CN104053302A - 介电材料、由其形成子组件的方法以及由此形成的子组件 - Google Patents

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Abstract

一种电路子组件，包括由介电组合物形成的介电层，在以该组合物的总体积计的情况下，该介电组合物包括：约15至约65体积百分比的介电填料；以及约35至约85体积百分比的热固性组合物，该热固性组合物包括：聚芳醚，以及羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物。

Description

介电材料、由其形成子组件的方法以及由此形成的子组件
本申请是申请日为2010年6月11日、申请号为201080025702.5(PCT/US2010/038303)、发明名称为“介电材料、由其形成子组件的方法以及由此形成的子组件”的专利申请的分案申请。 
技术领域
本发明总体上涉及聚合物介电材料、形成包括该聚合物介电材料的电路和电路子组件的方法，以及由此形成的电路和子组件。 
背景技术
聚合物介电材料广泛用于电子电路的制造中。经常将聚合物介电材料以电路子组件的形式作为层来提供给电路或设备制造商。这些子组件用于许多诸如集成电路(IC)基板、射频(RF)系统以及高速数字系统的半导体封装应用中。例如，IC芯片(例如，微处理器、随机存取存储器、微控制器以及专用集成电路等)的电路通常通过诸如中介层、基板和/或板的互连结构来与电路的另一个元件相连接。为了使得电子装备较小、较快、较轻以及较便宜，制作高密度的互连结构来容纳每单位面积的大量导体通路。高密度互连结构不仅使得IC封装的覆盖区域小型化，而且可以改善信号完整性，诸如噪声降低以及低衰减。制造高密度互连结构的一个方法是使用顺次累积(SBU，sequential buildup)法来制造电路子组件，特别是SBU电路子组件。 
常规的SBU电路子组件具有两个不同的元件：芯和累积层。芯可以包括介电基板层(例如，如在印刷电路板(PCB)中使用的玻璃增强环氧树脂)、传导性金属层(例如，铜或铝)、陶瓷层、芯粘合层或者PCB，该PCB包括介电层和至少一个(特别是两个)传导性电路层，该至少一个(特别是两个)传导性电路层被布置在介电层或具有多于1个介电层和多于两个传导性层的多层PCB的相反侧上。SBU处理通常开始于芯，芯用作用于制作累积层的载体并提供机械支持。累积层包括介电层和布线层，并且累积层被交替地在芯基板的一个或两个表面上顺次地堆叠。布线 层包括提供各种布线功能的多个电路图案。通过激光成形的或光限定的(photo defined)传导性过孔来提供层间连接。为使芯的一侧上的累积层与另一侧上的累积层互连，芯基板中的通孔是机械地和/或激光钻孔或穿孔的，并且这些孔是利用标准PCB技术来用导体填充或镀覆的。 
本文所使用的“电路子组件”还包括其他类型的子组件，例如连接层(bond ply)、树脂涂覆传导性层、无覆层的介电基板层、覆盖膜和电路层压板。电路层压板具有传导性层，例如铜，该传导性层固定附着在固化后的聚合物介电层上。双覆层电路层压板具有两个传导性层，分别在聚合物介电层的每一侧上。使层压板的传导性层(例如通过蚀刻)图案化而提供电路。多层电路包括多个传导性层，其中至少一个传导性层包含传导性布线图案。通常，多层电路是通过利用连接层将一个或多个电路层层压在一起，通过利用随后被蚀刻的树脂涂覆传导性层来累积附加层，或者通过加入无覆层介电层来累积附加层并随后进行额外的金属化来形成的。在层压过程中，未固化的或B-阶段(部分固化的)的连接层、树脂涂覆传导性层和累积层被固化。在多层电路形成后，可以使用已知的成孔和镀覆技术来产生传导性层之间的有用电通路。 
常规的垂直集成的互连电路子组件包括称作子组合体的不同电路子组件。通常有两种类型的子组合体：接合芯子组合体和信号芯子组合体。两种类型的子组合体都包括布置于两个介电层之间的传导性功率层。可以在子组合体中形成多个通孔。对于信号芯子组合体来说，然后利用半加成处理(semi-additive process)来将布线层布置在介电层上。在接合芯子组合体中，然后用传导性金属来镀覆通孔，和/或用电传导性胶来填充通孔。使子组合体在彼此之上相对齐，并且将子组合体粘附或层压在一起来形成子组件。被镀金属和/或电传导性胶然后在接合芯子组合体和信号芯子组合体之间形成传导性接合部，从而提供了通过垂直集成互连的子组件的多个电通路。由于子组件中的z轴的电互连性质，该子组件可以提供比SBU子组件能够使用的布线密度更高的布线密度。 
适合在上述电路子组件和电路材料中使用的介电材料必须满足各种严格的要求。尤其是对多频带中的较小的、且花费较少的电子操作的需求一直在增长。在一些情况下，IC封装已变为对实现进一步减小半导体尺寸以及增加频率的障碍。较高的频率需要具有非常低的损耗(Df，也称作损耗正切和耗散因子)的介电材料。低损耗材料在其传输特性期间对电信号的衰减的贡献很小，着反过来可以降低对IC功率和峰值结温的要求。 然而，常规的介电材料在较高频率(例如，千兆赫兹)具有相对高的损耗。例如，常用的累积介电膜(来自Ajinomoto的GX13型)在5.8GHz具有0.019的损耗(日期为2007年六月的ABF材料上的Ajinomoto数据表)，该水平可能对许多高频/高速应用来说是有问题的。此外，累积电介质中的吸收水可能对电性能具有不利影响，尤其是使得损耗增加，并从而造成了电气可靠性问题。因此，现在和将来的累积应用需要一种具有非常低的吸水率的介电材料。上述GX13累积介电膜具有大于1％的吸水率，而这对于许多高频/高速应用来说是无法接受的。这种高吸水率还可能导致热可靠性问题。此外，常规介电材料的电容密度可能根据频率和温度而变化，这可能影响封装的性能。 
而且，介电层部分地用于吸收作为封装与芯之间、或芯中的层之间的热膨胀系数(CTE)失配的结果而出现的任何热或机械应力。因此，用于较高性能应用的理想介电材料通常具有与低模量和高延伸率相结合的低CTE，以提供不太可能受到可能与CTE失配有关的扭曲和操作问题的影响的子组件。对于高性能累积层来说，其他所需特性包括良好的高温稳定性、良好的导热性(散热)、低的z轴CTE以及可控的熔融流。最后一个特性在累积介电层的处理和使用中是关键性的。 
当前使用中的介电材料，诸如上述的GX13，具有累积应用所寻找的许多所需特性，但它不满足用于增加高频/高速的应用的所有期望的需要。特别是，这些材料承受了具有大大高于期望的介电损耗和吸水率以及低于期望的高温热性能。 
在本领域中仍然需要用于电路和电路子组件的制造中的、具有良好的机械特性、良好的高温稳定性、低吸水率以及在高频处的低损耗的组合。如果材料具有高导热性，并且在不含卤化阻燃剂的情况下具有卓越的阻燃性，这将是另外一个益处。 
发明内容
在一个实施例中，一种电路子组件，包括：芯，其中，芯包括： 
具有第一表面和相反的第二表面的芯介电基板层，其中芯介电基板层的组合物基于1,2-聚丁二烯、聚四氟乙烯或液晶聚合物，和 
布置在芯介电基板层的第一表面上的第一芯布线层；以及介电层，介电层布置在第一芯布线层上，其中，介电层由介电组合物 形成，在以介电组合物的总体积计的情况下，介电组合物包括： 
30至65体积百分比的介电填料，其占介电组合物的至少15重量百分比wt％，其中介电填料具有0.1到15微米的平均颗粒尺寸；和 
35至85体积百分比的热固性组合物，热固性组合物包括： 
30至50重量百分比的未改性聚芳醚， 
20至40重量百分比的羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物，和 
20至40重量百分比的弹性体嵌段共聚物。 
在另一个实施例中，一种用于制造电路子组件的方法，包括： 
提供芯，芯包括： 
具有第一表面和相反的第二表面的芯介电基板层，其中芯介电基板层的组合物基于1,2-聚丁二烯、聚四氟乙烯或液晶聚合物，和 
布置在芯介电基板层的第一表面上的第一芯布线层；以及 
将介电层层压到第一芯布线层上，其中，介电层由介电组合物形成，在以介电组合物的总体积计的情况下，介电组合物包括： 
30至65体积百分比的介电填料，其占介电组合物的至少15重量百分比wt％，其中介电填料具有0.1到15微米的平均颗粒尺寸；和 
35至85体积百分比的热固性组合物，热固性组合物包括： 
30至50重量百分比的未改性聚芳醚， 
20至40重量百分比的羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物，和 
20至40重量百分比的弹性体嵌段共聚物。 
通过以下附图、详细说明和示例进一步示出了本发明。 
附图说明
现在参考示例性附图，其中，在这些图中相同的元件采用相同的附图标记来表示： 
图1示出了顺次累积的电路子组件的示例性实施例； 
图2示出了顺次累积的电路子组件的另一个示例性实施例； 
图3示出了包含多层电路芯的顺次累积的电路子组件的示例性实施例； 
图4示出了用于形成垂直集成互连的电路子组件的电路子组件的子组合体的示例性实施例； 
图5示出了由图4的子组合体形成的垂直集成互连的电路子组件的示例性实施例； 
图6示出了单覆层层压板的示例性实施例； 
图7示出了双覆层层压板的示例性实施例； 
图8示出了具有图案化的传导性层的双覆层层压板电路子组件的示例性实施例； 
图9示出了包含两个双覆层电路层压板的示例性多层电路的示例性实施例。 
具体实施方式
本文公开了在电路子组件和由此形成的电路的制造中有用的介电组合物。该介电组合物包括至少15重量百分比wt.％的热固性组合物中的介电填料，该热固性组合物包含：聚芳醚；聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物(优选为羧基化聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物)；以及可选的弹性体嵌段共聚物，其包括衍生自烯基芳族化合物和共轭二烯的单元。聚芳醚也可以可选地被羧基官能化。这些成分的组合提供了用于广泛类型的电路子组件中的改善的介电组合物，包括SBU电路子组件中的芯和/或累积层、垂直集成互连的电路子组件的子组合体、以及印刷布线板和其他类型的电路中的连接层、树脂涂覆传导性层、介电基板和覆盖膜。这些电路子组件与高频及高切换速度IC相兼容。此外，固化后的介电组合物具有低吸湿率和所需的机械特性，并且可以是无卤的，而且仍然达到V-0的UL94评级。 
介电组合物因此解决了当前半导体封装应用所需要的较高的性能需求。例如，介电材料(例如，完全固化的介电组合物)具有比当前在SBU子组件中所使用介电材料(例如，Ajinomoto的GX13型)在高频处(例如，在10GHz处)的更低的介电损耗以及更高的稳定性。较低的介电损耗使得SBU子组件能够用于较高的频率应用中。介电材料的较高的热稳 定性允许材料暴露于诸如焊接和引线接合(wire bonding)的高温操作，而不会出现变形或起泡。 
还发现，可以将介电材料制造为具有高的介电常数(Dk)(例如在10GHz处为从约5到约12)，从而使得介电材料适合用作与高频电容器和电感器一起使用的SBU子组件中的芯粘合层和/或介电层。此外，较高Dk的介电材料还可以被用作SBU子组件中的累积层，这些累积层包括具有较高Dk的芯和/或芯粘合层的累积层。 
发明人于此发现，除了具有良好的加工特点之外还具有前述特性的介电组合物的制造中的关键因素是：对介电组合物中存在的填料的类型、尺寸以及质量的选择。这些因素对调节介电组合物的特性(包括层压板上的流、阻燃性、CTE、导热性、Dk、Df、模量和延伸率)来说都很重要。填料的组合常被用于获得所需的特性的平衡。 
用于介电组合物中的示例性填料包括单独或组合使用的二氧化钛(金红石和锐钛)、钛酸钡、钛酸锶、二氧化硅(包括熔融无定形二氧化硅)、刚玉、硅灰石、芳纶纤维(例如，杜邦(DuPont)的凯夫拉(注册商标)(KEVLARTM)、玻璃纤维、Ba2Ti9O20、玻璃球、石英、氮化硼、氮化铝、碳化硅、氧化铍、氧化铝、氧化镁、氢氧化镁、聚磷酸三聚氰胺、氰尿酸三聚氰胺、蜜白胺(Melam)、氰尿酰胺(Melon)、蜜勒胺(Melem)、胍、磷腈、硅氮烷、DOPO(9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-1-氧化物)、DOPO(10-5二羟苯基，10-氢-9oxaphosphaphenanthrenelo-氧化物)、云母、滑石、纳米粘土、铝硅酸盐(天然的和合成的)和气相二氧化硅(例如，可得自卡博特集团(Cabot Corporation)的Cab-O-Sil)。具体的填料包括金红石二氧化钛、表面处理的/涂覆的氢氧化镁和无定形二氧化硅。 
填料可以为固体、多孔或中空颗粒的形式。填料的颗粒尺寸影响许多重要特性，这些重要特性包括固化前和固化期间的流变能力、最大封装馏分、热膨胀系数、模量、延伸率以及阻燃性。在一个实施例中，填料具有0.1到15微米(尤其是0.2到10微米)的平均颗粒尺寸。可以使用具有双峰、三峰或更高的平均颗粒尺寸分布的填料的组合。 
为了提高填料和聚合物之间的附着力，可以利用一种或多种偶联剂如硅烷、锆酸盐或钛酸盐来处理填料。可以对填料进行预处理，或者可以将偶联剂加入到热固性组合物，如下所要详细描述的。 
介电组合物包括至少15vol％(容积百分比)的填料组合物，剩余为 热固性组合物。填料的具体量和填料的选择取决于介电组合物的想要的用途。无论如何，发明人已发现，至少需要15vol％的填料来达到介电组合物的可以接受的热膨胀系数。此外，通过选择合适的填料类型、颗粒尺寸分布以及超过最小的15vol％的加载水平，对于许多应用可以获得全部的所需的特性的平衡。 
介电组合物还包括热固性组合物。热固性组合物包括聚芳醚，聚芳醚可以是均聚物或共聚物的形式，包括接枝或嵌段共聚物。可以使用各种形式的组合。聚芳醚包括多种式(1)的结构单元： 
其中对于每个结构单元而言，各个R和R’独立地为氢、卤素、伯或仲C1-7烷基、苯基、C1-7氨基烷基、C1-7烯基烷基、C1-7炔基烷基、C1-7烷氧基、C6-10芳基和C6-10芳氧基。在一些实施例中，各个R独立地为C1-7烷基或苯基(例如C1-4烷基)，并且各个R’独立地为氢或甲基。 
示例性的聚芳醚包括聚(2，6-二甲基-1，4-苯醚)、聚(2，6-二乙基-1，4-苯醚)、聚(2，6-二丙基-1，4-苯醚)、聚(2-甲基-6-烯丙基-1，4-苯醚)、聚(二叔丁基-二甲氧基-1，4-苯醚)、聚(2，6-二氯甲基-1，4-苯醚)、聚(2，6-二溴甲基-1，4-苯醚)、聚(2，6-二(2-氯乙基)-1，4-苯醚)、聚(2，6-二甲苯基-1，4-苯醚)、聚(2，6-二氯-1，4-苯醚)、聚(2，6-二苯基-1，4-苯醚)和聚(2，5-二甲基-1，4-苯醚)。有用的聚芳醚包括2，6-二甲基-1，4-苯醚单元，可选地与2，3，6-三甲基-1，4-苯醚单元相组合。 
聚芳醚可被官能化以提供增强用于形成布线层的传导性金属和介电层之间的附着力的官能团，并可以提高其他处理和性能特性。官能化可以通过使用多官能化合物来实现，该多官能化合物在分子中具有以下(i)和(ii)中的任一种或两种：(i)碳碳双键或碳碳三键，以及(ii)一个或多个羧基(包括羧酸、酸酐、酰胺、酯或酰卤)。在一个实施例中，该官能团是羧酸或酯基团。可提供羧酸官能团的多官能化合物的示例包括马来酸、马来酸酐、富马酸和柠檬酸。 
具体而言，合适的官能化聚芳醚包括聚芳醚和环羧酸酐的反应产物。 合适的环酐示例是马来酸酐、琥珀酸酐、戊二酸酐、己二酸酐和邻苯二甲酸酐，特别是马来酸酐或甲基丙烯酸酐。改性聚芳醚如马来酸酐化聚芳醚可以通过在美国专利No.5,310,820中描述的方法产生或市购。可市购的合适的改性和未改性聚芳醚的示例包括来自旭金属(Asahi)的PPE-MA(马来酸酐化聚芳醚)和来自科聚亚(Chemtura)的Blendex HPP820(未改性聚芳醚)。 
可替选地，合适的官能化聚芳醚包括聚芳醚和含苯乙烯化合物的反应产物，使得在反应之后生成的聚合物中存在未反应的双键。 
热固性组合物还包括聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物。本文所使用的“聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物”包括衍生自丁二烯的均聚物、衍生自异戊二烯的均聚物、和衍生自丁二烯和/或异戊二烯和/或少于50wt％(重量百分比)的与丁二烯和/或异戊二烯可共固化的单体的共聚物。与丁二烯和/或异戊二烯可共固化的合适单体包括单乙烯基不饱和化合物，如下述的丙烯腈、乙基丙烯腈、甲基丙烯腈、α-氯丙烯腈、β-氯丙烯腈、α-溴丙烯腈、C1-6(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正丙酯和(甲基)丙烯酸异丙酯)、丙烯酰胺，甲基丙烯酰胺、马来酰亚胺、N-甲基马来酰亚胺、N-乙基马来酰亚胺、衣康酸、(甲基)丙烯酸、烯基芳族化合物以及包括前述单乙烯基不饱和化合物中至少其一的组合。 
热固性组合物中所使用的可共固化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物可以与聚芳醚共固化。在一个实施例中，聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物被羧基官能化。官能化可以通过利用多官能化合物来实现，该多官能化合物在分子中同时具有(i)碳碳双键或碳碳三键以及(ii)一个或多个的羧基基团(包括羧酸、酸酐、酰胺、酯或酰卤)。优选的羧基基团是羧酸或酯。可提供羧酸官能团的多官能化合物的示例包括马来酸、马来酸酐、富马酸和柠檬酸。特别地，在热固性组合物中可以使用加成马来酸酐的聚丁二烯。合适的马来酸酐化聚丁二烯聚合物可以市购，例如购自沙多玛(Sartomer)的商品名为RICON130MA8、RICON130MA13、RICON130MA20、RICON131MA5、RICON131MA10、RICON131MA17、RICON131MA20和RICON156MA17。合适的马来酸酐化聚丁二烯-苯乙烯共聚物可以市购，例如，购自从Sartomer的商品名为RICON184MA6。RICON184MA6是加成马来酸酐的丁二烯-苯乙烯共聚物，其苯乙烯含量为17-27wt％，数均分子量(Mn)为约9900g/摩尔。 
在又一实施例中，热固性组合物还包括弹性体聚合物。该弹性体聚合物可与聚芳醚和/或聚丁二烯或异戊二烯树脂共固化。合适的弹性体包括弹性体嵌段共聚物，其包含衍生自烯基芳族化合物的嵌段(A)和衍生自共轭二烯的嵌段(B)。嵌段(A)和(B)的排列包括线型和接枝结构，包括具有支链的放射状远距离嵌段(teleblock)结构。线型结构的例子包括二嵌段(A-B)、三嵌段(A-B-A或B-A-B)、四嵌段(A-B-A-B)和五嵌段(A-B-A-B-A或B-A-B-A-B)结构以及包含总共6个或更多个A和B嵌段的线型结构。具体的嵌段共聚物包括二嵌段、三嵌段和四嵌段结构，特别是A-B二嵌段和A-B-A三嵌段结构。 
提供嵌段(A)的烯基芳族化合物由式(2)表示： 
其中各个R2和R3独立地为氢、C1-C5烷基、溴或氯，并且各个R4、R5、R6、R7和R8独立地为氢、C1-C12烷基、C3-C12环烷基、C6-C12芳基、C7-C12芳烷基、C7-C12烷芳基、C1-C12烷氧基、C3-C12环烷氧基、C6-C12芳氧基、氯、溴或羟基。示例性的烯基芳族化合物包括苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、3，5-二乙基苯乙烯、4-正丙基苯乙烯、α-甲基苯乙烯，α-甲基乙烯基甲苯、α-氯苯乙烯，α-溴苯乙烯、二氯苯乙烯、二溴苯乙烯、四氯苯乙烯等，以及包含前述化合物中至少其一的组合。经常使用苯乙烯和/或α-甲基苯乙烯。 
用于提供嵌段(B)的共轭二烯的具体实例包括1，3-丁二烯、2-甲基-1，3-丁二烯(异戊二烯)，2，3-二甲基-1，3-丁二烯和1，3-戊二烯，特别是1，3-丁二烯和异戊二烯。可以使用多种共轭二烯的组合。衍生自共轭二烯的嵌段(B)任选地部分或完全氢化。 
包含衍生自烯基芳族化合物的嵌段(A)和衍生自共轭二烯的嵌段(B)的示例性嵌段共聚物包括苯乙烯-丁二烯二嵌段共聚物(SB)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-异戊二烯二嵌段共聚物(SI)、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-(乙烯-丁烯)-苯乙烯三嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-(乙烯-丙烯)-苯乙烯三嵌段共聚物 (SEPS)和苯乙烯-(乙烯-丁烯)二嵌段共聚物(SEB)。这种聚合物可市购，例如购自Shell Chemical Corporation的商品名为KRATON D-1101、KRATON D-1102、KRATON D-1107、KRATON D-1111、KRATON D-1116、KRATON D-1117、KRATON D-1118、KRATON D-1119、KRATON D-1122、KRATON D-1135X、KRATON D-1184、KRATON D-1144X、KRATON D-1300X、KRATON D-4141、KRATON D-4158、KRATON G1726和KRATON G-1652。KRATON D-1118是固体SB-SBS共聚物。这种共聚物具有聚苯乙烯端嵌段和橡胶态聚丁二烯中间嵌段，其中含有约20％的SBS三嵌段和80％的SB二嵌段。它是一种低模量、低内聚强度的软橡胶。 
聚芳醚、聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物和弹性体嵌段共聚物的相对含量将取决于介电组合物的预期使用(例如，是否用在芯中、累积层中等)以及取决于所需的特性。已发现，聚芳醚的使用在传导性金属层(尤其是铜)和相对非极性的介电基板材料之间提供了增强的粘合强度。因为聚芳醚本身的非极性使得该结果特别出乎意料。使用聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物进一步提高了介电材料的耐高温性，尤其是当这些聚合物被羧基官能化时。使用弹性体嵌段共聚物可以与介电材料的组分相容。每种组分的适当量的确定可以使用本文提供的指导而无需进行过度实验。 
在一个实施例中，热固性组合物包括至多100wt％的聚芳醚，特别是羧基官能化的聚芳醚。在另一实施例中，热固性组合物主要包括至多100wt％的聚芳醚，特别是羧基官能化的聚芳醚组成。 
在又一实施例中，热固性组合物包括至多100wt％的聚芳醚。替代地，热固性组合物主要包括至多100wt％的苯乙烯聚芳醚。 
替代地，热固性组合物可以包含约20wt％至约99wt％、特别是约30wt％至约80wt％、更特别是约40wt％至约60wt％的聚芳醚，优选为羧基官能化的聚芳醚，以及约1wt％至约80wt％、特别为11到约70wt％、特别约20wt％至约70wt％、更特别是约40wt％至约60wt％的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物，优选为羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物，前述量均以热固性组合物的总重量计。 
在又一实施例中，热固性组合物包含约20wt％至约98wt％、特别是约25wt％至约75wt％、更特别是约30wt％至约50wt％的聚芳醚，优选为羧基官能化的聚芳醚；约1wt％至约79wt％、特别是约10wt％至约60wt％、更特别是约20wt％至约40wt％的共固化聚丁二烯或聚异戊二烯 聚合物，优选为羧基官能化的共固化聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物；以及约1wt％至约79wt％、特别是约10wt％至约60wt％、更特别是约20wt％至约40wt％的弹性体嵌段共聚物；前述量均以热固性组合物的总重量计。 
除了上述一种或多种聚合物以外，介电组合物还可任选地包括诸如固化剂、交联剂、粘度调节剂、偶联剂、润湿剂、阻燃剂、填料、抗氧化剂和偶联剂的添加剂。添加剂的特定选择取决于介电材料的特定应用以及该应用的所需特性，并且选择为用以增强电路子组件的电性能或不具有对电路子组件的电性能的不利影响，电路子组件的电性能例如是介电常数、耗散因子、介电损耗和/或其它所需性能。 
示例性固化剂包括用于引发聚合物固化的那些。示例包括但不限于：叠氮化物、过氧化物、硫和硫的衍生物。自由基引发剂特别适合用作固化引发剂。自由基引发剂的示例包括过氧化物、氢过氧化物和非过氧化物引发剂，如2，3-二甲基-2，3-二苯基丁烷。过氧化物固化剂的示例包括过氧化二异丙苯、α，α-二(叔丁基过氧化)-间，对-二异丙苯、2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧化)己烷-3、2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧化)己炔-3和包含一种或多种前述固化引发剂的混合物。固化引发剂在使用时，通常用量为约0.1wt％至约5wt％，以介电组合物的总重量计。 
交联剂是在介电材料固化时提高交联密度的反应性单体或聚合物。在一个实施例中，这种反应性单体或聚合物能够与粘合剂聚合物中的聚合物和电路基板组合物中的聚合物共反应。合适的反应性单体的示例包括苯乙烯、二乙烯基苯、乙烯基甲苯、二乙烯基苯、三烯丙基氰尿酸酯、二烯丙基邻苯二甲酸酯和多官能丙烯酸酯单体(诸如可得自Sartomer Co.的Sartomer化合物)等，其中所有这些都可市购。交联剂的常用量为约0.1wt％至约50wt％，以介电材料组合物的总重量计。 
示例性抗氧化剂包括自由基清除剂和金属钝化剂。自由基清除剂的非限制性示例是聚[[6-(1，1，3，3-四甲基丁基)氨基-均-三嗪-2，4-基][(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)亚氨基]六亚甲基[(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)亚氨基]]，可市购自Ciba Chemicals，商品名为Chimmasorb944。金属钝化剂的非限制性示例是2，2-乙二酰二氨基双[3-(3，5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酸乙酯]，可市购自Uniroyal Chemical(Middlebury，CT)，商品名为Naugard XL-1。可以使用单一的抗氧化剂、或者两种或更多种抗氧化剂的混合物。抗氧化剂的通常用量为至多约3wt％，特别是约0.5wt％至约 2.0wt％，以介电组合物的总重量计。 
偶联剂可以用于促进形成或参与连接金属表面或填料表面与聚合物的共价键。示例性的偶联剂包括3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷和3-巯丙基三甲氧基硅烷和环己基硅氮烷。偶联剂在使用时的用量为约0.1wt％至约2.0wt％，以介电组合物的总重量计。 
配方可以包括阻燃助剂，如含溴、磷、金属氧化物的阻燃剂。合适的含溴阻燃剂可市购获得，例如：得自Albemarle Corporation，商品名为Saytex BT-93W(乙撑双四溴邻苯二甲酰亚胺 )、Saytex 120(十四烷基溴二苯氧基苯)；得自Great Lake，商品名为BC-52、BC-58；得自EsschemInc，商品名为FR1025。合适的含磷阻燃剂包括有机磷类化合物，例如公式 (GO)3 P＝O的芳族磷酸酯，其中各个G独立地为C1-36烷基、环烷基、芳基、烷基芳基或烷基芳基官能团，前提是至少一个G为芳族官能团。G官能团中的两个官能团可以结合在一起来提供环官能团，例如，二苯基季戊四醇二磷酸酯。其他合适的芳族磷酸酯例如可以是苯基双(十二烷基)磷酸酯、苯基双(新戊基)磷酸酯、苯基双(3，5，5’-三乙基己基)磷酸酯、乙基二苯基磷酸酯、2-乙基己基二(对-甲基苯)磷酸酯、双(2-乙基己基)对-甲基苯磷酸酯、三甲苯磷酸酯、双(2-乙基己基)苯基磷酸酯、三(壬基苯基)磷酸酯、双(十二烷基)对-甲苯基磷酸酯、二丁基苯基磷酸酯、2-氯乙基二苯基磷酸酯、对-甲苯基双(2，5，5’-三乙基己基)磷酸酯、2-乙基己基二苯基磷酸酯等。特定的芳族磷酸酯是其中各个G均为芳族的一个芳族磷酸酯，例如，磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯以及磷酸异丙三苯酯等。合适的二-或多官能芳族含磷化合物的示例包括间苯二酚四苯基二磷酸酯(RDP)、对苯二酚的双(二苯基)磷酸酯以及双-A的双(二苯基)磷酸酯，以及它们各自的低聚物的、聚合物的相对物。可以使用金属磷酸盐。磷酸酯的示例为诸如脂环磷酸盐和磷酸酯的磷酸盐。磷酸酯的其他示例为二次磷酸、二甲磷酸、乙基甲基次磷酸、二乙基次磷酸以及这些酸的盐，诸如铝盐和锌盐。氧化磷的示例为异丁基双(羟烷基)氧化磷和1，4-二异丁烯-2，3，5，6-四羟基-1，4-二磷氧化物或1，4-二异丁烯-1，4-二磷酰基-2，3，5，6-四羟基环己烷。含磷化合物的其他示例为(Great Lakes)、(Great Lakes)、 (Albemarle)、Hostaflam(Clariant)、Hostaflam(Clariant)、EXOLIT 935(Clariant)和Cyagard RFCyagard RF 和Cyagard RF 1243R(Cyagard为Cytec Industries的产品)。在一个特别有利的实施例中，当与EXOLIT 935(一种铝磷酸酯)一起使用时， 无卤版的粘合具有卓越的阻燃性。合适的金属氧化物阻燃剂为氢氧化镁、氢氧化铝、锡酸锌、氧化硼等。 
上述的介电材料具有低的介电损耗，尤其是在10千兆赫兹处测量的、低于或等于约0.02的耗散因子；特别是在10千兆赫兹处测量的、低于或等于约0.01的耗散因子；更特别是在10千兆赫兹处测量的、低于或等于约0.005的耗散因子。 
上述介电材料还具有低的CTE，尤其是在0到150℃所测量的、低于或等于约百万分之80份每摄氏度(ppm/℃)；特别是在0到150℃所测量的、低于或等于约60ppm/℃；更特别是在0到150℃所测量的、低于或等于约50ppm/℃。 
上述介电材料还具有良好的导热性，在0.2至0.7瓦每米每开尔文(W/mK)，特别是0.3至0.5W/mK。 
还发现，该材料具有高的热稳定性，结果使得该材料具有防止在高温暴漏期间(诸如在焊接和/或引线接合期间)变形或起泡的性能。高导热率和高热稳定性有益于产生较高热量的设备，诸如运行在高时钟速度、高功率的芯片、大尺寸芯片或具有发热激光二极管的光电部件。 
组合物还可以具有低吸湿率，这会使得封装基板在使用中和在存放期间都对环境条件不太敏感。在一个实施例中，在23℃的水中24小时浸没的情况下的吸湿率为约0.05％至约0.3％。 
此外，组合物可以达到V-0的UL94评级。在一个实施例中，评级是在不含溴化或氯化阻燃剂的情况下获得的。 
这里的介电材料还具有相对低的模量和高的延伸率。这特别有助于铜质互连器的稳定性，因为其阻止了镀铜通孔的壁上由于该部分的热循环所给予的过多压力。在一个实施例中，介电材料的拉伸模量小于约3000Mpa。在另一个实施例中，介电材料的延伸率大于约5％。 
如前所述，本文所描述的介电材料可以用于各种电路子组件中，例如用于SBU电路子组件中，SBU电路子组件本身可以用于各种半导体封装应用中。介电材料可以用作累积层、多层芯中的介电基板层、芯中的电路之间的芯粘合层或其组合。下面的图1-3示出了SBU组件的各种实施例并示出了这些层中各层的关系。 
图1示出了SBU电路子组件10的示例性实施例的剖视图。累积层和芯一起形成SBU子组件。SBU子组件10具有芯11，芯11包括具有第一 侧面12a和第二侧面12b的芯基板12。在该实施例中，芯基板包括单层的基本均匀的材料，例如，介电聚合物。将多个通孔21制成通过芯基板12的第一表面12a和第二表面12b延伸。每个通孔21具有形成于其中的被镀导体22。通孔21还可以用例如环氧树脂材料的树脂来填满。芯10还包括布置于芯基板第一表面12a上的第一芯布线层13。第一布线层13的部分与被镀导体22的第一端相连接。布置于芯基板第二表面12b上的第二芯布线层15以及第二布线层15的部分与被镀通孔导体22的第二端相连接。 
如本文所描述的第一累积层30被布置在芯基板第一表面12a和第一芯布线层13上。如在本文所使用的“布置”指两层之间至少部分地紧密接触。第一累积布线层34被布置在累积层30上。多个第一级过孔33是在该多个过孔33的底部暴露在第一布线层13上的情况下在累积层30中形成的。 
如本文所描述的第二累积层50被布置在芯基板第二表面12b和第二芯布线层15上。第二累积布线层54被布置在累积层50上。多个第一级过孔53是在该多个过孔53的底部暴露在第二布线层15上的情况下在累积层50中形成的。 
可以将累积层连续加到图1的SBU子组件，直到达到期望数量的布线层为止。图2示出了该种类型的示例性SBU子组件200的剖视图。SBU子组件200具有芯210，芯210包括具有第一侧面220a和第二侧面220b的芯基板220。在该实施例中，芯基板包括单层的基本均匀的材料，例如，介电聚合物。将多个通孔221制成通过芯基板220的第一表面220a和第二表面220b延伸。每个通孔221具有形成于其中的被镀导体222。通孔121还可以用例如环氧树脂材料的树脂来填满。芯210还包括布置于芯基板第一表面220a上的第一芯布线层231。第一芯布线层231的部分与被镀导体222的第一端相连接。布置于芯基板第二表面220b上的第二芯布线层251以及第二布线层251的部分与被镀通孔导体222的第二端相连接。 
第一累积层230和250被分别地布置在芯基板第一表面220a和第一芯布线层231上、以及芯基板第二表面220b和第二芯布线层251上。第一累积布线层234被布置在第一累积层230上。第一累积布线层234的部分与被镀导体222的第一端相连接。多个第一级过孔233是在该多个过孔33的底部暴露在第一布线层231上的情况下在第一累积层230中形成的。 第一累积布线层234的部分延伸至第一级过孔233中、并且在第一方向上与第一布线层231相接触。 
与第一累积层230相似，第二累积层250被芯210的与第一累积层230相反的侧面220b上。第二累积层250包括上述的介电材料。第二累积布线层254被布置在第二累积材料250上。第二多个第一级过孔253是在该过个过孔253的底部暴露在第一布线层251上的情况下在第一累积层250中形成的。第二累积布线层254的部分延伸至第一级过孔253中、并且与第一布线层251相接触。 
图2的SBU子组件还包括分别布置于第一和第二累积层230和250上的第三累积层235和第四累积层255。因此，第三累积层235覆盖第一累积布线层234。多个第二级过孔236是在该多个过孔236的底部暴露在第二布线层234上的情况下在第三介电层235中形成的。同样地，第三累积布线层237形成于第三介电层235上，并且第三布线层237的部分延伸至第二级过孔236中、并在第一方向上与第二布线层234相接触。第四累积层255覆盖第二累积布线层254。 
多个第二级过孔256是在该多个过孔256的底部暴露在第二累积布线层254上的情况下在第四介电层255中形成的。同样地，第四累积布线层257形成于第四介电层255上，并且第四布线层257的部分延伸至第二级过孔256中、并在第一方向上与第二布线层254相接触。 
如图2中另外示出的，阻焊层238涂覆在第三介电层235上并覆盖第三布线层237。多个开口239是在该多个开口239的底部暴露于第三布线层237的情况下在阻焊层238中形成的。多个接触垫240可以放置在开口239中以及第三布线层237上，用来将半导体芯片附接至SBU子组件(未示出)。类似的阻焊层258和任选的接触垫(未示出)可以布置在第四累积层255上。 
图3示出了SBU子组件300的另一个示范性实施例。不同于图1和图2的SBU子组件100和200，SBU子组件300包括多层PCB芯320。由于对于本领域的技术人员来说，显然地，芯320的设计与常规PCB的设计是类似的，并且可以通过常规层压PCB处理技术来形成芯320。在该实施例中，多层PCB芯320包括四个电路层压板层，该四个电路层压板层包括介电基板层321、322、323和324。布线层326布置于介电基板层之间。芯通孔328被布置成贯穿芯电路层压板层、并且被用于与多层芯基板320的特定金属层326相电连接。为了这个目的，用金属镀覆护套 329来涂覆芯通孔328的内部。因此，芯通孔328通常通过机械钻孔而形成、并延伸通过整个芯320。 
累积层330、331和332相继布置于芯基板320的一侧上，并且累积层333、334和335相继布置于芯基板320的相反侧。累积层以与前述对于SBU子组件200的布置方式相同的方式布置于芯320上，除了一个不同之处：SBU子组件300还包括在层压板的累积层332内的嵌入式部件310。嵌入式部件310可以包括适合于SBU子组件300所需的应用的任意电路部件。示范性嵌入式部件可以包括但不限于：电容器、电阻器以及芯片等。相比于标准部件表面安装技术来说，通过嵌入该部件可以对半导体封装实现尺寸上的大幅度减小。嵌入式部件310可以布置于与累积层332的一个或多个布线层的电通信中。如图所示，累积层331和330层压在部件310之上。 
在上述SBU子组件实施例中，累积层通常为芯基板(例如，PCB)提供了IC信号的重新分配。SBU子组件的大部分布线能力(诸如信号路由选择)存在于累积层中。在一些实施例中，如图3所示，累积层还用于封装内的嵌入式IC设备。芯基板用作用于制作累积层的载体，并提供SBU子组件的充足的硬度。此外，配电是通过芯来实现的。 
芯可以具有适合于所需半导体封装应用的任意形状和厚度，如本领域的技术人员将要知道的。芯可以包括基本均匀的材料或多层材料。示范性芯材料包括但不限于：金属、聚合物有机材料和陶瓷。在一个实施例中，芯是单一金属层，诸如铜、铝或合金板。在另一个实施例中，芯是如图1和图2所示的单覆层电路层压板或双覆层电路层压板，或者是包括两个或更多个介电电路基板层、一个或多个连接层(粘合层)和传导性金属多芯布线层的多层电路层压板。图3示出了多层电路层压板作为芯的一个示例。 
芯中的一个或多个介电基板层和/或芯中的一个或多个粘合层可以包括本文所述的介电材料。替代地，可以使用其他芯介电基板和/或粘合材料，例如玻璃纤维增强环氧树脂或双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂，以及其他低极性、低介电常数和低损耗树脂，如基于树脂的那些，诸如1，2-聚丁二烯、聚异戊二烯、聚(醚酰亚胺)(PEI)、聚四氟乙烯(PTFE)、液晶聚合物、聚丁二烯-聚异戊二烯共聚物、聚苯醚树脂以及基于那些烯丙基化聚苯醚树脂的那些。也可以使用低极性树脂和较高极性树脂的组合，非限制性示例包括环氧树脂和聚苯醚、环氧树脂和聚醚酰亚胺以及氰 酸酯和聚苯醚。用于SBU子组件中的芯可以通过已知方法来制造，并可市购。包含聚丁二烯、聚异戊二烯和/或含丁二烯和异戊二烯的共聚物的组合物特别有用，例如来自Rogers Corporation的RO4000系列材料。这种材料可以任选地进一步包括织物、合适纤维的热稳定网、特别是玻璃(E、S和D玻璃)或高温聚酯纤维(例如，来自Eastman Kodak的KODEL)。 
在SBU子组件的制造中，形成累积层，然后将累积层粘合或层压到芯的表面，特别是到芯的表面上的布线层。在一个具体实施例中，同时地将两个累积层粘合或层压到芯，分别在芯的每个表面上。累积层可以通过处理技术来制造，诸如通过浇铸和溶剂浇铸等。 
实际上，使得用于形成用于累积层或芯层的介电材料的组合物的组分溶解和/或悬浮，来提供涂覆混合物或溶液。溶液选择为用以溶解树脂组合物、分散填料以及具有用于形成并烘干层的常规蒸发率。可能的溶剂的非排他性列表为二甲苯、甲苯、甲乙酮、甲基异丁基酮、己烷、高级液体直链烷烃如庚烷、辛烷，壬烷等、环己烷、异佛尔酮以及各种萜烯类溶剂。具体的示例性溶剂包括二甲苯、甲苯、甲乙酮、甲基异丁基酮和正己烷，并且更特别地为二甲苯和甲苯。溶液中的组合物的组分浓度不是关键的并且将取决于组合物的溶解度、所使用的填料级、施涂方法及其他因素。通常，溶液包含10wt％到约50wt％的固态物(除了溶剂之外的所有成分)，更特别是约15wt％到约40wt％的固态物，以溶液的总重量计。可以将涂覆混合物制到载体上，该涂覆混合物稍后从该载体上释放；或替代地，将涂覆混合物制到传导性金属层上，该传导性金属层稍后将被制到电路结构的层中。 
形成该层后，例如通过浇铸来允许溶剂在环境条件下或通过强迫通风加热空气而蒸发，来形成介电层。介电层在干燥过程中可以不固化或部分固化，或者介电层可以根据需要在干燥后部分或完全固化。介电层可以在层压和固化之前进行贮存、部分固化然后贮存、或者在累积之后进行层压和完全固化。 
介电材料的厚度将取决于它的预期用途。在一个实施例中，当用作累积层时，介电层厚度为约5到约100微米；特别是约5到约50微米；以及更特别是约5到约40微米。在另一个实施例中，当用作芯介电基板层时，介电层厚度为约25到约400微米；特别是约50微米到约200微米；以及更特别是约75微米到约150微米。当用作芯之间的粘合层时，介电 层厚度为约5到约100微米；特别是约10微米到约75微米；以及更特别是约15微米到约50微米。 
当用作累积层时，介电层布置于芯的表面上并且利用层压而粘合在那。当膜载体被用作介电层时，在层压之后移除膜载体。具体而言，SBU子组件通过将一个或多个介电层布置在芯布线层和/或芯基板上而累积成。可以通过一步处理(例如，利用真空压制)或通过多步处理来进行层压或固化。在示例性多步处理中，在约150℃到约200℃的温度下实施常规的过氧化物固化步骤，然后对部分固化累积叠加体实施高能电子束照射固化(电子束固化)或惰性气氛下的高温固化步骤。使用两阶段固化可以赋予所得SBU子组件以不寻常的高度交联。这种高温固化可在烘箱中进行，但也可以在压机中进行，即作为初始的层压和固化步骤的延续。具体的层压温度和压力将取决于具体的介电材料组成和芯基板组成，并且本领域的技术人员可容易地确定而无需过度实验。 
布线层包括电传导性表面，该传导性表面具有被配置成提供各种布线功能的多个电路图案。布线层可以由各种传导性材料形成，这些传导性材料包括但不限于：铜、金、镍、银、钯、锡、其组合以及其合金等。布线层然后可以通过很多种沉积技术而形成于累积层的外表面上。在移除金属化的处理中，在累积层上形成金属毯覆层；利用光刻胶和金属蚀刻处理来去除毯覆层的部分，以界定布线层的传导性迹线。金属毯覆层可以通过化学镀或镀覆中的任一种而被添加形成。无电镀通过表面的化学活化使用来自溶液的金属沉积。镀覆通过电解液使用感应电流金属沉积。在全加成金属化处理中，例如通过对传导性布线层进行印刷、喷墨或激光直接成型，使得传导性迹线直接形成在介电层或芯基板上。在半加成金属化处理中，传导性金属毯覆种子层形成于介电层或芯基板上；在利用光刻胶和镀覆处理形成所需厚度的传导性迹线之后，迹线外的种子层被去除。在一个实施例中，布线层具有约1微米到约10微米、特别是约1微米到约5微米、更特别是约3微米的厚度。 
可以通过已知方法在累积层中形成多个过孔。在一个实施例中，多个过孔为埋盲孔，其通过激光钻孔而形成。在另一个实施例中，使用诸如光结构化的其他技术。在一些实施例中，过孔为具有不同的顶部和底部直径的锥形结构。过孔的金属化可以通过将金属溅射或镀覆在下面的介电层的整个表面之上而形成。 
通过对额外的介电层进行沉积以及重复过孔形成和布线层金属化过 程，而形成多累积层。在一些实施例中，可以在层累积过程中嵌入诸如电容器、电阻器以及电感器的无源元件。此外，在图1-3的实施例示出了在芯基板两侧上的层压累积层的示例的情况下，可以理解，SBU子组件在芯两侧上的材料层中不一定是对称的。例如，在其中一侧上可以比另一侧上具有更多级别的介电和布线层。此外，不一定同时在两侧上应用介电层。例如，可以层压单个累积材料层，并且在层压或涂覆另一侧之前在这一侧上形成金属的布线层。 
在一些需要较大的布线密度的半导体封装应用中，优选为使用垂直集成互连结构，有时被称作垂直集成互连子组件或垂直集成互连层压芯片载体。垂直集成(有时称作Z轴)互连是将电路迹线规定为垂直地在半导体封装内并穿过该半导体封装的方法。由于具有期望的管芯节距的信号/功率管芯垫的数量在增加，因此高端半导体设备需要高布线密度。垂直集成互连子组件可以通过许多方法形成以及为SBU处理提供一种选择。图4和5示出了垂直集成互连子组件的示例性实施例。 
图4示出了用于形成垂直集成互连子组件00的五个子组合体的示例性实施例。这些子组合体层压在一起来形成垂直集成互连子组件400。使用电传导性胶或通过在孔中进行镀覆来制得各个子组合体之间的电连接。子组合体410、430和450也称作接合芯。布置于这三个接合芯之间的是两个子组合体420和440，也称作信号芯。子组合体410(接合芯)包括夹在两个介电层414之间的功率层412。子组合体410还包括完全通过每层子组合体的通孔416。通孔416由电传导性粘合剂418填满，传导性粘合剂418被配置成形成垂直集成互连子组件中的各个子组合体之间的电传导性接合部。在该示例中，各接合芯、子组合体410、430、450均包括相同的层结构。从图中可以看出，各个接合芯之间仅有的区别是功率层的图案以及子组合体410、430、450中通孔的数量和布局。子组合体420(信号芯)包括夹在两个介电层424之间的功率层422。不同的子组合体410、430、450(接合芯)、子组合体420(信号芯)还包括在各介电层424的与功率层422相反的一侧上的信号层427。子组合体420还包括形成于子组合体的一个或多个层上的过孔428、以及完全穿过子组合体的各层的通孔426。各通孔426和过孔428均具有形成于其中的被镀导体429。 
图5示出了具有彼此在物理上相通信的子组合体的垂直集成互连子组件400。同样地，垂直集成互连子组件400是具有包括五个子组合体的四个信号层的结构。尽管该特定结构包括交互的接合芯和信号芯，替代的 布置可以具有在子组件堆栈中彼此相邻的多个接合芯。在一些实施例中，多个信号芯可以在子组件堆栈中彼此相邻。图5还示出了沉积在子组合体410的通孔416上的多个接触垫460(例如，C4倒装芯片焊点)。多个球栅阵列(BGA)锡球462沉积于在子组件400的底部的子组合体450的通孔456上。基于该垂直互连，输电线路可以从倒装芯片(未示出)向下通过子组件400延伸到电路板(未示出)。 
子组合体可以具有适合于所需半导体封装应用的任意形状和厚度，如本领域的技术人员将要知道的。示例性布线和信号材料包括诸如铜、铝、银、金、不锈钢、锌、锡、铅、过渡金属以及其组合和其合金等的电传导性金属，但不限于此，且示例性的材料是铜。子组合体中的一个或多个介电层包括本文所描述的介电材料。 
在垂直集成互连子组件的制造中，可以将子组合体制成平行的、关于彼此相对齐的、以及然后粘合或层压在一起来形成合成层压板。最终结果为具有带通孔的垂直互连的垂直集成互连子组件，通孔可以任意地终止在封装的横截面内的任意层。 
子组合体可以通过印刷电路板和薄膜处理技术来制造，例如，浇铸、溶剂浇铸、图案化、蚀刻以及激光钻孔等。 
在一个实施例中，子组合体中的介电层具有约10到约600微米、特别是约50微米到约200微米、更特别是约75微米到约150微米的厚度。 
针对接合芯子组合体，对功率层进行蚀刻，该功率层可以是铜箔。然后将介电层布置在功率层的两个表面中的任意一面上。介电-功率-介电层的夹心结构的两个表面上分别进一步放置有金属层。五个层堆栈层压在一起。层压和固化可以通过一步处理来实现，例如使用真空压制，或者由多步处理来实现。在示例性的多步处理中，在约150℃至约200℃的温度下执行常规过氧化物固化的步骤，并且部分固化的累积堆栈稍后可以在惰性气氛下进行高温固化步骤。使用两个阶段固化可以赋予所得垂直集成互连子组件以不寻常的高度交联。这种高温固化可以在烘箱中进行，但也可以在压机中进行，即作为初始的层压和固化步骤的延续。具体的层压温度和压力将取决于具体的介电材料组成，并且本领域的技术人员可容易地确定而无需过度实验。 
然后可以通过已知方法在层中形成多个通孔。在一个实施例中，多个通孔通过激光钻孔形成。然后用电传导性胶填充该多个通孔。示例性的电 传导性胶提供了垂直集成互连子组件的各子组合体之间的传导性接合。电传导性胶是一种包括非传导性聚合物粘结剂和传导性填料颗粒的复合材料。示例性的电传导性胶包括但不限于：纳米级和微米级填充的铜、银以及在粘合树脂(例如环氧树脂)中分散的填充纳米和微米级铜、银和基于熔点低(LMP)的颗粒。在通孔已填满胶之后，可以将外部金属层蚀刻掉，留下从介电层表面突出的电传导性胶柱。 
针对信号芯子组合体，对功率层进行蚀刻，该功率层可以是铜箔。然后将介电层布置在功率层的两个表面中的任意一面上。介电-功率-介电层夹心结构层压在一起，并且可以通过已知方法在层中形成多个通孔。在这个阶段，也可以任选地形成多个过孔。在一个实施例中，多个通孔(和过孔)通过激光钻孔形成。信号芯子组合体的布线层包括电传导性表面，该电传导性表面具有被配置成提供各种布线功能的多个电路图案。布线层可以由各种传导性材料形成，传导性材料包括但不限于：铜、金、镍、银、钯、锡以及其组合和其合金等。然后，可以通过许多种沉积技术在介电层的外表面形成布线层。在一个实施例中，采用了半加成金属化处理，其中在介电层上形成了传导性金属的毯覆种子层；在利用光刻胶和镀覆处理形成所需厚度的传导性迹线之后，迹线外部的种子层被删除。 
如上所述的这些子组合体可以单独形成或并行形成。无论如何，当子组合体形成时，他们可以在彼此之上相对齐，然后粘附或层压在一起来形成垂直集成互连子组件。接合芯子组合体中的各介电层的外表面上的电传导性胶在接合芯子组合体与信号芯子组合体之间形成传导性接合部。 
在其他实施例中，介电材料也可以在电路子组件和多层电路中用作连接层、树脂涂覆传导性层以及电路层压板中的介电基板层等。转至图6，示出了电路子组件的示例性实施例，特别是单覆层层压板510。单覆层层压板510包括布置在介电层514上并且和介电层514相接触的传导性金属层512。介电基板层514包括本文所述的介电材料。应当理解，在本文所述的所有实施例中，各层可以完全或部分相互覆盖，并且还可以存在附加的传导性层、图案电路层和介电层。还可以存在任选的粘合剂层(未示出)。使用以上基板可以形成许多不同的多层电路结构。 
电路子组件的另一个实施例是在图7中的610处所示出的，特别是双覆层电路层压板。双覆层电路层压板610包括布置在介电基板层614的相反两侧上的传导性层612、616。介电基板层614包括介电材料。传导性层612、616中的一个或两个传导性层可以为电路的形式。例如，如图8 所示，电路子组件710包括布置在介电基板层714的相反两侧上的传导性层716和电路层718。介电基板层714包括本文所述的介电材料。 
介电材料还可用作粘连两个电路或电路子组件的连接层。例如，图9示出了包括本文所述的一个或多个电路子组件的示例性多层电路810。多层电路810具有第一双覆层电路830、第二双覆层电路840以及布置在其间的连接层842。双覆层电路830包括布置在两个传导性电路层836、838之间的介电基板834。双覆层电路840包括布置在两个传导性电路层846、848之间的介电基板844。在一个实施例中，介电基板834、844中的至少一个、优选是两个介电基板包括本文所述的介电材料。在另一个实施例中，连接层842可以包括本文所述的介电材料。多层电路组件还包括两个层850、860。每一个这样的保护层850、860包括布置在连接层854、864上的传导性层852、862。在又一个实施例中，保护层850、860的连接层854、864可以包括本文所述的介电材料。换句话说，本文所述的介电材料可用于多层电路810的保护层、连接层和介电基板中所选定的一个或全部。 
用于形成电路层压板的有用的传导性层包括用于垂直集成互连结构或SBU子组件的芯中的多层电路层压板，有用的传导性层可以包括但不限于：不锈钢、铜、金、银、铝、锌、锡、铅、过渡金属以及其组合和其等，示例性地为铜。关于传导性层的厚度没有特定限制，传导性层表面的形状、尺寸或质地也没有任何限制。然而优选地，传导性层包含约3微米到约200微米、特别是约9微米到约180微米的厚度。当存在两个或更多个传导性层时，两层的厚度可以相同或不同。 
在一个示例性的实施例中，传导性层为铜层。合适的传导性层包括薄层传导性金属，诸如目前用于形成电路的铜箔，例如电沉积铜箔。 
铜箔可以通过从硫酸铜电解液中在旋转的不锈钢滚筒上电沉积(ED)，或通过固态铜条的压延来制造。在使用ED铜箔的情况下，在箔镀覆过程中在该箔的电解液侧(或不光滑的面)上形成基箔的初始粗糙度。在第二镀覆步骤形成另外的粗糙度。在使用压延箔的情况下，第二镀覆步骤使初始平滑且光亮的箔产生粗糙度。 
这种机械粗糙度可导致一些缺陷。如Brist et al.(Gary Brist，Stephen Hall，Sidney Clouser，and Tao Liang，“Non-classical conductor losses due to copper foil roughness and treatment，”p.26，Circuitree，can2005)和Ogawa et al.(N.Ogawa，H.Onozeki，N.Moriike，T.Tanabe，T.Kumakura， “Profile-free foil for high-density packaging substrates and high-frequency applications，”p.457，Proceedings of the2005Electronic Components and Technology Conference，IEEE)详细描述的，导体表面的粗糙在高频时可导致导体损失大幅度增加，粗糙的导体引起的导体损失高至平滑导体的两倍。Ogawa也描述了由导体粗糙度引起的对精确电路制造，最值得注意的是对精确蚀刻精细排线和空间的限制。 
铜箔的粗糙度通常由接触轮廓仪或光学干涉量度法进行表征。大多数箔制造商使用接触表面轮廓仪测量粗糙度，原因是他们长期使用这一测量体系。本文引用的大多数值是使用Veeco Instruments WYCO光学轮廓仪并利用白光干涉测量法测得。因为粗糙度可存在于几个不同的等级，并且将由与固定参考平面距离不同的许多峰和谷组成，所以有多种不同的方式来数字化表征表面粗糙度。两个常被报导的量是RMS粗糙度值Rq和峰谷粗糙度Rz，两者均在长度尺度上记录。 
当采用WYCO光学轮廓仪测量时，制造用于电路工业的常规ED铜箔的经处理侧面的Rz值为7至20微米(μm)(对应于约1.2至4μm的Rq值)。由于测量时触针使铜处理物变形，所以接触表面轮廓仪趋于得到较低的值。压延铜箔的经处理侧的Rz值为3.5至5.5μm(对应于约0.45至0.9μm的Rq值)。“反处理”的ED箔，如Oak-Mitsui MLS-TOC-500也可表现出与压延箔相似的Rq值。较低轮廓ED箔目前表现出2至3μm的Rz值。通过WYCO测量，压延箔的光亮侧的Rz值为约0.7μm，相应的Rq为约0.1μm。 
最近，其他类型的低轮廓电沉积箔已经在商业上可用。其包括OakMitsui的产品SQ-VLP，用WYCO测得的Rq值为0.7μm；和产品MQ-VLP，用WYCO测得的Rq值为0.47μm。 
经特别处理用于电路行业的压延箔和ED箔可从一些制造商购得。例如，低轮廓铜箔可购自Oak Mitsui，商品名为“TOC-500”和“TOC-500-LZ”；可购自Nippon Denkai，商品名为“USLP”；以及可购自Furukawa，商品名为“F1WS”。高轮廓铜箔可购自Circuit Foil，商品名为“TWS”。可以对铜传导性层进行处理以增加表面面积，用稳定剂处理以抑制传导性层的氧化(即防污)；或被处理形成热屏障。低和高粗糙度铜传导性层均能采用锌或锌合金热屏障处理，且进一步任选地包含防污层。 
图6和7所示出的电路子组件可通过现有技术已知的方法制造。在一 个实施例中，层压过程需要在一片或两片经涂覆或未涂覆的传导性层(粘合层可布置在至少一个传导性层和至少一个介电基板层之间)之间放置一层或更多层介电复合材料以形成电路基板。然后可将分层的材料放置在压机(例如真空压机)中，在压力和温度下压制一段适宜的时间以使各层结合形成层压体。层压和固化可通过一步处理完成，如使用真空压机；或通过多步处理完成。 
在一个适用于热固性材料如本文所描述的介电材料的示例性多步处理过程中，进行常规的约150℃至约200℃温度的过氧化物固化步骤，然后使部分固化的堆栈经在惰性气氛中高温固化的步骤。两步固化的使用可赋予使所得层压板以不寻常的高度交联。在第二阶段使用的温度通常为约250℃至约300℃，或为树脂的分解温度。这种高温固化可以在烘箱中进行，但也可在压机内进行，即作为初始的层压和固化步骤的延续。具体的层压温度和压力将取决于具体的粘合剂组成和基板组成，本领域技术人员在不用过渡实验的情况下即可容易地确定。 
示例 
在以下示例中使用表1中的材料。 
表1 
利用TA Instruments Inc制造的ARES流变仪来测量最低熔融粘度。将样品以5℃/min的速度加热至250℃，并且根据熔融曲线来确定最低熔融粘度。 
根据“覆金属层压板剥离强度”测试方法(IPC-TM-6502.4.8)来测试铜剥离强度。 
针对浮焊，通过使其在288℃温度下在熔融焊料炉上漂浮10秒来测试层压板。此过程对每个样品重复五次。如果铜箔从层压板表面起泡或脱层，则标记浮焊测试失败。 
按测试方法IPC-TM-6502.6.2.1(在50％相对湿度和22℃下保持1小时的环境中调湿(浸水之前))来测量吸水率。 
利用表2所列出的介电组合物来制备用于电路子组件的介电层。 
表2 
表2中的示例示出，本发明所选定的介电层组合物实现了低损耗和低吸水率，均低于常用于累积应用Ajinomoto GX13所公开的损耗和吸水率(即，在6GHz情况下的0.019的损耗，和1.1百分比的吸水率)。此外，示例A和B的材料具有所需的最低熔融粘度和CTE。 
利用表3所列出的介电组合物来制备用于电路子组件的介电层，以提供低损耗/低CTE组合物的进一步的示例。 
表3 
  示例C 示例D 示例E
BA-1-88二氧化硅粉，vol％ 0 40 0
SC2050-TNG二氧化硅分散体，vol％ 40 0 50
TS-720气相二氧化硅粉，vol％ 0.7 0 0.7
特性      
 
粘合(1/2oz MLS)，pli 5.5   6.3
粘合(1/2oz SQ-VLP)，pli 7.4 5.6 6.1
浮焊(288℃，10sec/5x) Pass Pass Pass
Z CTE(0-100℃/0-150℃) 64.5/70.5 71.9/84.9 53.6/56.2
吸水率，wt％，24小时 0.15 0.33 0.19
在2GHz/10GHz情况下的Dk 2.92/2.91 2.94/2.94 3.08/3.08
在2GHz/10GHz情况下的Df 0.0030/0.0026 0.0035/0.0031 0.0029/0.0029
灰烬，wt％(TGA方法)(700℃) 58.8 57.3 68.4
表3中的介电层基于2/1/1重量比的Noryl640-11聚苯醚、KratonD1118嵌段共聚物和Ricon184MA-6马来酸酐化丁二烯-苯乙烯共聚物，并且包括Chimassorb944抗氧化剂，该Chimassorb944抗氧化剂含有1.5％(1.5phr)的树脂、1.9phr的Varox固化剂和表中所示的填料及填料含量。 
表3中的结果示出，在本发明所选定的聚合物组成的情况下，可以获得低Z CTE、低损耗以及良好的铜接合，甚至可以获得低糙度铜(SQ-VLP)。具有最大调料载荷的示例E示出了在低吸水率和良好的铜接合的情况下的最低损耗和最低CTE。 
利用表4所列出的介电组合物来制备用于电路子组件的介电层，以提供表4中所提供的无卤阻燃剂组合物的示例。在表4的示例中使用了与表3相同的聚合物组成，即，在含1.5phr的Chimassorb944抗氧化剂的情况下的、2/1/1重量比的Noryl640-11PPE、Kraton D1118嵌段共聚物和Ricon184MA-6马来酸酐化丁二烯-苯乙烯共聚物。使用在Kisuma85N氢氧化镁填料和Budit3141CA聚磷酸三聚氰胺的组合的情况下获得的最好结果来评价几种不同的阻燃剂。 
表4 
  示例F 示例G
Kisuma85N氢氧化镁，phr 158.50 152.00
Budit3141CA聚磷酸三聚氰胺，phr 31.70 38.00
 
特性    
粘合(1/2oz MLS)，pli 3.36 3.89
焊接(288℃，10sec/5x) 2Fail4x Pass
Z CTE(0-100℃/0-150℃)升温5℃/min 53.0/52.3 71.4/70.2
介电击穿强度，V/mil 1689 1367
UL94V-0 Pass Pass
在2GHz/10GHz情况下的Dk 3.91/3.91 3.86/3.85
在2GHz/10GHz情况下的Df 0.0046/0.0047 0.0047/0.0056
结果显示，示例F和示例G的组合在保持相对低的损耗和良好的ZCTE的情况下通过了UL94-0燃烧测试。 
表5提供了用于介电层的较高的介电常数膜组合物的示例。向表3和4中的基础聚合物组成中添加了不同的高介电常数的填料，分别是TiPure R101、来自估计Dk为100的DuPont的二氧化钛、Code218、来自估计Dk为200-300的Ferro Corp.的钛酸锶、以及来自估计Dk为37的Dimat,Inc.的纳米钛酸钡。所示组合物还包含A-174硅烷(OSi特种)和Varox Vul-Cup R固化剂(GEO Specialty Chemicals,Inc.)。 
表5 
表5中的结果指示，在这种聚合物组成的情况下，可以生产出具有低CTE和良好铜接合的、具有在2和10GHz条件下的约为11的DK的介电膜层。在一种情况下，示例K，在10GHz的、极低的0.0024的Df的情况下实现Dk＝～9。 
无数量词修饰的形式包括复数指代，除非上下文另有明确规定。涉及相同的特征或组分的所有范围的端点可独立组合并且包括所记载的端点。所有参考文献均通过引用并入本文。本文全文中使用的“布置”、“接触”及其变化形式是指在相应的材料、基板、层、膜等之间完全或部分接触。此外，本文术语“第一”、“第二”等不表示任何顺序、数量或重要性，而是用来区分两种不同要素。 
虽然已经示出和描述了具体的实施例，但是可以对其进行各种修改和替换，而不偏离本发明的精神和范围。因此，应理解的是本发明已经通过例示性和非限制性方式进行描述。 
附记： 
附记1.一种电路子组件，包括： 
芯，其中，所述芯包括： 
具有第一表面和相反的第二表面的芯介电基板层，其中所述芯介电基板层的组合物基于1,2-聚丁二烯、聚四氟乙烯或液晶聚合物，和 
布置在所述芯介电基板层的所述第一表面上的第一芯布线层；以及 
具有5到100微米的厚度的介电层，所述介电层布置在所述第一芯布线层上，其中，所述介电层由介电组合物形成，在以所述介电组合物的总体积计的情况下，所述介电组合物包括： 
30至65体积百分比的介电填料，其占所述介电组合物的至少15重量百分比wt％，其中所述介电填料具有0.1到15微米的平均颗粒尺寸；和 
35至85体积百分比的热固性组合物，所述热固性组合物包括： 
30至50重量百分比的未改性聚芳醚， 
20至40重量百分比的羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物，和 
20至40重量百分比的弹性体嵌段共聚物。 
2.根据附记1所述的电路子组件，其中，所述芯还包括布置在所述芯介电基板层的所述第二表面上的第二芯布线层，并且附加介电层布置在所述第二芯布线层上，其中，所述附加介电层由所述介电组合物形成。 
3.根据附记1-2中任意一项所述的电路子组件，其中，所述芯为多层芯。 
4.根据附记1所述的电路子组件，其中所述介电基板层的组合物基于聚四氟乙烯。 
5.根据附记1所述的电路子组件，其中所述介电基板层的组合物基于液晶聚合物。 
6.根据附记1所述的电路子组件，其中所述介电基板层的组合物基于1,2-聚丁二烯。 
7.根据附记1所述的电路子组件，所存在的所述介电填料的量为介电组合物的30至60体积百分比。 
8.根据附记1所述的电路子组件，其中，所述介电组合物在不含卤化阻燃剂的情况下通过UL94V0测试。 
9.根据附记1所述的电路子组件，其中，所述介电填料包括至少以下之一：二氧化硅、二氧化钛、氢氧化镁、钛酸锶、钛酸钡、Ba2Ti9O20、氮化硼、氮化铝和氧化铝。 
10.根据附记1所述的电路子组件，其中，所述热固性组合物还包括额外的羧基官能化的聚芳醚。 
11.根据附记10所述的电路子组件，其中，所述额外的羧基官能化的聚芳醚是聚芳醚和环酐的反应产物。 
12.根据附记11所述的电路子组件，其中，所述额外的羧基官能化的聚芳醚是聚芳醚和马来酸酐的反应产物。 
13.根据附记1所述的电路子组件，其中，所述羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物是聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物和环酐的反应产 物。 
14.根据附记13所述的电路子组件，其中，所述羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物是马来酸酐化的聚丁二烯-苯乙烯或马来酸酐化的聚异戊二烯-苯乙烯共聚物。 
15.根据附记1所述的电路子组件，其中，所述热固性组合物包括42.86至71.43重量百分比wt％的聚芳醚和28.57至57.14wt％的所述羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物，均以聚芳醚和聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物的组合重量计。 
16.根据附记1所述的电路子组件，其中，弹性体嵌段共聚物包括衍生自烯基芳族化合物和共轭二烯的单元。 
17.根据附记16所述的电路子组件，其中，所述烯基芳族化合物为苯乙烯，以及所述共轭二烯为聚丁二烯。 
18.根据附记1所述的电路子组件，其中，所述弹性体嵌段共聚物是：苯乙烯-丁二烯二嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯二嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-(乙烯-丁烯)-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-(乙烯-丙烯)-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-(乙烯-丁烯)二嵌段共聚物或包括至少以上共聚物之一的组合。 
19.根据附记18所述的电路子组件，其中，所述嵌段共聚物为苯乙烯-丁二烯二嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物或其组合。 
20.根据附记19所述的电路子组件，其中，所述嵌段共聚物为苯乙烯-丁二烯二嵌段共聚物和苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的组合。 
21.一种用于制造电路子组件的方法，包括： 
提供芯，所述芯包括： 
具有第一表面和相反的第二表面的芯介电基板层，其中所述芯介电基板层的组合物基于1,2-聚丁二烯、聚四氟乙烯或液晶聚合物，和 
布置在所述芯介电基板层的所述第一表面上的第一芯布线层；以及 
将具有5到100微米的厚度的介电层层压到所述第一芯布线层上，其中，所述介电层由介电组合物形成，在以所述介电组合物的总体积计的情况下，所述介电组合物包括： 
30至65体积百分比的介电填料，其占所述介电组合物的至少15重量百分比wt％，其中所述介电填料具有0.1到15微米的平均颗粒尺寸；和 
35至85体积百分比的热固性组合物，所述热固性组合物包括： 
30至50重量百分比的未改性聚芳醚， 
20至40重量百分比的羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物，和 
20至40重量百分比的弹性体嵌段共聚物。 
22.根据附记21所述的方法，其中，所述芯还包括布置在所述芯介电基板层的所述第二表面上的第二芯布线层，且所述方法还包括将所述附加介电层层压在所述第二芯布线层上，其中，所述附加介电层由所述介电组合物形成。 
23.根据附记21-22中任意一项所述的方法，还包括对层压后的介电层进行金属化。 

Claims (23)

1.一种电路子组件，包括：
芯，其中，所述芯包括：
具有第一表面和相反的第二表面的芯介电基板层，其中所述芯介电基板层的组合物基于1,2-聚丁二烯、聚四氟乙烯或液晶聚合物，和
布置在所述芯介电基板层的所述第一表面上的第一芯布线层；以及
介电层，所述介电层布置在所述第一芯布线层上，其中，所述介电层由介电组合物形成，在以所述介电组合物的总体积计的情况下，所述介电组合物包括：
30至65体积百分比的介电填料，其占所述介电组合物的至少15重量百分比wt％，其中所述介电填料具有0.1到15微米的平均颗粒尺寸；和
35至85体积百分比的热固性组合物，所述热固性组合物包括：
30至50重量百分比的未改性聚芳醚，
20至40重量百分比的羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物，和
20至40重量百分比的弹性体嵌段共聚物。
2.根据权利要求1所述的电路子组件，其中，所述芯还包括布置在所述芯介电基板层的所述第二表面上的第二芯布线层，并且附加介电层布置在所述第二芯布线层上，其中，所述附加介电层由所述介电组合物形成。
3.根据权利要求1-2中任意一项所述的电路子组件，其中，所述芯为多层芯。
4.根据权利要求1所述的电路子组件，其中所述介电基板层的组合物基于聚四氟乙烯。
5.根据权利要求1所述的电路子组件，其中所述介电基板层的组合物基于液晶聚合物。
6.根据权利要求1所述的电路子组件，其中所述介电基板层的组合物基于1,2-聚丁二烯。
7.根据权利要求1所述的电路子组件，所存在的所述介电填料的量为介电组合物的30至60体积百分比。
8.根据权利要求1所述的电路子组件，其中，所述介电组合物在不含卤化阻燃剂的情况下通过UL94V0测试。
9.根据权利要求1所述的电路子组件，其中，所述介电填料包括至少以下之一：二氧化硅、二氧化钛、氢氧化镁、钛酸锶、钛酸钡、Ba2Ti9O20、氮化硼、氮化铝和氧化铝。
10.根据权利要求1所述的电路子组件，其中，所述热固性组合物还包括额外的羧基官能化的聚芳醚。
11.根据权利要求10所述的电路子组件，其中，所述额外的羧基官能化的聚芳醚是聚芳醚和环酐的反应产物。
12.根据权利要求11所述的电路子组件，其中，所述额外的羧基官能化的聚芳醚是聚芳醚和马来酸酐的反应产物。
13.根据权利要求1所述的电路子组件，其中，所述羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物是聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物和环酐的反应产物。
14.根据权利要求13所述的电路子组件，其中，所述羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物是马来酸酐化的聚丁二烯-苯乙烯或马来酸酐化的聚异戊二烯-苯乙烯共聚物。
15.根据权利要求1所述的电路子组件，其中，所述热固性组合物包括42.86至71.43重量百分比wt％的聚芳醚和28.57至57.14wt％的所述羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物，均以聚芳醚和聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物的组合重量计。
16.根据权利要求1所述的电路子组件，其中，弹性体嵌段共聚物包括衍生自烯基芳族化合物和共轭二烯的单元。
17.根据权利要求16所述的电路子组件，其中，所述烯基芳族化合物为苯乙烯，以及所述共轭二烯为聚丁二烯。
18.根据权利要求1所述的电路子组件，其中，所述弹性体嵌段共聚物是：苯乙烯-丁二烯二嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯二嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-(乙烯-丁烯)-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-(乙烯-丙烯)-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-(乙烯-丁烯)二嵌段共聚物或包括至少以上共聚物之一的组合。
19.根据权利要求18所述的电路子组件，其中，所述嵌段共聚物为苯乙烯-丁二烯二嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物或其组合。
20.根据权利要求19所述的电路子组件，其中，所述嵌段共聚物为苯乙烯-丁二烯二嵌段共聚物和苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的组合。
21.一种用于制造电路子组件的方法，包括：
提供芯，所述芯包括：
具有第一表面和相反的第二表面的芯介电基板层，其中所述芯介电基板层的组合物基于1,2-聚丁二烯、聚四氟乙烯或液晶聚合物，和
布置在所述芯介电基板层的所述第一表面上的第一芯布线层；以及
将介电层层压到所述第一芯布线层上，其中，所述介电层由介电组合物形成，在以所述介电组合物的总体积计的情况下，所述介电组合物包括：
30至65体积百分比的介电填料，其占所述介电组合物的至少15重量百分比wt％，其中所述介电填料具有0.1到15微米的平均颗粒尺寸；和
35至85体积百分比的热固性组合物，所述热固性组合物包括：
30至50重量百分比的未改性聚芳醚，
20至40重量百分比的羧基官能化的聚丁二烯或聚异戊二烯聚合物，和
20至40重量百分比的弹性体嵌段共聚物。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述芯还包括布置在所述芯介电基板层的所述第二表面上的第二芯布线层，且所述方法还包括将所述附加介电层层压在所述第二芯布线层上，其中，所述附加介电层由所述介电组合物形成。
23.根据权利要求21-22中任意一项所述的方法，还包括对层压后的介电层进行金属化。
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