CN107164742B - 具有共享泵的真空腔室 - Google Patents
具有共享泵的真空腔室 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107164742B CN107164742B CN201710469677.3A CN201710469677A CN107164742B CN 107164742 B CN107164742 B CN 107164742B CN 201710469677 A CN201710469677 A CN 201710469677A CN 107164742 B CN107164742 B CN 107164742B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate transfer
- foreline
- chamber
- transfer chamber
- conduit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 19
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 16
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 16
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本申请公开了具有共享腔的真空腔室。本揭示案的实施例大体关于真空处理腔室,这些真空处理腔室具有不同泵送要求且经由单个前级真空管线连接至共享泵送系统。在一个实施例中,真空处理腔室包括耦接至单个高传导前级真空管线的高传导泵送管道及低传导泵送管道。在另一实施例中,多个非平衡腔室组可藉由最终的前级真空管线连接至公共泵送系统。
Description
本申请是PCT国际申请号为PCT/US2012/027099、国际申请日为2012年2月29日、进入中国国家阶段的申请号为201280008689.1,题为“具有共享泵的真空腔室”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求提交于2011年3月1日的美国临时专利申请序列号61/448,024的权益。
技术领域
本揭示案的实施例大体关于具有不同泵送要求的真空腔室,这些真空腔室经由单个前级真空管线耦接至泵送系统。
背景技术
在诸如用于制造集成电路、平板显示器,及磁性介质等其它对象的工具的真空处理工具中,经由使用真空泵维持真空处理工具的腔室的真空环境。由于作业于各个真空处理腔室的过程具有不同压力及/或泵送要求,所以每一真空处理腔室典型地具有专用真空泵。因此,真空泵传统地只共享于具有相同泵送要求的真空腔室之间,因为不能精密满足不同环境的独特泵送要求。每一真空腔室的专用泵的需求增加系统的总成本,以及硬件成本及与多个泵的额外空间要求相关联的成本。
因此,需要经改良处理系统,该经改良处理系统具有以单个真空泵伺服具有不同泵送要求的真空处理区域的能力。
发明内容
本揭示案大体关于用于处理基板的真空腔室。这些真空腔室包括:第一基板腔室,该第一基板腔室隔离于第二基板腔室;真空泵;及高传导前级真空管线,该高传导前级真空管线耦接至泵。高传导泵送管道耦接前级真空管线至第一基板腔室且低传导泵送管道耦接前级真空管线至第二基板腔室。选择每一管道的传导性以允许使用耦接至单个前级真空管线的单个泵(或多个泵)使每一腔室的不同泵送需求得到满足。
本揭示案的另一实施例提供腔室主体,该腔室主体具有第一及第二基板移送室。第一基板移送室隔离于第二基板移送室。基板移送室进一步包括真空泵及高传导前级真空管线,该高传导前级真空管线耦接至泵。高传导泵送管道耦接前级真空管线至第一基板移送室,且低传导泵送管道耦接前级真空管线至第二基板移送室。
本揭示案的另一实施例提供一系统,该系统具有:第一腔室主体及第二腔室主体,该第一腔室主体具有隔离于第二个第一基板移送室的第一基板移送室,该第二腔室主体具有隔离于第四个第一基板移送室的第三基板移送室。该系统还包括:真空泵;高传导前级真空管线,该高传导前级真空管线耦接至泵;第一高传导泵送管道,该第一高传导泵送管道耦接高传导前级真空管线至第一基板移送室;及第二高传导泵送管道,该第二高传导泵送管道耦接高传导前级真空管线至第三基板移送室。该系统进一步包括:低传导前级真空管线,该低传导前级真空管线耦接至高传导前级真空管线;第一低传导泵送管道,该第一低传导泵送管道耦接低传导前级真空管线至第二基板移送室;及第二低传导泵送管道,该第二低传导泵送管道耦接低传导前级真空管线至第四基板移送室。
附图说明
为能详尽理解以上所述本揭示案的特征结构,可参考实施例更具体的描述上文简单概括的本揭示案,其中一些实施例图示于附加图式中。然而,应注意附加图式仅图示出本揭示案的典型实施例,且因为本揭示案可允许其它同等有效的实施例,所以这些图示不欲视为本揭示案的范畴之限制。
图1为根据本揭示案的一个实施例的真空腔室的前剖视图。
图2为图1的真空腔室的剖面示意图。
图3为图1的真空腔室的另一剖面俯视图。
图4为根据本揭示案的实施例的具有泵系统的真空腔室的示意图。
图5为图4的泵系统的替代实施例的局部示意图。
图6为具有多个真空腔室及一个泵系统的一个实施例的前示意图。
图7为具有多个真空腔室及一个泵系统的替代实施例的前示意图。
为了促进了解,尽可能使用相同的组件符号来表示图式中相同的组件。考虑到一个实施例中的组件及特征结构,可有利地并入在其它的实施例中而无需进一步描述。
具体实施方式
本揭示案提供基板真空处理系统,该基板真空处理系统包括多个互相隔离的基板腔室。基板腔室各自藉由泵送管道耦接至真空泵,这些泵送管道被配置成具有经选择的传导性比,使得基板腔室可共享公共的真空泵。
图1为根据本揭示案的一个实施例的处理系统100的前剖视图。处理系统100大体包括腔室主体102,该腔室主体102具有藉由内壁108隔离于第二腔室106的第一腔室104。尽管腔室104、106图示于公共腔室主体102中,但腔室104、106可替代地配置于单独的主体中。穿过腔室主体102形成的基板移送口110为第一及第二腔室104、106提供出入口。耦接至腔室主体102的门112操作以选择性地开闭每一基板移送口110,以便于基板进出第一及第二腔室104、106。加工界面114耦接至腔室主体102的一侧。移送室116耦接至腔室主体102的另一侧。尽管未图示,但多个处理腔室耦接至移送室116以处理基板。
在一个实施例中,第一腔室104为等离子处理腔室,诸如等离子减弱、回火、布植、灰化或其它等离子处理腔室的腔室。第一腔室104包括喷淋头118、基板支撑120,及加热器122。在处理期间,加热器122加热藉由基板支撑120支撑于第一腔室104中的基板124。气体分配盘128控制处理气体流经远程等离子源130且经由气体入口126进入第一腔室104,该气体入口126穿过腔室主体102而形成。经由气体入口126进入第一腔室104的处理气体经由多个孔134侧向分散,以使处理气体均匀分散于基板124的表面上,该多个孔134穿过喷淋头118而形成。可提供射频功率源132以供动力给喷淋头118及/或基板支撑120中的一或两者,藉以激励第一腔室104内的气体。
第一排气口136穿过腔室主体102形成以允许处理气体从第一腔室104移除。第一排气管道138耦接第一排气口136至前级真空管线142。前级真空管线耦接至泵送系统144。泵送系统144可包括一或更多个泵。在图1所示的实施例中,可伸缩联结器140耦接第一排气管道138至前级真空管线142以允许热膨胀及更大的容限。可伸缩联结器140大体包括波纹管150及凸缘146、148。凸缘146、148各自密封地耦接至第一排气管道138及前级真空管线142。波纹管150密封地耦接至凸缘146、148,同时允许波纹管150与凸缘间的相对运动而不损害密封。
在所示的实施例中,第二腔室106配置为无等离子处理能力的负载锁腔室,例如,用于在相邻腔室及/或加工接口的真空与大气环境间简单移送基板。第二腔室106可选择地具有非等离子加热及/或冷却组件(未图标)。第二腔室106大体包括多个基板支撑152,该多个基板支撑152经配置以支撑第二腔室106内的基板154。第二排气口156穿过腔室主体102而形成且耦接至第二排气管道158。第二排气管道158藉由可挠联结器140耦接至前级真空管线142且最终耦接至泵144。第一排气管道138及第二排气管道158各自配置以具有不同预定传导性,以使得第一及第二腔室104、106的泵送要求可由单个泵送系统144得到伺服。如图1中所示,第一排气管道138经配置以具有高传导性以允许执行于第一腔室104中的等离子过程所需的更大量的气体从第一腔室104移除。第二排气管道158经配置以具有相对第一排气管道138的传导性的低传导性,使得从第一及第二腔室104、106泵送的不同流速的气体可同时藉由单个泵送系统144通过单个前级真空管线142抽吸。
图2为穿过第二腔室106的腔室主体102的剖视图。如上文所述,第二排气口156流体耦接至第二腔室106。另外,第一排气口136穿过腔室主体102而形成,且隔离于第二腔室106及第二排气口156。孔204穿过腔室主体102而形成,隔离于第二腔室106,且延伸至第一腔室104(未图示于第2图中)内。轴202配置于孔204内以控制举升组件的高度,如下文进一步所述。
图3为穿过第一腔室104的腔室主体102的剖视图。配置于第一腔室104内的为举升组件302。举升组件302包括环304,该环304藉由支架308耦接至轴202。举升组件302进一步包括多个指状物310,该多个指状物310自环304向内辐射式延伸。指状物310间隔于环304之下以允许机器人(未图示)取及放基板于指状物310之上。多个指状物310对准多个缺槽312,该多个缺槽312形成于基板支撑120中。当耦接至轴202的致动器(未图示)降低举升组件302时,指状物310将配置于该指状物310之上的基板安置于基板支撑120上。虽然指状物310处于低位,但是安放在基板支撑120上的基板不接触指状物310。环304可经提升以使得指状物310从基板支撑120举升基板至对准口110的高度,以利于机器人基板移送。
如图3中所示,第一排气口136流体耦接至第一腔室104。第二排气口156,如虚线所示,穿过腔室主体102而形成以使得该口隔离于第一腔室104及第一排气口136。
图4为根据本揭示案的实施例的腔室主体102的示意图。腔室主体102包括各自经由排气管道138、158耦接至泵144的第一及第二腔室104、106。穿过排气管道138、158的气流可由配置于排气管道内的阀门控制。如图4中所示,节流阀402配置于第一排气管道138内以有选择地增加或减少从第一腔室104排出及穿过第一排气管道138的气流。隔离阀404配置于节流阀402的下游以有选择地关闭穿过第一排气管道138的气流且隔离第一腔室104(在要求时与前级真空管线142及泵144隔离)。类似地,节流阀406配置于第二排气管道138内以有选择地控制来自第二腔室106的气流。隔离阀408配置于节流阀406的下游以隔离第二腔室106(在要求时与前级真空管线142及泵144隔离)。
图5为前文所述的具有一或更多个泵的泵送系统144的替代实施例的局部示意图。图标于图5中的泵送系统144包括多个泵,该多个泵平行耦接至前级真空管线142。泵送系统144包括第一个泵510,该第一个泵510耦接至前级真空管线142。第二个泵5101藉由连接器504流体耦接至前级真空管线142。连接器504包括:第一末端512,该第一末端512耦接至前级真空管线142的三通管502;第二末端514,该第二末端514可选择地耦接至附加连接器(作为504N用虚线图示);及第三末端516,该第三末端516耦接至第二个泵5101。应了解,一或更多个附加泵(作为510N用虚线图示)可使用一或更多个具有连接至其它第二末端514N的第一末端512N及第三末端516N的连接器504N接合。末端盖506耦接至最后的连接器504N的第二末端514N以终止连接器504N串。
图6为具有由一个泵送系统144伺服的多个腔室的系统600的前示意图。该系统600大体包括多个非平衡腔室组602、…,602N,该多个非平衡腔室组602、…,602N藉由最终的前级真空管线142连接至泵送系统144。每个非平衡腔室组包括至少两个真空腔室,每个真空腔室具有不同泵送要求。为使所有腔室组602、…,602N能够耦接至单个最终前级真空管线142,选择耦接至单个腔室的排气管道的每个公共排气管道604、604N的传导性以适应最终耦接至公共前级真空管线142的每个腔室组的不同流量要求。在一个实施例中,两个非平衡组602、602N可各自具有耦接至公共排气管道604及604N的排气管道138、158及138N、158N。每个公共排气管道604及604N耦接至公共前级真空管线142。在一个实施例中,各自的管道对138、138N、158、158N及排气管道604、604N的传导性是相等的。例如,排气管道138、158的总传导性等于公共排气管道604的传导性。类似地,排气管道138N、158N的总传导性等于公共排气管道604N的传导性。或者,排气管道604、604N的传导性可不同且经选择以平衡泵送要求以使得使用泵送系统144耦接至单个最终的前级真空管线142的一或更多个泵能够伺服至少两个腔室。
图7图标出系统700的另一实施例,该系统700具有由一个泵送系统144伺服的多个腔室。该系统700大体上类似于前文所述的系统600,除了在系统700中,每个高传导排气管道138、138N耦接至共同的高传导公共排气装置706,该高传导公共排气装置706依序地藉由前级真空管线142耦接至泵送系统144,且低传导排气管道158、158N耦接至公共低传导排气管道702。低传导排气装置702藉由脊状接线704耦接至高传导公共排气装置706中的一者或直接耦接至前级真空管线142。在一个实施例中,脊状管道704与前级真空管线142中的至少一者或两者间的连接对称地分割公共排气装置702、706,使得在腔室104、104N、106、106N间传递的排气相对经由前级真空管线142与高传导公共排气装置706的交叉界定的对称接线708为对称地平衡。
本揭示案提供处理系统,该处理系统具有有利地模块化的泵系统。考虑到可使用泵送系统中耦接至单个前级真空管线的一或更多个泵以伺服具有不同泵送要求的至少两个腔室。使用单个前级真空管线以伺服所有腔室有利地减少了系统的成本及复杂性且提供更小的占地面积。系统平衡不同腔室间的传导性,高低传导管道连接至单个前级真空管线以允许用最少的成本及空间冲击使不同过程及功能执行于腔室内。此外,具有高传导管道的排气管道及前级真空管线限制于腔室主体的空间范围之下以保持小的占地面积。
尽管上述说明系针对本揭示案的实施例,然可在不悖离本揭示案的基本范畴下设想出本揭示案的其它与进一步实施例,本揭示案的范畴由下文的权利要求范围所决定。
Claims (12)
1.一种处理基板的系统,包含:
腔室主体,所述腔室主体具有隔离于第二基板移送室的第一基板移送室;
真空泵;
前级真空管线,所述前级真空管线耦接至所述真空泵;
高传导泵送管道,所述高传导泵送管道耦接所述前级真空管线至所述第一基板移送室;以及
低传导泵送管道,所述低传导泵送管道耦接所述前级真空管线至所述第二基板移送室,并且所述低传导泵送管道的传导性低于所述高传导泵送管道的传导性,其中从所述第一基板移送室和第二基板移送室泵送的不同流速的气体能够同时由所述真空泵通过所述前级真空管线抽吸。
2.一种处理基板的系统,包含:
腔室主体,所述腔室主体具有形成于所述腔室主体中的第一基板移送室和第二基板移送室,其中所述第一基板移送室隔离于所述第二基板移送室;
真空泵;
前级真空管线,所述前级真空管线耦接至所述真空泵;
高传导泵送管道,所述高传导泵送管道耦接所述前级真空管线至所述第一基板移送室;以及
低传导泵送管道,所述低传导泵送管道耦接所述前级真空管线至所述第二基板移送室,并且所述低传导泵送管道的传导性低于所述高传导泵送管道的传导性,其中从所述第一基板移送室和第二基板移送室泵送的不同流速的气体能够同时由所述真空泵通过所述前级真空管线抽吸。
3.如权利要求1或2所述的系统,其特征在于,进一步包括:
基板支撑,所述基板支撑设置在所述第一基板移送室内;以及
加热器,所述加热器被配置成加热所述基板支撑。
4.如权利要求1或2所述的系统,其特征在于,所述高传导泵送管道具有第一管道直径,并且所述低传导泵送管道具有第二管道直径,所述第二管道直径小于所述第一管道直径。
5.一种处理基板的系统,包含:
第一腔室主体,所述第一腔室主体具有隔离于第二基板移送室的第一基板移送室;
第二腔室主体,所述第二腔室主体具有隔离于第四基板移送室的第三基板移送室;
真空泵;
前级真空管线,所述前级真空管线耦接至所述真空泵;
高传导公共排气装置,所述高传导公共排气装置耦接至所述前级真空管线;
第一高传导泵送管道,所述第一高传导泵送管道耦接所述高传导公共排气装置至所述第一基板移送室;
第二高传导泵送管道,所述第二高传导泵送管道耦接所述高传导公共排气装置至所述第三基板移送室,其中从所述第一基板移送室和第二基板移送室泵送的不同流速的气体能够同时由所述真空泵通过所述前级真空管线抽吸;
低传导公共排气装置,所述低传导公共排气装置耦接至所述前级真空管线,并且所述低传导公共排气装置的传导性低于所述高传导公共排气装置的传导性;
第一低传导泵送管道,所述第一低传导泵送管道耦接所述低传导公共排气装置至所述第二基板移送室,并且所述第一低传导泵送管道的传导性低于所述第一高传导泵送管道的传导性;以及
第二低传导泵送管道,所述第二低传导泵送管道耦接所述低传导公共排气装置至所述第四基板移送室,并且所述第二低传导泵送管道的传导性低于所述第二高传导泵送管道的传导性,其中从所述第三基板移送室和第四基板移送室泵送的不同流速的气体能够同时由所述真空泵通过所述前级真空管线抽吸。
6.如权利要求5所述的系统,其特征在于,所述第一高传导泵送管道和所述第二高传导泵送管道具有相等的传导性。
7.如权利要求5所述的系统,其特征在于,第一高传导泵送管道和所述第二高传导泵送管道布置成镜像。
8.如权利要求5所述的系统,其特征在于,所述第一基板移送室为等离子处理腔室且所述第二基板移送室为负载锁腔室。
9.如权利要求1、2或5所述的系统,其特征在于,进一步包含第二泵,所述第二泵耦接至所述前级真空管线。
10.如权利要求5所述的系统,其中,所述第一高传导泵送管道具有第一管道直径,所述第二高传导泵送管道具有第二管道直径,所述第一低传导泵送管道具有第三管道直径,并且所述第二低传导泵送管道具有第四管道直径,其中所述第一管道直径大于所述第三管道直径,并且所述第二管道直径大于所述第四管道直径。
11.如权利要求1、2或5所述的系统,其特征在于,每一基板移送室具有两个基板移送口。
12.如权利要求1、2或5所述的系统,其特征在于,每一基板移送室具有两个基板移送口,并且其中所述第一基板移送室具有基板支撑加热器且所述第一基板移送室耦接至远程等离子源。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161448024P | 2011-03-01 | 2011-03-01 | |
US61/448,024 | 2011-03-01 | ||
CN201280008689.1A CN103370768B (zh) | 2011-03-01 | 2012-02-29 | 具有共享泵的真空腔室 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201280008689.1A Division CN103370768B (zh) | 2011-03-01 | 2012-02-29 | 具有共享泵的真空腔室 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107164742A CN107164742A (zh) | 2017-09-15 |
CN107164742B true CN107164742B (zh) | 2020-10-16 |
Family
ID=46752554
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201280008689.1A Active CN103370768B (zh) | 2011-03-01 | 2012-02-29 | 具有共享泵的真空腔室 |
CN201710469677.3A Active CN107164742B (zh) | 2011-03-01 | 2012-02-29 | 具有共享泵的真空腔室 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201280008689.1A Active CN103370768B (zh) | 2011-03-01 | 2012-02-29 | 具有共享泵的真空腔室 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120222813A1 (zh) |
JP (1) | JP6034311B2 (zh) |
KR (1) | KR101847026B1 (zh) |
CN (2) | CN103370768B (zh) |
TW (1) | TWI611498B (zh) |
WO (1) | WO2012118886A2 (zh) |
Families Citing this family (235)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101904146B1 (ko) | 2011-03-01 | 2018-10-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 이송 및 라디칼 구속을 위한 방법 및 장치 |
US11171008B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration |
KR101895307B1 (ko) | 2011-03-01 | 2018-10-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 듀얼 로드락 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버 |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
CN106847737B (zh) | 2012-02-29 | 2020-11-13 | 应用材料公司 | 配置中的除污及剥除处理腔室 |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20140116336A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate process chamber exhaust |
KR20140068338A (ko) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지용 성막 장치 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
JP6026375B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2016-11-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US9920425B2 (en) * | 2014-08-13 | 2018-03-20 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US11333246B2 (en) * | 2015-01-26 | 2022-05-17 | Applied Materials, Inc. | Chamber body design architecture for next generation advanced plasma technology |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
KR20160148314A (ko) * | 2015-06-16 | 2016-12-26 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
KR102477302B1 (ko) * | 2015-10-05 | 2022-12-13 | 주성엔지니어링(주) | 배기가스 분해기를 가지는 기판처리장치 및 그 배기가스 처리방법 |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
KR101895404B1 (ko) * | 2015-12-29 | 2018-09-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
KR101809041B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2017-12-14 | 주식회사 더셀머트리얼즈 | 밸브 삽입형 로드락 챔버 |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10770272B2 (en) * | 2016-04-11 | 2020-09-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced anneal chamber for wafer outgassing |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
KR101885567B1 (ko) * | 2016-07-07 | 2018-08-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US20180061679A1 (en) * | 2016-08-25 | 2018-03-01 | Applied Materials, Inc. | Multi chamber processing system with shared vacuum system |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
JP7108414B2 (ja) * | 2018-01-19 | 2022-07-28 | 株式会社ディスコ | 保持装置 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TWI815915B (zh) | 2018-06-27 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR20200038184A (ko) | 2018-10-01 | 2020-04-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
JP7477515B2 (ja) * | 2019-01-08 | 2024-05-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板処理チャンバ用のポンピング装置及び方法 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) * | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
CN112216586B (zh) * | 2019-07-12 | 2023-03-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 实现均匀排气的双工位处理器及等离子体处理设备 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
WO2021110257A1 (en) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | Ateliers Busch Sa | Redundant pumping system and pumping method by means of this pumping system |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202142733A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
KR20210127620A (ko) | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
US20210404059A1 (en) * | 2020-06-26 | 2021-12-30 | Applied Materials, Inc. | Processing system and method of controlling conductance in a processing system |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US12060637B2 (en) * | 2020-12-01 | 2024-08-13 | Applied Materials, Inc. | Actively cooled foreline trap to reduce throttle valve drift |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
US20230402268A1 (en) * | 2022-06-09 | 2023-12-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma preclean system for cluster tool |
CN115637420A (zh) * | 2022-10-25 | 2023-01-24 | 拓荆科技股份有限公司 | 用于双腔半导体设备的排气管路以及双腔半导体设备 |
US20240290644A1 (en) * | 2023-02-27 | 2024-08-29 | Applied Materials, Inc. | Two level vacuum wafer transfer system with robots on each level |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1638025A (zh) * | 2003-10-20 | 2005-07-13 | 应用材料股份有限公司 | 用于大面积基板处理系统的装载锁定室 |
CN101921999A (zh) * | 2009-06-12 | 2010-12-22 | 甘志银 | 多反应腔金属有机物化学气相沉积设备 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5583143A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Jeol Ltd | Exhaust system for electron beam equipment |
GB2220820B (en) * | 1988-07-13 | 1992-07-08 | Philips Electronic Associated | Telephone line loop current regulator |
JP3172331B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2001-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
JP2826479B2 (ja) * | 1995-03-31 | 1998-11-18 | 山形日本電気株式会社 | ガス供給装置及びその操作方法 |
JP3361955B2 (ja) * | 1996-03-08 | 2003-01-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US6114216A (en) * | 1996-11-13 | 2000-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods for shallow trench isolation |
JPH11230036A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-24 | Ebara Corp | 真空排気システム |
US20050189074A1 (en) * | 2002-11-08 | 2005-09-01 | Tokyo Electron Limited | Gas processing apparatus and method and computer storage medium storing program for controlling same |
US20030003696A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Avgerinos Gelatos | Method and apparatus for tuning a plurality of processing chambers |
US6899507B2 (en) * | 2002-02-08 | 2005-05-31 | Asm Japan K.K. | Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections |
US6843882B2 (en) * | 2002-07-15 | 2005-01-18 | Applied Materials, Inc. | Gas flow control in a wafer processing system having multiple chambers for performing same process |
US20040089227A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-05-13 | Albert Wang | Dual chamber vacuum processing system |
JP4190918B2 (ja) * | 2003-03-11 | 2008-12-03 | シャープ株式会社 | 真空処理装置 |
US7497414B2 (en) * | 2004-06-14 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Curved slit valve door with flexible coupling |
JP4878782B2 (ja) * | 2005-07-05 | 2012-02-15 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN100452945C (zh) * | 2007-06-20 | 2009-01-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 包含多个处理平台的去耦合反应离子刻蚀室 |
US7845891B2 (en) * | 2006-01-13 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Decoupled chamber body |
US9184072B2 (en) * | 2007-07-27 | 2015-11-10 | Mattson Technology, Inc. | Advanced multi-workpiece processing chamber |
JP4885110B2 (ja) * | 2007-11-07 | 2012-02-29 | 三菱重工業株式会社 | 試料導入装置及び試料分析システム |
US20090206056A1 (en) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Songlin Xu | Method and Apparatus for Plasma Process Performance Matching in Multiple Wafer Chambers |
US20100147396A1 (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-17 | Asm Japan K.K. | Multiple-Substrate Transfer Apparatus and Multiple-Substrate Processing Apparatus |
JP5388279B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-01-15 | インテバック・インコーポレイテッド | 基板搬送処理装置及び方法 |
US8623141B2 (en) * | 2009-05-18 | 2014-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Piping system and control for semiconductor processing |
US8617347B2 (en) * | 2009-08-06 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer |
-
2012
- 2012-02-29 CN CN201280008689.1A patent/CN103370768B/zh active Active
- 2012-02-29 CN CN201710469677.3A patent/CN107164742B/zh active Active
- 2012-02-29 WO PCT/US2012/027099 patent/WO2012118886A2/en active Application Filing
- 2012-02-29 KR KR1020137022774A patent/KR101847026B1/ko active IP Right Grant
- 2012-02-29 US US13/408,810 patent/US20120222813A1/en not_active Abandoned
- 2012-02-29 JP JP2013556825A patent/JP6034311B2/ja active Active
- 2012-03-01 TW TW101106775A patent/TWI611498B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1638025A (zh) * | 2003-10-20 | 2005-07-13 | 应用材料股份有限公司 | 用于大面积基板处理系统的装载锁定室 |
CN101921999A (zh) * | 2009-06-12 | 2010-12-22 | 甘志银 | 多反应腔金属有机物化学气相沉积设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107164742A (zh) | 2017-09-15 |
US20120222813A1 (en) | 2012-09-06 |
KR101847026B1 (ko) | 2018-04-09 |
WO2012118886A2 (en) | 2012-09-07 |
JP6034311B2 (ja) | 2016-11-30 |
TWI611498B (zh) | 2018-01-11 |
WO2012118886A3 (en) | 2012-11-22 |
JP2014512672A (ja) | 2014-05-22 |
TW201246437A (en) | 2012-11-16 |
CN103370768A (zh) | 2013-10-23 |
CN103370768B (zh) | 2017-05-31 |
KR20140018256A (ko) | 2014-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107164742B (zh) | 具有共享泵的真空腔室 | |
CN112242318A (zh) | 基板处理装置 | |
TWI598455B (zh) | 傳送腔室氣體淨化裝置、電子設備處理系統及淨化方法 | |
US8366423B2 (en) | Method and arrangement for realizing a vacuum in a vacuum chamber | |
US9429248B2 (en) | Process chamber gas flow apparatus, systems, and methods | |
US20130255782A1 (en) | Shared gas panels in plasma processing chambers employing multi-zone gas feeds | |
KR20160003709A (ko) | 반도체 프로세싱 어플리케이션들에 대한 압력 제어기 구성 | |
US8851113B2 (en) | Shared gas panels in plasma processing systems | |
US20180211820A1 (en) | Method and apparatus for semiconductor processing chamber isolation for reduced particles and improved uniformity | |
US9530623B2 (en) | Process chamber apparatus, systems, and methods for controlling a gas flow pattern | |
JP6778686B2 (ja) | 次世代先進プラズマ技術のためのチャンバ本体設計アーキテクチャ | |
US6523563B2 (en) | Modular gas panel closet for a semiconductor wafer processing platform | |
CN118369754A (zh) | 模块化的多方向性气体混合区块 | |
US8272826B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
TWI856555B (zh) | 模組化的多方向性氣體混合區塊 | |
US20230288007A1 (en) | MODULAR MULTl-DIRECTIONAL GAS MIXING BLOCK | |
TW202410260A (zh) | 高傳導性分流管道架構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |