설명된다. 강한 플라즈마를 필요로 하지 않는 침적 타입들 중에는, 원격 플라즈마 구성, 대면 캐소드 구성, 유도 결합 플라즈마가 포함된다. 증발, 화학 기상 증착 및 원자층 침적과 같은 다른 프로세스들은 플라즈마의 사용을 전혀 필요로 하지 않는다.
요컨대, 플라즈마 침적 동안에 폴리머 플라즈마 손상을 방지하는 방법들은 증가된 플라즈마 방전 압력, 증가된 타겟-기판 거리, 이들의 조합, 플라즈마와 기판 사이의 스크린의 사용 및 보호층의 사용 중 하나 이상을 포함한다.
증가된 플라즈마 방전 압력 및 증가된 타겟-기판 거리와 관련하여, 다음의 스퍼터링 조건들, 즉 타겟 전력 2000W, 타겟 전압 350V, 타겟 전류 5.7A, 타겟 면적 310cm2 및 아르곤 가스에 대해, 본 발명자들은 플라즈마 방전 압력을 2 mTorr에서 10 mTorr로 증가시키고 타겟-기판 거리를 50mm에서 160mm로 증가시키는 것이 하부의 폴리머층을 손상시키지 않는 무기층을 제공한다는 것을 발견하였다. 본 발명자들은 아르곤 가스에 대해 약 100 Pa*mm보다 큰 PD 값들에 이르는 하드웨어/프로세스 파라미터들의 구성이 뉴트럴들의 열 뉴트럴화를 유발하고, 따라서 수용 가능함을 발견하였다.
도 8에 기초하고, 그리고 강하지 않은 플라즈마 조건들(즉, 타겟-기판 거리=160mm, P=10mTorr, P*D=213Pa*mm)에서 스퍼터 타겟 표면을 떠나는 이온들의 초기 에너지가 110eV인 것으로 가정하면, 가스 산란의 손실로 인해 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 Ar 가스에 대해 11eV이고, Kr 가스에 대해 1.4eV일 것이다. 더 강한 조건들(타겟-기판 거리=58mm, P=2.5mTorr, P*D=19Pa*mm)에 대해, 가스 산란의 손실로 인해 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 Ar 가스에 대해 90eV이고, Kr 가스에 대해 81eV일 것이다.
통상적으로, 강하지 않은 플라즈마 조건들에 대해, 플라즈마 가스 방전 압력은 적어도 약 4mTorr, 적어도 약 5mTorr, 적어도 약 7mTorr 또는 적어도 약 10mTorr이다. 통상적으로, 타겟-기판 거리는 적어도 약 100mm, 적어도 약 125mm 또는 적어도 약 150mm이다. 통상적으로, PD 값은 적어도 약 100Pa*mm, 적어도 약 150Pa*mm 또는 적어도 약 200Pa*mm이다.
더 강한 장벽 플라즈마 조건들에 대해, 플라즈마 가스 방전 압력은 통상적으로 약 3.5mTorr 이하 또는 약 2.5mTorr 이하이다. 통상적으로, 타겟-기판 거리는 약 100mm, 약 80mm 또는 약 70mm 미만이다. 통상적으로, PD 값은 약 75Pa*mm, 약 50Pa*mm 또는 약 25Pa*mm 미만이다.
강하지 않은 플라즈마 조건들에 대해 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 일반적으로 Ar 또는 Kr에 대해 약 20eV, 약 15eV, 약 10eV 또는 약 5eV 미만일 것이다. 더 강한 플라즈마 조건들에 대해, 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 일반적으로 Ar 또는 Kr에 대해 약 50eV, 약 60eV, 약 70eV, 약 80eV 또는 약 90eV보다 클 것이다. 이러한 조건들은 저온의 기판, 예를 들어 약 섭씨 150도 미만의 온도의 기판에 대해 사용된다.
전술한 강하지 않은 플라즈마 조건들 하에서의 방법들에 의해 침적된 무기층은 매우 낮은 밀도 및 심하게 저하된 장벽 특성을 갖는다. 편의를 위해, 아래의 설명에서는 무기층을 "산화물" 층으로 지칭할 것이다.
열악한 장벽 성능에 대한 일부 이유들이 아래에 설명된다.
높은 P 및 D는 더 낮은 막 밀도 및 많은 보이드(void)를 갖는 막들을 생성한다. 본 명세서에 참고 문헌으로 포함되는 Smith, et al, J. Appl. Phys. 79(3), 1996 P.1448을 참고한다. 더 낮은 굴절률(RI)은 막이 더 낮은 밀도의 미세 구조를 갖는다는 것을 지시하는 것으로 알려져 있다. 도 14는 산화물의 RI에 대한 프로세스 압력 변화의 효과를 나타낸다. 4개의 알루미늄 산화물층 및 5개의 아크릴레이트 폴리머 층의 다층 구조로 캡슐화된 Ca 쿠폰들에 대해, 압력 증가에 따른 장벽 성능의 열화가 도 15에 도시되어 있다. 칼슘 테스트는 Nisato G., Kuilder M., Piet Bouten, Moro L., Philips 0., Rutherford N., "Thin Film Encapsu1ation for OLEDs: Evaluation of multi-layer barriers using the Ca test", Society for Information Display, 2003 International Symposium, Digest of Technical Papers, Vol. XXXIV, P.88에 설명되어 있으며, 이 논문은 본 명세서에 참고 문헌으로 포함된다. 이러한 샘플들의 산화물 침적에 사용된 하드웨어 구성은 동일하였으며, Ar 압력은 2.5와 10mTorr 사이에서 변하였다. 2.5mTorr를 이용하여 코팅된 샘플은 섭씨 60도/90% RH에서 500 시간 동안의 에이징 시에 어떠한 열화도 보이지 않았다(도 15a). 5mTorr를 이용하여 코팅된 샘플의 섭씨 60도/90% RH에서의 500시간의 에이징 후에 금속 칼슘에 대한 약간의 영향만이 관찰될 수 있다(도 15b). 마지막으로, 10mTorr를 이용하여 코팅된 샘플은 실내 온도 및 습도(40%)에서 수 시간 후에 열화를 보였다(도 15c). 이러한 샘플들의 시퀀스는 더 높은 압력으로 침적된 산화물들에 대해 장벽 성능의 저하를 나타낸다.
3개의 알루미늄 산화물/아크릴레이트 폴리머층 쌍으로 캡슐화되고 섭씨 60도/90% RH에서 500 시간 동안 에이징된 OLED들에 대한 산화물 장벽 성능의 저하가 또한 도 16에 도시되어 있다. 산화물층이 4.5mTorr에서 침적된 때, OLED들은 나안으로 보이는(즉, 약 80㎛ 이상의) 큰 흑점들의 성장에 의해 심하게 열화되었다(도 16b). 이와 달리, 산화물층이 3.5mTorr로 침적되고 동일 조건들 하에서 에이징된 때, OLED들은 시각적으로 어떠한 열화도 보이지 않았다(도 16a). 더 중요한 것은, 3.5mTorr에서 침적된 샘플에 대해 측정된 흑점들의 평균 크기, 즉 10㎛가 양호한 장벽층을 생성하는 것으로 알려진 조건들 하에서, 예를 들어 2.5mTorr에서 침적되고 6개의 알루미늄 산화물/아크릴레이트 층 쌍으로 캡슐화된 샘플들에 대해 측정된 흑점들의 크기에 필적한다는 것이다.
폴리머층에 대한 손상 없이 양호한 장벽 성능을 달성하기 위하여, 복합 무기 장벽층이 사용된다. 먼저, 강하지 않은 플라즈마 조건들에서 폴리머층 위에 무기 비장벽층이 침적된다. 강하지 않은 플라즈마 조건들은, PD가 100Pa*mm보다 크거나, 기판에 도달하는 이온 또는 뉴트럴 에너지가 약 20eV 미만이거나, 이들 양자를 의미한다. 강하지 않은 플라즈마 조건들은 폴리머층에 대한 손상을 방지하지만, 장벽 특성이 결여된 무기층(무기 비장벽층)을 형성한다. 장벽층을 형성하기 위하여 더 강한 플라즈마 프로세스를 이용하여 제2 무기층이 침적된다. 이것은 어떠한 특별한 처리 장비도 필요로 하지 않고, 기존의 산화물 침적 프로세스의 간단한 변형으로서 구현될 수 있으므로 바람직한 방법이다.
복합 무기 장벽층은 동일 조건들 또는 다양한 조건들 하에서 침적된 하나 이상의 무기 비장벽층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 무기 비장벽층은 가장 강하지 않은 조건들 하에서 침적될 수 있으며, 제2 무기 비장벽층이 더 강하지만 장벽층을 형성하지는 않는 조건들 하에서 제1 무기 비장벽층 상에 침적될 수 있다. 또한, 복합 무기 장벽층 내에는 하나 이상의 장벽층이 존재할 수 있다.
대안으로, 강하지 않은 플라즈마 조건들에서 더 강한 플라즈마 조건들로 변하는 조건들 하에서 침적된 단일 무기층이 존재할 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 방전 압력 및/또는 타겟-기판 거리가 침적 프로세스 동안에 감소될 수 있다. 따라서, 무기층의 장벽 특성은 그의 두께를 통해 변하게 되며, 폴리머 분리층에 가장 가까운 부분은 장벽 특성을 갖지 않는 반면, 다른 부분은 장벽 특성을 가질 것이다.
장벽 스택들 내의 무기층들은 임의의 적절한 장벽 재료일 수 있다. 비장벽 및 장벽 무기층들은 동일 재료 또는 상이한 재료로 형성될 수 있다. 금속 계열의 적절한 무기 재료들은 개별 금속들, 혼합물로서의 둘 이상의 금속, 금속간 화합물 또는 합금, 금속 및 혼합 금속 산화물, 금속 및 혼합 금속 불화물, 금속 및 혼합 금속 질화물, 금속 및 혼합 금속 산질화물, 금속 및 혼합 금속 붕소화물, 금속 및 혼합 금속 산붕소화물, 금속 및 혼합 금속 실리사이드, 또는 이들의 조합을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 금속들은 전이("d" 블록) 금속, 란탄족("f" 블록) 금속, 알루미늄, 인듐, 게르마늄, 주석, 안티몬 및 비스무트, 및 이들의 조합을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 결과적인 금속 계열의 재료들의 대다수는 도체 또는 반도체일 것이다. 불화물 및 산화물은 유전체(절연체), 반도체 및 금속 도체를 포함할 것이다. 도전성 산화물의 비제한적인 예는 알루미늄 도핑된 아연 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 안티몬 주석 산화물, 티타늄 산화물(TiOx, 여기서 0.8≤x≤1) 및 텅스텐 산화물(WOx, 여기서 2.7≤x≤3.0)을 포함한다. p 블록 반도체 및 비금속 계열의 적절한 무기 재료들은 실리콘, 실리콘 화합물, 붕소, 붕소 화합물, 다이아몬드형 탄소를 포함하는 탄소 화합물 및 이들의 조합을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 실리콘 화합물들은 실리콘 산화물(SiOx, 여기서 1≤x≤2), 폴리실리콘산, 알칼리 및 알칼리토 실리케이트, 알루미노실리케이트(AlxSiOy), 실리콘 질화물(SNxHy, 여기서 0≤y<1), 실리콘 산질화물(SiNxOyHz, 여기서 0≤z<1), 실리콘 탄화물(SiCxHy, 여기서 0≤y<1) 및 실리콘 알루미늄 산질화물(SiAlON)을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 붕소 화합물들은 붕소 탄화물, 붕소 질화물, 붕소 산질화물, 붕소 탄질화물 및 이들과 실리콘의 조합들을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
불투명 금속, 불투명 폴리머 및 이들의 조합을 포함하지만, 이에 한정되지 않는 불투명 재료들로부터 실질적으로 불투명한 장벽층들이 형성될 수 있다.
바람직한 장벽 재료들은 알루미늄 산화물(AlOx 및 AlOxHy, 여기서 1.5≤x≤2 및 0≤y≤1), 알루미노실리케이트(AlxSiOy), 실리콘 산질화물(SiNxOyHz, 여기서 0≤z<1), 실리콘 질화물(SNxHy, 여기서 0≤y<1) 및 실리콘 산화물(SiOx, 여기서 1≤x≤2)을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
무기 비장벽층의 두께는 무기 장벽층 내의 결함 침투를 방지하도록 제한될 수 있다. 강하지 않은 플라즈마 조건들에서 침적된 무기 비장벽층이 너무 두꺼운 경우, 그의 표면 상의 큰 거칠기 및 큰 결함들은 무기 장벽층의 균일한 핵 형성을 방해한다. 이러한 예는 Ca 쿠폰이 복합 무기 장벽층으로 캡슐화된 도 17에 도시되어 있다. 무기 비장벽층은 강하지 않은 플라즈마 조건들(10mT, 2kW)을 이용하여 아크릴레이트 폴리머 상에 침적되는 반면, 무기 장벽층은 더 강한 플라즈마 조건들(2.5mTorr, 2kW)을 이용하여 침적된다. 무기 비장벽층의 두께는 100 내지 400Å 사이에서 변하는 반면, 무기 장벽층의 두께는 일정하게 유지되었다. 도 17은 500 시간 동안 섭씨 60도/90% RH에서의 Ca 쿠폰들의 에이징 시에 얻어진 가속 테스트 결과들을 나타낸다. 복합 무기 장벽층의 장벽 성능은 무기 비장벽층의 두께가 100Å(도 17a)에서 200Å(도 17b)으로, 400Å(도 17c)으로 증가함에 따라 저하되었다. 무기 비장벽층의 두께와 관련된 문제는 증착에 의해 침적된 보호층들과 관련해서도 발생한다.
이어지는 설명은 플라즈마 처리를 이용하여 침적되는 무기 비장벽 층들과 관련된다. 무기 비장벽층의 두께는 여러 인자들 사이의 절충이다. 즉, 1) 두께는 무기 장벽층으로의 결함들의 침투를 방지하도록 작아야 한다. 인접 장벽층이 더 강한 경우, 더 큰 두께가 허용된다. 2) 두께는 효과적인 보호를 제공하도록 충분히 커야 한다. OLED/무기 비장벽 알루미늄 산화물층(두께=5, 10, 20nm)/무기 장벽 알루미늄 산화물층(두께=30nm)/캔+건조제)의 구조로 캡슐화된 OLED들에 대해, 흑점 및 그레이 헤일로 크기의 비교가 도 18에 도시되어 있다. 무기 비장벽층은 4.5mTorr의 압력에서 침적되었으며, 무기 장벽층은 2.5mTorr에서 침적되었다. 도 18은 그레이 헤일로의 크기가 무기 비장벽층의 두께의 증가에 따라 어떻게 감소하는지를 보여준다. 참고로, 무기 비장벽층을 갖지 않는 샘플들에 대한 그레이 헤일로의 통상적인 평균 크기는 60㎛보다 크다. 원칙적으로, 더 강한 장벽층 침적은 더 두꺼운 무기 비장벽층을 필요로 한다. 이것은 도 19에 도시되어 있는데, 여기서는 UV/오존 테스트를 이용하여 두 세트의 샘플이 폴리머 플라즈마 손상에 대해 테스트되었다. 양 샘플에서, 무기 비장벽층은 강하지 않은 조건들(10mTorr, 2.0인치, 2kW, PD=78)에서 증가된 두께로 침적되었다. 하나의 세트에 대해, 장벽 산화물층이 2kW를 이용하여 침적되었으며(도 19a, 19b 및 19c), 다른 세트에 대해 장벽 산화물층은 4kW를 이용하여 침적되었다(도 19d, 19e). 장벽 산화물층의 두께는 400Å으로 일정하게 유지되었다. 도 19a에서는, 무기 비장벽층이 존재하지 않았고, 무기 장벽층은 400Å이었다. 도 19b에서는, 무기 비장벽층이 100Å이었고, 무기 장벽층은 400Å이었다. 도 19c에서는, 무기 비장벽층이 200Å이었고, 무기 장벽층이 400Å이었다. 도 19d에서는 무기 비장벽층이 100Å이었고, 무기 장벽층이 400Å이었다. 도 19e에서는, 무기 비장벽층이 300Å이었고, 무기 장벽층이 400Å이었다. 도 19는 장벽 산화물층이 2kW에서 침적된 경우에는(도 19b) 100Å 두께의 비장벽 산화물층이 폴리머층을 보호하기에 충분하지만, 장벽 산화물층이 4kW에서 침적된 경우에는(도 19d) 그렇지 않다는 것을 보여준다. 도 19e는 300Å 두께의 비장벽 산화물층이 4kW 장벽 산화물층에 대한 손상을 방지하기에 충분하다는 것을 보여준다. 3) 두께는 전체 프로세스 처리량을 증가시키기 위해, 필요한 최소이어야 한다.
복합 무기 장벽층은 플라즈마 노출에 민감할 수 있는 폴리머 기판들에도 사용될 수 있다. 그러한 기판들의 예는 PET 및 PEN을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 그러한 기판들은 플라즈마에 의해 손상될 수 있는 C-O-C 결합들이 풍부하다. 복합 무기 장벽층은 장벽 스택 전에 기판 상에 침적될 수 있다.
본 발명의 복합 무기 장벽층은 다양한 응용에서 다층 장벽 스택들에 사용될 수 있다. 예를 들어, 이들은 도 20-24에 도시된 바와 같이 환경에 민감한 장치들을 캡슐화하는 데 사용될 수 있다. 환경에 민감한 장치들은 유기 발광 장치, 액정 디스플레이(LCD), 발광 다이오드(LED), 발광 폴리머(LEP), 전기 영동 잉크, 전기 발광 장치(ED), 인광 장치, 및 집적 회로, 전하 결합 장치, 발광 다이오드, 발광 폴리머, 유기 발광 장치, 금속 센서 패드, 마이크로 디스크 레이저, 전기 변색 장치, 광 변색 장치, 마이크로 전기 기계 시스템 및 태양 전지를 포함하는 마이크로일렉트로닉 장치를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
도 20에서, 캡슐화된 환경에 민감한 장치(300)는 기판(305)을 포함한다. 환경에 민감한 장치(310)는 기판(305)에 인접한다. 장벽 스택(315)은 폴리머 분리층(320) 및 복합 무기 장벽층(325)을 포함한다. 복합 무기 장벽층(325)은 폴리머 분리층(320) 상의 무기 비장벽층(330) 및 무기 비장벽층(330) 상의 무기 장벽층(335)을 포함한다.
캡슐화된 환경에 민감한 장치의 다른 실시예가 도 21에 도시되어 있다. 이러한 장치에서, 장벽 스택들(410, 440)은 환경에 민감한 장치(435)를 캡슐화한다. 장벽 스택(410)은 기판(405)에 인접한다. 장벽 스택(410)은 폴리머 분리층(415) 및 복합 무기 장벽층(420)을 포함한다. 복합 무기 장벽층(420)은 폴리머 분리층 상의 무기 비장벽층(425) 및 무기 비장벽층(425) 상의 무기 장벽층(430)을 포함한다. 환경에 민감한 장치(435)는 무기 장벽층(430)에 인접한다. 제2 장벽 스택(440)은 환경에 민감한 장치(435)에 인접한다. 제2 장벽 스택(440)은 폴리머 분리층(445) 및 복합 장벽층(450)을 포함한다. 복합 장벽층(450)은 무기 비장벽층(455) 및 무기 장벽층(460)을 포함한다.
캡슐화된 환경에 민감한 장치의 대안 실시예가 도 22에 도시되어 있다. 기판(505)은 장벽 스택(510)을 갖는다. 장벽 스택(510)은 폴리머 분리층(515), 및 무기 비장벽층(525) 및 무기 장벽층(530)을 포함하는 복합 무기 장벽층(520)을 포함한다. 환경에 민감한 장치(535)는 유리 커버, 금속 캔 등일 수 있는 커버(540)를 이용하여 캡슐화된다. 커버(540)는 접착제 또는 시일(545)을 이용하여 무기 장벽층(530)에 밀봉된다.
또 다른 실시예가 도 23에 도시되어 있다. 이 실시예에서, 환경에 민감한 장치는 2개의 시트(600, 605) 사이에 캡슐화된다. 시트들(600, 605)은 기판(610) 및 장벽 스택(615)을 포함한다. 장벽 스택은 폴리머 분리층(620), 및 무기 비장벽층(630) 및 무기 장벽층(635)을 포함하는 복합 장벽층(625)을 포함한다. 환경에 민감한 장치(640)는 제1 시트(600) 상에 배치된다. 제2 시트(605)는 접착층(645) 및 패시베이션 층(650)을 이용하여 제1 시트(600)에 접착된다. 적절한 패시베이션 층(650)은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
도 24에서, 기판(705)은 일면에 장벽 스택(710)을, 다른 면에 환경에 민감한 장치(715)를 갖는다. 장벽 스택(710)은 폴리머 분리층(720) 및 복합 장벽층(730)을 포함한다. 복합 장벽층(730)은 무기 비장벽층(735) 및 무기 장벽층(740)을 포함한다. 환경에 민감한 장치는 복합 장벽층을 포함하는 장벽 스택, 장벽 스택, 금속 캔, 에폭시 시일 등과 같은 장벽에 의해 캡슐화되는 것이 필요할 것이다.
도 25는 양면에 장벽 스택들(810)을 갖는 기판(805)을 나타낸다. 장벽 스택들(810)은 폴리머 분리층(815) 및 복합 장벽층(820)을 포함한다. 복합 장벽층(820)은 무기 비장벽층(825) 및 무기 장벽층(830)을 포함한다. 대안으로, 원할 경우에, 본 발명의 장벽 스택이 일면 상에, 그리고 다른 타입의 장벽 스택이 다른 면 상에 존재할 수 있다.
이러한 본 발명의 장벽 스택들에 대한 사용 예들은 제한적인 것이 아니라, 예시적인 것을 의도한다. 이 분야의 전문가들은 장벽 스택들이 다양한 응용들에 사용될 수 있다는 것을 인식할 것이다.
복합 무기 장벽층을 포함하는 장벽 스택은 에지가 밀봉될 수 있다. 적절한 에지 밀봉 방법들은 미국 특허 제6,866,901호, 2005년 2월 28일자로 출원된 미국 출원 번호 11/068,356, 2007년 1월 26일자로 출원된 미국 출원 번호 11/627,583, 2007년 3월 29일자로 출원된 미국 출원 번호 11/693,020, 및 2007년 3월 29일자로 출원된 미국 출원 번호 11/693,022에 설명된 것들을 포함하지만, 이에 한정되지 않으며, 상기 문헌들 모두는 본 명세서에 참고 문헌으로 포함된다.
소정의 대표적인 실시예들 및 상세들이 본 발명을 예시하기 위한 목적으로 설명되었지만, 첨부된 청구항들에 정의된 본 발명의 범위를 벗어나지 않고, 여기에 개시된 구성들 및 방법들의 다양한 변경이 이루어질 수 있다는 것은 이 분야의 전문가들에게 명백할 것이다.
Claims (29)
- 장벽 스택(barrier stack)으로서,
기판 상에 폴리머 분리층(polymeric decoupling layer)을 침적하는 단계;
제1 세트의 조건들 하에서 상기 폴리머 분리층 상에 제1 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제1 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴(neutral) 에너지는 20eV보다 낮으며, 따라서 상기 제1 무기층은 비장벽층이고, 상기 기판의 온도는 150℃보다 낮음 -; 및
제2 세트의 조건들 하에서 상기 제1 무기층 상에 제2 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제2 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 50eV보다 높으며, 따라서 상기 제2 무기층은 장벽층임 -
를 포함하는 프로세스에 의해 제조되는 장벽 스택. - 제1항에 있어서, 상기 폴리머 분리층은 아크릴레이트(acrylates), 티올(thiols), 에폭시(epoxies), 폴리에스테르(polyesters), 실록산(siloxanes), 우레탄(urethanes) 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 장벽 스택.
- 제1항에 있어서, 상기 무기 비장벽층 또는 상기 무기 장벽층 또는 이들 양자 모두는 금속, 금속 산화물, 금속 불화물, 금속 질화물, 금속 탄화물, 금속 탄질화물, 금속 산질화물, 금속 붕소화물, 금속 산붕소화물, 금속 실리사이드 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 장벽 스택.
- 제1항에 있어서, 상기 무기 비장벽층 또는 상기 무기 장벽층 또는 이들 양자 모두는 알루미늄 산화물, 알루미노실리케이트, 실리콘 산질화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 장벽 스택.
- 제1항에 있어서, 상기 무기 비장벽층 및 상기 무기 장벽층은 상이한 재료로 제조되는 장벽 스택.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 그 위에 환경에 민감한 장치(environmentally sensitive device)를 포함하는 장벽 스택.
- 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 장벽 스택 사이에 복합 무기 장벽층을 더 포함하며, 상기 복합 무기 장벽층은 상기 기판 상의 무기 비장벽층 및 상기 무기 비장벽층 상의 무기 장벽층을 포함하는 장벽 스택.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽 스택은 에지 시일(edge seal)을 구비하는 장벽 스택.
- 장벽 스택으로서,
기판 상에 폴리머 분리층을 침적하는 단계;
제1 세트의 조건들에서 상기 폴리머 분리층 상에 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제1 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 20eV보다 낮으며, 따라서 상기 폴리머 분리층에 인접하는 상기 무기층의 제1 부분은 비장벽층이고, 상기 기판의 온도는 150℃보다 낮음 -; 및
제2 세트의 조건들로 변경하는 단계 - 상기 제2 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 50eV보다 높으며, 따라서 상기 무기층의 제2 부분은 장벽층임 -
를 포함하는 프로세스에 의해 제조되는 장벽 스택. - 제9항에 있어서, 상기 폴리머 분리층은 아크릴레이트, 티올, 에폭시, 폴리에스테르, 실록산, 우레탄 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 장벽 스택.
- 제9항에 있어서, 상기 무기 비장벽층 또는 상기 무기 장벽층 또는 이들 양자 모두는 금속, 금속 산화물, 금속 불화물, 금속 질화물, 금속 탄화물, 금속 탄질화물, 금속 산질화물, 금속 붕소화물, 금속 산붕소화물, 금속 실리사이드 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 장벽 스택.
- 제9항에 있어서, 상기 기판은 그 위에 환경에 민감한 장치를 포함하는 장벽 스택.
- 제9항에 있어서, 상기 기판과 상기 장벽 스택 사이에 복합 무기 장벽층을 더 포함하며, 상기 복합 무기 장벽층은 상기 기판 상의 무기 비장벽 부분 및 상기 무기 비장벽 부분 상의 무기 장벽 부분을 포함하는 장벽 스택.
- 제9항에 있어서, 상기 장벽 스택은 에지 시일을 구비하는 장벽 스택.
- 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법으로서,
기판 상에 상기 폴리머 분리층을 침적하는 단계;
제1 세트의 조건들 하에서 상기 폴리머 분리층 상에 제1 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제1 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 20eV보다 낮으며, 따라서 상기 제1 무기층은 비장벽층이고, 상기 기판의 온도는 150℃보다 낮음 -; 및
제2 세트의 조건들 하에서 상기 제1 무기층 상에 제2 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제2 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 50eV보다 높으며, 따라서 상기 제2 무기층은 장벽층임 -
를 포함하는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법. - 제15항에 있어서, 상기 제1 무기층은 스퍼터링, 반응성 스퍼터링, 화학 기상 증착, 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 증발, 승화, 전자 사이클로트론 공명-플라즈마 강화 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 원자층 침적 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 프로세스를 이용하여 침적되는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제2 무기층은 스퍼터링, 반응성 스퍼터링, 핫 와이어(hot wire) 화학 기상 증착, 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 증발, 승화, 전자 사이클로트론 공명-플라즈마 강화 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 이온 보조 물리 기상 증착, 원자층 침적 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 프로세스를 이용하여 침적되는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제1 무기층은, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지가 15eV보다 낮도록 침적되는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제1 무기층은, 플라즈마 가스 방전 압력과 타겟-기판 거리(target-to-substrate distance)의 곱이 80Pa*mm보다 크도록 침적되는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제1 무기층은 스퍼터링에 의해 침적되는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제2 무기층은, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지가 70eV보다 크도록 침적되는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제2 무기층은, 플라즈마 가스 방전 압력과 타겟-기판 거리의 곱이 80Pa*mm보다 작도록 침적되는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제2 무기층은 스퍼터링에 의해 침적되는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제1 및 제2 무기층들은 상이한 재료들로 형성되는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 기판은 그 위에 환경에 민감한 장치를 포함하는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법으로서,
기판 상에 상기 폴리머 분리층을 침적하는 단계;
제1 세트의 조건들에서 상기 폴리머 분리층 상에 무기층을 침적하는 단계 - 상기 제1 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 20eV보다 낮으며, 따라서 상기 폴리머 분리층에 인접하는 상기 무기층의 제1 부분은 비장벽층이고, 상기 기판의 온도는 150℃보다 낮음 -; 및
제2 세트의 조건들로 변경하는 단계 - 상기 제2 세트의 조건들에서, 상기 기판에 도달하는 이온 및 뉴트럴 에너지는 50eV보다 높으며, 따라서 상기 무기층의 제2 부분은 장벽층임 -
를 포함하는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법. - 제26항에 있어서, 상기 무기층은 스퍼터링에 의해 침적되고, 상기 제1 세트의 조건들에서 플라즈마 가스 방전 압력과 타겟-기판 거리의 곱은 100Pa*mm보다 크며, 상기 제2 세트의 조건들에서 플라즈마 가스 방전 압력과 타겟-기판 거리의 곱은 75Pa*mm보다 작은, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 제26항에 있어서, 상기 기판은 그 위에 환경에 민감한 장치를 포함하는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
- 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법으로서,
기판 상에 상기 폴리머 분리층을 침적하는 단계;
타겟과 상기 기판 사이에 스크린을 배치하는 단계;
상기 폴리머 분리층 상에 제1 무기층을 플라즈마 침적하는 단계 - 상기 제1 무기층은 장벽층이 되지 않는 조건들 하에서 침적됨 -; 및
상기 제1 무기층 상에 제2 무기층을 플라즈마 침적하는 단계 - 상기 제2 무기층은 장벽층이 되도록 침적됨 -
를 포함하는, 장벽 스택 내의 폴리머 분리층에 대한 손상을 줄이는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/776,616 | 2007-07-12 | ||
| US11/776,616 US7648925B2 (en) | 2003-04-11 | 2007-07-12 | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
| PCT/US2008/068337 WO2009009306A2 (en) | 2007-07-12 | 2008-06-26 | Multilayer barrier stacks and methods for making them |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100051810A KR20100051810A (ko) | 2010-05-18 |
| KR101513871B1 true KR101513871B1 (ko) | 2015-04-21 |
Family
ID=40076705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107003148A KR101513871B1 (ko) | 2007-07-12 | 2008-06-26 | 다층 장벽 스택 및 그 제조 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7648925B2 (ko) |
| EP (1) | EP2173920B1 (ko) |
| JP (1) | JP5536646B2 (ko) |
| KR (1) | KR101513871B1 (ko) |
| TW (1) | TWI373867B (ko) |
| WO (1) | WO2009009306A2 (ko) |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8405193B2 (en) * | 2004-04-02 | 2013-03-26 | General Electric Company | Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages |
| GB0716266D0 (en) * | 2007-08-21 | 2007-09-26 | Eastman Kodak Co | Method of patterning vapour deposition by printing |
| TWI388078B (zh) * | 2008-01-30 | 2013-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電子組件之製造方法及電子組件 |
| US8125042B2 (en) * | 2008-11-13 | 2012-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
| TWI463452B (zh) * | 2009-04-21 | 2014-12-01 | Ind Tech Res Inst | 觸控式顯示裝置及其製造方法 |
| TWI442292B (zh) * | 2009-04-21 | 2014-06-21 | Ind Tech Res Inst | 觸控式顯示裝置及其製造方法 |
| US8823154B2 (en) * | 2009-05-08 | 2014-09-02 | The Regents Of The University Of California | Encapsulation architectures for utilizing flexible barrier films |
| US20110008525A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | General Electric Company | Condensation and curing of materials within a coating system |
| EP2292339A1 (en) | 2009-09-07 | 2011-03-09 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Coating method and coating apparatus |
| KR101084230B1 (ko) * | 2009-11-16 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US10441185B2 (en) | 2009-12-16 | 2019-10-15 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Flexible and stretchable electronic systems for epidermal electronics |
| US8753711B2 (en) * | 2009-12-18 | 2014-06-17 | General Electric Company | Edge sealing method using barrier coatings |
| JP5611811B2 (ja) * | 2009-12-31 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | バリア・フィルム複合体及びこれを含む表示装置 |
| JP5290268B2 (ja) * | 2009-12-31 | 2013-09-18 | 三星ディスプレイ株式會社 | バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置、バリア・フィルム複合体の製造方法、及びこれを含む表示装置の製造方法 |
| JP5611812B2 (ja) * | 2009-12-31 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置及び表示装置の製造方法 |
| KR101239575B1 (ko) | 2010-08-16 | 2013-03-05 | 고려대학교 산학협력단 | 기체 차단막 형성 장치 및 그 방법 |
| US9935289B2 (en) | 2010-09-10 | 2018-04-03 | Industrial Technology Research Institute Institute | Environmental sensitive element package and encapsulation method thereof |
| NL2005506C2 (en) * | 2010-10-12 | 2012-04-16 | Stichting Energie | Sealing layer for electronic or photovoltaic devices. |
| TWI496906B (zh) * | 2010-12-20 | 2015-08-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 殼體的製備方法及由該方法製得的殼體 |
| TWI477871B (zh) * | 2011-01-27 | 2015-03-21 | E Ink Holdings Inc | 電子紙顯示裝置及其製造方法 |
| KR20120107331A (ko) * | 2011-03-21 | 2012-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치 |
| WO2012165944A1 (en) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | Universiteit Utrecht Holding B.V. | Hot wire chemical vapour deposition process for producing an inorganic-polymer multi-layer stack |
| TWI501873B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-10-01 | Nitto Denko Corp | Transparent gas barrier film, transparent gas barrier film manufacturing method, organic EL element, solar cell and thin film battery |
| KR101900362B1 (ko) | 2012-01-16 | 2018-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| KR101900363B1 (ko) | 2012-01-16 | 2018-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| KR20130089039A (ko) | 2012-02-01 | 2013-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 소스, 증착 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| EP2628817B1 (en) * | 2012-02-15 | 2016-11-02 | IHI Hauzer Techno Coating B.V. | A coated article of martensitic steel and a method of forming a coated article of steel |
| KR101931177B1 (ko) | 2012-03-02 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US20130330531A1 (en) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | Cheil Industries, Inc. | Barrier stacks and methods of making the same |
| KR101903056B1 (ko) | 2012-07-24 | 2018-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101937258B1 (ko) | 2012-09-04 | 2019-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102072799B1 (ko) | 2012-09-12 | 2020-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
| DE102012109258B4 (de) * | 2012-09-28 | 2020-02-06 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
| KR102048926B1 (ko) * | 2012-11-19 | 2019-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101990555B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2019-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법 |
| KR101996436B1 (ko) | 2013-02-14 | 2019-07-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 봉지 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US9831468B2 (en) | 2013-02-14 | 2017-11-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having thin film encapsulation structure and method of fabricating the same |
| KR20150011231A (ko) * | 2013-07-22 | 2015-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101642589B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2016-07-29 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 및 이의 제조방법 |
| KR20150053530A (ko) | 2013-11-08 | 2015-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102136790B1 (ko) * | 2013-11-15 | 2020-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
| KR102147843B1 (ko) * | 2014-01-02 | 2020-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| US20150252125A1 (en) * | 2014-03-10 | 2015-09-10 | Cheil Industries Inc. | Curable resin compositions and barrier stacks including the same |
| US9373817B2 (en) | 2014-07-11 | 2016-06-21 | Industrial Technology Research Institute | Substrate structure and device employing the same |
| US9594287B2 (en) * | 2014-08-24 | 2017-03-14 | Royole Corporation | Substrate-less flexible display and method of manufacturing the same |
| US9847509B2 (en) | 2015-01-22 | 2017-12-19 | Industrial Technology Research Institute | Package of flexible environmental sensitive electronic device and sealing member |
| KR102387751B1 (ko) | 2015-03-11 | 2022-04-15 | 삼성전자주식회사 | 배리어 필름 및 이를 포함하는 양자점-폴리머 복합체 물품 |
| CN105552247B (zh) * | 2015-12-08 | 2018-10-26 | 上海天马微电子有限公司 | 复合基板、柔性显示装置及其制备方法 |
| CN108346754B (zh) * | 2018-02-09 | 2021-11-30 | 固安翌光科技有限公司 | Oled基板与器件结构、oled基板与装置制作方法 |
| US10923680B2 (en) | 2018-10-11 | 2021-02-16 | The Boeing Company | Multifunctional composite panels and methods for the same |
| US11085111B2 (en) | 2018-10-11 | 2021-08-10 | The Boeing Company | Laminate composite structural components and methods for the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548912B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-04-15 | Battelle Memorial Institute | Semicoductor passivation using barrier coatings |
| US6737753B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-05-18 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Barrier stack |
| US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US20050239294A1 (en) * | 2002-04-15 | 2005-10-27 | Rosenblum Martin P | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
Family Cites Families (296)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2382432A (en) | 1940-08-02 | 1945-08-14 | Crown Cork & Seal Co | Method and apparatus for depositing vaporized metal coatings |
| US2384500A (en) | 1942-07-08 | 1945-09-11 | Crown Cork & Seal Co | Apparatus and method of coating |
| US3475307A (en) | 1965-02-04 | 1969-10-28 | Continental Can Co | Condensation of monomer vapors to increase polymerization rates in a glow discharge |
| FR1393629A (fr) | 1965-09-13 | 1965-03-26 | Continental Oil Co | Procédé et appareil pour enduire des feuilles en matières solides |
| US3607365A (en) | 1969-05-12 | 1971-09-21 | Minnesota Mining & Mfg | Vapor phase method of coating substrates with polymeric coating |
| US3941630A (en) | 1974-04-29 | 1976-03-02 | Rca Corporation | Method of fabricating a charged couple radiation sensing device |
| US4055530A (en) | 1975-02-27 | 1977-10-25 | Standard Oil Company (Indiana) | Aqueous dispersion of addition polymer of an alpha-beta-ethylenically unsaturated monomer and suspended polypropylene particles |
| US4098965A (en) | 1977-01-24 | 1978-07-04 | Polaroid Corporation | Flat batteries and method of making the same |
| US4266223A (en) | 1978-12-08 | 1981-05-05 | W. H. Brady Co. | Thin panel display |
| JPS55129345A (en) | 1979-03-29 | 1980-10-07 | Ulvac Corp | Electron beam plate making method by vapor phase film formation and vapor phase development |
| US4313254A (en) | 1979-10-30 | 1982-02-02 | The Johns Hopkins University | Thin-film silicon solar cell with metal boride bottom electrode |
| US4581337A (en) | 1983-07-07 | 1986-04-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polyether polyamines as linking agents for particle reagents useful in immunoassays |
| US4426275A (en) | 1981-11-27 | 1984-01-17 | Deposition Technology, Inc. | Sputtering device adaptable for coating heat-sensitive substrates |
| JPS58156848A (ja) | 1982-03-15 | 1983-09-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | イオン選択電極及びその製造法 |
| JPS59138440A (ja) | 1983-01-27 | 1984-08-08 | 豊田合成株式会社 | セラミツクス被膜層を有する樹脂成形体 |
| US4521458A (en) | 1983-04-01 | 1985-06-04 | Nelson Richard C | Process for coating material with water resistant composition |
| DE3324106A1 (de) * | 1983-07-05 | 1985-01-17 | Draiswerke Gmbh, 6800 Mannheim | Verfahren zum beleimen von holz-spaenen und dergl. mit fluessigleim und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE3331707A1 (de) | 1983-09-02 | 1985-03-21 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufstaeuben von verbindungen von metallen und halbleitern |
| US4710426A (en) | 1983-11-28 | 1987-12-01 | Polaroid Corporation, Patent Dept. | Solar radiation-control articles with protective overlayer |
| US4557978A (en) | 1983-12-12 | 1985-12-10 | Primary Energy Research Corporation | Electroactive polymeric thin films |
| US5032461A (en) | 1983-12-19 | 1991-07-16 | Spectrum Control, Inc. | Method of making a multi-layered article |
| EP0147696B1 (en) | 1983-12-19 | 1991-07-10 | SPECTRUM CONTROL, INC. (a Pennsylvania corporation) | Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making |
| US4842893A (en) | 1983-12-19 | 1989-06-27 | Spectrum Control, Inc. | High speed process for coating substrates |
| EP0155823B1 (en) | 1984-03-21 | 1989-07-26 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Improvements in or relating to the covering of substrates with synthetic resin films |
| DE3427057A1 (de) | 1984-07-23 | 1986-01-23 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Anlage zum herstellen von halbleiter-schichtstrukturen durch epitaktisches wachstum |
| US4722515A (en) | 1984-11-06 | 1988-02-02 | Spectrum Control, Inc. | Atomizing device for vaporization |
| US4695618A (en) | 1986-05-23 | 1987-09-22 | Ameron, Inc. | Solventless polyurethane spray compositions and method for applying them |
| US4954371A (en) | 1986-06-23 | 1990-09-04 | Spectrum Control, Inc. | Flash evaporation of monomer fluids |
| JPH0519120Y2 (ko) | 1986-12-16 | 1993-05-20 | ||
| DE3707214A1 (de) | 1987-03-06 | 1988-09-15 | Hoechst Ag | Beschichtete kunststoffolie und daraus hergestelltes kunststofflaminat |
| US4768666A (en) | 1987-05-26 | 1988-09-06 | Milton Kessler | Tamper proof container closure |
| US4843036A (en) | 1987-06-29 | 1989-06-27 | Eastman Kodak Company | Method for encapsulating electronic devices |
| US4847469A (en) | 1987-07-15 | 1989-07-11 | The Boc Group, Inc. | Controlled flow vaporizer |
| JPS6441192U (ko) | 1987-09-04 | 1989-03-13 | ||
| JPH0193129A (ja) | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置 |
| GB2210826B (en) | 1987-10-19 | 1992-08-12 | Bowater Packaging Ltd | Barrier packaging materials |
| US4931158A (en) | 1988-03-22 | 1990-06-05 | The Regents Of The Univ. Of Calif. | Deposition of films onto large area substrates using modified reactive magnetron sputtering |
| US4977013A (en) | 1988-06-03 | 1990-12-11 | Andus Corporation | Tranparent conductive coatings |
| JP2742057B2 (ja) | 1988-07-14 | 1998-04-22 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
| US4889609A (en) | 1988-09-06 | 1989-12-26 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Continuous dry etching system |
| US5189405A (en) | 1989-01-26 | 1993-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent panel |
| JP2678055B2 (ja) | 1989-03-30 | 1997-11-17 | シャープ株式会社 | 有機化合物薄膜の製法 |
| US5792550A (en) | 1989-10-24 | 1998-08-11 | Flex Products, Inc. | Barrier film having high colorless transparency and method |
| US5047131A (en) | 1989-11-08 | 1991-09-10 | The Boc Group, Inc. | Method for coating substrates with silicon based compounds |
| US5036249A (en) | 1989-12-11 | 1991-07-30 | Molex Incorporated | Electroluminescent lamp panel and method of fabricating same |
| CA2038117A1 (en) | 1990-03-29 | 1991-09-30 | Mahfuza B. Ali | Controllable radiation curable photoiniferter prepared adhesives for attachment of microelectronic devices and a method of attaching microelectronic devices therewith |
| US5711816A (en) | 1990-07-06 | 1998-01-27 | Advanced Technolgy Materials, Inc. | Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same |
| US5362328A (en) | 1990-07-06 | 1994-11-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem |
| US5204314A (en) | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
| US5059861A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer |
| US5047687A (en) | 1990-07-26 | 1991-09-10 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilized cathode |
| FR2666190B1 (fr) | 1990-08-24 | 1996-07-12 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'encapsulation hermetique de composants electroniques. |
| JP2755844B2 (ja) | 1991-09-30 | 1998-05-25 | シャープ株式会社 | プラスチック基板液晶表示素子 |
| US5336324A (en) | 1991-12-04 | 1994-08-09 | Emcore Corporation | Apparatus for depositing a coating on a substrate |
| US5203898A (en) | 1991-12-16 | 1993-04-20 | Corning Incorporated | Method of making fluorine/boron doped silica tubes |
| US5372851A (en) | 1991-12-16 | 1994-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a chemically adsorbed film |
| US5759329A (en) | 1992-01-06 | 1998-06-02 | Pilot Industries, Inc. | Fluoropolymer composite tube and method of preparation |
| US5393607A (en) | 1992-01-13 | 1995-02-28 | Mitsui Toatsu Chemiclas, Inc. | Laminated transparent plastic material and polymerizable monomer |
| US5402314A (en) | 1992-02-10 | 1995-03-28 | Sony Corporation | Printed circuit board having through-hole stopped with photo-curable solder resist |
| JP3203623B2 (ja) | 1992-03-06 | 2001-08-27 | ソニー株式会社 | 有機電解液電池 |
| JP2958186B2 (ja) | 1992-04-20 | 1999-10-06 | シャープ株式会社 | プラスチック基板液晶表示素子 |
| US5427638A (en) | 1992-06-04 | 1995-06-27 | Alliedsignal Inc. | Low temperature reaction bonding |
| US5652192A (en) | 1992-07-10 | 1997-07-29 | Battelle Memorial Institute | Catalyst material and method of making |
| GB9215928D0 (en) | 1992-07-27 | 1992-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Manufacture of electroluminescent devices |
| US5260095A (en) | 1992-08-21 | 1993-11-09 | Battelle Memorial Institute | Vacuum deposition and curing of liquid monomers |
| DE4232390A1 (de) | 1992-09-26 | 1994-03-31 | Roehm Gmbh | Verfahren zum Erzeugen von siliciumoxidischen kratzfesten Schichten auf Kunststoffen durch Plasmabeschichtung |
| JPH06182935A (ja) | 1992-12-18 | 1994-07-05 | Bridgestone Corp | ガスバリア性ゴム積層物及びその製造方法 |
| EP0608620B1 (en) | 1993-01-28 | 1996-08-14 | Applied Materials, Inc. | Vacuum Processing apparatus having improved throughput |
| WO1994027122A1 (en) | 1993-05-17 | 1994-11-24 | Kyoei Automatic Control Technology Co., Ltd. | Method and apparatus for measuring dynamic load |
| JP3170105B2 (ja) | 1993-07-01 | 2001-05-28 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
| US5357063A (en) | 1993-07-12 | 1994-10-18 | Battelle Memorial Institute | Method and apparatus for acoustic energy identification of objects buried in soil |
| US5510173A (en) | 1993-08-20 | 1996-04-23 | Southwall Technologies Inc. | Multiple layer thin films with improved corrosion resistance |
| JP3183759B2 (ja) | 1993-08-26 | 2001-07-09 | 株式会社三協精機製作所 | 負荷測定装置 |
| US5440446A (en) | 1993-10-04 | 1995-08-08 | Catalina Coatings, Inc. | Acrylate coating material |
| US20040241454A1 (en) | 1993-10-04 | 2004-12-02 | Shaw David G. | Barrier sheet and method of making same |
| ATE233939T1 (de) | 1993-10-04 | 2003-03-15 | 3M Innovative Properties Co | Vernetztes acrylatbeschichtungsmaterial zur herstellung von kondensatordielektrika und sauerstoffbarrieren |
| JP2846571B2 (ja) | 1994-02-25 | 1999-01-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5451449A (en) | 1994-05-11 | 1995-09-19 | The Mearl Corporation | Colored iridescent film |
| US5934856A (en) | 1994-05-23 | 1999-08-10 | Tokyo Electron Limited | Multi-chamber treatment system |
| US5795399A (en) | 1994-06-30 | 1998-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing apparatus, method for removing reaction product, and method of suppressing deposition of reaction product |
| US5654084A (en) | 1994-07-22 | 1997-08-05 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Protective coatings for sensitive materials |
| US5464667A (en) | 1994-08-16 | 1995-11-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Jet plasma process and apparatus |
| TW295677B (ko) | 1994-08-19 | 1997-01-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JP3274292B2 (ja) | 1994-09-30 | 2002-04-15 | 富士写真フイルム株式会社 | カセット用収納ケース |
| US6087007A (en) | 1994-09-30 | 2000-07-11 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Heat-Resistant optical plastic laminated sheet and its producing method |
| DE4438359C2 (de) | 1994-10-27 | 2001-10-04 | Schott Glas | Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung |
| US6083628A (en) * | 1994-11-04 | 2000-07-04 | Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. | Hybrid polymer film |
| US5607789A (en) | 1995-01-23 | 1997-03-04 | Duracell Inc. | Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same |
| JP3364081B2 (ja) | 1995-02-16 | 2003-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US5620524A (en) | 1995-02-27 | 1997-04-15 | Fan; Chiko | Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems |
| US5877895A (en) | 1995-03-20 | 1999-03-02 | Catalina Coatings, Inc. | Multicolor interference coating |
| US5811183A (en) | 1995-04-06 | 1998-09-22 | Shaw; David G. | Acrylate polymer release coated sheet materials and method of production thereof |
| GB9507862D0 (en) | 1995-04-18 | 1995-05-31 | Cambridge Display Tech Ltd | Fabrication of organic light-emitting devices |
| GB9507817D0 (en) | 1995-04-18 | 1995-05-31 | Philips Electronics Uk Ltd | Touch sensing devices and methods of making such |
| US5771562A (en) | 1995-05-02 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Passivation of organic devices |
| US5554220A (en) | 1995-05-19 | 1996-09-10 | The Trustees Of Princeton University | Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities |
| US5629389A (en) | 1995-06-06 | 1997-05-13 | Hewlett-Packard Company | Polymer-based electroluminescent device with improved stability |
| CA2224780A1 (en) | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Wojciech Stanislaw Gutowski | Improved surface treatment of polymers |
| US5681615A (en) | 1995-07-27 | 1997-10-28 | Battelle Memorial Institute | Vacuum flash evaporated polymer composites |
| DE19603746A1 (de) | 1995-10-20 | 1997-04-24 | Bosch Gmbh Robert | Elektrolumineszierendes Schichtsystem |
| US5686360A (en) | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
| US5811177A (en) | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
| US5684084A (en) | 1995-12-21 | 1997-11-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Coating containing acrylosilane polymer to improve mar and acid etch resistance |
| US6195142B1 (en) | 1995-12-28 | 2001-02-27 | Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. | Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element |
| US5660961A (en) | 1996-01-11 | 1997-08-26 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member having enhanced layer adhesion and freedom from reflection interference |
| US5716683A (en) | 1996-01-30 | 1998-02-10 | Becton, Dickinson And Company | Blood collection tube assembly |
| TW434301B (en) | 1996-01-30 | 2001-05-16 | Becton Dickinson Co | Non-ideal barrier coating composition comprising organic and inorganic materials |
| US5683771A (en) | 1996-01-30 | 1997-11-04 | Becton, Dickinson And Company | Blood collection tube assembly |
| US5738920A (en) | 1996-01-30 | 1998-04-14 | Becton, Dickinson And Company | Blood collection tube assembly |
| US5763033A (en) | 1996-01-30 | 1998-06-09 | Becton, Dickinson And Company | Blood collection tube assembly |
| US5955161A (en) | 1996-01-30 | 1999-09-21 | Becton Dickinson And Company | Blood collection tube assembly |
| US5731948A (en) | 1996-04-04 | 1998-03-24 | Sigma Labs Inc. | High energy density capacitor |
| US6106627A (en) | 1996-04-04 | 2000-08-22 | Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. | Apparatus for producing metal coated polymers |
| US5731661A (en) | 1996-07-15 | 1998-03-24 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
| US5902688A (en) | 1996-07-16 | 1999-05-11 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent display device |
| US5693956A (en) | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
| US5844363A (en) | 1997-01-23 | 1998-12-01 | The Trustees Of Princeton Univ. | Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices |
| US5948552A (en) | 1996-08-27 | 1999-09-07 | Hewlett-Packard Company | Heat-resistant organic electroluminescent device |
| US5895228A (en) | 1996-11-14 | 1999-04-20 | International Business Machines Corporation | Encapsulation of organic light emitting devices using Siloxane or Siloxane derivatives |
| US5821692A (en) | 1996-11-26 | 1998-10-13 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package |
| US5912069A (en) | 1996-12-19 | 1999-06-15 | Sigma Laboratories Of Arizona | Metal nanolaminate composite |
| US5952778A (en) | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
| US5872355A (en) | 1997-04-09 | 1999-02-16 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent device and fabrication method for a light detection system |
| US6117266A (en) | 1997-12-19 | 2000-09-12 | Interuniversifair Micro-Elektronica Cenirum (Imec Vzw) | Furnace for continuous, high throughput diffusion processes from various diffusion sources |
| JP3290375B2 (ja) | 1997-05-12 | 2002-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
| JPH118066A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子の製造装置および有機ｅｌ素子 |
| US5920080A (en) | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
| US6198220B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-03-06 | Emagin Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
| FR2766200B1 (fr) | 1997-07-17 | 1999-09-24 | Toray Plastics Europ Sa | Films polyester composites metallises a proprietes barriere |
| JPH1145779A (ja) | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法および装置 |
| EP0899605B1 (en) | 1997-08-29 | 2009-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US6203898B1 (en) | 1997-08-29 | 2001-03-20 | 3M Innovatave Properties Company | Article comprising a substrate having a silicone coating |
| US5902641A (en) | 1997-09-29 | 1999-05-11 | Battelle Memorial Institute | Flash evaporation of liquid monomer particle mixture |
| US5994174A (en) | 1997-09-29 | 1999-11-30 | The Regents Of The University Of California | Method of fabrication of display pixels driven by silicon thin film transistors |
| US5965907A (en) | 1997-09-29 | 1999-10-12 | Motorola, Inc. | Full color organic light emitting backlight device for liquid crystal display applications |
| US6224948B1 (en) | 1997-09-29 | 2001-05-01 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds |
| US6469437B1 (en) | 1997-11-03 | 2002-10-22 | The Trustees Of Princeton University | Highly transparent organic light emitting device employing a non-metallic cathode |
| DE69813144T2 (de) | 1997-11-07 | 2003-12-04 | Rohm & Haas | Kunstoffsubstrate zur Verwendung in elektronischen Anzeigesystemen |
| DE69822270T2 (de) | 1997-11-14 | 2005-01-13 | Sharp K.K. | Verfahren und Einrichtung zur Hertellung von modifizierten Partikeln |
| KR100249784B1 (ko) | 1997-11-20 | 2000-04-01 | 정선종 | 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법 |
| US6045864A (en) | 1997-12-01 | 2000-04-04 | 3M Innovative Properties Company | Vapor coating method |
| US6569515B2 (en) | 1998-01-13 | 2003-05-27 | 3M Innovative Properties Company | Multilayered polymer films with recyclable or recycled layers |
| DE19802740A1 (de) | 1998-01-26 | 1999-07-29 | Leybold Systems Gmbh | Verfahren zur Behandlung von Oberflächen von Substraten aus Kunststoff |
| US6178082B1 (en) | 1998-02-26 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | High temperature, conductive thin film diffusion barrier for ceramic/metal systems |
| US5996498A (en) | 1998-03-12 | 1999-12-07 | Presstek, Inc. | Method of lithographic imaging with reduced debris-generated performance degradation and related constructions |
| US6004660A (en) | 1998-03-12 | 1999-12-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Oxygen barrier composite film structure |
| US6066826A (en) | 1998-03-16 | 2000-05-23 | Yializis; Angelo | Apparatus for plasma treatment of moving webs |
| US5904958A (en) | 1998-03-20 | 1999-05-18 | Rexam Industries Corp. | Adjustable nozzle for evaporation or organic monomers |
| GB2335884A (en) | 1998-04-02 | 1999-10-06 | Cambridge Display Tech Ltd | Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices |
| US6361885B1 (en) | 1998-04-10 | 2002-03-26 | Organic Display Technology | Organic electroluminescent materials and device made from such materials |
| US6146462A (en) | 1998-05-08 | 2000-11-14 | Astenjohnson, Inc. | Structures and components thereof having a desired surface characteristic together with methods and apparatuses for producing the same |
| US6137221A (en) | 1998-07-08 | 2000-10-24 | Agilent Technologies, Inc. | Organic electroluminescent device with full color characteristics |
| US6146225A (en) | 1998-07-30 | 2000-11-14 | Agilent Technologies, Inc. | Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices |
| EP1121838A4 (en) | 1998-08-03 | 2004-10-27 | Dupont Displays Inc | ENCAPSULATION OF SOLID STATE DEVICES BASED ON POLYMERS WITH INORGANIC MATERIALS |
| US6352777B1 (en) | 1998-08-19 | 2002-03-05 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes |
| US6040017A (en) | 1998-10-02 | 2000-03-21 | Sigma Laboratories, Inc. | Formation of multilayered photonic polymer composites |
| US6084702A (en) | 1998-10-15 | 2000-07-04 | Pleotint, L.L.C. | Thermochromic devices |
| WO2000026973A1 (en) | 1998-11-02 | 2000-05-11 | Presstek, Inc. | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
| US6322860B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-11-27 | Rohm And Haas Company | Plastic substrates for electronic display applications |
| US6837950B1 (en) | 1998-11-05 | 2005-01-04 | Interface, Inc. | Separation of floor covering components for recycling |
| US6217947B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-17 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced polymer deposition onto fixtures |
| EP1524708A3 (en) | 1998-12-16 | 2006-07-26 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material and methods of making. |
| US6274204B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-08-14 | Battelle Memorial Institute | Method of making non-linear optical polymer |
| US6207238B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers |
| US6228434B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making a conformal coating of a microtextured surface |
| US6207239B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer |
| US6268695B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6228436B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making light emitting polymer composite material |
| WO2001087825A1 (en) | 2000-04-04 | 2001-11-22 | The Regents Of The University Of California | Methods, compositions and bi-functional catalysts for synthesis of silica, glass, silicones |
| JP2000208252A (ja) | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP3817081B2 (ja) | 1999-01-29 | 2006-08-30 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US6118218A (en) | 1999-02-01 | 2000-09-12 | Sigma Technologies International, Inc. | Steady-state glow-discharge plasma at atmospheric pressure |
| US6172810B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-01-09 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective articles having polymer multilayer reflective coatings |
| AU3879500A (en) | 1999-03-10 | 2000-09-28 | American Bank Note Holographics, Inc. | Techniques of printing micro-structure patterns such as holograms directly onto final documents or other substrates in discrete areas thereof |
| US6358570B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-03-19 | Battelle Memorial Institute | Vacuum deposition and curing of oligomers and resins |
| TW543341B (en) | 1999-04-28 | 2003-07-21 | Du Pont | Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation |
| JP4261680B2 (ja) | 1999-05-07 | 2009-04-30 | 株式会社クレハ | 防湿性多層フィルム |
| US6387732B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-05-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of attaching a semiconductor chip to a leadframe with a footprint of about the same size as the chip and packages formed thereby |
| US6083313A (en) | 1999-07-27 | 2000-07-04 | Advanced Refractory Technologies, Inc. | Hardcoats for flat panel display substrates |
| US6660409B1 (en) | 1999-09-16 | 2003-12-09 | Panasonic Communications Co., Ltd | Electronic device and process for producing the same |
| US6573652B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-06-03 | Battelle Memorial Institute | Encapsulated display devices |
| US6413645B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
| US7198832B2 (en) | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US6460369B2 (en) | 1999-11-03 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Consecutive deposition system |
| US7394153B2 (en) | 1999-12-17 | 2008-07-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation of electronic devices |
| JP2001249221A (ja) | 1999-12-27 | 2001-09-14 | Nitto Denko Corp | 透明積層体とその製造方法およびプラズマデイスプレイパネル用フイルタ |
| WO2001057904A1 (en) | 2000-02-04 | 2001-08-09 | Emagin Corporation | Low absorption sputter protection layer for oled structure |
| JP2001338755A (ja) | 2000-03-21 | 2001-12-07 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| US6492026B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-12-10 | Battelle Memorial Institute | Smoothing and barrier layers on high Tg substrates |
| JP3936151B2 (ja) | 2000-05-08 | 2007-06-27 | 双葉電子工業株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| US6465953B1 (en) | 2000-06-12 | 2002-10-15 | General Electric Company | Plastic substrates with improved barrier properties for devices sensitive to water and/or oxygen, such as organic electroluminescent devices |
| US6867539B1 (en) | 2000-07-12 | 2005-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Encapsulated organic electronic devices and method for making same |
| US6416872B1 (en) | 2000-08-30 | 2002-07-09 | Cp Films, Inc. | Heat reflecting film with low visible reflectance |
| US7094690B1 (en) | 2000-08-31 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods and apparatuses providing surface activation |
| AU2000274682A1 (en) | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Institute Of Materials Research And Engineering | Encapsulation for oled devices |
| CN1341644A (zh) | 2000-09-07 | 2002-03-27 | 上海博德基因开发有限公司 | 一种新的多肽——人核内非均－核蛋白32.01和编码这种多肽的多核苷酸 |
| TW514557B (en) | 2000-09-15 | 2002-12-21 | Shipley Co Llc | Continuous feed coater |
| JP2002100469A (ja) | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
| US6537688B2 (en) | 2000-12-01 | 2003-03-25 | Universal Display Corporation | Adhesive sealed organic optoelectronic structures |
| CN101397649B (zh) | 2001-02-01 | 2011-12-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置 |
| US6614057B2 (en) | 2001-02-07 | 2003-09-02 | Universal Display Corporation | Sealed organic optoelectronic structures |
| US6468595B1 (en) | 2001-02-13 | 2002-10-22 | Sigma Technologies International, Inc. | Vaccum deposition of cationic polymer systems |
| US6576351B2 (en) | 2001-02-16 | 2003-06-10 | Universal Display Corporation | Barrier region for optoelectronic devices |
| US6881447B2 (en) | 2002-04-04 | 2005-04-19 | Dielectric Systems, Inc. | Chemically and electrically stabilized polymer films |
| US6624568B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-09-23 | Universal Display Corporation | Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices |
| US6664137B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-12-16 | Universal Display Corporation | Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers |
| TWI222838B (en) | 2001-04-10 | 2004-10-21 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Packaging method of organic electroluminescence light-emitting display device |
| JP2002343580A (ja) | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Pioneer Electronic Corp | 発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
| JP3678361B2 (ja) | 2001-06-08 | 2005-08-03 | 大日本印刷株式会社 | ガスバリアフィルム |
| US6397776B1 (en) | 2001-06-11 | 2002-06-04 | General Electric Company | Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators |
| KR100413450B1 (ko) | 2001-07-20 | 2003-12-31 | 엘지전자 주식회사 | 표시소자의 보호막 구조 |
| EP1419286A1 (en) | 2001-08-20 | 2004-05-19 | Nova-Plasma Inc. | Coatings with low permeation of gases and vapors |
| US6888307B2 (en) | 2001-08-21 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Patterned oxygen and moisture absorber for organic optoelectronic device structures |
| JP2003077651A (ja) | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| US6803245B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-10-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Procedure for encapsulation of electronic devices |
| TW519853B (en) | 2001-10-17 | 2003-02-01 | Chi Mei Electronic Corp | Organic electro-luminescent display and its packaging method |
| US6888305B2 (en) | 2001-11-06 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror |
| US6681716B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-01-27 | General Electric Company | Apparatus and method for depositing large area coatings on non-planar surfaces |
| US6597111B2 (en) | 2001-11-27 | 2003-07-22 | Universal Display Corporation | Protected organic optoelectronic devices |
| US6948448B2 (en) | 2001-11-27 | 2005-09-27 | General Electric Company | Apparatus and method for depositing large area coatings on planar surfaces |
| US6765351B2 (en) | 2001-12-20 | 2004-07-20 | The Trustees Of Princeton University | Organic optoelectronic device structures |
| KR100472502B1 (ko) | 2001-12-26 | 2005-03-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| US7012363B2 (en) | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
| US6620657B2 (en) | 2002-01-15 | 2003-09-16 | International Business Machines Corporation | Method of forming a planar polymer transistor using substrate bonding techniques |
| US6936131B2 (en) | 2002-01-31 | 2005-08-30 | 3M Innovative Properties Company | Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives |
| US7112351B2 (en) | 2002-02-26 | 2006-09-26 | Sion Power Corporation | Methods and apparatus for vacuum thin film deposition |
| JP2003258189A (ja) | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2003272827A (ja) | 2002-03-13 | 2003-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
| JP4180831B2 (ja) | 2002-03-25 | 2008-11-12 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
| US6891330B2 (en) | 2002-03-29 | 2005-05-10 | General Electric Company | Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission |
| JP2003292394A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Canon Inc | 液相成長方法および液相成長装置 |
| US20050174045A1 (en) | 2002-04-04 | 2005-08-11 | Dielectric Systems, Inc. | Organic light-emitting device display having a plurality of passive polymer layers |
| US6835950B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer |
| US6897474B2 (en) | 2002-04-12 | 2005-05-24 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
| US8808457B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
| NL1020635C2 (nl) | 2002-05-21 | 2003-11-24 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een polymere OLED. |
| NL1020634C2 (nl) | 2002-05-21 | 2003-11-24 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het passiveren van een halfgeleider substraat. |
| KR100477745B1 (ko) | 2002-05-23 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 소자의 봉지방법 및 이를 이용하는 유기전계발광 패널 |
| US6743524B2 (en) | 2002-05-23 | 2004-06-01 | General Electric Company | Barrier layer for an article and method of making said barrier layer by expanding thermal plasma |
| US7554712B2 (en) | 2005-06-23 | 2009-06-30 | E Ink Corporation | Edge seals for, and processes for assembly of, electro-optic displays |
| US7221093B2 (en) | 2002-06-10 | 2007-05-22 | Institute Of Materials Research And Engineering | Patterning of electrodes in OLED devices |
| JP2004022398A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスの製造方法 |
| DE10230607A1 (de) | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Abb Patent Gmbh | Verfahren zur Überwachung einer Messeinrichtung, insbesondere einer Durchflussmesseinrichtung, sowie eine Messeinrichtung selbst |
| JP4130555B2 (ja) | 2002-07-18 | 2008-08-06 | 住友精密工業株式会社 | ガス加湿装置 |
| US6734625B2 (en) | 2002-07-30 | 2004-05-11 | Xerox Corporation | Organic light emitting device (OLED) with multiple capping layers passivation region on an electrode |
| US6818291B2 (en) | 2002-08-17 | 2004-11-16 | 3M Innovative Properties Company | Durable transparent EMI shielding film |
| TWI236862B (en) | 2002-09-03 | 2005-07-21 | Au Optronics Corp | Package for OLED device |
| US8704211B2 (en) | 2004-06-30 | 2014-04-22 | General Electric Company | High integrity protective coatings |
| US20040229051A1 (en) | 2003-05-15 | 2004-11-18 | General Electric Company | Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices |
| US7015640B2 (en) | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
| US6994933B1 (en) | 2002-09-16 | 2006-02-07 | Oak Ridge Micro-Energy, Inc. | Long life thin film battery and method therefor |
| TW554639B (en) | 2002-10-04 | 2003-09-21 | Au Optronics Corp | Method for fabricating an OLED device and the solid passivation |
| US7056584B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-06 | General Electric Company | Bond layer for coatings on plastic substrates |
| JP3953404B2 (ja) | 2002-10-21 | 2007-08-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 有機エレクトロ・ルミネッセンス素子、該有機エレクトロ・ルミネッセンス素子の製造方法、および有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置 |
| US20040099926A1 (en) | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same |
| JP4013955B2 (ja) | 2002-12-06 | 2007-11-28 | 松下電器産業株式会社 | テレビジョン放送受信装置 |
| US7086918B2 (en) | 2002-12-11 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Low temperature process for passivation applications |
| US6975067B2 (en) | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
| US7338820B2 (en) | 2002-12-19 | 2008-03-04 | 3M Innovative Properties Company | Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes |
| NL1022269C2 (nl) | 2002-12-24 | 2004-06-25 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een organic electroluminescent display device, substraat ten gebruike bij een dergelijke werkwijze, alsmede een organic electroluminescent display device verkregen met de werkwijze. |
| JP2004224815A (ja) | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ガスバリア性積層フィルムの製造方法及びガスバリア性積層フィルム |
| JP4491196B2 (ja) | 2003-03-31 | 2010-06-30 | 富士フイルム株式会社 | ガスバリア性積層フィルム及びその製造方法、並びに該フィルムを用いた基板及び画像表示素子 |
| US7018713B2 (en) | 2003-04-02 | 2006-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Flexible high-temperature ultrabarrier |
| US7510913B2 (en) * | 2003-04-11 | 2009-03-31 | Vitex Systems, Inc. | Method of making an encapsulated plasma sensitive device |
| US7029765B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-04-18 | Universal Display Corporation | Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage |
| WO2004107297A1 (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-09 | Konica Minolta Holdings, Inc. | ディスプレイ基板用透明フィルム、該フィルムを用いたディスプレイ基板およびその製造方法、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、およびタッチパネル |
| WO2004112165A1 (en) | 2003-06-16 | 2004-12-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Barrier laminate for an electroluminescent device |
| ITMI20031281A1 (it) | 2003-06-24 | 2004-12-25 | Whirlpool Co | Apparecchio refrigerante domestico con supporti amovibili dei ripiani. |
| NL1024090C2 (nl) | 2003-08-12 | 2005-02-15 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel. |
| US6998648B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-02-14 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant |
| US7282244B2 (en) | 2003-09-05 | 2007-10-16 | General Electric Company | Replaceable plate expanded thermal plasma apparatus and method |
| US7297414B2 (en) | 2003-09-30 | 2007-11-20 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film and method for producing the same |
| US7635525B2 (en) | 2003-09-30 | 2009-12-22 | Fujifilm Corporation | Gas barrier laminate film and method for producing the same |
| US7052355B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-05-30 | General Electric Company | Organic electro-optic device and method for making the same |
| US20050093437A1 (en) | 2003-10-31 | 2005-05-05 | Ouyang Michael X. | OLED structures with strain relief, antireflection and barrier layers |
| US7432124B2 (en) | 2003-11-04 | 2008-10-07 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an organic light emitting device |
| US7271534B2 (en) | 2003-11-04 | 2007-09-18 | 3M Innovative Properties Company | Segmented organic light emitting device |
| GB0327093D0 (en) | 2003-11-21 | 2003-12-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates |
| EP1548846A3 (en) | 2003-11-28 | 2007-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell module edge face sealing member and solar cell module employing same |
| US7075103B2 (en) | 2003-12-19 | 2006-07-11 | General Electric Company | Multilayer device and method of making |
| US7792489B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
| JP2005251671A (ja) | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表示装置 |
| US20050238846A1 (en) | 2004-03-10 | 2005-10-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Gas barrier laminate film, method for producing the same and image display device utilizing the film |
| US20050212419A1 (en) | 2004-03-23 | 2005-09-29 | Eastman Kodak Company | Encapsulating oled devices |
| US8405193B2 (en) | 2004-04-02 | 2013-03-26 | General Electric Company | Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages |
| US7220687B2 (en) | 2004-06-25 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method to improve water-barrier performance by changing film surface morphology |
| US7033850B2 (en) | 2004-06-30 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Roll-to-sheet manufacture of OLED materials |
| US20060063015A1 (en) | 2004-09-23 | 2006-03-23 | 3M Innovative Properties Company | Protected polymeric film |
| US7342356B2 (en) | 2004-09-23 | 2008-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer |
| US7825582B2 (en) | 2004-11-08 | 2010-11-02 | Kyodo Printing Co., Ltd. | Flexible display and manufacturing method thereof |
| JP2006294780A (ja) | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Toppan Printing Co Ltd | 太陽電池モジュール用バックシートおよび太陽電池モジュール |
| US20060246811A1 (en) | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Eastman Kodak Company | Encapsulating emissive portions of an OLED device |
| US20060250084A1 (en) | 2005-05-04 | 2006-11-09 | Eastman Kodak Company | OLED device with improved light output |
| US20070281089A1 (en) | 2006-06-05 | 2007-12-06 | General Electric Company | Systems and methods for roll-to-roll atomic layer deposition on continuously fed objects |
| NL1033860C2 (nl) | 2007-05-16 | 2008-11-18 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze. |
| CN102084515A (zh) | 2007-05-24 | 2011-06-01 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于电子薄膜器件的封装 |
-
2007
- 2007-07-12 US US11/776,616 patent/US7648925B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-06-26 EP EP08772022.3A patent/EP2173920B1/en active Active
- 2008-06-26 KR KR1020107003148A patent/KR101513871B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-26 WO PCT/US2008/068337 patent/WO2009009306A2/en active Application Filing
- 2008-06-26 JP JP2010516124A patent/JP5536646B2/ja active Active
- 2008-07-11 TW TW97126529A patent/TWI373867B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548912B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-04-15 | Battelle Memorial Institute | Semicoductor passivation using barrier coatings |
| US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US6737753B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-05-18 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Barrier stack |
| US20050239294A1 (en) * | 2002-04-15 | 2005-10-27 | Rosenblum Martin P | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009009306A2 (en) | 2009-01-15 |
| US20070281174A1 (en) | 2007-12-06 |
| JP2010533087A (ja) | 2010-10-21 |
| KR20100051810A (ko) | 2010-05-18 |
| EP2173920B1 (en) | 2017-03-22 |
| TW200913345A (en) | 2009-03-16 |
| WO2009009306A3 (en) | 2009-04-23 |
| EP2173920A2 (en) | 2010-04-14 |
| TWI373867B (en) | 2012-10-01 |
| US7648925B2 (en) | 2010-01-19 |
| JP5536646B2 (ja) | 2014-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101513871B1 (ko) | 다층 장벽 스택 및 그 제조 방법 | |
| US7510913B2 (en) | Method of making an encapsulated plasma sensitive device | |
| EP1925043B1 (en) | Encapsulated devices and method of making | |
| EP0977469B1 (en) | Improved transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices | |
| KR100945681B1 (ko) | 방향성 발광하는 기계적 가요성 유기 전자발광 디바이스 | |
| WO2005105428A1 (ja) | 積層体、発光素子及びその使用 | |
| KR102321945B1 (ko) | 기판 및 소자를 위한 박막 투과 배리어 시스템과 그의 제조 방법 | |
| EP2341759A2 (en) | Barrier film composite and display apparatus including the barrier film composite | |
| US20070132375A1 (en) | Electronic device comprising a protective barrier layer stack | |
| JP2004534367A (ja) | 有機発光デバイスの透明支持体 | |
| US20060006798A1 (en) | Passivation layer | |
| KR20080084947A (ko) | 전기활성 장치용 전극 스택 및 이의 제조 방법 | |
| CN1784102A (zh) | 有机电致发光显示器装置和制备该装置的方法 | |
| CA2505014A1 (en) | Hermetic encapsulation of organic electro-optical elements | |
| JP2005319678A (ja) | 積層体、発光素子及びその使用 | |
| KR20040073695A (ko) | 흡습제층을 포함하는 유기전계발광 표시패널 | |
| Kim et al. | Thin film passivation characteristics in OLED using in-situ passivation | |
| KR100700007B1 (ko) | 보호막을 가진 유기전계발광표시장치 | |
| WO2007042956A1 (en) | Voltage-operated layer arrangement | |
| Lee et al. | P‐214: Ultra Thin‐Film Encapsulation for AMOLED Displays |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180403 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190401 Year of fee payment: 5 |