CN105428265B - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

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中村卓
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渡边真司
细山田澄和
中村慎吾
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Abstract

本发明的半导体装置的制造方法包括：准备形成有电极的半导体晶片，经由凸块将形成于半导体芯片的第一半导体元件与半导体晶片的电极电连接；连接半导体晶片与半导体芯片之前或之后，在相互对置的半导体晶片与半导体芯片的间隙形成第一绝缘树脂层；在半导体晶片上以直至达到掩埋半导体芯片的厚度的方式形成第二绝缘树脂层；研磨第二绝缘树脂层和半导体芯片直至半导体芯片达到规定的厚度；在第二绝缘树脂层上和半导体芯片上形成第一绝缘层，在第一绝缘层和第二绝缘树脂层形成使电极露出的开口部；用导电性材料掩埋开口部；在第一绝缘层上形成与掩埋开口部的导电性材料相连接的布线；形成与布线电连接的第一端子；以及将半导体晶片研磨成规定的厚度。

Description

半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法。尤其涉及包括薄型半导体层叠结构的半导体模块的制造方法。
背景技术
以往，为了实现电子设备的小型化，制成包括多个半导体芯片的半导体模块。对于内置于这种半导体模块的半导体芯片彼此的连接，出于高带宽化和降低消耗电力的目的，除了采用现有的引线键合以外，还采用了利用形成于半导体芯片表面上的凸状电极(凸块)的凸块连接(例如，专利文献1)。
近年来，为了实现半导体装置的薄型化或形成穿通硅过孔(TSV，Through SiliconVia)的过孔，需要半导体芯片的薄型化，并提出了薄型半导体晶片的各种加工方法(例如，专利文献2、专利文献3)。然而，在制造将薄型半导体芯片之间凸块连接的半导体模块的情况下，存在有可能发生因背面研磨(BSG)带的使用或划片、拾取(pick up)而引起的芯片开裂、凸块连接时的因薄型芯片的翘曲引起的凸块连接不良等的担忧的问题。另外，若为了处理薄型晶片而使用晶片支撑件，则还存在会增加相应的成本的问题。
(现有技术文献)
(专利文献)
专利文献1：日本特许第4809957号
专利文献2：日本特开2010-267653号公报
专利文献3：日本特开2012-084780号公报
发明内容
本发明的目的在于提供抑制芯片开裂以及凸块连接不良并且可制造成品率和可靠性得以提高的半导体装置的半导体装置的制造方法。另外，本发明的目的在于提供不使用晶片支撑件而以晶片级制造半导体装置，据此可降低制造成本的半导体装置的制造方法。
本发明一个实施方式的半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下步骤：准备形成有电极的半导体晶片，并经由凸块将形成于半导体芯片的第一半导体元件与上述半导体晶片的上述电极电连接；在连接上述半导体晶片与上述半导体芯片之前或之后，在相互对置的上述半导体晶片与上述半导体芯片的间隙中形成第一绝缘树脂层；在上述半导体晶片上以直至达到掩埋上述半导体芯片的厚度为止的方式形成第二绝缘树脂层；对上述第二绝缘树脂层和上述半导体芯片进行研磨，直至上述半导体芯片达到规定的厚度为止；在上述第二绝缘树脂层上和上述半导体芯片上形成第一绝缘层，并在上述第一绝缘层和上述第二绝缘树脂层形成用于使上述电极露出的开口部；用导电性材料掩埋上述开口部；在上述第一绝缘层上形成与掩埋了上述开口部的导电性材料相连接的布线；形成与上述布线电连接的第一端子；以及将上述半导体晶片研磨成规定的厚度，其中，将上述半导体晶片研磨成规定的厚度是指对上述半导体晶片进行研磨，直至达到完工厚度为止。
根据本发明的一个实施方式，上述半导体晶片也可以具有形成有第二半导体元件的多个元件区域。
根据本发明的一个实施方式，也可以将上述多个元件区域的一个元件区域与多个上述半导体芯片相连接。
根据本发明的一个实施方式，本发明还可以包括以下步骤：在上述半导体晶片上形成一端部与上述第二半导体元件电连接的掩埋电极；在形成上述第一端子之后，对上述半导体晶片进行研磨，直至上述掩埋电极的另一端部的近前为止；使上述掩埋电极的另一端部露出；以及形成与露出的上述掩埋电极的另一端部电连接的第二端子。
根据本发明的一个实施方式，本发明还可以包括以下步骤：在将上述电极与上述第一半导体元件凸块连接之前，沿着上述元件区域的边界线，在上述半导体晶片上形成宽度比划片宽度宽且深度在上述完工厚度以上的槽；以及在对上述半导体晶片进行研磨直至达到完工厚度之后，将上述半导体晶片单片化，其中上述单片化可以指沿着形成于上述半导体晶片的上述槽以比上述槽窄的划片宽度将上述半导体晶片单片化。
本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下步骤：准备形成有电极的半导体晶片，并准备形成有第一半导体元件且具有与上述第一半导体元件电连接的掩埋电极的第一半导体芯片；经由第一凸块将上述第一半导体芯片的上述第一半导体元件与上述半导体晶片的上述电极电连接；在连接上述半导体晶片与上述第一半导体芯片之前或之后，在相互对置的上述半导体晶片与上述第一半导体芯片的间隙中形成第一绝缘树脂层；在上述半导体晶片上以直至达到掩埋上述第一半导体芯片的厚度的方式形成第二绝缘树脂层；对上述第二绝缘树脂层和上述第一半导体芯片进行研磨，直至上述第一掩埋电极的另一端部的近前为止；使上述第一掩埋电极的上述另一端部露出；在上述第一半导体芯片上形成用于覆盖上述第一掩埋电极的上述另一端部的第一绝缘层；在上述第一绝缘层上形成经由接触孔与上述第一掩埋电极的上述另一端部相连接的端子；经由第二凸块将上述端子与形成于第二半导体芯片的第二半导体元件电连接；在连接上述端子与上述第二半导体芯片之前或之后，在相互对置的上述端子和上述第一绝缘层与上述第二半导体芯片的间隙中形成第三绝缘树脂层；在上述第一绝缘层上以直至达到掩埋上述第二半导体芯片的厚度为止的方式形成第四绝缘树脂层；对上述第四绝缘树脂层和上述第二半导体芯片进行研磨，直至上述第二半导体芯片达到规定的厚度为止；在上述第四绝缘树脂层上和上述第二半导体芯片上形成第二绝缘层；在上述第二绝缘层、上述第四绝缘树脂层、上述第一绝缘层以及上述第二绝缘树脂层形成用于使形成于上述半导体晶片且与上述第一半导体元件电连接的电极露出的开口部；用导电性材料掩埋上述开口部；在上述第二绝缘层上形成与掩埋上述开口部的导电性材料相连接的布线；形成与上述布线电连接的第一端子；以及将上述半导体晶片研磨成规定的厚度，其中将上述半导体晶片研磨成规定的厚度是指对上述半导体晶片进行研磨直至达到完工厚度为止。
根据本发明的一个实施方式，上述半导体晶片可以具有形成有第三半导体元件的多个元件区域。
根据本发明的一个实施方式，可以将上述多个元件区域的一个元件区域与多个上述第一半导体芯片相连接。
本发明的一个实施方式的半导体装置的制造方法还可以包括以下步骤：经由上述第一凸块将上述电极与至少一个形成于第三半导体芯片的第四半导体元件电连接。
根据本发明的一个实施方式，还可以包括以下步骤：在上述半导体晶片形成一端部与上述第三半导体元件电连接的第二掩埋电极；在形成上述第一端子之后，对上述半导体晶片进行研磨，直至上述第二掩埋电极的另一端部的近前为止；使上述第二掩埋电极的另一端部露出；以及形成与露出的上述第二掩埋电极的另一端部电连接的第二端子。
根据本发明的一个实施方式，还可以包括以下步骤：在将上述电极与上述第一掩埋电极的一端部凸块连接之前，沿着上述元件区域的边界线，在上述半导体晶片上形成宽度比划片宽度宽且深度在上述完工厚度以上的槽；以及在对上述半导体晶片进行研磨直至达到上述完工厚度之后，将上述半导体晶片单片化，其中上述单片化可以指沿着形成于上述半导体晶片的上述槽以比上述槽窄的划片宽度将上述半导体晶片单片化。
根据本发明，可以提供能够制造抑制芯片开裂以及凸块连接不良而使成品率和可靠性得以提高的半导体装置的半导体装置的制造方法。另外，可提供可降低制造成本的半导体装置的制造方法。
附图说明
图1A为用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图1B为用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图2A为用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图2B为用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图3为用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图4为用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图5为用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图6为用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图7为用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图8为用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图9A为用于说明本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图9B为用于说明本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图10为用于说明本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图11为用于说明本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图12为用于说明本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图13为用于说明本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图14为用于说明本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图15为用于说明本发明第三实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图16为用于说明本发明第三实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图17为用于说明本发明第三实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图18为用于说明本发明第三实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图19为用于说明本发明第四实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图20为用于说明本发明第四实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图21为用于说明本发明第四实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图22为用于说明本发明第四实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图23为用于说明本发明第四实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图24为用于说明本发明第四实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图25为用于说明本发明第四实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图26为用于说明本发明第四实施方式的变形例的半导体装置的制造方法的图。
图27为用于说明本发明第五实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图28为用于说明本发明第五实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图29为用于说明本发明第五实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图30为用于说明本发明第五实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图31为用于说明本发明第五实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图32为用于说明本发明第五实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图33为用于说明本发明第五实施方式的半导体装置的制造方法的图。
(附图标记的说明)
10：半导体装置；101：半导体晶片；103：第一半导体元件；105：半导体芯片；106：第二半导体元件；107：电极；109：凸块；111：第一绝缘树脂层；113：第二绝缘树脂层；114：第一绝缘层；115：开口部；117：布线；119：布线；121：端子；123：外部端子。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的半导体装置的制造方法进行说明。然而，本发明的半导体装置的制造方法能够以多种不同的方式实施，并非限定地解释为以下所示的实施方式的记载内容。此外，在本实施方式中参照的附图中，对于相同部分或具有相同功能的部分标注相同的附图标记，并省略其重复说明。此外，在以下说明中，当层、膜、区域等要素位于另一要素“上”时，这不局限于上述另一要素的“直接上方”的情况，还包括在其中间还有其他要素的情况。
<第一实施方式>
参照图1A至图8说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的概要。
首先，如图1A和图1B所示，准备形成有多个元件区域的半导体晶片101。这里，元件区域是指切割半导体晶片而进行单片化之后，作为一个半导体芯片发挥功能的区域。图1A为半导体晶片101的俯视图，图1B为沿着图1A的区域A的B-B线的剖视图。在半导体晶片101的每个元件区域可形成有半导体元件(以下，称为第一半导体元件)103。这里，第一半导体元件103还可包括晶体管等元件。另外，在半导体晶片101上，针对每个元件区域，经由绝缘膜形成有与第一半导体元件103电连接且由Al等金属材料形成的电极104。另外，在半导体晶片101上还可形成有用于连接第一半导体元件103和电极104的布线层。图1A为半导体晶片的局部剖视图。图1A、1B中示出形成于半导体晶片101的两个元件区域。此外，半导体晶片101可以为未形成有第一半导体元件103而形成有布线层的中介(interposer)基板。
接着，准备在半导体基板上形成了半导体元件(以下，称为第二半导体元件)106的半导体芯片105。这里，第二半导体元件106包括晶体管等元件。半导体装置的组装以晶片级进行，因而准备与形成于半导体晶片101的元件区域相对应的数量的半导体芯片105。在半导体芯片105上经由绝缘膜形成有经由布线与第二半导体元件106电连接的电极107。
如图2A和图2B所示，使形成于半导体晶片101的每个元件区域的第一半导体元件103与形成于半导体芯片105的第二半导体元件106相互对置并经由凸块109相接合，而将第一半导体元件103和第二半导体元件106电连接。图2A为表示在半导体晶片101上将半导体芯片105凸块接合了的状态的俯视图，图2B为沿着图2A的区域A的B-B线的剖视图。具体地，在与第一半导体元件103电连接并与半导体芯片105相互对置的电极104上和/或与第二半导体元件106电连接的电极107上形成凸块109，使其相互对置并利用热处理来使其接合。凸块109可使用例如金、焊料或铜柱来通过半加成工艺(semi-additive process)等形成。图2A、2B中示出仅在用于将第一半导体元件103和第二半导体元件106连接的电极104上和/或电极107上形成有凸块109的状态，但本发明不局限于此，也可以在不与半导体芯片105对置的电极104上形成凸块109。此外，在半导体晶片101为中介基板的情况下，可形成于中介基板上，并将与形成于中介基板的布线电连接的电极和与第二半导体元件106电连接的电极107凸块连接。
如图2B所示，在经由凸块109将半导体晶片101和半导体芯片105接合之后，在半导体晶片101与半导体芯片105的间隙中填充底层填料(以下，称为第一绝缘树脂层)111。第一绝缘树脂层111只要是底层填料用绝缘树脂，就不受特别的限制，例如，可使用在环氧树脂中添加了二氧化硅、氧化铝的填料、或添加了胺类固化剂等的填料。此外，第一绝缘树脂层111也可在将半导体晶片101与半导体芯片105进行凸块接合之前形成。
以下说明在经由凸块109将半导体晶片101与半导体芯片105接合之后，在半导体晶片101与半导体芯片105的间隙中填充底层填料而进行底层填料密封(CUF，capillaryunderfill；毛细底层填充)的方法的一例。
在将半导体晶片101和半导体芯片105进行凸块接合之后，根据需要，为了提高底层填料的流动性，对半导体晶片101和半导体芯片105进行等离子体处理之后，使用点胶机(dispenser)等在半导体晶片101上、例如在离各半导体芯片105的一端的一边数百μm左右的位置处以线形状涂敷液状的底层填料材料。当点胶(dispense)时，为了降低液剂的粘度而加热芯片和底层填料材料，并以间隔指定的时间间隔的方式多次进行涂敷。涂敷的底层填料材料利用毛细管现象进入半导体晶片101与半导体芯片105的间隙。
另外，以下说明在经由凸块109将半导体晶片101与半导体芯片105接合之前，用液状的底层填料材料(NCP，non-conductive paste；非导电性黏着剂)进行密封的方法的一例。
在将半导体晶片101和半导体芯片105进行凸块接合之前，例如，可在凸块连接用的装置(倒装片焊接机)上搭载点胶机等，在与用于搭载半导体芯片105的区域的一部分或全部相对应的半导体晶片101上，以不易产生孔隙(void)的涂敷轨迹涂敷底层填料材料，在将半导体芯片105搭载于半导体晶片101、即将将半导体晶片101与半导体芯片105凸块连接的同时，在半导体晶片101和半导体芯片105的间隙的整个面扩展底层填料材料。
另外，例如，可以在半导体晶片101、或半导体芯片105划片前的晶片、或上述双方上，利用底层填料液剂的旋涂或薄膜形状的底层填料材料的层压等而以晶片单位附着底层填料，将附着有底层填料材料的状态的半导体晶片101和单片化后的半导体芯片105凸块连接，并用底层填料材料密封半导体晶片101和半导体芯片105的间隙。
根据以上所述的方法等，在半导体晶片101和半导体芯片105的间隙填充底层填料之后，用烘箱等进行加热而使底层填料固化，据此形成第一绝缘树脂层111。
接着，如图2B所示，在半导体晶片101上形成用于掩埋半导体芯片105的厚度的绝缘树脂层(以下，称为第二绝缘树脂层)113。用作第二绝缘树脂层113的树脂不受特别的限制，但需要基于再布线工序的耐腐蚀性以及焊料耐热性，而为了抑制晶片的弯曲，优选为具有低热膨胀率的树脂。例如，可使用由扇出(fan-out)封装芯片掩埋用途的压缩成型用环氧树脂杂化材料或真空层压用硅酮杂化材料形成的薄膜模具材料等。此外，在图2A中，省略了第二绝缘树脂层113的记载。
接着，如图3所示，在使第二绝缘树脂层113固化之后，通过背面研磨对未形成第二半导体元件106的各半导体芯片105的背面进行研磨，直至达到每个第二绝缘树脂层113所需的厚度(完工厚度，即薄化工序结束后的最终半导体芯片的厚度)为止。当对各个半导体芯片105以及第二绝缘树脂层113进行研磨时，在未形成第一半导体元件103的半导体晶片101的背面粘贴背面研磨(BSG，Back Side Grinding)带(表面保护带)，从而通过背面研磨工序将半导体芯片105进行薄化。在将各个半导体芯片105薄化之后，从半导体晶片101的背面剥离背面研磨带。
接着，在半导体芯片105的背面形成布线之前，形成第一绝缘层114。关于第一绝缘层114，可以在半导体芯片105以及第二绝缘树脂层113的研磨面涂敷例如环氧类的装配布线板用树脂涂敷材料，或从处理性的观点触发，可使用薄膜类型的层间绝缘材料或用于辅助下述的布线形成工序的附着有树脂的铜箔等。进而，如图4所示，利用CO2激光器或UV-YAG激光器等在第二绝缘树脂层113以及第一绝缘层114形成开口部115，上述开口部115用于使形成于半导体晶片101上且不与半导体芯片105对置的电极104露出。从成本的观点出发，开口部115优选地利用激光形成，但也可以利用光刻来形成。用于形成开口部115的激光的强度设定为不对半导体晶片101上的电极104进行加工的条件。在电极104受损的情况下，如上所述，在不与半导体芯片105对置的电极104上形成铜柱等凸块109作为凸块，为了保护电极104不受激光的损伤而使用凸块109，据此可防止电极104受损。在利用CO2激光器的情况下，会产生树脂污渍，因而在形成开口部115之后，继续进行去污处理。作为去污处理，在用铜柱等保护电极104的情况下，可进行利用碱性高锰酸盐的去污液的处理，在电极104露出的情况下，可进行等离子体去污等的处理。
接着，如图5所示，在半导体晶片101的上表面整面、即第一绝缘层114上、借助于开口部115而露出的电极104上以及开口部115的侧面形成导电层，并将导电层图案化，据此形成掩埋开口部115的布线117以及与布线117相连接的布线119。布线117、119也可通过例如半加成法等形成。在通过半加成法形成布线117、119的情况下，在半导体晶片101的上表面整面实施无电解镀铜之后，用抗镀敷剂形成图案，基于图案而通过电解镀铜形成布线之后，去除抗镀敷剂，并通过刻蚀去除无电解镀铜露出部。通过这些工序，可形成掩埋开口部115的布线117以及与布线117相连接的布线119。可反复执行上述绝缘层的形成工序以及上述布线工序，据此可形成两层以上的布线层。
在形成布线117、119之后，如图6所示，在布线119上形成绝缘膜120，而在绝缘膜120上形成与布线119相连接的端子121。绝缘膜120与第一绝缘层114同样地，可利用装配布线板用的热固化性的环氧类绝缘膜或附着有树脂的铜箔来形成。进而，在端子121上涂敷阻焊剂122之后，进行开口而使端子121露出。在露出的端子121的表面可进行有机可焊性保护剂(OSP，Organic Solderability Preservative)处理等抗氧化处理。在端子121上可根据需要针对每个元件区域而以晶片级形成外部端子123。外部端子123可利用焊料球搭载机来搭载焊料球，并形成为球栅阵列(BGA，Ball Grid Array)。
接着，如图7所示，通过背面研磨对未形成第一半导体元件103的半导体晶片101的背面进行研磨，直至达到所需的厚度(完工厚度，即薄化工序结束之后的最终半导体晶片的厚度)，从而将半导体晶片101薄化。当对半导体晶片101进行研磨时，在形成有端子121或外部端子123的一侧粘贴背面研磨带，并在半导体晶片101的薄化结束之后，剥离背面研磨带。
之后，如图8所示，沿着形成于半导体晶片101的元件区域的边界线，将半导体晶片101连同阻焊剂122、绝缘膜120、第一绝缘层114以及第二绝缘树脂层113一起对进行划片而单片化，据此制成半导体装置10。在将半导体晶片101单片化之前，根据需要，也可在半导体晶片101的背面借助于绝缘树脂等形成绝缘膜并固化。在半导体晶片101的背面形成有绝缘膜的情况下，与半导体晶片一起对绝缘膜也进行划片而单片化。
根据本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法，由于在进行半导体晶片101以及半导体芯片105的薄化之前(在半导体晶片和半导体芯片的厚度厚的状态下)将半导体晶片101和半导体芯片105凸块连接，因而可抑制凸块连接时的芯片的弯曲引起的凸块连接不良或短路，提高半导体装置的成品率和可靠性。另外，在利用第二绝缘树脂层113进行加强之后，对半导体芯片105进行研磨，因而可抑制对半导体芯片105进行研磨时的芯片开裂。进而，由于在将半导体晶片101薄化之前(在半导体晶片101的厚度厚的状态下)形成布线119，因而利用半导体晶片101的刚性，可以不使用晶片支撑件而稳定地形成布线119，并降低制造成本。
<第二实施方式>
参照图9A至图14说明本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法的概要。在第二实施方式的半导体装置的制造方法中，与第一实施方式的半导体装置的制造方法不同，包括在使形成于半导体晶片的每个元件区域的第一半导体元件与形成于半导体芯片的第二半导体元件相互对置并经由凸块进行接合之前，沿着形成于半导体晶片的多个元件区域的各个的边界线，在未形成第一半导体元件的半导体晶片的背面形成比划片宽度宽的槽的工序。此外，在以下说明的第二实施方式的半导体装置的制造方法中，省略或简化与第一实施方式的半导体装置的制造方法重复的说明。
图9A为半导体晶片101的俯视图，图9B为沿着图9A的区域A的B-B线的剖视图。首先，与第一实施方式同样地，准备形成有多个元件区域的半导体晶片101。然后，如图9A和图9B所示，沿着元件区域的边界线，在形成有半导体晶片101的第一半导体元件103的一侧的面形成比划片宽度宽的槽201。槽201可通过借助于刀片、激光等的半划片(half dicing)来形成。槽201的深度较深地形成为半导体晶片101的完工厚度以上。此外，半导体晶片101可以为省略第一半导体元件103并形成有布线层的中介件(interposer)。
本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法除了沿着元件区域的边界线在半导体晶片101形成槽201之外，与第一实施方式的半导体装置的制造方法大致相同。即，如图10所示，以晶片级将半导体晶片101和半导体芯片105进行凸块接合，在半导体晶片101和半导体芯片105的间隙填充第一绝缘树脂层111，并在半导体晶片101上形成掩埋半导体芯片105的厚度的第二绝缘树脂层113。第二绝缘树脂层113还填充于在半导体晶片101上形成的槽201。
之后，如图11所示，利用背面研磨对各半导体芯片105的背面进行研磨来将半导体芯片105薄化，直至每个第二绝缘树脂层113达到完工厚度。接着，在各个半导体芯片105以及第二绝缘树脂层113的研磨面形成第一绝缘层114。
之后，如图12所示，利用CO2激光器或UV-YAG激光器等在第二绝缘树脂层113以及第一绝缘层114形成开口部115，上述开口部115用于使形成于半导体晶片101上的电极104露出。在半导体晶片101的上表面整面、即第一绝缘层114上、借助于开口部115而露出的电极104上以及开口部115的侧面通过半加成法等形成导电层，并进行图案化，据此形成用于掩埋开口部115的布线117以及与布线117相连接的布线119。在形成布线117、119之后，在布线119上形成绝缘膜，在绝缘膜120上形成与布线119相连接的端子121。进而，在端子121上涂敷阻焊剂122之后，进行开口而使端子121露出。在露出的端子121的表面上可进行OSP处理等抗氧化处理。在端子121上，根据需要以晶片级在每个元件区域形成外部端子123。
之后，如图13所示，通过背面研磨对未形成第一半导体元件103的半导体晶片101的背面进行研磨，直至达到完工厚度之后，如图14所示，沿着形成于半导体晶片101的元件区域的边界线，对阻焊剂122、绝缘膜120、第一绝缘层114和第二绝缘树脂层113进行划片而使半导体晶片101单片化，据此制成半导体装置20。划片宽度比形成于半导体晶片101的背面的槽201的宽度窄。
在本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法中，在半导体晶片101上预先形成半导体晶片101的完工厚度以上的深的槽201，因而在半导体晶片101的薄化结束时，在未形成第一半导体元件103的半导体晶片101的背面侧，在形成有槽201的区域，露出第二绝缘树脂层113，并且，与各个元件区域相对应的半导体晶片101的侧面被第二绝缘树脂层113覆盖。即，在半导体晶片101的研磨工序结束时，半导体晶片101处于按每个元件区域分离的状态。为此，针对阻焊剂122、绝缘膜120、第一绝缘层114以及第二绝缘树脂层113进行用于将半导体晶片101单片化的划片。
根据本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法，与第一实施方式的半导体装置的制造方法同样地，可抑制因凸块连接时的芯片的弯曲引起的凸块连接不良或短路，并提高半导体装置的成品率和可靠性，降低制造成本。进而，根据本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法，可在半导体晶片101上预先形成宽度比划片宽度宽且深度在完工厚度以上的槽201，据此在划片工序之前，可按每个元件区域将半导体晶片101进行分离，并对阻焊剂122、绝缘膜120、第一绝缘层114以及第二绝缘树脂层113进行划片。由此，可抑制因划片而产生的半导体晶片101的芯片开裂。进而，与各个元件区域相对应的半导体晶片101的侧面被第二绝缘树脂层113覆盖，因而不仅可抑制因划片产生的半导体晶片101的芯片开裂，还可抑制形成于半导体晶片101的侧面侧的布线层等的剥离，并可进一步提高半导体装置的成品率和可靠性。
如上所述，本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法的特征如下，即，在将半导体晶片101和半导体芯片105进行凸块接合之前，沿着元件区域的边界线，在半导体晶片101的形成有第一半导体元件103的面上预先形成有宽度比划片宽度宽且深度在半导体晶片101的完工厚度以上的槽201，但该槽201的深度也可以为小于半导体晶片101的完工厚度的深度。
<第三实施方式>
参照图15至图18说明本发明第三实施方式的半导体装置的制造方法的概要。在第三实施方式的半导体装置的制造方法中，与第一实施方式以及第二实施方式的半导体装置的制造方法不同，在经由凸块使形成于半导体晶片的每个元件区域的第一半导体元件和形成于半导体芯片的第二半导体元件与半导体晶片的每个元件区域电连接时，将多个半导体芯片与半导体晶片的一个元件区域进行凸块接合。此外，在以下说明的第三实施方式的半导体装置的制造方法中，省略或简化与第一实施方式以及第二实施方式的半导体装置的制造方法重复的说明。
首先，如图15所示，准备形成有多个元件区域的半导体晶片101，并与本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法同样地，沿着元件区域的边界线，在形成有半导体晶片101的第一半导体元件103的一侧的面上形成槽201。半导体晶片101可以为省略第一半导体元件103且形成有布线层的中介件。此外，还可省略沿着半导体晶片101的边界线在半导体晶片上形成槽201的工序。
接着，如图16所示，使形成于半导体晶片101的每个元件区域的第一半导体元件103与形成于半导体芯片105a、105b的第二半导体元件(未图示)相互对置，并经由凸块109将电极104和电极107电连接，上述电极104形成于半导体晶片101，并与第一半导体元件103电连接，且与半导体芯片105a、105b对置，上述电极107分别形成于半导体芯片105a、105b，并与第二半导体元件电连接。此外，在半导体晶片101为中介基板的情况下，还可将形成于中介基板上并与形成于中介基板的布线电连接的电极和分别形成于半导体芯片105a、105b的电极107凸块连接。之后，在半导体晶片101和半导体芯片105a、105b的间隙填充第一绝缘树脂层111，并在半导体晶片101上形成用于掩埋半导体芯片105a、105b的厚度的第二绝缘树脂层113。第二绝缘树脂层113还填充于在半导体晶片101上形成的槽201。在本实施方式的半导体装置的制造方法中，将形成于半导体晶片101的多个元件区域中的一个元件区域的第一半导体元件103与分别形成于多个半导体芯片105a、105b的第二半导体元件凸块连接。
接着，如图17所示，通过背面研磨对各个半导体芯片105的背面进行研磨，直至每个第二绝缘树脂层113达到完工厚度为止，从而将半导体芯片105薄化。之后，与第一实施方式或第二实施方式的半导体装置的制造方法同样地，在各个半导体芯片150以及第二绝缘树脂层113的研磨面形成第一绝缘层114。在第一绝缘层114以及第二绝缘树脂层113中形成用于使形成于半导体晶片101上的电极104露出的开口部115，并在半导体晶片101的上表面整面、即第一绝缘层114上、借助于开口部115而露出的电极104上以及在开口部115的侧面，通过半加成法等形成导电层并进行图案化，据此形成用于掩埋开口部115的布线117以及与布线117相连接的布线119。之后，在布线119上形成绝缘膜120，在绝缘膜120上形成与布线119相连接的端子121。进而，在端子121上涂敷阻焊剂122之后，进行开口而使端子121露出。在端子121上，根据需要形成外部端子123之后，通过背面研磨对未形成第一半导体元件103的半导体晶片101的背面进行研磨，直至达到完工厚度为止。在半导体晶片101的薄化结束之时，在未形成第一半导体元件103的半导体晶片101的背面侧，在形成有槽201的区域露出第二绝缘树脂层113。之后，如图18所示，沿着形成于半导体晶片101的元件区域的边界线，对阻焊剂122、绝缘膜120、第一绝缘层114以及第二绝缘树脂层113进行划片而将半导体晶片101单片化，据此制作半导体装置30。
如图18所示，在半导体装置30中，经由凸块将形成于半导体晶片101的一个元件区域的第一半导体元件103与分别形成于两个半导体芯片105a、105b的第二半导体元件(未图示)连接，但并不局限于此，也可以经由凸块将形成于半导体晶片101的一个元件区域的第一半导体元件103与分别形成于三个以上的半导体芯片105的第二半导体元件连接。
根据本发明第三实施方式的半导体装置的制造方法，即使在制造在半导体晶片101的一个元件区域平放多个半导体芯片105来进行接合的半导体装置的情况下，也可以与本发明第一实施方式以及第二实施方式的半导体装置的制造方法同样地，可抑制凸块连接时的芯片的弯曲引起的凸块连接不良或短路，提高半导体装置的成品率和可靠性，降低制造成本。
<第四实施方式>
参照图19至图25说明本发明第四实施方式的半导体装置的制造方法的概要。在第四实施方式的半导体装置的制造方法中，与第一实施方式以及第二实施方式的半导体装置的制造方法不同，经由形成有穿通硅过孔(TSV，Through-Silicon Via)的另一个半导体芯片将形成于半导体晶片的每个元件区域的第一半导体元件与形成于半导体芯片的第二半导体元件接合。在以下说明的第四实施方式的半导体装置的制造方法中，省略或简化与第一实施方式以及第二实施方式的半导体装置的制造方法重复的说明。
首先，准备形成有多个元件区域的半导体晶片101，并与本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法同样地，沿着元件区域的边界线，在形成有半导体晶片101的第一半导体元件103的一侧的面形成槽201。半导体晶片101可以为省略第一半导体元件103且形成有布线层的中介件。此外，还可省略沿着半导体晶片101的边界线在半导体晶片形成槽的工序。
接着，准备形成有掩埋电极401的半导体基板403(以下，称为第一半导体芯片403)。掩埋电极401经由布线层与形成于第一半导体芯片403的内部且一端部形成于第一半导体芯片403的第二半导体元件402相连接。掩埋电极401通过反应性离子刻蚀等在第一半导体芯片403形成过孔(via)，并在侧壁使用化学气相沉积(CVD)等来形成SiO2、SiN等绝缘膜，通过电镀等使用导电性材料、例如铜等金属掩埋过孔而形成。在第一半导体芯片403上形成有与第二半导体元件402以及掩埋电极401电连接的外部连接用电极405。
接着，如图19所示，经由第一凸块409将与形成于半导体晶片101的每个元件区域的第一半导体元件103相连接且与第一半导体芯片403对置的电极104和形成于第一半导体芯片403的掩埋电极401电连接。具体地，在形成于半导体晶片101上的电极104上和/或电极405上形成第一凸块409，使其相互对置并通过热处理进行接合。此外，在半导体晶片101为中介基板的情况下，还可将形成于中介基板上且与形成于中介基板的布线电连接的电极和与第二半导体元件106电连接的电极107凸块连接。
在经由第一凸块409将半导体晶片101和第一半导体芯片403接合之后，在半导体晶片101和第一半导体芯片403的间隙填充第一绝缘树脂层411。第一绝缘树脂层411还可以在将半导体晶片101和第一半导体芯片403凸块接合之前形成。
接着，在半导体晶片101上形成用于掩埋第一半导体芯片403的厚度的第二绝缘树脂层413。使用与本发明第一实施方式中说明的第二绝缘树脂层113相同的材料作为第二绝缘树脂层413的材料。在使第二绝缘树脂层413固化之后，如图20所示，在未形成有第一半导体元件103的半导体晶片101的背面粘贴BSG带，从未形成掩埋电极401的第一半导体芯片403的背面侧到掩埋电极401的另一端部的近前为止，针对每个第二绝缘树脂层413通过背面研磨对第一半导体芯片403进行研磨而将第一半导体芯片403薄化。
在从半导体晶片101的背面剥离BSG带之后，通过化学机械抛光(CMP)等对第一半导体芯片403进行研磨，来使掩埋电极401的另一端部露出。由此，掩埋电极401发挥贯通第一半导体芯片403的TSV的功能。接着，如图21所示，形成用于覆盖露出在第一半导体芯片403上的掩埋电极401的另一端部的第一绝缘层415。第一绝缘层415可以例如涂敷环氧类的装配布线板用树脂涂敷材料，或从处理性的观点触发，可使用薄膜类型的层间绝缘材料或用于辅助下述的布线形成工序的附着有树脂的铜箔等。接着，形成对第一绝缘层415进行刻蚀而露出掩埋电极401的另一端部的接触孔，并在第一绝缘层415上形成经由接触孔与掩埋电极401相连接的端子417。端子417可由Cu等形成。在端子417为Cu端子的情况下，为了防止与之后连接的焊料的合金化，还可在Cu上形成Ni、Au等阻隔层。
接着，准备形成有第三半导体元件420的第二半导体芯片419，并如图22所示，经由第二凸块423将与形成于第二半导体芯片419的第三半导体元件420电连接的电极421和与掩埋电极401的另一端部相连接的端子417电连接，而将第一半导体芯片403和第二半导体芯片419接合。具体地，在与形成于第一绝缘层415上的掩埋电极401的另一端部相连接的端子417上和/或形成于第二半导体芯片419上的电极421上形成第二凸块423，使其相互对置并通过热处理进行接合。
在经由第二凸块423将掩埋电极401的另一端部和第二半导体芯片419接合之后，在第一绝缘层415和第二半导体芯片419的间隙填充底层填料(以下，称为第三绝缘树脂层)425。第三绝缘树脂层425只要是底层填料用的绝缘树脂，就不受特别的限制。此外，第三绝缘树脂层425可在将掩埋电极401的另一端部和第二半导体芯片419进行凸块接合之前形成。
接着，在第一绝缘层415上形成用于掩埋第二半导体芯片419的厚度的绝缘树脂层(以下，称为第四绝缘树脂层)427。作为用作第四绝缘树脂层427的树脂，与第二绝缘树脂层413同样地，使用与在本发明第一实施方式中说明的第二绝缘树脂层113相同的材料。
在使第四绝缘树脂层427固化之后，如图23所示，通过背面研磨对未形成第三半导体元件420的第二半导体芯片419的背面进行研磨，直至每个第四绝缘树脂层427达到所需的厚度(完工厚度)。在对第二半导体芯片419和第四绝缘树脂层427进行研磨时，在未形成第一半导体元件103的半导体晶片101的背面粘贴BSG带，通过背面研磨工序将第二半导体芯片419薄化。在第二半导体芯片419的薄化结束之后，从半导体晶片101的背面剥离BSG带。
接着，在第二半导体芯片419以及第四绝缘树脂层427的研磨面形成第二绝缘层429。第二绝缘层429可使用与第一绝缘层415相同的材料来形成。如图24所示，在第二绝缘层429、第四绝缘树脂层427、第一绝缘层415以及第二绝缘树脂层413形成用于使形成于半导体晶片101上的电极104露出的开口部，在半导体晶片101的上表面整面、即第二绝缘层429上、借助于开口部露出的电极104上以及开口部的侧面，通过半加成法等形成导电层并进行图案化，据此形成用于掩埋开口部的布线431以及与布线431相连接的布线433。之后，在布线433上形成绝缘膜434，在绝缘膜434上形成与布线433相连接的端子435。进而，在端子435上涂敷阻焊剂436之后，进行开口而使端子435露出。在端子435上，根据需要形成外部端子437。外部端子437可以为BGA球。
之后，通过背面研磨对未形成第一半导体元件103的半导体晶片101的背面进行研磨，直至达到完工厚度为止。在半导体晶片101的薄化结束时，在未形成第一半导体元件103的半导体晶片101的背面侧，在形成有槽201的区域露出第二绝缘树脂层413。如图25所示，沿着形成于半导体晶片101的元件区域的边界线，对阻焊剂436、绝缘膜434、第二绝缘层429、第四绝缘树脂层427、第一绝缘层415以及第二绝缘树脂层413进行划片而将半导体晶片101单片化，据此制成半导体装置40。
在将半导体晶片101单片化之前，根据需要，可在半导体晶片101的背面借助于绝缘树脂等形成绝缘膜并固化。在半导体晶片101的背面形成有绝缘膜的情况下，将半导体晶片101的背面的绝缘膜与阻焊剂436、绝缘膜434、第二绝缘层429、第四绝缘树脂层427、第一绝缘层415以及第二绝缘树脂层413一同进行划片而将半导体晶片101单片化。在半导体晶片101上未预先形成槽201的情况下，在划片时，将半导体晶片101与阻焊剂436、绝缘膜434、第二绝缘层429、第四绝缘树脂层427、第一绝缘层415以及第二绝缘树脂层413一同进行划片。
根据本发明第四实施方式的半导体装置的制造方法，可制造抑制凸块连接时的芯片的弯曲引起的凸块连接不良或短路，提高了成品率和可靠性的包括包含带有TSV的半导体芯片的三层以上的层叠芯片的半导体装置。另外，与本发明的第一实施方式以及第二实施方式的半导体装置的制造方法相同，还可降低制造成本。
此外，参照图19至图25，对将形成有TSV的第一半导体芯片403以及形成有第三半导体元件420的第二半导体芯片419分别一个个地层叠在半导体晶片101的一个元件区域上的半导体装置40的制造方法进行说明，与上述的本发明第三实施方式的半导体装置的制造方法同样地，还可将分别形成有TSV的多个第一半导体芯片403以及分别形成有第三半导体元件的多个第二半导体芯片419层叠在半导体晶片101的一个元件区域上。即，针对半导体晶片101的一个元件区域还可平放多个第一半导体芯片403来进行接合，并在多个第一半导体芯片403上分别接合第二半导体芯片419。
另外，在半导体晶片的元件区域上平放包括形成有TSV的半导体芯片的多个半导体芯片来进行层叠的情况下，半导体芯片的层叠数在一个半导体装置内也可以不同。例如，在半导体晶片的一个元件区域上平放两个半导体芯片，从而经由凸块与半导体晶片相接合的情况下，如图26所示的本发明的一个实施方式的半导体装置40’那样，可以将平放于半导体晶片101的元件区域上的两个半导体芯片中的一个半导体芯片作为形成有TSV的第一半导体芯片403，将另一个作为形成有第四半导体元件441的第三半导体芯片439，经由第一凸块409与半导体晶片101凸块接合。这种情况下，在形成有TSV的第一半导体芯片403上，可经由第二凸块423将形成有第三半导体元件420的第二半导体芯片419接合。
<第五实施方式>
参照图27至图33说明本发明第五实施方式的半导体装置的制造方法的概要。在第五实施方式的半导体装置的制造方法中，与第一实施方式至第四实施方式的半导体装置的制造方法不同，使用在各个元件区域形成有第一半导体元件和一端部与第一半导体元件相连接的TSV的半导体晶片作为半导体晶片。在以下说明的本发明第五实施方式的半导体装置的制造方法中，说明对上述的第二实施方式的半导体装置的制造方法中使用的半导体晶片应用形成有TSV的半导体晶片的一例。这里，省略或简化与第二实施方式的半导体装置的制造方法重复的说明。
首先，准备形成有多个元件区域的半导体晶片501。这里，如图27所示，在半导体晶片501上形成有一端部露出的掩埋电极503。另外，在半导体晶片501上形成有与掩埋电极503的露出的一端部电连接的第一半导体元件505。与本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法同样地，沿着元件区域的边界线，在半导体晶片501的形成有第一半导体元件505的面上形成槽201。
与本发明第二实施方式的半导体装置的制造方法同样地，如图28所示，经由凸块109将电极506和电极107电连接来将半导体晶片501和半导体芯片105接合，上述电极506与形成于半导体晶片501的第一半导体元件505相连接，并与半导体芯片105对置，上述电极107经由布线与形成于半导体芯片105的第二半导体元件106相连接，使用第一绝缘树脂层111来掩埋半导体晶片501和半导体芯片105的间隙，并在半导体晶片501上形成第二绝缘树脂层113直至达到用于掩埋半导体芯片105的厚度为止。
接着，如图29所示，通过背面研磨将半导体芯片105进行薄化，直至每个第二绝缘树脂层113达到完工厚度为止。之后，如图30所示，在半导体芯片105以及第二绝缘树脂层113的研磨面形成第一绝缘层114。在第一绝缘层114以及第二绝缘树脂层113形成用于使形成于半导体晶片501上的电极506露出的开口部，并在半导体晶片501的上表面整面、即第一绝缘层114上、借助于开口部而露出的电极506上以及开口部的侧面通过半加成法等形成导电层，并进行图案化，据此形成用于掩埋开口部的布线117以及与布线117相连接的布线507。之后，在布线507上形成绝缘膜508，在绝缘膜508上形成与布线507相连接的端子509。进而，在端子509上涂敷阻焊剂510之后，进行开口而使端子509露出。
接着，在形成于半导体芯片105上的端子509一侧安装晶片支撑件，对半导体晶片501进行研磨直至掩埋电极503的另一端部的近前为止，而将半导体晶片501薄化。之后，通过CMP等对半导体晶片501进行研磨来露出掩埋电极503的另一端部。由此，掩埋电极503发挥贯通半导体晶片501的TSV的功能。在露出了掩埋电极503的另一端部的时刻，在未形成第一半导体元件505的半导体晶片501的背面侧，在形成有槽201的区域，第二绝缘树脂层113露出，而与各个元件区域相对应的半导体晶片501的侧面被第二绝缘树脂层113覆盖。
接着，如图31所示，在半导体晶片501上形成第二绝缘层512。第二绝缘层512可由与第一绝缘层114相同的材料形成。在第二绝缘层512形成用于露出掩埋电极503的开口之后，在第二绝缘层512上形成包括与掩埋电极503的另一端部相连接的端子511的导电层。在导电层中，除了端子511之外可形成有布线(未图示)，在半导体晶片501与导电层之间，可根据需要形成有另外的布线层。关于端子511，可将导电性材料涂敷于第二绝缘层512整面并进行图案化来形成。接着，在端子511和第二绝缘层512的整面涂敷阻焊剂513并进行图案化来形成使端子511露出的开口515。
接着，如图32所示，可根据需要对露出的端子511实施预焊剂处理(OSP)，并在开口515上形成外部端子517。外部端子517可以为利用焊料的BGA球。另外，可在半导体晶片501上形成外部端子517之后，从半导体芯片105一侧剥离晶片支撑件，并根据需要，在与布线507相连接的端子509上形成外部端子519。外部端子519可以为利用焊料的BGA球。
之后，如图33所示，沿着形成于半导体晶片501的元件区域的边界线，对阻焊剂510、绝缘膜508、第一绝缘层114、第二绝缘树脂层113、第二绝缘层512以及阻焊剂513进行划片而将半导体晶片501单片化，从而制造层叠有薄型半导体芯片的堆叠装配封装件50。
根据本发明第五实施方式的半导体装置的制造方法，可制造抑制半导体芯片彼此的凸块连接时的芯片的弯曲引起的凸块连接不良或短路，提高了成品率和可靠性的堆叠装配封装件。
在以上说明的本发明第五实施方式的半导体装置的制造方法中，说明了对第二实施方式的半导体装置的制造方法中使用的半导体晶片应用形成有TSV的半导体晶片的一例，但也可以对第一实施方式、第三实施方式以及第四实施方式的半导体装置的制造方法中使用的半导体晶片应用形成有TSV的半导体晶片来制造堆叠装配封装件。
以上，参照图1A至图33对本发明第一实施方式至第五实施方式进行了说明。此外，本发明并不局限于上述的实施方式，在不脱离要旨的范围内可进行适当变更。

Claims (7)

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
准备形成有电极的半导体晶片，并准备形成有第一半导体元件且具有与上述第一半导体元件电连接的第一掩埋电极的第一半导体芯片；
经由第一凸块将上述第一半导体芯片的上述第一半导体元件与上述半导体晶片的上述电极电连接；
在连接上述半导体晶片与上述第一半导体芯片之前或之后，在相互对置的上述半导体晶片与上述第一半导体芯片的间隙中形成第一绝缘树脂层；
在上述半导体晶片上，以直至达到掩埋上述第一半导体芯片的厚度的方式形成第二绝缘树脂层；
对上述第二绝缘树脂层和上述第一半导体芯片进行研磨，直至上述第一掩埋电极的另一端部的近前为止，而使上述第一掩埋电极的上述另一端部露出；
在上述第一半导体芯片上形成用于覆盖上述第一掩埋电极的上述另一端部的第一绝缘层；
在上述第一绝缘层上形成经由接触孔与上述第一掩埋电极的上述另一端部相连接的端子；
经由第二凸块将上述端子与形成于第二半导体芯片的第二半导体元件电连接；
在连接上述端子与上述第二半导体芯片之前或之后，在相互对置的上述端子和上述第一绝缘层与上述第二半导体芯片的间隙中形成第三绝缘树脂层；
在上述第一绝缘层上，以直至达到掩埋上述第二半导体芯片的厚度为止的方式形成第四绝缘树脂层；
对上述第四绝缘树脂层和上述第二半导体芯片进行研磨，直至上述第二半导体芯片达到规定的厚度为止；
在上述第四绝缘树脂层上和上述第二半导体芯片上形成第二绝缘层；
在上述第二绝缘层、上述第四绝缘树脂层、上述第一绝缘层以及上述第二绝缘树脂层形成用于使形成于上述半导体晶片的上述电极露出的开口部；
用导电性材料掩埋上述开口部；
在上述第二绝缘层上形成与掩埋上述开口部的导电性材料相连接的布线，
形成与上述布线电连接的第一端子；以及
将上述半导体晶片研磨成规定的厚度，
其中，将上述半导体晶片研磨成规定的厚度是指对上述半导体晶片进行研磨直至达到完工厚度为止。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述半导体晶片具有形成有第三半导体元件的多个元件区域。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，将上述多个元件区域的一个元件区域与多个上述第一半导体芯片相连接。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：
经由上述第一凸块将形成于上述半导体晶片的一个元件区域的上述电极与形成于至少一个第三半导体芯片的第四半导体元件电连接的步骤。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在上述半导体晶片上形成一端部与上述第三半导体元件电连接的第二掩埋电极；
在形成上述第一端子之后，对上述半导体晶片进行研磨，直至上述第二掩埋电极的另一端部的近前为止；
使上述第二掩埋电极的另一端部露出；以及
形成与露出的上述第二掩埋电极的另一端部电连接的第二端子。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在将上述电极与上述第一掩埋电极的一端部凸块连接之前，沿着上述元件区域的边界线，在上述半导体晶片上形成宽度比划片宽度宽且深度在上述完工厚度以上的槽；以及
在对上述半导体晶片进行研磨直至达到上述完工厚度之后，将上述半导体晶片单片化，
其中，上述单片化是指沿着形成于上述半导体晶片的上述槽以比上述槽窄的划片宽度将上述半导体晶片单片化。
7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在将上述电极与上述第一掩埋电极的一端部凸块连接之前，沿着上述元件区域的边界线，在上述半导体晶片上形成宽度比划片宽度宽且深度在上述完工厚度以上的槽；以及
在对上述半导体晶片进行研磨直至达到上述完工厚度之后，将上述半导体晶片单片化，
其中，上述单片化是指沿着形成于上述半导体晶片的上述槽以比上述槽窄的划片宽度将上述半导体晶片单片化。
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