JP7174100B2 - Ｏｌｅｄデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、ｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置 - Google Patents

Description

本開示の実施形態は、真空システムを洗浄するための方法、基板の上での真空堆積のための方法、及び基板の上での真空堆積のための装置に関する。本開示の実施形態は、特に、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスの製造に使用される方法及び装置に関する。

基板上に層を堆積する技法は、例えば熱蒸着、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、及び化学気相堆積（ＣＶＤ）を含む。コーティングされた基板は、様々な用途や技術分野で使用されうる。例えば、コーティングされた基板は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスの分野で使用されうる。ＯＬＥＤは、情報を表示するためのテレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他の携帯型デバイスなどの製造に使用することができる。ＯＬＥＤディスプレイなどのＯＬＥＤデバイスは、２つの電極の間に位置する有機材料の一又は複数の層を含んでもよく、これらは、すべて基板上に堆積される。

ＯＬＥＤデバイスは、例えば、処理装置の真空チャンバ内で蒸発する幾つかの有機材料のスタック（積層体）を含むことができる。有機材料は、蒸発源を使用して、シャドーマスクを通して、続けて基板上に堆積される。真空チャンバ内部の真空条件は、堆積した材料層及びこれらの材料層を使用して製造されたＯＬＥＤデバイスの品質に重要である。

したがって、真空チャンバ内部の真空条件を改善することができる方法及び装置が必要とされる。本開示は、特に、基板の上に堆積した有機材料の層の品質を改善することができるように、真空条件を改善することを目的とする。

上記に鑑み、ＯＬＥＤデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、ＯＬＥＤデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びＯＬＥＤデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置が提供される。本開示の更なる態様、利点、及び特徴は、特許請求の範囲、明細書、及び添付図面から明らかになる。

本開示の態様によれば、ＯＬＥＤデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法が提供される。方法は、真空システムの少なくとも一部を洗浄するための事前洗浄を実行することと、遠隔プラズマ源を使用してプラズマ洗浄を実行することとを含む。

本開示の別の態様によれば、ＯＬＥＤデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法が提供される。方法は、遠隔プラズマ源を使用して、最終的な洗浄手順として真空システムの少なくとも一部のプラズマ洗浄を実行することを含む。

本開示の更に別の態様によれば、ＯＬＥＤデバイスを製造するための基板上での真空堆積のための方法が提供される。方法は、真空システムの少なくとも一部を洗浄するための事前洗浄を実行することと、遠隔プラズマ源を使用して真空システムの少なくとも一部を洗浄するためのプラズマ洗浄を実行することと、有機材料の一又は複数の層を基板の上に堆積させることとを含む。

本開示の更なる態様によれば、ＯＬＥＤデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置が提供される。装置は、真空チャンバと、真空チャンバに結合された遠隔プラズマ源と、最終的な洗浄手順としてプラズマ洗浄を実行するための遠隔プラズマ源に結合されたコントローラとを含む。

実施形態は、開示された方法を実行する装置も対象としており、記載された各方法の態様を実行する装置部分を含む。これらの方法の態様は、ハードウェア構成要素を用いて、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、これらの２つの任意の組合せによって、又はそれ以外の任意の態様で、実行されてもよい。更に、本開示による実施形態は、記載される装置を操作する方法も対象とする。記載された装置を操作する方法は、装置のあらゆる機能を実行するための方法の態様を含む。

本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上で簡単に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができる。添付図面は、本開示の実施形態に関するものであり、以下に説明される。

本明細書に記載された実施形態による、ＯＬＥＤデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法のフローチャートを示す。 本明細書に記載された実施形態による、ＯＬＥＤデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法のフローチャートを示す。 本明細書に記載の実施形態による、ＯＬＥＤデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置の概略図を示す。 本明細書に記載の実施形態による、有機材料を有するデバイス製造のためのシステムの概略図を示す。

ここから、本開示の種々の実施形態が詳細に参照されることになり、そのうちの一又は複数の例が図示される。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。概して、個々の実施形態に関する相違のみが説明される。各実施例は、本開示の説明のために提供されているが、本開示を限定することを意図しているのではない。更に、１つの実施形態の一部として図示又は説明されている特徴は、更なる実施形態を創出するために、他の実施形態で使用されることも、他の実施形態と併用されることも可能である。本記載がこのような修正例及び変形例を含むことが意図されている。

真空チャンバ内部の真空条件は、基板の上に堆積した材料層の品質にとって重要でありうる。とりわけ、ＯＬＥＤの大量生産については、すべての真空構成要素の洗浄性が不可欠である。ＯＬＥＤデバイス製造にとっては、電解研磨された表面でさえも、なおも不衛生すぎることがある。本開示は、例えば、真空システムに対する最終的な洗浄手順として、事前洗浄手順の後に遠隔プラズマ源を使用する。プラズマ洗浄は、真空チャンバ及び／又は真空システムの部品若しくは構成要素を処理するために使用することができる。例として、洗浄レベルを改善するために、プロセス始動前又は生産開始前に、プラズマ洗浄を真空で実行することができる。処理は、例えば純酸素又は窒素若しくはアルゴンとの酸素混合物などの遠隔プラズマで一定時間実行することができる。洗浄レベルを著しく高めることができ、かつ基板の上に堆積した層の品質を改善することができる。

図１は、本明細書に記載された実施形態による、ＯＬＥＤデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法１００のフローチャートを示す。

方法１００は、真空システムの少なくとも一部を洗浄するための事前洗浄を実行すること（ブロック１１０）と、遠隔プラズマ源を使用してプラズマ洗浄を実行すること（ブロック１２０）とを含む。プラズマ洗浄は、例えば、一又は複数の有機材料の層を基板の上に堆積させるために、真空システムを操作する前の最終的な洗浄手順とすることができる。「最終的な」という用語は、プラズマ洗浄後に更なる洗浄手順が実行されないという意味で理解すべきである。

遠隔プラズマ源において、ガスは、典型的には、洗浄処理が実行される真空チャンバから離れた遠隔チャンバ内で活性化される。そのような活性化は、例えば遠隔プラズマ源内で、実行されうる。本開示の実施形態で使用される遠隔プラズマの例は、純酸素又は窒素若しくはアルゴンとの酸素混合物の遠隔プラズマを含むがこれらに限定されない。

最終的な洗浄手順としてのプラズマ洗浄は、真空システムの洗浄レベルを著しく改善することができる。発明者らは、標準的ＧＣＭＳ（ガスクロマトグラフィー－質量分析）手順を使用して測定すると、最終的な洗浄手順としてのプラズマ洗浄が、１０^－９グラム／ｃｍ^２未満の範囲内の洗浄された品目の洗浄レベルを提供できることに気付いた。したがって、真空条件、更には基板の上に堆積した有機材料の層の品質を改善させることができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、所定の時間にわたって、プラズマ洗浄を実行することができる。１０^－８グラム／ｃｍ^２以下、特に１０^－９グラム／ｃｍ^２以下、より具体的には１０^－１０グラム／ｃｍ^２以下の洗浄レベルが提供される（標準的ＧＣＭＳ手順を使用して測定される）ように、所定の時間を選択することができる。洗浄レベルは、真空システムの真空チャンバの内側チャンバ壁の表面など、洗浄される真空システムの一部の表面積の１ｃｍ^２当たりの一又は複数の選択された汚染物質のグラムとして定義することができる。

真空システムの少なくとも一部を洗浄するための事前洗浄、及び遠隔プラズマ源を使用して真空システムの少なくとも一部を洗浄するためのプラズマ洗浄は、真空システムの様々な構成要素に対して使用することができる。幾つかの実施態様では、事前洗浄及びプラズマ洗浄はそれぞれ、真空チャンバの洗浄を含む。例として、事前洗浄及びプラズマ洗浄はそれぞれ、真空チャンバの一又は複数の内壁の洗浄を含む。一又は複数の内壁は、例えば湿式化学洗浄プロセスを使用して、事前洗浄することができ、次いで洗浄レベルを改善するためにプラズマ洗浄することができる。

追加的に又は代替的には、事前洗浄及びプラズマ洗浄はそれぞれ、真空システムの真空チャンバ内部での一又は複数の構成要素の洗浄を含む。一又は複数の構成要素は、機械的構成要素、移動可能な構成要素、駆動装置、バルブ、及びこれらの任意の組み合わせから成る群から選択することができる。例として、機械的構成要素は、真空システムを作動させるために使用される移動可能な構成要素といった、真空チャンバ内部に設けられる任意の構成要素とすることができる。例示的移動可能な構成要素は、ゲートバルブなどのバルブを含むが、これに限定されない。駆動装置は、真空システム内での基板及び／又はキャリアの搬送に使用される駆動装置、基板及び／又はマスクの位置合わせのための駆動装置又はアクチュエータ、隣接する真空領域又はチャンバを分離する、ゲートバルブなどのバルブのための駆動装置などを含むことができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、事前洗浄及びプラズマ洗浄はそれぞれ、堆積プロセス中に使用される、シャドーマスクなどの一又は複数のマスクデバイスの洗浄を含む。とりわけ、マスクは、製造プロセスで使用される前に、遠隔プラズマで処理することができる。幾つかの実施態様では、一又は複数のマスクデバイスは、ロードロックチャンバ又はこの目的専用のチャンバ、例えば、洗浄チャンバなどの中で、ある時間、プラズマ洗浄することができる。事前洗浄及びプラズマ洗浄は、一又は複数のマスクデバイスがロードロックチャンバ又は洗浄チャンバといった同一の場所に位置した状態で、実行することができる。別の例では、事前洗浄及びプラズマ洗浄は、異なる場所で実行することができる。例として、事前洗浄は、真空システムの外部で実行することができる。その事前洗浄の後に、一又は複数のマスクデバイスを、例えば、ロードロックチャンバ又は洗浄チャンバ内に移動させ、遠隔プラズマ源を使用したプラズマ洗浄を実行することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、方法１００は、真空システム又は真空システムの一部の保守手順の後に実行される。とりわけ、保守後の湿式洗浄は、ＯＬＥＤの大量生産にふさわしい洗浄レベルに到達するには不十分なこともある。第１の洗浄手順、即ち事前洗浄の後の、第２の洗浄手順、即ちプラズマ洗浄は、熱蒸発プロセスなどの堆積プロセス中に堆積させた有機材料の層の品質を改善することができる洗浄レベルを保証することができる。

「保守手順」という用語は、真空システム又は真空システムの一部の整備及び／又は初期設定といった様々な作業を実行可能とするために、真空システムが操作されていないという意味に理解することができる。保守手順は、例えば所定の整備間隔で、周期的に実行することができる。方法１００は、保守手順完了後の真空システム又は真空システムの一部の基本洗浄のための方法とすることができる。

幾つかの実施態様では、プラズマ洗浄は、ロードロックチャンバ、洗浄チャンバ、真空堆積チャンバ、真空処理チャンバ、移送チャンバ、ルーティングモジュール、及びこれらの任意の組み合わせから成る群から選択された真空システムの一又は複数の（真空）チャンバ内で実行される。事前洗浄は、プラズマ洗浄が実行される同一のチャンバ内で実行することができる。代替的には、事前洗浄は、異なるチャンバ又は真空システムの外部といった異なる場所で実行することができる。幾つかの実施形態によれば、事前洗浄は大気下で実行され、プラズマ洗浄は真空下で実行される。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、真空チャンバ内の圧力は、プラズマ洗浄プロセスのために、１０ｍｂａｒ以下、特に１０^－１ｍｂａｒ以下、より具体的には１０^－２ｍｂａｒ以下まで低下する。技術的真空を確立するために、圧力を事前洗浄後に低下させることができる。例として、真空チャンバ内の圧力は、１０^－２ｍｂａｒから１０ｍｂａｒまでの範囲、特に１０^－１ｍｂａｒから２ｍｂａｒまでの範囲、より具体的には１０^－１ｍｂａｒから１．５ｍｂａｒまでの範囲でありうる。真空チャンバ内部で技術的真空を生成するために真空チャンバに結合された、ターボポンプ及び／又はクライオポンプといった一又は複数の真空ポンプを設けることができる。

方法１００は、一又は複数の事前洗浄手順を含みうる事前洗浄を含む。プラズマ洗浄を実行するために真空チャンバ内の圧力を低下させる前に、事前洗浄を実行することができる。一又は複数の事前洗浄手順は、例えば、湿式化学洗浄プロセスを含むことができる。

以下に、遠隔プラズマ源を使用した本開示による方法が記載される。まず、例えば湿式化学洗浄を使用して、真空システム又は真空システムの一部を事前洗浄することができる。次いで、例えば約０．１ｍｂａｒから約５ｍｂａｒの真空圧が、ポンピングによって真空チャンバ内部に確立される。その後、改善した洗浄レベルを提供するために、遠隔プラズマ源が始動し、プラズマ洗浄が実行される。

図２は、ＯＬＥＤデバイスを製造するための基板上での真空堆積の方法２００のフローチャートを示す。方法２００は、本開示による、ＯＬＥＤデバイスの製造に使用される真空システムの洗浄方法の態様を含むことができる。

方法２００は、真空システムの少なくとも一部を洗浄するための事前洗浄を実行すること（ブロック１１０）と、真空システムの少なくとも一部を洗浄するための遠隔プラズマ源を使用してプラズマ洗浄を実行すること（ブロック１２０）と、有機材料の一又は複数の層を基板の上に堆積させること（ブロック２３０）とを含む。

最終的な洗浄手順としてのプラズマ洗浄は、真空システムの洗浄レベルを著しく改善することができる。標準的ＧＣＭＳ（ガスクロマトグラフィー－質量分析）手順を使用して測定すると、最終的な洗浄手順としてのプラズマ洗浄が、１０^－９グラム／ｃｍ^２未満の範囲内の洗浄された品目の洗浄レベルを提供することができる。したがって、真空条件、更には基板の上に堆積した有機材料の層の品質を改善させることができる。

図３は、本明細書に記載の実施形態による、ＯＬＥＤデバイスを製造するための基板上への真空堆積のための装置３００を示す。

装置３００は、真空チャンバ３１０と、真空チャンバ３１０に結合された遠隔プラズマ源３２０と、最終的な洗浄手順としてプラズマ洗浄を実行する遠隔プラズマ源３２０に結合されたコントローラ３３０とを含む。とりわけ、コントローラ３３０は、本開示のＯＬＥＤデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法を実施するように構成することができる。

真空チャンバ３１０は、ロードロックチャンバ、洗浄チャンバ、真空堆積チャンバ、真空処理チャンバ、移送チャンバ、ルーティングモジュール、及びこれらの任意の組み合わせから成る群から選択することができる。例として、真空チャンバ３１０は、有機材料の基板上への堆積に使用される真空処理チャンバとすることができる。

例えば、真空チャンバ３１０内部に技術的真空を生成するためのベローズチューブといった一又は複数のチューブを介するなどして、ターボポンプ及び／又はクライオポンプといった一又は複数の真空ポンプ３４０を、真空チャンバ３１０に結合させることができる。コントローラ３３０は、例えばプラズマ洗浄手順の前に、真空チャンバ３１０内の圧力を低下させるために、一又は複数の真空ポンプ３４０を制御するよう更に構成することができる。

本明細書全体を通して使用されている「真空」という用語は、例えば１０ｍｂａｒ未満の真空圧を有する技術的真空の意味と理解することができる。真空チャンバ内の圧力は、１０^－５ｍｂａｒから約１０^－８ｍｂａｒ、特に１０^－５ｍｂａｒから１０^－７ｍｂａｒ、より具体的には約１０^－６ｍｂａｒから約１０^－７ｍｂａｒでありうる。

遠隔プラズマ源３２０は、ガス注入点３２２で真空チャンバ３１０に結合される。例として、遠隔プラズマ源３２０は、例えばフランジを使用して、真空チャンバ３１０に真空気密に結合することができる。幾つかの実施態様では、シャワーヘッドなどのガス注入マニホールドを、ガス注入点３２２に、例えば真空チャンバ３１０内部に、設けることができる。ガス注入マニホールドは、（反応性）ガスを真空チャンバ３１０内部に均等に分配するように構成することができる。ガス注入マニホールドは、真空チャンバ３１０内部に均一の洗浄プロセスを提供することができる。

幾つかの実施形態によれば、装置３００は、ＯＬＥＤデバイスといった、有機材料をその中に有するデバイスの製造のための真空処理システム内に含むことができる。例として、装置３００は、一又は複数の有機材料を基板の上に堆積させるように構成された真空チャンバ内に、蒸発源などの一又は複数の材料堆積源を含むことができる。

真空処理システム、及び特に装置は、真空チャンバ３１０内で、基板キャリア及び／又はマスクキャリア３６０などのキャリアを接触せずに搬送するように構成された搬送装置３５０を含むことができる。例として、真空処理チャンバ又は別々の洗浄チャンバでありうる真空チャンバ３１０内で、マスク２０がマスクキャリア３６０によって保持された状態で、マスク２０のプラズマ洗浄を実行することができる。

幾つかの実施態様では、真空処理システムは、真空チャンバ３１０内に、一又は複数の蒸発源といった一又は複数の材料堆積源（図示されず）を含む。真空処理システムは、例えば、ＯＬＥＤデバイスを製造するための有機材料などを蒸発させるように構成することができる。幾つかの実施態様では、一又は複数の材料堆積源は、蒸発源、及び特にＯＬＥＤデバイスの層を形成するために一又は複数の有機材料を基板の上に堆積させるための蒸発源とすることができる。例えば層堆積プロセス中に、基板１０を支持するように更に構成することができるマスクキャリア３６０は、直線的搬送経路などの搬送経路に沿って、真空チャンバ３１０内にかつ真空チャンバ３１０を通って、とりわけ堆積エリアを通って搬送することができる。

図３に示されるように、更なるチャンバを真空チャンバ３１０に隣接して設けることができる。バルブハウジング３０４及びバルブユニット３０６を有するバルブによって、真空チャンバ３１０を隣接するチャンバから分離することができる。マスク２０及び／又は基板を上に有するキャリアが、矢印によって示されるように、真空チャンバ３１０内に挿入された後に、バルブユニット３０６を閉鎖することができる。例えばプラズマ洗浄の前に、真空ポンプを真空チャンバ３１０に結合させるなどして、技術的真空を生成することによって、真空チャンバ３１０の大気を個別に制御することができる。

幾つかの実施態様では、真空処理システムは、真空チャンバ３１０を通って延びる一又は複数の搬送経路を含むことができる。キャリアは、一又は複数の搬送経路に沿って、例えば一又は複数の材料堆積源を通過して、搬送するように構成することができる。１つの搬送経路が矢印によって例示的に示されているが、本開示はこれに限定されず、２つ以上の搬送経路を設けることができると理解すべきである。例として、少なくとも２つの搬送経路を、それぞれのキャリア搬送のために実質的に互いに平行に配置することができる。一又は複数の材料堆積源を、２つの搬送経路の間に配置することができる。

搬送装置３５０は、例えば一又は複数の搬送経路に沿って搬送方向に、真空チャンバ３１０内での、マスクキャリア３６０などのキャリアの非接触浮上及び／又は非接触搬送のために構成することができる。キャリアの非接触浮上及び／又は搬送は、例えばガイドレールとの機械的接触に起因して、粒子が搬送中に生成されない点で有利である。非接触浮上及び／又は搬送を用いるときに粒子生成が最小化されるので、基板の上に堆積した層の改善した純度及び均一性を提供することができる。

図４は、本明細書に記載の実施形態による、有機材料を有するデバイス製造のためのシステム４００の概略図を示す。システム４００は、本明細書に記載の実施形態による方法及び装置を使用して、洗浄することができる。

システム４００は、２つ以上の処理領域と、基板１０及びオプションでマスクを支持するキャリア４０１を２つ以上の処理領域に順次搬送するように構成された搬送装置４６０とを含む。例として、搬送装置４６０は、搬送方向２に沿って、基板処理のための２つ以上の処理領域を通り、キャリア４０１を搬送するように構成することができる。言い換えるならば、複数の処理領域を通る基板１０の搬送に同一のキャリアが使用される。とりわけ、処理領域内での基板処理と続く処理領域内での基板処理との間では、基板１０がキャリア４０１から取り除かれることはなく、要するに、２つ以上の基板処理手順では、基板が同一キャリア上に留まる。

図４に例示的に示されるように、２つ以上の処理領域は、第１の堆積領域４０８及び第２の堆積領域４１２を含むことができる。オプションで、移送領域４１０を、第１の堆積領域４０８と第２の堆積領域４１２との間に設けることができる。２つ以上の処理領域及び移送領域といった複数の領域を、１つの真空チャンバ内に設けることができる。代替的には、複数の領域を、互いに結合した異なる真空チャンバ内に設けることができる。例として、各真空チャンバは、１つの領域を提供することができる。特に、第１の真空チャンバは、第１の堆積領域４０８を提供することができ、第２の真空チャンバは、移送領域４１０を提供することができ、第３の真空チャンバは、第２の堆積領域４１２を提供することができる。幾つかの実施態様では、第１の真空チャンバ及び第３の真空チャンバを「堆積チャンバ」と称することができる。第２の真空チャンバを「処理チャンバ」と称することができる。更なる真空チャンバ又は領域を、図４の例に示される領域に隣接して設けることができる。

バルブハウジング４０４及びバルブユニット４０５を有するバルブによって、真空チャンバ又は領域を、隣接する領域から分離することができる。基板１０を上に有するキャリア４０１が第２の堆積領域４１２などの領域内に挿入された後に、バルブユニット４０５を閉鎖することができる。例えば真空ポンプを領域に結合するなどして、技術的真空を生成することによって、及び／又は一又は複数の処理ガスを、例えば第１の堆積領域４０８及び／又は第２の堆積領域４１２に挿入することによって、領域内の大気を個別に制御することができる。基板１０を上に有するキャリア４０１を領域内に、領域を通して、及び領域から搬送するために、直線的搬送経路などの搬送経路を設けることができる。搬送経路は、第１の堆積領域４０８及び第２の堆積領域４１２などの２つ以上の処理領域を少なくとも部分的に通って、並びにオプションで移送領域４１０を通って、延在することができる。

システム４００は、移送領域４１０を含むことができる。幾つかの実施形態では、移送領域４１０を省略することができる。移送領域４１０は、回転モジュール、トランジットモジュール、又はこれらの組み合わせによって、提供することができる。図４は、回転モジュールとトランジットモジュールとの組み合わせを示す。回転モジュールでは、トラック装置とその上に配置されたキャリアは、垂直回転軸などの回転軸周囲を回転させることができる。例として、キャリアを、システム４００の左側からシステム４００の右側まで、又はその逆に移送することができる。トランジットモジュールを通って、互いに垂直な方向などの異なる方向にキャリアを移送することができるように、トランジットモジュールは、交差トラックを含むことができる。

第１の堆積領域４０８及び第２の堆積領域４１２などの堆積領域内に、一又は複数の堆積源を設けることができる。例として、第１の堆積源４３０は、第１の堆積領域４０８内に設けることができる。第２の堆積源４５０は、第２の堆積領域４１２内に設けることができる。一又は複数の堆積源は、ＯＬＥＤデバイスのための有機層スタックを形成するために、一又は複数の有機層を基板１０の上に堆積させるように構成された蒸発源とすることができる。

本明細書に記載のシステムは、例えばＯＬＥＤディスプレイ製造のための、大面積基板での蒸発に用いることができる。特に、本明細書に記載の実施形態によるシステムが提供される基板は、大面積基板である。例えば、大面積基板又はキャリアは、約０．６７ｍ^２の表面積（０．７３ｍ×０．９２ｍ）に対応するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ^２の表面積（１．１ｍ×１．３ｍ）に対応するＧＥＮ５、約４．２９ｍ^２の表面積（１．９５ｍ×２．２ｍ）に対応するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ^２の表面積（２．２ｍ×２．５ｍ）に対応するＧＥＮ８．５、又は約８．７ｍ^２の表面積（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に対応するＧＥＮ１０にさえなりうる。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２などの更に大基板の世代、並びにそれに相当する表面積を同様に実施することができる。ＧＥＮ世代の半分のサイズもまた、ＯＬＥＤディスプレイ製造において提供されうる。

本開示は、例えば、真空システムに対する最終的な洗浄手順として、事前洗浄手順の後に遠隔プラズマ源を使用する。プラズマ洗浄は、真空チャンバ及び／又は真空システムの部品若しくは構成要素を処理するために使用することができる。例として、洗浄レベルを改善するために、プロセス始動前又は生産開始前に、プラズマ洗浄を真空で実行することができる。処理は、例えば純酸素又は窒素若しくはアルゴンとの酸素混合物などの遠隔プラズマで一定時間実行することができる。洗浄レベルを著しく高めることができ、かつ基板の上に堆積した層の品質を改善することができる。

以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の更なる実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。

Claims (13)

1. ＯＬＥＤデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するためにプラズマを発生させるための装置であって、
   前記真空システムの真空チャンバから離れた遠隔チャンバと、
   前記真空システムの前記真空チャンバに前記遠隔チャンバを結合するための結合ユニットと、
   前記遠隔チャンバ中の反応ガスを活性化することによりプラズマを発生させるためのガス活性ユニットと、
   前記真空システムの少なくとも一部のプラズマ洗浄のために前記プラズマを前記真空チャンバに供給するための供給ユニットと
   を含み、
   前記プラズマ洗浄が、前記真空システムを稼働させる前の最終洗浄手段であり、
   前記供給ユニットが、前記真空システムの少なくとも一部の事前洗浄の完了後に、前記真空チャンバにプラズマを供給するように制御される、装置。
2. 前記プラズマ洗浄が、遠隔プラズマ源を使用して実施される、請求項１に記載の装置。
3. 前記結合ユニットが、フランジである、請求項１又は２に記載の装置。
4. 前記反応ガスが、純酸素、又はアルゴンとの酸素混合物である、請求項１又は２に記載の装置。
5. 前記プラズマ洗浄が、１０^－５ｍｂａｒから１０^－８ｍｂａｒの間の真空圧下で実施される、請求項１又は２に記載の装置。
6. 前記プラズマ洗浄が、前記真空チャンバの洗浄を含む、請求項１又は２に記載の装置。
7. 前記プラズマ洗浄が、堆積プロセス中に使用される一又は複数のマスクデバイスの洗浄を含む、請求項１又は２に記載の装置。
8. ＯＬＥＤデバイスの製造において使用される真空システムを洗浄するための遠隔プラズマ源を制御するためのコントローラーであって、以下の工程：
   前記真空システムの少なくとも一部の事前洗浄の完了を確認することと、
   前記真空システム中の真空チャンバの圧力を低減するように少なくとも１つの真空ポンプを制御することと、
   前記遠隔プラズマ源に、遠隔プラズマを発生させるように指示することと、
   前記真空システムの供給ユニットに、前記真空システムの部分のプラズマ洗浄のために前記遠隔プラズマを前記真空システム中の前記真空チャンバに供給するように指示することと、
   前記プラズマ洗浄の完了を確認することと
   を実施するコンピュータープログラムを有し、前記プラズマ洗浄が、前記真空システムを稼働させる前の最終洗浄手段であり、前記供給ユニットが、前記真空システムの少なくとも一部の事前洗浄の完了後に、前記真空チャンバにプラズマを供給するように制御される、コントローラー。
9. 前記事前洗浄が大気下で実施され、前記プラズマ洗浄が真空下で実施される、請求項８に記載のコントローラー。
10. 前記プラズマ洗浄が、アルゴンとの酸素混合物のプラズマを使用する、請求項８又は９に記載のコントローラー。
11. 前記プラズマ洗浄が、１０^－５ｍｂａｒから１０^－８ｍｂａｒの間の真空圧下で実施される、請求項８又は９に記載のコントローラー。
12. 前記プラズマ洗浄が、前記真空チャンバの洗浄を含む、請求項８又は９に記載のコントローラー。
13. 前記プラズマ洗浄が、堆積プロセス中に使用される一又は複数のマスクデバイスの洗浄を含む、請求項８又は９に記載のコントローラー。

Images