CN103805945B - 有机层沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机层沉积设备、一种通过利用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法和一种通过该方法制造的有机发光显示装置，具体地讲，本发明提供了一种适合于在大基底的批量生产中使用的、能够实现高分辨率图案化的且能够控制图案化缝隙片和移动的基底之间的距离的有机层沉积设备、一种通过利用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法以及一种通过所述方法制造的有机发光显示装置。

Description

有机层沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法
本申请要求于2012年11月9日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0126942号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。
技术领域
下面的描述涉及一种有机层沉积设备、一种通过利用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法和一种通过该方法制造的有机发光显示装置，具体地讲，涉及一种适合于在大基底的批量生产中使用的、能够实现高分辨率图案化的且能够测量并恒定地保持彼此相对移动的基底和图案化缝隙片之间的间隙的有机层沉积设备、一种通过利用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法以及一种通过所述方法制造的有机发光显示装置。
背景技术
与其它显示装置相比，有机发光显示装置具有更宽的视角、更好的对比度特性和更快的响应速度，因此已经作为下一代显示装置而受到关注。
有机发光显示装置包括设置在第一电极和第二电极之间的中间层（包括发射层）。可以利用各种方法来形成电极和中间层，这些方法之一是独立沉积方法。当通过利用沉积方法制造有机发光显示装置时，将具有与将要形成的有机层的图案相同图案的精细金属掩模（FMM）设置为与其上将形成有机层等的基底紧密接触，将有机层材料沉积在FMM上，以形成具有期望图案的有机层。
然而，利用这种FMM的沉积方法在利用大的母玻璃制造较大的有机发光显示装置时存在困难。例如，当使用这种大的掩模时，掩模会由于重力牵引力而弯曲，从而使其图案扭曲。这样的缺点不利于朝着高分辨率图案发展的近期趋势。
另外，将基底与FMM对准以彼此紧密接触、对其执行沉积并将FMM与基底分开的工艺耗费时间，导致制造时间长并且生产效率低。
在本背景技术部分公开的信息对于本发明的发明人来说在实现本发明之前是已知的，或者所述信息是在实现本发明的过程中获得的技术信息。因此，它可能包含对于本领域普通技术人员来说在本国不构成已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明实施例的多个方面涉及一种适合于在大基底的批量生产中使用的、能够实现高分辨率图案化的且能够控制图案化缝隙片和移动的基底之间的距离的有机层沉积设备、一种通过利用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法以及一种通过所述方法制造的有机发光显示装置。
根据本发明的实施例，提供了一种有机层沉积设备，所述有机层沉积设备包括：输送单元，包括用于固定基底并且被构造为与基底一起移动的传送单元、用于将其上固定有基底的传送单元沿第一方向移动的第一输送单元和用于在已经完成沉积之后将基底从其分开的传送单元沿与第一方向相反的方向移动的第二输送单元；加载单元，将基底固定在传送单元上；沉积单元，包括保持在真空状态下的室以及用于在固定在从加载单元传送的传送单元上的基底上沉积有机层的有机层沉积组件；以及卸载单元，将在穿过沉积单元的同时已经对其完成了沉积的基底与传送单元分开，其中，传送单元被构造为在第一输送单元和第二输送单元之间循环移动，固定在传送单元上的基底被构造为在被第一输送单元传送的同时与有机层沉积组件分隔开设定距离，其中，有机层沉积组件包括：沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，位于沉积源的侧面处并包括多个沉积源喷嘴；图案化缝隙片，面对沉积源喷嘴单元并包括沿一个方向布置的多个图案化缝隙；以及间隙测量单元，用于测量基底和图案化缝隙片之间的间隙，其中，从沉积源排放的沉积材料穿过图案化缝隙片，从而以特定图案沉积在基底上。
间隙测量单元可以包括：第一间隙测量部件，未设置在图案化缝隙片上且设置在从图案化缝隙片延伸的虚平面上；以及第二间隙测量部件，设置在图案化缝隙片上。
第一间隙测量部件可以包括至少两个间隙测量单元，第二间隙测量部件可以包括至少四个间隙测量单元。
第一间隙测量部件可以包括第一间隙测量单元和第六间隙测量单元，第二间隙测量部件可以包括第二间隙测量单元、第三间隙测量单元、第四间隙测量单元和第五间隙测量单元，第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元可以被设置为使得连接第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元的虚线可以形成三角形，第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元可以被设置为使得连接第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元的虚线可以形成三角形。
第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第四间隙测量单元可以设置在第一虚线上，第三间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元可以设置在第二虚线上。
第一虚线和第二虚线可以与第一方向平行。
连接第一间隙测量单元和第二间隙测量单元的线可以是第一边，连接第二间隙测量单元和第三间隙测量单元的线可以是第二边，连接第三间隙测量单元和第一间隙测量单元的线可以是第三边，第一边和第二边可以彼此垂直，第三边可以对应于三角形的斜边。
连接第五间隙测量单元和第六间隙测量单元的线可以是第四边，连接第四间隙测量单元和第五间隙测量单元的线可以是第五边，连接第六间隙测量单元和第四间隙测量单元的线可以是第六边，第四边和第五边可以彼此垂直，第六边可以对应于三角形的斜边。
当基底沿第一方向移动并因此位于第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元下方时，第一间隙测量单元可以测量与基底的距离，并且第二间隙测量单元和第三间隙测量单元中的每个可以测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，从而第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元可以分别在第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元处测量基底和图案化缝隙片之间的距离。
第一间隙测量单元可以通过使用第一间隙测量单元与虚图案化缝隙片之间的距离作为与图案化缝隙片的距离来获得基底和图案化缝隙片之间的距离，其中，与图案化缝隙片的距离由第二间隙测量单元或第三间隙测量单元来测量。
当由第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，可以移动图案化缝隙片以使距离同步。
当基底沿第一方向移动并因此位于第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元下方时，第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元中的每个可以测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，从而可以在第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元的每个位置处获得基底和图案化缝隙片之间的距离。
当由第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，可以移动图案化缝隙片以使距离同步。
当基底沿第一方向移动并因此位于第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元下方时，第六间隙测量单元可以测量与基底的距离，第四间隙测量单元和第五间隙测量单元中的每个可以测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，从而第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元可以分别在第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元处测量基底和图案化缝隙片之间的距离。
第六间隙测量单元可以通过使用第六间隙测量单元与虚图案化缝隙片之间的距离作为与图案化缝隙片的距离来获得基底和图案化缝隙片之间的距离，其中，与图案化缝隙片的距离由第四间隙测量单元或第五间隙测量单元来测量。
当由第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，可以移动图案化缝隙片以使距离同步。
第一输送单元和第二输送单元可以被构造为穿过沉积单元。
第一输送单元和第二输送单元可以彼此平行地分别布置在上方和下方。
第一输送单元可以被构造为将传送单元顺序输送到加载单元、沉积单元和卸载单元中。
第二输送单元可以被构造为将传送单元顺序输送到卸载单元、沉积单元和加载单元中。
有机层沉积组件的图案化缝隙片可以被形成为沿第一方向小于基底。
根据本发明的另一实施例，提供了一种通过利用有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法，所述有机层沉积设备用于在基底上形成有机层，所述方法包括：将位于传送单元上的基底固定在加载单元中；通过利用安装为穿过室的第一输送单元将其上固定有基底的传送单元输送到所述室中；在所述室中的有机层沉积组件与基底分隔开设定距离的情况下，在基底相对于有机层沉积组件移动的同时，通过在基底上沉积从有机层沉积组件排放的沉积材料形成有机层；在卸载单元中将其上已经完成沉积的基底与传送单元分开；以及通过使用被安装为穿过所述室的第二输送单元将基底从其分开的传送单元输送到加载单元，其中，形成有机层的操作包括：在基底相对于有机层沉积组件相对移动的同时，测量基底和图案化缝隙片之间的距离。
所述室可以包括多个有机层沉积组件，可以通过利用所述多个有机层沉积组件中的每个对基底顺序执行沉积。
传送单元可以被构造为在第一输送单元和第二输送单元之间循环移动。
第一输送单元和第二输送单元可以彼此平行地分别布置在上方和下方。
有机层沉积组件的图案化缝隙片可以被形成为沿第一方向小于基底。
有机层沉积组件可以包括：沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，位于沉积源的侧面处并包括多个沉积源喷嘴；图案化缝隙片，面对沉积源喷嘴单元并包括沿一个方向布置的多个图案化缝隙；以及间隙测量单元，用于测量基底和图案化缝隙片之间的间隙，间隙测量单元可以包括：第一间隙测量部件，未设置在图案化缝隙片上而是设置在从图案化缝隙片延伸的虚平面上；以及第二间隙测量部件，设置在图案化缝隙片上。
第一间隙测量部件可以包括至少两个间隙测量单元，第二间隙测量部件可以包括至少四个间隙测量单元。
第一间隙测量部件可以包括第一间隙测量单元和第六间隙测量单元，第二间隙测量部件可以包括第二间隙测量单元、第三间隙测量单元、第四间隙测量单元和第五间隙测量单元，第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元可以被设置为使得连接第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元的虚线可以形成三角形，第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元可以被设置为使得连接第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元的虚线可以形成三角形。
当基底移动并因此位于第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元下方时，测量距离的操作可以包括下述操作：通过第一间隙测量单元来测量与基底的距离，通过第二间隙测量单元和第三间隙测量单元中的每个来测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，从而分别在第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元处测量基底和图案化缝隙片之间的距离；以及当由第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，测量距离的操作可以包括下述操作：移动图案化缝隙片以使距离同步。
第一间隙测量单元可以通过使用第一间隙测量单元与虚图案化缝隙片之间的距离作为与图案化缝隙片的距离来获得基底和图案化缝隙片之间的距离，其中，与图案化缝隙片的距离由第二间隙测量单元或第三间隙测量单元来测量。
当基底移动并因此位于第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元下方时，测量距离的操作可以包括下述操作：通过第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元中的每个来测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，并分别在第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元的每个位置处获得基底和图案化缝隙片之间的距离；以及当由第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，测量距离的操作可以包括下述操作：移动图案化缝隙片以使距离同步。
当基底移动并因此位于第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元下方时，测量距离的操作可以包括下述操作：通过第六间隙测量单元来测量与基底的距离，通过第四间隙测量单元和第五间隙测量单元中的每个来测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，从而分别在第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元处测量基底和图案化缝隙片之间的距离；以及当由第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，测量距离的操作可以包括下述操作：移动图案化缝隙片以使距离同步。
第六间隙测量单元可以通过使用第六间隙测量单元与虚图案化缝隙片之间的距离作为与图案化缝隙片的距离来获得基底和图案化缝隙片之间的距离，其中，与图案化缝隙片的距离由第四间隙测量单元或第五间隙测量单元来测量。
根据本发明的另一实施例，提供了一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：基底；薄膜晶体管，位于基底上并且包括半导体有源层、与半导体有源层绝缘的栅极以及均接触半导体有源层的源极和漏极；多个像素电极，位于薄膜晶体管上；多个有机层，位于所述多个像素电极上；以及对向电极，位于所述多个有机层上，其中，位于基底上的所述多个有机层中的离沉积区域的中心较远的至少一个有机层的斜边的长度大于形成为离沉积区域的中心较近的其它有机层的斜边的长度，其中，位于基底上的所述多个有机层中的所述至少一个有机层是使用所述有机层沉积设备形成的线性图案化的有机层。
基底可以具有40英寸或更大的尺寸。
所述多个有机层可以至少包括发射层。
所述多个有机层可以具有不均匀的厚度。
在离沉积区域的中心较远地形成的每个有机层中，离沉积区域的中心较远的斜边可以比另一斜边长。
沉积区域中的所述多个有机层中的有机层离沉积区域的中心越远，所述多个有机层中的该有机层的两侧的叠置区域可以被形成得越窄。
设置在沉积区域的中心的有机层的斜边可以具有基本相同的长度。
沉积区域中的所述多个有机层可以关于沉积区域的中心对称布置。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其它特征及优点将变得更加清楚，在附图中：
图1是示出根据本发明实施例的有机层沉积设备的结构的示意性平面图；
图2是根据本发明实施例的图1中的有机层沉积设备的沉积单元的示意性侧视图；
图3是根据本发明实施例的图1中的有机层沉积设备的沉积单元的示意性透视图；
图4是根据本发明实施例的图3中的沉积单元的示意性剖视图；
图5是根据本发明实施例的图3中的沉积单元的沉积源的透视图；
图6是根据本发明另一实施例的图3中的沉积单元的沉积源的透视图；
图7具体示出根据本发明实施例的图3中的沉积单元的传送单元的运送器的透视图；
图8是根据本发明实施例的间隙测量单元、基底和图案化缝隙片的示意性平面图；
图9至图11是示出根据本发明实施例的通过使用间隙测量单元测量基底和图案化缝隙片之间的距离的过程的平面图；
图12和图13是分别示出基底和图案化缝隙之间的距离的透视图；
图14是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件的示意性透视图；
图15是图14的有机层沉积组件的剖视侧视图；
图16是图14的有机层沉积组件的剖视平面图；
图17是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件的示意性透视图；
图18是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件的示意性透视图；
图19是示出根据本发明实施例的图案化缝隙以相等的间隔布置在有机层沉积设备的图案化缝隙片中的结构的图；
图20是示出根据本发明实施例的通过使用图19中的图案化缝隙片形成在基底上的有机层的图；以及
图21是根据本发明实施例的使用有机层沉积设备制造的有源矩阵型有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将通过参照附图详细解释本发明的示例性实施例来描述本发明。在附图中，同样的附图标记指示同样的元件。
现在将更详细地参考本发明的当前实施例，在附图中示出了本发明的当前实施例的示例，其中，同样的附图标记始终指示同样的元件。下面通过参照附图来描述实施例，以解释本发明的多个方面。当诸如“至少一个（种）”的表述与一系列元件（要素）一起使用时，修饰整个系列的元件（要素），而不是修饰所述系列中的单个元件（要素）。
图1是示出根据本发明实施例的有机层沉积设备1的结构的示意性平面图。图2是根据本发明实施例的图1中的有机层沉积设备1的沉积单元100的示意性侧视图。
参照图1和图2，有机层沉积设备1包括沉积单元100、加载单元200、卸载单元300和输送单元400。
加载单元200可以包括第一支架212、传递室214、第一翻转室218和缓冲室219。
其上还未施加沉积材料的多个基底2堆叠在第一支架212上。包括在传递室214中的传递机器人从第一支架212拾起一个基底2，将基底2放置在通过第二输送单元420传送的传送单元430上，并且将其上设置有基底2的传送单元430移动到第一翻转室218中。
第一翻转室218设置为邻近传递室214。第一翻转室218包括将传送单元430翻转然后将传送单元430加载在沉积单元100的第一输送单元410上的第一翻转机器人。
参照图1，传递室214的传递机器人将一个基底2放置在传送单元430的顶表面上，其上设置有基底2的传送单元430然后被传送到第一翻转室218中。第一翻转室218的第一翻转机器人将第一翻转室218翻转，从而基底2在沉积单元100中被上下颠倒。
卸载单元300被构造为以与上面描述的加载单元200的方式相反的方式操作。具体地讲，第二翻转室328中的第二翻转机器人将已经穿过沉积单元100的传送单元430（与此同时，基底2设置在传送单元430上）翻转，然后将其上设置有基底2的传送单元430移动到排出室324中。然后，排出机器人将其上设置有基底2的传送单元430从排出室324取出，将基底2与传送单元430分离，然后将基底2加载在第二支架322上。与基底2分开的传送单元430经由第二输送单元420返回到加载单元200。
然而，本发明不限于以上示例。例如，当将基底2设置在传送单元430上时，基底2可以固定到传送单元430的底表面上，然后移动到沉积单元100中。在这种实施例中，例如，可以省略第一翻转室218的第一翻转机器人和第二翻转室328的第二翻转机器人。
沉积单元100可以包括至少一个用于沉积的室。在一个实施例中，如图1和图2中所示，沉积单元100包括室101，在室101中，可以设置多个有机层沉积组件100-1、100-2、…、100-n。参照图1，在室101中设置有11个有机层沉积组件，即，第一有机层沉积组件100-1、第二有机层沉积组件100-2、……和第十一有机层沉积组件100-11，但是有机层沉积组件的数量可以随着期望的沉积材料和沉积条件而变化。室101在沉积工艺过程中保持在真空状态。
在图1示出的实施例中，其上固定有基底2的传送单元430可以被第一输送单元410至少移动到沉积单元100或者可以被第一输送单元410顺序地移动到加载单元200、沉积单元100和卸载单元300，在卸载单元300中与基底2分开的传送单元430可以被第二输送单元420移动回到加载单元200。
第一输送单元410在穿过沉积单元100时穿过室101，第二输送单元420输送基底2已经从传送单元430分离的传送单元430。
在本实施例中，有机层沉积设备1被构造为使得第一输送单元410和第二输送单元420分别设置在上方和下方，从而在传送单元430在卸载单元300中与基底2分开（其中，传送单元430在穿过第一输送单元410的同时已经在传送单元430上完成了沉积）之后，传送单元430经由形成在第一输送单元410下方的第二输送单元420返回到加载单元200，从而有机层沉积设备1可以具有提高了的空间利用效率。
在实施例中，图1的沉积单元100还可以包括设置在每个有机层沉积组件的侧面的沉积源更换单元190。尽管在图中没有具体示出，但是沉积源更换单元190可以形成为可以从每个有机层沉积组件拉到外部的卡带形式。因此，有机层沉积组件100-1的沉积源110（参照图3）可以容易地更换。
图1示出了包括加载单元200、沉积单元100、卸载单元300和输送单元400的两组有机层沉积设备1。即，在图1中，两个有机层沉积设备1竖直地布置。在这种情况下，图案化缝隙片更换单元500还可以设置在两个有机层沉积设备1之间。即，由于图案化缝隙片更换单元500布置在两个有机层沉积设备1之间，所以这两个有机层沉积设备1共用图案化缝隙片更换单元500，从而与这两个有机层沉积设备1中的每个具有其自己的单独的图案化缝隙片更换单元500的情况相比，可以进一步有效地利用空间。
图3是根据本发明实施例的图1中的有机层沉积设备1的沉积单元100的示意性透视图。图4是根据本发明实施例的图3中的沉积单元100的示意性剖视图。图5是根据本发明实施例的图3中的沉积单元100的沉积源110的透视图。图6是根据本发明另一实施例的图3中的沉积单元100的沉积源110'的透视图。图7是具体示出根据本发明实施例的图3中的沉积单元100的传送单元430的运送器431的透视图。
参照图3和图4，有机层沉积设备1的沉积单元100包括输送单元400和至少一个有机层沉积组件100-1。
在下文中，将描述沉积单元100的总体结构。
室101可以形成为中空的盒子类型并且容纳至少一个有机层沉积组件100-1和传送单元430。在另一种描述方式中，形成脚部102，从而将沉积单元100固定在地上，下壳体103设置在脚部102上，上壳体104设置在下壳体103上。室101既容纳下壳体103又容纳上壳体104。关于这一点，密封下壳体103和室101的连接部分，从而室101的内部与外部完全隔离。由于下壳体103和上壳体104设置在固定在地上的脚部102上的结构，所以即使室101重复地收缩和膨胀，下壳体103和上壳体104也可以保持在固定位置。因此，下壳体103和上壳体104可以在沉积单元100中用作基准框架。
上壳体104包括有机层沉积组件100-1和输送单元400的第一输送单元410，下壳体103包括输送单元400的第二输送单元420。在传送单元430在第一输送单元410和第二输送单元420之间循环移动的同时，连续执行沉积工艺。
在下文中，详细描述有机层沉积组件100-1的构成。
第一有机层沉积组件100-1包括沉积源110、沉积源喷嘴单元120、图案化缝隙片130、屏蔽构件140、第一台阶150、第二台阶160和间隙测量单元170。关于这一点，图3和图4中示出的所有元件可以布置在保持在适当的真空状态的室101中。需要这种结构来实现沉积材料的线性。
具体地讲，为了将已经从沉积源110排放出来并且穿过沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片130的沉积材料115以期望的图案沉积到基底2上，期望将室（未示出）保持在与FMM的沉积方法中使用的真空状态相同的真空状态。另外，图案化缝隙片130的温度应该充分低于沉积源110的温度，这是因为当图案化缝隙片130的温度充分低时，图案化缝隙片130的热膨胀被最小化。
其上将要沉积沉积材料115的基底2布置在室101中。基底2可以为用于平板显示装置的基底。例如，诸如用于制造多个平板显示器的母玻璃的尺寸为至少40英寸的大基底可以用作基底2。
根据实施例，可以在基底2相对于有机层沉积组件100-1移动的情况下执行沉积工艺。
在利用FMM的传统沉积方法中，FMM的尺寸需要与基底的尺寸相同。因此，随着基底的尺寸增加，FMM也需要为大尺寸。由于这些问题，难以制造FMM并且由于拉伸FMM而难以按照精确图案对准FMM。
为了解决这些问题，在根据本实施例的有机层沉积组件100-1中，可以在有机层沉积组件100-1和基底2相对于彼此移动的同时执行沉积。换言之，可以在面对有机层沉积组件100-1的基底2沿Y轴方向运动的同时连续地执行沉积。即，在基底2沿图3中示出的箭头A的方向移动的同时，按照扫描方式执行沉积。尽管在图3中将基底2示出为在执行沉积时在室101中沿Y轴方向移动，但是本发明不限于此。例如，可以在有机层沉积组件100-1沿Y轴方向移动并且基底2保持在固定位置的同时执行沉积。
因此，在有机层沉积组件100-1中，图案化缝隙片130可以远小于在传统沉积方法中使用的FMM。换言之，在有机层沉积组件100-1中，在基底2沿Y轴方向移动的同时连续地执行沉积，即，以扫描方式连续地执行沉积。因此，图案化缝隙片130沿X轴方向和Y轴方向的长度中的至少一个可以远小于基底2的长度。由于图案化缝隙片130可以形成为远小于传统沉积方法中使用的FMM，所以容易制造图案化缝隙片130。即，与传统沉积方法中使用的FMM相比，图案化缝隙片130在包括以下步骤的制造工艺中更有利，即，精确拉伸之后的蚀刻、焊接、传送和清洗工艺。另外，这更有利于制造相对大的显示装置。
为了如上所述地在有机层沉积组件100-1和基底2相对于彼此移动的同时执行沉积，有机层沉积组件100-1和基底2可以彼此分隔开特定的距离。下面对此进行更详细的描述。
包含并加热沉积材料115的沉积源110设置在与在室中设置有基底2的侧面相对（面对）的侧面处。随着包含在沉积源110中的沉积材料115被蒸发，在基底2上执行沉积。
沉积源110包括填充有沉积材料115的坩埚111和加热器112，加热器112加热坩埚111，以使沉积材料115朝向填充有沉积材料115的坩埚111的侧面蒸发，具体地，朝向沉积源喷嘴单元120蒸发。
在一个实施例中，沉积源喷嘴单元120设置在沉积源110面对基底2的侧面。关于这一点，根据本实施例的有机层沉积组件在执行用于形成公共层和图案层的沉积过程中可以均包括不同的沉积喷嘴。将在下面对此进行更详细的描述。
图5是用于形成图案层的沉积源喷嘴121的透视图。图6是用于形成公共层的沉积源喷嘴121'的透视图。
首先，参照图5，三个沉积源110和三个沉积源喷嘴单元120布置在第一有机层沉积组件100-1中，沉积源喷嘴121分别布置在沉积源喷嘴单元120的中心。因此，已经在沉积源110中蒸发的沉积材料115穿过沉积源喷嘴单元120并朝向作为沉积目标的基底2移动。如上所述，一个沉积源喷嘴121形成在沉积源喷嘴单元120上，三个沉积源110沿基底2的扫描方向布置在第一有机层沉积组件100-1中，从而多个沉积源喷嘴121沿基底2的扫描方向形成在第一有机层沉积组件100-1中。在这种情况下，当沉积源喷嘴121沿X轴方向形成时，相应的沉积源喷嘴121和相应的图案化缝隙131之间的距离彼此不同，从而由于从远离相应的图案化缝隙131的沉积源喷嘴121排出的沉积材料而出现阴影。然而，在本实施例中，沿X轴方向仅形成一个沉积源喷嘴121，因此可以显著地减少阴影的发生。另外，由于沉积源喷嘴121沿基底2的扫描方向布置，所以可以补偿在沉积源喷嘴121之间出现的流量差，并且可以保持沉积均匀性恒定。
尽管没有示出，但是在第一有机层沉积组件100-1中，三个沉积源110中的设置在位于中间的沉积源喷嘴的两侧的两个沉积源喷嘴110可以用来沉积主体材料，设置在它们的中间的另一个沉积源110可以用来沉积掺杂剂材料。如上所述，根据本实施例的有机层沉积设备1既包括用于沉积主体材料的沉积源又包括用于沉积掺杂剂材料的沉积源，因此，主体材料和掺杂剂材料可以共沉积在基底2上，因此，可以简化并快速地执行制造工艺，并且使用有机层沉积设备1制造的有机发光显示装置可以具有改进的效率。
参照图6，沉积源喷嘴单元120'设置在沉积源110'的侧面，具体地讲，沉积源喷嘴单元120'设置在沉积源110'的面对基底2的侧面。沉积源喷嘴单元120'包括沿X轴方向（即，与基底2的扫描方向垂直的方向）布置的多个沉积源喷嘴121'。关于这一点，多个沉积源喷嘴121'可以以相等的间隔或者以朝向其两端较小的间距布置。已经在沉积源110'中蒸发的沉积材料穿过沉积源喷嘴单元120'的沉积源喷嘴121'，然后沉积到基底2上。通过沿X轴方向（即，与基底2的扫描方向垂直的方向）布置多个沉积源喷嘴121'，从而形成公共层，可以改进公共层的厚度均匀性。
在一个实施例中，图案化缝隙片130可以设置在沉积源110和基底2之间。图案化缝隙片130还可以包括具有与窗口框架相似形状的框架135。图案化缝隙片130包括沿X轴方向布置的多个图案化缝隙131。已经在沉积源110中蒸发的沉积材料115穿过沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片130，然后沉积到基底2上。关于这一点，图案化缝隙片130可以利用与用来形成FMM（具体地，条形掩模）的方法相同的方法（例如，蚀刻）形成。关于这一点，图案化缝隙131的总数可以大于沉积源喷嘴121的总数。
在一个实施例中，沉积源110（和组合到沉积源110的沉积源喷嘴单元120）与图案化缝隙片130可以彼此分隔开特定的距离。
如上所述，在有机层沉积组件100-1相对于基底2移动的同时执行沉积。为了使有机层沉积组件100-1相对于基底2移动，图案化缝隙片130设置为与基底2分隔开特定的距离。
在利用FMM的传统沉积方法中，为了防止在基底上形成阴影，在FMM紧密接触基底的情况下执行沉积。然而，当FMM形成为紧密接触基底时，会出现由于基底与FMM之间的接触导致的缺陷。另外，由于难以使掩模相对于基底移动，所以掩模和基底需要形成为相同的尺寸。因此，随着显示装置的尺寸增加，需要大的掩模。然而，难以形成大的掩模。
为了解决这些问题，在根据本实施例的有机层沉积组件100-1中，图案化缝隙片130形成为与其上将沉积沉积材料的基底2分隔开特定的距离。
根据本实施例，可以在形成为比基底小的掩模相对于基底移动的同时执行沉积，因此容易制造掩模。另外，可以防止由于基底和掩模之间的接触导致的缺陷。另外，由于在沉积工艺期间不需要将基底与掩模紧密接触，所以可以提高制造速度。
在下文中，将描述上壳体104的每个元件的具体布置。
沉积源110和沉积源喷嘴单元120设置在上壳体104的底部上。容纳部分104-1分别形成在沉积源110和沉积源喷嘴单元120的两侧上，以具有突出形状。第一台阶150、第二台阶160和图案化缝隙片130按此顺序依次形成在容纳部分104-1上。
关于这一点，第一台阶150形成为沿X轴和Y轴方向移动，从而第一台阶150沿X轴和Y轴方向与图案化缝隙片130对准。即，第一台阶150包括多个致动器，从而第一台阶150相对于上壳体104沿X轴和Y轴方向移动。
第二台阶160形成为沿Z轴方向移动，从而沿Z轴方向对准图案化缝隙片130。即，第二台阶160包括多个致动器，并且形成为相对于第一台阶150沿Z轴方向移动。
图案化缝隙片130设置在第二台阶160上。图案化缝隙片130设置在第一台阶150和第二台阶160上，以沿X轴、Y轴和Z轴方向移动，因此可以执行基底2和图案化缝隙片130之间的对准（具体地，实时对准）。
另外，上壳体104、第一台阶150和第二台阶160可以引导沉积材料115的流动路径，从而通过沉积源喷嘴121排放的沉积材料115不分散到流动路径外部。即，沉积材料115的流动路径被上壳体104、第一台阶150和第二台阶160密封，因此，于是可以同步或同时引导沉积材料115沿X轴和Y轴方向的移动。
屏蔽构件140可以设置在图案化缝隙片130和沉积源110之间。具体地，阳极或阴极图案形成在基底2的边缘部分上并且用作用于检查产品或制造产品过程中的端子。如果有机材料被施加在基底2的区域上，则阳极或阴极不能充分地执行其功能。因此，基底2的边缘部分形成为其上没有施加有机材料等的非膜形成区域。然而，如上所述，在有机层沉积设备中，在基底2相对于有机层沉积设备移动的同时，以扫描方式执行沉积，因此，不容易防止有机材料沉积在基底2的非膜形成区域上。
因此，为了防止有机材料沉积在基底2的非膜形成区域上，在有机层沉积设备中，屏蔽构件140可以设置在基底2的边缘部分上。尽管图3和图4中未具体示出，但是屏蔽构件140可以包括两个相邻的板。
当基底2不穿过有机层沉积组件100-1时，屏蔽构件140遮蔽沉积源110，因此从沉积源110排放的沉积材料115不到达图案化缝隙片130。当基底2进入具有遮蔽沉积源110的屏蔽构件140的有机层沉积组件100-1中时，屏蔽构件140的遮蔽沉积源110的前部随着基底2的移动而移动，因此沉积材料115的流动路径被打开，从沉积源110排放的沉积材料115穿过图案化缝隙片130并沉积在基底2上。另外，在基底2穿过有机层沉积组件100-1的同时，屏蔽构件140的后部随着基底2的移动而移动，以遮蔽沉积源110，从而沉积材料115的流动路径被关闭。因此，从沉积源110排放的沉积材料115不到达图案化缝隙片130。
如上所述，基底2的非膜形成区域被屏蔽构件140遮蔽，因此可以在不使用单独结构的情况下容易地防止有机材料沉积在基底2的非膜形成区域上。
在下文中，更详细地描述输送其上将要沉积沉积材料115的基底2的输送单元400。参照图3、图4和图7，输送单元400包括第一输送单元410、第二输送单元420和传送单元430。
第一输送单元410以在线方式输送包括运送器431和附于运送器431的静电卡盘432的传送单元430以及附于传送单元430的基底2，使得可以通过有机层沉积组件100-1将有机层形成在基底2上。第一输送单元410包括线圈411、引导构件412、上磁悬浮轴承、侧面磁悬浮轴承以及间隙传感器。
在传送单元430穿过沉积单元100的同时完成了一个沉积循环之后，第二输送单元420将已经在卸载单元300中分离了基底2的传送单元430返回加载单元200。第二输送单元420包括线圈421、辊式引导件422和充电轨道423。
传送单元430包括沿第一输送单元410和第二输送单元420输送的运送器431和组合在运送器431的表面上并且基底2附于其上的静电卡盘432。
在下文中，将更详细地描述输送单元400的每个元件。
参照图7，现在将详细描述传送单元430的运送器431。
运送器431包括主体部件431a、磁轨431b、非接触电源（CPS）模块431c、电源单元431d和引导槽431e。
主体部件431a构成运送器431的基础部件，并且可以由诸如铁的磁性材料形成。关于这一点，由于主体部件431a与对应的上磁悬浮轴承和侧面磁悬浮轴承（下面描述）之间的排斥力，使得运送器431可以与引导构件412保持分隔开特定的距离。
引导槽431e可以分别形成在主体部件431a的两侧处，并且引导槽431e均可以容纳引导构件412的引导突起412'。
磁轨431b可以在主体部件431a行进的方向上沿主体部件431a的中线形成。主体部件431a的磁轨431b和线圈411（下面进行更详细的描述）可以彼此组合以构成线性电机，运送器431可以在线性电机的作用下沿箭头A的方向输送。
CPS模块431c和电源单元431d可以在主体部件431a中分别形成在磁轨431b的两侧上。电源单元431d包括提供电力的电池（例如，可再充电电池），从而静电卡盘432可以卡住基底2并且保持操作。CPS模块431c是为电源单元431d充电的无线充电模块。具体地讲，形成在第二输送单元420中的充电轨道423（后面描述）连接到逆变器（未示出），因此当运送器431被传送到第二输送单元420中时，在充电轨道423和CPS模块431c之间形成磁场，从而为CPS模块431c供电。供应到CPS模块431c的电力用来为电源单元431d充电。
静电卡盘432可以包括嵌入在由陶瓷形成的主体中的电极，其中，电极被供电。当向电极施加高电压时，基底2被附于静电卡盘432的主体的表面上。
在下文中，更详细地描述传送单元430的操作。
主体部件431a的磁轨431b和线圈411可以彼此组合以构成操作单元。关于这一点，所述操作单元可以为线性电机。与传统的滑动导轨系统相比，线性电机具有小的摩擦系数、小的位置误差以及非常高程度的位置确定。如上所述，线性电机可以包括线圈411和磁轨431b。磁轨431b线性地设置在运送器431上，多个线圈411可以以特定的距离设置在室101的内侧，以面对磁轨431b。由于磁轨431b设置在运送器431而不是线圈411上，所以运送器431可以在没有对其提供电力的情况下操作。关于这一点，线圈411可以形成在大气气氛中的气氛（ATM）箱中，附着有磁轨431b的运送器431可以在保持在真空中的室101中移动。
根据本实施例的有机层沉积设备1的有机层沉积组件100-1还可以包括用于对准过程的间隙测量单元170。更详细地讲，间隙测量单元170可以测量基底2和图案化缝隙片130之间的间隙。这里，间隙测量单元170被布置在沉积工艺进行的室101中实现视场。为此，间隙测量单元170可以在形成在间隙测量单元-容置单元171中的同时安装在大气气氛中。
图8是间隙测量单元170、基底2和图案化缝隙片130的示意性平面图。
参照图8，间隙测量单元170可以包括第一间隙测量部件和第二测量部件。
第一间隙测量部件可以不设置在图案化缝隙片130上，而是可以设置在从图案化缝隙片130延伸的虚平面（虚图案化缝隙片）130'上。第二测量部件可以设置在图案化缝隙片130上。
第一间隙测量部件可以包括第一间隙测量单元170a和第六间隙测量单元170f。然而，本发明的多个方面不限于此，因此，第一间隙测量部件可以包括两个或更多个间隙测量单元。第二测量部件可以包括第二间隙测量单元170b、第三间隙测量单元170c、第四间隙测量单元170d和第五间隙测量单元170e。然而，本发明的多个方面不限于此，因此，第二间隙测量部件可以包括四个或更多个间隙测量单元。
更详细地讲，第一间隙测量单元170a、第二间隙测量单元170b和第四间隙测量单元170d可以设置在第一虚线上，第三间隙测量单元170c、第五间隙测量单元170e和第六间隙测量单元170f可以设置在第二虚线上。这里，第一虚线和第二虚线可以与第一方向A平行。
另外，第一间隙测量单元170a、第二间隙测量单元170b和第三间隙测量单元170c可以以如下方式设置，即，连接它们的虚线形成三角形。另外，第四间隙测量单元170d、第五间隙测量单元170e和第六间隙测量单元170f可以以如下方式设置，即，连接它们的虚线形成三角形。
如图9所示，连接第一间隙测量单元170a、第二间隙测量单元170b和第三间隙测量单元170c的虚线可以形成直角三角形。如图11所示，连接第四间隙测量单元170d、第五间隙测量单元170e和第六间隙测量单元170f的虚线可以形成直角三角形。
即，连接第一间隙测量单元170a和第二间隙测量单元170b的虚线可以是第一边，连接第二间隙测量单元170b和第三间隙测量单元170c的虚线可以是第二边，连接第三间隙测量单元170c和第一间隙测量单元170a的虚线可以是第三边，关于这一点，第一边和第二边可以彼此垂直，第三边可以对应于三角形的倾斜边（斜边），从而由第一间隙测量单元170a、第二间隙测量单元170b和第三间隙测量单元170c形成的三角形可以是直角三角形。
另外，连接第五间隙测量单元170e和第六间隙测量单元170f的虚线可以是第四边，连接第四间隙测量单元170d和第五间隙测量单元170e的虚线可以是第五边，连接第六间隙测量单元170f和第四间隙测量单元170d的虚线可以是第六边，关于这一点，第四边和第五边可以彼此垂直，第六边可以对应于三角形的倾斜边（斜边），从而由第四间隙测量单元170d、第五间隙测量单元170e和第六间隙测量单元170f形成的三角形可以是直角三角形。
第一间隙测量单元170a至第六间隙测量单元170f可以是共焦传感器。共焦传感器可以利用激光束和以高速旋转的扫描镜来扫描测量目标并且可以通过利用激光束发射的反射光线或荧光光线来测量与测量目标的距离。共焦传感器可以通过感测不同媒介之间的界面来测量距离。
图9至图11是示出通过使用间隙测量单元170来测量基底2和图案化缝隙片130之间的距离的过程的平面图。
图9示出了基底2沿第一方向A移动并因此位于第一间隙测量单元170a、第二间隙测量单元170b和第三间隙测量单元170c下方的示例。
参照图9，第一间隙测量单元170a可以测量与基底2的距离，第二间隙测量单元170b和第三间隙测量单元170c中的每个可以测量与基底2的距离和与图案化缝隙片130的距离。另外，基底2和图案化缝隙片130之间的距离可以由第一间隙测量单元170a、第二间隙测量单元170b和第三间隙测量单元170c中的每个来测量。即，可以通过从与图案化缝隙片130的距离中减去与基底2的距离来获得基底2和图案化缝隙片130之间的距离。
第一间隙测量单元170a可以通过利用由第二间隙测量单元170b或第三间隙测量单元170c测量的与图案化缝隙片130的距离作为第一间隙测量单元170a和虚图案化缝隙片（即，虚平面130'）之间的距离来获得基底2和图案化缝隙片130之间的距离。虚图案化缝隙片130'可以指从图案化缝隙片130延伸的平面。与虚图案化缝隙片130'的距离可以对应于由第二间隙测量单元170b测量的与图案化缝隙片130的距离。
如果由第一间隙测量单元170a、第二间隙测量单元170b和第三间隙测量单元170c测量的基底2和图案化缝隙片130之间的距离彼此不同，则图案化缝隙片130可以移动以使距离同步。下面将对此加以更详细的描述。
图10示出了基底2沿第一方向A移动并因此位于第二间隙测量单元170b、第三间隙测量单元170c和第四间隙测量单元170d下方的示例。
参照图10，第二间隙测量单元170b、第三间隙测量单元170c和第四间隙测量单元170d中的每个可以测量与基底2的距离和与图案化缝隙片130的距离，因此可以在第二间隙测量单元170b、第三间隙测量单元170c和第四间隙测量单元170d的每个位置处获得基底2和图案化缝隙片130之间的距离。如上所述，可以通过从与图案化缝隙片130的距离中减去与基底2的距离来获得基底2和图案化缝隙片130之间的距离。
如果由第二间隙测量单元170b、第三间隙测量单元170c和第四间隙测量单元170d测量的基底2和图案化缝隙片130之间的距离彼此不同，则可以移动图案化缝隙片130，使得基底2和图案化缝隙片130之间的距离可以恒定（在整个图案化缝隙片130处均相同）。
更详细地讲，图12和图13示出了基底2和图案化缝隙片130的布置。图12示出了基底2和图案化缝隙片130未对准的状态，图13示出了基底2和图案化缝隙片130对准的状态。参照图12，当基底2移动并因此在图案化缝隙片130上方时，第二间隙测量单元170b、第三间隙测量单元170c和第四间隙测量单元170d中的每个可以测量与基底2的距离和与图案化缝隙片130的距离，因此，第二间隙测量单元170b、第三间隙测量单元170c和第四间隙测量单元170d可以在相应的测量点处测量基底2和图案化缝隙片130之间的相应的距离h1、h2和h3。如图12所示，基底2和图案化缝隙片130之间的距离h1、h2和h3可能彼此不同。在这种情况下，第一台阶150和第二台阶160可以倾斜、旋转和/或移动图案化缝隙片130，从而如图图13所示，基底2和图案化缝隙片130之间的距离h1'、h2'和h3'可以是恒定的（相同的）。
图11示出了基底2沿第一方向A移动并因此位于第四间隙测量单元170d、第五间隙测量单元170e和第六间隙测量单元170f下方的示例。
参照图11，第六间隙测量单元170f可以测量与基底2的距离，第四间隙测量单元170d和第五间隙测量单元170e中的每个可以测量与基底2的距离和与图案化缝隙片130的距离。另外，基底2和图案化缝隙片130之间的距离可以由第四间隙测量单元170d、第五间隙测量单元170e和第六间隙测量单元170f中的每个来测量。即，可以通过从与图案化缝隙片130的距离中减去与基底2的距离来获得基底2和图案化缝隙片130之间的距离。
第六间隙测量单元170f可以通过使用由第四间隙测量单元170d或第五间隙测量单元170e测量的与图案化缝隙片130的距离作为第六间隙测量单元170f和虚图案化缝隙片130'之间的距离来获得基底2和图案化缝隙片130之间的距离。虚图案化缝隙片130'可以指从图案化缝隙片130延伸的平面。与虚图案化缝隙片130'的距离可以对应于由第四间隙测量单元170d或第五间隙测量单元170e测量的与图案化缝隙片130的距离。
如果由第四间隙测量单元170d、第五间隙测量单元170e或第六间隙测量单元170f测量的基底2和图案化缝隙片130之间的距离彼此不同，则图案化缝隙片130可以移动以使距离同步。
以这种方式，因为基底2和图案化缝隙片130之间的距离可通过使用间隙测量单元170实时测量，所以基底2可以实时地与图案化缝隙片130对准，从而可以显著地改善图案的位置精确度。
图14是根据本发明实施例的有机层沉积组件700的示意性透视图。图15是图14的有机层沉积组件700的剖视侧视图。图16是图14的有机层沉积组件700的剖视平面图。
参照图14至图16，有机层沉积组件700包括沉积源710、沉积源喷嘴单元720、屏蔽板组件730和图案化缝隙片750。
沉积源710包括填充有沉积材料715的坩埚711和加热器712，加热器712加热坩埚711，以使包括在坩埚711中的沉积材料715朝向沉积源喷嘴单元720蒸发。沉积源喷嘴单元720设置在沉积源710的侧面处，多个沉积源喷嘴721沿X轴方向形成在沉积源喷嘴单元720上。
屏蔽板组件730布置在沉积源喷嘴单元720的侧面处。屏蔽板组件730包括多个屏蔽板731和设置在屏蔽板731的外侧的屏蔽板框架732。屏蔽板731可以沿X轴方向彼此平行地布置。这里，屏蔽板731可以以规则的间隔设置。另外，每个屏蔽板731可以沿Y-Z平面延伸并可以具有矩形形状。以上述方式设置的屏蔽板731将沉积源喷嘴单元720和图案化缝隙片750之间的空间限定成多个沉积空间S，从而从一个沉积源喷嘴721排出的沉积材料不与从其它沉积源喷嘴721排出的沉积材料混合，而是穿过图案化缝隙751，并随后沉积到基底2上。即，每个屏蔽板731起到引导沉积材料的移动路径的作用，从而从每个沉积源喷嘴721排出的沉积材料沿Z轴方向直线行进而不散布。
如上所述，沉积材料的线性通过屏蔽板731的布置来实现，从而可以显著地减小形成在基底2上的阴影的尺寸，因此，有机层沉积组件700和基底2可以彼此隔开特定的距离。
图案化缝隙片750进一步设置在沉积源710和基底2之间。图案化缝隙片750还包括具有与窗口框架相似的形状的框架755。另外，图案化缝隙片750包括沿X轴方向布置的多个图案化缝隙751。在沉积源710中蒸发的沉积材料715穿过沉积源喷嘴单元720和图案化缝隙片750，随后朝向作为沉积目标的基底2移动。
图17是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件800的示意性透视图。
参照图17，有机层沉积组件800包括沉积源810、沉积源喷嘴单元820、第一屏蔽板组件830、第二屏蔽板组件840和图案化缝隙片850。这里，沉积源810、第一屏蔽板组件830和图案化缝隙片850的构造与上面参照图14所描述的相同，因此省去对它们的详细描述。本实施例与先前实施例的不同之处在于第二屏蔽板组件840布置在第一屏蔽板组件830的侧面处。
更详细地讲，第二屏蔽板组件840包括多个第二屏蔽板841和设置在第二屏蔽板841的外侧的第二屏蔽板框架842。第二屏蔽板841可以沿X轴方向彼此平行地设置。另外，第二屏蔽板841可以以规则的间隔设置。另外，每个第二屏蔽板841可以沿Y-Z平面延伸，即，可以垂直于X轴方向。
以上述方式设置的多个第一屏蔽板831和第二屏蔽板841限定沉积源喷嘴单元820和图案化缝隙片850之间的空间。即，本实施例的特征在于，由于第一屏蔽板831和第二屏蔽板841，分别相对于喷射沉积材料的多个沉积源喷嘴821来限定沉积空间。
这里，第一屏蔽板831和第二屏蔽板841可以设置成彼此对应。换言之，第一屏蔽板831可以分别与第二屏蔽板841对准，因此可以彼此平行。即，彼此对应的第一屏蔽板831和第二屏蔽板841可以位于相同的平面上。参照图17，每个第一屏蔽板831的长度等于每个第二屏蔽板841的X轴方向的宽度，但本发明的多个方面不限于此。即，为了方便制造，需要与相邻的图案化缝隙851精确地对准的第二屏蔽板841可以相对薄，而不与相邻的图案化缝隙851精确地对准的第一屏蔽板831可以相对厚。
图18是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件900的示意性透视图。
参照图18，有机层沉积组件900包括沉积源910、沉积源喷嘴单元920和图案化缝隙片950。
沉积源910包括填充有沉积材料915的坩埚911和加热器912，加热器912加热坩埚911，以使包括在坩埚911中的沉积材料915朝向沉积源喷嘴单元920蒸发。沉积源喷嘴单元920设置在沉积源910的侧面处，多个沉积源喷嘴921沿Y轴方向形成在沉积源喷嘴单元920上。另外，图案化缝隙片950和框架955进一步设置在沉积源910和基底2之间，多个图案化缝隙951沿X轴方向形成在图案化缝隙片950处。沉积源910和沉积源喷嘴单元920与图案化缝隙片950通过使用连接构件935组合。
本实施例与上述实施例的不同之处在于沉积源喷嘴921在沉积源喷嘴单元920处的布置改变。在下文中，如下描述不同之处。
沉积源喷嘴单元920设置在沉积源910的侧面处，以面对基底2。沉积源喷嘴921沿Y轴方向形成在沉积源喷嘴单元920上，即，沿基底2的扫描方向形成在沉积源喷嘴单元920上。这里，沉积源喷嘴921可以以规则的间隔设置。已经在沉积源910中蒸发的沉积材料915穿过沉积源喷嘴单元920，随后朝向作为沉积目标的基底2移动。因此，在有机层沉积组件900中，沉积源喷嘴921沿基底2的扫描方向形成。关于这一点，当沉积源喷嘴921沿X轴方向形成时，相应的沉积源喷嘴921和显影的图案化缝隙951之间的距离彼此不同，因此由于已经从远离相应的图案化缝隙951的沉积源喷嘴921排出的沉积材料而出现阴影。因此，在本实施例中，沿X轴方向仅形成一个沉积源喷嘴921，因此可以显著地减少阴影的出现。另外，因为沉积源喷嘴921沿基底2的扫描方向形成，所以可以补偿在沉积源喷嘴921之间发生的流量差，并可以保持沉积均匀性恒定。
在下文中，更详细地描述通过使用有机层沉积设备1形成的有机层的结构。
图19是示出根据本发明实施例的图案化缝隙131以相等的间隔布置在有机层沉积设备1的图案化缝隙片130中的结构的图。图20是根据本发明实施例的通过使用的图19的图案化缝隙片130形成在基底2上的有机层的图。
图19和图20示出了图案化缝隙131以相等的间隔布置的图案化缝隙片130。即，在图19中，图案化缝隙131满足下式：l1=l2=l3=l4。
在这个实施例中，沿着沉积空间S的中线C排放的沉积材料的入射角基本上垂直于基底2。因此，利用已经穿过图案化缝隙131a的沉积材料形成的有机层P1具有最小尺寸的阴影，右侧阴影SR1和左侧阴影SL1形成为彼此对称。
然而，穿过离沉积空间S的中线C设置得较远的图案化缝隙的沉积材料的临界入射角θ逐渐增大，因此，穿过最外侧图案化缝隙131e的沉积材料的临界入射角θ为大约55°。因此，沉积材料以相对于图案化缝隙131e倾斜的方式入射，利用已经穿过图案化缝隙131e的沉积材料形成的有机层P5具有最大阴影。具体地，左侧阴影SL5比右侧阴影SR5大。
即，随着沉积材料的临界入射角θ增大，阴影的尺寸也增大。具体地讲，在距离沉积空间S的中线C较远的位置处的阴影的尺寸增大。另外，随着沉积空间S的中线C与各图案化缝隙之间的距离增加，沉积材料的临界入射角θ增大。因此，利用穿过设置为距离沉积空间S的中线C较远的图案化缝隙的沉积材料形成的有机层具有较大的阴影尺寸。具体地，在各有机层的两侧上的阴影中，在距离沉积空间S的中线C较远的位置处的阴影的尺寸大于另一位置处的阴影的尺寸。
即，参照图20，形成在沉积空间S的中线C的左侧上的有机层具有左侧斜边（左侧倾斜边）大于右侧斜边（右侧倾斜边）的结构，形成在沉积空间S的中线C的右侧（右侧倾斜边）上的有机层具有右侧斜边大于左侧斜边（左侧倾斜边）的结构。
另外，在形成在沉积空间S的中线C的左侧上的有机层中，左侧斜边的长度朝向左侧增加。在形成在沉积空间S的中线C的右侧上的有机层中，右侧斜边的长度朝向右侧增加。结果，形成在沉积空间S中的有机层可以形成为关于沉积空间S的中线C彼此对称。
现在将更详细地描述这种结构。
穿过图案化缝隙131b的沉积材料以临界入射角θb穿过图案化缝隙131b，利用已经穿过图案化缝隙131b的沉积材料形成的有机层P2具有尺寸为SL2的左侧阴影。类似地，穿过图案化缝隙131c的沉积材料以临界入射角θc穿过图案化缝隙131c，利用已经穿过图案化缝隙131c的沉积材料形成的有机层P3具有尺寸为SL3的左侧阴影。类似地，穿过图案化缝隙131d的沉积材料以临界入射角θd穿过图案化缝隙131d，利用已经穿过图案化缝隙131d的沉积材料形成的有机层P4具有尺寸为SL4的左侧阴影。类似地，穿过图案化缝隙131e的沉积材料以临界入射角θe穿过图案化缝隙131e，利用已经穿过图案化缝隙131e的沉积材料形成的有机层P5具有尺寸为SL5的左侧阴影。
关于这一点，临界入射角满足下面的条件：θb<θc<θd<θe，因此，有机层的阴影尺寸也满足下面的条件：SL1<SL2<SL3<SL4<SL5。
图21是根据本发明实施例的利用有机层沉积设备1制造的有源矩阵型有机发光显示装置的剖视图。
参照图21，根据当前实施例的有源矩阵有机发光显示装置形成在基底50上。基底50可以由诸如玻璃、塑料或金属的透明材料形成。在基底50的整个表面上形成诸如缓冲层的绝缘层51。
如图21中所示，在绝缘层51上设置薄膜晶体管（TFT）、电容器和有机发光二极管（OLED）。
以设定或预定图案在绝缘层51的上表面上形成半导体有源层52。栅极绝缘层53形成为覆盖半导体有源层52。半导体有源层52可以包含p型或n型半导体材料。
TFT的栅极54形成在栅极绝缘层53的对应于半导体有源层52的区域中。层间绝缘层55形成为覆盖栅极54。通过例如干蚀刻来蚀刻层间绝缘层55和栅极绝缘层53，以形成暴露半导体有源层52的部分的接触孔。
源极56和漏极57形成在层间绝缘层55上，以通过接触孔接触半导体有源层52。保护层58形成为覆盖源极56和漏极57，并且被蚀刻以暴露漏极57中的一部分。绝缘层59可以进一步形成在保护层58上，以使保护层58平坦化。
另外，OLED通过根据电流发射红光、绿光或蓝光来显示设定或预定的图像信息。OLED包括设置在保护层58上的第一电极61。第一电极61电连接到TFT的被暴露的漏极57。
像素限定层60形成为覆盖第一电极61。在像素限定层60中形成开口，包括发射层（EML）的有机层62形成在通过所述开口限定的区域中。第二电极63形成在有机层62上。
限定各个像素的像素限定层60由有机材料形成。像素限定层60还将基底30的形成有第一电极61的区域的表面平坦化，具体地，像素限定层60将绝缘层59的表面平坦化。
第一电极61和第二电极63彼此绝缘，并且分别对有机层62施加相反极性的电压来诱导发光。
包括EML的有机层62可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。当使用低分子量有机材料时，有机层62可以具有包括空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、EML、电子传输层（ETL）和/或电子注入层（EIL）的单层或多层结构。在有机层62形成为多层结构的情况下，该多层结构中的层可以具有不均匀的厚度。可用的有机材料的非限制性示例可以包括铜酞菁（CuPc）、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺（NPB）和三-8-羟基喹啉铝（Alq3）。
可以利用图1中示出的有机层沉积设备1来形成包括EML的有机层62。即，将包括排放沉积材料的沉积源、设置在沉积源的侧面并且包括形成在其中的多个沉积源喷嘴的沉积源喷嘴单元以及面对沉积源喷嘴单元并且包括形成在其中的多个图案化缝隙的图案化缝隙片的有机层沉积设备设置为与其上将沉积沉积材料的基底分隔开设定或预定距离。另外，在有机层沉积设备1和基底2相对于彼此移动的同时，从有机层沉积设备1（参照图1）排放的沉积材料沉积在基底2（参照图1）上。
在形成有机层62之后，可以通过与用来形成有机层62的沉积方法相同的沉积方法形成第二电极63。
第一电极61可以用作阳极，第二电极63可以用作阴极。可选地，第一电极61可以用作阴极，第二电极63可以用作阳极。第一电极61可以被图案化以对应于各像素区域，第二电极63可以形成为覆盖所有像素。
第一电极61可以形成为透明电极或反射电极。这种透明电极可以由氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）或氧化铟（In2O3）形成。可以通过由银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）、铂（Pt）、钯（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）或它们的化合物形成反射层并且在反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3层来形成这种反射电极。可以通过例如溅射形成层然后通过例如光刻将所述层图案化来形成第一电极61。
第二电极63也可以形成为透明电极或反射电极。当第二电极63形成为透明电极时，第二电极63用作阴极。为此，可以通过在有机层62的表面上沉积具有低功函数的诸如锂（Li）、钙（Ca）、氟化锂/钙（LiF/Ca）、氟化锂/铝（LiF/Al）、铝（Al）、银（Ag）、镁（Mg）或它们的化合物的金属并在其上由ITO、IZO、ZnO或In2O3等形成辅助电极层或汇流电极线来形成这种透明电极。当第二电极63形成为反射电极时，可以通过在有机层62的整个表面上沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物来形成反射层。可以利用与上面描述的用来形成有机层62的沉积方法相同的沉积方法来形成第二电极63。
上面描述的根据本发明实施例的有机层沉积设备可以应用于形成有机TFT的有机层或无机层，并且用来形成由不同材料形成的层。
根据本发明的一个或多个实施例，可以实现通过利用适合于在大基底的批量生产中使用的、能够实现高分辨率图案化的且能够测量并控制图案化缝隙片和移动的基底之间的间隙的有机层沉积设备来制造有机发光显示装置的方法所制造的有机发光显示装置。
尽管已经参照本发明的示例性实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的本发明的原理和精神的情况下，可以在此做出形式和细节方面的各种改变。

Claims (28)

1.一种有机层沉积设备，所述有机层沉积设备包括：
输送单元，包括用于固定基底并且被构造为与基底一起移动的传送单元、用于将其上固定有基底的传送单元沿第一方向移动的第一输送单元和用于在已经完成沉积之后将基底从其分开的传送单元沿与第一方向相反的方向移动的第二输送单元；
加载单元，将基底固定在传送单元上；
沉积单元，包括保持在真空状态下的室以及用于在固定在从加载单元传送的传送单元上的基底上沉积有机层的有机层沉积组件；以及
卸载单元，将在穿过沉积单元的同时已经对其完成了沉积的基底与传送单元分开，
其中，传送单元被构造为在第一输送单元和第二输送单元之间循环移动，
其中，固定在传送单元上的基底被构造为在被第一输送单元传送的同时与有机层沉积组件分隔开设定距离，并且
其中，有机层沉积组件包括：
沉积源，用于排放沉积材料；
沉积源喷嘴单元，位于沉积源的侧面处并包括多个沉积源喷嘴；
图案化缝隙片，面对沉积源喷嘴单元并包括沿一个方向布置的多个图案化缝隙；以及
间隙测量单元，用于测量基底和图案化缝隙片之间的间隙，
其中，沉积源被构造为排放沉积材料以使沉积材料穿过图案化缝隙片，从而以特定图案沉积在基底上，
其中，间隙测量单元包括：第一间隙测量部件，未设置在图案化缝隙片上且设置在从图案化缝隙片延伸的虚平面上；以及第二间隙测量部件，设置在图案化缝隙片上，
其中，第一间隙测量部件包括第一间隙测量单元和第六间隙测量单元，
第二间隙测量部件包括第二间隙测量单元、第三间隙测量单元、第四间隙测量单元和第五间隙测量单元，
第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元被构造为使得连接第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元的虚线形成三角形，并且
第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元被构造为使得连接第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元的虚线形成三角形。
2.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第四间隙测量单元设置在第一虚线上，并且
第三间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元设置在第二虚线上。
3.根据权利要求2所述的有机层沉积设备，其中，第一虚线和第二虚线与第一方向平行。
4.根据权利要求2所述的有机层沉积设备，其中，连接第一间隙测量单元和第二间隙测量单元的线是第一边，
连接第二间隙测量单元和第三间隙测量单元的线是第二边，
连接第三间隙测量单元和第一间隙测量单元的线是第三边，并且
第一边和第二边彼此垂直，第三边对应于三角形的斜边。
5.根据权利要求2所述的有机层沉积设备，其中，连接第五间隙测量单元和第六间隙测量单元的线是第四边，
连接第四间隙测量单元和第五间隙测量单元的线是第五边，
连接第六间隙测量单元和第四间隙测量单元的线是第六边，并且
第四边和第五边彼此垂直，第六边对应于三角形的斜边。
6.根据权利要求2所述的有机层沉积设备，其中，当基底沿第一方向移动并因此位于第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元下方时，第一间隙测量单元被构造为测量与基底的距离，并且第二间隙测量单元和第三间隙测量单元中的每个被构造为测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，从而第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元被构造为分别在第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元处测量基底和图案化缝隙片之间的距离。
7.根据权利要求6所述的有机层沉积设备，其中，第一间隙测量单元被构造为通过使用第一间隙测量单元与虚图案化缝隙片之间的距离作为与图案化缝隙片的距离来获得基底和图案化缝隙片之间的距离，其中，与图案化缝隙片的距离由第二间隙测量单元或第三间隙测量单元来测量。
8.根据权利要求7所述的有机层沉积设备，其中，当由第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，移动图案化缝隙片以使距离同步。
9.根据权利要求2所述的有机层沉积设备，其中，当基底沿第一方向移动并因此位于第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元下方时，第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元中的每个被构造为测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，从而在第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元的每个位置处获得基底和图案化缝隙片之间的距离。
10.根据权利要求9所述的有机层沉积设备，其中，当由第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，移动图案化缝隙片以使距离同步。
11.根据权利要求2所述的有机层沉积设备，其中，当基底沿第一方向移动并因此位于第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元下方时，第六间隙测量单元被构造为测量与基底的距离，第四间隙测量单元和第五间隙测量单元中的每个被构造为测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，从而第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元被构造为分别在第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元处测量基底和图案化缝隙片之间的距离。
12.根据权利要求11所述的有机层沉积设备，其中，第六间隙测量单元通过使用第六间隙测量单元与虚图案化缝隙片之间的距离作为与图案化缝隙片的距离来获得基底和图案化缝隙片之间的距离，其中，与图案化缝隙片的距离由第四间隙测量单元或第五间隙测量单元来测量。
13.根据权利要求11所述的有机层沉积设备，其中，当由第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，移动图案化缝隙片以使距离同步。
14.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，第一输送单元和第二输送单元被构造为穿过沉积单元。
15.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，第一输送单元和第二输送单元彼此平行地分别布置在上方和下方。
16.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，第一输送单元被构造为将传送单元顺序输送到加载单元、沉积单元和卸载单元中。
17.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，第二输送单元被构造为将传送单元顺序输送到卸载单元、沉积单元和加载单元中。
18.根据权利要求1所述的有机层沉积设备，其中，有机层沉积组件的图案化缝隙片被形成为沿第一方向小于基底。
19.一种通过利用有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法，所述有机层沉积设备用于在基底上形成有机层，所述方法包括：
将位于传送单元上的基底固定在加载单元中；
通过利用安装为穿过室的第一输送单元将其上固定有基底的传送单元输送到所述室中；
在所述室中的有机层沉积组件与基底分隔开设定距离的情况下，在基底相对于有机层沉积组件移动的同时，通过在基底上沉积从有机层沉积组件排放的沉积材料形成有机层；
在卸载单元中将其上已经完成沉积的基底与传送单元分开；以及
通过使用被安装为穿过所述室的第二输送单元将基底从其分开的传送单元输送到加载单元，并且
其中，形成有机层的步骤包括：在基底相对于有机层沉积组件相对移动的同时，测量基底和图案化缝隙片之间的距离，
其中，有机层沉积组件包括：
沉积源，用于排放沉积材料；
沉积源喷嘴单元，位于沉积源的侧面处并包括多个沉积源喷嘴；
图案化缝隙片，面对沉积源喷嘴单元并包括沿一个方向布置的多个图案化缝隙；以及
间隙测量单元，用于测量基底和图案化缝隙片之间的间隙，并且
其中，间隙测量单元包括：
第一间隙测量部件，未设置在图案化缝隙片上且设置在从图案化缝隙片延伸的虚平面上；以及
第二间隙测量部件，设置在图案化缝隙片上，
其中，第一间隙测量部件包括第一间隙测量单元和第六间隙测量单元，
第二间隙测量部件包括第二间隙测量单元、第三间隙测量单元、第四间隙测量单元和第五间隙测量单元，
第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元被构造为使得连接第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元的虚线形成三角形，
第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元被构造为使得连接第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元的虚线形成三角形。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述室包括多个有机层沉积组件，其中，通过利用所述多个有机层沉积组件中的每个对基底顺序执行沉积。
21.根据权利要求19所述的方法，其中，传送单元被构造为在第一输送单元和第二输送单元之间循环移动。
22.根据权利要求19所述的方法，其中，第一输送单元和第二输送单元彼此平行地分别布置在上方和下方。
23.根据权利要求19所述的方法，其中，有机层沉积组件的图案化缝隙片被形成为沿第一方向小于基底，其中，传送单元由第一输送单元输送。
24.根据权利要求19所述的方法，其中，当基底移动并因此位于第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元下方时，测量距离的步骤包括：
通过第一间隙测量单元来测量与基底的距离，通过第二间隙测量单元和第三间隙测量单元中的每个来测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，从而分别在第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元处测量基底和图案化缝隙片之间的距离；以及
当由第一间隙测量单元、第二间隙测量单元和第三间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，移动图案化缝隙片以使距离同步。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，第一间隙测量单元通过使用第一间隙测量单元与虚图案化缝隙片之间的距离作为与图案化缝隙片的距离来获得基底和图案化缝隙片之间的距离，其中，与图案化缝隙片的距离由第二间隙测量单元或第三间隙测量单元来测量。
26.根据权利要求24所述的方法，其中，当基底移动并因此位于第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元下方时，测量距离的步骤包括：
通过第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元中的每个来测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，并分别在第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元的每个位置处获得基底和图案化缝隙片之间的距离；以及
当由第二间隙测量单元、第三间隙测量单元和第四间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，移动图案化缝隙片以使距离同步。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，当基底移动并因此位于第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元下方时，测量距离的步骤包括：
通过第六间隙测量单元来测量与基底的距离，通过第四间隙测量单元和第五间隙测量单元中的每个来测量与基底的距离和与图案化缝隙片的距离，从而分别在第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元处测量基底和图案化缝隙片之间的距离；以及
当由第四间隙测量单元、第五间隙测量单元和第六间隙测量单元测量的基底和图案化缝隙片之间的距离彼此不同时，移动图案化缝隙片以使距离同步。
28.根据权利要求27所述的方法，其中，第六间隙测量单元通过使用第六间隙测量单元与虚图案化缝隙片之间的距离作为与图案化缝隙片的距离来获得基底和图案化缝隙片之间的距离，其中，与图案化缝隙片的距离由第四间隙测量单元或第五间隙测量单元来测量。
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