JP2003197605A - ドライエッチング装置およびそのドライクリーニング方法 - Google Patents
ドライエッチング装置およびそのドライクリーニング方法Info
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- JP2003197605A JP2003197605A JP2001399285A JP2001399285A JP2003197605A JP 2003197605 A JP2003197605 A JP 2003197605A JP 2001399285 A JP2001399285 A JP 2001399285A JP 2001399285 A JP2001399285 A JP 2001399285A JP 2003197605 A JP2003197605 A JP 2003197605A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルミナ放電管を用いたプラズマ生成部を備
えるドライエッチング装置に適用するドライクリーニン
グ方法において、反応ガスの流路を分解することなくア
ルミナ放電管内面に付着するＡｌＦを効率良く除去し、
装置の稼働率を上げる。 【解決手段】 反応ガスとしてＯ2ガスを用いてプラズ
マ生成部を作動させる。ドライエッチング処理を中止し
てドライクリーニングを行う場合には、反応ガスとして
Ｏ2ガスのみを圧力２０〜２００Ｐａで流しながらプラ
ズマ生成部を作動させる。ドライエッチング処理に反応
ガスとしてＣＦ4ガスを用いたり、ＮＦ3およびＡｒガス
を用いる場合には、これらの反応ガスにＯ2ガスを付加
してドライエッチング処理を行ってもよい。
えるドライエッチング装置に適用するドライクリーニン
グ方法において、反応ガスの流路を分解することなくア
ルミナ放電管内面に付着するＡｌＦを効率良く除去し、
装置の稼働率を上げる。 【解決手段】 反応ガスとしてＯ2ガスを用いてプラズ
マ生成部を作動させる。ドライエッチング処理を中止し
てドライクリーニングを行う場合には、反応ガスとして
Ｏ2ガスのみを圧力２０〜２００Ｐａで流しながらプラ
ズマ生成部を作動させる。ドライエッチング処理に反応
ガスとしてＣＦ4ガスを用いたり、ＮＦ3およびＡｒガス
を用いる場合には、これらの反応ガスにＯ2ガスを付加
してドライエッチング処理を行ってもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、アルミナ放電管を用
いたプラズマ生成部で生成したプラズマガスを真空容器
に導く放電分離型のドライエッチング装置と、この装置
に適用するドライクリーニング方法とに関するものであ
る。
いたプラズマ生成部で生成したプラズマガスを真空容器
に導く放電分離型のドライエッチング装置と、この装置
に適用するドライクリーニング方法とに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】真空容器から離れたプラズマ生成部で生
成したプラズマガスを真空容器に導き、真空容器内でエ
ッチングなどの処理を行う放電分離型（リモートプラズ
マ型）のドライエッチング装置が知られている。
成したプラズマガスを真空容器に導き、真空容器内でエ
ッチングなどの処理を行う放電分離型（リモートプラズ
マ型）のドライエッチング装置が知られている。
【０００３】ここで用いるプラズマ生成部としては、高
温に耐える材料、例えばアルミナで作った放電管（アル
ミナ放電管）に反応ガスを流す一方、この放電管の外側
から加えたマイクロ波により反応ガスを励起（活性化）
して反応ガスをプラズマ化するものである。このプラズ
マ化したガス（プラズマガス）はガス導入管によって真
空容器に導かれ、被処理物を処理するものである。
温に耐える材料、例えばアルミナで作った放電管（アル
ミナ放電管）に反応ガスを流す一方、この放電管の外側
から加えたマイクロ波により反応ガスを励起（活性化）
して反応ガスをプラズマ化するものである。このプラズ
マ化したガス（プラズマガス）はガス導入管によって真
空容器に導かれ、被処理物を処理するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここにエッチング処理
では、反応ガスとして通常ＣＦ4、ＮＦ3などのＦ系（フ
ッ素系）のガスを用いている。これらの反応ガスがアル
ミナ放電管内で活性化されると、フッ素（Ｆ）のラジカ
ル（Ｆ*）が生成される。
では、反応ガスとして通常ＣＦ4、ＮＦ3などのＦ系（フ
ッ素系）のガスを用いている。これらの反応ガスがアル
ミナ放電管内で活性化されると、フッ素（Ｆ）のラジカ
ル（Ｆ*）が生成される。
【０００５】一方放電管の材料であるアルミナ（Ａｌ2
Ｏ3）はＡｌ（アルミニウム）を含んでいる。このＡｌ
はフッ素のラジカル（Ｆ*）と結合してＡｌＦ（フッ化
アルミ）になる。このＡｌＦは黒色であってアルミナ放
電管の内面に黒く堆積することになり、プラズマガスの
生成の障害になる。すなわちＡｌＦが堆積すると、エッ
チャント（反応種であるラジカルＦ*やイオン）の活性
が失われ（失活）、エッチングレート（エッチング速
度）の低下を招いたりする原因となる。
Ｏ3）はＡｌ（アルミニウム）を含んでいる。このＡｌ
はフッ素のラジカル（Ｆ*）と結合してＡｌＦ（フッ化
アルミ）になる。このＡｌＦは黒色であってアルミナ放
電管の内面に黒く堆積することになり、プラズマガスの
生成の障害になる。すなわちＡｌＦが堆積すると、エッ
チャント（反応種であるラジカルＦ*やイオン）の活性
が失われ（失活）、エッチングレート（エッチング速
度）の低下を招いたりする原因となる。
【０００６】またこの堆積物のパーティクル（微粒子）
が放電管の内面から剥離して反応ガスと共に真空容器に
入ると、被処理物の表面に付着することがあり得る。こ
の被処理物に付着したパーティクルは製品歩留まりを低
下させる原因となる。このためアルミナ放電管では、そ
の内面に付着したＡｌＦを定期的にクリーニングするこ
とが必要になる。
が放電管の内面から剥離して反応ガスと共に真空容器に
入ると、被処理物の表面に付着することがあり得る。こ
の被処理物に付着したパーティクルは製品歩留まりを低
下させる原因となる。このためアルミナ放電管では、そ
の内面に付着したＡｌＦを定期的にクリーニングするこ
とが必要になる。
【０００７】従来のクリーニング法は、アルミナ放電管
の内面を液状の薬品（洗浄液）で洗浄するウェットクリ
ーニング法であった。この方法では、クリーニング時に
アルミナ放電管を取外したり反応ガスの流路を分解する
ことが必要である。このためクリーニングのためにエッ
チング装置を長時間停止させなければならず、装置の稼
働率が低下するという問題があった。
の内面を液状の薬品（洗浄液）で洗浄するウェットクリ
ーニング法であった。この方法では、クリーニング時に
アルミナ放電管を取外したり反応ガスの流路を分解する
ことが必要である。このためクリーニングのためにエッ
チング装置を長時間停止させなければならず、装置の稼
働率が低下するという問題があった。
【０００８】この発明はこのような事情に鑑みなされた
ものであり、反応ガスの流路を分解することなくアルミ
ナ放電管内面に付着するＡｌＦを効率良く除去し、装置
の稼働率を上げることができるドライエッチング装置の
ドライクリーニング方法を提供することを第１の目的と
する。またこの方法の実施に直接使用するドライエッチ
ング装置を提供することを第２の目的とする。
ものであり、反応ガスの流路を分解することなくアルミ
ナ放電管内面に付着するＡｌＦを効率良く除去し、装置
の稼働率を上げることができるドライエッチング装置の
ドライクリーニング方法を提供することを第１の目的と
する。またこの方法の実施に直接使用するドライエッチ
ング装置を提供することを第２の目的とする。
【０００９】
【発明の構成】この発明によれば第１の目的は、アルミ
ナ放電管を用いたプラズマ生成部を備えるドライエッチ
ング装置に適用するドライクリーニング方法において、
反応ガスとしてＯ2ガスを用いてプラズマ生成部を作動
させることを特徴とするドライクリーニング方法、によ
り達成される。
ナ放電管を用いたプラズマ生成部を備えるドライエッチ
ング装置に適用するドライクリーニング方法において、
反応ガスとしてＯ2ガスを用いてプラズマ生成部を作動
させることを特徴とするドライクリーニング方法、によ
り達成される。
【００１０】ドライエッチング処理を中止してドライク
リーニングを行う場合には、反応ガスとしてＯ2ガスの
みを圧力２０〜２００Ｐａで流しながらプラズマ生成部
を作動させる。ドライエッチング処理に反応ガスとして
ＣＦ4ガスを用いたり、ＮＦ3およびＡｒガスを用いる場
合には、これらの反応ガスにＯ2ガスを付加してドライ
エッチング処理を行ってもよい。この場合にはＡｌＦの
発生を抑制しその堆積を防ぐ効果が得られる。従ってこ
の方法をＯ2ガスのみを用いたドライクリーニング法と
併用することにより、本発明の効果は一層大きくなる。
リーニングを行う場合には、反応ガスとしてＯ2ガスの
みを圧力２０〜２００Ｐａで流しながらプラズマ生成部
を作動させる。ドライエッチング処理に反応ガスとして
ＣＦ4ガスを用いたり、ＮＦ3およびＡｒガスを用いる場
合には、これらの反応ガスにＯ2ガスを付加してドライ
エッチング処理を行ってもよい。この場合にはＡｌＦの
発生を抑制しその堆積を防ぐ効果が得られる。従ってこ
の方法をＯ2ガスのみを用いたドライクリーニング法と
併用することにより、本発明の効果は一層大きくなる。
【００１１】この発明によれば第２の目的は、アルミナ
放電管を用いたプラズマ生成部を備えるドライエッチン
グ装置において、真空処理室を形成する真空容器と、前
記アルミナ放電管の一端からＯ2ガスおよびフッ素系ガ
スを含む反応ガスの少なくとも一方を供給する反応ガス
供給部と、アルミナ放電管内で生成したプラズマガスを
前記真空容器に導くガス導入管と、アルミナ放電管にＯ
2ガスを供給してドライクリーニングを行うコントロー
ラと、を備えることを特徴とするドライエッチング装
置、により達成される。
放電管を用いたプラズマ生成部を備えるドライエッチン
グ装置において、真空処理室を形成する真空容器と、前
記アルミナ放電管の一端からＯ2ガスおよびフッ素系ガ
スを含む反応ガスの少なくとも一方を供給する反応ガス
供給部と、アルミナ放電管内で生成したプラズマガスを
前記真空容器に導くガス導入管と、アルミナ放電管にＯ
2ガスを供給してドライクリーニングを行うコントロー
ラと、を備えることを特徴とするドライエッチング装
置、により達成される。
【００１２】プラズマ生成部としては、アルミナ放電管
の一部を囲む導波管にマイクロ波を導入し、このマイク
ロ波によってアルミナ放電管内を流れる反応ガスを励起
するマイクロ波励起プラズマ源を用いることができる。
コントローラは、反応ガスとしてＯ2ガスを流しながら
プラズマ生成部を作動させるように制御することにより
ドライクリーニングを行うことができる。しかしコント
ローラは、ＮＦ3およびＡｒガスを用いてドライエッチ
ングする場合に、反応ガスにＯ2を添加してドライエッ
チングを行ってもよい。
の一部を囲む導波管にマイクロ波を導入し、このマイク
ロ波によってアルミナ放電管内を流れる反応ガスを励起
するマイクロ波励起プラズマ源を用いることができる。
コントローラは、反応ガスとしてＯ2ガスを流しながら
プラズマ生成部を作動させるように制御することにより
ドライクリーニングを行うことができる。しかしコント
ローラは、ＮＦ3およびＡｒガスを用いてドライエッチ
ングする場合に、反応ガスにＯ2を添加してドライエッ
チングを行ってもよい。
【００１３】
【作用】この発明によるドライクリーニング機構は次の
ように考えられる。すなわち［ＡｌＦ＋Ｏ→ＡｌＯ＋
Ｆ］のような機構によりＯ（酸素原子）とＦ（フッ素原
子）との置換が行われると考えられる。
ように考えられる。すなわち［ＡｌＦ＋Ｏ→ＡｌＯ＋
Ｆ］のような機構によりＯ（酸素原子）とＦ（フッ素原
子）との置換が行われると考えられる。
【００１４】
【実施態様】図１は本発明に係る装置の一実施態様を示
す概念図である。この図において符号１０は真空容器で
ある。この真空容器１０内にはヒータ付きの保持台１２
が昇降可能に設けられ、その上面には被処理物としての
ウェハ１４が保持されている。
す概念図である。この図において符号１０は真空容器で
ある。この真空容器１０内にはヒータ付きの保持台１２
が昇降可能に設けられ、その上面には被処理物としての
ウェハ１４が保持されている。
【００１５】真空容器１０の底には、圧力制御器（Air
Pressure Controller，ＡＰＣ）１６を介してターボ分
子ポンプ（ＴＭＰ）などのドライポンプ１８が接続され
ている。圧力制御器１６は、真空容器１０の内圧を検出
する真空計（図示せず）の出力に基づいて、真空容器１
６の内圧を所定圧に制御する。
Pressure Controller，ＡＰＣ）１６を介してターボ分
子ポンプ（ＴＭＰ）などのドライポンプ１８が接続され
ている。圧力制御器１６は、真空容器１０の内圧を検出
する真空計（図示せず）の出力に基づいて、真空容器１
６の内圧を所定圧に制御する。
【００１６】２０はプラズマ生成部であり、マイクロ波
により反応ガスを励起し、プラズマ化して真空容器１０
に導く。プラズマ生成部２０は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）
で作られた放電管２２と、この放電管２２にその中央付
近で交叉する導波管２４と、この導波管２４の一端から
マイクロ波を供給するマイクロ波電源２６と、導波管２
４の他端に取付けられた終端整合器２８とを持つ。
により反応ガスを励起し、プラズマ化して真空容器１０
に導く。プラズマ生成部２０は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）
で作られた放電管２２と、この放電管２２にその中央付
近で交叉する導波管２４と、この導波管２４の一端から
マイクロ波を供給するマイクロ波電源２６と、導波管２
４の他端に取付けられた終端整合器２８とを持つ。
【００１７】アルミナ放電管２２の一端には反応ガス供
給部３０から反応ガスが供給される。アルミナ放電管２
２の他端はガス導入管３２によって真空容器１０に接続
されている。ここにガス導入管３２はプラズマガスによ
る腐蝕に耐える材料、例えば石英、ステンレス鋼、セラ
ミックス、一部のフッ素ベース材料などのチューブで作
られている。
給部３０から反応ガスが供給される。アルミナ放電管２
２の他端はガス導入管３２によって真空容器１０に接続
されている。ここにガス導入管３２はプラズマガスによ
る腐蝕に耐える材料、例えば石英、ステンレス鋼、セラ
ミックス、一部のフッ素ベース材料などのチューブで作
られている。
【００１８】マイクロ波電源２６が供給する所定周波数
のマイクロ波は、導波管２４を通り、アルミナ放電管２
２を透過してアルミナ放電管２２内を流れる反応ガスを
励起する。ここに終端整合器２８は、マイクロ波がアル
ミナ放電管２２を効率良く透過するようにインピーダン
スを整合させるため、その位置を調整することができる
ようにしている。
のマイクロ波は、導波管２４を通り、アルミナ放電管２
２を透過してアルミナ放電管２２内を流れる反応ガスを
励起する。ここに終端整合器２８は、マイクロ波がアル
ミナ放電管２２を効率良く透過するようにインピーダン
スを整合させるため、その位置を調整することができる
ようにしている。
【００１９】反応ガス供給部３０は、種々のガスを選択
的にまたは組合せて同時に供給する。例えば、ＣＦ4，
ＮＦ3，Ａｒ，Ｏ2のガスがそれぞれ流量制御弁（Mass F
low Controller，ＭＦＣ）３４を介し、アルミナ放電管
２２の一端に取付けた端板３６を通してアルミナ放電管
２２内に供給可能である。各ガスの供給量はコントロー
ラ３８によって制御される。
的にまたは組合せて同時に供給する。例えば、ＣＦ4，
ＮＦ3，Ａｒ，Ｏ2のガスがそれぞれ流量制御弁（Mass F
low Controller，ＭＦＣ）３４を介し、アルミナ放電管
２２の一端に取付けた端板３６を通してアルミナ放電管
２２内に供給可能である。各ガスの供給量はコントロー
ラ３８によって制御される。
【００２０】このコントローラ３８はまた、ＡＰＣ１６
により真空容器１０の内部の真空度を制御したり、マイ
クロ波電源２６やドライポンプ１８などを制御する。す
なわちこの制御はその全体の動作がコントローラ３８に
より制御されるものである。
により真空容器１０の内部の真空度を制御したり、マイ
クロ波電源２６やドライポンプ１８などを制御する。す
なわちこの制御はその全体の動作がコントローラ３８に
より制御されるものである。
【００２１】次にこの装置の動作を説明する。通常のド
ライエッチング処理では、コントローラ３８はドライポ
ンプ１８を作動させ、ＡＰＣ１６を制御することによっ
て真空容器１０内を一定の真空度に保つ。一方反応ガス
供給部３０からは、ＣＦ4またはＮＦ3とＡｒの混合ガス
をアルミナ放電管２２に供給する。この時の各ガスの流
量は、ＭＦＣ３４によりコントローラ３８が制御する。
ライエッチング処理では、コントローラ３８はドライポ
ンプ１８を作動させ、ＡＰＣ１６を制御することによっ
て真空容器１０内を一定の真空度に保つ。一方反応ガス
供給部３０からは、ＣＦ4またはＮＦ3とＡｒの混合ガス
をアルミナ放電管２２に供給する。この時の各ガスの流
量は、ＭＦＣ３４によりコントローラ３８が制御する。
【００２２】この状態でコントローラ３８がマイクロ波
電源２６を作動させれば、反応ガスは励起されてプラズ
マ化される。このプラズマガスはガス導入管３２によっ
て真空容器１０に導かれ、保持台１２に保持されたウェ
ハ１４をエッチングする。
電源２６を作動させれば、反応ガスは励起されてプラズ
マ化される。このプラズマガスはガス導入管３２によっ
て真空容器１０に導かれ、保持台１２に保持されたウェ
ハ１４をエッチングする。
【００２３】このエッチング時には、アルミナ放電管２
２のアルミ成分とプラズマガスとが反応してＡｌＦが生
成され、このＡｌＦがアルミナ放電管２２の内面などに
黒く堆積する。この付着したＡｌＦを除去するために、
コントローラ３８はドライクリーニングの処理を行う。
２のアルミ成分とプラズマガスとが反応してＡｌＦが生
成され、このＡｌＦがアルミナ放電管２２の内面などに
黒く堆積する。この付着したＡｌＦを除去するために、
コントローラ３８はドライクリーニングの処理を行う。
【００２４】このドライクリーニングでは、コントロー
ラ３８はまずウェハ１４を真空容器１０から搬出し、真
空容器１０内圧を一定にする。例えば２０Ｐａ〜２００
Ｐａの間の一定圧に保つ。一方反応ガス供給部３０から
はＯ2ガスのみを供給する。Ｏ2ガスを供給してアルミナ
放電管２２内に流しつつ、コントローラ３８はマイクロ
波電源２６からマイクロ波を出力させる。
ラ３８はまずウェハ１４を真空容器１０から搬出し、真
空容器１０内圧を一定にする。例えば２０Ｐａ〜２００
Ｐａの間の一定圧に保つ。一方反応ガス供給部３０から
はＯ2ガスのみを供給する。Ｏ2ガスを供給してアルミナ
放電管２２内に流しつつ、コントローラ３８はマイクロ
波電源２６からマイクロ波を出力させる。
【００２５】このマイクロ波によりアルミナ放電管２２
内を流れるＯ2ガスが励起される。この結果アルミナ放
電管２２の内面に付着したＡｌＦが除去され、ＡｌＯや
Ｆなどの気体となってＯ2ガスと共に真空容器１０に流
れ、ドライポンプ１８により排出される。
内を流れるＯ2ガスが励起される。この結果アルミナ放
電管２２の内面に付着したＡｌＦが除去され、ＡｌＯや
Ｆなどの気体となってＯ2ガスと共に真空容器１０に流
れ、ドライポンプ１８により排出される。
【００２６】コントローラ３８は、反応ガスとしてＣＦ
4や、ＮＦ3とＡｒの混合ガスを用いてエッチングを行う
際に微量のＯ2ガスを添加してもよい。例えば１２イン
チのウェハをエッチング処理する装置において、約５ｓ
ｃｃｍ（Standard Cubic Centimeter）を添加する。こ
のＯ2の添加によりＡｌＦの発生を抑制し、ドライクリ
ーニングを行う際の処理所要時間を少なくすることがで
きる。
4や、ＮＦ3とＡｒの混合ガスを用いてエッチングを行う
際に微量のＯ2ガスを添加してもよい。例えば１２イン
チのウェハをエッチング処理する装置において、約５ｓ
ｃｃｍ（Standard Cubic Centimeter）を添加する。こ
のＯ2の添加によりＡｌＦの発生を抑制し、ドライクリ
ーニングを行う際の処理所要時間を少なくすることがで
きる。
【００２７】図２はこのように、ＣＦ4やＮＦ3にＡｒを
加えた反応ガスに微量のＯ2（約５ｓｃｃｍ）を添加し
て直径１２インチのウェハの表面に形成したＳｉＯ
2（酸化シリコン）膜をエッチングした場合の効果を示
す図である。この図で横軸はＴｏｔａｌ放電時間（ｈｏ
ｕｒ）を、縦軸はＳｉＯ2のエッチングレートＥ／Ｒ
（ｎｍ／ｍｉｎ）を示す。またＡ、Ｂは、それぞれ反応
ガスＣＦ4およびＮＦ3＋ＡｒにＯ2を添加した場合の実
験結果を示す。
加えた反応ガスに微量のＯ2（約５ｓｃｃｍ）を添加し
て直径１２インチのウェハの表面に形成したＳｉＯ
2（酸化シリコン）膜をエッチングした場合の効果を示
す図である。この図で横軸はＴｏｔａｌ放電時間（ｈｏ
ｕｒ）を、縦軸はＳｉＯ2のエッチングレートＥ／Ｒ
（ｎｍ／ｍｉｎ）を示す。またＡ、Ｂは、それぞれ反応
ガスＣＦ4およびＮＦ3＋ＡｒにＯ2を添加した場合の実
験結果を示す。
【００２８】この実験結果から、Ｏ2を添加しない場合
（ａ、ｂ）にはエッチングレートＥ／Ｒは放電時間と共
に急激に低下するのに対し、Ｏ2を添加した場合には長
時間（１００時間以上）にわたってエッチングレートＥ
／Ｒの低下はほとんど起こらないことが解った。
（ａ、ｂ）にはエッチングレートＥ／Ｒは放電時間と共
に急激に低下するのに対し、Ｏ2を添加した場合には長
時間（１００時間以上）にわたってエッチングレートＥ
／Ｒの低下はほとんど起こらないことが解った。
【００２９】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、Ｏ2ガスを流
してプラズマ生成部を作動させるから、アルミナ放電管
の内面に堆積するＡｌＦを活性化したＯ（酸素）によっ
て気体にしＯ2ガスと共に排出することができる。この
ためアルミナ放電管の内面をドライクリーニングするこ
とができる。
してプラズマ生成部を作動させるから、アルミナ放電管
の内面に堆積するＡｌＦを活性化したＯ（酸素）によっ
て気体にしＯ2ガスと共に排出することができる。この
ためアルミナ放電管の内面をドライクリーニングするこ
とができる。
【００３０】この時に用いる反応ガスはＯ2ガスのみで
あればクリーニング効果は大きくなる（請求項２）。Ｏ
2ガスはエッチングガスに混合してもよい（請求項
３）。この場合には、アルミナ放電管へのＡｌＦの堆積
量を減らし、またＯ2ガスのみによるドライクリーニン
グ処理を容易にすることができる。
あればクリーニング効果は大きくなる（請求項２）。Ｏ
2ガスはエッチングガスに混合してもよい（請求項
３）。この場合には、アルミナ放電管へのＡｌＦの堆積
量を減らし、またＯ2ガスのみによるドライクリーニン
グ処理を容易にすることができる。
【００３１】請求項４〜７の発明によれば、請求項１の
方法の実施に直接使用するケミカルエッチング装置が得
られる。
方法の実施に直接使用するケミカルエッチング装置が得
られる。
【図１】本発明に係るドライエッチング装置の概念図
【図２】本発明の効果を示す図
１０ 真空容器
１４ ウェハ（被処理物）
１６ 圧力制御器（ＡＰＣ）
１８ ドライポンプ
２０ プラズマ生成部
２２ アルミナ放電管
２４ 導波管
２６ マイクロ波電源
３０ 反応ガス供給部
３８ コントローラ
Claims (7)
- 【請求項１】 アルミナ放電管を用いたプラズマ生成部
を備えるドライエッチング装置に適用するドライクリー
ニング方法において、 反応ガスとしてＯ2ガスを用いてプラズマ生成部を作動
させることを特徴とするドライクリーニング方法。 - 【請求項２】 反応ガスとして、Ｏ2ガスのみを圧力２
０〜２００Ｐａで流す請求項１のドライクリーニング方
法。 - 【請求項３】 反応ガスとしてＮＦ3ガスおよびＡｒガ
スを用いる場合にＯ2ガスを添加してドライエッチング
を行う請求項１のドライエッチング方法。 - 【請求項４】 アルミナ放電管を用いたプラズマ生成部
を備えるドライエッチング装置において、 真空処理室を形成する真空容器と、前記アルミナ放電管
の一端からＯ2ガスおよびフッ素系ガスを含む反応ガス
の少なくとも一方を供給する反応ガス供給部と、 アルミナ放電管内で生成したプラズマガスを前記真空容
器に導くガス導入管と、 アルミナ放電管にＯ2ガスを供給してドライクリーニン
グを行うコントローラと、を備えることを特徴とするド
ライエッチング装置。 - 【請求項５】 プラズマ生成部は、アルミナ放電管の一
部を囲む導波管と、この導波管の一端からマイクロ波を
供給するマイクロ波電源とを備え、マイクロ波によって
アルミナ放電管内を流れる反応ガスをプラズマ化する請
求項４のドライエッチング装置。 - 【請求項６】 コントローラはＯ2ガスのみを供給して
プラズマ生成部を作動させる請求項４または５のドライ
エッチング装置。 - 【請求項７】 コントローラは、ＮＦ3ガスおよびＡｒ
ガスを供給しつつ真空容器内に置いた被処理物をエッチ
ング処理する場合に、反応ガスにＯ2ガスを添加してエ
ッチング処理を行う請求項４または５のドライエッチン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001399285A JP2003197605A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | ドライエッチング装置およびそのドライクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001399285A JP2003197605A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | ドライエッチング装置およびそのドライクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197605A true JP2003197605A (ja) | 2003-07-11 |
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ID=27604384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001399285A Pending JP2003197605A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | ドライエッチング装置およびそのドライクリーニング方法 |
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2001
- 2001-12-28 JP JP2001399285A patent/JP2003197605A/ja active Pending
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