NL1033860C2 - Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1033860C2 NL1033860C2 NL1033860A NL1033860A NL1033860C2 NL 1033860 C2 NL1033860 C2 NL 1033860C2 NL 1033860 A NL1033860 A NL 1033860A NL 1033860 A NL1033860 A NL 1033860A NL 1033860 C2 NL1033860 C2 NL 1033860C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- organic
- film encapsulation
- metal
- inorganic
- Prior art date
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims description 48
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 190
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 53
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 14
- -1 for example Substances 0.000 claims description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- COHCXWLRUISKOO-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ba] Chemical compound [AlH3].[Ba] COHCXWLRUISKOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-BJUDXGSMSA-N oxygen-15 atom Chemical compound [15O] QVGXLLKOCUKJST-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
Description
Titel: Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm- encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefïlm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device, zoals bijvoorbeeld een OLED, waarbij het organisch device een substraat omvat dat is voorzien van een actieve stack en vervolgens wordt 5 voorzien van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel voor het afschermen van de actieve stack in hoofdzaak tegen zuurstof en vocht, waarbij het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel wordt gevormd door het aanbrengen van ten minste één organische laag en ten minste één anorganische laag op de actieve stack, waarbij de ten minste ene anorganische laag wordt 10 opgebracht met plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of reactief sputteren.
Een dergelijke werkwijze is bekend uit de praktijk. Bij de bekende werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-15 encapsulatielaagsamenstel kan een eerste afsluitende anorganische laag worden aangebracht op de actieve stack voor het beschermen van de functionele lagen van het device. Vervolgens wordt een eerste organische laag aangebracht op de anorganische laag op de actieve stack. Daarna wordt er een tweede anorganische laag op de organische laag aangebracht die een 20 verdere afdichting vormt. Ook is het mogelijk verdere organische en anorganische lagen daarop aan op te brengen. De anorganische lagen worden met behulp van een plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of door middel van reactief sputteren aangebracht. Het is tevens bekend om bij het opbouwen van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel 1 033860=1 2 als eerste laag een organische laag aan te brengen en vervolgens afwisselend anorganische en organische lagen.
Het blijkt dat organische devices die zijn voorzien van een aldus vervaardigd dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel toch nog degraderen.
5 Uitgebreid onderzoek heeft ertoe geleid dat thans wordt vermoed dat wanneer de anorganische laag, bijvoorbeeld een SiN laag, door middel van een plasmadepositie techniek, zoals bijvoorbeeld Electron Cyclotron Resonance (ECR), Inductive Coupled Plasma (ICP) of Expanding Thermal Plasma (ETP), wordt opgebracht er degradatie van het organische device 10 optreedt doordat de plasmastraling de eerder opgebrachte organische laag of lagen van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel aantast. Ook bij reactief sputteren kan bij een acceptabele procestijd dergelijke plasma belasting op de organische laag of lagen intensief zijn. Door deze aantasting van de organische laag of lagen komen materialen vrij die de actieve stack, 15 zoals bijvoorbeeld de lichtgevende materiaallaag (bijvoorbeeld de PDOT laag), of het barium van de kathode, kunnen aantasten.
Wanneer de anorganische laag echter wordt aangebracht met gebruikmaking van een andere depositietechniek, waarbij de organische 20 (polymeer) laag niet wordt aangetast door plasmastraling, zoals bijvoorbeeld door middel van chemical vapour deposition (CVD) niet zijnde PECVD of andere soortgelijke technieken, zijn de depositiesnelheden daarvan relatief laag. Deze kunnen tot wel een factor tien lager zijn dan bij plasmadepositie. Uit het oogpunt van processnelheid en procesef&ciency is dit nadelig.
25
De onderhavige uitvinding beoogt derhalve een werkwijze voor het aanbrengen van een dunneftlm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device te verschaffen zonder bovengenoemde nadelen. Meer in het bijzonder beoogt de uitvinding een werkwijze te verschaffen voor het aanbrengen van 30 een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device, waarbij 3 de organische lagen van het dunnefilm-encapsulatiesamenstel niet worden aangetast door straling van de depositietechniek voor het aanbrengen van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel gebruikte depositietechniek en waarbij tegelijkertijd de processnelheid relatief hoog is.
5 De uitvinding verschaft hiertoe een werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device, zoals bijvoorbeeld een OLED, waarbij het organisch device een substraat omvat dat is voorzien van een actieve stack en vervolgens wordt voorzien van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel voor het afschermen van de 10 actieve stack in hoofdzaak tegen zuurstof en vocht, waarbij het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel wordt gevormd door het aanbrengen van ten minste één organische laag en ten minste één anorganische laag op de actieve stack, waarbij de ten minste ene anorganische laag wordt opgebracht met plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of 15 reactief sputteren, met het kenmerk, dat na het aanbrengen van een eerste organische laag van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel een metaallaag op de eerste organische laag wordt aangebracht voordat daarop met behulp van PECVD of reactief sputteren een anorganische laag wordt aangebracht, waarbij de metaallaag op de organische laag wordt 20 aangebracht met behulp van een depositietechniek die relatief weinig straling veroorzaakt, waarbij de metaallaag is ingericht om bij een navolgende PECVD- of reactief sputterprocesstap voor het opbrengen van een anorganische laag de organische laag tegen straling te beschermen.
Een dergeüjke metaallaag beschermt de organische (polymeer) laag 25 tegen de invloed van het plasma tijdens de plasmadepositie van een anorganische laag op de organische laag. Dus bijvoorbeeld zichtbaar licht, UV straling, reactieve ionen, elektronen en/of warmte en dergelijke zullen niet van invloed zijn op de kwaliteit van de organische laag. Als gevolg daarvan wordt degradatie van de functionele lagen van het organische 30 device verhinderd althans in hoge mate beperkt.
4
Verder biedt het toepassen van de metaallaag in het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel het voordeel dat deze laag een extra interne barrière vormt voor eventueel vocht en/of zuurstof voordat dit de functionele lagen van de actieve stack kan bereiken. Dit vergroot de kwaliteit van het 5 met de werkwijze volgens de uitvinding vervaardigde organische device. Bij voorkeur is de plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) een techniek zoals bijvoorbeeld electron cyclotron resonance (ECR), inductieve coupled plasma (ICP) of expanding thermal plasma (ETP).
10 Volgens een nadere uitwerking van de uitvinding is de metaallaag van eenzelfde samenstelling als een in de actieve stack aanwezige kathode. De metalen voor de metaallaag zijn, doordat deze ook gebruikt worden voor het aanbrengen van de kathode in de actieve stack, al voorhanden in het vervaardigingproces van het organische device, hetgeen uit kostenoogpunt 15 voordelig is. Bijvoorbeeld voor een small molecule OLED kan dan zowel de kathode als de metaallaag bijvoorbeeld lithium en aluminium omvatten.
Volgens een nadere uitwerking van de uitvinding omvat de metaallaag barium en aluminium. Het barium verschaft niet alleen een goede hechting op de organische laag maar heeft tevens een getterfunctie 20 voor het invangen van vocht en zuurstof. Een combinatie van barium en aluminium geeft een goede bescherming tegen de straling van het plasma. Ook kunnen barium en aluminium in eenzelfde vervaardigingproces reeds worden gebruikt voor het aanbrengen van de kathode, bijvoorbeeld bij een polymer OLED, waardoor deze metalen dan zoals eerder vermeld, voor het 25 vervaardigen van de metaallaag reeds voorhanden zijn, hetgeen uit kostenoogpunt voordelig is. Tevens bevordert barium de hechting van de barium-aluminiumlaag aan de organische laag. Bij voorkeur omvat de metaallaag een laag barium met een laagdikte van bij voorkeur tussen 2 en 10 nm en een laag aluminium met een laagdikte van bij voorkeur tussen 10 30 en 800 nm.
5
In een verdere uitvoeringsvorm van de uitvinding is het ook mogelijk dat de metaallaag enkelvoudig metaal, zoals bijvoorbeeld chroom, omvat of een combinatie van een alkalimetaal, zoals lithium, en een metaal, zoals bijvoorbeeld aluminium, omvat. Andere metalen naast chroom kunnen 5 bijvoorbeeld aluminium, koper, nikkel, zink of tantaal omvatten. Het is ook mogelijk dat legeringen worden gebruikt.
Bij voorkeur is de ten minste ene anorganische laag een keramische of een diëlektrische laag, zoals bijvoorbeeld een SiNx laag, een SiOx laag en dergelijke.
10 Volgens een nadere uitwerking van de uitvinding omvat de depositietechniek die relatief weinig straling veroorzaakt, en die wordt gebruikt voor het deponeren van het metaal, chemical vapour deposition (CVD) niet zijnde PECVD, opdampen, sputteren en dergelijke depositietechnieken.
15 Het gebruik van een dergelijke depositietechniek voor het opbrengen van de metaallaag voorkomt het aantasten van de organische laag waarop de metaallaag wordt aangebracht.
In een uitvoeringsvorm van de uitvinding kan, wanneer op het organische device een dunne film-encapsulatielaagsamenstel wordt 20 opgebracht dat een aantal afwisselend aangebrachte organische en anorganische lagen omvat, op een aantal op het organische device aangebrachte organische lagen een metaallaag wordt gedeponeerd.
Het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel omvat dan een aantal filters tegen de ongewenste straling, hetgeen de kwaliteit van de 25 bescherming verbetert.
Volgens een nadere uitwerking van de uitvinding kan een eerst opgebracht anorganische laag van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel worden opgebracht voordat de eerste organische laag daarvan wordt opgebracht. Deze variant heeft het voordeel dat de actieve stack niet kan 30 worden aangetast door uit de organische laag vrijkomende stoffen.
6
Volgens een alternatieve nadere uitwerking van de uitvinding kan een eerste opgebrachte anorganische laag van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel wordt opgebracht nadat de metaallaag op de eerste organische laag van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel is 5 aangebracht. Deze variant heeft het voordeel dat de anorganische laag wordt opgebracht op een metaallaag die meestal een bovenoppervlakcontour heeft die beter geschikt is voor hechting van de anorganische laag dan de onbedekte actieve stack van het organische device.
De uitvinding verschaft verder een organisch device, zoals 10 bijvoorbeeld een organic light emitting device (OLED), bij voorkeur vervaardigd met de werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij het organische device een actieve stack omvat welke wordt afgeschermd door een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel waarvan de anorganische lagen zijn opgebracht met plasma enhanced chemical vapour 15 deposition (PECVD) of reactief sputteren, waarbij het dunnefilm- encapsulatielaagsamenstel een eerst opgebrachte organische laag omvat, waarbij op de eerst opgebrachte organische laag ten minste één metaallaag is opgebracht voordat daarop met behulp van PECVD of reactief sputteren een anorganische laag is opgebracht, waarbij de metaallaag op de 20 organische laag is aangebracht met behulp van een depositietechniek die relatief weinig straling veroorzaakt, waarbij de metaallaag is ingericht om daaronder gelegen organische laag tegen straling te beschermen bij het daarna opbrengen van een anorganische laag met behulp van PECVD of reactief sputteren.
25 Met een dergelijk organisch device kunnen gelijke voordelen en effecten worden verkregen, zoals hierboven genoemd en beschreven bij de werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel.
7
Nadere uitwerkingen van de uitvinding zijn beschreven in de volgconclusies en zullen hierna, onder verwijzing naar de tekeningen verder worden verduidelijkt, waarbij:
Fig. 1 een schematische doorsnede toont van een gedeelte van een 5 organic light emitting diode (OLED) volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding vervaardigd met gebruikmaking van de werkwijze volgens de uitvinding.
In figuur 1 wordt een gedeelte van een organisch device O getoond. 10 Meer in het bijzonder toont de figuur een gedeelte van een OLED die is vervaardigd met de werkwijze volgens de uitvinding. De OLED O omvat een substraat 1 waarop een actieve stack A is aangebracht. De actieve stack A wordt gevormd door een anode 2, welke een transparant conductive oxide (TCO), zoals bijvoorbeeld een ITO laag, kan omvatten. Vervolgens is er een 15 PPV laag 3 opgebracht en ten minste een elektroluminiscerende laag 4. Daarop is een kathode 5 aangebracht, bijvoorbeeld van een Barium -Aluminium combinatie. Boven op de actieve stack A is een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel E aangebracht. Het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel E omvat een anorganische laag 6, welke 20 bijvoorbeeld een SiNx- of SiOx-laag is. Deze laag is bij voorkeur aangebracht met een plasmadepositietechniek, hetgeen een relatief hoge depositiesnelheid bewerkstelligt. De anorganische laag 6 is bij voorkeur een keramische of een diëlektrische laag zoals de genoemde SiNx laag of een SiOx laag en dergelijke.
25 De anorganische laag 6 vormt een eerste afsluitende laag voor de actieve stack A, welke voorkomt dat vocht en/of zuurstof de functionele lagen van de actieve stack A kan bereiken en aantasten. Op de anorganische laag 6 is een organische (polymeer) laag 7 aangebracht, welke bijvoorbeeld een dikte kan hebben van 4-7 micron. Vervolgens is een metaallaag 8 op de 30 organische laag 6 aangebracht alvorens een verdere anorganische laag 9 is 8 aangebracht. De metaaüaag 8 is aangebracht met behulp van een depositietechniek die relatief weinig straling veroorzaakt, zoals bijvoorbeeld CVD niet zijnde PECVD, opdampen, sputteren of andere soortgelijke depositietechnieken. Hierdoor wordt de organische laag 7 niet aangetast 5 door straling tijdens het opbrengen van de metaallaag 8. De metaaüaag 8 is verder zodanig ingericht dat deze de organische laag 7 beschermt tegen straüng die vrijkomt tijdens het met behulp van PECVD aanbrengen van de volgende anorganische laag 9. Hierdoor wordt voorkomen dat de organische laag 7 degradeert en materialen afscheidt die een negatieve invloed hebben 10 op de functionele lagen van de actieve stack A. De metaaüaag 8 kan eenzelfde samenstelling hebben als de kathode 5. Op deze wijze zijn de metalen die gebruikt worden voor de metaallaag 8 reeds aanwezig in het vervaardigingproces, hetgeen kostentechnisch voordelig is. De metaallaag 8 verschaft verder een extra barrière waardoor eventueel vocht en/of zuurstof 15 een langere weg dient af te leggen om de actieve stack A te bereiken, waardoor de actieve stack A beter is beschermd tegen vocht en/of zuurstof, hetgeen gunstig is voor de kwaüteit van het organische device.
De metaallaag 8 is bij voorkeur een combinatie van een bariumlaag en een aluminiumlaag, waarbij de bariumlaag bijvoorbeeld een dikte heeft 20 tussen 2 en 10 nm en de aluminiumlaag bijvoorbeeld een dikte heeft tussen 10 en 800 nm. Daarbij wordt de bariumlaag eerst opgebracht ter verkrijging van een goede hechting en vervolgens de aluminiumlaag. De metaaüaag 8 vervult tevens een getterfunctie. Het barium uit de metaaüaag is in staat om eventuele ongewenste gasmoleculen te binden die schadeüjk kunnen zijn 25 voor de actieve stack. Het is echter ook mogelijk dat de metaallaag 8 chroom of een combinatie van lithium en aluminium omvat of eventueel andere metalen, zoals koper, nikkel, zink of tantaal. Ook het gebruik van legeringen behoort tot de mogeüjkheden. Op de anorganische laag 9 kan desgewenst een organische laag worden gedeponeerd, zoals de organische 9 laag 10 zoals weergegeven in het uitvoeringsvoorbeeld van de uitvinding in figuur 1.
In een ander uitvoeringsvoorbeeld van het organisch device O dat 5 is vervaardigd met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding is het mogelijk dat het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel E een aantal organisch en anorganische lagen omvat die afwisselend op de actieve stack A zijn aangebracht. Bij een dergelijke uitvoering van het organisch device O kan op een aantal of op alle organische lagen een metaallaag worden 10 gedeponeerd voordat daarop een anorganische laag wordt aangebracht.
In weer een ander uitvoeringsvoorbeeld van de uitvinding kan het organische device O een top emitting device zijn, zoals bijvoorbeeld een actieve matrix display. In een dergelijk device is de kathode voorzien op het 15 substraat en is de lichtdoorlatende geleidende laag voorzien nabij het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel. In deze uitvoeringsvorm is het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel lichtdoorlatend. Dit kan bijvoorbeeld worden gerealiseerd door te kiezen voor een zeer dunne metaallaag.
20 Het moge duidelijk zijn dat de uitvinding niet is beperkt tot het beschreven uitvoeringsvoorbeeld maar dat diverse wijzigingen binnen het raam van de uitvinding, zoals gedefinieerd door de conclusies mogelijk zijn. Zo kan in een andere uitvoeringsvorm van de uitvinding op de kathode 5 eerst een organische (polymeer) laag worden aangebracht waarop de 25 metaallaag wordt aangebracht. De eerste anorganische laag wordt daarna pas aangebracht. Verder is het ook mogelijk dat de boven op meerdere organische lagen uit het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel een metaallaag wordt aangebracht. Verder is het duidelijk dat een dergelijke werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-30 encapsulatielaagsamenstel ook kan worden gebruikt bij het aanbrengen van 10 een encapsulatielaag op andere devices, bijvoorbeeld chips, LCD's en dergelijke devices waarbij degradatie van de organische laag niet gewenst is bij het aanbrengen van een anorganische laag op deze organische laag.
1033860
Claims (19)
1. Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne film -encapsulatielaagsamenstel op een organisch device, zoals bijvoorbeeld een OLED, waarbij het organisch device een substraat omvat dat is voorzien van een actieve stack en vervolgens wordt voorzien van het dunnefilm- 5 encapsulatielaagsamenstel voor het afschermen van de actieve stack in hoofdzaak tegen zuurstof en vocht, waarbij het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel wordt gevormd door het aanbrengen van ten minste één organische laag en ten minste één anorganische laag op de actieve stack, waarbij de ten minste ene anorganische laag wordt 10 opgebracht met plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of reactief sputteren, met het kenmerk, dat na het aanbrengen van een eerste organische laag van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel een metaallaag op de eerste organische laag wordt aangebracht voordat daarop met behulp van PECVD 15 of reactief sputteren een anorganische laag wordt aangebracht, waarbij de metaallaag op de organische laag wordt aangebracht met behulp van een depositietechniek die relatief weinig straling veroorzaakt, waarbij de metaallaag is ingericht om bij een navolgende PECVD- of reactief sputterprocesstap voor het opbrengen van een anorganische laag de 20 organische laag tegen straling te beschermen.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) een techniek is zoals bijvoorbeeld electron cyclotron resonance (ECR), inductieve coupled plasma (ICP) of 25 expanding thermal plasma (ETP). 1 0338 601
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, waarbij de metaallaag van eenzelfde samenstelling is als een in de actieve stack aanwezige kathode.
4. Werkwijze volgens één van de conclusies 1-3, waarbij de 5 metaallaag barium en aluminium omvat.
5. Werkwijze volgens één der conclusies 1-4, waarbij de metaallaag wordt opgebouwd uit een laag barium met een laagdikte van bij voorkeur tussen 2 en 10 nm en daarop een laag aluminium met een laagdikte van bij 10 voorkeur tussen 10 en 800 nm.
6. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij de metaallaag enkelvoudig metaal, zoals bijvoorbeeld chroom, omvat of een combinatie van een alkalimetaal, zoals lithium, en een metaal, zoals 15 bijvoorbeeld aluminium, omvat.
7. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij de ten minste ene anorganische laag een keramische of een diëlektrische laag is, zoals bijvoorbeeld een SiNx laag, een SiOx laag en dergelijke. 20
8. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij de depositietechniek die relatief weinig straling veroorzaakt en die wordt gebruikt voor het deponeren van de metaallaag, chemical vapour deposition (CVD) niet zijnde PECVD, opdampen, sputteren of dergelijke 25 depositietechnieken omvat.
9. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij, wanneer op het organische device een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel wordt opgebracht dat een aantal afwisselend aangebrachte organische en anorganische lagen omvat, op een aantal op het organische device aangebrachte organische lagen een metaallaag wordt gedeponeerd.
10. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij het 5 organische device een top emitting device is, zoals bijvoorbeeld een actieve matrix display, waarbij een kathode is voorzien op het substraat en waarbij een lichtdoorlatende geleidende laag is voorzien nabij het dunnefilm -encapsulatielaagsamenstel, waarbij het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel lichtdoorlatend is. 10
11. Werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij een eerst opgebracht anorganische laag van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel wordt opgebracht voordat de eerste organische laag daarvan wordt op gebracht. 15
12. Werkwijze volgens één der conclusies 1-10, waarbij een eerste opgebrachte anorganische laag van het dunnefilm* encapsulatielaagsamenstel wordt opgebracht nadat de metaallaag op de eerste organische laag van het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel is 20 aangebracht.
13. Organisch device, zoals bijvoorbeeld een organic light emitting device (OLED), bij voorkeur vervaardigd met de werkwijze volgens één der voorgaande conclusies, waarbij het organische device een actieve stack 25 omvat welke wordt afgeschermd door een dunnefilm - encapsulatielaagsamenstel waarvan anorganische lagen zijn opgebracht met plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of reactief sputteren, waarbij het dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel een eerst opgebrachte organische laag omvat, waarbij op de eerst opgebrachte 30 organische laag ten minste één metaallaag is opgebracht voordat daarop met behulp van PECVD of reactief sputteren een anorganische laag is opgebracht, waarbij de metaallaag op de organische laag is aangebracht met behulp van een depositietechniek die relatief weinig straling veroorzaakt, waarbij de metaallaag is ingericht om daaronder gelegen organische laag 5 tegen straling te beschermen bij het daarna opbrengen van een anorganische laag met behulp van PECVD of reactief sputteren.
14. Organisch device volgens conclusie 13, waarbij de anorganische lagen zijn opgebracht met een plasma enhanced chemical vapour deposition 10 (PECVD) techniek zoals bijvoorbeeld electron cyclotron resonance (ECR), inductieve coupled plasma (ICP) of expanding thermal plasma (ETP).
15. Organisch device volgens conclusie 13 of 14, waarbij de metaallaag een zelfde samenstelling heeft als een in de actieve stack aanwezige 15 kathode.
16. Organisch device volgens één van de conclusies 13-15, waarbij de metaallaag een combinatie van barium en aluminium omvat.
17. Organisch device volgens één der conclusies 13-16, waarbij de metaallaag een laag barium omvat met een laagdikte van bij voorkeur tussen 2 en 10 nm en daarop een laag aluminium omvat met een laagdikte van bij voorkeur tussen 10 en 800 nm.
18. Organisch device volgens één der conclusies 13-17, waarbij de metaallaag een enkelvoudig metaal, zoals bijvoorbeeld chroom, omvat of een combinatie van een alkalimetaal, zoals lithium, en een metaal, zoals bijvoorbeeld aluminium, omvat.
19. Organisch element volgens één der conclusies 13-18, waarbij de metaallaag op de eerste organische laag is voorzien met gebruikmaking van een depositietechniek, zoals bijvoorbeeld CVD niet zijnde PECVD of opdampen of sputteren, die de organische laag niet aantast. 5 1 0 3 3 8 6 0
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1033860A NL1033860C2 (nl) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze. |
| EP08753772A EP2158626A1 (en) | 2007-05-16 | 2008-05-16 | Method for applying a thin-film encapsulation layer assembly to an organic device, and an organic device provided with a thin-film encapsulation layer assembly preferably applied with such a method |
| PCT/NL2008/050289 WO2008140313A1 (en) | 2007-05-16 | 2008-05-16 | Method for applying a thin-film encapsulation layer assembly to an organic device, and an organic device provided with a thin-film encapsulation layer assembly preferably applied with such a method |
| US12/599,847 US20100244068A1 (en) | 2007-05-16 | 2008-05-16 | Method For Applying A Thin-Film Encapsulation Layer Assembly To An Organic Device, And An Organic Device Provided With A Thin-Film Encapsulation Layer Assembly Preferably Applied With Such A Method |
| CN200880016100A CN101730949A (zh) | 2007-05-16 | 2008-05-16 | 用于将薄膜封装层组件施加至有机器件的方法，以及具有优选用该方法施加的薄膜封装层组件的有机器件 |
| TW097118131A TW200913344A (en) | 2007-05-16 | 2008-05-16 | Method for applying a thin-film encapsulation layer assembly to an organic device, and an organic device provided with a thin-film encapsulation layer assembly preferably applied with such a method |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1033860 | 2007-05-16 | ||
| NL1033860A NL1033860C2 (nl) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1033860C2 true NL1033860C2 (nl) | 2008-11-18 |
Family
ID=38800921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1033860A NL1033860C2 (nl) | 2007-05-16 | 2007-05-16 | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100244068A1 (nl) |
| EP (1) | EP2158626A1 (nl) |
| CN (1) | CN101730949A (nl) |
| NL (1) | NL1033860C2 (nl) |
| TW (1) | TW200913344A (nl) |
| WO (1) | WO2008140313A1 (nl) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100330748A1 (en) | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
| US7198832B2 (en) | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| US7648925B2 (en) | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
| US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
| KR101720828B1 (ko) | 2010-07-26 | 2017-03-28 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 디바이스에 있어서의 나노결정 |
| CN103155197B (zh) * | 2010-10-12 | 2016-09-07 | Oled工厂有限责任公司 | 用于制造有机电子器件的方法 |
| JP6351974B2 (ja) | 2011-02-14 | 2018-07-04 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 細胞および細胞組織の処置のためのデバイスおよび方法 |
| JP6356060B2 (ja) | 2011-03-24 | 2018-07-11 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機イオン性機能材料 |
| WO2012152366A1 (en) | 2011-05-12 | 2012-11-15 | Merck Patent Gmbh | Organic ionic compounds, compositions and electronic devices |
| CN103378294A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-10-30 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其封装方法 |
| CN103378304A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-10-30 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其封装方法 |
| CN103378302A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-10-30 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其封装方法 |
| CN103378295A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-10-30 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其封装方法 |
| WO2014082306A1 (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| KR102037051B1 (ko) * | 2012-12-29 | 2019-10-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| CN104078574A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104183742A (zh) * | 2013-05-20 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104835920A (zh) * | 2015-06-03 | 2015-08-12 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 有机发光二极管封装方法以及封装结构 |
| CN105304685B (zh) * | 2015-11-30 | 2018-06-01 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| WO2017194435A1 (de) | 2016-05-11 | 2017-11-16 | Merck Patent Gmbh | Zusammensetzungen für elektrochemische zellen |
| CN106784361A (zh) * | 2017-02-13 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光器件及其制作方法 |
| CN107369776B (zh) | 2017-08-18 | 2020-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件的封装结构和oled器件 |
| CN110277426A (zh) * | 2018-03-14 | 2019-09-24 | 上海和辉光电有限公司 | 一种amoled显示面板及其制备方法 |
| CN108448006B (zh) * | 2018-03-29 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装结构、电子装置以及封装方法 |
| CN109524440B (zh) * | 2018-11-21 | 2021-03-12 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种柔性显示面板及装置 |
| CN109904340B (zh) * | 2019-01-29 | 2021-02-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
| CN110048017A (zh) * | 2019-04-01 | 2019-07-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示面板的封装方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0977469A2 (en) * | 1998-07-30 | 2000-02-02 | Hewlett-Packard Company | Improved transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices |
| US20040212759A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| US6933538B2 (en) * | 2000-09-11 | 2005-08-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Plasma encapsulation for electronic and microelectronic components such as organic light emitting diodes |
| EP1589785A1 (en) * | 2003-01-24 | 2005-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing same and electric apparatus using such light-emitting device |
| WO2006115530A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Vitex Systems, Inc. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2886730A (en) * | 1957-02-25 | 1959-05-12 | Corning Glass Works | Aperture mask coating to prevent cathode poisoning |
| GB0014961D0 (en) * | 2000-06-20 | 2000-08-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements |
| US7265807B2 (en) * | 2001-12-13 | 2007-09-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Sealing structure for display devices |
| US9034482B2 (en) * | 2003-09-19 | 2015-05-19 | Merck Patent Gmbh | Organic electroluminescent element |
| KR100579192B1 (ko) * | 2004-03-11 | 2006-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전면 발광 구조를 갖는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의제조방법 |
-
2007
- 2007-05-16 NL NL1033860A patent/NL1033860C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-05-16 WO PCT/NL2008/050289 patent/WO2008140313A1/en active Application Filing
- 2008-05-16 CN CN200880016100A patent/CN101730949A/zh active Pending
- 2008-05-16 EP EP08753772A patent/EP2158626A1/en not_active Withdrawn
- 2008-05-16 TW TW097118131A patent/TW200913344A/zh unknown
- 2008-05-16 US US12/599,847 patent/US20100244068A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0977469A2 (en) * | 1998-07-30 | 2000-02-02 | Hewlett-Packard Company | Improved transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices |
| US6933538B2 (en) * | 2000-09-11 | 2005-08-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Plasma encapsulation for electronic and microelectronic components such as organic light emitting diodes |
| EP1589785A1 (en) * | 2003-01-24 | 2005-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing same and electric apparatus using such light-emitting device |
| US20040212759A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| WO2006115530A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Vitex Systems, Inc. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2158626A1 (en) | 2010-03-03 |
| CN101730949A (zh) | 2010-06-09 |
| US20100244068A1 (en) | 2010-09-30 |
| WO2008140313A1 (en) | 2008-11-20 |
| TW200913344A (en) | 2009-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL1033860C2 (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel op een organisch device en een organisch device voorzien van een dunnefilm-encapsulatielaagsamenstel bij voorkeur aangebracht met een dergelijke werkwijze. | |
| US6597111B2 (en) | Protected organic optoelectronic devices | |
| US6765351B2 (en) | Organic optoelectronic device structures | |
| JP3290375B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| TWI300314B (en) | Electroluminescence device | |
| JP5536646B2 (ja) | 多層バリアスタック及び多層バリアスタックの製造法 | |
| CN1150639C (zh) | 有机发光装置 | |
| JP3813990B2 (ja) | 有機発光デバイスおよびその製造方法 | |
| TWI625880B (zh) | 有機發光顯示設備 | |
| US7224116B2 (en) | Encapsulation of active electronic devices | |
| JP4567962B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及びエレクトロルミネッセンスパネル | |
| EP3121003A1 (en) | Flexible high-temperature ultrabarrier | |
| US20190173046A1 (en) | Organic light-emitting apparatus and method of manufacturing the same | |
| US20070105473A1 (en) | Method of encapsulating an organic light-emitting device | |
| US20110316013A1 (en) | Oleds connected in series | |
| KR20110087318A (ko) | 구배 조성물 장벽 | |
| US20060006798A1 (en) | Passivation layer | |
| CN102148333A (zh) | 有机发光二极管装置及其制造方法 | |
| CN1753589A (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| KR100527189B1 (ko) | 평판표시장치 및 그의 제조방법 | |
| JP2004342515A (ja) | 封止構造 | |
| KR20120098817A (ko) | 유기 전계발광 디바이스 | |
| JP4407169B2 (ja) | 封止方法及び封止構造 | |
| CN1612648A (zh) | 有机发光显示面板 | |
| JP2011091093A (ja) | 有機ｅｌ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| SD | Assignments of patents |
Owner name: OTB SOLAR B.V. Effective date: 20091022 |
|
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20121201 |