KR102084712B1 - 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법 - Google Patents

표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102084712B1
KR102084712B1 KR1020130062048A KR20130062048A KR102084712B1 KR 102084712 B1 KR102084712 B1 KR 102084712B1 KR 1020130062048 A KR1020130062048 A KR 1020130062048A KR 20130062048 A KR20130062048 A KR 20130062048A KR 102084712 B1 KR102084712 B1 KR 102084712B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mark
thin film
substrate
preliminary
alignment
Prior art date
Application number
KR1020130062048A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140140959A (ko
Inventor
정철규
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130062048A priority Critical patent/KR102084712B1/ko
Priority to US14/027,042 priority patent/US9627618B2/en
Publication of KR20140140959A publication Critical patent/KR20140140959A/ko
Priority to US15/462,394 priority patent/US10096775B2/en
Priority to US16/107,871 priority patent/US10541368B2/en
Priority to US16/716,428 priority patent/US11088326B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102084712B1 publication Critical patent/KR102084712B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

정렬 마크를 형성한 표시 장치용 기판과, 정렬 마크를 이용한 박막 증착 방법을 제공한다. 표시 장치용 기판은 복수의 예비 화소가 형성된 제1 영역과, 정렬 마크와 테스트용 박막이 형성된 제2 영역을 포함한다. 정렬 마크는 가상의 교차점에 의해 기준점이 설정되는 적어도 두 개의 마크로 구성되고, 테스트용 박막은 정렬 마크와 이격된다.

Description

표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법 {SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE AND DEPOSITION METHOD OF THIN FILM}
본 기재는 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 정렬 마크를 형성한 표시 장치용 기판 및 정렬 마크를 이용한 박막 증착 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 기판과, 기판 상에 형성되는 복수의 화소를 포함한다. 각 화소는 화소 회로와, 화소 회로에 의해 발광이 제어되는 유기 발광 다이오드로 구성된다. 유기 발광 다이오드는 화소 전극과 유기 발광층 및 공통 전극의 적층 구조로 이루어지며, 유기 발광 표시 장치는 복수의 유기 발광 다이오드에서 방출되는 빛들을 조합하여 이미지를 표시한다.
유기 발광층을 형성하는 방법 중 하나로 패턴 마스크를 이용한 증착법이 있다. 패턴 마스크는 유기 발광층에 대응하는 복수의 개구부를 형성하며, 인장력이 가해진 상태로 프레임에 고정된다. 마스크와 프레임의 조립체는 증착원을 구비한 챔버 내부에서 기판 상에 정렬되고, 증착원으로부터 증발된 유기물은 패턴 마스크의 개구부를 통과해 기판 상에 증착되어 유기 발광층을 형성한다.
이러한 증착 과정에서 기판과 패턴 마스크 사이에 정렬 오차가 발생하면 공정 불량으로 이어지므로 기판과 패턴 마스크의 위치 정밀도는 매우 중요하다. 따라서 기판 상의 특정 부위에 정렬 마크를 형성하고, 정렬 마크를 이용하여 기판과 패턴 마스크 사이 또는 기판과 실제 증착된 박막 사이의 위치 오차를 측정하고, 기판 또는 패턴 마스크를 이동시켜 오차를 보정하는 과정을 거치게 된다.
본 기재는 기판에 형성된 정렬 마크를 이용하여 기판과 패턴 마스크의 위치 오차를 보정함에 있어서, 측정 가능한 오차 범위를 확대시키고, 측정 오류의 가능성을 줄일 수 있는 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법을 제공하고자 한다.
본 기재의 일 실시예에 따른 표시 장치용 기판은 복수의 예비 화소가 형성된 제1 영역과, 정렬 마크와 테스트용 박막이 형성된 제2 영역을 포함한다. 정렬 마크는 가상의 교차점에 의해 기준점이 설정되는 적어도 두 개의 마크로 구성되고, 테스트용 박막은 정렬 마크와 이격된다.
테스트용 박막의 중심점과 기준점 사이의 거리는 기판과 패턴 마스크의 정렬 오차에 대응할 수 있다.
복수의 예비 화소 각각은 박막 트랜지스터와 커패시터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. 복수의 예비 화소 중 적어도 하나의 예비 화소는 유기 발광층을 더 포함할 수 있다. 복수의 예비 화소는 제1 방향 및 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 정렬될 수 있다.
정렬 마크는 제1 방향과 나란한 두 개의 장변을 가지는 제1 마크와, 제1 방향을 따라 제1 마크와 이격되고 제2 방향과 나란한 두 개의 장변을 가지는 제2 마크를 포함할 수 있다. 기준점은 제1 마크의 중심선과 제2 마크의 중심선이 교차하는 지점으로 설정될 수 있다.
복수의 예비 화소는 제1 방향을 따라 정렬된 예비 화소 열을 포함하고, 제1 마크의 중심선은 예비 화소 열의 중심선과 일치할 수 있다. 복수의 예비 화소는 복수의 색상을 나타내며, 제1 마크와 테스트용 박막은 예비 화소들의 색상별로 적어도 하나씩 형성될 수 있다.
다른 한편을, 정렬 마크는 제1 방향을 따라 일직선 상에 위치하는 점 모양의 제3 마크 및 제4 마크와, 제2 방향을 따라 제3 마크 및 제4 마크와 같은 거리로 이격된 점 모양의 제5 마크 및 제6 마크를 포함할 수 있다. 기준점은 제3 마크와 제6 마크의 연결선 및 제4 마크와 제5 마크의 연결선이 교차하는 지점으로 설정될 수 있다.
복수의 예비 화소는 제1 방향을 따라 정렬된 예비 화소 열을 포함하고, 제3 마크와 제4 마크는 예비 화소 열의 중심선 상에 위치할 수 있다. 제5 마크와 제6 마크는 제2 방향에 따른 예비 화소 피치의 2배에 해당하는 거리를 두고 제3 마크 및 제4 마크와 이격될 수 있다. 복수의 예비 화소는 복수의 색상을 나타내며, 정렬 마크와 테스트용 박막은 예비 화소들의 색상별로 적어도 하나씩 형성될 수 있다.
본 기재의 일 실시예에 따른 박막 증착 방법은, ⅰ) 복수의 예비 화소 및 가상의 교차점에 의해 기준점이 설정되는 정렬 마크가 형성된 기판과, 복수의 개구부가 형성된 패턴 마스크를 준비하고, 기판과 패턴 마스크를 증착 챔버에 투입하여 정렬하는 단계와, ⅱ) 기판 상에 정렬 마크와 거리를 두고 테스트용 박막을 형성하는 단계와, ⅲ) 측정 설비에서 정렬 마크와 테스트용 박막을 촬영하고, 정렬 마크에 의한 기준점과 테스트용 박막의 중심점 사이의 거리를 측정하여 기판과 패턴 마스크의 정렬 오차를 측정하는 단계를 포함한다.
테스트용 박막을 형성할 때 복수의 예비 화소 위로 유기 발광층이 동시에 형성되며, 테스트용 박막과 유기 발광층 형성 이후 후속 기판이 증착 챔버에 투입되어 대기 상태를 유지할 수 있다.
기판 중 측정 설비에서 불량으로 판정된 기판은 폐기되고, 후속 기판과 패턴 마스크 중 어느 하나가 이동하여 정렬 오차를 보정하며, 후속 기판에 형성된 복수의 예비 화소 위로 유기 발광층이 형성될 수 있다. 기판 중 측정 설비에서 양품으로 판정된 기판은 후속 공정으로 이송되고, 후속 기판에 형성된 복수의 예비 화소 위로 유기 발광층이 형성될 수 있다.
다른 한편으로, 측정 설비에서 오차 측정을 마친 기판은 증착 챔버에 다시 투입되고, 복수의 예비 화소 위로 유기 발광층이 형성될 수 있다. 측정 설비에서 정렬 오차가 측정된 경우 유기 발광층을 형성하기 전, 기판과 패턴 마스크 중 어느 하나가 이동하여 정렬 오차를 보정할 수 있다.
복수의 예비 화소는 제1 방향 및 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 정렬되며, 복수의 색상을 나타낼 수 있다.
정렬 마크는 제1 방향과 나란한 두 개의 장변을 가지는 제1 마크와, 제2 방향과 나란한 두 개의 장변을 가지는 제2 마크를 포함할 수 있다. 기준점은 제1 마크의 중심선과 제2 마크의 중심선이 교차하는 지점으로 설정될 수 있다.
다른 한편으로, 정렬 마크는 제1 방향을 따라 일직선 상에 위치하는 제3 마크 및 제4 마크와, 제2 방향을 따라 제3 마크 및 제4 마크와 같은 거리로 이격된 제5 마크 및 제6 마크를 포함할 수 있다. 기준점은 제3 마크와 제6 마크의 연결선 및 제4 마크와 제5 마크의 연결선이 교차하는 지점으로 설정될 수 있다.
정렬 마크와 테스트용 박막은 예비 화소들의 색상별로 적어도 하나씩 형성되며, 기판과 패턴 마스크의 정렬 오차 측정은 예비 화소들의 색상별로 적어도 한번씩 진행될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 테스트용 박막이 정렬 마크와 중첩되지 않으므로 테스트용 박막의 위치 측정을 위해 측정 설비에 설정되는 소프트웨어 상의 영역이 정렬 마크에 의해 제한을 받지 않는다. 따라서 측정 가능 범위가 확대되고, 일정 수준 이상의 벗어남도 용이하게 측정할 수 있다. 또한, 측정 설비에서 테스트용 박막의 이미지를 검색할 때 정렬 마크와 간섭이 일어나지 않으므로 측정 오류의 가능성을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 기판 중 하나의 예비 화소를 나타낸 확대 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 기판의 부분 확대도이다.
도 4는 도 3의 부분 확대도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 부분 확대도이다.
도 6은 도 5의 부분 확대도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 증착 방법을 나타낸 공정 순서도이다.
도 8은 도 7에 도시한 제1 단계의 증착 챔버를 나타낸 개략도이다.
도 9는 패턴 마스크의 정면도이다.
도 10은 제3 단계의 기판과 측정 설비를 나타낸 개략도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “상에” 또는 “위에” 있다고 할 때, 이는 다른 부분의 “바로 위에” 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, “~ 상에” 또는 “~ 위에”라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것을 의미하며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상측에 위치하는 것을 의미하지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 사시도이다.
도 1을 참고하면, 제1 실시예의 표시 장치용 기판(100)(이하, 편의상 '기판'이라 한다)은 제1 영역(A10)과, 제1 영역(A10)의 외측에 위치하는 제2 영역(A20)을 포함한다. 제1 영역(A10)에는 화소 회로와 화소 전극을 포함하는 복수의 예비 화소(PE)가 위치하고, 제2 영역(A20)에는 정렬 마크(50)와 테스트용 박막(60)이 형성된다.
테스트용 박막(60)은 예비 화소(PE)에 유기 발광층을 형성하기 전 또는 유기 발광층과 동시에 형성되며, 다음에 설명하는 정렬 마크(50)와의 위치 관계를 이용하여 기판(100)과 패턴 마스크의 정렬 오차를 확인하는 용도로 사용된다.
구체적으로, 기판(100)은 베이스 기판(10)과, 베이스 기판(10) 상의 제1 영역(A10)에 형성된 복수의 예비 화소(PE)와, 베이스 기판(10) 상의 제2 영역(A20)에 형성된 정렬 마크(50)와 테스트용 박막(60)을 포함한다. 예비 화소(PE)는 화소 회로를 구성하는 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함하며, 유기 발광 다이오드를 구성하는 화소 전극과 유기 발광층 및 공통 전극 중 화소 전극만을 포함하거나, 화소 전극과 유기 발광층을 포함한다.
도 2는 도 1에 도시한 기판 중 하나의 예비 화소를 나타낸 확대 단면도이다.
도 1과 도 2를 참고하면, 베이스 기판(10) 상에 버퍼층(11), 박막 트랜지스터(20), 커패시터(30), 및 화소 전극(41)이 위치한다. 베이스 기판(10)은 유리와 같은 강성(rigid) 기판이거나 고분자 필름과 같은 가요성(flexible) 기판일 수 있다. 고분자 필름의 경우 유리 대비 높은 투습율과 산소 투과율을 가지므로 베이스 기판(10)이 고분자 필름으로 형성되는 경우 베이스 기판(10)과 버퍼층(11) 사이에 수분과 산소 침투를 억제하는 베리어층이 위치할 수 있다.
버퍼층(11)은 무기막으로 형성되며, 예를 들어 SiO2 또는 SiNx를 포함할 수 있다. 버퍼층(11)은 화소 회로를 형성하기 위한 평탄면을 제공하고, 화소 회로와 유기 발광 다이오드(40)로 수분과 이물이 침투하는 것을 억제한다.
박막 트랜지스터(20)와 커패시터(30)는 버퍼층(11) 위에 형성된다. 박막 트랜지스터(20)는 반도체층(21)과 게이트 전극(22) 및 소스/드레인 전극(23, 24)을 포함한다. 반도체층(21)은 폴리실리콘 또는 산화물 반도체로 형성되며, 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(211)과, 채널 영역(211)의 양 옆으로 불순물이 도핑된 소스/드레인 영역(212, 213)을 포함한다. 반도체층(21)이 산화물 반도체로 형성되는 경우 반도체층(21)을 보호하기 위한 별도의 보호층이 추가될 수 있다.
반도체층(21)과 게이트 전극(22) 사이에 게이트 절연막(12)이 위치하고, 게이트 전극(22)과 소스/드레인 전극(23, 24) 사이에 층간 절연막(13)이 위치한다. 커패시터(30)는 게이트 절연막(12) 상에 형성된 제1 축전판(31)과, 층간 절연막(13) 상에 형성된 제2 축전판(32)을 포함한다. 제1 축전판(31)은 게이트 전극(22)과 같은 물질로 형성될 수 있고, 제2 축전판(32)은 소스/드레인 전극(23, 24)과 같은 물질로 형성될 수 있다. 제2 축전판(32)은 소스 전극(23)과 연결될 수 있다.
도 2에 도시한 박막 트랜지스터(20)는 구동 박막 트랜지스터이며, 화소 회로는 스위칭 박막 트랜지스터(도시하지 않음)를 더 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용되고, 구동 박막 트랜지스터는 선택된 화소를 발광시키기 위한 전원을 해당 화소로 인가한다.
소스/드레인 전극(23, 24)과 제2 축전판(32) 위로 평탄화층(14)이 위치한다. 평탄화층(14)은 유기물 또는 무기물로 형성되거나 유기물과 무기물의 복합 형태로 구성될 수 있다. 평탄화층(14)은 드레인 전극(24)의 일부를 노출시키는 비아 홀을 형성하며, 평탄화층(14) 위로 화소 전극(41)과 화소 정의막(15)이 형성된다.
화소 전극(41)은 화소마다 개별로 형성되고, 비아 홀을 통해 박막 트랜지스터(20)의 드레인 전극(24)과 연결된다. 화소 정의막(15)은 화소 전극들(41) 사이에 형성되어 화소 영역을 구획하며, 개구부를 형성하여 화소 전극(41)을 노출시킨다. 노출된 화소 전극(41) 위로 유기 발광층(42)이 형성된다.
유기 발광층(42)은 테스트용 박막(60)과 동시에 형성되거나, 정렬 마크(50)와 테스트용 박막(60)을 이용한 오차 보정이 완료된 이후 형성될 수 있다. 유기 발광층(42) 형성 이후 제1 영역(A10) 전체에 공통 전극(43)이 형성되어 유기 발광 다이오드(40)를 구성하게 된다.
유기 발광층(42)은 적색 발광층과 녹색 발광층 및 청색 발광층 가운데 어느 하나일 수 있다. 화소 전극(41)과 공통 전극(43) 중 어느 하나는 정공 주입 전극인 애노드(anode)이고, 다른 하나는 전자 주입 전극인 캐소드(cathode)이다. 애노드로부터 주입된 정공과 캐소드로부터 주입된 전자가 유기 발광층(42)에서 결합하여 여기자(exciton)를 생성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광이 이루어진다.
정공 주입층과 정공 수송층 가운데 적어도 한 층이 애노드와 유기 발광층(42) 사이에 위치할 수 있고, 전자 주입층과 전자 수송층 가운데 적어도 한 층이 캐소드와 유기 발광층(42) 사이에 위치할 수 있다. 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층은 제1 영역(A10) 전체에 형성될 수 있다.
화소 전극(41)과 공통 전극(43) 중 어느 하나는 반사막으로 형성되고, 다른 하나는 반투과막 또는 투명 도전막으로 형성될 수 있다. 유기 발광층(42)에서 방출된 빛은 반사막에서 반사되고, 반투과막 또는 투명 도전막을 투과하여 외부로 방출된다. 반투과막의 경우 유기 발광층(42)에서 방출된 빛의 일부가 반사막으로 재반사되어 공진 구조를 이룬다.
도 2에 도시한 박막 트랜지스터(20)와 커패시터(30)의 구성은 하나의 예시일 뿐이며, 제1 실시예의 기판(100)은 도시한 예로 한정되지 않는다.
도 3은 도 1에 도시한 기판의 부분 확대도이다.
도 1과 도 3을 참고하면, 복수의 예비 화소(PE)는 기판(100) 상의 제1 방향 및 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 일렬로 정렬되어 위치할 수 있다. 이때 제1 방향과 제2 방향은 서로 직교할 수 있다. 다른 한편으로, 복수의 예비 화소(PE)는 제1 방향과 제2 방향 중 어느 한 방향을 따라 일직선 상에 위치하지 않고 지그재그 패턴으로 배열될 수도 있다.
복수의 예비 화소(PE) 및 여기에 포함되는 복수의 유기 발광층(42) 각각은 모서리가 둥근 사각형, 트랙형, 삼각형, 마름모꼴 등 다양한 모양으로 형성될 수 있다. 도 3에서는 복수의 예비 화소(PE)를 사각형으로 개략화하여 도시하였다.
그리고 같은 색의 예비 화소(PE)가 제1 방향과 제2 방향 중 어느 한 방향을 따라 정렬되고, 다른 색의 예비 화소(PE)가 다른 한 방향을 따라 번갈아 위치할 수 있다. 다른 한편으로, 적어도 두 색의 예비 화소(PE)가 제1 방향 및 제2 방향을 따라 번갈아 위치할 수도 있다. 도 3에서는 같은 색의 예비 화소(PE)가 제1 방향을 따라 정렬되고, 다른 색의 예비 화소(PE)가 제2 방향을 따라 번갈아 위치하는 경우를 예로 들어 도시하였다.
정렬 마크(50)는 가상의 교차점에 의해 기준점이 설정되는 적어도 두 개의 마크로 구성된다. 구체적으로, 정렬 마크(50)는 제1 방향과 나란한 두 개의 장변을 가지는 막대 모양의 제1 마크(51)와, 제1 방향을 따라 제1 마크(51)와 이격되며 제2 방향과 나란한 두 개의 장변을 가지는 막대 모양의 제2 마크(52)로 이루어진다.
따라서 촬상 카메라를 구비한 측정 설비(도시하지 않음)로 제1 마크(51)와 제2 마크(52)를 촬영하면, 측정 설비의 제어부는 소프트웨어적인 처리를 통해 제1 마크(51)의 중심선과 제2 마크(52)의 중심선을 인식할 수 있다. 또한, 측정 설비의 제어부는 제1 마크(51)의 중심선과 제2 마크(52)의 중심선이 교차하는 지점을 기준점(P1)으로 인식할 수 있다.
제1 마크(51)의 중심선은 제1 마크(51)의 두 장변과 나란하며, 두 장변과 같은 거리를 유지한다. 제2 마크(52)의 중심선은 제2 마크(52)의 두 장변과 나란하고, 두 장변과 같은 거리를 유지한다. 이때 제1 마크(51)와 제2 마크(52)의 중심선은 각각 제1 마크(51)와 제2 마크(52)의 중심을 가로지름과 동시에 제1 마크(51)와 제2 마크(52)의 외측까지 확장된 선으로 정의될 수 있다.
제1 마크(51)와 제2 마크(52)에 의해 설정되는 기준점(P1)은 테스트용 박막(60)을 형성하기 위한 패턴 마스크(도시하지 않음)의 개구부 중심 위치를 표시하기 위한 것이다. 즉 패턴 마스크에는 테스트용 박막(60)을 형성하기 위한 개구부가 형성되며, 이 개구부의 중심 위치를 표시하기 위해 베이스 기판(100) 상에 제1 마크(51)와 제2 마크(52)가 형성된다.
제1 마크(51)의 중심선은 제1 방향에 따른 예비 화소(PE) 열의 중심선과 일치할 수 있다. 이 경우 제1 마크(51)와 제2 마크(52)에 의해 설정되는 기준점(P1)은 제1 방향을 따라 예비 화소(PE) 열의 중심과 일직선 상에 위치한다.
테스트용 박막(60)을 형성하기 위한 패턴 마스크의 개구부(이하, 제1 개구부)는 유기 발광층 형성을 위한 개구부(이하, 제2 개구부)와 같은 모양과 같은 크기를 가진다. 또한, 제1 개구부는 제2 개구부에 대해 틀어지거나 기울어지지 않고 제2 개구부와 같은 정렬 방향을 유지한다. 즉 제1 개구부는 제2 개구부를 위치만 이동시킨 것으로 볼 수 있다.
도 4는 도 3의 부분 확대도이다.
도 3과 도 4를 참고하면, 테스트용 박막(60)은 기준점(P1) 위에 형성되거나, 기준점(P1)을 벗어나 형성될 수도 있으며, 두 경우 모두 테스트용 박막(60)은 제1 마크(51) 및 제2 마크(52)와 중첩되지 않는다.
테스트용 박막(60)을 형성한 이후 측정 설비로 제1 마크(51)와 제2 마크(52) 및 테스트용 박막(60)을 촬영하면, 측정 설비의 제어부는 소프트웨어적인 처리를 통해 테스트용 박막(60)의 중심점(P2)과 정렬 마크(50)에 의한 기준점(P1)을 인식하고, 테스트용 박막(60)의 중심점(P2)과 기준점(P1) 사이의 거리(dx, dy)를 측정한다. 테스트용 박막(60)의 중심점(P2)과 기준점(P1)의 이격 거리(dx, dy)는 기판(100)과 패턴 마스크의 정렬 오차와 동일하다.
이와 같이 정렬 마크(50)와 테스트용 박막(60)은 유기 발광층(42) 형성을 위한 증착 과정에서 기판(100)과 패턴 마스크의 정렬 오차를 확인하는 용도로 사용된다. 이때 정렬 마크(50)와 테스트용 박막(60)은 서로 중첩되지 않는다.
정렬 마크 위에 테스트용 박막이 형성되는 경우를 가정하면, 측정 설비에서 정렬 마크의 중심점과 테스트용 박막의 중심점을 인식하고, 두 중심점 사이의 거리를 측정하는 방법으로 기판과 패턴 마스크의 정렬 오차를 측정할 수 있다.
그런데 이 경우에는 테스트용 박막의 위치 측정을 위해 측정 설비에 설정되는 소프트웨어 상의 영역이 정렬 마크에 의해 제한을 받는다. 따라서 측정 가능 범위가 줄어들어 일정 수준 이상의 벗어남을 측정할 수 없다. 또한, 측정 설비에서 테스트용 박막의 이미지를 검색할 때 정렬 마크와 테스트용 박막 사이의 간섭으로 인해 측정 오류의 가능성이 높아진다.
반면 제1 실시예에서는 테스트용 박막(60)이 정렬 마크(50)와 중첩되지 않으므로, 테스트용 박막(60)의 위치 측정을 위해 측정 설비에 설정되는 소프트웨어 상의 영역이 정렬 마크(50)에 의해 제한을 받지 않는다. 따라서 측정 가능 범위가 확대되고, 일정 수준 이상의 벗어남도 용이하게 측정할 수 있다. 또한, 측정 설비에서 테스트용 박막(60)의 이미지를 검색할 때 정렬 마크(50)와 간섭이 일어나지 않으므로 측정 오류의 가능성을 줄일 수 있다.
테스트용 박막(60)은 예비 화소들(PE)의 색상별로 적어도 하나씩 형성될 수 있다. 그리고 복수의 예비 화소(PE)가 모양이 서로 적어도 두 개의 예비 화소(PE)를 포함하는 경우, 테스트용 박막(60)은 예비 화소(PE)의 모양별로 적어도 하나씩 형성될 수 있다. 이를 위해 제1 마크(51)는 예비 화소들(PE)의 색상별 또는 모양별로 적어도 하나씩 형성될 수 있다.
예를 들어, 도 3에 도시한 바와 같이 복수의 예비 화소(PE)가 적색(R)과 녹색(G) 및 청색(B)의 세가지 색상을 가지는 경우, 정렬 마크(50)는 세가지 색상에 대응하는 적어도 세 개의 제1 마크(51)를 포함할 수 있다. 이때 제2 마크(52)의 중심선은 복수의 제1 마크(51)의 중심선들과 교차하여 복수의 기준점(P1)을 설정할 수 있으므로, 제2 마크(52)는 제1 마크(51)보다 적은 개수로 형성될 수 있다.
적어도 세 개의 제1 마크(51)는 각각 적색(R)을 나타내는 예비 화소(PE) 열의 중심선과 녹색(G)을 나타내는 예비 화소(PE) 열의 중심선 및 청색(B)을 나타내는 예비 화소(PE) 열의 중심선과 일직선 상에 위치할 수 있다. 그리고 제1 마크(51)와 제2 마크(52)에 의해 설정되는 기준점들(P1) 위에 각각 적색(R)의 테스트용 박막(60)과 녹색(G)의 테스트용 박막(60) 및 청색(B)의 테스트용 박막(60)이 형성될 수 있다.
정렬 마크(50) 및 테스트용 박막(60)의 위치와 개수 등은 도시한 예로 한정되지 않으며, 다양하게 변형 가능하다. 또한, 제2 영역(A20)에는 기판(100)과 측정 설비의 정렬을 확인하기 위한 십자 키(59)가 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 부분 확대도이다.
도 5를 참고하면, 제2 실시예의 기판(101)은 정렬 마크(501)가 점(dot) 모양으로 형성된 네 개의 마크로 구성된 것을 제외하고 전술한 제1 실시예와 같은 구성으로 이루어진다. 제1 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 도면 부호를 사용한다.
정렬 마크(501)는 제1 방향을 따라 일직선 상에 위치하는 제3 마크(53) 및 제4 마크(54)와, 제2 방향을 따라 제3 마크(53) 및 제4 마크(54)와 같은 거리로 이격된 제5 마크(55) 및 제6 마크(56)를 포함한다. 제5 마크(55)와 제6 마크(56)도 제1 방향을 따라 일직선 상에 위치하며, 네 개의 마크(53, 54, 55, 56)는 가상의 정사각형 또는 직사각형의 네 모서리에 대응한다.
따라서 측정 설비로 네 개의 마크(53, 54, 55, 56)를 촬영하면, 측정 설비의 제어부는 소프트웨어적인 처리를 통해 제3 마크(53)와 제6 마크(56)의 연결선과, 제4 마크(54)와 제5 마크(55)의 연결선을 인식할 수 있다. 또한, 측정 설비의 제어부는 두 연결선이 교차하는 지점을 기준점(P3)으로 인식할 수 있다. 테스트용 박막(60)은 기준점(P3) 위에 형성되거나 기준점(P3)을 벗어나 형성될 수도 있으며, 두 경우 모두 테스트용 박막(60)은 네 개의 마크(53, 54, 55, 56)와 중첩되지 않는다.
제3 마크(53)와 제4 마크(54)는 제1 방향에 따른 예비 화소(PE) 열의 중심선 상에 위치할 수 있다. 그리고 제5 마크(55)와 제6 마크(56)는 제2 방향에 따른 예비 화소(PE) 피치(p)의 2배에 해당하는 거리를 두고 제3 마크(53) 및 제4 마크(54)와 이격될 수 있다. 이 경우 네 개의 마크(53, 54, 55, 56)에 의해 설정되는 기준점(P3)은 제1 방향에 따른 특정 예비 화소(PE) 열의 중심선 상에 위치한다.
제3 마크(53) 및 제4 마크(54)에 대한 제5 마크(55)와 제6 마크(56)의 이격 거리는 제2 방향에 따른 예비 화소(PE) 피치(p)의 4배 또는 6배 등 2배 이상의 짝수배로 설정될 수도 있다. 그러나 이 경우 두 연결선의 길이가 길어지므로 정렬 마크(501)의 측정을 위해 측정 설비에 설정되는 소프트웨어 상의 영역이 확대되어야 한다. 따라서 제3 마크(53) 및 제4 마크(54)에 대한 제5 마크(55)와 제6 마크(56)의 이격 거리는 예비 화소(PE) 피치(p)의 2배가 적당하다.
도 6은 도 5의 부분 확대도이다.
도 5와 도 6을 참고하면, 테스트용 박막(60)을 형성한 이후 측정 설비로 정렬 마크(501)와 테스트용 박막(60)을 촬영하면, 측정 설비의 제어부는 소프트웨어적인 처리를 통해 테스트용 박막(60)의 중심점(P4)과 정렬 마크(501)에 의한 기준점(P3)을 인식하고, 테스트용 박막(60)의 중심점(P4)과 기준점(P3) 사이의 거리를 측정한다. 테스트용 박막(60)의 중심점(P4)과 기준점(P3)의 이격 거리(dx, dy)는 기판(101)과 패턴 마스크의 정렬 오차와 동일하다.
전술한 제1 실시예와 마찬가지로 테스트용 박막(60)은 예비 화소들(PE)의 색상별 또는 모양별로 적어도 하나씩 형성될 수 있다. 이를 위해 4개의 마크(53, 54, 55, 56)로 구성된 정렬 마크(501) 또한 예비 화소들(PE)의 색상별 또는 모양별로 적어도 하나씩 마련될 수 있다. 도 5에서는 두가지 색상(G, B)의 테스트용 박막(60)와, 각각의 테스트용 박막(60)을 둘러싸는 두 개의 정렬 마크(501)를 예로 들어 도시하였다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 증착 방법을 나타낸 공정 순서도이다.
도 7을 참고하면, 제3 실시예에 따른 박막 증착 방법은 정렬 마크가 형성된 기판과 패턴 마스크를 증착 챔버에 투입하여 정렬하는 제1 단계(S10)와, 기판 상에 테스트용 박막을 형성하는 제2 단계(S20)와, 측정 설비로 정렬 마크와 테스트용 박막을 촬영하여 기판과 패턴 마스크의 정렬 오차를 측정하는 제3 단계(S30)를 포함한다.
또한, 박막 증착 방법은 기판과 패턴 마스크의 정렬 오차를 보정하는 제4 단계(S40)와, 기판의 제1 영역에 유기 발광층을 형성하는 제5 단계(S50)를 포함한다. 제3 단계(S30)에서 정렬 오차가 확인된 경우 제4 단계(S40)가 진행되며, 제3 단계(S30)에서 정렬 오차가 확인되지 않은 경우에는 제4 단계(S40)가 생략된다.
도 8은 도 7에 도시한 제1 단계의 증착 챔버를 나타낸 개략도이고, 도 9는 패턴 마스크의 정면도이다.
도 8과 도 9를 참고하면, 제1 단계(S10)에서 기판(100)과 패턴 마스크(70)는 증착 챔버(81) 내부에 투입되어 정렬된다. 이때 기판(100)의 제2 영역(A20)에는 도 3에 도시한 정렬 마크(50) 또는 도 5에 도시한 정렬 마크(501)가 형성되어 있다. 그리고 패턴 마스크(70) 중 기판(100)의 제2 영역(A20)에 대응하는 위치에 테스트용 박막(60)을 형성하기 위한 제1 개구부(71)가 형성되며, 제1 영역(A10)에 대응하는 위치에 유기 발광층(42)을 형성하기 위한 제2 개구부(72)가 형성된다.
증착 챔버(81) 내부에는 증착원(82)이 위치하고, 증착원(82)의 상부에 패턴 마스크(70)가 위치한다. 패턴 마스크(70)는 인장력이 가해진 상태로 프레임(75)에 고정될 수 있으며, 패턴 마스크(75) 위로 기판(100)이 정렬 배치된다. 기판(100) 위에는 마그넷 유닛(83)이 위치하여 금속 재질의 패턴 마스크(70)를 기판(100)에 밀착시킬 수 있다.
제2 단계(S20)에서 증착원(82)이 가열되어 이로부터 유기물이 증발되고, 증발된 유기물은 패턴 마스크(70)의 제1 개구부(71)를 통과해 기판(100) 상에 증착되어 테스트용 박막(60)을 형성한다. 이때 증착원(82)으로부터 증발된 유기물은 패턴 마스크(70)의 제2 개구부(72)를 통과해 기판(100) 상에 증착되어 유기 발광층(42)을 형성할 수 있다. 즉 유기 발광층(42)과 테스트용 박막(60)이 동시에 형성될 수 있다.
제2 단계(S20)에서 테스트용 박막(60)이 형성된 기판(100)은 증착 챔버(81)에서 인출되고, 측정 설비로 이동한다. 그리고 후속 기판이 증착 챔버(81)에 투입되어 대기 상태를 유지할 수 있다. 기판(100)을 측정 설비에 설치할 때 기판(100)의 제2 영역(A20)에 형성된 십자 키(59)를 이용하여 측정 설비에 기판(100)을 정확하게 정렬시킬 수 있으며, 십자 키(59)는 측정 위치의 기준으로도 사용될 수 있다.
도 10은 제3 단계의 기판과 측정 설비를 나타낸 개략도이다.
도 10을 참고하면, 제3 단계(S30)에서 촬상 카메라를 구비한 측정 설비(90)로 정렬 마크(50)와 테스트용 박막(60)을 촬영하여 기판(100)과 패턴 마스크(70)의 정렬 오차를 측정한다.
도 4와 도 10을 참고하면, 정렬 마크(50)가 막대 모양의 제1 마크(51)와 제2 마크(52)로 구성되는 경우, 측정 설비(90)의 제어부(91)는 제1 마크(51)의 중심선과 제2 마크(52)의 중심선이 교차하는 지점을 기준점(P1)으로 인식한다. 또한, 측정 설비(90)의 제어부(91)는 테스트용 박막(60)의 이미지를 검색하고, 테스트용 박막(60)의 중심점(P2)과 기준점(P1) 사이의 거리를 측정하여 기판(10)과 패턴 마스크(70)의 정렬 오차를 측정한다.
도 6과 도 10을 참고하면, 정렬 마크(501)가 점 모양의 제3 마크 내지 제6 마크(53, 54, 55, 56)로 구성되는 경우, 측정 설비(90)의 제어부(91)는 제3 마크(53)와 제6 마크(56)의 연결선과 제4 마크(54)와 제5 마크(55)의 연결선이 교차하는 지점을 기준점(P3)으로 인식한다. 또한, 측정 설비(90)의 제어부(91)는 테스트용 박막(60)의 이미지를 검색하고, 테스트용 박막(60)의 중심점(P4)과 기준점(P3) 사이의 거리를 측정하여 기판(101)과 패턴 마스크(70)의 정렬 오차를 측정한다.
도 8을 참고하면, 제3 단계(S30)에서 기판(100)과 패턴 마스크(70)의 정렬 오차가 확인된 경우, 제4 단계(S40)에서 증착 챔버(81) 내부의 패턴 마스크(70) 또는 후속 기판을 움직여 정렬 오차를 보정한다.
그리고 제5 단계(S50)에서 증착원(82)이 가열되어 이로부터 유기물이 증발되고, 증발된 유기물은 패턴 마스크(70)의 제2 개구부(72)를 통과해 후속 기판 상에 증착되어 유기 발광층(42)을 형성한다. 제3 단계(S30)에서 정렬 오차가 확인된 기판, 즉 불량으로 판정된 기판(100)은 폐기될 수 있다.
제3 단계(S30)에서 기판(100)과 패턴 마스크(70)의 정렬 오차가 측정되지 않은 경우, 제4 단계(S40)가 생략되고, 제5 단계(S50)에서 증착원(82)이 가열되어 후속 기판 상에 유기 발광층(42)이 형성된다. 제3 단계(S30)에서 정렬 오차가 측정되지 않은 기판(100), 즉 양품으로 판정된 기판(100)은 후속 공정(정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 가운데 어느 한 층을 형성하기 위한 공정 또는 공통 전극을 형성하기 위한 공정)으로 이송된다.
한편, 제2 단계(S20)에서 테스트용 박막(60)과 유기 발광층(42)이 동시에 형성되지 않고 테스트용 박막(60)만 형성될 수 있다. 이 경우 제3 단계(S30)를 거친 기판(100)은 증착 챔버(81)에 다시 투입된다. 제3 단계(S30)에서 정렬 오차가 측정된 경우 제4 단계(S40)에서 기판(100) 또는 패턴 마스크(70)가 움직여 정렬 오차가 보정되고, 제5 단계(S50)에서 유기 발광층(42)이 형성된다. 제3 단계(S30)에서 정렬 오차가 측정되지 않은 경우에는 제4 단계(S40)가 생략되고, 제5 단계(S50)에서 유기 발광층(42)이 형성된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
100, 101: 표시 장치용 기판 10: 베이스 기판
20: 박막 트랜지스터 30: 커패시터
40: 유기 발광 다이오드 50, 501: 정렬 마크
60: 테스트용 박막 70: 패턴 마스크
81: 증착 챔버 82: 증착원

Claims (21)

  1. 복수의 예비 화소가 형성된 제1 영역; 및
    정렬 마크와 테스트용 박막이 형성된 제2 영역
    을 포함하며,
    상기 정렬 마크는 가상의 교차점에 의해 기준점이 설정되는 적어도 두 개의 마크로 구성되고,
    상기 테스트용 박막은 상기 정렬 마크와 이격되는 표시 장치용 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 테스트용 박막의 중심점과 상기 기준점 사이의 거리는 상기 기판과 패턴 마스크의 정렬 오차에 대응하는 표시 장치용 기판.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 예비 화소 각각은 박막 트랜지스터와 커패시터 및 화소 전극을 포함하는 표시 장치용 기판.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 예비 화소 중 적어도 하나의 예비 화소는 유기 발광층을 더 포함하는 표시 장치용 기판.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 예비 화소는 제1 방향 및 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 정렬되는 표시 장치용 기판.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 정렬 마크는,
    상기 제1 방향과 나란한 두 개의 장변을 가지는 제1 마크; 및
    상기 제1 방향을 따라 상기 제1 마크와 이격되고, 상기 제2 방향과 나란한 두 개의 장변을 가지는 제2 마크
    를 포함하며,
    상기 기준점은 상기 제1 마크의 중심선과 상기 제2 마크의 중심선이 교차하는 지점으로 설정되는 표시 장치용 기판.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 예비 화소는 상기 제1 방향을 따라 정렬된 예비 화소 열을 포함하고,
    상기 제1 마크의 중심선은 상기 예비 화소 열의 중심선과 일치하는 표시 장치용 기판.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 예비 화소는 복수의 색상을 나타내며,
    상기 제1 마크와 상기 테스트용 박막은 상기 예비 화소들의 색상별로 적어도 하나씩 형성되는 표시 장치용 기판.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 정렬 마크는,
    상기 제1 방향을 따라 일직선 상에 위치하는 점 모양의 제3 마크와 제4 마크; 및
    상기 제2 방향을 따라 상기 제3 마크 및 상기 제4 마크와 같은 거리로 이격된 점 모양의 제5 마크 및 제6 마크
    를 포함하며,
    상기 기준점은 상기 제3 마크와 상기 제6 마크의 연결선 및 상기 제4 마크와 상기 제5 마크의 연결선이 교차하는 지점으로 설정되는 표시 장치용 기판.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 예비 화소는 상기 제1 방향을 따라 정렬된 예비 화소 열을 포함하고,
    상기 제3 마크와 상기 제4 마크는 상기 예비 화소 열의 중심선 상에 위치하며,
    상기 제5 마크와 상기 제6 마크는 상기 제2 방향에 따른 예비 화소 피치의 2배에 해당하는 거리를 두고 상기 제3 마크 및 상기 제4 마크와 이격되는 표시 장치용 기판.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 예비 화소는 복수의 색상을 나타내며,
    상기 정렬 마크와 상기 테스트용 박막은 상기 예비 화소들의 색상별로 적어도 하나씩 형성되는 표시 장치용 기판.
  12. 복수의 예비 화소 및 가상의 교차점에 의해 기준점이 설정되는 정렬 마크가 형성된 기판과, 복수의 개구부가 형성된 패턴 마스크를 준비하고, 기판과 패턴 마스크를 증착 챔버에 투입하여 정렬하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 정렬 마크와 거리를 두고 테스트용 박막을 형성하는 단계; 및
    측정 설비에서 상기 정렬 마크와 상기 테스트용 박막을 촬영하고, 상기 정렬 마크에 의한 상기 기준점과 상기 테스트용 박막의 중심점 사이의 거리를 측정하여 상기 기판과 상기 패턴 마스크의 정렬 오차를 측정하는 단계
    를 포함하는 박막 증착 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 테스트용 박막을 형성할 때 상기 복수의 예비 화소 위로 유기 발광층이 동시에 형성되며,
    상기 테스트용 박막과 상기 유기 발광층 형성 이후 후속 기판이 상기 증착 챔버에 투입되어 대기 상태를 유지하는 박막 증착 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기판 중 상기 측정 설비에서 불량으로 판정된 기판은 폐기되고,
    상기 후속 기판과 상기 패턴 마스크 중 어느 하나가 이동하여 정렬 오차를 보정하며,
    상기 후속 기판에 형성된 복수의 예비 화소 위로 유기 발광층이 형성되는 박막 증착 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 기판 중 상기 측정 설비에서 양품으로 판정된 기판은 후속 공정으로 이송되고,
    상기 후속 기판에 형성된 복수의 예비 화소 위로 유기 발광층이 형성되는 박막 증착 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 측정 설비에서 오차 측정을 마친 상기 기판은 상기 증착 챔버에 다시 투입되고,
    상기 복수의 예비 화소 위로 유기 발광층이 형성되는 박막 증착 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 측정 설비에서 정렬 오차가 측정된 경우 상기 유기 발광층을 형성하기 전, 상기 기판과 상기 패턴 마스크 중 어느 하나가 이동하여 정렬 오차를 보정하는 박막 증착 방법.
  18. 제12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 예비 화소는 제1 방향 및 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 정렬되며, 복수의 색상을 나타내는 박막 증착 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 정렬 마크는 상기 제1 방향과 나란한 두 개의 장변을 가지는 제1 마크와, 상기 제2 방향과 나란한 두 개의 장변을 가지는 제2 마크를 포함하며,
    상기 기준점은 상기 제1 마크의 중심선과 상기 제2 마크의 중심선이 교차하는 지점으로 설정되는 박막 증착 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 정렬 마크는 상기 제1 방향을 따라 일직선 상에 위치하는 제3 마크 및 제4 마크와, 상기 제2 방향을 따라 제3 마크 및 제4 마크와 같은 거리로 이격된 제5 마크 및 제6 마크를 포함하며,
    상기 기준점은 상기 제3 마크와 상기 제6 마크의 연결선 및 상기 제4 마크와 상기 제5 마크의 연결선이 교차하는 지점으로 설정되는 박막 증착 방법.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 정렬 마크와 상기 테스트용 박막은 상기 예비 화소들의 색상별로 적어도 하나씩 형성되며,
    상기 기판과 상기 패턴 마스크의 정렬 오차 측정은 상기 예비 화소들의 색상별로 적어도 한번씩 진행되는 박막 증착 방법.
KR1020130062048A 2013-05-30 2013-05-30 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법 KR102084712B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130062048A KR102084712B1 (ko) 2013-05-30 2013-05-30 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법
US14/027,042 US9627618B2 (en) 2013-05-30 2013-09-13 Substrate for use in manufacturing display device and method for forming element on substrate
US15/462,394 US10096775B2 (en) 2013-05-30 2017-03-17 Substrate for use in manufacturing display device and method for forming element on substrate
US16/107,871 US10541368B2 (en) 2013-05-30 2018-08-21 Substrate for use in manufacturing display device and method for forming element on substrate
US16/716,428 US11088326B2 (en) 2013-05-30 2019-12-16 Substrate for use in manufacturing display device and method for forming element on substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130062048A KR102084712B1 (ko) 2013-05-30 2013-05-30 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140140959A KR20140140959A (ko) 2014-12-10
KR102084712B1 true KR102084712B1 (ko) 2020-03-05

Family

ID=51984080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130062048A KR102084712B1 (ko) 2013-05-30 2013-05-30 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법

Country Status (2)

Country Link
US (4) US9627618B2 (ko)
KR (1) KR102084712B1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2838753C (en) 2011-06-17 2021-01-26 Abbott Diabetes Care Inc. Connectors for making connections between analyte sensors and other devices
KR102084712B1 (ko) * 2013-05-30 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법
KR102330329B1 (ko) * 2015-01-06 2021-11-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102411542B1 (ko) * 2015-05-19 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 픽셀 패터닝 및 픽셀 위치 검사 방법과 그 패터닝에 사용되는 마스크
KR102330449B1 (ko) * 2015-10-01 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11267125B2 (en) * 2016-04-08 2022-03-08 Delta Electronics, Inc. Mechanism-parameter-calibration method for robotic arm system
US10115621B2 (en) * 2016-05-13 2018-10-30 Globalfoundries Inc. Method for in-die overlay control using FEOL dummy fill layer
JP6716160B2 (ja) * 2016-05-31 2020-07-01 株式会社ディスコ 加工装置及び加工方法
KR20180061850A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
KR20180077747A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
US10700148B2 (en) 2017-09-29 2020-06-30 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR101893309B1 (ko) * 2017-10-31 2018-08-29 캐논 톡키 가부시키가이샤 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막장치, 성막방법, 및 전자 디스바이스 제조방법
US10718976B2 (en) * 2018-09-14 2020-07-21 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device and image display device
CN109285972B (zh) * 2018-09-28 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种发光材料的位置调整方法及装置
CN110783369B (zh) * 2019-02-01 2022-06-21 云谷（固安）科技有限公司 阵列基板和显示面板的制作方法及显示终端
CN110098239B (zh) * 2019-05-17 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示基板、掩模板及蒸镀方法
CN110379840A (zh) * 2019-07-25 2019-10-25 昆山国显光电有限公司 显示面板母板
KR20210120168A (ko) * 2020-03-25 2021-10-07 삼성디스플레이 주식회사 포토 마스크, 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210157527A (ko) * 2020-06-19 2021-12-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
CN111816685B (zh) * 2020-07-22 2022-12-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其测试方法、显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050101578A (ko) * 2004-04-19 2005-10-25 삼성전자주식회사 표시장치용 기판, 표시장치의 제조 방법 및 이를 제조하기위한 노광 시스템
KR100709250B1 (ko) * 2004-12-10 2007-04-19 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR100705347B1 (ko) 2005-03-22 2007-04-09 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시소자용 마스크의 클램핑 장치 및 방법
KR100768212B1 (ko) 2006-03-28 2007-10-18 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착 방법 및 유기 발광 표시장치의 제조방법
KR101453877B1 (ko) * 2008-08-04 2014-10-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 ｅｌ 소자의 발광층을 증착하는 방법, 상기 증착방법을 포함하는 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법, 및 상기제조 방법에 의해 제조된 유기 ｅｌ 소자
KR101097306B1 (ko) * 2009-03-30 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 얼라인 마크를 포함하는 디스플레이 장치
KR101663564B1 (ko) * 2010-03-26 2016-10-17 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
KR20120070254A (ko) * 2010-12-21 2012-06-29 삼성전자주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 패널
KR102052069B1 (ko) * 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102072679B1 (ko) * 2013-02-27 2020-02-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 어셈블리 제조 방법
KR102084712B1 (ko) * 2013-05-30 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법
KR102411542B1 (ko) * 2015-05-19 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 픽셀 패터닝 및 픽셀 위치 검사 방법과 그 패터닝에 사용되는 마스크
CN112030102B (zh) * 2016-02-10 2022-12-06 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩模的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140353598A1 (en) 2014-12-04
US20170194565A1 (en) 2017-07-06
US9627618B2 (en) 2017-04-18
US20180358559A1 (en) 2018-12-13
US11088326B2 (en) 2021-08-10
US20200119278A1 (en) 2020-04-16
US10096775B2 (en) 2018-10-09
US10541368B2 (en) 2020-01-21
KR20140140959A (ko) 2014-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102084712B1 (ko) 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법
US11557637B2 (en) Light emitting device and electronic equipment including a light reflection layer, an insulation layer, and a plurality of pixel electrodes
KR101545374B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI797694B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
US10671200B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US9490215B2 (en) Organic light-emitting display device and method for manufacturing organic light-emitting display device
US20180040857A1 (en) Mask assembly, apparatus and method of manufacturing display device using the same, and display devic
US8766299B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus comprising electro-optical device having color filter and sealing film
US7829887B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
WO2019064419A1 (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
KR101692307B1 (ko) 유기전계발광 표시장치용 어레이기판의 제조방법
CN220554269U (zh) 显示面板及显示装置
KR102495986B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
WO2022172427A1 (ja) 表示装置
KR102665221B1 (ko) 유기 발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20050101578A (ko) 표시장치용 기판, 표시장치의 제조 방법 및 이를 제조하기위한 노광 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant