CN103227129A - 机器人手和机器人 - Google Patents

机器人手和机器人 Download PDF

Info

Publication number
CN103227129A
CN103227129A CN2012104174376A CN201210417437A CN103227129A CN 103227129 A CN103227129 A CN 103227129A CN 2012104174376 A CN2012104174376 A CN 2012104174376A CN 201210417437 A CN201210417437 A CN 201210417437A CN 103227129 A CN103227129 A CN 103227129A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
base end
reflecting member
robot
jut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012104174376A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103227129B (zh
Inventor
安藤隆治
日野一纪
古谷彰浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yaskawa Electric Corp
Original Assignee
Yaskawa Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yaskawa Electric Corp filed Critical Yaskawa Electric Corp
Publication of CN103227129A publication Critical patent/CN103227129A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103227129B publication Critical patent/CN103227129B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/07Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for semiconductor wafers Not used, see H01L21/677
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00Gripping heads and other end effectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Abstract

本发明涉及一种机器人手和机器人。根据实施方式的机器人手包括:保持单元、基端部、光学传感器以及反射构件。所述保持单元保持薄板状工件。在所述基端部中,该基端部的前端部分联接到所述保持单元,并且该基端部的末端部分以可旋转的方式联接到臂。所述光学传感器设置在所述基端部中,并且具有投光器和受光器。所述反射构件设置在所述保持单元中。所述反射构件反射来自所述投光器的光,使得所述光穿过工件的保持区域,并且使得所述光到达所述受光器,从而形成光路。

Description

机器人手和机器人
技术领域
本文所讨论的实施方式涉及机器人手和机器人。
背景技术
已知存在一种传统的机器人,该机器人在形成于所谓EFEM(设备前端模块)的局部清洁机器内的空间中,将诸如晶片的基板搬入和搬出用于半导体制造过程的过程处理设备。
机器人一般包括臂和设置在臂的前端处的机器人手。机器人通过在使用机器人手保持基板的同时沿水平方向等致动臂而搬入和搬出基板。
这里,例如通过由放置在机器人手的前端上的对置投光器和受光器形成的光轴是否被基板遮挡,来检测在搬入/搬出期间基板是否存在于机器人手上。例如该技术已知如在日本特开专利公报No.2004-119554中公开。
同时,半导体制造过程通常包括诸如膜形成处理的热处理过程。为此,机器人在许多情况下搬运因热处理过程而变热的基板。
然而,当采用机器人手时,存在当机器人手搬运变热的基板时,投光器和受光器受基板的辐射热的影响并因此不能检测基板的存在与否的可能。
鉴于上述问题获得实施方式的一方面,并且实施方式的目的在于提供一种即使基板非常热也能够确保检测到该基板的机器人手和机器人。
发明内容
根据实施方式的一方面的机器人手包括:保持单元、基端部、光学传感器以及反射构件。所述保持单元保持薄板状工件。在所述基端部中,该基端部的前端部分联接到所述保持单元,并且该基端部的末端部分以可旋转的方式联接到臂。所述光学传感器设置在所述基端部中,并且具有投光器和受光器。所述反射构件设置在所述保持单元中。所述反射构件反射来自所述投光器的光,使得所述光穿过工件的保持区域,并且使得所述光到达所述受光器,从而形成光路。
根据实施方式的一方面,即使基板非常热也能够确保检测到所述基板。
附图说明
结合附图,参考下面的详细说明,能够容易地获得并更好地理解对本发明的更全面的认识以及本发明的许多附带优点,在附图中:
图1是示出包括根据一实施方式的机器人的搬运系统的总体构造的示意图;
图2是示出根据该实施方式的机器人的构造的示意图;
图3A是根据第一实施方式的手的示意性俯视图;
图3B是根据该第一实施方式的手的示意性侧视图;
图4A是图3A中所示的M1部分的放大示意图;
图4B是基端侧突起部的示意性侧视图;
图4C是当从图4A中所示的A-A’线观察时晶片的剖面图;
图5A是示出晶片的保持状态的图;
图5B、图5C和图5D是根据第二实施方式的手的示意性侧视图;
图6是根据第三实施方式的手的示意性俯视图;
图7A是根据第四实施方式的投光器和受光器的轮廓图;以及
图7B和图7C是根据第四实施方式的手的示意性侧视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图详细地说明根据本公开内容的实施方式的机器人手和机器人。另外,以下所公开的实施方式不旨在限制本发明。
在下文中,假设作为搬运对象的工件为基板并且该基板是半导体晶片。“半导体晶片”被称为“晶片”。而且,作为末端执行器的“机器人手”被称为“手”。
第一实施方式
首先,将参照图1说明包括根据一实施方式的机器人的搬运系统的总体构造。图1是示出包括根据该实施方式的机器人的搬运系统1的总体构造的示意图。
为了使说明能够被理解,在图1中示出了三维直角坐标系,该坐标系包括Z轴,该Z轴的竖直向上方向为正向并且竖直向下方向(或竖直方向)为负向。因此,沿着XY平面的方向是指水平方向。在用于下列说明的其它图中采用也可采用该直角坐标系。
在下文中,在一些情况下,由多个部件构成的构件仅一个部件具有附图标记而其他部件不具有附图标记。在该情况下,其它部件和具有附图标记的一个部件具有相同构造。
如图1所示,搬运系统1包括基板搬运单元2、基板供给单元3和基板处理单元4。基板搬运单元2包括机器人10和外壳20,其中机器人10放置在该外壳中。而且,基板供给单元3设置在外壳20的一个侧面21上,并且基板处理单元4设置在外壳20的另一个侧面22上。这里,图中的附图标记100表示搬运系统1的安装面。
机器人10包括具有手11的臂部12,所述手11能够在上、下两级处保持作为搬运对象的晶片W。臂部12被支承为沿水平方向自由旋转并且被支承为相对于设置在基座安装框架23上的基座13自由地升降,所述基座安装框架形成外壳20的底壁。以下将参照图2说明机器人10的细节。
外壳20是所谓的EFEM,并且经由设置在其上部的过滤器单元24形成清洁空气的下行流。外壳20的内部借由该下行流而保持高清洁状态。而且,在基座安装框架23的下表面上设置有腿25,该腿25支承外壳20,使外壳20和安装面100之间具有预定间隙C。
基板供给单元3包括:环箍30,该环箍30沿高度方向以多段方式收纳多个晶片W;以及环箍开启器(未示出),该环箍开启器打开和关闭环箍30的盖体以取出晶片W并且将该晶片W放入外壳20中。而且,多组环箍30和环箍开启器能够以预定间隔相邻地设置在预定高度的台31上。
基板处理单元4是对晶片W执行半导体制造过程中的预定处理的过程处理单元,所述预定处理诸如为清洁处理、膜形成处理以及光刻处理。基板处理单元4包括进行预定处理的处理装置40。处理装置40放置在外壳20的另一侧面22上以面向基板供给单元3,而将机器人10夹在该处理装置40和基板供给单元3之间。
在外壳20中设置有预对准装置26,该预对准装置对晶片W执行对中和槽口匹配。
通过采用这种构造,搬运系统1在使得机器人10执行提升操作和旋转操作的同时,使机器人10取出环箍30中的晶片W并且经由预对准装置26将晶片W放入处理装置40中。然后,借由机器人10的操作而将由处理装置40执行了预定处理的晶片W取出并且搬运,从而再次放置在环箍30中。
接下来,将参照图2说明根据该实施方式的机器人10的构造。图2是示出根据该实施方式的机器人10的构造的示意图。
如图2所示,机器人10包括手11、臂部12和基座13。臂部12包括:升降部12a;关节12b、12d和12f;第一臂12c;以及第二臂12e。
如上所述,基座13是设置在基座安装框架23(参见图1)上的机器人10的基座部。升降部12a设置成能从基座13沿竖直方向(Z轴方向)滑动(参见图2中的双头箭头a0)。因此,升降部12a沿着竖直方向升起以及降下臂部12。
关节12b是绕轴线a1的旋转关节(参见图2的绕轴线a1的双头箭头)。第一臂12c经由关节12b联接到升降部12a而能够旋转。
关节12d是绕轴线a2的旋转关节(参见图2的绕轴线a2的双头箭头)。第二臂12e经由关节12d联接到第一臂12c而能够旋转。
关节12f是绕轴线a3的旋转关节(参见图2的绕轴线a3的双头箭头)。手11经由关节12f联接到第二臂12e而能够旋转。
机器人10设置有例如马达的驱动源(未示出)。并且关节12b、关节12d和关节12f都基于驱动源的驱动而旋转。
手11是用于保持晶片W的末端执行器。手11包括两个手,即,具有不同高度的上部手11a和下部手11b。上部手11a和下部手11b以轴线a3作为公共枢轴而靠近地设置,并且能够绕轴线a3独立地旋转。
接着,例如,根据该实施方式的搬运系统1在上部手11a和下部手11b上均放置晶片W,从而同时将两个晶片搬运到机器人10。因此,能够实现作业效率的提升、吞吐量的增大等。
下面将描述上部手11a和下部手11b的详细构造。在下文中,假设上部手11a和下部手11b具有相同构造,并且统称为“手11”。然而,在该方面,上部手11a和下部手11b不局限于相同构造。
而且,机器人10的各种操作由控制装置50来控制。控制装置50与机器人10连接以彼此通信。例如,控制装置50设置在外壳20中(参见图1)的机器人10的怀中,或者设置在外壳20的外部。而且,机器人10和控制装置50可以彼此形成为一体。
基于预先存储在控制装置50中的教导数据来执行由控制装置50执行的机器人10的各种操作的操作控制。然而,可以从能够通信地彼此连接的上级装置60获得教导数据。而且,上级装置60能够对机器人10(及其其它部件)进行相继状态监控。
接下来,将参照图3A和图3B说明根据第一实施方式的手11的详细构造。图3A是根据第一实施方式的手11的示意性俯视图。图3B是根据第一实施方式的手11的示意性侧视图。
图3A和图3B示出手11的前端指向X轴的正向。
如图3A所示,手11包括板111(保持单元)、基端部112、前侧突起部113L和113R、基端侧突起部114L和114R以及光学传感器115。光学传感器115包括投光器115a和受光器115b。
板111是包括供保持晶片W的区域(在下文中称为“保持区域”)的构件。而且,在图3A和图3B中示出了其前侧被成型为基本V形形状的板111。然而,板111的形状不局限于此。
考虑到保持高温晶片W,优选的是,板111的材料是诸如为陶瓷和纤维增强塑料的高耐热材料。
基端部112是与手11的基端部对应的构件。基端部112的前端联接到板111。而且,基端部112的末端经由关节12f联接到第二臂12e,以能够绕轴线a3旋转。
前侧突起部113L和113R设置在板111的前侧的对称位置。而且,基端侧突起部114L和114R设置在板111的基端侧的对称位置。
如图3A所示,晶片W被保持在由前侧突起部113L和113R以及基端侧突起部114L和114R形成的保持区域H上。
这里,将参照图3B说明根据当前实施方式的晶片W的保持方法。在该情况下,图3B的上部分示出晶片W未被保持的状态,图3B的下部分示出晶片W被保持的状态。
如图3B所示,当从侧向观察手11时,前侧突起部113R和基端侧突起部114R被成型为梯形形状。类似地,前侧突起部113L和基端侧突起部114L(未示出)也被成型为梯形形状。
如上所述,因为前侧突起部113L和113R以及基端侧突起部114L和114R具有朝向板111的内侧倾斜的侧面,所以手111能够具有这样的保持区域H,该保持区域形成为从板111浮起。
换言之,如图3B的上部分和下部分所示,手11将晶片W放置在其上以使晶片W落在保持区域H上并且因此能够在晶片W从板111浮起的状态下从下侧支承并保持晶片W。结果,即使晶片W非常热,该晶片W也被稳定地保持,而不会直接将晶片W的热施加于板111。
而且,优选的是,接触晶片W的前侧突起部113L和113R以及基端侧突起部114L和114R由诸如聚酰亚胺树脂的极耐热材料形成。在图3B中示出当从侧向观察时其形状为梯形的前侧突起部113L和113R以及基端侧突起部114L和114R。前侧突起部113L和113R以及基端侧突起部114L和114R的形状不局限于梯形,只要该形状具有朝向板111的内侧倾斜的侧面,甚至仅略微倾斜即可。
返回图3A,将说明光学传感器115。光学传感器115形成从投光器115a开始并达至受光器115b的光路V。光学传感器115是基于投光器115a的光量与受光器115b的光量之间的差来检测手11上是否存在晶片W的检测单元。而且,由于光量差大,检测单元能够确保检测被晶片W遮挡的光路V,即,能够确保检测到位于手11上的晶片W。
投光器115a是包括发光元件等的光源。而且,受光器115b包括光接收元件等并且接收来自投光器115a的光。
如图3A所示,投光器115a和受光器115b设置在基端部112上。也就是说,因为投光器115a和受光器115b离开保持晶片W的板111预定量而设置在基端部112上,因此晶片W的热的影响难以施加到投光器115a和受光器115b。换言之,确保了光学传感器115的操作可靠性并且因此能够提高检测晶片W的存在与否的确定性。
尽管图3A中未示出,但手11可包括夹持晶片W的夹持机构。在下文中将参照图7A至图7C说明包括夹持机构的手的实施例。
接下来,将参照作为图3A的M1部分的放大示意图的图4A说明由除投光器115a和受光器115b之外的构件形成的光路V的细节。在图4A中,为了便于说明,除投光器115a和受光器115b之外的构件被夸大示出。
如图4A所示,基端侧突起部114L包括:开口114La和114Lb;光路孔114Lc;以及反射构件114Ld。类似地,基端侧突起部114R包括:开口114Ra和114Rb;光路孔114Rc;以及反射构件114Rd。
如图4A所示,开口114La与投光器115a对置,并且开口114Ra与受光器115b对置。而且,如作为基端侧突起部114L和114R的示意性侧视图的图4B所示,开口114Lb和114Rb两者以基本相同的高度布置成彼此面对。
这里,开口114Lb和114Rb的高度可以不相同。这点在下面参照图5A至图5C进行说明。而且,各开口的形状可以不局限于图4B所示的圆形形式。
如图4A所示,基端侧突起部114L的开口114La和114Lb借助基本L字符状的光路孔114Lc而彼此连通。反射构件114Ld设置在光路孔114Lc中。类似地,基端侧突起部114R的开口114Ra和114Rb也借助光路孔114Rc彼此连通。反射构件114Rd设置在光路孔114Rc中。
通过采用该构造,如图4A所示,从投光器115a发射的光从开口部114La侵入光路孔114Lc中,借助反射构件114Ld改变其方向,并且从基端侧突起部114L的开口部114Lb射出。
而且,从开口114Lb射出的光穿过晶片W的保持区域H,从开口114Rb侵入光路孔114Rc中,借助反射构件114Rd改变其方向,并且从基端侧突起部114R的开口114Ra射出。然后,从开口114Ra射出的光由受光器115b接收。
换言之,如图4A所示,光从投光器115a开始,穿过保持区域H以基本垂直于板111(参见图3A)的延伸方向,并且到达受光器115b,从而形成基本为钩状的光路V。
当形成这样的光路V时,光从晶片W的侧面基本上平行于晶片W的主面入射。将参照图4C说明该情况的优势。图4C是当晶片W保持在保持区域H中时从图4A的A-A’线观察的晶片W的剖面图。在该情况下,图4C所示的箭头示意性地表示光。
如图4C所示,当从侧向(也就是X轴方向)观察晶片W时,通常晶片W的侧面不平坦。因此,当光从晶片W的侧面入射时,光的一部分因晶片W的不平坦的侧面而容易弯曲,如由箭头201和202所示。
换言之,这意味着当晶片W存在于保持区域H中时,透过晶片W的光易于衰减。也就是说,因为能够明确光量的差,因此可以获得能够确保检测到晶片W的存在与否的优点。
当如上形成用于执行高确定性检测的光路V时,优选的是,反射构件114Ld和114Rd由耐热性优良并且具有高反射性的材料形成。该材料能够包括例如镜面抛光石英玻璃等。
如上所述,根据第一实施方式的手和机器人均包括保持单元、基端部、光学传感器以及反射构件。保持单元保持为薄板状工件的晶片。在基端部中,该基端部的前端部分联接到保持单元,并且该基端部的末端部分联接到所述臂以能够旋转。光学传感器设置在基端部中并且具有投光器和受光器。反射构件设置在保持单元中。反射构件反射来自投光器的光,使得光穿过晶片的保持区域,并且使得光到达受光器,从而形成光路。
因此,依照根据第一实施方式的手和机器人,即使基板非常热也可以确保检测到基板。
同时,在第一实施方式中已说明了反射构件被包括在基端侧突起部中。然而,当前实施方式不局限于此。反射构件可以与基端侧突起部(或前侧突起部)分离地设置在板上。
在上述的第一实施方式中,以在板的前侧设置一对前侧突起部并且在板的基端侧设置一对基端侧突起部为实施例进行了说明。然而,突起部的数量不局限于此。
例如,一对前侧突起部和一个基端侧突起部可以利用三点保持晶片。在该情况下,假设独立于基端侧突起部包括反射构件,则能够容易地形成与第一实施方式中所述的光路相同的光路。
而且,在上述的第一实施方式中,以前侧突起部和基端侧突起部具有梯形形状为实施例进行了说明。然而,这些突起部的形状不局限于梯形。例如,突起部的形状可以是柱形形状或者长方体形状。当形状为柱形形状或者长方体形状时,与第一实施方式类似地借助将晶片放置在板的上表面上而能够将晶片保持在从板浮起的状态。在该情况下,优选的是,如上所述将反射构件独立地放置在板上。
这些方面类似于以下待描述的其它实施方式。
在上述的第一实施方式中,已说明了反射构件被放置成使得穿过晶片的保持区域的光路平行于晶片的主面。然而,反射构件可以被放置成使得光路不平行于晶片的主面。因此,在以下待述的第二实施方式中,将参照图5A至5D说明该情况。
在下列实施方式中,包括第二实施方式在内,与第一实施方式相同的说明被省略。
第二实施方式
图5A是示出晶片W1和W2的保持状态的图。图5B至图5D是根据第二实施方式的手11A的示意性侧视图。
如图5A所示,经由热处理过程而具有高温的晶片W1在一些情况下能够以弯曲状态保持在手11上。而且,如图5A所示,考虑到即使晶片W2不处于弯曲状态该晶片也会被保持在大致倾斜的状态。
因此,如图5B所示,根据第二实施方式的手11A包括基端侧突起部114LA和114RA,这些突起部的开口(以及其中的反射构件)的高度不同。
结果,因为能够形成确保由弯曲晶片W1或倾斜晶片W2遮挡的光路V,因此即使晶片为弯曲晶片W1或倾斜晶片W2,也能够确保检测到晶片的存在与否。
如图5C所示,手11A可包括这样的基端侧突起部114LB和114RB,所述基端侧突起部114LB和114RB均具有上下两个开口以形成两个倾斜交叉的光路V1和V2。
结果,因为能够提高晶片W1和晶片W2遮挡光路V1和V2的可能性,因此即使晶片为弯曲晶片W1或倾斜晶片W2,也能够确保检测到晶片的存在与否。
在图5C所示的实施例中,优选的是,手11A在其基端部中包括一组与各光路V1和光路V2对应的投光器和受光器。
如图5D所示,手11A可包括基端侧突起部114LC和114RC,所述基端侧突起部114LC和114RC能够形成沿水平方向基本平行并且具有相当大宽度的光路V3。光路V3能够通过结合能够输出相当大光量的投光器和具有高反射性的反射构件而形成。
结果,因为能够提高晶片W1或晶片W2遮挡光路V3的可能性,因此,即使晶片为弯曲晶片W1或倾斜晶片W2,也能够确保检测到晶片的存在与否。
在图5A至图5D中,已利用弯曲晶片W1或倾斜晶片W2作为主要实施例说明了第二实施方式。然而,显然,第二实施方式能够被应用于基本平行于水平方向保持的晶片W(参见图4C)。
如上所述,根据第二实施方式的手和机器人均包括保持单元、基端部、光学传感器以及反射构件。保持单元保持晶片。在基端部中,该基端部的前端部分联接到保持单元,并且该基端部的末端部分联接到臂以能够旋转。光学传感器被设置在基端部上并且具有投光器和受光器。反射构件设置在保持单元中。反射构件反射来自投光器的光,使得光穿过晶片的保持区域而不平行于晶片的主面,并且使得光到达受光器,从而形成光路。
因此,依照根据第二实施方式的手和机器人,即使基板非常热,不管基板的保持状态如何都能够确保检测到基板。
在上述的实施方式中,已说明了光路主要由基端侧突起部形成。然而,光路可以由包括前侧突起部的突起部形成。因此,在以下待述的第三实施方式中,将参照图6说明该情况。
第三实施方式
图6是根据第三实施方式的手11B的示意性俯视图。如图6所示,第三实施方式与以上的实施方式(手11和手11A)的不同在于,手11B包括具有反射构件(未示出)的前侧突起部113RA。
手11B使得来自投光器115a的光经由基端侧突起部114LD在保持区域H的中心P附近穿过该保持区域,并且经由前侧突起部113RA和基端侧突起部114RD到达受光器115b,从而形成光路V4。也就是说,光路V4依次经由基端侧突起部114LD、前侧突起部113RA和基端侧突起部114RD穿过保持区域H。
结果,例如即使晶片W通过在手11B的前侧和基端侧具有略微不同的高度而被倾斜地保持,光路V4也能够确保被晶片W遮挡。也就是说,确保检测晶片W的存在与否。
仅必要的是,图6中所示的手11B的基端侧突起部114RD仅包括沿着X轴线方向形成的开口和光路孔以仅使光从其通过,而不包括反射构件。这意味着基端侧突起部114RD被设置在连接前侧突起部113RA和受光器115b的直线上,如图6所示。然而,构件的布置关系不局限于此。
因此,例如,基端侧突起部114RD可以不被设置在所述直线上。在该情况下,仅必需的是,基端侧突起部114RD包括反射构件(未示出),以反射光。这里,光路不必穿过基端侧突起部114RD。也就是说,光路可以形成为从投光器115a开始,经由基端侧突起部114LD到达前侧突起部113RA,然后从前侧突起部113RA直接到达受光器115b。
以前侧突起部为前侧突起部113RA作为实施例进行了说明。当假设前侧突起部113LA包括反射构件(未示出)时,可以经由前侧突起部113LA形成与光路V4相同的光路。
如上所述。根据第三实施方式的手和机器人均包括保持单元、基端部、光学传感器以及反射构件。保持单元保持晶片。在基端部中,该基端部的前端部分联接到保持单元,并且该基端部的末端部分联接到所述臂以能够旋转。光学传感器设置在基端部中并且具有投光器和受光器。反射构件设置在保持单元中。反射构件反射来自投光器的光,使得光在中心附近穿过晶片的保持区域,并且使得光到达受光器,从而形成光路。
因此,依照根据第三实施方式的手和机器人,即使基板非常热,不管基板的保持状态如何都能够确保检测到基板。
在上述的实施方式中,已说明了光路仅沿着水平方向形成。所述光路可沿着除水平方向之外的方向的组合形成。因此,在以下待述的第四实施方式中,将参照图7A至图7C说明该情况。图7A是第四实施方式的轮廓图。图7B和图7C是根据第四实施方式的手11C的示意性侧视图。
第四实施方式
如图7A所示,例如,作为光路V5,从投光器115a投射的光可以在中途沿着竖直方向改变其方向之后到达受光器115b。
这在以下情况中是有效的。例如,如图7B所示,手11C包括位于基端部112中的夹持机构116。夹持机构116具有挤压单元116a。夹持机构116使得挤压单元116a沿箭头301的方向突出并且将晶片W放置在挤压单元116a和前侧突起部113L(以及113R)之间以夹持晶片W。
有用的是,当晶片W的温度不为诸如高温的异常温度时,夹持机构116确保将晶片W夹持在手11C中。这里,当诸如夹持机构116的机构被包括在基端部112中时,如图7B和图7C所示,必须将投光器115a和受光器115b布置在夹持机构116的下段处,以便于布置空间。
在该情况下,如图7B和图7C所示,手11C可在板111内包括反射构件111L和111R。而且,手11C包括基端侧突起部114LE和114RE,这些突起部向下开口并且与板111的内部连通以能够形成图7A的光路V5。
结果,能够形成不管投光器115a和受光器115b的布置位置如何都能确保检测到晶片W的存在与否的光路V5。
这里,已说明了通过组合竖直方向和水平方向来形成光路V5。然而,当前实施方式不局限于竖直方向。例如,该方向可以是倾斜方向。
如上所述,根据第四实施方式的手和机器人均包括保持单元、基端部、光学传感器以及反射构件。保持单元保持晶片。在基端部中,该基端部的前端部分联接到保持单元,并且该基端部的末端部分联接到所述臂以能够旋转。光学传感器设置在基端部中并且具有投光器和受光器。反射构件设置在保持单元中。反射构件反射来自投光器的光,并且使得光到达受光器,从而根据投光器和受光器的布置位置形成光路。
因此,依照根据第四实施方式的手和机器人,即使基板非常热,不管投光器和受光器的布置位置如何都能够确保检查到基板。
在上述的实施方式中,以手主要保持非常热的工件为实施例进行了说明。然而,清楚的是,这些实施方式能够被应用于检测其温度不是高温而是正常温度的晶片的情况。
而且,在上述实施方式中,已说明了晶片保持在作为保持单元的板的上表面上。然而,本实施方式不局限于此。例如,晶片可以通过被吸附在板的下表面上而被保持。在该情况下,仅需要反射构件形成穿过位于板的下表面上的晶片的侧面的光路。
而且,在上述实施方式中,已说明了反射构件是板状形状。然而,反射构件的形状不局限于此。而且,反射构件可以不是单体的。而且,例如,反射构件可以与上述的光路孔的壁表面形成为一体。
在上述实施方式中,以两个手被设置在与单臂对应的一个臂的前端上为实施例进行了说明。然而,手的数量不局限于此。例如,手的数量可以是一个或者可以是三个以上。
在上述实施方式中,已说明了机器人是单臂机器人。然而,机器人可以是两臂机器人或者多臂机器人。
在上述实施方式中,已说明了工件是基板并且基板主要是晶片的实施例。然而,显然,实施方式能够被应用于各种基板而与基板类型无关。例如,基板可以是液晶面板显示器的玻璃基板。而且,工件可以不是基板,而只要是薄板状工件即可。
而且,在上述实施方式中,以机器人被包括在搬运基板的搬运系统中为例进行了说明。然而,包括机器人的系统的类型不局限于此,而只要机器人是通过使用设置在臂上的手来保持薄板状工件的机器人即可。

Claims (10)

1.一种机器人手,该机器人手包括:
保持单元,该保持单元保持薄板状的工件;
基端部,该基端部的前端部分联接到所述保持单元,并且该基端部的末端部分以可旋转的方式联接到臂;
光学传感器,该光学传感器设置在所述基端部中,并且包括投光器和受光器;以及
设置在所述保持单元中的反射构件,该反射构件反射来自所述投光器的光,使得所述光穿过所述工件的保持区域,并且使得所述光到达所述受光器,从而形成光路。
2.根据权利要求1所述的机器人手,其中,所述反射构件被设置为形成所述光路,在该光路中,来自所述投光器的所述光从所述工件的侧面入射。
3.根据权利要求1或2所述的机器人手,其中,所述反射构件包括具有耐热性的材料。
4.根据权利要求1或2所述的机器人手,其中,
所述保持单元包括多个突起部,这些突起部与所述工件接触以保持该工件,并且
这些突起部中的至少两个突起部设置有所述反射构件。
5.根据权利要求1或2所述的机器人手,其中,所述反射构件被设置为使得:穿过所述工件的所述保持区域的所述光路平行于所述工件的主面。
6.根据权利要求1或2所述的机器人手,其中,所述反射构件设置为使得:穿过所述工件的所述保持区域的所述光路不平行于所述工件的主面。
7.根据权利要求1或2所述的机器人手,其中,所述反射构件设置为使得:穿过所述工件的所述保持区域的所述光路在从所述工件的顶面观察所述工件时的中心附近穿过。
8.根据权利要求4所述的机器人手,其中,
每个所述突起部在侧面均具有两个开口,这些开口在该突起部内彼此联通,并且这些突起部中的一对突起部设置在所述保持单元的基端侧的对称位置,并且
所述反射构件设置在所述开口借以彼此联通的区域,从而使得所述光路垂直于所述保持单元的延伸方向。
9.根据权利要求4所述的机器人手,其中,
这些突起部包括:设置在所述保持单元的前端侧的至少一个突起部;以及设置在所述保持单元的基端侧的一对突起部,并且
所述反射构件设置为形成这样的光路,使得:所述光从基端侧的所述突起部中的一个突起部开始,穿过前端侧的所述突起部,并且到达基端侧的所述突起部中的另一个突起部。
10.一种包括根据权利要求1所述的机器人手的机器人。
CN201210417437.6A 2012-01-26 2012-10-26 机器人手和机器人 Expired - Fee Related CN103227129B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012014387A JP5601331B2 (ja) 2012-01-26 2012-01-26 ロボットハンドおよびロボット
JP2012-014387 2012-01-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103227129A true CN103227129A (zh) 2013-07-31
CN103227129B CN103227129B (zh) 2015-10-14

Family

ID=48837521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210417437.6A Expired - Fee Related CN103227129B (zh) 2012-01-26 2012-10-26 机器人手和机器人

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8820809B2 (zh)
JP (1) JP5601331B2 (zh)
KR (1) KR101495960B1 (zh)
CN (1) CN103227129B (zh)
TW (1) TW201334932A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106653672A (zh) * 2015-11-02 2017-05-10 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶片传递装置
CN107706141A (zh) * 2017-09-19 2018-02-16 上海微松工业自动化有限公司 一种半导体前置模块晶圆的传输工艺
CN108109951A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种可对中的晶圆传递装置
CN110634782A (zh) * 2018-06-20 2019-12-31 东京毅力科创株式会社 自动示教方法和控制装置
CN113631295A (zh) * 2019-05-23 2021-11-09 宝马股份公司 用于配置用于压力机自动化的相关于工件的工件保持装置的方法

Families Citing this family (349)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
JP5750472B2 (ja) * 2013-05-22 2015-07-22 株式会社安川電機 基板搬送ロボット、基板搬送システムおよび基板の配置状態の検出方法
JP6114708B2 (ja) * 2013-05-27 2017-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板脱離検出装置及び基板脱離検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9343350B2 (en) * 2014-04-03 2016-05-17 Asm Ip Holding B.V. Anti-slip end effector for transporting workpiece using van der waals force
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
CN106292194B (zh) * 2015-05-24 2018-03-30 上海微电子装备(集团)股份有限公司 硅片传输系统
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
TWI549794B (zh) * 2015-08-19 2016-09-21 精曜科技股份有限公司 機械承載臂以及晶圓的搬運方法
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
JP6660157B2 (ja) * 2015-11-16 2020-03-11 川崎重工業株式会社 ロボット及びロボットによる作業方法
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10483138B2 (en) * 2017-03-09 2019-11-19 Himax Technologies Limited Wafer clamp and a method of clamping a wafer
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR102204884B1 (ko) * 2018-09-27 2021-01-19 세메스 주식회사 기판 반송 로봇 및 기판 처리 설비
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102612A (ko) * 2019-02-21 2020-09-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
US11427412B2 (en) * 2019-05-09 2022-08-30 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate conveying robot and substrate conveying method
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
CN109986594B (zh) * 2019-05-14 2021-03-12 京东方科技集团股份有限公司 一种抓取装置以及包含其的机械手臂
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021048322A (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置および基板搬送方法
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
CN115136291A (zh) * 2020-02-17 2022-09-30 捷普有限公司 用于提供光纤耦合器的装置、系统和方法
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
JP7470586B2 (ja) 2020-07-14 2024-04-18 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システム及び基板搬送方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983093A (en) * 1982-05-24 1991-01-08 Proconics International, Inc. Wafer transfer apparatus
JPH06345261A (ja) * 1993-04-16 1994-12-20 Daihen Corp 自動搬送装置の搬送用ハンド
CN1411420A (zh) * 1998-07-11 2003-04-16 塞米用具公司 用于装卸微电子工件的机器人
JP2006005318A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Nikon Corp 基板搬送装置および露光装置
US7027894B2 (en) * 2001-07-13 2006-04-11 Tru-Si Technologies, Inc. Article holders with sensors detecting a type of article held by the holder
CN1813335A (zh) * 2003-06-27 2006-08-02 马特森技术公司 用于装卸半导体晶片的末端执行器
CN1979792A (zh) * 2005-12-06 2007-06-13 东京毅力科创株式会社 基板输送方法及基板输送装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4682928A (en) * 1982-05-24 1987-07-28 Proconics International, Inc. Wafer transfer apparatus
US5466945A (en) * 1994-03-23 1995-11-14 Eaton Corporation Apparatus for detecting proper positioning of objects in a holder
JPH10175734A (ja) * 1996-12-18 1998-06-30 Hitachi Ltd 基板搬送機構
US6298280B1 (en) * 1998-09-28 2001-10-02 Asyst Technologies, Inc. Method for in-cassette wafer center determination
US6113165A (en) * 1998-10-02 2000-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Self-sensing wafer holder and method of using
TW558058U (en) * 2002-05-03 2003-10-11 Nanya Technology Corp Wafer carrying apparatus
JP2004119554A (ja) 2002-09-25 2004-04-15 Rorze Corp 薄板状物の把持装置及びそれを具えた製造設備
US7654596B2 (en) * 2003-06-27 2010-02-02 Mattson Technology, Inc. Endeffectors for handling semiconductor wafers

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983093A (en) * 1982-05-24 1991-01-08 Proconics International, Inc. Wafer transfer apparatus
JPH06345261A (ja) * 1993-04-16 1994-12-20 Daihen Corp 自動搬送装置の搬送用ハンド
CN1411420A (zh) * 1998-07-11 2003-04-16 塞米用具公司 用于装卸微电子工件的机器人
US7027894B2 (en) * 2001-07-13 2006-04-11 Tru-Si Technologies, Inc. Article holders with sensors detecting a type of article held by the holder
CN1813335A (zh) * 2003-06-27 2006-08-02 马特森技术公司 用于装卸半导体晶片的末端执行器
JP2006005318A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Nikon Corp 基板搬送装置および露光装置
CN1979792A (zh) * 2005-12-06 2007-06-13 东京毅力科创株式会社 基板输送方法及基板输送装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106653672A (zh) * 2015-11-02 2017-05-10 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶片传递装置
CN108109951A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种可对中的晶圆传递装置
CN107706141A (zh) * 2017-09-19 2018-02-16 上海微松工业自动化有限公司 一种半导体前置模块晶圆的传输工艺
CN110634782A (zh) * 2018-06-20 2019-12-31 东京毅力科创株式会社 自动示教方法和控制装置
CN113631295A (zh) * 2019-05-23 2021-11-09 宝马股份公司 用于配置用于压力机自动化的相关于工件的工件保持装置的方法
CN113631295B (zh) * 2019-05-23 2023-11-07 宝马股份公司 用于配置用于压力机自动化的工件保持装置的方法
US11964318B2 (en) 2019-05-23 2024-04-23 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Method for configuring a workpiece-related workpiece holding device for press automation

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013154406A (ja) 2013-08-15
TW201334932A (zh) 2013-09-01
US20130193703A1 (en) 2013-08-01
KR101495960B1 (ko) 2015-02-25
KR20130086914A (ko) 2013-08-05
JP5601331B2 (ja) 2014-10-08
CN103227129B (zh) 2015-10-14
US8820809B2 (en) 2014-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103227129A (zh) 机器人手和机器人
TWI533393B (zh) 基板翻轉裝置及基板處理裝置
EP2333813B1 (en) Auto-sequencing inline processing apparatus
US7440091B2 (en) Sensors for dynamically detecting substrate breakage and misalignment of a moving substrate
JP4833530B2 (ja) インライン搬送システム
JPH10233426A (ja) 自動ティ−チング方法
TW201140735A (en) Conveying vehicle system
CN101689528A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
CN103213124A (zh) 机器人系统
JPH08213447A (ja) 被移載体の検出装置
TW202308024A (zh) 裝載端口
KR20220097144A (ko) 이송 장치
CN103213133A (zh) 机器人系统
US20020153098A1 (en) Transferring apparatus and substrate processing apparatus
JPH09272095A (ja) 板状物搬送用ロボット
KR101574202B1 (ko) 기판 감지 장치 및 이를 이용한 기판 처리 장치
KR102571030B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101186660B1 (ko) 평판표시소자 제조장비의 기판 감지장치
KR20240034990A (ko) 기판 세정 장치
JPH09148415A (ja) 基板搬送装置
KR20120078688A (ko) 평판표시소자 제조장비의 기판 감지장치
WO2011013336A1 (ja) 自動倉庫及び物品確認制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20151014

Termination date: 20161026

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee