CN107634081B - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

发光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107634081B
CN107634081B CN201710574010.XA CN201710574010A CN107634081B CN 107634081 B CN107634081 B CN 107634081B CN 201710574010 A CN201710574010 A CN 201710574010A CN 107634081 B CN107634081 B CN 107634081B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
led
light emitting
bar
stripe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710574010.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN107634081A (zh
Inventor
金大贤
姜钟赫
李周悦
任铉德
曹池欧
赵显敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN107634081A publication Critical patent/CN107634081A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107634081B publication Critical patent/CN107634081B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen characterised by the doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
    • B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
    • B41J2202/09—Ink jet technology used for manufacturing optical filters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0278—Details of driving circuits arranged to drive both scan and data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/95053—Bonding environment
    • H01L2224/95085—Bonding environment being a liquid, e.g. for fluidic self-assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings

Abstract

提供了一种发光装置及其制造方法。所述发光装置包括：第一电极和第二电极，在基底上彼此分隔开；至少一个条型LED，具有在第一电极上的第一端部和在第二电极上的第二端部；以及绝缘支撑体，位于基底与条型LED之间。所述至少一个条型LED的长度大于宽度。

Description

发光装置及其制造方法
于2016年7月15日提交的名称为“发光装置及其制造方法”的第10-2016-0090194号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
这里所描述的一个或更多个实施例涉及一种发光装置和一种用于制造发光装置的方法。
背景技术
发光二极管(LED)即使在恶劣的环境条件下也表现出相对令人满意的耐久性，并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。用于以微米或纳米尺度制造微条型(micro-bar-type)LED的一种技术涉及形成无机晶体结构。此技术涉及生长氮化物基半导体。
条型LED的小尺寸使其适用于自发光显示面板的像素。为了使用条型LED来制造像素，将条型LED在期望的位置对准并且随后安装以使其即使在后续工艺的执行期间也不偏离该位置。
发明内容
根据一个或更多个实施例，有机发光装置包括：基底；第一电极和第二电极，在基底上彼此分隔开；至少一个条型LED，具有在第一电极上的第一端部和第二电极上的第二端部，所述至少一个条型LED的长度大于宽度；以及绝缘支撑体，在基底与条型LED之间。条型LED可以具有微米尺度或纳米尺度的圆柱体形状或多角柱形状。条型LED可以包括掺杂有第一导电掺杂剂的第一导电半导体层、掺杂有第二导电掺杂剂的第二导电半导体层以及在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的活性层。
绝缘支撑体可以具有与条型LED的直径或宽度对应的宽度。绝缘支撑体的最短长度可以基本上等于第一电极与第二电极之间的距离。第一电极、第二电极和绝缘支撑体可以在基底上位于同一个平面上，并且具有基本相同的高度。绝缘支撑体可以包括一个或更多个有机层和一个或更多个无机层中的至少一个。
发光装置可以包括：多个导电接触层，分别将条型LED的端部连接到第一电极和第二电极。导电接触层可以覆盖条型LED的端部及第一电极和第二电极的一个端部。第一电极和第二电极可以以比条型LED的长度小的距离彼此分隔开。发光装置可以包括：发光显示面板，包括多个像素，其中，每个像素包括至少一个第一电极和至少一个第二电极，并且其中，至少一个条型LED连接在第一电极和第二电极之间。
根据一个或更多个实施例，提供了用于制造发光装置的方法，所述方法包括：在基底上的发光区域中形成彼此分隔开的第一电极和第二电极；将至少一个长度大于宽度的条型LED注入到所述发光区域中；将LED在第一电极和第二电极的至少一个区域上对准以使其连接在第一电极与第二电极之间；在基底与条型LED之间形成绝缘支撑体。
形成绝缘支撑体可以包括：在其上形成有第一电极和第二电极及条型LED的基底上形成绝缘层；使得基底与条型LED之间的绝缘层保留，并且去除第一电极和第二电极及条型LED上方的绝缘层。
去除第一电极和第二电极及条型LED上方的绝缘层可以包括：通过使用条型LED作为掩模的光刻工艺，使得基底与条型LED之间的绝缘层保留，并去除第一电极和第二电极及条型LED上方的绝缘层。
去除第一电极和第二电极及条型LED上方的绝缘层可以包括：通过使用条型LED作为掩模的前垂直蚀刻工艺，使得基底与条型LED之间的绝缘层保留，并去除第一电极和第二电极及条型LED上方的绝缘层。
将所述至少一个条型LED注入到发光区域中可以包括：将包括条型LED的溶液滴落到发光区域上。使条型LED对准可以包括：通过向第一电极和第二电极施加电压来引起条型LED的自对准。所述方法可以包括：分别在条型LED的端部及第一电极和第二电极的第一端部上形成导电接触层。将至少一个条型LED注入到发光区域中可以包括：将混合有条型LED和绝缘材料的溶液滴落在发光区域上。
在基底与条型LED之间形成绝缘支撑体可以包括：通过使用条型LED作为掩模的光刻工艺或正面垂直蚀刻工艺，使得基底与条型LED之间的绝缘层保留，并去除第一电极和第二电极及条型LED上方的除绝缘层。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将变得清楚，在附图中：
图1示出了条型LED的实施例；
图2示出了发光装置的实施例；
图3A至图3E示出了像素的各种实施例；
图4A至图4C示出了像素的各种实施例；
图5示出了发光区域的实施例；
图6示出了发光区域的另一实施例；
图7示出了图5中的发光区域的透视图；
图8示出了在图7中沿剖面线I-I'的视图；
图9A-图9G示出了用于制造发光装置的方法的实施例的各种阶段；
图10A-图10G示出了用于制造发光装置的方法的另一实施例的各种阶段；
图11A-图11B示出了在用于制造发光装置的方法的另一实施例中的阶段；
图12示出了发光装置的另一实施例。
具体实施方式
现在将参照附图描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施，并且不应被解释为受限于这里的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将把示例性实施方式充分传达给本领域技术人员。可以组合实施例(或其部分)以形成附加的实施例。
在附图中，为了清楚的说明，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在另一元层或基底上，或者也可以存在中间层。此外，还将理解的是，当层被称作“在”另一层“下方”时，该层可以直接在另一层下方，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以为两个层之间仅有的层，或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终指示同样的元件。
当元件被称为“连接”或“耦合”到另一元件时，该元件可以直接连接或耦合到另一元件，或者被间接连接或耦合到另一元件，其间插入一个或更多个中间元件。此外，当元件被称为“包括”组件时，这表示除非公开内容不同，否则该元件可以进一步包括另一组件而不是排除另一组件。
图1示出了条型LED 10的实施例，所述条型LED 10包括在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的活性层12。例如，条型LED 10可以实现为堆叠结构，其中，第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13顺序地堆叠。
图1中的条型LED 10具有圆柱形形状，但是在另一实施例中可以具有不同的形状，例如，包括但不限于长方体形状的各种多角柱形状。条型LED 10可以具有长度大的(例如，长宽比大于1的)杆状形状或条状形状。
在一些实施例中，条型LED 10还可以包括绝缘膜14。此外，在一些实施例中，条型LED 10可包括第一电极和第二电极。第一电极可以电连接到第一导电半导体层11。第二电极可以电连接到第二导电半导体层13。例如，第一电极可以通过第一导电半导体层11的未被绝缘膜14覆盖的一个表面(在图1中，条型LED 10的下表面)电连接到条型LED 10。第二电极可以通过第二导电半导体层13的未被绝缘膜14覆盖的一个表面(在图1中，条型LED 10的上表面)电连接到条型LED 10。
在一些实施例中，导电接触层可以在第一电极与第一导电半导体层11之间和/或第二电极与第二导电半导体层13之间。在一些实施例中，绝缘膜14可以使得第一导电半导体层11的侧表面和/或第二导电半导体层13的侧表面的至少一个区域经由其暴露。
条型LED 10可以被制造为具有小尺寸，例如，具有在微米或纳米尺度范围的直径和/或长度。在另一实施例中，条型LED 10的尺寸可以不同。此外，条型LED 10的尺寸和/或结构可以从图1中的尺寸和/或结构改变以对应于例如主机装置的发光装置的条件或要求。
第一导电半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种，并且可以包括掺杂有诸如Si、Ge或Sn的第一导电掺杂剂的半导体层。在另一实施例中，第一导电半导体层11的材料可以不同。
活性层12位于第一导电半导体层11上并且可以形成为具有单量子阱或多量子阱结构。在一些实施例中，可以在活性层12上方和/或下方形成掺杂有导电掺杂剂的覆层。例如，覆层可以被实现为AlGaN层或InAlGaN层。在一个实施例中，诸如AlGaN或AlInGaN的材料可以用于活性层12。如果向条型LED 10的不同端部施加具有预定电压或更大电压的电场，则条型LED 10基于活性层12中的电子-空穴对的结合而发射光。
第二导电半导体层13位于活性层12上，并且可以包括与第一导电半导体层11不同类型的半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种，并且可以包括掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂的半导体层。在另一实施例中，第二导电半导体层13可以由不同的材料制成。
在一些实施例中，条型LED 10可包括形成在第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13中的每个的上方和/或下方的磷光体层、活性层、半导体层和/或电极层。条型LED 10还可以包括绝缘膜14。然而，在一些实施例中，可以省略绝缘膜14。
绝缘膜14围绕第一导电半导体层11、活性层12和/或第二导电半导体层13的外圆周表面的至少一部分。例如，绝缘膜14可形成为至少围绕活性层12的外圆周表面。在一些实施例中，绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可以包括SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2中的至少一种。
当形成了绝缘膜14时，能够防止活性层12与第一电极和/或第二电极短路。此外，当形成了绝缘膜14时，能够减小条型LED 10的表面缺陷或者使条型LED 10的表面缺陷最小化，因此提高了寿命和效率。此外，当多个条型LED 10密集地进行布置时，绝缘膜14可以防止条型LED 10之间发生不期望的短路。
上述条型LED 10可以用作各种发光装置的发光源。例如，条型LED 10可以用作照明装置或自发光显示面板的发光源。
图2示出了包括条型LED的发光装置的实施例。在另一个实施例中，发光装置可以包括不同类型的LED。此外，在另一个实施例中，发光装置可以是不同类型的发光装置(诸如照明装置)。
参照图2，发光装置包括时序控制器110、扫描驱动器120、数据驱动器130和发光显示面板140。在图2中，发光显示面板140与时序控制器110、扫描驱动器120和/或数据驱动器130分离。在另一实施例中，扫描驱动器120和数据驱动器130中的至少一个可以与发光显示面板140集成为一体或者可以安装在发光显示面板140上。
时序控制器110从外部源(例如，用于发送图像数据的系统)接收用于驱动发光显示面板140的各种控制信号和图像数据。时序控制器110重新排列接收的图像数据，并且将重新排列的图像数据发送到数据驱动器130。此外，时序控制器110产生用于分别驱动扫描驱动器120和数据驱动器130的扫描控制信号和数据控制信号。所产生的扫描控制信号和数据控制信号分别被发送到扫描驱动器120和数据驱动器130。
扫描驱动器120从时序控制器110接收扫描控制信号并产生对应于扫描控制信号的扫描信号。由扫描驱动器120产生的扫描信号通过扫描线S[1]至S[n]供应至单位发光区域(例如，像素)142。
数据驱动器130从时序控制器110接收数据控制信号和图像数据并产生与数据控制信号和图像数据对应的数据信号。由数据驱动器130产生的数据信号输出到数据线D[1]至D[m]。输出到数据线D[1]至D[m]的数据信号被输入到由扫描信号选择的水平像素行上的像素142。
发光显示面板140包括连接至扫描线S[1]至S[n]和数据线D[1]至D[m]的多个像素142。在此实施例中，每个像素142可以包括至少一个如图1所示的条型LED 10。例如，每个像素142可以包括至少一个第一颜色条型LED、至少一个第二颜色条型LED和/或至少一个第三颜色条型LED。当从扫描线S[1]至S[n]提供扫描信号时，像素142选择性地发射与来自数据线D[1]至D[m]的数据信号对应的光。
像素142在每一个帧周期期间发射具有与输入数据信号对应的亮度的光。接收与黑色亮度对应的数据信号的像素142在对应的帧周期期间不发光从而显示黑色灰阶值。当发光显示面板140是有源显示面板时，可以通过进一步接收第一像素电源电压和第二像素电源电压以及扫描信号和数据信号来驱动发光显示面板140。
图3A-图3E示出了例如可以应用于无源发光显示面板的像素布置和结构的各种实施例。为了方便起见，在图3A至图3E中示出了在第i(i是自然数)水平像素行上的第j(j是自然数)像素(第一像素)142R、第(j+1)像素(第二像素)142G和第(j+2)像素(第三像素)142B。
在一些实施例中，第一像素142R、第二像素142G和第三像素142B可以是发射不同颜色(例如，红色、绿色和蓝色)的光的红色像素142R、绿色像素142G和蓝色像素142B，从而构成一个单元像素。在一个实施例中，图3A-图3E中的第一像素142R、第二像素142G和第三像素142B中的至少一个可以发射不同颜色的光，例如，白色。在这种情况下，发光装置可以包括与图2的发光显示面板140叠置或者与发光显示面板140一体地形成的滤色器层。
参照图3A，第一像素142R、第二像素142G和第三像素142B中的每一个可以包括发射预定颜色的光的至少一个条型LED nLEDr、nLEDg、nLEDb。例如，第一像素142R可以包括至少一个红色条型LED nLEDr。第二像素142G可以包括至少一个绿色条型LED nLEDg。第三像素142B可以包括至少一个蓝色条型LED nLEDb。
在一些实施例中，条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb中的每个可以连接在对应扫描线S[i]和对应的数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]之间。例如，条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb中的每个的第一电极(例如，阳极电极)可以连接到对应扫描线S[i]。条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb中的每个的第二电极(例如，阴极电极)可以连接到对应数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]。
当等于或大于阈值电压的电压被施加到每个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的不同端部时，条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb中的每个发射与所施加的电压的大小相对应的亮度的光。例如，调整施加到扫描线S[i]的扫描信号和/或施加到数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]的数据信号的电压以控制像素142R、142G和142B中的每个的发光。
参照图3B，在一些实施例中，第一像素142R、第二像素142G和第三像素142B中的每个可以包括并联连接的至少两个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb。第一像素142R、第二像素142G和第三像素142B中的每个的亮度可以与对应的像素142R、142G或142B中的多个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的亮度之和对应。当第一像素142R、第二像素142G和第三像素142B中的每个包括多个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb(例如，如上所述的大量条型LEDnLEDr、nLEDg和nLEDb)时，即使在一些其他条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb中发生缺陷，也可以防止该缺陷导致像素142R、142G或142B的缺陷。
参照图3C，在一些实施例中，第一像素142R、第二像素142G和第三像素142B中的每个中的条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的连接方向可以不同。例如，条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb中的每个的第一电极(阳极电极)可以连接到对应的数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]。第二电极(阴极电极)可以连接到对应的扫描线S[i]。图3A的实施例中的在对应的扫描线S[i]与对应的数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]之间施加的电压的方向可以与图3C的实施例中在对应的扫描线S[i]与对应的数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]之间施加的电压的方向相反。
参照图3D，根据图3C的实施例的第一像素142R、第二像素142G和第三像素142B中的每个还可以包括并联连接的至少两个条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb。
参照图3E，在一些实施例中，第一像素142R、第二像素142G和第三像素142B中的至少一个可以包括在不同方向上连接的多个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb。例如，第一像素142R、第二像素142G和第三像素142B中的每个可以包括具有连接到对应的扫描线S[i]的第一电极(阳极电极)和连接到对应数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]的第二电极(阴极电极)的至少一个条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb，以及具有连接到对应的数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]的第一电极(阳极电极)和连接到对应的扫描线S[i]的第二电极(阴极电极)的至少一个条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb。
在一些实施例中，图3E的像素142R、142G和142B可以是DC驱动或AC驱动。当图3E的像素142R、142G和142B是DC驱动时，正向连接的条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb可以发光而反向连接的条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb不会发光。当图3E的像素142R、142G和142B是AC驱动时，正向连接的条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb根据施加的电压的方向发光。例如，当图3E的像素142R、142G和142B是AC驱动时，像素142R、142G和142B中的每个中的条型LEDnLEDr、nLEDg和nLEDb可以根据施加的电压的方向交替地发光。
图4A至图4C示出了例如可以应用于有源发光显示面板的像素布置和结构的附加实施例。参照图4A，像素142R、142G和142B中的每个包括至少一个条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb以及与其连接的像素电路144。每个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的第一电极(例如，阳极电极)经由像素电路144连接到第一像素电源ELVDD。每个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的第二电极(例如，阴极电极)连接到第二像素电源ELVSS。第一像素电源ELVDD和第二像素电源ELVSS可以具有不同的电位。例如，第二像素电源ELVSS可以具有比第一像素电源ELVDD低条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的阈值电压或更多的电位。条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb中的每个发射与由对应的像素电路144控制的驱动电流对应的亮度的光。
图4A中示出了在像素142R、142G和142B中的每个中仅有一个条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb的实施例。例如，像素142R、142G和142B中的每个可以包括并联连接的多个条型LED nLEDr、nLEDg和/或nLEDb。
在一些实施例中，每个像素电路144可以包括第一晶体管M1和第二晶体管M2以及存储电容器Cst。第一晶体管(开关晶体管)M1的第一电极连接到对应的数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]。第一晶体管M1的第二电极连接到第一节点N1。在另一实施例中，像素电路144的结构可以不同。
第一晶体管M1的第一电极和第二电极可以是不同的电极。例如，当第一电极是源电极时，第二电极可以是漏电极。此外，第一晶体管M1的栅电极连接到对应的扫描线S[i]。当从扫描线S[i]供应具有能够使第一晶体管M1导通的电压(例如，低电压)的扫描信号时，第一晶体管M1导通以将数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]电连接至第一节点N1。此时，对应帧的数据信号供应至数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]。因此，数据信号发送到第一节点N1。发送到第一节点N1的数据信号被充入存储电容器Cst中。
第二晶体管(驱动晶体管)M2的第一电极连接到第一像素电源ELVDD。第二晶体管M2的第二电极连接到条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb的第一电极。此外，第二晶体管M2的栅电极连接到第一节点N1。第二晶体管M2对应于第一节点N1的电压控制供应至条型LEDnLEDr、nLEDg或nLEDb的驱动电流的量。
存储电容器Cst具有连接到第一像素电源ELVDD的一个电极和连接到第一节点N1的另一个电极。存储电容器Cst充入与供应至第一节点N1的数据信号对应的电压，并保持被充入的电压直到供应下一帧的数据信号为止。
在图4A中，像素142R、142G和142B中的每个具有相对简单的结构，该结构包括用于在像素142R、142G或142B内传输数据信号的第一晶体管M1、用于存储基于数据信号的电压的存储电容器Cst以及用于向条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb供应与数据信号对应的驱动电流的第二晶体管M2。在另一实施例中，像素142R、142G和142B可以具有不同的结构。在一个实施例中，像素电路144可以包括至少一个晶体管元件，例如，用于补偿第二晶体管M2的阈值电压的晶体管元件、用于使第一节点N1初始化的晶体管元件和/或用于控制发光时间的晶体管元件。每个像素可以包括其他电路元件，例如，用于提升第一节点N1的电压的升压电容器。
此外，图4A的像素电路144中的所有晶体管(例如，第一晶体管M1和第二晶体管M2)是p型晶体管。在另一实施例中，像素电路144中的晶体管M1和M2中的至少一个可以是n型晶体管。
参照图4B，在一些实施例中，第一晶体管M1和第二晶体管M2可以是n型晶体管。除了一些组件的连接位置基于晶体管类型而不同，图4B中的像素电路144'的构造或操作可以与图4A中的像素电路144类似。
参照图4C，在一些实施例中，像素142R、142G和142B中的每个可以包括在不同方向上连接的多个条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb。在这种情况下，像素142R、142G和142B可以是DC驱动或AC驱动。
图5示出了发光装置的发光区域的实施例。图6示出了例如可以是图5中的装置的修改的发光区域的另一实施例。这些实施例可以应用于发光显示面板、照明装置或其他类型的装置。
在图5和图6中，条型LED在水平方向上布置。在另一实施例中，至少一个条型LED可以在第一电极与第二电极之间的倾斜方向上对准。另外，在图6中，多个条型LED平行布置，但是在另一实施例中可以不同地布置。
参照图5，发光装置包括至少一个发光区域EA。至少一个条型LED nLEDr、nLEDg和/或nLEDb设置在每个发光区域EA中。例如，发光装置可以是发光显示装置。在这种情况下，发光装置可以包括发光显示面板，所述发光显示面板包括多个发光区域EA，所述多个发光区域EA分别对应于像素142R、142G和142B。
像素142R、142G和142B中的每个包括包含至少一个条型LED nLEDr、nLEDg和/或nLEDb的发光区域EA。在其他实施例中，每个发光区域EA中的条型LED nLEDr、nLEDg和/或nLEDb的数量可以不同。例如，在图6中，多个条型LED nLEDr、nLEDg和/或nLEDb可以位于每个发光区域EA中。
例如，第一电极210和第二电极220彼此分隔开。至少一个条型LED nLEDr、nLEDg和/或nLEDb可以在每个发光区域EA中电连接在第一电极210与第二电极220之间。例如，条型LED nLEDr、nLEDg和/或nLEDb的第一端部可以位于第一电极210上。条型LED nLEDr、nLEDg和/或nLEDb的第二端部可以位于第二电极220上。在一些实施例中，用于将条型LEDnLEDr、nLEDg和/或nLEDb的不同端部稳定地电连接和/或物理连接到第一电极210和第二电极220的导电接触层240可以分别设置在条型LED nLEDr、nLEDg和/或nLEDb的不同端部上。
第一电极210连接到第一电极线并且第二电极220连接到第二电极线以接收预定的电源或信号。例如，在无源发光显示装置中，第一电极210可以连接到对应的扫描线S[i]以接收扫描信号，第二电极220可以连接到对应的数据线D[j]、D[j+1]或D[j+2]以接收数据信号。如图4A至图4C所示，在有源发光显示装置中，第一电极210和第二电极220中的至少一个可以连接到像素电路144或144'。
在发光装置的制造工艺期间至少使条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb对准的工艺中，第一电极210和第二电极220可以分别电连接到第一短路条和第二短路条。第一短路条可以共同连接到多个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的第一电极。第二短路条可以共同连接到多个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的第二电极。然而，当在制造发光装置之后将要独立地驱动多个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb时，可以切断多个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的第一电极210和第二电极220与第一短路条和第二短路条之间的连接。例如，可以将第一短路条和第二短路条形成在发光显示面板的划片线的外侧，使得当执行划片工艺时，第一电极210和第二电极220可以同时与第一短路条和第二短路条分离。
图7示出了图5中的发光区域的另一实施例。图8是在图7中沿剖面线I-I'截取的剖视图。在图7中，省略了导电接触层的说明以便阐明条型LED与第一电极和第二电极之间的位置关系。另外，在图8中，示出了导电接触层以阐明条型LED与第一电极和第二电极之间的连接结构。图7和图8示出了发光装置的所有发光区域中的部分发光区域。多个第一电极和第二电极以及多个条型LED可以设置在发光装置的基底上。
参照图7和图8，发光装置包括基底200、位于基底200上的第一电极210和第二电极220以及连接在第一电极210和第二电极220之间的至少一个条型LED nLED。例如，发光装置包括基底200与条型LED nLED之间的绝缘支撑体230以防止条型LED nLED的偏离。
例如，基底200可以是包括透明材料的绝缘基底。例如，基底200可以是包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中的至少一种的柔性基底。此外，基底200可以是包括玻璃或者钢化玻璃的刚性基底。在另一实施例中，基底200可以是不透明的基底、半透明的基底和/或反射性的基底。
在一些实施例中，缓冲层201可以位于基底200上。在其他实施例中，可以省略缓冲层201。
第一电极210和第二电极220彼此分隔开。在一些实施例中，第一电极210和第二电极220可以以距离d彼此分隔开，所述距离d比条型LED nLED的长度L短。例如，第一电极210和第二电极220可以以足够长的距离d彼此分隔开，使得条型LED nLED的不同端部可以连接在第一电极210和第二电极220之间，同时分别稳定地位于第一电极210和第二电极220上。第一电极210和第二电极220可以由各种导电电极材料中的至少一种形成。
在一些实施例中，第一电极210和第二电极220位于相同的平面上并且可以具有相同的高度H。当第一电极210和第二电极220具有相同的高度H时，条型LED nLED可以更稳定地位于第一电极210和第二电极220上。
条型LED nLED的一个端部位于第一电极210上。条型LED nLED的另一个端部位于第二电极220上。在一些实施例中，条型LED nLED可以包括在其外圆周面上的绝缘膜14。绝缘膜14防止条型LED nLED的活性层与第一电极210和/或第二电极220短路。然而，当绝缘膜14位于条型LED nLED与第一电极210和第二电极220之间时，会切断条型LED nLED与第一电极210和第二电极220之间的电连接。因此，在一些实施例中，可以去除绝缘膜14的至少一部分，并且/或者可以附加地形成导电接触层240以使条型LED nLED稳定地连接到第一电极210和第二电极220。
导电接触层240将条型LED nLED的不同端部分别电连接到第一电极210和第二电极220。例如，导电接触层240可以分别覆盖条型LED nLED的一个端部的上部和第一电极210的一个暴露的端部以及条型LED nLED的另一个端部的上部和第二电极220的一个暴露的端部。例如，条型LED nLED的未被绝缘膜14覆盖的侧表面可以分别通过导电接触层240电连接到第一电极210和第二电极220。
导电接触层240可以提供不仅将条型LED nLED电连接到第一电极210和第二电极220，而且还将条型LED nLED物理连接到第一电极210和第二电极220的键合功能。
在一些实施例中，导电接触层240可以包括诸如ITO、IZO或ITZO的透明导电材料，使得从条型LED nLED发射的光可以从其透过。在另一个实施例中，构成导电接触层240的材料可以是不同的。
在实施例中，绝缘支撑体230在条型LED nLED下方，例如，在基底200与条型LEDnLED之间。例如，绝缘支撑体230可以填充基底200与条型LED nLED之间的垂直空间。绝缘支撑体230稳定地支撑条型LED nLED以防止在第一电极210和第二电极220之间对准的条型LED nLED偏离。例如，绝缘支撑体230可以形成为防止条型LED nLED偏离条型LED nLED在第一电极210与第二电极220之间对准的位置。
可以在将条型LED nLED在第一电极210和第二电极220上对准的工艺之后，执行形成将条型LED nLED物理地和/或电气地连接到第一电极210和第二电极220的导电接触层240的工艺。为了防止接触材料的分离，可以在形成导电接触层240之前首先执行清洁工艺。可以通过清洁工艺形成条型LED nLED与第一电极210和第二电极220之间的欧姆接触。
然而，当不存在绝缘支撑体230时，在基底200和条型LED nLED之间存在空的空间。如果在此状态下执行清洁工艺，则条型LED nLED会易于偏离。因此，尽管多个条型LED nLED在基底200上对准，但是多个条型LED nLED中的大量条型LED nLED会偏离它们对准的位置。此外，当不存在绝缘支撑体230时，在除清洁工艺之外的其他后续工艺中会发生条型LEDnLED的偏离。因此，在清洁工艺之前预先形成用于防止条型LED nLED偏离的绝缘支撑体230。
在一些实施例中，可以使用条型LED nLED作为掩模来形成绝缘支撑体230，而不需要任何附加的掩模工艺。绝缘支撑体230可以具有与条型LED nLED的形状对应的形状。例如，绝缘支撑体230可以具有与条型LED nLED的直径D对应的宽度。此外，绝缘支撑体230可以位于基底200上并且设置在与第一电极210和第二电极220相同的平面上。因此，绝缘支撑体230具有与第一电极210和第二电极220相同的高度H。在一些实施例中，绝缘支撑体230可以具有与第一电极210和第二电极220之间的间隔距离d对应的长度。例如，绝缘支撑体230的最短长度可以与第一电极210和第二电极220之间的距离d相同。
在一些实施例中，绝缘支撑体230可以包括一个或更多个有机层和一个或更多个无机层中的至少一个。例如，绝缘支撑体230可以包括包含正型光致抗蚀剂的有机层。在一个实施例中，绝缘支撑体230可以包括除光致抗蚀剂之外的另一有机层，或者可以利用无机层构造。
根据实施例，绝缘支撑体230位于基底200与条型LED nLED之间以防止条型LEDnLED在随后的工艺(诸如清洁工艺)中偏离条型LED nLED对准的位置。结果，可以提高发光装置的良率。
图9A至图9G示出了用于制造发光装置的方法的另一实施例的各种阶段。参照图9A，在基底200上的发光区域EA中形成第一电极210和第二电极220以使其彼此分隔开。在一些实施例中，可以在形成第一电极210和第二电极220之前形成缓冲层201。在一些实施例中，形成第一电极210和第二电极220的操作可以包括在基底200上形成导电层，然后对导电层进行图案化从而形成第一电极210和第二电极220。
参照图9B，将至少一个条型LED注入和/或散布到形成有第一电极210和第二电极220的发光区域EA中。喷墨打印技术可以用作将条型LED nLED注入到第一电极210和第二电极220上的非限制性示例。例如，可以在对应的发光区域EA中设置出口(或喷嘴)310，并可以滴落包括条型LED nLED的溶液300，从而将条型LED nLED注入和/或散布到发光区域EA中。在一些实施例中，溶液300可以具有墨或膏状相。将条型LED nLED注入到发光区域EA中的技术可以在另一实施例中不同。
在图9B中，为了便于描述，可以示出与实际尺寸或比例不同的一些组件的尺寸或比例。例如，在一个实施例中，溶液300中的条型LED nLED的长度可以比第一电极210和第二电极220之间的距离长。
参照图9C，将条型LED nLED对准以使其物理地和/或电气地连接在第一电极210和第二电极220之间。例如，条型LED nLED可以在第一电极210和第二电极220的至少一个区域上自对准。在一些实施例中，可以通过向第一电极210和第二电极220施加DC或AC电压来引起条型LED nLED的自对准。例如，当向第一电极210和第二电极220施加电压时，由第一电极210和第二电极220之间的电场引起条型LED nLED的偶极性。因此，条型LED nLED在第一电极210和第二电极220之间自对准。条型LED的注入或散布与电场的形成可以顺序地执行或者同时地执行。
参照图9D，在形成有第一电极210和第二电极220及条型LED nLED的发光区域EA上形成绝缘层230a。绝缘层230a可以是一个或更多个有机层和/或一个或更多个无机层。例如，可以至少在发光区域EA上形成或涂覆有机绝缘层230a。
参照图9E，通过使用条型LED nLED作为掩模的光刻工艺来对绝缘层230a进行图案化。例如，可以对基底200的其上形成有包括正型光致抗蚀剂的有机绝缘层230a的前表面(形成有条型LED nLED的表面)进行UV曝光和固化。在此操作之后，可以对绝缘层230a进行图案化，使得引入到条型LED nLED下方的绝缘层230a保留，并且去除形成在第一电极210和第二电极220及条型LED nLED上方的绝缘层230a。
参照图9F，通过对绝缘层230a进行图案化的工艺在条型LED nLED下方(基底200与条型LED nLED之间)形成绝缘支撑体230。绝缘支撑体230可以防止条型LED nLED的偏离。在一些实施例中，可以在形成绝缘支撑体230之后另外执行清洁工艺。
参照图9G，分别在条型LED nLED的不同端部以及与其连接的第一电极210和第二电极220的第一端部上形成导电接触层240。因此，条型LED nLED以及第一电极210和第二电极220可以彼此电连接。同时，条型LED nLED可以稳定地物理地结合到第一电极210和第二电极220。
因此，在使条型LED nLED对准的工艺之后，可以使用条型LED nLED作为掩模在条型LED nLED下方(在基底200和条型LED nLED之间)形成绝缘支撑体230。因此，可以易于形成绝缘支撑体230而不需要附加的掩模工艺。此外，由于绝缘支撑体230仅形成在条型LEDnLED下方，所以在后续工艺中不会出现曝光分辨率的问题。
绝缘支撑体230在包括清洁工艺的后续工艺中稳定地支撑条型LED nLED。因此，可以防止条型LED nLED的偏离。
图10A至图10G示出了用于制造发光装置的方法的另一个实施例中的各种阶段。参照图10A至图10G，此方法包括：在基底200上的发光区域EA中形成第一电极210和第二电极220(图10A)，将至少一个条型LED nLED注入和/或散布到其中形成第一电极210和第二电极220的发光区域EA(图10B)中，使条型LED nLED(图10C)对准，至少在基底200上的其上形成有条型LED nLED的发光区域EA中形成绝缘层230b(图10D)，通过仅使条型LED nLED下方的绝缘层230b保留的蚀刻工艺来形成绝缘支撑体230(图10E和10F)，并分别在条型LED nLED的不同端部上形成导电接触层240(图10G)。
在此实施例中，绝缘层230b可以包括一个或更多个有机层和/或一个或更多个无机层。此外，通过使绝缘层230b图案化来形成绝缘支撑体230的步骤可以包括：通过使用条型LED nLED作为掩模的正面垂直蚀刻工艺使得条型LED nLED下方的绝缘层230b保留，并且去除第一电极210和第二电极220及条型LED nLED上方的绝缘层230b。正面垂直蚀刻工艺可以是例如使用蚀刻气体的干蚀刻工艺。
图11A和11B示出了用于制造发光装置的方法的另一个实施例中的各种阶段。图11A和图11B示出了发光装置中的发光显示面板。特别地，图11A和图11B示出了在发光显示面板的发光区域的每个单位像素区域中形成条型LED和绝缘支撑体的操作。
参照图11A，所述方法使用其中包含溶液300的出口(或喷嘴)310。溶液包括与由像素限定层320限定的每个像素区域中的对应的像素的颜色对应的条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb。在一些实施例中，像素限定层320可以至少部分地与数据线D叠置。
在图11A中，一些组件的尺寸或者比例可以与实际使用的尺寸或者比例不同。例如，溶液300中的条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb可以具有与在第一电极210和第二电极220之间对准的条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的尺寸基本相等或相似的尺寸。
在一些实施例中，溶液300可以具有墨或膏状相。例如，溶液300可以是包括条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb的墨水。在此实施例中，用于形成绝缘支撑体的绝缘材料可以在溶液300中与条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb混合。例如，条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb和正型光致抗蚀剂可以在溶液300中混合。溶液300中的绝缘材料、各种有机/无机绝缘材料中的至少一种以及正型光致抗蚀剂可以与条型LED nLEDr、nLEDg、或nLEDb混合。
当其中有条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb与绝缘材料混合在一起的绝缘层被涂覆(或滴落)到每个像素区域上时，可以在将至少一个条型LED nLEDr、nLEDg或nLEDb注入到每个像素区域中的同时形成绝缘层230c。例如，在此实施例中，可以使注入条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的工艺与形成绝缘层230c的工艺一体化。在一些实施例中，在注入条型LEDnLEDr、nLEDg和nLEDb之后或者在注入条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的同时，可以向第一电极210和第二电极220施加电压，从而使条型LED nLEDr，nLEDg和nLEDb自对准。
参照图11B，可以使用对准的条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb作为掩模，在条型LEDnLEDr、nLEDg和nLEDb的下方形成绝缘支撑体230。例如，通过使用对准的条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb作为掩模的蚀刻工艺，可以保留条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb下方的绝缘层230c，并且可以去除第一电极210和第二电极220以及条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb上方的绝缘层230，从而使绝缘支撑体230仅形成在每个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb下方(在基底200与条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb之间)。
例如，当绝缘层230c包括正型光致抗蚀剂时，通过使用条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb作为掩模的光刻工艺，可以保留在条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb下方的绝缘层230c，并且可以去除第一电极210和第二电极220以及条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb上方的绝缘层230。
除了光刻工艺之外，通过使用条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb作为掩模的正面垂直蚀刻工艺等，可以保留在条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb下方的绝缘层230c，并且可以去除第一电极210和第二电极220以及条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb上方的绝缘层230。绝缘层230c可以是有机层和/或无机层。
如上所述，注入条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb的工艺以及形成绝缘层230c的工艺被一体化，使得可以通过相对简单的工艺而形成绝缘支撑体230。
图12示出了发光装置的另一实施例。参照图12，可以在基底200和条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb之间进一步设置诸如晶体管Tr和电容器C的电路元件250及覆盖电路元件250的绝缘层270。在一些实施例中，反射层260可以设置在每个条型LED nLEDr、nLEDg和nLEDb下方。例如，可以通过扩展至少一个晶体管Tr和/或至少一个电容器C的电极之中的至少一个电极的面积来构造反射层260。
在图12中示出了晶体管Tr和电容器C的示例。在其他实施例中，这些元件的形状、结构、位置和/或数量可以不同。例如，可以在每个像素区域中形成图4A中的像素电路144的电路元件250。
根据本实施例，绝缘支撑体形成在基底200与条型LED nLED之间。因此，在使条型LED nLED对准的工艺之后，可以防止条型LED nLED偏离条型LED nLED对准的位置。
这里已经公开了示例实施例，尽管采用了特定术语，但是仅以普遍的和描述性的含义来使用和解释这些术语，而并不是出于限制的目的。在某些情况下，除非另有特别说明，否则截止到本申请提交时对本领域的普通技术人员来说清楚的是，结合具体实施例进行描述的特征、特性和/或元件可以单独地使用，或者与结合其他示例性实施例描述的特征、特性和/或元件组合起来使用。因此，本领域的技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式上和细节上的各种改变。

Claims (16)

1.一种发光装置，包括：
基底；
第一电极和第二电极，在基底上彼此分隔开；
至少一个LED，具有位于所述第一电极上的第一端部和位于所述第二电极上的第二端部；
绝缘支撑体，位于所述基底与所述LED之间；
绝缘膜，围绕所述LED的外周表面的至少一部分并且暴露所述第一端部和所述第二端部的相对的侧表面；以及
导电接触层，分别设置在所述LED的所述第一端部和所述第二端部上，
其中，设置在所述第一端部上的所述导电接触层与所述第一电极的上表面和所述第一端部的所述侧表面接触，设置在所述第二端部上的所述导电接触层与所述第二电极的上表面和所述第二端部的所述侧表面接触，并且
其中，所述导电接触层接触所述绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述LED具有微米尺度或纳米尺度的圆柱体形状或多角柱形状。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述LED包括掺杂有第一导电掺杂剂的第一导电半导体层、掺杂有第二导电掺杂剂的第二导电半导体层以及位于所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间的活性层。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述绝缘支撑体具有与所述LED的直径或宽度对应的宽度。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述绝缘支撑体的最短长度基本上等于所述第一电极与所述第二电极之间的距离。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述绝缘支撑体在所述基底上位于同一平面上，并且具有基本相同的高度。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述绝缘支撑体包括一个或更多个有机层和一个或更多个无机层中的至少一者。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其中：
所述导电接触层将所述LED的所述第一端部和所述第二端部分别连接到所述第一电极和所述第二电极。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其中，所述导电接触层覆盖所述LED的所述第一端部和所述第二端部以及所述第一电极和所述第二电极的一个端部。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一电极和所述第二电极以比所述LED的长度小的距离彼此分隔开。
11.一种发光显示装置，包括：
发光显示面板，包括基底和位于所述基底上的多个像素，
所述多个像素中的每个像素包括：
第一电极和第二电极，在所述基底上彼此分隔开；
至少一个LED，具有位于所述第一电极上的第一端部和位于所述第二电极上的第二端部；
绝缘支撑体，位于所述基底与所述LED之间；
绝缘膜，围绕所述LED的外周表面的至少一部分并且暴露所述第一端部和所述第二端部的相对的侧表面；以及
导电接触层，分别设置在所述LED的所述第一端部和所述第二端部上，
其中，设置在所述第一端部上的所述导电接触层与所述第一电极的上表面和所述第一端部的所述侧表面接触，设置在所述第二端部上的所述导电接触层与所述第二电极的上表面和所述第二端部的所述侧表面接触，并且
其中，所述导电接触层接触所述绝缘膜。
12.根据权利要求11所述的发光显示装置，还包括：像素限定层，位于相邻的两个像素之间。
13.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，所述相邻的两个像素发射不同颜色的光。
14.根据权利要求11所述的发光显示装置，其中：
所述多个像素中的每个像素还包括：
晶体管，位于所述基底与所述第一电极和所述第二电极之间；以及
绝缘层，设置在所述晶体管与所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电极和所述第二电极中的一个电连接到所述晶体管。
15.根据权利要求11所述的发光显示装置，其中，所述多个像素中的每个像素包括多个LED。
16.根据权利要求11所述的发光显示装置，其中，所述导电接触层部分地覆盖所述第一电极。
CN201710574010.XA 2016-07-15 2017-07-14 发光装置及其制造方法 Active CN107634081B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0090194 2016-07-15
KR1020160090194A KR102592276B1 (ko) 2016-07-15 2016-07-15 발광장치 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107634081A CN107634081A (zh) 2018-01-26
CN107634081B true CN107634081B (zh) 2023-06-20

Family

ID=59350812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710574010.XA Active CN107634081B (zh) 2016-07-15 2017-07-14 发光装置及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US10340419B2 (zh)
EP (1) EP3270424A1 (zh)
KR (2) KR102592276B1 (zh)
CN (1) CN107634081B (zh)

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102574603B1 (ko) * 2016-07-15 2023-09-07 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
US10672803B2 (en) * 2017-12-29 2020-06-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
KR102493479B1 (ko) * 2018-02-06 2023-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
KR102448104B1 (ko) * 2018-02-08 2022-09-29 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 그의 제조 방법
KR102503168B1 (ko) * 2018-02-08 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102559514B1 (ko) * 2018-04-13 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102517393B1 (ko) * 2018-04-18 2023-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102299992B1 (ko) * 2018-04-25 2021-09-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 이를 구비한 표시 장치, 및 그의 제조 방법
KR102502608B1 (ko) * 2018-06-11 2023-02-22 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 그 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR102634586B1 (ko) 2018-06-11 2024-02-07 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 그 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR102627216B1 (ko) * 2018-09-14 2024-01-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치의 제조 장치
KR102559961B1 (ko) * 2018-06-27 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치의 제조 장치
CN112352306A (zh) * 2018-06-27 2021-02-09 三星显示有限公司 用于制造发光显示装置的设备
KR102540894B1 (ko) 2018-07-05 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
KR102606922B1 (ko) * 2018-07-06 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102600602B1 (ko) * 2018-07-09 2023-11-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 포함한 표시 장치
KR102604659B1 (ko) * 2018-07-13 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR102605339B1 (ko) * 2018-07-18 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
KR102545982B1 (ko) * 2018-07-24 2023-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102559097B1 (ko) 2018-07-27 2023-07-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
KR102520554B1 (ko) * 2018-07-30 2023-04-13 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR102557754B1 (ko) * 2018-08-03 2023-07-20 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR102607698B1 (ko) 2018-08-06 2023-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102568353B1 (ko) * 2018-08-16 2023-08-18 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR102557981B1 (ko) * 2018-08-20 2023-07-24 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
KR102581666B1 (ko) * 2018-08-24 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102610424B1 (ko) * 2018-08-30 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102652501B1 (ko) * 2018-09-13 2024-03-29 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR102536489B1 (ko) 2018-09-18 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102630588B1 (ko) * 2018-09-21 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치의 제조 장치 및 제조 방법
KR102559818B1 (ko) * 2018-09-21 2023-07-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자의 정렬 방법과 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
KR102584274B1 (ko) 2018-10-05 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 표시 장치
KR102654268B1 (ko) * 2018-10-10 2024-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102579915B1 (ko) * 2018-11-22 2023-09-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR102553231B1 (ko) * 2018-11-27 2023-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102535276B1 (ko) 2018-12-20 2023-05-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102592426B1 (ko) * 2019-01-02 2023-10-23 삼성디스플레이 주식회사 잉크젯 프린팅 장치, 쌍극자 정렬 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR20200088961A (ko) * 2019-01-15 2020-07-24 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 표시 장치
KR20200088960A (ko) * 2019-01-15 2020-07-24 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20200088946A (ko) * 2019-01-15 2020-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN113544852A (zh) 2019-02-11 2021-10-22 三星显示有限公司 发光装置溶剂、包含发光装置溶剂的发光装置墨及用于制造显示装置的方法
KR20200099037A (ko) * 2019-02-13 2020-08-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102649168B1 (ko) * 2019-03-04 2024-03-19 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 화소의 구동 방법
KR20200118937A (ko) * 2019-04-08 2020-10-19 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 구비한 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020246857A1 (ko) * 2019-06-05 2020-12-10 한양대학교 에리카산학협력단 마이크로 led 디스플레이 및 그 제조 방법
KR102219187B1 (ko) * 2019-06-05 2021-02-25 한양대학교 에리카산학협력단 Led 디스플레이 제조 방법
KR20200026678A (ko) * 2019-06-20 2020-03-11 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조를 위한 기판 및 디스플레이 장치의 제조방법
KR20210000351A (ko) * 2019-06-24 2021-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR20210008206A (ko) * 2019-07-10 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치
KR20210008252A (ko) * 2019-07-12 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 구비한 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210021196A (ko) * 2019-08-14 2021-02-25 삼성디스플레이 주식회사 발광소자, 발광장치 및 그 제조 방법
KR20210027564A (ko) * 2019-08-28 2021-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210034734A (ko) 2019-09-20 2021-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210042219A (ko) * 2019-10-08 2021-04-19 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 구비한 표시 장치, 및 그의 제조 방법
KR20210055829A (ko) * 2019-11-07 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210059110A (ko) * 2019-11-14 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210065239A (ko) * 2019-11-26 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021102742A1 (zh) * 2019-11-27 2021-06-03 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 多面发光电路板及其制作方法
KR20210099681A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 삼성전자주식회사 3차원 구조 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR20210102560A (ko) 2020-02-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210106054A (ko) * 2020-02-19 2021-08-30 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 표시 장치
KR20210109088A (ko) * 2020-02-26 2021-09-06 삼성디스플레이 주식회사 잉크젯 프린팅 장치, 쌍극성 소자의 프린팅 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR20210124564A (ko) * 2020-04-03 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210132257A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210136213A (ko) * 2020-05-06 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210148536A (ko) * 2020-05-29 2021-12-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210157928A (ko) 2020-06-22 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220021949A (ko) * 2020-08-13 2022-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220025986A (ko) 2020-08-24 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023106861A1 (ko) * 2021-12-08 2023-06-15 엘지전자 주식회사 화소용 반도체 발광소자의 전사를 위한 기판 구조 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2023140393A1 (ko) * 2022-01-19 2023-07-27 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
KR20230145635A (ko) 2022-04-08 2023-10-18 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함한 표시 장치
WO2024058290A1 (ko) * 2022-09-16 2024-03-21 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005022654A2 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
KR100593937B1 (ko) * 2005-03-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 Ｓｉ기판을 이용한 ＬＥＤ 패키지 및 그 제조방법
CN101521183A (zh) * 2008-02-27 2009-09-02 斯坦雷电气株式会社 半导体发光器件及其制造方法
WO2011048318A1 (fr) * 2009-10-23 2011-04-28 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'une ecran a tres haute resolution utilisant un film conducteur emissif anisotropique a base de nanofils
WO2016084671A1 (ja) * 2014-11-26 2016-06-02 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
WO2016108021A1 (fr) * 2014-12-30 2016-07-07 Aledia Dispositif optoélectronique a diodes électroluminescentes

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4914929B1 (zh) 1968-05-13 1974-04-11
JPS4814394B1 (zh) 1968-12-06 1973-05-07
JP2002344011A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Sony Corp 表示素子及びこれを用いた表示装置
TWI220319B (en) * 2002-03-11 2004-08-11 Solidlite Corp Nano-wire light emitting device
KR20070035306A (ko) 2005-09-27 2007-03-30 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR101535064B1 (ko) 2008-01-17 2015-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 광원 모듈 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2010177154A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その製造方法、および電子機器
DE102009014808A1 (de) * 2009-03-25 2010-10-07 Continental Automotive Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern eines eine Ansprechverzögerung aufweisenden Steuerelements einer Antriebseinrichtung
JP4914929B2 (ja) 2009-10-15 2012-04-11 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
KR20110041401A (ko) 2009-10-15 2011-04-21 샤프 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
JP4887414B2 (ja) 2009-10-19 2012-02-29 シャープ株式会社 発光装置、バックライト、照明装置および表示装置
US8872214B2 (en) * 2009-10-19 2014-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Rod-like light-emitting device, method of manufacturing rod-like light-emitting device, backlight, illuminating device, and display device
JP4814394B2 (ja) 2010-03-05 2011-11-16 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
JP2012004535A (ja) 2010-05-17 2012-01-05 Sharp Corp 発光装置の製造方法
KR20120138805A (ko) * 2010-03-12 2012-12-26 샤프 가부시키가이샤 발광 장치의 제조 방법, 발광 장치, 조명 장치, 백라이트, 액정 패널, 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법, 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치
KR101244926B1 (ko) 2011-04-28 2013-03-18 피에스아이 주식회사 초소형 ｌｅｄ 소자 및 그 제조방법
JP2013172028A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子及び車両用灯具
KR102006352B1 (ko) * 2012-11-20 2019-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102097023B1 (ko) * 2013-06-17 2020-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR101436123B1 (ko) 2013-07-09 2014-11-03 피에스아이 주식회사 초소형 led를 포함하는 디스플레이 및 이의 제조방법
US9773761B2 (en) * 2013-07-09 2017-09-26 Psi Co., Ltd Ultra-small LED electrode assembly and method for manufacturing same
JP6425921B2 (ja) 2014-06-12 2018-11-21 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
US9543488B2 (en) * 2014-06-23 2017-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
KR101628345B1 (ko) 2014-07-08 2016-06-09 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리의 제조방법
KR20160055519A (ko) * 2014-11-10 2016-05-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조방법
CN105161579A (zh) * 2015-08-17 2015-12-16 深圳市华星光电技术有限公司 掺杂金属的量子点及led器件和背光模组
KR20210098661A (ko) * 2020-02-03 2021-08-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
CN114843306A (zh) * 2021-02-02 2022-08-02 群创光电股份有限公司 显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005022654A2 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
KR100593937B1 (ko) * 2005-03-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 Ｓｉ기판을 이용한 ＬＥＤ 패키지 및 그 제조방법
CN101521183A (zh) * 2008-02-27 2009-09-02 斯坦雷电气株式会社 半导体发光器件及其制造方法
WO2011048318A1 (fr) * 2009-10-23 2011-04-28 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'une ecran a tres haute resolution utilisant un film conducteur emissif anisotropique a base de nanofils
WO2016084671A1 (ja) * 2014-11-26 2016-06-02 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
WO2016108021A1 (fr) * 2014-12-30 2016-07-07 Aledia Dispositif optoélectronique a diodes électroluminescentes

Also Published As

Publication number Publication date
US11005009B2 (en) 2021-05-11
US10340419B2 (en) 2019-07-02
KR20180009014A (ko) 2018-01-25
CN107634081A (zh) 2018-01-26
US20190326474A1 (en) 2019-10-24
US20210265529A1 (en) 2021-08-26
EP3270424A1 (en) 2018-01-17
US20180019377A1 (en) 2018-01-18
KR20230148802A (ko) 2023-10-25
KR102592276B1 (ko) 2023-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107634081B (zh) 发光装置及其制造方法
CN107623013B (zh) 发光器件及其制造方法
CN107644886B (zh) 发光装置及其制造方法
CN108206228B (zh) 发光设备以及发光设备的制造方法
KR102493479B1 (ko) 표시 장치의 제조 방법
US20200058701A1 (en) Light emitting device and display device including the same
KR20190124359A (ko) 발광 장치, 이를 구비한 표시 장치, 및 그의 제조 방법
CN112470294B (zh) 发光装置、其制造方法以及设置有其的显示装置
US20220352426A1 (en) Light emitting device and method of fabricating same
CN113994472A (zh) 显示装置及其制造方法
KR20210021196A (ko) 발광소자, 발광장치 및 그 제조 방법
CN116686090A (zh) 显示装置的制造方法及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant