KR20210120168A - 포토 마스크, 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

포토 마스크, 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20210120168A
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신동희
이근호
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Abstract

본 개시는 포토 마스크, 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법, 및 이에 따라 제조된 표시 장치에 관한 것으로, 일 실시예에 의한 포토 마스크는 마스크 기판, 상기 마스크 기판의 제1 가장자리를 따라 위치하는 제1 검사 패턴 및 제2 검사 패턴을 포함하고, 상기 제1 검사 패턴은 링형상으로 이루어지고, 상기 제2 검사 패턴은 링형상, 다각형 또는 원형으로 이루어지고, 상기 제2 검사 패턴의 외측 형상은 상기 제1 검사 패턴의 내측 형상보다 크고, 상기 제1 검사 패턴의 외측 형상보다 작다.

Description

포토 마스크, 표시 장치 및 그 제조 방법{PHOTO MASK, DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING MATHOD THEREOF}
본 개시는 포토 마스크, 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법, 및 이에 따라 제조된 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 화면을 표시하는 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode, OLED) 등이 있다. 이러한 표시 장치는 휴대 전화, 네비게이션, 디지털 사진기, 전자 북, 휴대용 게임기, 또는 각종 단말기 등과 같이 다양한 전자 기기들에 사용되고 있다.
표시 장치는 서로 다른 층에 위치하는 다양한 배선들을 포함할 수 있다. 이러한 배선들은 증착, 포토, 식각 등의 공정을 거쳐 형성될 수 있다. 포토 공정은 노광 및 현상 공정을 포함하고, 노광 공정 진행시 포토 마스크를 이용할 수 있다. 포토 마스크에는 소정의 패턴이 형성되어 있다. 포토 마스크에서 패턴이 형성된 부분은 광이 통과할 수 없고, 패턴이 형성되어 있지 않은 부분은 광이 통과할 수 있다.
대형 표시 장치를 제조할 때는 표시 장치의 크기에 대응하는 포토 마스크를 사용하여 배선을 형성하거나, 표시 장치의 크기보다 작은 포토 마스크를 쉬프트 시켜 복수 회에 걸쳐 노광 공정을 진행하여 배선을 형성할 수도 있다. 포토 마스크를 쉬프트 시켜 노광을 진행할 경우에 포토 마스크의 정렬이 어긋나게 되면 각 노광 영역 사이의 경계에 위치하는 배선이 원래 설계한 형상과 다르게 형성되는 문제점이 있다.
실시예들은 포토 마스크를 쉬프트 시켜 노광 공정을 진행하는 과정에서 포토 마스크의 오정렬 여부를 확인할 수 있는 포토 마스크, 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법, 및 이에 따라 제조된 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 실시예에 의한 포토 마스크는 마스크 기판, 상기 마스크 기판의 제1 가장자리를 따라 위치하는 제1 검사 패턴 및 제2 검사 패턴을 포함하고, 상기 제1 검사 패턴은 링형상으로 이루어지고, 상기 제2 검사 패턴은 링형상, 다각형 또는 원형으로 이루어지고, 상기 제2 검사 패턴의 외측 형상은 상기 제1 검사 패턴의 내측 형상보다 크고, 상기 제1 검사 패턴의 외측 형상보다 작다.
상기 제1 검사 패턴의 외측 형상 및 내측 형상은 정사각형으로 이루어지고, 상기 제2 검사 패턴은 정사각형으로 이루어지고, 상기 제2 검사 패턴의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 길고, 상기 제1 검사 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이보다 짧을 수 있다.
상기 제2 검사 패턴은 링형상으로 이루어지고, 상기 제2 검사 패턴의 내측 형상은 상기 제1 검사 패턴의 내측 형상보다 작을 수 있다.
상기 제1 검사 패턴의 외측 형상 및 내측 형상은 정사각형으로 이루어지고, 상기 제2 검사 패턴의 외측 형상 및 내측 형상을 정사각형으로 이루어지고, 상기 제2 검사 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 길고, 상기 제1 검사 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이보다 짧고, 상기 제2 검사 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 짧을 수 있다.
일 실시예에 의한 포토 마스크는 상기 마스크 기판의 상기 제1 가장자리와 마주보는 제2 가장자리를 따라 위치하는 제3 검사 패턴 및 제4 검사 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 검사 패턴과 상기 제3 검사 패턴은 상기 마스크 기판의 상기 제1 가장자리와 상기 제2 가장자리를 연결하는 제3 가장자리와 나란한 제1 가상선 상에 위치하고, 상기 제2 검사 패턴과 상기 제4 검사 패턴은 상기 제3 가장자리와 나란한 제2 가상선 상에 위치할 수 있다.
상기 제3 검사 패턴은 상기 제1 검사 패턴과 동일한 형상을 가지고, 상기 제4 검사 패턴은 상기 제2 검사 패턴과 동일한 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 검사 패턴 및 상기 제3 검사 패턴을 상기 제1 가상선에 수직한 방향으로 쉬프트 시킬 때, 상기 제1 검사 패턴은 상기 제2 검사 패턴과 일부 중첩하고, 상기 제3 검사 패턴은 상기 제4 검사 패턴과 일부 중첩할 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 금속층 및 포토 레지스트를 순차적으로 형성하는 단계, 상기 기판 위에 포토 마스크를 대응시키고, 상기 포토 마스크에 광을 조사하는 단계, 상기 포토 마스크를 쉬프트 시키고, 상기 포토 마스크에 광을 조사하는 공정을 반복하는 단계, 상기 포토 레지스트를 현상하여 검사 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 검사 레지스트 패턴의 형상으로부터 상기 포토 마스크의 정렬 오차 여부에 대해 판단하여, 정렬 오차가 있으면 다시 상기 포토 레지스트를 형성하고, 노광 및 현상 공정을 진행하는 단계, 현상된 포토 레지스트를 마스크로 하여 상기 금속층을 식각하는 단계를 포함하고, 상기 검사 레지스트 패턴은 상기 기판의 제1 가장자리를 따라 위치하는 제1 검사 레지스트 패턴, 제2 검사 레지스트 패턴 및 제3 검사 레지스트 패턴을 포함하고, 상기 제3 검사 레지스트 패턴은 상기 제1 검사 레지스트 패턴과 상기 제2 검사 레지스트 패턴 사이에 위치하고, 상기 제1 검사 레지스트 패턴 및 상기 제3 검사 레지스트 패턴은 링형상으로 이루어지고, 상기 제2 검사 레지스트 패턴은 링형상, 다각형 또는 원형으로 이루어진다.
상기 제2 검사 레지스트 패턴의 외측 형상은 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상보다 크고, 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 외측 형상보다 작을 수 있다.
상기 제3 검사 레지스트 패턴의 외측 형상은 상기 제2 검사 레지스트 패턴의 외측 형상과 동일하고, 상기 제3 검사 레지스트 패턴의 내측 형상은 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상과 동일할 수 있다.
상기 기판은 상기 기판의 가장자리에 위치하는 복수의 표식을 포함하고, 상기 복수의 표식 각각은 상기 제1 검사 레지스트 패턴, 상기 제2 검사 레지스트 패턴 및 상기 제3 검사 레지스트 패턴 내에 위치할 수 있다.
상기 제1 검사 레지스트 패턴의 외측 형상 및 내측 형상은 정사각형으로 이루어지고, 상기 제2 검사 레지스트 패턴은 정사각형으로 이루어지고, 상기 제2 검사 레지스트 패턴의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 길고, 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이보다 짧을 수 있다.
상기 제2 검사 레지스트 패턴은 링형상으로 이루어지고, 상기 제2 검사 레지스트 패턴의 내측 형상은 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상보다 작을 수 있다.
상기 제1 검사 레지스트 패턴의 외측 형상 및 내측 형상은 정사각형으로 이루어지고, 상기 제2 검사 레지스트 패턴의 외측 형상 및 내측 형상을 정사각형으로 이루어지고, 상기 제2 검사 레지스트 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 길고, 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이보다 짧고, 상기 제2 검사 레지스트 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 짧을 수 있다.
상기 금속층을 식각하는 단계에서, 상기 제1 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가지는 제1 검사 금속 패턴, 상기 제2 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가지는 제2 검사 금속 패턴, 및 상기 제3 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가지는 제3 검사 금속 패턴을 형성할 수 있다.
상기 검사 레지스트 패턴은 복수의 제3 검사 레지스트 패턴을 포함할 수 있다.
상기 검사 레지스트 패턴은 상기 기판의 제1 가장자리와 마주보는 제2 가장자리를 따라 위치하는 제4 검사 레지스트 패턴, 제5 검사 레지스트 패턴 및 제6 검사 레지스트 패턴을 더 포함하고, 상기 제6 검사 레지스트 패턴은 상기 제4 검사 레지스트 패턴과 제5 검사 레지스트 패턴 사이에 위치하고, 상기 제4 검사 레지스트 패턴은 상기 제1 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가지고, 상기 제5 검사 레지스트 패턴은 상기 제2 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가지고, 상기 제6 검사 레지스트 패턴은 상기 제3 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 기판, 상기 기판의 제1 가장자리를 따라 위치하는 제1 검사 금속 패턴, 제2 검사 금속 패턴 및 제3 검사 금속 패턴을 포함하고, 상기 제3 검사 금속 패턴은 상기 제1 검사 금속 패턴과 상기 제2 검사 금속 패턴 사이에 위치하고, 상기 제1 검사 금속 패턴 및 상기 제3 검사 금속 패턴은 링형상으로 이루어지고, 상기 제2 검사 금속 패턴은 링형상, 다각형 또는 원형으로 이루어진다.
상기 제2 검사 금속 패턴의 외측 형상은 상기 제1 검사 금속 패턴의 내측 형상보다 크고, 상기 제1 검사 금속 패턴의 외측 형상보다 작을 수 있다.
상기 제3 검사 금속 패턴의 외측 형상은 상기 제2 검사 금속 패턴의 외측 형상과 동일하고, 상기 제3 검사 금속 패턴의 내측 형상은 상기 제1 검사 금속 패턴의 내측 형상과 동일할 수 있다.
상기 기판은 상기 기판의 가장자리에 위치하는 복수의 표식을 포함하고, 상기 복수의 표식 각각은 상기 제1 검사 금속 패턴, 상기 제2 검사 금속 패턴 및 상기 제3 검사 금속 패턴 내에 위치할 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치는 상기 기판 위에 위치하는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체, 상기 반도체 위에 서로 이격하여 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 드레인 전극에 연결되어 있는 화소 전극을 더 포함하고, 상기 제1 검사 금속 패턴, 상기 제2 검사 금속 패턴 및 상기 제3 검사 금속 패턴은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 또는 상기 화소 전극과 동일한 층에 위치할 수 있다.
실시예들에 따르면, 포토 마스크를 쉬프트 시켜 노광 공정을 진행하는 과정에서 포토 마스크의 오정렬 여부를 확인함으로써, 배선을 원래 설계한 형상으로 형성할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 포토 마스크를 나타낸 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 의한 포토 마스크의 제1 검사 패턴 및 제2 검사 패턴을 함께 도시한 평면도이다.
도 3 및 도 4는 일 실시예에 의한 포토 마스크의 제1 검사 패턴 및 제2 검사 패턴의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 5 내지 도 8, 도 10 내지 도 12는 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 공정의 각 단계에서의 평면도 또는 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 공정 중 노광 단계에서 일부 영역의 노광량을 나타낸 도면이다.
도 13 내지 도 15는 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 공정에서 형성된 검사 레지스트 패턴을 나타낸 평면도이다.
도 16 내지 도 20은 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 공정에 의해 형성된 표시 장치를 나타낸 평면도 또는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
먼저, 도 1을 참조하여 일 실시예에 의한 포토 마스크에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일 실시예에 의한 포토 마스크를 나타낸 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 포토 마스크(1000)는 마스크 기판(1100) 및 마스크 기판(1100)에 위치하는 제1 검사 패턴(1210) 및 제2 검사 패턴(1220)을 포함한다.
마스크 기판(1100)은 투명한 유리, 플라스틱 등의 소재로 이루어질 수 있으며, 대략 사각형으로 이루어질 수 있다. 마스크 기판(1100)은 대략 직사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 마스크 기판(1100)의 마주보는 양측 가장자리의 길이가 실질적으로 동일할 수 있다. 마스크 기판(1100)의 제1 가장자리(1110)의 길이는 제1 가장자리(1110)와 마주보는 제2 가장자리(1120)의 길이와 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 제1 가장자리(1110)와 제2 가장자리(1120)를 연결하는 제3 가장자리(1130)의 길이는 제3 가장자리(1130)와 마주보는 제4 가장자리(1140)의 길이와 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들면, 제1 가장자리(1110)는 하측 가장자리일 수 있고, 제2 가장자리(1120)는 상측 가장자리일 수 있다. 제3 가장자리(1130)는 좌측 가장자리일 수 있고, 제4 가장자리(1140)는 우측 가장자리일 수 있다.
마스크 기판(1100)은 유효 패턴 형성 영역(VR) 및 유효 패턴 형성 영역(VR)을 둘러싸는 검사 패턴 형성 영역(TR)을 포함할 수 있다. 유효 패턴 형성 영역(VR)은 마스크 기판(1100)의 가운데에 위치할 수 있으며, 제1 영역(VR1), 제2 영역(VR2) 및 제3 영역(VR3)을 포함할 수 있다. 제1 영역(VR1), 제2 영역(VR2) 및 제3 영역(VR3)은 좌측으로부터 우측으로 순차적으로 위치할 수 있다. 따라서, 제2 영역(VR2)은 제1 영역(VR1)과 제3 영역(VR3) 사이에 위치할 수 있다. 제1 영역(VR1)과 제2 영역(VR2) 사이의 경계에는 제1 가상선(IL1)이 위치할 수 있다. 제1 가상선(IL1)은 제3 가장자리(1130)와 나란할 수 있다. 제2 영역(VR2)과 제3 영역(VR3) 사이의 경계에는 제2 가상선(IL2)이 위치할 수 있다. 제2 가상선(IL2)은 제3 가장자리(1130)와 나란할 수 있다. 검사 패턴 형성 영역(TR)은 마스크 기판(1100)의 가장자리에 위치할 수 있다. 검사 패턴 형성 영역(TR)은 제1 영역(VR1), 제2 영역(VR2) 및 제3 영역(VR3)을 둘러싸도록 마스크 기판(1100)의 제1 가장자리(1110), 제2 가장자리(1120), 제3 가장자리(1130) 및 제4 가장자리(1140)를 따라 위치할 수 있다.
도시는 생략하였으나, 마스크 기판(1100)의 유효 패턴 형성 영역(VR)에는 복수의 패턴이 위치할 수 있다. 포토 마스크(1000)는 표시 장치의 배선 형성 공정에 사용되며, 이러한 배선 형성을 위한 복수의 패턴이 유효 패턴 형성 영역(VR)에 위치할 수 있다.
마스크 기판(1100)의 검사 패턴 형성 영역(TR)에는 제1 검사 패턴(1210) 및 제2 검사 패턴(1220)이 위치할 수 있다. 제1 검사 패턴(1210) 및 제2 검사 패턴(1220)은 마스크 기판(1100)의 제1 가장자리(1110)를 따라 위치할 수 있다. 제1 검사 패턴(1210)은 제1 가상선(IL1) 상에 위치할 수 있다. 제2 검사 패턴(1220)은 제2 가상선(IL2) 상에 위치할 수 있다.
일 실시예에 의한 포토 마스크(1000)는 제3 검사 패턴(1230) 및 제4 검사 패턴(1240)을 더 포함할 수 있다. 제3 검사 패턴(1230) 및 제4 검사 패턴(1240)은 마스크 기판(1100)의 검사 패턴 형성 영역(TR)에 위치할 수 있다. 제3 검사 패턴(1230) 및 제4 검사 패턴(1240)은 마스크 기판(1100)의 제2 가장자리(1120)를 따라 위치할 수 있다. 제3 검사 패턴(1230)은 제1 가상선(IL1) 상에 위치할 수 있다. 제4 검사 패턴(1240)은 제2 가상선(IL2) 상에 위치할 수 있다.
제1 검사 패턴(1210)과 제3 검사 패턴(1230)은 각각 제1 가상선(IL1)의 양측 단부에 위치할 수 있다. 제2 검사 패턴(1220)과 제4 검사 패턴(1240)은 각각 제2 가상선(IL2)의 양측 단부에 위치할 수 있다. 유효 패턴 형성 영역(VR)은 제1 검사 패턴(1210)과 제3 검사 패턴(1230) 사이에 위치할 수 있고, 제2 검사 패턴(1220)과 제4 검사 패턴(1240) 사이에 위치할 수 있다.
제1 검사 패턴(1210)과 제2 검사 패턴(1220)은 서로 다른 형상을 가질 수 있다. 제1 검사 패턴(1210)과 제2 검사 패턴(1220)은 동일한 형상을 가질 수 있고, 이때 그 크기는 상이할 수 있다. 제1 검사 패턴(1210)을 제1 가상선(IL1)에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 패턴(1220)과 일부 중첩할 수 있다.
제3 검사 패턴(1230)과 제4 검사 패턴(1240)은 서로 다른 형상을 가질 수 있다. 제3 검사 패턴(1230)과 제4 검사 패턴(1240)은 동일한 형상을 가질 수 있고, 이때 크기는 상이할 수 있다. 제3 검사 패턴(1230)을 제1 가상선(IL1)에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제4 검사 패턴(1240)과 일부 중첩할 수 있다.
제3 검사 패턴(1230)은 제1 검사 패턴(1210)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다. 제4 검사 패턴(1240)은 제2 검사 패턴(1220)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다.
다만, 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 제3 검사 패턴(1230)이 제1 검사 패턴(1210)과 상이한 형상을 가질 수 있고, 제4 검사 패턴(1240)이 제2 검사 패턴(1220)과 상이한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제3 검사 패턴(1230)이 제2 검사 패턴(1220)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다. 또한, 제4 검사 패턴(1240)이 제1 검사 패턴(1210)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다.
이하에서 도 2를 참조하여 일 실시예에 의한 포토 마스크의 제1 검사 패턴(1210) 및 제2 검사 패턴(1220)의 형상에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 2는 일 실시예에 의한 포토 마스크의 제1 검사 패턴 및 제2 검사 패턴을 함께 도시한 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제1 검사 패턴(1210)은 링(ring)형상으로 이루어질 수 있다. 링(ring)형상은 고리(loop) 형상을 의미하며, 외측 형상(1212)과 내측 형상(1214)을 포함할 수 있다. 제1 검사 패턴(1210)의 외측 형상(1212)과 내측 형상(1214)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 검사 패턴(1210)의 외측 형상(1212) 및 내측 형상(1214)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 검사 패턴(1210)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 검사 패턴(1210)의 외측 형상(1212) 및 내측 형상(1214)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 패턴(1210)의 외측 형상(1212)은 내측 형상(1214)보다 크므로, 제1 검사 패턴(1210)의 외측 형상(1212)의 한 변의 길이(L1212)는 제1 검사 패턴(1210)의 내측 형상(1214)의 한 변의 길이(L1214)보다 길다.
제2 검사 패턴(1220)은 다각형으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 제2 검사 패턴(1220)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 패턴(1220)의 외측 형상(1222)은 사각형으로 이루어지고, 내측 형상은 없을 수 있다. 즉, 제2 검사 패턴(1220)은 내부가 채워져있는 사각형으로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 검사 패턴(1220)은 정사각형으로 이루어질 수 있다.
제2 검사 패턴(1220)의 외측 형상(1222)은 제1 검사 패턴(1210)의 내측 형상(1214)보다 클 수 있고, 제1 검사 패턴(1210)의 외측 형상(1212)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 패턴(1220)의 외측 형상(1222)의 한 변의 길이(L1222)는 제1 검사 패턴(1210)의 내측 형상(1214)의 한 변의 길이(L1214)보다 길고, 제1 검사 패턴(1210)의 외측 형상(1212)의 한 변의 길이(L1212)보다 짧을 수 있다.
제1 검사 패턴(1210)을 제1 가상선(IL1)에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 패턴(1220)과 일부 중첩할 수 있다. 이때, 제2 검사 패턴(1220)은 제1 검사 패턴(1210)의 외측 형상(1212)의 내부에 위치하게 된다. 제1 검사 패턴(1210)의 내측 형상(1214)은 제2 검사 패턴(1220)의 내부에 위치하게 된다.
일 실시예에 의한 포토 마스크의 제1 검사 패턴 및 제2 검사 패턴의 형상은 이에 한정되지 않으며 다양하게 변경될 수 있다. 이하에서 도 3 및 도 4를 참조하여 일 실시예에 의한 포토 마스크의 제1 검사 패턴 및 제2 검사 패턴의 형상에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 3 및 도 4는 일 실시예에 의한 포토 마스크의 제1 검사 패턴 및 제2 검사 패턴의 변형예를 도시한 평면도이다.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 검사 패턴(2210)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 패턴(2210)의 외측 형상(2212) 및 내측 형상(2214)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 검사 패턴(2210)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 검사 패턴(2210)의 외측 형상(2212) 및 내측 형상(2214)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 패턴(2210)의 외측 형상(2212)은 내측 형상(2214)보다 크므로, 제1 검사 패턴(2210)의 외측 형상(2212)의 한 변의 길이(L2212)는 제1 검사 패턴(2210)의 내측 형상(2214)의 한 변의 길이(L2214)보다 길다.
제2 검사 패턴(2220)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 패턴(2220)의 외측 형상(2222) 및 내측 형상(2224)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제2 검사 패턴(2220)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 검사 패턴(2220)의 외측 형상(2222) 및 내측 형상(2224)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 패턴(2220)의 외측 형상(2222)은 내측 형상(2224)보다 크므로, 제2 검사 패턴(2220)의 외측 형상(2222)의 한 변의 길이(L2222)는 제2 검사 패턴(2220)의 내측 형상(2224)의 한 변의 길이(L2224)보다 길다.
제2 검사 패턴(2220)의 외측 형상(2222)은 제1 검사 패턴(2210)의 내측 형상(2214)보다 클 수 있고, 제1 검사 패턴(2210)의 외측 형상(2212)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 패턴(2220)의 외측 형상(2222)의 한 변의 길이(L2222)는 제1 검사 패턴(2210)의 내측 형상(2214)의 한 변의 길이(L2214)보다 길고, 제1 검사 패턴(2210)의 외측 형상(2212)의 한 변의 길이(L2212)보다 짧을 수 있다. 제2 검사 패턴(2220)의 내측 형상(2224)은 제1 검사 패턴(2210)의 내측 형상(2214)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 패턴(2220)의 내측 형상(2224)의 한 변의 길이(L2224)는 제1 검사 패턴(2210)의 내측 형상(2214)의 한 변의 길이(L2214)보다 짧을 수 있다.
제1 검사 패턴(2210)을 제1 가상선(IL1)에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 패턴(2220)과 일부 중첩할 수 있다. 이때, 제2 검사 패턴(2220)의 외측 형상(2222)은 제1 검사 패턴(2210)의 외측 형상(2212)의 내부에 위치하게 된다. 제1 검사 패턴(2210)의 내측 형상(2214)은 제2 검사 패턴(2220)의 외측 형상(2222)의 내부에 위치하게 된다. 제2 검사 패턴(2220)의 내측 형상(2224)은 제1 검사 패턴(2210)의 내측 형상(2214)의 내부에 위치하게 된다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 검사 패턴(3210)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 패턴(3210)의 외측 형상(3212) 및 내측 형상(3214)은 원형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 검사 패턴(3210)은 원형 링형상으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 패턴(3210)의 외측 형상(3212)은 내측 형상(3214)보다 크므로, 제1 검사 패턴(3210)의 외측 형상(3212)의 지름(L3212)은 제1 검사 패턴(3210)의 내측 형상(3214)의 지름(L3214)보다 길다.
제2 검사 패턴(3220)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 패턴(3220)의 외측 형상(3222) 및 내측 형상(3224)은 원형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제2 검사 패턴(3220)은 원형 링형상으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 패턴(3220)의 외측 형상(3222)은 내측 형상(3224)보다 크므로, 제2 검사 패턴(3220)의 외측 형상(3222)의 지름(L3222)은 제2 검사 패턴(3220)의 내측 형상(3224)의 지름(L3224)보다 길다.
제2 검사 패턴(3220)의 외측 형상(3222)은 제1 검사 패턴(3210)의 내측 형상(3214)보다 클 수 있고, 제1 검사 패턴(3210)의 외측 형상(3212)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 패턴(3220)의 외측 형상(3222)의 지름(L3222)은 제1 검사 패턴(3210)의 내측 형상(3214)의 지름(L3214)보다 길고, 제1 검사 패턴(3210)의 외측 형상(3212)의 지름(L3212)보다 짧을 수 있다. 제2 검사 패턴(3220)의 내측 형상(3224)은 제1 검사 패턴(3210)의 내측 형상(3214)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 패턴(3220)의 내측 형상(3224)의 지름(L3224)은 제1 검사 패턴(3210)의 내측 형상(3214)의 지름(L3214)보다 짧을 수 있다.
제1 검사 패턴(3210)을 제1 가상선(IL1)에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 패턴(3220)과 일부 중첩할 수 있다. 이때, 제2 검사 패턴(3220)의 외측 형상(3220)은 제1 검사 패턴(3210)의 외측 형상(3212)의 내부에 위치하게 된다. 제1 검사 패턴(3210)의 내측 형상(3214)은 제2 검사 패턴(3220)의 외측 형상(3222)의 내부에 위치하게 된다. 제2 검사 패턴(3220)의 내측 형상(3224)은 제1 검사 패턴(3210)의 내측 형상(3214)의 내부에 위치하게 된다.
다음으로, 도 5 내지 도 20을 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 5 내지 도 20은 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 5 내지 도 8, 도 10 내지 도 12는 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 공정의 각 단계에서의 평면도 또는 단면도이다. 도 9는 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 공정 중 노광 단계에서 일부 영역의 노광량을 나타낸 도면이다. 도 13 내지 도 15는 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 공정에서 형성된 검사 레지스트 패턴을 나타낸 평면도이다. 도 16 내지 도 20은 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 공정에 의해 형성된 표시 장치를 나타낸 평면도 또는 단면도이다.
먼저, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(110)을 준비한다.
기판(110)은 투명한 유리, 플라스틱 등의 소재로 이루어질 수 있으며, 대략 사각형으로 이루어질 수 있다. 기판(110)은 대략 직사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 기판(110)의 마주보는 양측 가장자리의 길이가 실질적으로 동일할 수 있다. 기판(110)의 제1 가장자리(111)의 길이는 제1 가장자리(111)와 마주보는 제2 가장자리(112)의 길이와 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 제1 가장자리(111)와 제2 가장자리(112)를 연결하는 제3 가장자리(113)의 길이는 제3 가장자리(113)와 마주보는 제4 가장자리(114)의 길이와 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들면, 제1 가장자리(111)는 하측 가장자리일 수 있고, 제2 가장자리(112)는 상측 가장자리일 수 있다. 제3 가장자리(113)는 좌측 가장자리일 수 있고, 제4 가장자리(114)는 우측 가장자리일 수 있다.
기판(110)은 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)을 둘러싸는 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 기판(110)의 가운데에 위치할 수 있으며, 제1 표시 영역(DA1), 제2 표시 영역(DA2), 제3 표시 영역(DA3) 및 제4 표시 영역(DA4)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 표시 장치는 분할 노광을 통해 제조할 수 있으며, 제1 내지 제4 표시 영역(DA1, DA2, DA3, DA4)은 분할 노광 진행의 기준이 될 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(DA)이 4개의 영역으로 분할되어 있는 경우 4번의 노광이 진행될 수 있다. 제1 표시 영역(DA1), 제2 표시 영역(DA2), 제3 표시 영역(DA3) 및 제4 표시 영역(DA4)은 좌측으로부터 우측으로 순차적으로 위치할 수 있다. 따라서, 제2 표시 영역(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)과 제3 표시 영역(DA3) 사이에 위치할 수 있고, 제3 표시 영역(DA3)은 제2 표시 영역(DA2)과 제4 표시 영역(DA4) 사이에 위치할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계는 제3 가장자리(113)와 나란할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)과 제3 표시 영역(DA3) 사이의 경계는 제3 가장자리(113)와 나란할 수 있다. 제3 표시 영역(DA3)과 제4 표시 영역(DA4) 사이의 경계는 제3 가장자리(113)와 나란할 수 있다. 주변 영역(PA)은 기판(110)의 가장자리에 위치할 수 있다. 주변 영역(PA)은 제1 표시 영역(DA1), 제2 표시 영역(DA2), 제3 표시 영역(DA3) 및 제4 표시 영역(DA4)을 둘러싸도록 기판(110)의 제1 가장자리(111), 제2 가장자리(112), 제3 가장자리(113) 및 제4 가장자리(114)를 따라 위치할 수 있다.
기판(110)의 주변 영역(PA)에는 복수의 표식(120)이 위치할 수 있다. 복수의 표식(120)은 기판(110)의 제1 가장자리(111)를 따라 위치할 수 있다. 또한, 복수의 표식(120)은 기판(110)의 제2 가장자리(112)를 따라 위치할 수 있다. 복수의 표식(120)은 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계의 연장선 상에 위치할 수 있다. 또한, 복수의 표식(120)은 제2 표시 영역(DA2)과 제3 표시 영역(DA3) 사이의 경계의 연장선 상에 위치할 수 있다. 또한, 복수의 표식(120)은 제3 표시 영역(DA3)과 제4 표시 영역(DA4) 사이의 경계의 연장선 상에 위치할 수 있다.
기판(110)의 제1 가장자리(111)를 따라 위치하는 복수의 표식(120)의 개수는 분할 노광의 횟수보다 하나 더 많을 수 있다. 기판(110)의 제2 가장자리(112)를 따라 위치하는 복수의 표식(120)의 개수는 제1 가장자리(111)를 따라 위치하는 복수의 표식(120)의 개수와 동일할 수 있다. 즉, 기판(110)의 제2 가장자리(112)를 따라 위치하는 복수의 표식(120)의 개수는 분할 노광의 횟수보다 하나 더 많을 수 있다. 예를 들면, 기판(110)의 표시 영역(DA)은 4개의 영역으로 나뉘어져 있고, 4회의 분할 노광을 진행할 수 있다. 이때, 기판(110)의 제1 가장자리(111)를 따라 위치하는 복수의 표식(120)의 개수는 5개일 수 있고, 기판(110)의 제2 가장자리(112)를 따라 위치하는 복수의 표식(120)의 개수는 5개일 수 있다. 기판(110)의 제1 가장자리(111)를 따라 위치하는 복수의 표식(120)은 일정한 간격을 가지도록 위치할 수 있다. 기판(110)의 제2 가장자리(112)를 따라 위치하는 복수의 표식(120)은 일정한 간격을 가지도록 위치할 수 있다.
복수의 표식(120)은 다각형, 원형 등으로 이루어질 수 있다. 복수의 표식(120)의 형상은 모두 동일할 수 있다. 다만, 본 실시예에는 이에 한정되지 않고, 복수의 표식(120) 중 적어도 일부는 형상이 상이할 수도 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 이러한 기판(110) 위에 금속층(140)을 형성한다. 금속층(140)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 금속층(140)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 금속층(140)은 기판(110) 위에 전체적으로 형성할 수 있다. 즉, 금속층(140)은 기판(110)의 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 모두 덮도록 형성할 수 있다.
이어, 금속층(140) 위에 포토 레지시트(130)를 형성한다. 포토 레지스트(130)는 감광성을 가지는 고분자 화합물로 이루어질 수 있다. 포토 레지스트(130)는 금속층(140) 위에 전체적으로 형성할 수 있다. 즉, 포토 레지스트(130)는 기판(110)의 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 모두 덮도록 형성할 수 있다.
이어, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(110) 위에 포토 마스크(1000)를 대응시키고, 포토 마스크(1000)에 광을 조사한다.
포토 마스크(1000)의 크기는 기판(110)의 크기보다 작다. 포토 마스크(1000)의 제1 영역(VR1) 및 제2 영역(VR2)이 기판(110)의 제1 표시 영역(DA1)에 대응하도록 정렬시킨다. 이때, 포토 마스크(1000)의 제3 영역(VR3)은 기판(110)의 제2 표시 영역(DA2)에 대응하게 된다. 이어, 포토 마스크(1000)의 제1 영역(VR1) 및 제2 영역(VR2)에 광을 조사한다. 즉, 기판(110)의 제1 표시 영역(DA1)에 광을 조사한다.
포토 마스크(1000)에는 소정의 패턴이 형성되어 있고, 포토 마스크(1000)에 조사된 광의 일부는 패턴을 통과하지 못하여 기판(110)에까지 도달하지 못한다. 포토 마스크(1000)에 조사된 광의 나머지 일부는 패턴이 형성되지 않은 부분을 통과하여 기판(110)에까지 도달할 수 있다. 이때, 포토 마스크(1000)를 통과한 광이 포토 레지스트(130)에 화학적 변화를 일으키게 된다.
이어, 도 8에 도시된 바와 같이, 포토 마스크(1000)를 쉬프트 시키고, 포토 마스크(1000)에 광을 조사한다.
포토 마스크(1000)의 제2 영역(VR2)이 기판(110)의 제2 표시 영역(DA2)에 대응하도록 정렬시킨다. 이때, 포토 마스크(1000)의 제1 영역(VR1)은 기판(110)의 제1 표시 영역(DA1)에 대응하고, 포토 마스크(1000)의 제3 영역(VR3)은 기판(110)의 제3 표시 영역(DA3)에 대응하게 된다. 이어, 포토 마스크(1000)의 제2 영역(VR2)에 광을 조사한다. 즉, 기판(110)의 제2 표시 영역(DA2)에 광을 조사한다.
기판(110)의 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계부는 도 7의 첫 번째 분할 노광 공정과 도 8의 두 번째 분할 노광 공정에서 모두 광이 조사될 수 있다. 이하에서는 도 9를 참조하여 기판(110)의 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계부에 조사되는 광량에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 9는 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계부에서 노광량을 나타낸 도면이다. 도 9는 첫 번째 분할 노광에서의 위치별 노광량, 두 번째 분할 노광에서의 위치별 노광량을 나타내고 있으며, 마지막에는 두 경우의 노광량을 함께 나타내고 있다.
첫 번째 분할 노광 공정에서 제1 표시 영역(DA1)의 대부분의 영역에는 약 100%의 광이 조사된다. 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계부에서는 약 100%로부터 점차적으로 광량이 줄어들어 0%에 이르게 된다. 이때, 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선 상에서는 약 50%의 광이 조사된다.
두 번째 분할 노광 공정에서 제2 표시 영역(DA1)의 대부분의 영역에는 약 100%의 광이 조사된다. 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계부에서는 약 0%로부터 점차적으로 광량이 늘어나 약 100%에 이르게 된다. 이때, 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선 상에서는 약 50%의 광이 조사된다.
첫 번째 분할 노광 공정에서의 광량과 두 번째 분할 노광 공정에서의 광량을 합쳐서 살펴보면, 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계부에는 약 100%의 광이 조사된다. 예를 들면, 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선 상에는 첫 번째 분할 노광에서 약 50%의 광이 조사되고, 두 번째 분할 노광에서 약 50%의 광이 조사되어 이를 합하면 약 100%의 광이 조사된다.
이어, 도 10에 도시된 바와 같이, 포토 마스크(1000)를 쉬프트 시키고, 포토 마스크(1000)에 광을 조사한다.
포토 마스크(1000)의 제2 영역(VR2)이 기판(110)의 제3 표시 영역(DA3)에 대응하도록 정렬시킨다. 이때, 포토 마스크(1000)의 제1 영역(VR1)은 기판(110)의 제2 표시 영역(DA2)에 대응하고, 포토 마스크(1000)의 제3 영역(VR3)은 기판(110)의 제4 표시 영역(DA4)에 대응하게 된다. 이어, 포토 마스크(1000)의 제2 영역(VR2)에 광을 조사한다. 즉, 기판(110)의 제3 표시 영역(DA3)에 광을 조사한다.
기판(110)의 제2 표시 영역(DA2)과 제3 표시 영역(DA3) 사이의 경계부에는 도 8의 두 번째 분할 노광 공정과 도 10의 세 번째 분할 노광 공정에서 모두 광이 조사될 수 있다. 앞서 설명한 바와 마찬가지로, 두 번째 분할 노광 공정에서의 광량과 세 번째 분할 노광 공정에서의 광량을 합하면 약 100%의 광이 기판(110)의 제2 표시 영역(DA2)과 제3 표시 영역(DA3) 사이의 경계부에 조사될 수 있다.
이어, 도 11에 도시된 바와 같이, 포토 마스크(1000)를 쉬프트 시키고, 포토 마스크(1000)에 광을 조사한다.
포토 마스크(1000)의 제2 영역(VR2) 및 제3 영역(VR3)이 기판(110)의 제4 표시 영역(DA4)에 대응하도록 정렬시킨다. 이때, 포토 마스크(1000)의 제1 영역(VR1)은 기판(110)의 제3 표시 영역(DA3)에 대응하게 된다. 이어, 포토 마스크(1000)의 제2 영역(VR2) 및 제3 영역(VR3)에 광을 조사한다. 즉, 기판(110)의 제4 표시 영역(DA4)에 광을 조사한다.
기판(110)의 제3 표시 영역(DA3)과 제4 표시 영역(DA4) 사이의 경계부에는 도 10의 세 번째 분할 노광 공정과 도 11의 네 번째 분할 노광 공정에서 모두 광이 조사될 수 있다. 앞서 설명한 바와 마찬가지로, 세 번째 분할 노광 공정에서의 광량과 네 번째 분할 노광 공정에서의 광량을 합하면 약 100%의 광이 기판(110)의 제3 표시 영역(DA3)과 제4 표시 영역(DA4) 사이의 경계부에 조사될 수 있다.
4차례에 걸쳐 분할 노광 공정을 진행한 후 현상 공정을 진행하여, 도 12에 도시된 바와 같이, 기판(110) 위에 검사 레지스트 패턴(1300)을 형성한다.
포토 레지스트(130)가 포지티브 형으로 이루어지는 경우 광이 조사된 부분은 제거되고, 광이 조사되지 않은 부분은 남게 된다. 도시는 생략하였으나, 기판(110)의 표시 영역(DA) 위에는 복수의 레지스트 패턴이 위치할 수 있다.
기판(110)의 주변 영역(PA)에는 검사 레지스트 패턴(1300)이 위치할 수 있다. 검사 레지스트 패턴(1300)은 제1 검사 레지스트 패턴(1310), 제2 검사 레지스트 패턴(1320) 및 제3 검사 레지스트 패턴(1330)을 포함할 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(1310), 제2 검사 레지스트 패턴(1320) 및 제3 검사 레지스트 패턴(1330)은 기판(110)의 제1 가장자리(111)를 따라 위치할 수 있다. 검사 레지스트 패턴(1300)은 복수의 제3 검사 레지스트 패턴(1330)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 3개의 제3 검사 레지스트 패턴(1330)이 형성될 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(1330)은 제1 검사 레지스트 패턴(1310)과 제2 검사 레지스트 패턴(1320) 사이에 위치할 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(1330)은 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계의 연장선 상에 위치할 수 있다. 또한, 제3 검사 레지스트 패턴(1330)은 제2 표시 영역(DA2)과 제3 표시 영역(DA3) 사이의 경계의 연장선 상에 위치할 수 있다. 또한, 제3 검사 레지스트 패턴(1330)은 제3 표시 영역(DA3)과 제4 표시 영역(DA4) 사이의 경계의 연장선 상에 위치할 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(1310)은 제1 표시 영역(DA1)과 인접하여 위치할 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(1320)은 제4 표시 영역(DA4)과 인접하여 위치할 수 있다.
각 검사 레지스트 패턴(1300)은 일정한 간격을 가지도록 위치할 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(1310)과 제3 검사 레지스트 패턴(1330) 사이의 간격은 복수의 제3 검사 레지스트 패턴(1330)들 사이의 간격과 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 제1 검사 레지스트 패턴(1310)과 제3 검사 레지스트 패턴(1330) 사이의 간격은 제3 검사 레지스트 패턴(1330)과 제2 검사 레지스트 패턴(1320) 사이의 간격과 실질적으로 동일할 수 있다.
평면 상에서 각 검사 레지스트 패턴(1300)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 각 표식(120)은 각 검사 레지스트 패턴(1300)의 중심에 위치할 수 있다.
검사 레지스트 패턴(1300)은 제4 검사 레지스트 패턴(1340), 제5 검사 레지스트 패턴(1350) 및 제6 검사 레지스트 패턴(1360)을 더 포함할 수 있다. 제4 검사 레지스트 패턴(1340), 제5 검사 레지스트 패턴(1350) 및 제6 검사 레지스트 패턴(1360)은 기판(110)의 제2 가장자리(112)를 따라 위치할 수 있다. 검사 레지스트 패턴(1300)은 복수의 제6 검사 레지스트 패턴(1360)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 3개의 제6 검사 레지스트 패턴(1360)이 형성될 수 있다. 제6 검사 레지스트 패턴(1360)은 제4 검사 레지스트 패턴(1340)과 제5 검사 레지스트 패턴(1350) 사이에 위치할 수 있다. 제6 검사 레지스트 패턴(1360)은 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계의 연장선 상, 제2 표시 영역(DA2)과 제3 표시 영역(DA3) 사이의 경계의 연장선 상, 제3 표시 영역(DA3)과 제4 표시 영역(DA4) 사이의 경계의 연장선 상에 위치할 수 있다. 제4 검사 레지스트 패턴(1340)은 제1 표시 영역(DA1)과 인접하여 위치할 수 있다. 제5 검사 레지스트 패턴(1350)은 제4 표시 영역(DA4)과 인접하여 위치할 수 있다.
제1 검사 레지스트 패턴(1310), 제2 검사 레지스트 패턴(1320) 및 제3 검사 레지스트 패턴(1330)은 서로 다른 형상을 가질 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(1310), 제2 검사 레지스트 패턴(1320) 및 제3 검사 레지스트 패턴(1330)은 동일한 형상을 가질 수 있고, 이때 그 크기는 상이할 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(1310)을 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 레지스트 패턴(1320)과 일부 중첩할 수 있다.
제4 검사 레지스트 패턴(1340)은 제1 검사 레지스트 패턴(1310)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다. 제5 검사 레지스트 패턴(1350)은 제2 검사 레지스트 패턴(1320)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다. 제6 검사 레지스트 패턴(1360)은 제3 검사 레지스트 패턴(1330)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다.
다만, 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 제4 검사 레지스트 패턴(1340)은 제1 검사 레지스트 패턴(1310)과 상이한 형상을 가질 수 있고, 제5 검사 레지스트 패턴(1350)은 제2 검사 레지스트 패턴(1320)과 상이한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제4 검사 레지스트 패턴(1340)이 제2 검사 레지스트 패턴(1320)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다. 또한, 제5 검사 레지스트 패턴(1350)이 제1 검사 레지스트 패턴(1310)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다.
이하에서, 도 13을 참조하여 제1 검사 레지스트 패턴(1310), 제2 검사 레지스트 패턴(1320) 및 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 형상에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 13은 제1 검사 레지스트 패턴, 제2 검사 레지스트 패턴 및 제3 검사 레지스트 패턴을 기판의 표식과 함께 도시한 평면도이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 제1 검사 레지스트 패턴(1310)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 중심에 위치할 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 외측 형상(1312)과 내측 형상(1314)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 외측 형상(1312) 및 내측 형상(1314)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 검사 레지스트 패턴(1310)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 외측 형상(1312) 및 내측 형상(1314)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 외측 형상(1312)은 내측 형상(1314)보다 크므로, 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 외측 형상(1312)의 한 변의 길이(L1312)는 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 내측 형상(1314)의 한 변의 길이(L1314)보다 길다.
제2 검사 레지스트 패턴(1320)은 다각형으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 제2 검사 레지스트 패턴(1320)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(1320) 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제2 검사 레지스트 패턴(1320)의 중심에 위치할 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(1320)의 외측 형상(1322)은 사각형으로 이루어지고, 내측 형상은 없을 수 있다. 즉, 제2 검사 레지스트 패턴(1320)은 내부가 채워져있는 사각형으로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 검사 레지스트 패턴(1320)은 정사각형으로 이루어질 수 있다.
제2 검사 레지스트 패턴(1320)의 외측 형상(1322)은 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 내측 형상(1314)보다 클 수 있고, 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 외측 형상(1312)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 레지스트 패턴(1320)의 외측 형상(1322)의 한 변의 길이(L1322)는 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 내측 형상(1314)의 한 변의 길이(L1314)보다 길고, 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 외측 형상(1312)의 한 변의 길이(L1312)보다 짧을 수 있다.
제1 검사 레지스트 패턴(1310)을 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 레지스트 패턴(1320)과 일부 중첩할 수 있다. 이때, 제2 검사 레지스트 패턴(1320)은 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 외측 형상(1312)의 내부에 위치하게 된다. 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 내측 형상(1314)은 제2 검사 레지스트 패턴(1320)의 내부에 위치하게 된다.
제3 검사 레지스트 패턴(1330)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 중심에 위치할 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 외측 형상(1332)과 내측 형상(1334)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제3 검사 레지스트 패턴(1330)은 외측 형상(1332) 및 내측 형상(1334)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제3 검사 레지스트 패턴(1330)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 외측 형상(1332) 및 내측 형상(1334)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 외측 형상(1332)은 내측 형상(1334)보다 크므로, 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 외측 형상(1332)의 한 변의 길이(L1332)는 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 내측 형상(1334)의 한 변의 길이(L1334)보다 길다.
제1 검사 레지스트 패턴(1310)은 포토 마스크(1000)의 제1 검사 패턴(1210)에 의해 형성되며, 제1 검사 패턴(1210)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(1320)은 포토 마스크(1000)의 제2 검사 패턴(1220)에 의해 형성되며, 제2 검사 패턴(1220)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(1330)은 포토 마스크(1000)의 제1 검사 패턴(1210) 및 제2 검사 패턴(1220)에 의해 형성된다. 제1 검사 패턴(1210)에 의해 광이 통과하지 못한 부분과 제2 검사 패턴(1220)에 의해 광이 통과하지 못한 부분이 중첩되는 부분에 제3 검사 레지스트 패턴(1330)이 형성된다. 제1 검사 패턴(1210)이 형성되어 있지 않아 약 50%의 광이 통과한 부분과 제2 검사 패턴(1220)이 형성되어 있지 않아 약 50%의 광이 통과한 부분에 위치하는 포토 레지스트(130)는 제거된다. 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 외측 형상(1332)은 제2 검사 레지스트 패턴(1320)의 외측 형상(1322)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 외측 형상(1332)의 한 변의 길이(L1332)는 제2 검사 레지스트 패턴(1320)의 외측 형상(1322)의 한 변의 길이(L1322)와 실질적으로 동일하다. 또한, 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 내측 형상(1334)은 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 내측 형상(1314)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 내측 형상(1334)의 한 변의 길이(L1334)는 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 내측 형상(1314)의 한 변의 길이(L1314)와 실질적으로 동일하다.
일 실시예에 의한 제1 검사 레지스트 패턴, 제2 검사 레지스트 패턴 및 제3 검사 레지스트 패턴의 형상은 이에 한정되지 않으며 다양하게 변경될 수 있다. 이하에서 도 14 및 도 15를 참조하여 일 실시예에 의한 제1 검사 레지스트 패턴, 제2 검사 레지스트 패턴 및 제3 검사 레지스트 패턴의 형상에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 14 및 도 15는 일 실시예에 의한 제1 검사 레지스트 패턴, 제2 검사 레지스트 패턴 및 제3 검사 레지스트 패턴의 변형예를 도시한 평면도이다.
먼저, 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 검사 레지스트 패턴(2310)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 중심에 위치할 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 외측 형상(2312) 및 내측 형상(2314)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 검사 레지스트 패턴(2310)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 외측 형상(2312) 및 내측 형상(2314)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 외측 형상(2312)은 내측 형상(2314)보다 크므로, 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 외측 형상(2312)의 한 변의 길이(L2312)는 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 내측 형상(2314)의 한 변의 길이(L2314)보다 길다.
제2 검사 레지스트 패턴(2320)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(2320) 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 중심에 위치할 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 외측 형상(2322) 및 내측 형상(2324)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제2 검사 레지스트 패턴(2320)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 외측 형상(2322) 및 내측 형상(2324)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 외측 형상(2322)은 내측 형상(2324)보다 크므로, 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 외측 형상(2322)의 한 변의 길이(L2322)는 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 내측 형상(2324)의 한 변의 길이(L2324)보다 길다.
제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 외측 형상(2322)은 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 내측 형상(2314)보다 클 수 있고, 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 외측 형상(2312)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 외측 형상(2322)의 한 변의 길이(L2322)는 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 내측 형상(2314)의 한 변의 길이(L2314)보다 길고, 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 외측 형상(2312)의 한 변의 길이(L2312)보다 짧을 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 내측 형상(2324)은 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 내측 형상(2314)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 내측 형상(2324)의 한 변의 길이(L2324)는 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 내측 형상(2314)의 한 변의 길이(L2314)보다 짧을 수 있다.
제1 검사 레지스트 패턴(2310)을 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 레지스트 패턴(2320)과 일부 중첩할 수 있다. 이때, 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 외측 형상(2322)은 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 외측 형상(2312)의 내부에 위치하게 된다. 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 내측 형상(2314)은 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 외측 형상(2322)의 내부에 위치하게 된다. 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 내측 형상(2324)은 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 내측 형상(2314)의 내부에 위치하게 된다.
제3 검사 레지스트 패턴(2330)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(2330)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제3 검사 레지스트 패턴(2330)의 중심에 위치할 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(2330)의 외측 형상(2332)과 내측 형상(2334)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제3 검사 레지스트 패턴(2330)은 외측 형상(2332) 및 내측 형상(2334)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제3 검사 레지스트 패턴(2330)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제3 검사 레지스트 패턴(2330)의 외측 형상(2332) 및 내측 형상(2334)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(2330)의 외측 형상(2332)은 내측 형상(2334)보다 크므로, 제3 검사 레지스트 패턴(2330)의 외측 형상(2332)의 한 변의 길이(L2332)는 제3 검사 레지스트 패턴(2330)의 내측 형상(2334)의 한 변의 길이(L2334)보다 길다.
제1 검사 레지스트 패턴(2310)은 포토 마스크(1000)의 제1 검사 패턴(2210)에 의해 형성되며, 제1 검사 패턴(2210)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(2320)은 포토 마스크(1000)의 제2 검사 패턴(2220)에 의해 형성되며, 제2 검사 패턴(2220)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(2330)은 포토 마스크(1000)의 제1 검사 패턴(2210) 및 제2 검사 패턴(2220)에 의해 형성된다. 제1 검사 패턴(2210)에 의해 광이 통과하지 못한 부분과 제2 검사 패턴(2220)에 의해 광이 통과하지 못한 부분이 중첩되는 부분에 제3 검사 레지스트 패턴(2330)이 형성된다. 제1 검사 패턴(2210)이 형성되어 있지 않아 약 50%의 광이 통과한 부분과 제2 검사 패턴(2220)이 형성되어 있지 않아 약 50%의 광이 통과한 부분에 위치하는 포토 레지스트(130)는 제거된다. 제3 검사 레지스트 패턴(2330)의 외측 형상(2332)은 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 외측 형상(2322)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 레지스트 패턴(2330)의 외측 형상(2332)의 한 변의 길이(L2332)는 제2 검사 레지스트 패턴(2320)의 외측 형상(2322)의 한 변의 길이(L2322)와 실질적으로 동일하다. 또한, 제3 검사 레지스트 패턴(2330)의 내측 형상(2334)은 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 내측 형상(2314)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 레지스트 패턴(2330)의 내측 형상(2334)의 한 변의 길이(L2334)는 제1 검사 레지스트 패턴(2310)의 내측 형상(2314)의 한 변의 길이(L2314)와 실질적으로 동일하다.
다음으로, 도 15에 도시된 바와 같이, 제1 검사 레지스트 패턴(3310)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 중심에 위치할 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 외측 형상(3312) 및 내측 형상(3314)은 원형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 검사 레지스트 패턴(3310)은 원형 링형상으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 외측 형상(3312)은 내측 형상(3314)보다 크므로, 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 외측 형상(3312)의 지름(L3312)은 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 내측 형상(3314)의 지름(L3314)보다 길다.
제2 검사 레지스트 패턴(3320)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(3320) 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 중심에 위치할 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 외측 형상(3322) 및 내측 형상(3324)은 원형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제2 검사 레지스트 패턴(3320)은 원형 링형상으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 외측 형상(3322)은 내측 형상(3324)보다 크므로, 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 외측 형상(3322)의 지름(L3322)은 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 내측 형상(3324)의 지름(L3324)보다 길다.
제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 외측 형상(3322)은 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 내측 형상(3314)보다 클 수 있고, 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 외측 형상(3312)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 외측 형상(3322)의 지름(L3322)은 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 내측 형상(3314)의 지름(L3314)보다 길고, 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 외측 형상(3312)의 지름(L3312)보다 짧을 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 내측 형상(3324)은 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 내측 형상(3314)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 내측 형상(3324)의 지름(L3324)은 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 내측 형상(3314)의 지름(L3314)보다 짧을 수 있다.
제1 검사 레지스트 패턴(3310)을 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 레지스트 패턴(3320)과 일부 중첩할 수 있다. 이때, 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 외측 형상(3320)은 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 외측 형상(3312)의 내부에 위치하게 된다. 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 내측 형상(3314)은 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 외측 형상(3322)의 내부에 위치하게 된다. 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 내측 형상(3324)은 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 내측 형상(3314)의 내부에 위치하게 된다.
제3 검사 레지스트 패턴(3330)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(3330)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제3 검사 레지스트 패턴(3330)의 중심에 위치할 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(3330)의 외측 형상(3332) 및 내측 형상(3334)은 원형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제3 검사 레지스트 패턴(3330)은 원형 링형상으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(3330)의 외측 형상(3332)은 내측 형상(3334)보다 크므로, 제3 검사 레지스트 패턴(3330)의 외측 형상(3332)의 지름(L3332)은 제3 검사 레지스트 패턴(3330)의 내측 형상(3334)의 지름(L3334)보다 길다.
제1 검사 레지스트 패턴(3310)은 포토 마스크(1000)의 제1 검사 패턴(3210)에 의해 형성되며, 제1 검사 패턴(3210)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제2 검사 레지스트 패턴(3320)은 포토 마스크(1000)의 제2 검사 패턴(3220)에 의해 형성되며, 제2 검사 패턴(3220)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제3 검사 레지스트 패턴(3330)은 포토 마스크(1000)의 제1 검사 패턴(3210) 및 제2 검사 패턴(3220)에 의해 형성된다. 제1 검사 패턴(3210)에 의해 광이 통과하지 못한 부분과 제2 검사 패턴(3220)에 의해 광이 통과하지 못한 부분이 중첩되는 부분에 제3 검사 레지스트 패턴(3330)이 형성된다. 제1 검사 패턴(3210)이 형성되어 있지 않아 약 50%의 광이 통과한 부분과 제2 검사 패턴(3220)이 형성되어 있지 않아 약 50%의 광이 통과한 부분에 위치하는 포토 레지스트(130)는 제거된다. 제3 검사 레지스트 패턴(3330)의 외측 형상(3332)은 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 외측 형상(3322)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 레지스트 패턴(3330)의 외측 형상(3332)의 지름(L3332)은 제2 검사 레지스트 패턴(3320)의 외측 형상(3322)의 한 변의 길이(L3322)와 실질적으로 동일하다. 또한, 제3 검사 레지스트 패턴(3330)의 내측 형상(3334)은 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 내측 형상(3314)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 레지스트 패턴(3330)의 내측 형상(3334)의 지름(L3334)은 제1 검사 레지스트 패턴(3310)의 내측 형상(3314)의 한 변의 길이(L3314)와 실질적으로 동일하다.
다시 도 13을 참조하여, 검사 레지스트 패턴(1300)의 형상으로부터 포토 마스크(1000)의 정렬 오차 여부에 대해 판단한다. 기판(110)의 표식(120)이 제1 검사 레지스트 패턴(1310)의 내부의 중심에 위치하지 않는 경우 첫 번째 분할 노광 공정에서 기판(110)과 포토 마스크(1000) 사이의 정렬 오차가 발생한 것으로 판단할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선 상에 위치하는 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 좌측부의 폭과 우측부의 폭이 상이한 경우, 상측부의 폭과 하측부의 폭이 상이한 경우, 내부의 중심에 기판(110)의 표식(120)이 위치하지 않는 경우 두 번째 분할 노광 공정에서 기판(110)과 포토 마스크(1000) 사이의 정렬 오차가 발생한 것으로 판단할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)과 제3 표시 영역(DA3) 사이의 경계선 상에 위치하는 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 좌측부의 폭과 우측부의 폭이 상이한 경우, 상측부의 폭과 하측부의 폭이 상이한 경우, 내부의 중심에 기판(110)의 표식(120)이 위치하지 않는 경우 세 번째 분할 노광 공정에서 기판(110)과 포토 마스크(1000) 사이의 정렬 오차가 발생한 것으로 판단할 수 있다. 제3 표시 영역(DA3)과 제4 표시 영역(DA4) 사이의 경계선 상에 위치하는 제3 검사 레지스트 패턴(1330)의 좌측부의 폭과 우측부의 폭이 상이한 경우, 상측부의 폭과 하측부의 폭이 상이한 경우, 내부의 중심에 기판(110)의 표식(120)이 위치하지 않는 경우 네 번째 분할 노광 공정에서 기판(110)과 포토 마스크(1000) 사이의 정렬 오차가 발생한 것으로 판단할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)이 제2 검사 레지스트 패턴(1320)의 내부의 중심에 위치하지 않는 경우 네 번째 분할 노광 공정에서 기판(110)과 포토 마스크(1000) 사이의 정렬 오차가 발생한 것으로 판단할 수 있다. 그 이외의 경우에는 기판(110)과 포토 마스크(1000) 사이의 정렬 오차가 없는 것으로 판단할 수 있다.
포토 마스크(1000)의 정렬 오차가 있다고 판단되는 경우 포토 레지스트(130)를 모두 제거할 수 있다. 이어, 기판(110) 위에 포토 레지스트(130)를 다시 형성하고, 노광 및 현상 공정을 진행할 수 있다. 이어, 포토 마스크(1000)의 정렬 오차가 없는 것으로 판단되면, 다음 공정을 진행할 수 있다.
이어, 현상된 포토 레지스트(130)를 마스크로 하여 금속층(140)을 식각함으로써, 도 16에 도시된 바와 같이 검사 금속 패턴(1400)을 형성한다.
검사 금속 패턴(1400)은 현상된 포토 레지스트(130)와 실질적으로 동일한 형상을 가지게 된다. 도시는 생략하였으나, 기판(110)의 표시 영역(DA) 위에는 복수의 금속 패턴이 위치할 수 있다. 금속 패턴을 형성한 후에는 포토 레지스트(130)를 모두 제거할 수 있다.
기판(110)의 주변 영역(PA)에는 검사 금속 패턴(1400)이 위치할 수 있다. 검사 금속 패턴(1400)은 제1 검사 금속 패턴(1410), 제2 검사 금속 패턴(1420) 및 제3 검사 금속 패턴(1430)을 포함할 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(1410), 제2 검사 금속 패턴(1420) 및 제3 검사 금속 패턴(1430)은 기판(110)의 제1 가장자리(111)를 따라 위치할 수 있다. 검사 금속 패턴(1400)은 복수의 제3 검사 금속 패턴(1430)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 3개의 제3 검사 금속 패턴(1430)이 형성될 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(1430)은 제1 검사 금속 패턴(1410)과 제2 검사 금속 패턴(1420) 사이에 위치할 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(1430)은 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계의 연장선 상에 위치할 수 있다. 또한, 제3 검사 금속 패턴(1430)은 제2 표시 영역(DA2)과 제3 표시 영역(DA3) 사이의 경계의 연장선 상에 위치할 수 있다. 또한, 제3 검사 금속 패턴(1430)은 제3 표시 영역(DA3)과 제4 표시 영역(DA4) 사이의 경계의 연장선 상에 위치할 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(1410)은 제1 표시 영역(DA1)과 인접하여 위치할 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(1420)은 제4 표시 영역(DA4)과 인접하여 위치할 수 있다.
각 검사 금속 패턴(1400)은 일정한 간격을 가지도록 위치할 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(1410)과 제3 검사 금속 패턴(1430) 사이의 간격은 복수의 제3 검사 금속 패턴(1430)들 사이의 간격과 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 제1 검사 금속 패턴(1410)과 제3 검사 금속 패턴(1430) 사이의 간격은 제3 검사 금속 패턴(1430)과 제2 검사 금속 패턴(1420) 사이의 간격과 실질적으로 동일할 수 있다.
평면 상에서 각 검사 금속 패턴(1400)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 각 표식(120)은 각 검사 금속 패턴(1400)의 중심에 위치할 수 있다.
검사 금속 패턴(1400)은 제4 검사 금속 패턴(1440), 제5 검사 금속 패턴(1450) 및 제6 검사 금속 패턴(1460)을 더 포함할 수 있다. 제4 검사 금속 패턴(1440), 제5 검사 금속 패턴(1450) 및 제6 검사 금속 패턴(1460)은 기판(110)의 제2 가장자리(112)를 따라 위치할 수 있다. 검사 금속 패턴(1400)은 복수의 제6 검사 금속 패턴(1460)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 3개의 제6 검사 금속 패턴(1460)이 형성될 수 있다. 제6 검사 금속 패턴(1460)은 제4 검사 금속 패턴(1440)과 제5 검사 금속 패턴(1450) 사이에 위치할 수 있다. 제6 검사 금속 패턴(1460)은 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계의 연장선 상, 제2 표시 영역(DA2)과 제3 표시 영역(DA3) 사이의 경계의 연장선 상, 제3 표시 영역(DA3)과 제4 표시 영역(DA4) 사이의 경계의 연장선 상에 위치할 수 있다. 제4 검사 금속 패턴(1440)은 제1 표시 영역(DA1)과 인접하여 위치할 수 있다. 제5 검사 금속 패턴(1450)은 제4 표시 영역(DA4)과 인접하여 위치할 수 있다.
제1 검사 금속 패턴(1410), 제2 검사 금속 패턴(1420) 및 제3 검사 금속 패턴(1430)은 서로 다른 형상을 가질 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(1410), 제2 검사 금속 패턴(1420) 및 제3 검사 금속 패턴(1430)은 동일한 형상을 가질 수 있고, 이때 그 크기는 상이할 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(1410)을 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 금속 패턴(1420)과 일부 중첩할 수 있다.
제4 검사 금속 패턴(1440)은 제1 검사 금속 패턴(1410)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다. 제5 검사 금속 패턴(1450)은 제2 검사 금속 패턴(1420)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다. 제6 검사 금속 패턴(1460)은 제3 검사 금속 패턴(1430)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다.
다만, 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 제4 검사 금속 패턴(1440)은 제1 검사 금속 패턴(1410)과 상이한 형상을 가질 수 있고, 제5 검사 금속 패턴(1450)은 제2 검사 금속 패턴(1420)과 상이한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제4 검사 금속 패턴(1440)이 제2 검사 금속 패턴(1420)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다. 또한, 제5 검사 금속 패턴(1450)이 제1 검사 금속 패턴(1410)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 동일한 크기를 가질 수 있다.
이하에서, 도 17을 참조하여 제1 검사 금속 패턴(1410), 제2 검사 금속 패턴(1420) 및 제3 검사 금속 패턴(1430)의 형상에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 17은 제1 검사 금속 패턴, 제2 검사 금속 패턴 및 제3 검사 금속 패턴을 기판의 표식과 함께 도시한 평면도이다.
도 17에 도시된 바와 같이, 제1 검사 금속 패턴(1410)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(1410)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제1 검사 금속 패턴(1410)의 중심에 위치할 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(1410)의 외측 형상(1412)과 내측 형상(1414)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 검사 금속 패턴(1410)의 외측 형상(1412) 및 내측 형상(1414)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 검사 금속 패턴(1410)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 검사 금속 패턴(1410)의 외측 형상(1412) 및 내측 형상(1414)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(1410)의 외측 형상(1412)은 내측 형상(1414)보다 크므로, 제1 검사 금속 패턴(1410)의 외측 형상(1412)의 한 변의 길이(L1412)는 제1 검사 금속 패턴(1410)의 내측 형상(1414)의 한 변의 길이(L1414)보다 길다.
제2 검사 금속 패턴(1420)은 다각형으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 제2 검사 금속 패턴(1420)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(1420) 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제2 검사 금속 패턴(1420)의 중심에 위치할 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(1420)의 외측 형상(1422)은 사각형으로 이루어지고, 내측 형상은 없을 수 있다. 즉, 제2 검사 금속 패턴(1420)은 내부가 채워져있는 사각형으로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 검사 금속 패턴(1420)은 정사각형으로 이루어질 수 있다.
제2 검사 금속 패턴(1420)의 외측 형상(1322)은 제1 검사 금속 패턴(1410)의 내측 형상(1414)보다 클 수 있고, 제1 검사 금속 패턴(1410)의 외측 형상(1412)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 금속 패턴(1420)의 외측 형상(1422)의 한 변의 길이(L1422)는 제1 검사 금속 패턴(1410)의 내측 형상(1414)의 한 변의 길이(L1414)보다 길고, 제1 검사 금속 패턴(1410)의 외측 형상(1412)의 한 변의 길이(L1412)보다 짧을 수 있다.
제1 검사 금속 패턴(1410)을 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 금속 패턴(1420)과 일부 중첩할 수 있다. 이때, 제2 검사 금속 패턴(1420)은 제1 검사 금속 패턴(1410)의 외측 형상(1412)의 내부에 위치하게 된다. 제1 검사 금속 패턴(1410)의 내측 형상(1414)은 제2 검사 금속 패턴(1420)의 내부에 위치하게 된다.
제3 검사 금속 패턴(1430)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(1430)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제3 검사 금속 패턴(1430)의 중심에 위치할 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(1430)의 외측 형상(1432)과 내측 형상(1434)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제3 검사 금속 패턴(1430)은 외측 형상(1432) 및 내측 형상(1434)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제3 검사 금속 패턴(1430)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제3 검사 금속 패턴(1430)의 외측 형상(1432) 및 내측 형상(1434)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(1430)의 외측 형상(1432)은 내측 형상(1434)보다 크므로, 제3 검사 금속 패턴(1430)의 외측 형상(1432)의 한 변의 길이(L1432)는 제3 검사 금속 패턴(1430)의 내측 형상(1434)의 한 변의 길이(L1434)보다 길다.
제1 검사 금속 패턴(1410)은 제1 검사 레지스트 패턴(1310)을 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여 형성되며, 제1 검사 레지스트 패턴(1310)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(1420)은 제2 검사 레지스트 패턴(1320)을 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여 형성되며, 제2 검사 레지스트 패턴(1320)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(1430)은 제3 검사 레지스트 패턴(1330)을 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여 형성되며, 제3 검사 레지스트 패턴(1330)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(1430)의 외측 형상(1432)은 제2 검사 금속 패턴(1420)의 외측 형상(1422)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 금속 패턴(1430)의 외측 형상(1432)의 한 변의 길이(L1432)는 제2 검사 금속 패턴(1420)의 외측 형상(1422)의 한 변의 길이(L1422)와 실질적으로 동일하다. 또한, 제3 검사 금속 패턴(1430)의 내측 형상(1434)은 제1 검사 금속 패턴(1410)의 내측 형상(1414)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 금속 패턴(1430)의 내측 형상(1434)의 한 변의 길이(L1434)는 제1 검사 금속 패턴(1410)의 내측 형상(1414)의 한 변의 길이(L1414)와 실질적으로 동일하다.
일 실시예에 의한 제1 검사 금속 패턴, 제2 검사 금속 패턴 및 제3 검사 금속 패턴의 형상은 이에 한정되지 않으며 다양하게 변경될 수 있다. 이하에서 도 18 및 도 19를 참조하여 일 실시예에 의한 제1 검사 금속 패턴, 제2 검사 금속 패턴 및 제3 검사 금속 패턴의 형상에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 18 및 도 19는 일 실시예에 의한 제1 검사 금속 패턴, 제2 검사 금속 패턴 및 제3 검사 금속 패턴의 변형예를 도시한 평면도이다.
먼저, 도 18에 도시된 바와 같이, 제1 검사 금속 패턴(2410)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(2410)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제1 검사 금속 패턴(2410)의 중심에 위치할 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(2410)의 외측 형상(2412) 및 내측 형상(2414)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 검사 금속 패턴(2410)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 검사 금속 패턴(2410)의 외측 형상(2412) 및 내측 형상(2414)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(2410)의 외측 형상(2412)은 내측 형상(2414)보다 크므로, 제1 검사 금속 패턴(2410)의 외측 형상(2412)의 한 변의 길이(L2412)는 제1 검사 금속 패턴(2410)의 내측 형상(2414)의 한 변의 길이(L2414)보다 길다.
제2 검사 금속 패턴(2420)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(2420) 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제2 검사 금속 패턴(2420)의 중심에 위치할 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(2420)의 외측 형상(2422) 및 내측 형상(2424)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제2 검사 금속 패턴(2420)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 검사 금속 패턴(2420)의 외측 형상(2422) 및 내측 형상(2424)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(2420)의 외측 형상(2422)은 내측 형상(2424)보다 크므로, 제2 검사 금속 패턴(2420)의 외측 형상(2422)의 한 변의 길이(L2422)는 제2 검사 금속 패턴(2420)의 내측 형상(2424)의 한 변의 길이(L2424)보다 길다.
제2 검사 금속 패턴(2420)의 외측 형상(2422)은 제1 검사 금속 패턴(2410)의 내측 형상(2414)보다 클 수 있고, 제1 검사 금속 패턴(2410)의 외측 형상(2412)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 금속 패턴(2420)의 외측 형상(2422)의 한 변의 길이(L2422)는 제1 검사 금속 패턴(2410)의 내측 형상(2414)의 한 변의 길이(L2414)보다 길고, 제1 검사 금속 패턴(2410)의 외측 형상(2412)의 한 변의 길이(L2412)보다 짧을 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(2420)의 내측 형상(2424)은 제1 검사 금속 패턴(2410)의 내측 형상(2414)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 금속 패턴(2420)의 내측 형상(2424)의 한 변의 길이(L2424)는 제1 검사 금속 패턴(2410)의 내측 형상(2414)의 한 변의 길이(L2414)보다 짧을 수 있다.
제1 검사 금속 패턴(2410)을 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 금속 패턴(2420)과 일부 중첩할 수 있다. 이때, 제2 검사 금속 패턴(2420)의 외측 형상(2422)은 제1 검사 금속 패턴(2410)의 외측 형상(2412)의 내부에 위치하게 된다. 제1 검사 금속 패턴(2410)의 내측 형상(2414)은 제2 검사 금속 패턴(2420)의 외측 형상(2422)의 내부에 위치하게 된다. 제2 검사 금속 패턴(2420)의 내측 형상(2424)은 제1 검사 금속 패턴(2410)의 내측 형상(2414)의 내부에 위치하게 된다.
제3 검사 금속 패턴(2430)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(2430)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제3 검사 금속 패턴(2430)의 중심에 위치할 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(2430)의 외측 형상(2432)과 내측 형상(2434)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제3 검사 금속 패턴(2430)은 외측 형상(2432) 및 내측 형상(2434)은 사각형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제3 검사 금속 패턴(2430)은 사각 링형상으로 이루어질 수 있다. 이때, 제3 검사 금속 패턴(2430)의 외측 형상(2432) 및 내측 형상(2434)은 각각 정사각형으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(2430)의 외측 형상(2432)은 내측 형상(2434)보다 크므로, 제3 검사 금속 패턴(2430)의 외측 형상(2432)의 한 변의 길이(L2432)는 제3 검사 금속 패턴(2430)의 내측 형상(2434)의 한 변의 길이(L2434)보다 길다.
제1 검사 금속 패턴(2410)은 제1 검사 레지스트 패턴(2310)을 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여 형성되며, 제1 검사 레지스트 패턴(2310)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(2420)은 제2 검사 레지스트 패턴(2320)을 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여 형성되며, 제2 검사 레지스트 패턴(2320)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(2430)은 제3 검사 레지스트 패턴(2330)을 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여 형성되며, 제3 검사 레지스트 패턴(2330)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(2430)의 외측 형상(2432)은 제2 검사 금속 패턴(2420)의 외측 형상(2422)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 금속 패턴(2430)의 외측 형상(2432)의 한 변의 길이(L2432)는 제2 검사 금속 패턴(2420)의 외측 형상(2422)의 한 변의 길이(L2422)와 실질적으로 동일하다. 또한, 제3 검사 금속 패턴(2430)의 내측 형상(2434)은 제1 검사 금속 패턴(2410)의 내측 형상(2414)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 금속 패턴(2430)의 내측 형상(2434)의 한 변의 길이(L2434)는 제1 검사 금속 패턴(2410)의 내측 형상(2414)의 한 변의 길이(L2414)와 실질적으로 동일하다.
다음으로, 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 검사 금속 패턴(3410)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(3410)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제1 검사 금속 패턴(3410)의 중심에 위치할 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(3410)의 외측 형상(3412) 및 내측 형상(3414)은 원형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 검사 금속 패턴(3410)은 원형 링형상으로 이루어질 수 있다. 제1 검사 금속 패턴(3410)의 외측 형상(3412)은 내측 형상(3414)보다 크므로, 제1 검사 금속 패턴(3410)의 외측 형상(3412)의 지름(L3412)은 제1 검사 금속 패턴(3410)의 내측 형상(3414)의 지름(L3414)보다 길다.
제2 검사 금속 패턴(3420)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(3420) 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제2 검사 금속 패턴(3420)의 중심에 위치할 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(3420)의 외측 형상(3422) 및 내측 형상(3424)은 원형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제2 검사 금속 패턴(3420)은 원형 링형상으로 이루어질 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(3420)의 외측 형상(3422)은 내측 형상(3424)보다 크므로, 제2 검사 금속 패턴(3420)의 외측 형상(3422)의 지름(L3422)은 제2 검사 금속 패턴(3420)의 내측 형상(3424)의 지름(L3424)보다 길다.
제2 검사 금속 패턴(3420)의 외측 형상(3422)은 제1 검사 금속 패턴(3410)의 내측 형상(3414)보다 클 수 있고, 제1 검사 금속 패턴(3410)의 외측 형상(3412)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 금속 패턴(3420)의 외측 형상(3422)의 지름(L3422)은 제1 검사 금속 패턴(3410)의 내측 형상(3414)의 지름(L3414)보다 길고, 제1 검사 금속 패턴(3410)의 외측 형상(3412)의 지름(L3412)보다 짧을 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(3420)의 내측 형상(3424)은 제1 검사 금속 패턴(3410)의 내측 형상(3414)보다 작을 수 있다. 따라서, 제2 검사 금속 패턴(3420)의 내측 형상(3424)의 지름(L3424)은 제1 검사 금속 패턴(3410)의 내측 형상(3414)의 지름(L3414)보다 짧을 수 있다.
제1 검사 금속 패턴(3410)을 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 경계선에 수직한 방향으로 쉬프트 시키면 제2 검사 금속 패턴(3420)과 일부 중첩할 수 있다. 이때, 제2 검사 금속 패턴(3420)의 외측 형상(3422)은 제1 검사 금속 패턴(3410)의 외측 형상(3412)의 내부에 위치하게 된다. 제1 검사 금속 패턴(3410)의 내측 형상(3414)은 제2 검사 금속 패턴(3420)의 외측 형상(3422)의 내부에 위치하게 된다. 제2 검사 금속 패턴(3420)의 내측 형상(3424)은 제1 검사 금속 패턴(3410)의 내측 형상(3414)의 내부에 위치하게 된다.
제3 검사 금속 패턴(3430)은 링형상으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(3430)의 내부에는 기판(110)의 표식(120)이 위치할 수 있다. 기판(110)의 표식(120)은 제3 검사 금속 패턴(3430)의 중심에 위치할 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(3430)의 외측 형상(3432) 및 내측 형상(3434)은 원형으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제3 검사 금속 패턴(3430)은 원형 링형상으로 이루어질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(3430)의 외측 형상(3432)은 내측 형상(3434)보다 크므로, 제3 검사 금속 패턴(3430)의 외측 형상(3432)의 지름(L3432)은 제3 검사 금속 패턴(3430)의 내측 형상(3434)의 지름(L3434)보다 길다.
제1 검사 금속 패턴(3410)은 제1 검사 레지스트 패턴(3310)을 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여 형성되며, 제1 검사 레지스트 패턴(3310)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제2 검사 금속 패턴(3420)은 제2 검사 레지스트 패턴(3320)을 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여 형성되며, 제2 검사 레지스트 패턴(3320)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(3430)은 제3 검사 레지스트 패턴(3330)을 마스크로 하여 식각 공정을 진행하여 형성되며, 제3 검사 레지스트 패턴(3330)과 실질적으로 동일한 형상 및 동일한 크기를 가질 수 있다. 제3 검사 금속 패턴(3430)의 외측 형상(3432)은 제2 검사 금속 패턴(3420)의 외측 형상(3422)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 금속 패턴(3430)의 외측 형상(3432)의 한 변의 길이(L3432)는 제2 검사 금속 패턴(3420)의 외측 형상(3422)의 한 변의 길이(L3422)와 실질적으로 동일하다. 또한, 제3 검사 금속 패턴(3430)의 내측 형상(3434)은 제1 검사 금속 패턴(3410)의 내측 형상(3414)과 실질적으로 동일하다. 따라서, 제3 검사 금속 패턴(3430)의 내측 형상(3434)의 한 변의 길이(L3434)는 제1 검사 금속 패턴(3410)의 내측 형상(3414)의 한 변의 길이(L3414)와 실질적으로 동일하다.
이하에서, 도 20을 참조하여 검사 금속 패턴을 포함하는 일 실시예에 의한 표시 장치의 단면 형상에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 20은 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 도 20은 일 실시예에 의한 표시 장치의 표시 영역 및 주변 영역을 함께 도시하고 있다.
도 20에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치는 기판(110), 기판(110) 위에 위치하는 박막 트랜지스터(TR) 및 이에 연결되어 있는 화소 전극(191)을 포함한다. 표시 영역(DA)에는 복수의 화소가 위치할 수 있고, 각 화소에는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TR) 및 적어도 하나의 화소 전극(191)이 위치할 수 있다.
박막 트랜지스터(TR)는 기판(110) 위에 위치하는 게이트 전극(125), 게이트 전극(125)과 중첩하는 반도체(154), 반도체(154) 위에 서로 이격하여 위치하는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(125)과 반도체(154) 사이에는 게이트 절연막(140)이 위치할 수 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에는 보호막(180)이 위치할 수 있다. 보호막(180)은 드레인 전극(175)과 중첩하는 개구부(185)를 포함할 수 있다. 보호막(180) 위에는 화소 전극(191)이 위치할 수 있다. 화소 전극(191)은 개구부(185)를 통해 드레인 전극(175)과 연결될 수 있다.
주변 영역(PA)에는 검사 금속 패턴(1400)이 위치한다. 검사 금속 패턴(1400)은 기판(110) 위에 위치하고, 기판(110)과 검사 금속 패턴(1400) 사이에는 게이트 절연막(140)이 위치할 수 있다. 검사 금속 패턴(1400)은 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 동일한 층에 위치할 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 검사 금속 패턴(1400) 위에는 보호막(180)이 위치할 수 있다.
다만, 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 검사 금속 패턴(1400)의 위치는 다양하게 변경이 가능하다. 예를 들면, 검사 금속 패턴(1400)은 게이트 전극(125)과 동일한 층에 위치하거나, 화소 전극(191)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 또는, 검사 금속 패턴(1400)이 서로 다른 복수의 층에 위치할 수도 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 기판 120: 표식
130: 포토 레지스트 140: 금속층
1000: 포토 마스크 1100: 마스크 기판
1210, 2210, 3210: 제1 검사 패턴 1220, 2220, 3220: 제2 검사 패턴
1230: 제3 검사 패턴 1240: 제4 검사 패턴
1300: 검사 레지스트 패턴
1310, 2310, 3310: 제1 검사 레지스트 패턴
1320, 2320, 3320: 제2 검사 레지스트 패턴
1330, 2330, 3330: 제3 검사 레지스트 패턴
1340: 제4 검사 레지스트 패턴 1350: 제5 검사 레지스트 패턴
1360: 제6 검사 레지스트 패턴 1400: 검사 금속 패턴
1410, 2410, 3410: 제1 검사 금속 패턴
1420, 2420, 3420: 제2 검사 레지스트 패턴
1430, 2430, 3430: 제3 검사 레지스트 패턴
1440: 제4 검사 레지스트 패턴 1450: 제5 검사 레지스트 패턴
1460: 제6 검사 레지스트 패턴

Claims (22)

  1. 마스크 기판,
    상기 마스크 기판의 제1 가장자리를 따라 위치하는 제1 검사 패턴 및 제2 검사 패턴을 포함하고,
    상기 제1 검사 패턴은 링형상으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 패턴은 링형상, 다각형 또는 원형으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 패턴의 외측 형상은 상기 제1 검사 패턴의 내측 형상보다 크고, 상기 제1 검사 패턴의 외측 형상보다 작은 포토 마스크.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 검사 패턴의 외측 형상 및 내측 형상은 정사각형으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 패턴은 정사각형으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 패턴의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 길고, 상기 제1 검사 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이보다 짧은 포토 마스크.
  3. 제1항에서,
    상기 제2 검사 패턴은 링형상으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 패턴의 내측 형상은 상기 제1 검사 패턴의 내측 형상보다 작은 포토 마스크.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 검사 패턴의 외측 형상 및 내측 형상은 정사각형으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 패턴의 외측 형상 및 내측 형상을 정사각형으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 길고, 상기 제1 검사 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이보다 짧고,
    상기 제2 검사 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 짧은 포토 마스크.
  5. 제1항에서,
    상기 마스크 기판의 상기 제1 가장자리와 마주보는 제2 가장자리를 따라 위치하는 제3 검사 패턴 및 제4 검사 패턴을 더 포함하고,
    상기 제1 검사 패턴과 상기 제3 검사 패턴은 상기 마스크 기판의 상기 제1 가장자리와 상기 제2 가장자리를 연결하는 제3 가장자리와 나란한 제1 가상선 상에 위치하고,
    상기 제2 검사 패턴과 상기 제4 검사 패턴은 상기 제3 가장자리와 나란한 제2 가상선 상에 위치하는 포토 마스크.
  6. 제5항에서,
    상기 제3 검사 패턴은 상기 제1 검사 패턴과 동일한 형상을 가지고,
    상기 제4 검사 패턴은 상기 제2 검사 패턴과 동일한 형상을 가지는 포토 마스크.
  7. 제5항에서,
    상기 제1 검사 패턴 및 상기 제3 검사 패턴을 상기 제1 가상선에 수직한 방향으로 쉬프트 시킬 때, 상기 제1 검사 패턴은 상기 제2 검사 패턴과 일부 중첩하고, 상기 제3 검사 패턴은 상기 제4 검사 패턴과 일부 중첩하는 포토 마스크.
  8. 기판 위에 금속층 및 포토 레지스트를 순차적으로 형성하는 단계,
    상기 기판 위에 포토 마스크를 대응시키고, 상기 포토 마스크에 광을 조사하는 단계,
    상기 포토 마스크를 쉬프트 시키고, 상기 포토 마스크에 광을 조사하는 공정을 반복하는 단계,
    상기 포토 레지스트를 현상하여 검사 레지스트 패턴을 형성하는 단계,
    상기 검사 레지스트 패턴의 형상으로부터 상기 포토 마스크의 정렬 오차 여부에 대해 판단하여, 정렬 오차가 있으면 다시 상기 포토 레지스트를 형성하고, 노광 및 현상 공정을 진행하는 단계,
    현상된 포토 레지스트를 마스크로 하여 상기 금속층을 식각하는 단계를 포함하고,
    상기 검사 레지스트 패턴은
    상기 기판의 제1 가장자리를 따라 위치하는 제1 검사 레지스트 패턴, 제2 검사 레지스트 패턴 및 제3 검사 레지스트 패턴을 포함하고,
    상기 제3 검사 레지스트 패턴은 상기 제1 검사 레지스트 패턴과 상기 제2 검사 레지스트 패턴 사이에 위치하고,
    상기 제1 검사 레지스트 패턴 및 상기 제3 검사 레지스트 패턴은 링형상으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 레지스트 패턴은 링형상, 다각형 또는 원형으로 이루어지는 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에서,
    상기 제2 검사 레지스트 패턴의 외측 형상은 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상보다 크고, 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 외측 형상보다 작은 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에서,
    상기 제3 검사 레지스트 패턴의 외측 형상은 상기 제2 검사 레지스트 패턴의 외측 형상과 동일하고,
    상기 제3 검사 레지스트 패턴의 내측 형상은 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상과 동일한 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 기판은 상기 기판의 가장자리에 위치하는 복수의 표식을 포함하고,
    상기 복수의 표식 각각은 상기 제1 검사 레지스트 패턴, 상기 제2 검사 레지스트 패턴 및 상기 제3 검사 레지스트 패턴 내에 위치하는 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제10항에서,
    상기 제1 검사 레지스트 패턴의 외측 형상 및 내측 형상은 정사각형으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 레지스트 패턴은 정사각형으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 레지스트 패턴의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 길고, 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이보다 짧은 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제10항에서,
    상기 제2 검사 레지스트 패턴은 링형상으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 레지스트 패턴의 내측 형상은 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상보다 작은 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 제1 검사 레지스트 패턴의 외측 형상 및 내측 형상은 정사각형으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 레지스트 패턴의 외측 형상 및 내측 형상을 정사각형으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 레지스트 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 길고, 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 외측 형상의 한 변의 길이보다 짧고,
    상기 제2 검사 레지스트 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이는 상기 제1 검사 레지스트 패턴의 내측 형상의 한 변의 길이보다 짧은 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제10항에서,
    상기 금속층을 식각하는 단계에서,
    상기 제1 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가지는 제1 검사 금속 패턴, 상기 제2 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가지는 제2 검사 금속 패턴, 및 상기 제3 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가지는 제3 검사 금속 패턴을 형성하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제10항에서,
    상기 검사 레지스트 패턴은 복수의 제3 검사 레지스트 패턴을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제10항에서,
    상기 기판의 제1 가장자리와 마주보는 제2 가장자리를 따라 위치하는 제4 검사 레지스트 패턴, 제5 검사 레지스트 패턴 및 제6 검사 레지스트 패턴을 포함하고,
    상기 제6 검사 레지스트 패턴은 상기 제4 검사 레지스트 패턴과 제5 검사 레지스트 패턴 사이에 위치하고,
    상기 제4 검사 레지스트 패턴은 상기 제1 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가지고,
    상기 제5 검사 레지스트 패턴은 상기 제2 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가지고,
    상기 제6 검사 레지스트 패턴은 상기 제3 검사 레지스트 패턴과 동일한 형상을 가지는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 기판,
    상기 기판의 제1 가장자리를 따라 위치하는 제1 검사 금속 패턴, 제2 검사 금속 패턴 및 제3 검사 금속 패턴을 포함하고,
    상기 제3 검사 금속 패턴은 상기 제1 검사 금속 패턴과 상기 제2 검사 금속 패턴 사이에 위치하고,
    상기 제1 검사 금속 패턴 및 상기 제3 검사 금속 패턴은 링형상으로 이루어지고,
    상기 제2 검사 금속 패턴은 링형상, 다각형 또는 원형으로 이루어지는 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 제2 검사 금속 패턴의 외측 형상은 상기 제1 검사 금속 패턴의 내측 형상보다 크고, 상기 제1 검사 금속 패턴의 외측 형상보다 작은 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 제3 검사 금속 패턴의 외측 형상은 상기 제2 검사 금속 패턴의 외측 형상과 동일하고,
    상기 제3 검사 금속 패턴의 내측 형상은 상기 제1 검사 금속 패턴의 내측 형상과 동일한 표시 장치.
  21. 제20항에서,
    상기 기판은 상기 기판의 가장자리에 위치하는 복수의 표식을 포함하고,
    상기 복수의 표식 각각은 상기 제1 검사 금속 패턴, 상기 제2 검사 금속 패턴 및 상기 제3 검사 금속 패턴 내에 위치하는 표시 장치.
  22. 제20항에서,
    상기 기판 위에 위치하는 게이트 전극,
    상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체,
    상기 반도체 위에 서로 이격하여 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극,
    상기 드레인 전극에 연결되어 있는 화소 전극을 더 포함하고,
    상기 제1 검사 금속 패턴, 상기 제2 검사 금속 패턴 및 상기 제3 검사 금속 패턴은 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 또는 상기 화소 전극과 동일한 층에 위치하는 표시 장치.
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