TW201406972A - 有機層沈積組件、有機層沈積裝置、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents
有機層沈積組件、有機層沈積裝置、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201406972A TW201406972A TW102113394A TW102113394A TW201406972A TW 201406972 A TW201406972 A TW 201406972A TW 102113394 A TW102113394 A TW 102113394A TW 102113394 A TW102113394 A TW 102113394A TW 201406972 A TW201406972 A TW 201406972A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- deposition
- organic layer
- substrate
- layer deposition
- patterned
- Prior art date
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 547
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 title claims abstract description 296
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 562
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 222
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims abstract description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 73
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 44
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 89
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 11
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QNTVPKHKFIYODU-UHFFFAOYSA-N aluminum niobium Chemical compound [Al].[Nb] QNTVPKHKFIYODU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
為了改進沉積層之特性,本發明揭露一種有機層沉積組件、有機層沈積裝置、有機發光顯示裝置、以及製造有機發光顯示裝置的方法。有機層沉積組件包含用於釋出沉積材料的沉積源;安置在沉積源之一側且含有複數個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元;以及安置面向沉積源噴嘴單元且含有複數個圖案化隙縫以及一或多個對準確認圖樣狹縫的圖案化縫片,對準確認圖樣狹縫係形成在該複數個圖案化隙縫之邊緣部分中,其中當沉積製程執行時,從沉積源釋出的沉積材料係通過圖案化縫片,然後形成在基板上。
Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年8月3日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0085389號之優先權及效益,其全部內容係於此併入作為參考。
下列描述係有關於一種有機層沈積組件、有機層沈積裝置、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法,更特別的是,係有關於一種改進沉積層特性的有機層沈積組件、有機層沈積裝置、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法。
近年來,顯示裝置已經被可攜式薄平面顯示裝置取代。在平面顯示裝置之中,有機發光顯示裝置係具有寬廣視角、極好對比率以及高反應速度的自發光顯示裝置,如此,其被視為是下一世代顯示裝置。
有機發光顯示設備包含中間層、第一電極、第二電極以及各種薄層。中間層包含有機發光層(EML),且當電壓施加至第一電極與第二電極時,係藉由有機EML產生可見光。
為了形成有機發光顯示裝置所包含的中間層與各種薄層,可使用沉積製程。在這方面,沉積光罩係通常經由沉積製程用於在基板上形成特定圖樣。
然而,在使用沉積光罩的沉積製程中係難以形成精細與細微圖樣(fine and minute pattern)。特別的是,當有機發光顯示裝置的尺寸增加時,難以執行基板與沉積光罩之間的對準,其難以控制沉積層之特性,即沉積層之細微圖樣。
其結果是,沉積層之特性之改進係受到限制。
為了容易地改進沉積層之特性,本發明之實施例的態樣係針對有機層沉積組件、有機層沈積裝置、有機發光顯示裝置、製造有機發光顯示裝置的方法。
根據本發明的實施例,係提供一種用於在基板上沉積有機層的有機層沉積組件,其包含用於釋出沉積材料的沉積源;安置在沉積源之一側且含有複數個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元;以及圖案化縫片,其安置面向沉積源噴嘴單元且含有複數個圖案化隙縫、以及形成在複數個圖案化隙縫之邊緣部分的一或多個對準確認圖樣狹縫,其中當沉積製程執行時,從沉積源釋出的沉積材料係穿透圖案化縫片然後形成在基板上。
圖案化縫片可包含形成在複數個圖案化隙縫中的鄰近圖案化隙縫之間的中間區、以及環繞複數個圖案化隙縫的外部區,而一或多個對準確認圖樣狹縫可形成在外部區之一部分上。
圖案化縫片可在一方向上形成小於基板。
複數個沉積源噴嘴可沿著第一方向形成在沉積源噴嘴單元中,複數個圖案化隙縫可沿著第一方向形成,而有機層沉積組件可進一步包含含有複數個防護板的防護板組件,複數個防護板係在沉積源噴嘴單元與圖案化縫片之間沿著第一方向安置且將在沉積源噴嘴單元與圖案化縫片之間的空間分隔成複數個沉積空間。
複數個防護板中各防護板可沿著大致上垂直於第一方向之第二方向上延伸。
防護板組件可包含含有複數個第一防護板的第一防護板組件、以及含有複數個第二防護板的第二防護板組件。
各複數個第一防護板與各複數個第二防護板可沿著大致上垂直於第一方向的一第二方向延伸,並將沉積源噴嘴單元與圖案化縫片之間的空間分隔成複數個沉積空間。
複數個沉積源噴嘴可在沉積源噴嘴單元中沿著第一方向形成,而複數個圖案化隙縫可沿著大致上垂直於第一方向的第二方向形成。
沉積源、沉積源噴嘴單元以及圖案化縫片可使用連接構件一體地結合。
連接構件可引導沉積材料之流動路徑。
連接構件可自外部密封沉積源、沉積源噴嘴單元以及圖案化縫片之間的空間。
根據本發明的另一實施例,提供一種有機層沈積裝置,其包含用於在基板上沉積複數個沉積材料的複數個有機層沉積組件,各複數個有機層沉積組件包含用於釋出複數個沉積材料之一沉積材料的沉積源;安置在沉積源之一側且含有複數個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元;以及安置面向沉積源噴嘴單元且包含複數個圖案化隙縫及形成在複數個圖案化隙縫之邊緣部分上之一或多個對準確認圖樣狹縫的複數個圖案化縫片,其中當沉積製程執行時,從沉積源釋出的沉積材料係通過複數個圖案化縫片,然後形成在基板上。
在一實施例中,當複數個圖案化縫片對齊於基板藉此在基板上沉積沉積材料時,分别地形成在複數個圖案化縫片中的一或多個對準確認圖樣狹縫係彼此不重疊。
當基板依序地通過複數個有機層沉積組件時,不同沉積材料可經由複數個圖案化縫片分别地沉積在基板上,且複數個對準確認圖樣可經由分别地形成在複數個圖案化縫片中的一或多個對準確認圖樣狹縫而形成在基板上。
有機層沈積裝置可進一步包含一輸送單元,其含有配置以固定基板且隨著基板移動的一傳輸單元、用於在一第一方向上移動基板所固定的傳輸單元的第一輸送單元、以及在完成沉積後用於在相反於第一方向的一方向上移動與基板分離之傳輸單元的第二輸送單元;用於固定基板在傳輸單元上的裝載單元;維持在真空狀態的腔室,且複數個有機層沉積組件係安置在腔室中;以及將通過複數個有機層沉積組件而完成沉積的基板與傳輸單元分離的卸載單元,其中傳輸單元係配置以在第一輸送單元與第二輸送單元之間周期性地移動,以及其中當藉著第一輸送單元傳輸時,固定在傳輸單元上之基板係配置以與複數個有機層沉積組件分隔一設定距離。
第一輸送單元與第二輸送單元可通過在腔室中的複數個有機層沉積組件。
第一輸送單元與第二輸送單元可配置於彼此上方與下方。
第一輸送單元可依序地將傳輸單元輸送至裝載單元、腔室以及卸載單元。
第二輸送單元可依序地將傳輸單元輸送至卸載單元、腔室以及裝載單元。
根據本發明的另一實施例,提供一種使用有機層沈積裝置製造有機發光顯示裝置的方法,有機層沈積裝置包含用於在基板上沉積複數個沉積材料的複數個有機層沉積組件,各複數個有機層沉積組件包含用於釋出複數個沉積材料之一沉積材料的沉積源;安置在沉積源之一側且包含複數個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元;以及安置面向沉積源噴嘴單元的複數個圖案化縫片,且複數個圖案化縫片包含複數個圖案化隙縫以及形成在複數個圖案化隙縫之邊緣部分的一或多個對準確認圖樣狹縫,其中從沉積源釋出的沉積材料係穿透複數個圖案化縫片然後形成在基板上,藉此執行沉積製程,其中有機發光顯示裝置包含複數個薄膜,其包含第一電極、含有有機發光層(有機EML)的中間層以及第二電極,且其中當有機發光顯示裝置之至少一有機層形成時,該方法包含使用有機層沈積裝置形成至少一有機層;以及在形成至少一有機層時,經由一或多個對準確認圖樣狹縫在基板上形成複數個對準確認圖樣之操作。
使用有機層沈積裝置所形成的至少一有機層可為包含在中間層中的其中一層。
當基板依序地通過複數個有機層沉積組件時,不同沉積材料可經由複數個圖案化縫片分别地沉積在基板上,以及複數個對準確認圖樣可經由形成在複數個圖案化縫片中的一或多個對準確認圖樣狹縫而分別地形成在基板上。
形成至少一有機層之操作可包含以下操作: 使用裝載單元固定基板至傳輸單元;使用安裝以通過腔室的第一輸送單元將基板固定於其上的傳輸單元移動至腔室;當複數個有機層沉積組件係形成在腔室中,且在腔室中基板與複數個有機層沉積組件係相分隔一設定距離時,以在基板相對於複數個有機層沉積組件而相對地移動時,將從複數個有機層沉積組件所釋出的沉積材料沉積在基板上之方式來形成至少一有機層;使用卸載單元將完成沉積的基板與傳輸單元相分離;以及使用安裝以通過腔室的第二輸送單元,將與基板分離的傳輸單元移動至裝載單元。
當基板通過複數個有機層沉積組件時,沉積可在基板上依序地執行。
根據本發明的另一實施例,係提供一種使用有機層沈積裝置所形成的有機發光顯示裝置,此有機發光顯示裝置包含劃分為顯示區與非顯示區的基板;安置在非顯示區中且使用有機層沈積裝置所形成的複數個有機層對準確認圖樣;形成在顯示區中的第一電極;包含形成在第一電極上且含有有機發光層(有機EML)的至少一有機層的中間層;以及形成在中間層上的第二電極,其中包含在基板上之中間層中的至少一有機層係使用有機層沈積裝置所形成,且為線型圖樣。
在使用有機層沈積裝置形成在基板上且形成偏離沉積區域之中心的各有機層中,較偏離沉積區域之中心的傾斜側(斜邊)可大於另一傾斜側(斜邊)。
使用有機層沈積裝置在基板上所形成且安置在沉積區域之中心的有機層之傾斜側(斜邊)可具有大致上相同的長度。
使用有機層沈積裝置在基板上所形成的有機層可相對於沉積區域之中心而對稱地配置。
基板可具有40英寸或大於40英寸之尺寸。
使用有機層沈積裝置所形成的有機層可包含有機發光層。
使用有機層沈積裝置所形成的有機層可包含輔助發光層。
使用有機層沈積裝置所形成的有機層可具有非均勻之厚度。
1000...有機發光顯示裝置
1...有機層沈積裝置
100...沉積單元
100-1...第一有機層沉積組件
100-2...第二有機層沉積組件
100-3...第三有機層沉積組件
100-4...第四有機層沉積組件
100-11...第十一有機層沉積組件
101...腔室
102...腳座
103...下殼體
104...上殼體
104-1...容置部
110...沉積源
111...坩堝
112...加熱器
115...沉積材料
120...沉積源噴嘴單元
121...沉積源噴嘴
130、130-1、130-2、130-3、130-4...圖案化縫片
131、131a、131b、131c、131d、131e...圖案化隙縫
132...中間區
133...外部區
135...框架
135A、135B、135C、135D...對準確認圖樣狹縫
140...防護構件
150...第一階臺
160...第二階臺
170...影像擷取構件
171...相機容置單元
180...感測器
190...沉積源更換單元
2...基板
22...緩衝層
23...主動層
24...閘極絕緣層
25...閘極電極
26...層間絕緣層
27...源極電極
28...汲極電極
29...鈍化層
200...裝載單元
212...第一架體
214...傳輸室
218...第一翻轉室
219...緩衝室
30...第一電極
31...像素定義層
32...中間層
33...第二電極
300...卸載單元
322...第二架體
324...排出室
328...第二翻轉室
400...輸送單元
410...第一輸送單元
411...線圈
412...導引構件
420...第二輸送單元
421...線圈
422...滾筒導軌
423...充電軌道
430...傳輸單元
431...載體
431a...主體部
431b...磁軌
431c...CPS模組
431d...電源供應單元
432、600...靜電吸盤
500...圖案化縫片更換單元
700、800、900...有機層沉積組件
710、810、910...沉積源
711、911...坩堝
712、912...加熱器
715、815、915...沉積材料
720、820、920...沉積源噴嘴單元
721、821、921...沉積源噴嘴
730...防護板組件
731...防護板
732...防護板框架
750、850、950...圖案化縫片
751、851、951...圖案化隙縫
752、852、952...中間區
753、853、953...對準確認圖樣狹縫
755、855、955...框架
830...第一防護板組件
840...第二防護板組件
831...第一防護板
841...第二防護板
842...第二防護板框架
935...連接構件
A...箭頭方向
11、12、13、14...長度
S...沉積空間
C...中心線
SR1、SR5...右側陰影
SL1、SL2、SL3、SL4、SL5...左側陰影
P1、P2、P3、P4、P5...有機層
θb、θc、θd、θe...臨界入射角
IP1、IP2、IP3、IP4...對準確認圖樣
DA...顯示區
NA...非顯示區
藉由參考附圖詳細描述例示性實施例本發明的上述內容與其他特性以及優點將變成更清楚明顯,其中:
第1圖係為繪示根據本發明的實施例之複數個有機層沉積組件以及含有有機層沉積組件的有機層沈積裝置之結構的意平面圖;
第2圖係為第1圖之有機層沈積裝置之有機層沉積組件之示意側視圖;
第3圖係為繪示第1圖之有機層沈積裝置之有機層沉積組件之示意透視圖;
第4圖係為繪示第3圖之有機層沉積組件之示意剖面圖;
第5A圖至第5D圖繪示相對於複數個圖案化縫片的對準確認圖樣狹縫;
第6圖係為根據本發明的實施例之有機層沉積組件之的示意透視圖;
第7圖係為第6圖之有機層沉積組件的剖面側視圖;
第8圖係為第6圖之有機層沉積組件的剖面平面圖;
第9圖係為根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件之的示意透視圖;
第10圖係為根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件之的示意透視圖;
第11圖係為繪示第1圖之有機層沈積裝置之有相等間隔配置之圖案化隙縫的圖案化縫片的圖式;
第12圖係為繪示根據本發明的實施例之第11圖之使用圖案化縫片在基板上形成的有機層之圖式;
第13圖係為根據本發明的實施例之使用有機層沈積裝置製造有機發光顯示裝置之平面圖;以及
第14圖係沿著第13圖中的XIV-XIV線取得的有機發光顯示裝置之剖面圖。
第1圖係為繪示根據本發明的實施例之複數個有機層沉積組件以及含有有機層沉積組件的有機層沈積裝置之結構的意平面圖;
第2圖係為第1圖之有機層沈積裝置之有機層沉積組件之示意側視圖;
第3圖係為繪示第1圖之有機層沈積裝置之有機層沉積組件之示意透視圖;
第4圖係為繪示第3圖之有機層沉積組件之示意剖面圖;
第5A圖至第5D圖繪示相對於複數個圖案化縫片的對準確認圖樣狹縫;
第6圖係為根據本發明的實施例之有機層沉積組件之的示意透視圖;
第7圖係為第6圖之有機層沉積組件的剖面側視圖;
第8圖係為第6圖之有機層沉積組件的剖面平面圖;
第9圖係為根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件之的示意透視圖;
第10圖係為根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件之的示意透視圖;
第11圖係為繪示第1圖之有機層沈積裝置之有相等間隔配置之圖案化隙縫的圖案化縫片的圖式;
第12圖係為繪示根據本發明的實施例之第11圖之使用圖案化縫片在基板上形成的有機層之圖式;
第13圖係為根據本發明的實施例之使用有機層沈積裝置製造有機發光顯示裝置之平面圖;以及
第14圖係沿著第13圖中的XIV-XIV線取得的有機發光顯示裝置之剖面圖。
下文中,將藉由參考附圖說明本發明之例示性實施例來更詳細描述本發明。
第1圖係為繪示根據本發明的實施例之複數個有機層沉積組件100-1至100-11以及含有有機層沉積組件100-1至100-11的有機層沈積裝置1之結構的意平面圖。第2圖係為第1圖之有機層沈積裝置1之有機層沉積組件100-1至100-11之示意側視圖。第3圖係為繪示第1圖之有機層沈積裝置1之有機層沉積組件100-1之示意透視圖。第4圖係為繪示第3圖之有機層沉積組件100-1之示意剖面圖。
請參閱第1圖至第4圖,有機層沈積裝置1包含有機層沉積組件100-1至100-11。亦即,有機層沈積裝置1包含依序地安置的有機層沉積組件100-1、有機層沉積組件100-2、有機層沉積組件100-3以及有機層沉積組件100-4至100-11。雖然圖中未繪示,有機層沈積裝置1中的有機層沉積組件之數量可變化。
而且,有機層沈積裝置1包含沉積單元100、裝載單元200、卸載單元300以及輸送單元400(參考第3圖及第4圖)。
裝載單元200可包含第一架體212、傳輸室214、第一翻轉室218、以及緩衝室219。
複數個基板2(參閱第3圖及第4圖),其上尚未施加沉積材料,係在第一架體212上向上堆疊。包含在傳輸室214中的傳輸機器係從第一架體212中拿起複數個基板2中的其中一個,將其安置在藉由第一輸送單元420傳輸的傳輸單元430上,並將上面安置有基板2的傳輸單元430移動至第一翻轉室218。
第一翻轉室218係安置鄰近傳輸室214。第一翻轉室218包含第一翻轉機器,其係翻轉傳輸單元430然後將其裝載上沉積單元100之第一輸送單元410。
請參閱第1圖,傳輸室214之傳輸機器係放置其中一基板2在傳輸單元430之上表面上,以及上面安置有基板2的傳輸單元430係被傳輸至第一翻轉室218。第一翻轉室218之第一翻轉機器係翻轉傳輸單元430致使基板2在沉積單元100中被翻轉倒掛。
卸載單元300係配置以與上述裝載單元200相反的方式進行操作。特別的是,在第二翻轉室328中的第二翻轉機器係翻轉已傳輸經過沉積單元100的傳輸單元430,且基板2係安置在傳輸單元430上,然後將上面安置有基板2的傳輸單元430移動至排出室(ejection chamber) 324。然後,排出機器(ejection robot)將其上面安置有基板2的傳輸單元430從排出室324取出,並將基板2與傳輸單元430分離,然後將基板2裝載在第二架體322上。與基板2分離的傳輸單元430係經由第二輸送單元420回到裝載單元200。
然而,本發明不限於上述範例。例如,當安置基板2在傳輸單元430上時,基板2可固定到傳輸單元430之底表面上,而然後移動至沉積單元100。在此實施例中,例如,第一翻轉室218之第一翻轉機器以及第二翻轉室328之第二翻轉機器可省略不用。
沉積單元100可包含用於沉積的至少一腔室。在腔室101中,係安置有機層沉積組件100-1、100-2…100-11。請參閱第1圖,十一個有機層沉積組件,即第一有機層沉積組件100-1、第二有機層沉積組件100-2、…以及第十一有機層沉積組件100-11,係安置在腔室101中,但是有機層沉積組件之數量可隨著所需沉積材料以及沉積條件而變化。腔室101在沉積製程期間係維持在真空。
有基板2固定其上的傳輸單元430可藉由第一輸送單元410而至少被移動到沉積單元100或可依序地移動到裝載單元200、沉積單元100以及卸載單元300,而且卸載單元300中與基板2分離的傳輸單元430可藉由第二輸送單元420被移動回裝載單元200。
當傳輸單元430通過沉積單元100時第一輸送單元410係通過腔室101,而第二輸送單元420係輸送與基板2相分離的傳輸單元430。
有機層沈積裝置1係以此方式配置以致於第一輸送單元410與第二輸送單元420分别地安置在上方與下方,致使通過第一輸送單元410且其上沉積已經完成的傳輸單元430在卸載單元300中與基板2分離,而傳輸單元430係經由形成在第一輸送單元410下方的第二輸送單元420退回到裝載單元200,藉此有機層沈積裝置1可具有改進的空間利用效率。
沉積單元100可進一步包含安置在每一有機層沉積組件之一側的沉積源更換單元190。雖然在圖式中未特別地繪示,沉積源更換單元190可形成能從每一有機層沉積組件拉出至外部的卡匣型(cassette-type)。如此,第一有機層沉積組件100-1之沉積源110(參見第3圖)可容易地替換。
第1圖係繪示有機層沈積裝置1,在其中兩組含有裝載單元200、沉積單元100、卸載單元300,以及輸送單元400的結構係平行配置。亦即,可見到的是二個有機層沈積裝置1係分别地配置在一側與另一側(在第1圖中的上方與下方)。在此實施例中,圖案化縫片更換單元500可安置在二個有機層沈積裝置1之間。亦即,相比於每一有機層沈積裝置1皆包含一個圖案化縫片更換單元500,由於此結構構造,二個有機層沈積裝置1係共用圖案化縫片更換單元500,其可導致改進的空間利用效率。
請參閱第3圖與第4圖,根據本實施例之有機層沈積裝置1之沉積單元100係包含至少一有機層沉積組件100-1以及輸送單元400。
下文中,將描述沉積單元100之全部結構。
腔室101可形成為中空板箱型且容置至少一有機層沉積組件100-1與輸送單元400。在另一叙述方式,腳座102係形成藉此固定沉積單元100在地面上,下殼體103係安置在腳座102上,以及上殼體104係安置在下殼體103上。腔室101係容置下殼體103與上殼體104。在這方面,下殼體103之連接部係與腔室101密封致使腔室101之内部完全地與外部隔離。由於下殼體103與上殼體104安置在固定於地面上的腳座102上的結構,即使腔室101重複地縮回與擴展,下殼體103與上殼體104可維持在固定位置。如此,下殼體103與上殼體104可作為沉積單元100中的參考框架。
輸送單元400之有機層沉積組件100-1與第一輸送單元410係安置在上殼體104,而輸送單元400之第二輸送單元420係安置在下殼體103。當傳輸單元430周期性地在第一輸送單元410與第二輸送單元420之間移動,沉積製程可連續地執行。
下文中,係詳細描述有機層沉積組件100-1之構成部分。
第一有機層沉積組件100-1包含沉積源110、沉積源管口單元120、圖案化縫片130-1、防護構件140、第一階臺150、第二階臺160、影像擷取構件170以及感測器180。在這方面,在第3圖與第4圖繪示的所有元件可配置在維持於適當之真空狀態的腔室101。為達成沉積材料之線型係需要此結構。
特別的是,為了將從沉積源110釋出並穿透沉積源管口單元120與圖案化縫片130-1的沉積材料115沉積成所需圖樣在基板2上,其較理想的是將腔室(圖中未顯示)維持在與用於精細金屬光罩(FMM)之沉積方法相同的真空狀態。此外,圖案化縫片130-1之溫度應該足夠低於沉積源11之溫度,因為當圖案化縫片130-1之溫度足夠低時,圖案化縫片130-1之熱膨脹可最小化。
待沉積沉積材料115於其上的基板2係配置在腔室101。基板2可為平面顯示裝置之基板。例如,用於製造複數個平面顯示裝置的大基板,例如具有40英寸或更大尺寸的母體玻璃,可用作基板2。
根據本實施例,沉積製程可在基板2相對於有機層沉積組件100-1移動時執行。
在使用FMM的傳統沉積方法,FMM的尺寸必須與基板的尺寸相同。如此,當基板的尺寸增加時,FMM亦必須是大尺寸。由於這些問題,其難以製造FMM以及延伸FMM以將FMM與精確圖樣對齊。
為了解决這些問題,在根據本實施例之有機層沉積組件100-1中,有機層沉積組件100-1與基板2可相對於彼此移動而執行沉積。換句話說,面對有機層沉積組件100-1的基板2在y軸方向上移動時,沉積可連續地執行。亦即,沉積係以掃描方式執行,而基板2係在第3圖中繪示之箭頭方向A移動。雖然當執行沉積時,在腔室101中基板2係繪示於Y軸方向移動,但本發明不因此受限制。例如,沉積執行時,有機層沉積組件100-1可在Y軸方向上移動而基板2係維持在固定位置上。
如此,在有機層沉積組件100-1中,圖案化縫片130-1可遠小於用於傳統沉積方法的FMM。換句話說,在有機層沉積組件100-1中,當基板2在Y軸方向上移動時,沉積係連續地執行,即以掃描方式執行。如此,圖案化縫片130-1在X軸方向與在Y軸方向上的至少一長度可遠小於基板2之長度。因為圖案化縫片130-1可形成遠小於用於傳統沉積方法的FMM,所以容易製造圖案化縫片130-1。亦即,小圖案化縫片130-1係比用於傳統沉積方法之FMM更有利於製造流程,其包含精確伸長(precise elongation)之後的蝕刻、焊接、傳輸、以及清洗流程。此外,此係更有利於製造相對大的顯示裝置。
如上所述,當有機層沉積組件100-1與基板2彼此相對移動時,為了執行沉積,有機層沉積組件100-1與基板2可彼此相分隔一特定距離。以下係更詳細描述。
含有且加熱沉積材料115的沉積源110係安置在對面於(面向)基板2所安置於腔室 101之側的側上。當包含於沉積源110中的沉積材料115汽化時,在基板2上執行沉積。
沉積源110包含填充沉積材料115的坩堝111以及氣化沉積材料115的加熱器112。
沉積源噴嘴單元120係安置在沉積源110面向基板2之側上。在此,在有機層沉積組件100-1中,沉積源噴嘴121可為不同地形成以沉積形成共同層與圖樣層。亦即,在沉積源噴嘴單元120中,複數個沉積源噴嘴121可形成在Y軸方向上,即基板2之掃描方向,以形成圖樣層。如此,在本實施例中,沉積源噴嘴121係形成以致於僅one line of沉積源噴嘴121形成在X軸方向上,以顯著地減少陰影發生。在另一方面,雖然圖中未繪示,在沉積源噴嘴單元120中,沉積源噴嘴121可形成在X軸方向上以形成共同層。藉由如此,可改進共同層之厚度均勻性。
圖案化縫片130-1係安置在沉積源110與基板2之間。圖案化縫片130-1可附著至具有與視窗框(window frame)相似形狀的框架(圖中未顯示)。
圖案化縫片130-1包含配置在X軸方向上的複數個圖案化隙縫131(如第5A圖所示)。已經在沉積源110中汽化的沉積材料115係穿透沉積源噴嘴單元120與圖案化縫片130-1,然後沉積到基板2上。在這方面,圖案化縫片130-1可使用與形成FMM,特別的是條紋型遮罩,相同之方法來形成,例如蝕刻。在這方面,圖案化隙縫131之總數量可大於沉積源噴嘴121之總數量。
圖案化縫片130-1包含對準確認圖樣狹縫。第5A圖至第5D圖係繪示相對於複數個圖案化縫片130-1至130-4的對準確認圖樣狹縫135A至135D。
第5A圖係繪示有機層沉積組件100-1之圖案化縫片130-1。圖案化縫片130-1包含複數個圖案化隙縫131。不允許沉積材料通過的中間區132係形成在各鄰近圖案化隙縫131之間,而外部區133係在131圖案化隙縫之外部環繞圖案化隙縫131。亦即,外部區133係形成相對於圖案化縫片130-1之圖案化隙縫131之下側、上側、左側與右側。對準確認圖樣狹縫135A係形成在外部區133中。更詳細地說,對準確認圖樣狹縫135A係形成在圖案化隙縫131之左側與右側的每一外部區133中。雖然圖中未繪示,對準確認圖樣狹縫135A之數量可為一個或者可為至少三個。而且,,對準確認圖樣狹縫135A可形成在圖案化隙縫131之上側或下側的外部區133中。
第5B圖係繪示有機層沉積組件100-2之圖案化縫片130-2。圖案化縫片130-2包含複數個圖案化隙縫131。中間區132係形成在各鄰近圖案化隙縫131之間,而外部區133係在131圖案化隙縫之外部環繞圖案化隙縫131。亦即,外部區133係形成相對於圖案化縫片130-2之圖案化隙縫131之下側、上側、左側與右側。對準確認圖樣狹縫135B係形成在外部區133中。更詳細地說,對準確認圖樣狹縫135B係形成在圖案化隙縫131之左側與右側的每一外部區133中。雖然圖中未繪示,對準確認圖樣狹縫135B之數量可為一個或者可為至少三個。而且,,對準確認圖樣狹縫135B可形成在圖案化隙縫131之上側或下側的外部區133中。
特別的是,對準確認圖樣狹縫135B係不重疊圖案化縫片130-1之對準確認圖樣狹縫135A。亦即,當沉積製程執行,而基板2依序地通過有機層沉積組件100-1與有機層沉積組件100-2,在正常對準狀態中在基板2上經由對準確認圖樣狹縫135A形成的沉積圖樣以及經由對準確認圖樣狹縫135B形成的沉積圖樣係彼此不重疊。
第5C圖係繪示有機層沉積組件100-3之圖案化縫片130-3。圖案化縫片130-3包含複數個圖案化隙縫131。中間區132係形成在各鄰近圖案化隙縫131之間,而外部區133係位在圖案化隙縫131外部環繞圖案化隙縫131。亦即,外部區133係形成相對於圖案化縫片130-3之圖案化隙縫131之下側、上側、左側與右側。對準確認圖樣狹縫135C係形成在外部區133中。更詳細地說,對準確認圖樣狹縫135C係形成在圖案化隙縫131之左側與右側的每一外部區133中。雖然圖中未繪示,對準確認圖樣狹縫135C之數量可為一個或者可為至少三個。而且,對準確認圖樣狹縫135C可形成在圖案化隙縫131之上側或下側的外部區133中。
特別的是,對準確認圖樣狹縫135C係不重疊圖案化縫片130-1之對準確認圖樣狹縫135A以及圖案化縫片130-2之對準確認圖樣狹縫135B。亦即,當沉積製程執行,而基板2依序地通過有機層沉積組件100-1、有機層沉積組件100-2100-2以及有機層沉積組件100-3,在正常對準狀態中在基板2上經由對準確認圖樣狹縫135A形成的沉積圖樣、對準確認圖樣狹縫135B形成的沉積圖樣以及經由對準確認圖樣狹縫135C形成的沉積圖樣係彼此不重疊。
第5D圖係繪示有機層沉積組件100-4之圖案化縫片130-4。圖案化縫片130-4包含複數個圖案化隙縫131。中間區132係形成在各鄰近圖案化隙縫131之間,而外部區133係位在圖案化隙縫131外部環繞圖案化隙縫131。亦即,外部區133係形成相對於圖案化縫片130-4之圖案化隙縫131之下側、上側、左側與右側。對準確認圖樣狹縫135D係形成在外部區133中。更詳細地說,對準確認圖樣狹縫135D係形成在圖案化隙縫131之左側與右側的每一外部區133中。雖然圖中未繪示,對準確認圖樣狹縫135D之數量可為一個或者可為至少三個。而且,對準確認圖樣狹縫135D可形成在圖案化隙縫131之上側或下側的外部區133中。
特別的是,對準確認圖樣狹縫135D係不重疊圖案化縫片130-1之對準確認圖樣狹縫135A、圖案化縫片130-2之對準確認圖樣狹縫135B以及圖案化縫片130-3之對準確認圖樣狹縫135C。亦即,當沉積製程執行,而基板2依序地通過有機層沉積組件100-1、有機層沉積組件100-2、有機層沉積組件100-3以及有機層沉積組件100-4,在正常對準狀態中在基板2上經由對準確認圖樣狹縫135A形成的沉積圖樣、經由對準確認圖樣狹縫135B形成的沉積圖樣、經由對準確認圖樣狹縫135C形成的沉積圖樣以及經由對準確認圖樣狹縫135D形成的沉積圖樣係彼此不重疊。
在本實施例中,沉積製程執行而基板2與有機層沉積組件100-1至100-11相對於彼此移動,致使基板2與圖案化縫片(例如圖案化縫片130-1、130-2、130-3與130-4)需要相對於彼此精確地對齊。特別的是,每一有機層沉積組件100-1至100-11係沉積至少二個不同有機層,基板2與有機層沉積組件100-1至100-11之圖案化縫片需要相對於彼此精確地對準。在本實施例中,對準確認圖樣狹縫135A係形成在圖案化縫片130-1中,致使用於確認基板2與圖案化縫片130-1之間的對準的對準圖樣係形成在基板2上實際上執行沉積製程之區域以外的區域中。
藉此,在沉積製程執行而基板2通過有機層沉積組件100-1至100-4之後,其可能確認圖案化縫片130-1至130-4與基板2之間的對準狀態,然後在確認對準狀態以及修正圖案化縫片130-1至130-4之位置之後,沉積製程可在基板2上精確地執行。
沉積源110(以及耦接沉積源110的沉積源噴嘴單元120)以及圖案化縫片可彼此相分隔一設定或預設距離。
如上所述,當有機層沉積組件100-1相對於基板2而相對移動時有機層沉積組件100-1係執行沉積,而為了允許有機層沉積組件100-1相對地基板2而相對移動,圖案化縫片130-1係與基板2分隔一設定或預設距離。
更詳細地說,根據使用FMM之傳統沉積方法,沉積製程執行時遮罩流程係黏合基板,藉此防止在基板上發生陰影。然而,當遮罩黏合基板時,由於基板與遮罩之間的接觸可能會造成缺陷。而且,因為遮罩不能相對於基板移動,所以遮罩的尺寸必須等於基板的尺寸。然而,當顯示裝置變得大型時,遮罩的尺寸必須增加,但是其難以形成此大型遮罩。
為了解决該上述問題,在根據本實施例之有機層沉積組件100-1中,圖案化縫片130-1係與作為沉積標的之基板2分隔一預設距離。亦即,當小於基板2的圖案化縫片130-1相對於基板2移動時,沉積製程係執行,致使其容易製造圖案化縫片130-1,係可能從根本上防止由於基板2與圖案化縫片130-1之間的接觸所造成的缺陷,且不需要花時間來黏合基板2與圖案化縫片130-1,致使可改進製造速度。
下文中,參見第3圖與第4圖,將描述上殼體104之每一元件之特別設置。
沉積源110與沉積源噴嘴單元120係安置在上殼體104之底部上。複數個容置部104-1係分别地形成在沉積源110與沉積源噴嘴單元120之兩側上而有突出形狀。第一階臺150、第二階臺160以及圖案化縫片130-1係依此順序依序地形成在容置部104-1上。
在這方面,第一階臺150係形成以在X軸方向與Y軸方向上移動致使第一階臺150在X軸與Y軸方向上對準圖案化縫片130-1。亦即,第一階臺150包含複數個致動器,致使第一階臺150在X軸與Y軸方向上相對於上殼體104移動。
第二階臺160係形成以在Z軸方向上移動,藉此在Z軸方向上對準圖案化縫片130-1。亦即,第二階臺160包含複數個致動器,且形成以在Z軸方向上相對於第一階臺150移動。
圖案化縫片130-1係安置在第二階臺160上。圖案化縫片130-1係安置在第一階臺150與第二階臺160上,藉此在X軸方向、Y軸方向以及Z軸方向上移動,如此,可執行在基板2與圖案化縫片130-1之間的對準,特別的是即時對準。
在此,如上所述,其係可能使用對準確認圖樣狹縫135A至135D以確認基板2上的沉積材料之圖樣,且精確地在所需的位置上對準圖案化縫片130-1至130-4。
而且,上殼體104、第一階臺150以及第二階臺160可引導沉積材料115之流動路徑,以致於透過沉積源噴嘴121釋出的沉積材料115不會分散到流動路徑外部。亦即,沉積材料115之流動路徑係被上殼體104、第一階臺150以及第二階臺160密封,如此,沉積材料115在X軸與Y軸方向上的移動可從而同時或同步地被引導。
防護構件140可安置在圖案化縫片與沉積源110之間。特別的是,電極圖樣係形成在基板2之邊緣部分上且用作檢查產品或製造產品的終端。如果有機材料被施加在基板2之區域上,則電極圖樣不能正常地操作。如此,基板2之邊緣部分必須是有機材料或其他相似材料不會施加於其上的非薄膜形成區。如上所述,然而,在有機層沈積裝置1中,基板2係相對於有機層沈積裝置1移動而沉積以掃描方式執行,如此,其不容易防止有機材料沉積在基板2之非薄膜形成區上。
在本實施例中,為了防止有機材料沉積在基板2之非薄膜形成區上,可進一步安置防護構件140在基板2之邊緣部分上。雖然不繪示,防護構件140可包含二個相鄰近的平板。
當基板2不通過有機層沉積組件100-1,防護構件140係遮護沉積源110,如此,從沉積源110釋出的沉積材料115不會到圖案化縫片130-1。當基板2進入有機層沉積組件100-1而防護構件140遮蔽沉積源110,則遮護沉積源110的防護構件140之前部係隨著基板2之移動而移動,如此,沉積材料115之流動路徑係開放而從沉積源110釋出的沉積材料115係通過圖案化縫片130-1且沉積在基板2上。而且,當基板2通過有機層沉積組件100-1時,防護構件140之背部係隨著基板2之移動而移動,以遮護沉積源110致使沉積材料115之流動路徑封閉。因此,從沉積源110釋出的沉積材料115不會到圖案化縫片130-1。
如上所述,基板2之非薄膜形成區係被防護構件140遮蔽,如此,不須使用獨立的結構便能防止有機材料沉積在基板2之非薄膜形成區上。
下文中,係更詳細描述輸送待沉積材料115沉積於其上之基板2的輸送單元400。請參閱第3圖至第4圖,輸送單元400包含第一輸送單元410、第二輸送單元420以及傳輸單元430。
第一輸送單元410係以同線方式輸送包含有載體431、附著載體431之靜電吸盤432、以及附著至靜電吸盤(electrostatic chuck)432之基板2的傳輸單元430,致使有機層可藉由第一有機層沉積組件100-1形成在基板2上。第一輸送單元410包含線圈411、導引構件412、上磁懸浮軸承(圖中未顯示)、側磁懸浮軸承(圖中未顯示)以及間隙感測器(圖中未顯示)。
當傳輸單元430通過沉積單元100而且已完成一個沉積周期之後,第二輸送單元420係將在卸載單元300中已經與基板2分隔的傳輸單元430送回至裝載單元200。第二輸送單元420包含線圈421、滾筒導軌422以及充電軌道423。
傳輸單元430包含沿著第一輸送單元410與第二輸送單元420輸送的載體431、以及結合在載體431表面上的靜電吸盤432,而基板2係附著至靜電吸盤432。
下文中,將更詳細描述輸送單元400之每一元件。
首先,現在將詳細描述傳輸單元430之載體431。
載體431包含主體部431a、磁軌431b、非接觸式電源供應器(CPS)模組431c、以及電源供應單元431d。
主體部431a係構成載體431之基底部且可用磁性材料形成,例如鐵。在這方面,由於主體部431a與個別的上磁懸浮軸承以及側磁懸浮軸承(圖中未顯示)之間的排斥力,載體431可維持與導引構件412相分隔一特定距離,其將於以下描述。
如所繪示,設定或預設導軌凹槽可分别地形成在主體部431a之兩側,而每一導軌凹槽431e可容置導引構件412之導軌凸部。磁軌431b可沿著主體部431a之中心線在主體部431a之進行方向形成。磁軌431b與線圈411可彼此結合組成線性馬達,其係在下方更詳細描述,而載體431可藉由線性馬達在箭頭A方向上輸送。
CPS模組431c與電源供應單元431d可分别地形成在主體部431a中磁軌431b之兩側上。電源供應單元431d包含電池(例如,可充電電池),其係提供電源致使靜電吸盤432能夠吸住(chuck)基板2並維持操作。CPS模組431c係為可充電電源供應單元431d的無線充電模組。特別的是,形成在第二輸送單元420中的充電軌道423,其在下方描述,係連接至變流器(圖中未顯示),如此,當載體431傳輸至第二輸送單元420,磁場係形成在充電軌道423與CPS模組431c之間藉此供給電源給CPS模組431c。供應至CPS模組431c的電源係用於對電源供應單元431d充電。
靜電吸盤432可包含嵌入以陶瓷形成之主體的電極,其中電極係供應電源。當高電壓施加至電極時,基板2係附著在靜電吸盤432之主體之表面上。
以下將更詳細描述傳輸單元430之操作。
主體部431a之磁軌431b與線圈411可彼此結合以組成一操作單元。在這方面,操作單元可為線性馬達。相比於傳統滑動導軌系統,線性馬達具有小摩擦係數、微小位置錯誤、以及非常高程度的位置確定。如上所述,線性馬達可包含線圈411與磁軌431b。磁軌431b係線性安置在載體431上,而複數個線圈411可安置在腔室101之内側上而間隔一特定距離面對磁軌431b。因為磁軌431b係代替線圈411而安置在載體431上,所以載體431不須電源供應亦可進行操作。
在這方面,線圈411可形成在空氣狀態中的氣(ATM)箱中,磁軌431b係附著至載體431,致使載體431可在維持真空的腔室101中移動。
下文中,更詳細描述第一輸送單元410與傳輸單元430。
第一輸送單元410係輸送固定基板2之靜電吸盤432以及輸送用於輸送靜電吸盤432的載體431。
線圈411與導引構件412係形成於上殼體104内部。更詳細地說,線圈411係形成在上殼體104之上方部分中,而導引構件412係分别地形成在上殼體104之兩內側上。導引構件412係導引載體431在一方向上移動。在這方面,導引構件412係形成以通過沉積單元100。
複數個側磁懸浮軸承(圖中未顯示)中的每一側磁懸浮軸承414係安置在導引構件412中,藉此分别地對應於載體431之兩側。側磁懸浮軸承係造成載體431與導引構件412之間的距離,致使載體431在非接觸導引構件412之下沿著導引構件412移動。
每一上磁懸浮軸承(圖中未顯示)可係安置在導引構件 412中,藉此以位在載體431上方。上磁懸浮軸承係致使載體431能在與導引構件412之間維持固定距離之情況下,沿著導引構件412移動。
雖然圖中未繪示,導引構件412可進一步包含間隙感測器(圖中未顯示)藉此測量載體431與個別導引構件412之間的距離。而且,間隙感測器(圖中未顯示)可係安置在上述上磁懸浮軸承與側磁懸浮軸承中。載體431與個別導引構件412之間的距離可根據間隙感測器測量的數值來即時調整。亦即,可使用上磁懸浮軸承、側磁懸浮軸承以及間隙感測器來回授控制載體431之精確傳輸。
下文中,更詳細描述第二輸送單元420與傳輸單元430。
第二輸送單元420係將已經在卸載單元300中與基板2分離的靜電吸盤432、以及乘載靜電吸盤432的載體431送回至裝載單元200。在這方面,第二輸送單元420包含線圈421、滾筒導軌422以及充電軌道423。
特別的是,線圈421、滾筒導軌422以及充電軌道423可位於下殼體103内部。線圈421與充電軌道423可安置在下殼體103之頂部內表面上,而滾筒導軌422可安置在下殼體103之兩內側上。雖然圖中未繪示,線圈421可係安置在ATM箱中,作為第一輸送單元410之線圈411。
與第一輸送單元410相似,第二輸送單元420可包含線圈421。而且,載體431之主體部431a之磁軌431b與線圈421係彼此結合以組成一操作單元。在這方面,操作單元可為線性馬達。載體431可藉由線性馬達沿著相反於第3圖繪示之箭頭A方向的方向上移動。
滾筒導軌422係導引載體431在一方向上移動。在這方面,滾筒導軌422係形成以通過沉積單元100。其結果是,第二輸送單元420係用於送回已經與基板2分離的載體431之流程,而不用於沉積有機材料在基板2上之流程,如此,其位置準確性不須如第一輸送單元410所要求的。因此,磁懸浮係施加至需要高位置準確性的第一輸送單元410,從而取得位置準確性,而傳統滾筒方法係施加至需要相對低之位置準確性的第二輸送單元420,從而減少製造成本以及簡化有機層沈積裝置 1之結構。雖然圖中未繪示,磁懸浮亦可施加至第二輸送單元420,如同第一輸送單元410。
根據本實施例之有機層沈積裝置1之有機層沉積組件100-1可進一步包含用於對準流程的影像擷取構件170以及感測器180。更詳細地說,影像擷取構件170可即時對準形成在與圖案化縫片130-1(圖中未顯示)結合的框架(圖中未顯示)中的第一對準標誌(圖中未顯示),以及形成在基板2上的第二對準標誌(圖中未顯示)。在這方面,影像擷取構件170係安置以在沉積期間中更精確地觀察維持真空的腔室101。為此,影像擷取構件170可安裝在空氣狀態下的相機容置單元171中。
在本實施例中,因為基板2與圖案化縫片130-1係彼此相分隔一特定距離,安置在不同位置的基板2與圖案化縫片130-1之間的距離需使用影像擷取構件170來測量。為此操作,有機層沈積裝置1之有機層沉積組件100-1可包含感測器180。在這方面,感測器180可為共焦感測器(confocal sensor)。共焦感測器可使用利用掃描鏡子高速旋轉的雷射光束掃描待測量的物件,並使用雷射光束射出之螢光性或反射線來測量物件的距離。共焦感測器可藉由感測不同媒體間的邊界界面來測量距離。
因為基板2與圖案化縫片130-1之間的距離可使用影像擷取構件170與感測器180即時測量,所以基板2可即時對準圖案化縫片130-1,藉此可顯著地改進圖樣之位置準確性。
在根據本實施例之有機層沈積裝置1所包含的有機層沉積組件100-1至100-11中,有機層沉積組件100-1至100-11與基板2相對於彼此移動時,執行沉積製程。因此,基板2與用於沉積圖樣的個別圖案化縫片(例如圖案化縫片130-1至130-4)之間的對準係重要的。特別的是,有機層沈積裝置1可包含有機層沉積組件100-1至100-11,而有機層沉積組件100-1至100-11中的至少一些可沉積不同圖樣的沉積層。如此,基板2與用於形成不同沉積圖樣的個別圖案化縫片之間的對準係影響沉積層之特性。例如,當不同沉積圖樣以不理想方式形成而彼此重疊,則沉積層之特性可能會顯著地惡化。在本實施例中,如第5A圖至第5D圖所示,對準確認圖樣狹縫135A至135D係形成在圖案化隙縫131之外部區133中圖案化縫片130-1至130-4中,致使其容易確認基板2與個別圖案化縫片130-1至130-4在之間的對準,且係可能當對準不正確時能修正該對準。
亦即,當基板2在有機層沈積裝置1中依序地通過有機層沉積組件100-1至100-11而使用圖案化隙縫131形成沉積圖樣時,在圖樣沉積在之前可使用對準確認圖樣容易地確認基板2與個別圖案化縫片之間的對準,而對準確認圖樣係使用對準確認圖樣狹縫形成在沉積圖樣之外部。
藉此,可在確認與修正複數個圖案化縫片中未對準的圖案化狹縫之後,執行沉積製程,致使沉積圖樣可精確地形成在基板2上之沉積層上,而其結果是,沉積層之特性可被改進。
第6圖係為根據本發明的實施例之有機層沉積組件700 之的示意透視圖。第7圖係為第6圖之有機層沉積組件700 的剖面圖。第8圖係為第6圖之有機層沉積組件700 的剖面圖。為描述方便,本實施例係以不同於先前實施例的特性之用語描述。
請參閱第6圖至第8圖,有機層沉積組件700包含沉積源710、沉積源噴嘴單元720、防護板組件730、以及圖案化縫片750。
圖案化縫片750係安置在沉積源710與基板2之間。圖案化縫片750係結合具有與視窗框(window frame)相似形狀的框架755。圖案化縫片750包含配置在X軸方向上之複數個圖案化隙縫751。中間區752係形成在相鄰近之圖案化隙縫751之間,且對準確認圖樣狹縫753係形成在圖案化隙縫751之外部。
圖案化縫片750係等於上述圖案化縫片130-1,故在此省略其詳細的描述。
已經在沉積源710中汽化的沉積材料715通過沉積源噴嘴單元 720與圖案化縫片 750,然後朝向作為沉積標的基板2移動。
沉積源710包含有填充沉積材料715的坩堝711、以及加熱坩堝711且將包含在坩堝711中之沉積材料715朝向沉積源噴嘴單元720汽化的加熱器712。沉積源噴嘴單元720係安置在沉積源710之一側,而複數個沉積源噴嘴721係沿著X軸方向形成在沉積源噴嘴單元720上中。
防護板組件730係配置在沉積源噴嘴單元720之一側。防護板組件730包含複數個防護板731、以及安置在防護板731外側上的防護板框架732。複數個防護板731可沿著X軸方向彼此平行安置。在此,複數個防護板731可安置成複數個規則之間隔。而且,每一防護板731可沿著Y-Z平面延伸且可具有矩形形狀。以上述方式安置的複數個防護板731係將沉積源噴嘴單元720與圖案化縫片750之間的空間隔成複數個沉積空間S,如第8圖所繪示,致使來自沉積源噴嘴721釋出的沉積材料係不會與來自其他沉積源噴嘴721釋出的沉積材料混合,但是會通過圖案化狹縫751然後沉積到基板2上。亦即,每一防護板731係作用以導引沉積材料之移動路徑,致使從每一沉積源噴嘴721釋出的沉積材料在Z軸方向上直線移動而不會散射。
如上所述,藉由複數個防護板731之配置可達成沉積材料之線性,致使在基板2上形成的陰影尺寸可顯著地減少,如此有機層沉積組件700與基板2可彼此相分隔一特定距離。
而且,固定於靜電吸盤600上的基板2相對於有機層沉積組件700移動時可進行沉積製程。
雖然圖中未繪示,可配置複數個有機層沉積組件700,而基板2依序地通過複數個有機層沉積組件700時可進行沉積製程。而且,如上述實施例,在有機層沈積裝置中的每一有機層沉積組件700之圖案化縫片750可包含彼此不重疊的對準確認圖樣狹縫753。
第9圖係為根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件800的示意透視圖。為描述方便,本實施例係以不同於先前實施例的特性之用語描述。
請參閱第9圖,有機層沉積組件800包含沉積源 810、沉積源噴嘴單元820、第一防護板組件830、第二防護板組件840以及圖案化縫片850。
圖案化縫片850係安置在沉積源810與基板2之間。圖案化縫片850係結合與視窗框(window frame)相似形狀的框架855。圖案化縫片850包含配置在X軸方向上之複數個圖案化隙縫851。中間區852係形成在相鄰近圖案化隙縫851之間,且對準確認圖樣狹縫853係形成在圖案化隙縫851之外部。
圖案化縫片850係等於上述圖案化縫片130-1,故在此省略其詳細的描述。
而且,沉積源810與第一防護板組件830之特性係與第6圖之先前的實施例之特性相同,故其詳細描述在此省略。本實施例與第6圖之先前實施例不同之處在於第二防護板組件840係配置在第一防護板組件830之一側。
更詳細地說,第二防護板組件840包含複數個第二防護板841以及安置在第二防護板841之外側上的第二防護板框架842。第二防護板841可沿著X軸方向彼此平行安置。亦,第二防護板841可安置成複數個規則之間隔。而且,每一第二防護板841可沿著Y-Z平面延伸,即,可垂直於X軸方向。
以上述方式安置的複數個第一防護板831與第二防護板841係將沉積源噴嘴單元820與圖案化縫片850之間的空間分隔。亦即,本實施例之特徵在於沉積空間由於第一防護板831與第二防護板841而分别地相對於噴灑沉積材料815之複數個沉積源噴嘴821被分隔。
在此,第一防護板831與第二防護板841可對應彼此安置。換句話說,第一防護板831可分别地對準第二防護板841,如此可彼此平行。亦即,彼此相對應的第一防護板831與第二防護板841可位於相同平面上。請參閱第9圖,每一第二防護板841之深度係等於每一第一防護板831在X軸方向上的寬度,但是本發明的態樣不因此受限制。亦即,需要精確地對準鄰近圖案化隙縫851的第二防護板841可相對地薄,然而不需精確地對準鄰近圖案化隙縫851的第一防護板831為了製造容易而可相對地厚。
而且,固定於靜電吸盤600上的基板2相對於有機層沉積組件800移動時可進行沉積製程。
雖然圖中未繪示,可配置複數個有機層沉積組件800,而基板2依序地通過複數個有機層沉積組件800時可進行沉積製程。而且,如上述實施例,在有機層沈積裝置中的每一有機層沉積組件800之圖案化縫片850可包含彼此不重疊的對準確認圖樣狹縫853。
第10圖係為根據本發明的另一實施例之有機層沉積組件900 之的示意透視圖。為描述方便,本實施例係以不同於先前實施例的特性之用語描述。
請參閱第10圖,有機層沉積組件900包含沉積源910、沉積源噴嘴單元920、以及圖案化縫片950。
圖案化縫片950係安置在沉積源910與基板2之間。圖案化縫片950係結合與視窗框相似形狀的框架955。圖案化縫片950包含配置在X軸方向上之複數個圖案化隙縫951。中間區952係形成在相鄰近之圖案化隙縫951之間,且對準確認圖樣狹縫953係形成在圖案化隙縫951之外部。
圖案化縫片950係等於上述圖案化縫片130-1,故在此省略其詳細的描述。
沉積源910包含有填充沉積材料915的坩堝911、以及加熱坩堝911且將包含在坩堝911中之沉積材料915朝向沉積源噴嘴單元920汽化的加熱器912。沉積源噴嘴單元920係安置在沉積源910之一側,而複數個沉積源噴嘴921係沿著Y軸方向形成在沉積源噴嘴單元920上。
使用連接構件935結合沉積源910、沉積源噴嘴單元920以及圖案化縫片950。
複數個沉積源噴嘴單元921係沿著Y軸方向上,即基板2之掃描方向,形成在沉積源噴嘴單元920上。在此,沉積源噴嘴921可安置在複數個規則之間隔。已經在沉積源910中汽化的沉積材料915通過沉積源噴嘴單元920 ,然後朝向作為沉積標的基板2移動。其結果是,在有機層沉積組件900中,沉積源噴嘴921係沿著基板2之掃描方向上形成。在這方面,僅一線之沉積源噴嘴921形成在X軸方向上,如此可顯著地減少陰影發生。而且,因為沉積源噴嘴921係沿著基板2之掃描方向形成,所以可補償發生在複數個沉積源噴嘴121之間的通量差異而且均勻性可維持不變。
而且,當固定於靜電吸盤600上的基板2相對於有機層沉積組件900移動時,可進行沉積製程。
雖然圖中未繪示,可配置複數個有機層沉積組件900,而當基板2依序地通過複數個有機層沉積組件900時可進行沉積製程。而且,如上述實施例,在有機層沈積裝置中的每一有機層沉積組件900之圖案化縫片950可包含彼此不重疊的對準確認圖樣狹縫953。
第11圖係為繪示第1圖之有機層沈積裝置1之有相等間隔配置之圖案化隙縫131的圖案化縫片130 的圖式。第12圖係為繪示根據本發明的實施例之使用第11圖之圖案化縫片130在基板上形成的有機層之圖式。
第11圖與第12圖係繪示圖案化隙縫131係相等間隔配置的圖案化縫片130。亦即,在第11圖中,圖案化隙縫131係滿足下列的條件:l1=l2=l3=l4,其中長度l1、l2、l3與l4係分别地代表在圖案化隙縫131a、131b、131c、131d與131e中二個相鄰近的圖案化隙縫之間的距離。
在此實施例中,沿著沉積空間S之中心線C釋出的沉積材料之入射角係大致上垂直於基板2。如此,使用穿透圖案化狹縫131a之沉積材料形成的有機層P1具有最小尺寸的陰影,而右側陰影SR1與左側陰影SL1係彼此對稱形成。在此,沉積空間S係指在基板2上使用圖案化隙縫131形成沉積圖樣的空間,而非指使用對準確認圖樣狹縫135A形成沉積圖樣的空間。其中,圖案化縫片130係結合與視窗框相似形狀的框架135 。
然而,穿透離沉積空間S之中心線C更遠的圖案化隙縫之沉積材料的臨界入射角係逐漸增加,如此,穿透最外側圖案化狹縫131e的沉積材料之臨界入射角θe係為大約55°。因此,沉積材料係相對於圖案化狹縫131e傾斜入射,而使用穿透圖案化狹縫131e之沉積材料形成的有機層P5具有最大的陰影。特別的是,左側陰影SL5係大於右側陰影SR5。
亦即,當沉積材料之臨界入射角增加,陰影的尺寸亦增加。特別的是,在偏離沉積空間S之中心線C的位置上的陰影尺寸係增加。此外,沉積空間S之中心線C與個別圖案化隙縫之間的距離增加時,沉積材料之臨界入射角增加。如此,使用穿透偏離沉積空間S之中心線C安置的圖案化隙縫的沉積材料形成的有機層有較大的陰影尺寸。特別的是,在個別有機層之兩側上的陰影尺寸,在偏離沉積空間S之中心線C的位置上的陰影尺寸係大於其他位置上的陰影尺寸。
亦即,參閱第12圖,形成在沉積空間S之中心線C左側上的有機層具有左斜邊(左傾斜側)大於右斜邊(右傾斜側)的結構,而形成在沉積空間S之中心線C右側上的有機層具有右斜邊(右傾斜側)大於左斜邊(左傾斜側)的結構。
而且,在形成在沉積空間S之中心線C左側上的有機層中,安置於離中心線C更遠的有機層之左斜邊之長度係朝向左邊增加。形成在沉積空間S之中心線C右側上的有機層中,安置於離中心線C更遠的有機層之右斜邊之長度係朝向右邊增加。因此,形成在沉積空間S中的有機層可依沉積空間S之中心線C而彼此對稱形成。
換句話說,分别地穿透圖案化狹縫131b、131c、131d與131e之沉積材料之臨界入射角θb、θc、θd與θe係滿足下列的條件:θb<θc<θd<θe,如此,有機層P1、P2、P3、P4與P5之左側陰影SL1、SL2、SL3、SL4與SL5之尺寸亦滿足下列的條件:SL1 < SL2 < SL3 < SL4 < SL5。
第13圖係為根據本發明的實施例之使用有機層沈積裝置1所製造的有機發光顯示裝置1000 之平面圖。第14圖係為沿著第13圖中的XIV-XIV線取得的有機發光顯示裝置 1000之剖面圖。
請參閱第13圖與第14圖,有機發光顯示裝置1000包含基板2,其分成顯示區DA與非顯示區NA。
顯示區DA包含複數個像素(圖中未顯示)藉由發出可見光線以實現影像。而且,如第14圖所繪示,每一像素包含第一電極30、含有有機發光層(有機EML)的中間層32、以及形成在基板2上的第二電極33(將提供詳細描述)。
非顯示區NA包含複數個對準確認圖樣IP1、IP2、IP3與IP4。當基板2通過第1圖之有機層沈積裝置1中的有機層沉積組件100-1至100-4時,對準確認圖樣IP1、IP2、IP3與IP4係形成一次。亦即,分别地使用形成在圖案化縫片130-1至130-4中的對準確認圖樣狹縫135A至135D來形成對準確認圖樣IP1、IP2IP3與IP4,如第5A圖至第5D圖所繪示。而且,根據上述其他實施例,對準確認圖樣IP1、IP2、IP3與IP4可使用有機層沉積組件700、800與900來形成。
如上所述,對準確認圖樣狹縫135A至135D係形成且彼此不重疊。藉此,其係可能容易地確認是否圖案化縫片130-1至130-4正確地對齊於基板2。例如,當對準確認圖樣IP1、IP2、IP3與IP4彼此重疊或是形成在不理想的位置中,圖案化縫片130-1至130-4可藉由調整圖案化縫片130-1至130-4之位置以重新對準,而然後可進行沉積製程。
現在將參考第14圖描述有機發光顯示裝置1000之顯示區DA。
緩衝層22係形成在基板2上。基板2可使用玻璃材料、一可撓式塑膠材料或其他各種材料形成。緩衝層22係避免外來物質滲透至基板2,且提供基板2上的平坦表面。緩衝層22可用能夠執行上述功能的各種材料來形成。然而,緩衝層22係非必要元件,而可省略不用。
具有預設圖樣的主動層23係形成在緩衝層22上。主動層23可用無機半導體形成,例如非晶矽或多晶矽,或是用有機半導體形成。主動層23可包含源極區、汲極區以及通道區。可將群組III雜質或群組V雜質摻雜至非晶矽或多晶矽以形成主動層23的源極區與汲極區。
閘極絕緣層24係形成在主動層23上而閘極電極25係形成在閘極絕緣層24的設定或預設區域上。隔離主動層23與閘極電極25的閘極絕緣層24可用有機材料或無機材料形成,例如氮化矽或二氧化矽。
閘極電極25可用選自金、銀、銅、鎳、鉑、鈀、鋁、與鉬所組成之群組中的金屬形成,或可用金屬合金形成,例如鋁釹合金、鉬鎢合金以及其他相似合金。然而,閘極電極25並不因此受限制,可考量相對於鄰近層的黏接性、平坦度、電阻值、可成形性或其他相似特性而使用各種材料形成。
層間絕緣層26係形成在閘極電極25上。層間絕緣層26與閘極絕緣層24可暴露主動層23的源極區與汲極區,而源極電極27與汲極電極28係形成以分别地接觸主動層23之已暴露的源極區與汲極區。
源極電極27與汲極電極28可使用各種導電性材料形成,且可具有單層結構或多層結構。
鈍化層29係形成在薄膜電晶體(TFT)上。更詳細地說,鈍化層29係形成在源極電極27與汲極電極28上。
鈍化層29係不覆蓋汲極電極28之全部區域,但是曝露出汲極電極28之預設區域,然後第一電極30係連接至汲極電極28之該暴露區域。
像素定義層(PDL)31係形成在第一電極30上。像素定義層31係露出第一電極30之設定或預設區域,而含有有機EML的中間層32係形成,該有機EML係接觸第一電極30之暴露區域。接著,第二電極33係形成以連接至中間層32。
含有有機EML的中間層32可形成為小分子有機層或高分子有機層。當有機EML包含一小分子有機層時,電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)或其他相似層可以單層或多層與有機EML堆疊。
在此,含有有機EML的中間層32可使用第1圖至第10圖所示的有機層沈積裝置或有機層沉積組件來形成。
亦即,第一電極30與像素定義層31形成在基板2上之後,中間層32可使用有機層沈積裝置1或有機層沉積組件700、800與900來形成。
例如,在使用第1圖之有機層沈積裝置1之情形中,紅色有機EML、綠色有機EML、藍色有機EML以及輔助EML可藉由分别地使用有機層沉積組件100-1、100-2、100-3與100-4而依序地沉積到基板2上的第一電極30上。在此,藉由使用對準確認圖樣IP1、IP2、IP3與IP4可容易地確認基板2與有機層沉積組件100-1至100-4之個別圖案化縫片130-1至130-4之間的對準,使其可能可以容易地在基板2上形成所需的沉積圖樣,對準確認圖樣IP1、IP2、IP3與IP4係使用對準確認圖樣狹縫135A至135D所形成。
第一電極30可包含用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)。另一選擇,第一電極30可包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物。
第二電極33可包含鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或其化合物。另一選擇,第二電極33可包含氧化銦錫、氧化鋅銦、氧化鋅、氧化銦或其他相似材料。
封裝構件(圖中未顯示)可安置在第二電極33上。封裝構件可作用以保護中間層32與其他層對抗外部濕氣或氧氣。封裝構件可用塑膠材料形成或可具有堆疊有機材料與無機材料之結構。
根據本發明之一或多個實施例之有機層沉積組件、有機層沈積裝置、有機發光顯示裝置、以及製造有機發光顯示裝置的方法,可容易地改進沉積層之特性。
本發明已參考其例示性實施例而特別地顯示及描述,此技術領域中的通常知識者將理解的是在未脫離下列的申請專利範圍,與其等效範圍所分隔之精神與範籌下形式與細節上的各種改變皆為可行。
130-1...圖案化縫片
131...圖案化隙縫
132...中間區
133...外部區
135A...對準確認圖樣狹縫
Claims (33)
- 一種用於在一基板上沉積一有機層的有機層沉積組件,該有機層沉積組件包含:
一沉積源,用於釋出一沉積材料;
一沉積源噴嘴單元,係位在該沉積源之一側,且包含複數個沉積源噴嘴;以及
一圖案化縫片,係面向該沉積源噴嘴單元,且包含複數個圖案化隙縫以及位在該複數個圖案化隙縫之一邊緣部分上的一或多個對準確認圖樣狹縫,
其中當一沉積製程執行時,該沉積源係配置以釋出該沉積材料以通過該圖案化縫片然後沉積在該基板上。 - 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積組件,其中該圖案化縫片包含:
一中間區,係位在該複數個圖案化隙縫中相鄰近之該圖案化隙縫之間,以及
一外部區,係環繞該複數個圖案化隙縫;且
該一或多個對準確認圖樣狹縫係在該外部區中的一部分上。 - 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積組件,其中該圖案化縫片在至少一方向上係小於該基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積組件,其中該複數個沉積源噴嘴係沿著一第一方向形成於該沉積源噴嘴單元中,
該複數個圖案化隙縫係沿著該第一方向形成,以及
該有機層沉積組件進一步包含含有複數個防護板的一防護板組件,該複數個防護板係在該沉積源噴嘴單元與該圖案化縫片之間沿著該第一方向安置且將該沉積源噴嘴單元與該圖案化縫片之間的一空間分隔成複數個沉積空間。 - 如申請專利範圍第4項所述之有機層沉積組件,其中各該複數個防護板係沿著大致上垂直於該第一方向之一第二方向延伸。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機層沉積組件,其中該防護板組件包含含有複數個第一防護板的一第一防護板組件、以及含有複數個第二防護板的一第二防護板組件。
- 如申請專利範圍第6項所述之有機層沉積組件,其中各該複數個第一防護板與各該複數個第二防護板係沿著大致上垂直於該第一方向的一第二方向延伸,並將該沉積源噴嘴單元與該圖案化縫片之間的該空間分隔成該複數個沉積空間。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積組件,其中該複數個沉積源噴嘴係在該沉積源噴嘴單元中沿著一第一方向形成,以及
該複數個圖案化隙縫係沿著大致上垂直於該第一方向的一第二方向形成。 - 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積組件,其中該沉積源、該沉積源噴嘴單元以及該圖案化縫片係使用一連接構件一體地結合。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機層沉積組件,其中該連接構件係配置以導引該沉積材料之一流動路徑。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機層沉積組件,其中該連接構件係自外部密封該沉積源、該沉積源噴嘴單元以及該圖案化縫片之間的一空間。
- 一種有機層沈積裝置,該有機層沈積裝置包含用於在一基板上沉積複數個沉積材料的複數個有機層沉積組件,各該複數個有機層沉積組件包含:
一沉積源,用於釋出該複數個沉積材料中的一沉積材料;
一沉積源噴嘴單元,係位在該沉積源之一側,且包含複數個沉積源噴嘴;以及
複數個圖案化縫片,係面向該沉積源噴嘴單元,且包含複數個圖案化隙縫及位在該複數個圖案化隙縫之一邊緣部分的一或多個對準確認圖樣狹縫,
其中當一沉積製程執行時,該沉積源係配置以釋出該沉積材料以通過該複數個圖案化縫片,然後沉積在該基板上。 - 如申請專利範圍第12項所述之有機層沈積裝置,其中,當該複數個圖案化縫片對齊該基板藉此在該基板上沉積該沉積材料時,
分别地形成在該複數個圖案化縫片中的該一或多個對準確認圖樣狹縫係彼此不重疊。 - 如申請專利範圍第12項所述之有機層沈積裝置,其中,當該基板依序地通過該複數個有機層沉積組件時,該複數個圖案化縫片係配置以分别地在該基板上沉積不同沉積材料,以及
其中該複數個圖案化縫片中的該一或多個對準確認圖樣狹縫係配置以分别地在該基板上形成複數個對準確認圖樣。 - 如申請專利範圍第12項所述之有機層沈積裝置,其進一步包含:
一輸送單元,係包含配置以固定該基板且隨著該基板移動的一傳輸單元、用於在一第一方向上移動該基板所固定的該傳輸單元的一第一輸送單元、以及在完成沉積後用於在相反於該第一方向的一方向上移動與該基板分離之該傳輸單元的一第二輸送單元;
一裝載單元,用於固定該基板在該傳輸單元上;
一腔室,係維持在一真空狀態且該複數個有機層沉積組件係安置在該腔室中;以及
一卸載單元,係將通過該複數個有機層沉積組件而完成沉積的該基板與該傳輸單元分離,
其中該傳輸單元係配置以在該第一輸送單元與該第二輸送單元之間周期性地移動,以及
其中當藉著該第一輸送單元傳輸時,固定在該傳輸單元上之該基板係配置以與該複數個有機層沉積組件分隔一設定距離。 - 如申請專利範圍第15項所述之有機層沈積裝置,其中該第一輸送單元與該第二輸送單元係通過在該腔室中的該複數個有機層沉積組件。
- 如申請專利範圍第15項所述之有機層沈積裝置,其中該第一輸送單元與該第二輸送單元係配置在彼此的上方與下方。
- 如申請專利範圍第15項所述之有機層沈積裝置,其中該第一輸送單元係配置以依序地將該傳輸單元輸送至該裝載單元、該腔室以及該卸載單元。
- 如申請專利範圍第15項所述之有機層沈積裝置,其中該第二輸送單元係配置以依序地將該傳輸單元輸送至該卸載單元、該腔室以及該裝載單元。
- 一種製造一有機發光顯示裝置的方法,其中該方法係使用一有機層沈積裝置來實施,該有機層沈積裝置包含用於在一基板上沉積複數個沉積材料的複數個有機層沉積組件,各該複數個有機層沉積組件包含用於釋出該複數個沉積材料中的一沉積材料的一沉積源;安置在該沉積源之一側且包含複數個沉積源噴嘴的一沉積源噴嘴單元;以及安置面向該沉積源噴嘴單元的複數個圖案化縫片,且該複數個圖案化縫片包含複數個圖案化隙縫以及形成在該複數個圖案化隙縫之一邊緣部分的一或多個對準確認圖樣狹縫,其中當一沉積製程執行時,從該沉積源釋出的該沉積材料係穿透該複數個圖案化縫片然後形成在該基板上,
其中該有機發光顯示裝置包含複數個薄膜,該複數個薄膜包含一第一電極、含有一有機發光層(有機EML)的一中間層以及一第二電極,以及
其中,當該有機發光顯示裝置之至少一有機層形成時,該方法包含:
使用該有機層沈積裝置形成該至少一有機層;以及
當形成該至少一有機層時,經由該一或多個對準確認圖樣狹縫在該基板上形成複數個對準確認圖樣。 - 如申請專利範圍第20項所述之方法,其中使用該有機層沈積裝置所形成的該至少一有機層係為包含在該中間層中的其中一層。
- 如申請專利範圍第20項所述之方法,其中,當該基板依序地通過該複數個有機層沉積組件時,不同沉積材料係經由該複數個圖案化縫片分别地沉積在該基板上,以及
其中該複數個對準確認圖樣係經由形成在該複數個圖案化縫片中的該一或多個對準確認圖樣狹縫分别地形成在該基板上。 - 如申請專利範圍第20項所述之方法,其中該至少一有機層之形成包含:
使用一裝載單元將該基板固定至一傳輸單元;
使用安裝以通過一腔室的一第一輸送單元將與該基板固定的該傳輸單元移動至該腔室;
當該複數個有機層沉積組件形成在該腔室中,且在該腔室中該基板與該複數個有機層沉積組件係相分隔一設定距離時,以在該基板相對於該複數個有機層沉積組件而相對地移動時,將從該複數個有機層沉積組件所釋出的該沉積材料沉積在該基板上之方式來形成該至少一有機層;
使用一卸載單元將完成沉積的該基板與該傳輸單元相分離;以及
使用安裝以通過該腔室的一第二輸送單元,將與該基板分離的該傳輸單元移動至該裝載單元。 - 如申請專利範圍第20項所述之方法,其中,當該基板通過該複數個有機層沉積組件時,沉積係在該基板上依序地執行。
- 一種使用一有機層沈積裝置所形成的有機發光顯示裝置,該有機發光顯示裝置包含:
一基板,劃分為一顯示區與一非顯示區;
複數個有機層對準確認圖樣,係安置在該非顯示區中,且係使用該有機層沈積裝置所形成;
一第一電極,係形成在該顯示區中;
一中間層,係包含形成在該第一電極上且包含一有機發光層(有機EML)的至少一有機層;以及
一第二電極,係形成在該中間層上,
其中包含在該基板上之該中間層中的該至少一有機層係使用該有機層沈積裝置所形成,且為一線型圖樣。 - 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置,其中在使用該有機層沈積裝置形成在該基板上且形成偏離一沉積區域之一中心的各該有機層中,較偏離該沉積區域之該中心的一傾斜側係大於另一傾斜側。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置,其中使用該有機層沈積裝置在該基板上所形成的該有機層中較偏離一沉積區域之一中心的其中一層之傾斜側之長度係大於在較靠近該沉積區域之該中心所形成的其他該有機層之傾斜側之長度。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置,其中使用該有機層沈積裝置在該基板上所形成且安置在一沉積區域之一中心的該有機層之傾斜側具有大致上相同的長度。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置,其中使用該有機層沈積裝置在該基板上所形成的該有機層係相對於一沉積區域之一中心而對稱地配置。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置,其中該基板具有40英寸之尺寸或大於40英寸之尺寸。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置,其中使用該有機層沈積裝置所形成的該有機層包含該有機發光層。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置,其中使用該有機層沈積裝置所形成的該有機層包含一輔助發光層。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光顯示裝置,其中使用該有機層沈積裝置所形成的該有機層具有非均勻之厚度。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120085389A KR101944918B1 (ko) | 2012-08-03 | 2012-08-03 | 유기층 증착 어셈블리, 유기층 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201406972A true TW201406972A (zh) | 2014-02-16 |
Family
ID=50024583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102113394A TW201406972A (zh) | 2012-08-03 | 2013-04-16 | 有機層沈積組件、有機層沈積裝置、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9570714B2 (zh) |
KR (1) | KR101944918B1 (zh) |
CN (1) | CN103572204A (zh) |
TW (1) | TW201406972A (zh) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5328726B2 (ja) | 2009-08-25 | 2013-10-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
JP5677785B2 (ja) | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
US8876975B2 (en) * | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
KR101084184B1 (ko) | 2010-01-11 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101193186B1 (ko) | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101156441B1 (ko) | 2010-03-11 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101223723B1 (ko) | 2010-07-07 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101723506B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR20120045865A (ko) | 2010-11-01 | 2012-05-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR101760897B1 (ko) | 2011-01-12 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치 |
KR101852517B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101857249B1 (ko) | 2011-05-27 | 2018-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR20130004830A (ko) | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR101826068B1 (ko) | 2011-07-04 | 2018-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 |
CN103545460B (zh) * | 2012-07-10 | 2017-04-12 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置、有机发光显示设备及其制造方法 |
KR102081284B1 (ko) | 2013-04-18 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
CN103864008B (zh) * | 2014-03-10 | 2016-01-20 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法 |
CN103864009B (zh) * | 2014-03-11 | 2016-08-24 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 利用介质膜掩膜板实现具有斜坡状边缘金属薄膜图形方法 |
KR102495986B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2023-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN104894527A (zh) * | 2015-06-11 | 2015-09-09 | 科瑞自动化技术(苏州)有限公司 | 硬盘盘片真空溅射镀膜夹持工装 |
US9905813B2 (en) * | 2015-06-29 | 2018-02-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device, organic layer depositing apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the organic layer depositing apparatus |
KR102437101B1 (ko) | 2015-12-24 | 2022-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 어셈블리, 이를 포함하는 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US10673095B2 (en) | 2017-09-13 | 2020-06-02 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Electrochemical cells having ionic liquid-containing electrolytes |
CN110029322B (zh) * | 2019-05-27 | 2021-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板蒸镀对位系统以及监控像素位置测量的方法和装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002175878A (ja) | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法 |
JP3705237B2 (ja) | 2001-09-05 | 2005-10-12 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子を用いた表示装置の製造システムおよび製造方法 |
JP2003297562A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸着方法 |
KR100538325B1 (ko) | 2002-12-31 | 2005-12-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 표시소자와 그 제조방법 및 장치 |
JP4630535B2 (ja) | 2003-11-14 | 2011-02-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置の製造方法 |
JP4768584B2 (ja) | 2006-11-16 | 2011-09-07 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置 |
JP5676175B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
JP5677785B2 (ja) | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
KR101174875B1 (ko) * | 2010-01-14 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
-
2012
- 2012-08-03 KR KR1020120085389A patent/KR101944918B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-03-11 US US13/794,659 patent/US9570714B2/en active Active
- 2013-04-16 TW TW102113394A patent/TW201406972A/zh unknown
- 2013-05-27 CN CN201310200264.7A patent/CN103572204A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101944918B1 (ko) | 2019-02-08 |
US9570714B2 (en) | 2017-02-14 |
KR20140018046A (ko) | 2014-02-12 |
US20140034917A1 (en) | 2014-02-06 |
CN103572204A (zh) | 2014-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201406972A (zh) | 有機層沈積組件、有機層沈積裝置、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 | |
TWI575088B (zh) | 有機層沉積設備、利用該設備製造有機發光顯示裝置之方法及使用該方法製造之有機發光顯示裝置 | |
US9453282B2 (en) | Thin film deposition apparatus | |
TWI594477B (zh) | 有機層沈積設備、使用其製造有機發光顯示裝置之方法、以及使用該方法製造之有機發光顯示裝置 | |
US8900976B2 (en) | Organic layer deposition apparatus, organic light-emitting display apparatus, and method of manufacturing the organic light-emitting display apparatus | |
TW201404901A (zh) | 有機層沉積設備、使用其製造有機發光顯示裝置之方法、以及以此方法製造之有機發光顯示裝置 | |
US9306191B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
US8945979B2 (en) | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured by the method | |
TW201403808A (zh) | 製造有機發光顯示裝置之方法及使用該方法製造之有機發光顯示裝置 | |
TWI649869B (zh) | 平板顯示裝置及其製造方法 | |
US8993360B2 (en) | Deposition apparatus, method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus | |
TW201414036A (zh) | 有機發光顯示設備及其製造方法 | |
TWI651428B (zh) | 有機層沉積設備與利用其製造有機發光顯示裝置之方法 | |
US20150207108A1 (en) | Deposition apparatus, method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus | |
TWI583806B (zh) | 藉由使用有機層沉積設備製造有機發光顯示裝置之方法 | |
US9040313B2 (en) | Method of manufacturing organic light emitting display device using organic layer deposition apparatus | |
US8969858B2 (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |