CN1979792A - 基板输送方法及基板输送装置 - Google Patents

基板输送方法及基板输送装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1979792A
CN1979792A CNA2006101641501A CN200610164150A CN1979792A CN 1979792 A CN1979792 A CN 1979792A CN A2006101641501 A CNA2006101641501 A CN A2006101641501A CN 200610164150 A CN200610164150 A CN 200610164150A CN 1979792 A CN1979792 A CN 1979792A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
substrate
conveying arm
conveying
carrying mechanism
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006101641501A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100517630C (zh
Inventor
森川胜洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN1979792A publication Critical patent/CN1979792A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100517630C publication Critical patent/CN100517630C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明是一种具备输送基板的输送臂、和从输送臂获取由输送臂输送的基板的载置机构的基板输送装置，具备：载置部检测装置，设在输送臂上，检测载置部；移动机构，使输送臂沿升降及水平方向移动；控制机构，根据来自载置部检测装置的检测信号控制移动机构。在将由输送臂输送的基板交接给载置机构时，在载置部检测装置检测到旋转卡盘的载置部后，根据来自控制机构的控制信号驱动移动机构，使输送臂沿倾斜方向下降，将基板载置在载置部上。因而，能够高速且高精度地进行稳定的基板的输送以及向载置部的交接。

Description

基板输送方法及基板输送装置
技术领域
本发明涉及基板输送方法及基板输送装置，更详细地讲，涉及例如半导体晶片或LCD玻璃基板等基板的输送方法及基板输送装置。
背景技术
一般，在半导体设备的制造中，为了在半导体晶片或LCD玻璃基板等(以下称作基板)之上形成ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)的薄膜或电极图案而使用照相平版印刷技术。在该照相平版印刷技术中，在基板上涂布光致抗蚀剂，将由此形成在基板上的抗蚀剂膜对应于规定的电路图案曝光，通过对该曝光图案进行显影处理而在抗蚀剂膜上形成电路图案。
在进行这样的一系列的处理时，以往以来使用涂布显影处理装置。在该涂布显影处理装置中，具备对基板实施规定的处理、即表面处理、清洗处理、抗蚀剂涂布处理、曝光后处理及曝光前后的加热处理等的处理单元。
在这些各单元间的基板输送中使用输送装置，在输送装置中，具备对处理单元输送(送入、送出)基板的沿铅直方向、水平方向及水平的旋转方向移动自如的输送臂(也称作小钳子)。在该输送臂上，安装有用来不给基板带来损伤而进行支撑的合成树脂制的支撑部件。此外，支撑部件设定为比基板的外形尺寸大一些的尺寸，对应于基板的尺寸误差来支撑基板，将基板交接给设在各处理单元中的基板载置机构(日本特开平11-243133号公报)。
在这种基板输送中，为了实现吞吐量的提高及成品率的提高，要求高速且高精度地进行输送臂与载置机构的基板的交接。
但是，如果高速且高精度地对处理单元输送(送入、送出)基板，则由于如上述那样支撑部件比基板的外形尺寸大，所以通过使输送臂移动到处理单元中时的惯性力使输送的基板的动作变得不稳定。因此，会发生基板的位置偏移而使处理精度降低。例如有下述等问题：
(1)在涂布处理中涂布膜的膜厚变得不均匀。
(2)在基板的周边曝光处理中基板的规定的周边的曝光变得不充分。
(3)在加热处理中加热会变得不均匀，不能实现膜厚的均匀化，带来成品率的降低。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而做出的，目的是高速且高精度地进行稳定的基板的输送及向载置机构的交接。
为了达到上述目的，本发明是将由输送臂输送的基板交接给载置机构的基板输送方法，使上述输送臂移动到上述载置机构的上方、将基板交接到载置机构上，同时使输送臂沿倾斜方向下降而将基板载置在载置机构上。
在此情况下，也可以在通过设在上述输送臂上的载置部检测装置检测到载置机构的载置部后，使输送臂沿倾斜方向下降。
根据另一技术方案，本发明是将由输送臂输送的基板交接给载置机构的基板输送方法，使上述输送臂移动到上述载置机构的上方，将基板交接给相对于载置装置升降的支撑销时，在由设在上述输送臂上的头部检测装置检测到支撑销的头部后，使上述输送臂沿倾斜方向下降，然后使支撑销下降而将基板载置到载置机构上。
根据另一技术方案，本发明是将由输送臂输送的基板交接给载置机构的基板输送方法，使上述输送臂移动到上述载置机构的上方，将基板交接到载置机构上后，使输送臂沿着该输送臂的移动前方的水平方向移动后、沿铅直方向下降。
在以上的方法中，也可以通过设在上述输送臂上的基板的跳起检测装置检测有无将基板交接给载置机构后的状态下的基板的跳起；在检测到跳起的情况下，通过输送臂使基板上升后，使其下降而载置到载置机构上。
在此情况下，也可以在检测到跳起的情况下发出警报。
本发明的基板输送装置是具备输送基板的输送臂、和从输送臂获取由上述输送臂输送的基板的载置机构的基板输送装置，具备：载置部检测装置，设在上述输送臂上，检测上述载置机构的载置部；移动机构，使上述输送臂沿升降及水平方向移动；控制机构，根据来自上述载置部检测装置的检测信号控制上述移动机构。在将由上述输送臂输送的基板交接给上述载置机构时，在上述载置部检测装置检测到载置机构的载置部后，根据来自上述控制机构的控制信号驱动上述移动机构，使输送臂沿倾斜方向下降。
根据另一技术方案，本发明是具备输送基板的输送臂、和从输送臂获取由上述输送臂输送的基板的载置机构的基板输送装置，具备：支撑销，在升降机构的作用下相对于上述载置机构的载置部升降，将基板交接给载置机构；移动机构，使上述输送臂沿升降及水平方向移动；头部检测装置，设在上述输送臂上，检测上述支撑销的头部；控制机构，根据来自上述头部检测装置的检测信号控制上述移动机构，并且控制上述升降机构；在将由上述输送臂输送的基板交接给上述载置机构时，在上述头部检测装置检测到支撑销的头部后，根据来自上述控制机构的控制信号驱动上述移动机构，使输送臂沿倾斜方向下降，然后驱动上述升降机构，使上述支撑销下降。
根据另一技术方案，本发明是具备输送基板的输送臂、和从输送臂获取由上述输送臂输送的基板的载置机构的基板输送装置，具备：载置部检测装置，设在上述输送臂上，检测上述载置机构的载置部；移动机构，使上述输送臂沿升降及水平方向移动；控制机构，根据来自上述载置部检测装置的检测信号控制上述移动机构；在将由上述输送臂输送的基板交接给上述载置机构时，在上述载置部检测装置检测到载置机构的载置部后，根据来自上述控制机构的控制信号驱动上述移动机构，使输送臂向沿着该输送臂的移动前方的水平方向移动后，沿铅直方向下降。
在以上的基板输送装置中，也可以还具备：跳起检测装置，设在上述输送臂上，检测有无将基板载置在载置机构上后的状态下的基板的跳起；控制机构，根据来自上述跳起检测装置的检测信号控制移动机构。并且，在该情况下，其特征在于，在由上述跳起检测装置检测到载置于载置机构上的基板的跳起的情况下，根据来自上述控制机构的控制信号驱动上述移动机构，在通过输送臂使基板暂时上升后，使其下降而将基板载置在载置机构上。
另外，也可以还具有在检测到基板的跳起的情况下发出警报的警报机构。
根据本发明，能够抑制伴随着输送臂的移动的惯性力带来的基板的偏移，能够将基板载置在载置机构上的规定位置上。因而，能够高速且高精度地进行以后的基板处理。此外，能够修正起因于偏移的基板的载置机构上的位置偏移。
此外，在检测到跳起的情况下，通过由输送臂暂时使基板上升并再次下降而载置到载置机构上，能够对应向载置机构的载置时发生了跳起的情况，能够以对准位置的状态将基板载置在载置机构上。在检测到跳起的情况下，通过发出警报，能够将在向载置机构上的载置时发生了跳起的情况通知给外部。
附图说明
图1是表示装载有实施方式的基板输送装置的抗蚀剂液涂布显影处理系统的一例的概略俯视图。
图2是图1的抗蚀剂液涂布显影处理系统的概略正视图。
图3是图1的抗蚀剂液涂布显影处理系统的概略后视图。
图4是表示本发明的具备输送臂的主输送装置的立体图。
图5A是表示本发明的输送臂的俯视图，图5B是其要部仰视图。
图6A是表示本发明的第1实施方式的基板输送装置的概略侧视图，图6B是表示基板的交接状态的概略侧视图。
图7是表示第1实施方式的基板输送装置的动作状态的流程图。
图8A是表示本发明的第2实施方式的基板输送装置的概略侧视图，图8B是表示第2实施方式的基板的交接状态的概略侧视图。
图9是表示第2实施方式的基板输送装置的动作状态的流程图。
图10是本发明的第3实施方式的基板输送装置的概略侧视图。
图11是表示第3实施方式的基板输送装置的动作状况的流程图。
图12是表示本发明的第4实施方式的基板输送装置的输送臂的概略立体图。
图13A是表示第4实施方式的基板输送装置的概略侧视图，图13B是在载置状态不充分的情况下使输送臂上升的状态的要部概略侧视图，图13C是表示再次使输送臂下降的状态的要部概略侧视图。
图14是表示第4实施方式的基板输送装置的动作状况的流程图。
具体实施方式
下面，根据附图详细说明本发明的优选的实施方式。这里，对将本发明的基板输送装置应用到半导体晶片的抗蚀剂涂布显影处理系统中的情况进行说明。
图1是表示上述抗蚀剂涂布显影处理系统的一例的概略俯视图，图2是图1的概略正视图，图3是图1的概略后视图。
上述抗蚀剂涂布显影处理系统主要由以下部分构成：盒站10(输送部)，用来通过晶片盒1以多片、例如25片为单位将作为被处理用的基板的半导体晶片W(以下称作晶片W)从外部送入到系统中或者从系统送出、或对晶片盒1将晶片W送入、送出；处理站20，具备将在涂布显影处理工序中对每一片晶片W实施规定的处理的单张式的各种处理单元堆积配置在规定位置上而成的处理装置；接口部30，用来在与该处理站20相邻设置的曝光装置(未图示)之间交接晶片W。
盒站10如图1所示，在盒载置台2上的突起3的位置上，将多个、例如4个以内的带盖的晶片盒1使各自的晶片出入口朝向处理台20侧沿着水平的X方向载置为一列，对置于各晶片盒1而配设有盖开闭装置5，此外，可在盒排列方向(X方向)及沿着垂直方向(铅直方向)收容在晶片盒1内的晶片W的晶片排列方向(Z方向)上移动的晶片输送臂4(也称作小钳子)有选择地输送到各晶片盒1。此外，晶片输送臂4可向θ方向旋转而构成，也能够输送到属于后述的处理站20侧的第3组G3的多级单元部的调节单元(ALIM)及扩展单元(EXT)。
处理站20如图1所示，在中心部设有具备在移动组件22的作用下垂直(铅直)移动的后述的晶片输送臂50的垂直输送型的主晶片输送组件21，在该主晶片输送组件21的周围，所有的处理单元以1组或多组而多级地配置。在该例中，是5组G1、G2、G3、G4及G5的多级配置结构，第1及第2组G1、G2的多级单元排列在系统正面侧，第3组G3的多级单元与盒站10相邻配置，第4组G4的多级单元与接口部30相邻配置，第5组G5的多级单元配置在背部侧。
在此情况下，如图2所示，在第1组G1中，将在杯(容器)23内使晶片W与显影液供给机构(未图示)对置而将抗蚀剂图案显影的显影单元(DEV)、和将晶片W载置在旋转卡盘(未图示)上而进行规定的处理的抗蚀剂涂布单元(COT)从垂直方向的下方开始依次层叠为两级。第2组G2也同样，将两台抗蚀剂涂布单元(COT)及显影单元(DEV)从垂直方向的下方开始依次层叠为两级。这样将抗蚀剂涂布单元(COT)配置在下级侧的理由是因为抗蚀剂液的排液在构造以及维护方面都比较麻烦。但是，根据需要也可以将抗蚀剂涂布单元(COT)配置在上级。
如图3所示，在第3组G3中，从垂直方向的下方开始依次配置有例如8级将晶片W载置在晶片载置台24上而进行规定的处理的烤箱型的处理单元、例如将晶片W冷却的冷却单元(COL)，对晶片W进行疏水化处理的粘附单元(AD)，进行晶片W的位置匹配的调节单元(ALIM)，进行晶片W的送入送出的扩展单元(EXT)，和烘烤晶片W的4个热盘单元(HP)。第4组G4也同样，从垂直方向的下方开始依次配置有例如8级烤箱型处理单元、例如冷却单元(COL)，扩展冷却单元(EXTCOL)，扩展单元(EXT)，冷却单元(COL)，具有速冷功能的两个激冷热盘单元(CHP)及两个热盘单元(HP)。
如上所述，通过将处理温度较低的冷却单元(COL)、扩展冷却单元(EXTCOL)配置在下级，将处理温度较高的热盘单元(HP)、激冷热盘单元(CHP)及粘附单元(AD)配置在上级，能够减少单元间的热相互干涉。当然，也可以进行随机的多级配置。
另外，如图1所示，在处理站20中，在与第1及第2组G1、G2的多级单元(旋转型处理单元)相邻的第3及第4组G3、G4的多级单元(烤箱型处理单元)的侧壁之中，分别沿垂直方向竖直设置有管道25、26。在这些管道25、26中，流动着下降流的清洁空气或特别是温度调节后的空气。通过该管道构造，在第3及第4组G3、G4的烤箱型处理单元中产生的热被截断，不会波及到第1及第2组G1、G2的旋转型处理单元。
此外，在该处理系统中，在主晶片输送组件21的背部侧也如图1中虚线所示，可以配置第5组G5的多级单元。该第5组G5的多级单元从主晶片输送组件21观察能够沿着导轨27向侧方移动。因而，在设置了第5组G5的多级单元的情况下，也可通过使单元滑动来确保空间部，所以对于主晶片输送组件21能够容易地从背后进行维护作业。
接口部30在进深方向上具有与处理站20相同的尺寸，但在宽度方向上做成较小的尺寸。在该接口部30的正面部配置有两级可移动性的拾取盒31和固定型的缓冲盒32，在背面部配设有作为进行晶片W的周边部的曝光及识别标志区域的曝光的曝光机构的周边曝光装置33，在中央部配设有作为输送机构的晶片的输送臂34。该输送臂34构成为，向X、Z方向移动而输送到两个盒31、32及周边曝光装置33。此外，输送臂34可向θ方向旋转，也能够输送到属于处理站20侧的第4组G4的多级单元的扩展单元(EXT)及相邻的曝光装置侧的晶片交接台(未图示)。
上述那样构成的处理系统设置在清洁室40内，并且在系统内也通过高效率的垂直层流方式提高各部的清洁度。
在上述那样构成的抗蚀剂液涂布显影处理系统中，首先在盒站10中，盖开闭装置5动作而将规定的晶片盒1的盖打开。接着，晶片输送臂4访问收容盒载置台2上的未处理的晶片W的盒1，从该盒1中取出1片晶片W。晶片输送臂4如果从盒1取出晶片W，则移动到配置在处理站20侧的第3组G3的多级单元内的调节单元(ALIM)，将晶片W载置在调节单元(ALIM)内的晶片载置台24上。晶片W在晶片载置台24上接受定向平面对准及中心对准。然后，主晶片输送组件21从相反侧访问调节单元(ALIM)，从晶片载置台24获取晶片W。
在处理站20上，主晶片输送组件21将晶片W首先送入到属于第3组G3的多级单元的粘附单元(AD)中。在该粘附单元(AD)内晶片W受到疏水化处理。如果结束了疏水化处理，则主晶片输送组件21将晶片W从粘附单元(AD)送出，接着向属于第3组G3或第4组G4的多级单元的冷却单元(COL)送入。在该冷却单元(COL)内，晶片W被冷却到抗蚀剂涂布处理前的设定温度、例如23℃。如果结束了冷却处理，则主晶片输送组件21将晶片W从冷却单元(COL)送出，接着向属于第1组G1或第2组G2的多级单元的抗蚀剂涂布单元(COT)送入。在该抗蚀剂涂布单元(COT)内，晶片W通过旋转涂布法在晶片表面上以均匀的膜厚涂布抗蚀剂。
如果结束了抗蚀剂涂布处理，则主晶片输送组件21将晶片W从抗蚀剂涂布单元(COT)送出，接着向热盘单元(HP)内送入。在热盘单元(HP)内，晶片W被载置在载置台上，在规定的温度、例如100℃下进行规定时间的预烘烤处理。由此，能够从晶片W的涂布膜将残留溶剂蒸发除去。如果结束了预烘烤，则主晶片输送组件21将晶片W从热盘单元(HP)送出，接着向属于第4组G4的多级单元的扩展冷却单元(EXTCOL)输送。在该扩展冷却单元(EXTCOL)内，晶片W被冷却到适于下个工序、即周边曝光装置的周边曝光处理的温度、例如24℃。在该冷却后，主晶片输送组件21将晶片W向正上方的扩展单元(EXT)输送，将晶片W载置在该扩展单元(EXT)内的载置台(未图示)上。如果将晶片W载置在该扩展单元(EXT)内的载置台上，则接口部30的输送臂34从相反侧访问而获取晶片W。接着，输送臂34将晶片W向接口部30内的周边曝光装置33送入。在周边曝光装置33中，对晶片W表面的周边部的剩余抗蚀剂膜(部)照射光而实施周边曝光。
在周边曝光结束后，输送臂34将晶片W从周边曝光装置33的壳体内送出，向相邻的曝光装置侧的晶片获取台(未图示)移送。在此情况下，也有时将晶片W在向曝光装置交接前暂时收纳在缓冲盒32中。
如果通过曝光装置完成了整面曝光、晶片W被送回到曝光装置侧的晶片获取台，则接口部30的输送臂34访问该晶片获取台而获取晶片W，将获取的晶片W向属于处理站20侧的第4组G4的多级单元的扩展单元(EXT)送入，载置在晶片获取台上。在此情况下，也有时将晶片W在向处理台侧交接前暂时收纳在接口部30内的缓冲盒32中。
通过主晶片输送组件21将载置于晶片获取台上的晶片W输送给激冷热盘单元(CHP)，为了防止条纹的产生、或者为了引起化学增强型抗蚀剂(CAR)的氧触媒反应，例如在120℃下实施规定时间的后曝光烘烤处理。
然后，将晶片W送入到属于第1组G1或第2组G2的多级单元的显影单元(DEV)中。在该显影单元(DEV)内，对晶片W表面的显影液没有遗漏地供给显影液而实施显影处理。通过该显影处理，将形成在晶片W表面上的抗蚀膜显影为规定的电路图案，并且将晶片W的周边部的剩余抗蚀剂膜除去，还将附着在形成(实施)于晶片W表面上的调整标志M的区域上的抗蚀剂膜除去。这样，如果显影结束，则对晶片W表面浇洒漂洗液而将显影液洗掉。
如果显影工序结束，则主晶片输送组件21将晶片W从显影单元(DEV)送出，接着向属于第3组G3或第4组G4的多级单元的热盘单元(HP)送入。在该热盘单元(HP)内对晶片W在例如100℃下进行规定时间的后烘烤处理。由此，使因显影而膨润的抗蚀剂硬化而提高了耐药性。
如果结束了后烘烤，则主晶片输送组件21将晶片W从热盘单元(HP)送出，接着向某一个冷却单元(COL)送入。这里，在晶片W回到常温后，主晶片输送组件21接着将晶片W向属于第3组G3的扩展单元(EXT)移送。如果将晶片W载置在该扩展单元(EXT)的载置台(未图示)上，则盒站10侧的晶片输送臂4从相反侧访问而获取晶片W。接着，晶片输送臂4将获取的晶片W装入到盒载置台上的处理后晶片收容用的晶片盒1的规定的晶片收容槽中，在将所有的处理后的晶片W收纳在晶片盒1内后，盖开闭装置5动作而将盖关闭，结束处理。
接着，参照图4至图14详细地说明本发明的基板输送装置。这里，对通过主晶片输送组件21进行的晶片W的输送进行说明。
主晶片输送组件21如图4所示，在具有在上端及下端相互连接而对置的一对壁部51、52的筒状支撑体53的内侧装备有沿铅直方向(Z方向)升降自如的升降组件54a。此外，筒状支撑体53连结在马达等的旋转组件54b的旋转轴上，在该旋转组件54b的旋转驱动力的作用下以旋转轴为中心与升降组件54a一体地旋转。因而，升降组件54a沿θ方向旋转自如。
并且，在升降组件54a的输送基台56上，具备例如3根本发明的晶片输送臂50(以下称作输送臂50)。这些作为晶片W的输送机构的3根输送臂50、50、50都具有自如地通过筒状支撑部53的两壁部51、52间的侧面开口部57的形态及大小，能够在由内装于输送基台56中的未图示的驱动马达和传动带构成的移动组件(未图示)的作用下沿着X、Y方向进行水平方向的前后移动。
因而，在上述升降组件54a、旋转组件54b及移动组件(未图示)构成的移动机构55的作用下，输送臂50、50、50在铅直方向(Z方向)上升降自如，沿着水平方向(X、Y方向)前后移动自如以及在水平方向(X、Y方向)上旋转自如。
这些输送臂50、50、50基本上具有相同的结构，所以如果以下根据位于最上部的输送臂50进行说明，则该输送臂50如图5所示，由为了支撑晶片W的周缘部而构成为约3/4圆环状的“C字型”的框部50a、和与该框部50a的中央一体地形成、并且用来支撑框部50a的臂部50b构成。并且，通过内装于输送基台56中的移动组件(未图示)使设在臂部50b上的撑条50c滑动，使输送臂50整体向输送基台56的前后移动。
在框部50a上设有直接支撑晶片W的合成树脂制、例如聚醚醚酮(PEEK)制的3个支撑部件58a、58b、58b。在这些支撑部件58a、58b、58b中，支撑部件58a安装在距臂部50b最近的位置上，支撑部件58b、58b安装在框部50a的前端部附近。
在框部50a的下表面的关于该框部50a的内侧中心点对置的部位上，安装有检测载置机构、例如抗蚀剂涂布单元(COT)的旋转卡盘60的载置部的载置部检测装置59。该载置部检测装置59例如由发光元件59a和受光元件59b构成(参照图5B)。
(第1实施方式)
图6A是表示本发明的基板输送装置的第1实施方式的概略侧视图，图6B是表示晶片的交接状态的概略侧视图。
第1实施方式涉及将由上述输送臂50输送的晶片W输送到抗蚀剂涂布单元(COT)内、交接给配设在抗蚀剂涂布单元(COT)内的载置机构、即旋转卡盘60的装置。
旋转卡盘60与马达61的旋转轴62连结，在马达61的驱动下沿水平方向旋转自如地形成。另外，马达61与控制机构、例如中央运算处理装置(CPU)等控制器70电气地连接，能够根据来自控制器70的控制信号以规定的转速旋转。旋转卡盘60的载置部60a具备真空吸附面，通过未图示的真空装置的驱动而将晶片W吸附保持在旋转卡盘60的载置部60a上。
移动机构55及载置部检测装置59与控制器70电气地连接。因而，根据来自控制器70的控制信号控制移动机构55，输送臂50在铅直方向(Z方向)上升降自如，沿着水平方向(X、Y方向)前后移动自如，以及沿着水平方向(X、Y方向)旋转自如。由此，输送臂50能够沿倾斜的方向下降。控制该输送臂50的斜向下降动作以使其在由载置部检测装置59的发光元件59a和受光元件59b检测到旋转卡盘60的载置部60a的时刻启动。
接着，参照图6A、图6B及图7所示的流程图说明第1实施方式的基板输送装置的动作状况。
首先，通过输送臂50将晶片W从上述冷却单元(COL)送出，移动到抗蚀剂涂布单元(COT)内的旋转卡盘60的上方(步骤S7-1)。然后，如图6A的(i)所示，使输送臂50沿铅直方向下降(步骤S7-2)。在该输送臂50的下降的过程中，通过从载置部检测装置59的发光元件59a发出的光被旋转卡盘60的载置部60a遮挡而检测到载置部60a，将该检测信号传递给控制器70(步骤S7-3)。于是，如图6A、图6B的(ii)所示，根据来自控制器70的控制信号而驱动输送臂50的移动机构55，使输送臂50沿倾斜方向下降(步骤S7-4)。由此，抑制了输送臂50的伴随着旋转卡盘60的向上方的移动的惯性力带来的晶片W的偏移，修正了起因于该偏移的晶片W的在旋转卡盘60的载置部60a上的位置偏移，而进行吸引保持。
在将晶片W载置在旋转卡盘60的载置部60a上的状态下，未图示的抗蚀剂涂布嘴移动到晶片W的上方，将抗蚀剂液从该嘴滴下到晶片W的表面上，并且旋转卡盘60旋转而将抗蚀剂涂布到晶片W表面上(步骤S7-5)。如果结束了抗蚀剂涂布处理，则输送臂50将晶片W从抗蚀剂涂布单元(COT)送出，接着向热盘单元(HP)输送。
(第2实施方式)
图8A是表示第2实施方式的基板输送装置的概略侧视图，图8B是表示第2实施方式的晶片W的交接状态的概略侧视图。
第2实施方式涉及将由上述输送臂50输送的晶片交接给例如作为配设在上述热盘单元(HP)内的载置机构的载置台A的装置。这里，输送臂50及该输送臂50的移动机构55等与第1实施方式相同，所以对于相同的部分赋予相同的标号而省略说明。另外，在输送臂50的下表面的关于框部50a的内侧中心点对置的部位上，安装有检测后述的支撑销63的头部63a的头部检测装置59A。该头部检测装置59A与上述的载置部检测装置59同样，例如由发光元件59a和受光元件59b构成。
另一方面，在载置台60A中内装有加热器64，通过该加热器64将载置在载置台60A上的晶片W加热到例如100℃。在载置台60A的同心圆上的3个部位上设有贯通孔65。在这些贯通孔65内分别可升降地插入有支撑销63，这3根支撑销63的下端部连接在保持部件66上。此外，保持部件66连结在升降机构67的升降杆68上，在升降机构67的驱动下支撑销63升降而能够突出到载置台60A的上方。
上述移动机构55、头部检测装置59A(发光元件59a和受光元件59b)以及升降机构67与控制器70电气地连接，根据来自控制器70的控制信号而受到控制。
接着，参照图8A、图8B及图9所示的流程图说明第2实施方式的动作状况。
首先，通过输送臂50将上述晶片W从上述抗蚀剂涂布单元(COT)送出，移动到热盘单元(HP)内的载置台60A的上方(步骤S9-1)。于是，升降机构67驱动而使支撑销63上升(步骤S9-2)，支撑受输送臂50保持的晶片W。此时，通过从头部检测装置59A的发光元件59a发出的光被支撑销63的头部63a遮挡而检测到头部63a，将该检测信号传递给控制器70(步骤S9-3)。于是，如图8B所示，根据来自控制器70的控制信号而驱动输送臂59的移动机构55，使输送臂50沿倾斜方向下降(步骤S9-4)。由此，抑制了输送臂50的伴随着旋转卡盘60的向上方的移动的惯性力带来的晶片W的偏移，并将修正了偏移的晶片W支撑在支撑销63上。然后，驱动升降机构67而使支撑销63下降，将晶片W载置在载置台60A上(步骤S9-5)。
在将晶片W载置在载置台60A上的状态下，加热器64动作而在规定的温度、例如100℃下进行规定时间的预烘烤处理(步骤S9-6)。由此，能够从晶片W上的涂布膜将残留溶剂蒸发除去。如果结束了预烘烤，则输送臂50将晶片W从热盘单元(HP)送出，接着向属于第4组G4的多级单元的扩展冷却单元(EXTCOL)输送。
(第3实施方式)
图10是表示第3实施方式的基板输送装置的概略侧视图。
第3实施方式与第1实施方式同样，涉及将由上述输送臂50输送的晶片W输送到抗蚀剂涂布单元(COT)内、交接给配设在抗蚀剂涂布单元(COT)内的载置机构、即旋转卡盘60的装置，是使将晶片W载置到旋转卡盘60上时的动作为不同的方式的情况。即，如图10所示，是在将输送臂50向旋转卡盘60的上方移动、将晶片W载置到旋转卡盘60上后、使输送臂50向沿着该输送臂50的移动前方的水平方向移动(iii)后、向铅直方向下降(iv)的情况。
另外，在第3实施方式中，其他部分与第1实施方式相同，所以对相同的部分赋予相同的标号而省略说明。
接着，参照图10及图11所示的流程图说明第3实施方式的动作状况。
首先，通过输送臂50将晶片W从上述冷却单元(COL)送出，移动到抗蚀剂涂布单元(COT)内的旋转卡盘60的上方(步骤S11-1)。然后，使输送臂50沿铅直方向下降(步骤S11-2)。在该输送臂50的下降的过程中，通过从载置部检测装置59的发光元件59a发出的光被旋转卡盘60的载置部60a遮挡而检测到载置部60a，将该检测信号传递给控制器70(步骤S11-3)。于是，如图10所示，根据来自控制器70的控制信号而驱动输送臂50的移动机构55，使输送臂50向沿着该输送臂50的移动前方的水平方向移动(iii)后，向铅直方向下降(iv)(步骤S11-4)。由此，抑制了输送臂50的伴随着旋转卡盘60的向上方的移动的惯性力带来的晶片W的偏移，修正了起因于该偏移的晶片W的在旋转卡盘60的载置部60a上的位置偏移，而进行吸引保持。
在将晶片W载置在旋转卡盘60的载置部60a上的状态下，未图示的抗蚀剂涂布嘴移动到晶片W的上方，将抗蚀剂液从该嘴滴下到晶片W的表面上，并且旋转卡盘60旋转而将抗蚀剂涂布到晶片W表面上(步骤S11-5)。如果结束了抗蚀剂涂布处理，则输送臂50将晶片W从抗蚀剂涂布单元(COT)送出，接着向热盘单元(HP)输送。
(第4实施方式)
图12是表示有关第4实施方式的输送臂的概略立体图，图13A是表示第4实施方式的基板输送装置的概略侧视图，图13B是表示在载置状态不充分的情况下使输送臂上升的状态的要部概略侧视图，图13C是表示再次使输送臂下降的状态的要部概略侧视图。
第4实施方式是在上述第1、3实施方式中、能够对处载置在作为载置机构的旋转卡盘60上的晶片W因跳起而不能进行充分的载置的情况的例子。即，第4实施方式是在输送臂50中设置检测载置于旋转卡盘60上的晶片W的跳起的跳起检测装置80、并且具备发生了跳起的情况的对应功能的例子。
在第4实施方式中，在输送臂50的框部50a的上表面的关于该框部50a的内侧中心点对置的位上，安装有检测载置于作为载置机构的旋转卡盘60上的晶片W的跳起的跳起检测装置80。该跳起检测装置80例如具有发光元件80a和受光元件80b(参照图12)。该跳起检测装置80与控制器70电气地连接，在通过跳起检测装置80检测到载置于旋转卡盘60上的晶片W的跳起的情况下，将该检测信号传递给控制器70。此外，在控制器70上电气地连接着警报机构、例如报警器90，在通过跳起检测装置80检测到载置于旋转卡盘60上的晶片W的跳起的情况下，根据来自控制器70的信号，报警器90发出警报。
另外，在第4实施方式中，其他部分与第1实施方式相同，所以对相同的部分赋予相同的标号而省略说明。
接着，参照图13及图14所示的流程图说明第4实施方式的基板输送装置的动作状况。
首先，通过输送臂50将晶片W从上述冷却单元(COL)送出，移动到抗蚀剂涂布单元(COT)内的旋转卡盘60的上方(步骤S14-1)。然后，使输送臂50沿铅直方向下降(步骤S14-2)。在该输送臂50的下降的过程中，通过从载置部检测装置59的发光元件59a发出的光被旋转卡盘60的载置部60a遮挡而检测到载置部60a，将该检测信号传递给控制器70(步骤S14-3)。于是，根据来自控制器70的控制信号而驱动输送臂50的移动机构55，使输送臂50沿倾斜方向下降，将晶片W载置在旋转卡盘60上(步骤S14-4)。此时，通过跳起检测装置80检测有无晶片W的跳起(步骤S14-5)。根据该检测，在有晶片W的跳起的情况下，将该检测信号传递给控制器70，根据来自控制器70的控制信号驱动移动机构55，输送臂50上升而使载置在旋转卡盘60上的晶片W向旋转卡盘60的上方上升，然后，再次使输送臂50下降，将晶片W载置在旋转卡盘60上(步骤S14-6)。此时，再次通过跳起检测装置80检测有无晶片W的跳起(步骤S14-5)。此外，在有晶片W的跳起的情况下，将来自控制器70的信号传递给报警器90，使其发出警报(步骤S14-7)。
在没有检测到载置于旋转卡盘60上的晶片W的跳起的情况下，确认为晶片W以正确的状态载置在旋转卡盘60上。并且，在将晶片W载置在旋转卡盘60的载置部60a上的状态下，未图示的抗蚀剂涂布嘴移动到晶片W的上方，将抗蚀剂液从该嘴滴下到晶片W的表面上，并且旋转卡盘60旋转而将抗蚀剂涂布到晶片W表面上(步骤S14-8)。如果结束了抗蚀剂涂布处理，则输送臂50将晶片W从抗蚀剂涂布单元(COT)送出，接着向热盘单元(HP)输送。
在上述实施方式中，对于将本发明的基板输送装置应用到涂布显影处理系统中的处理站20的主晶片输送结构部21与抗蚀剂涂布单元(COT)或热盘单元(HP)中的情况进行了说明，但也可以应用到主晶片输送结构部21与其他处理单元的晶片W的输送中。此外，也能够应用于处理站20以外的接口部30的输送臂34与周边曝光装置33之间的晶片W的输送中。
此外，在上述实施方式中，对于将本发明的基板输送装置应用在半导体晶片的抗蚀剂涂布显影处理系统的加热处理装置中的情况进行了说明，但当然也能够应用于LCD玻璃基板的抗蚀剂涂布显影系统的基板输送装置中。

Claims (13)

1.一种基板输送方法，将由输送臂输送的基板交接给载置机构，其特征在于，
使上述输送臂移动到上述载置机构的上方、将基板交接到载置机构上，同时使输送臂沿倾斜方向下降而将基板载置在载置机构上。
2.如权利要求1所述的基板输送方法，其特征在于，
在通过设在上述输送臂上的载置部检测装置检测到载置机构的载置部后，使输送臂沿倾斜方向下降。
3.一种基板输送方法，将由输送臂输送的基板交接给载置机构，其特征在于，
使上述输送臂移动到上述载置机构的上方，将基板交接给相对于载置装置升降的支撑销时，在由设在上述输送臂上的头部检测装置检测到支撑销的头部后，使上述输送臂沿倾斜方向下降，然后使支撑销下降而将基板载置到载置机构上。
4.一种基板输送方法，将由输送臂输送的基板交接给载置机构，其特征在于，
使上述输送臂移动到上述载置机构的上方，将基板交接到载置机构上后，使输送臂沿着该输送臂的移动前方的水平方向移动后、沿铅直方向下降。
5.如权利要求1所述的基板输送方法，其特征在于，
通过设在上述输送臂上的基板的跳起检测装置检测有无将基板交接给载置机构后的状态下的基板的跳起；
在检测到跳起的情况下，通过输送臂使基板上升后，使其下降而载置到载置机构上。
6.如权利要求5所述的基板输送方法，其特征在于，
通过设在上述输送臂上的基板的跳起检测装置检测有无将基板交接给载置机构后的状态下的基板的跳起，在检测到跳起的情况下发出警报。
7.一种基板输送装置，具备输送基板的输送臂、和从输送臂获取由上述输送臂输送的基板的载置机构，其特征在于，具备：
载置部检测装置，设在上述输送臂上，检测上述载置机构的载置部；
移动机构，使上述输送臂沿升降及水平方向移动；
控制机构，根据来自上述载置部检测装置的检测信号控制上述移动机构；
在将由上述输送臂输送的基板交接给上述载置机构时，在上述载置部检测装置检测到载置机构的载置部后，根据来自上述控制机构的控制信号驱动上述移动机构，使输送臂沿倾斜方向下降。
8.一种基板输送装置，具备输送基板的输送臂、和从输送臂获取由上述输送臂输送的基板的载置机构，其特征在于，具备：
支撑销，在升降机构的作用下相对于上述载置机构的载置部升降，将基板交接给载置机构；
移动机构，使上述输送臂沿升降及水平方向移动；
头部检测装置，设在上述输送臂上，检测上述支撑销的头部；
控制机构，根据来自上述头部检测装置的检测信号控制上述移动机构，并且控制上述升降机构；
在将由上述输送臂输送的基板交接给上述载置机构时，在上述头部检测装置检测到支撑销的头部后，根据来自上述控制机构的控制信号驱动上述移动机构，使输送臂沿倾斜方向下降，然后驱动上述升降机构，使上述支撑销下降。
9.一种基板输送装置，具备输送基板的输送臂、和从输送臂获取由上述输送臂输送的基板的载置机构，其特征在于，具备：
载置部检测装置，设在上述输送臂上，检测上述载置机构的载置部；
移动机构，使上述输送臂沿升降及水平方向移动；
控制机构，根据来自上述载置部检测装置的检测信号控制上述移动机构；
在将由上述输送臂输送的基板交接给上述载置机构时，在上述载置部检测装置检测到载置机构的载置部后，根据来自上述控制机构的控制信号驱动上述移动机构，使输送臂向沿着该输送臂的移动前方的水平方向移动后，沿铅直方向下降。
10.如权利要求7所述的基板输送装置，其特征在于，具备：
跳起检测装置，设在上述输送臂上，检测有无将基板载置在载置机构上后的状态下的基板的跳起；
控制机构，根据来自上述跳起检测装置的检测信号控制移动机构；
在由上述跳起检测装置检测到载置于载置机构上的基板的跳起的情况下，根据来自上述控制机构的控制信号驱动上述移动机构，在通过输送臂使基板暂时上升后，使其下降而将基板载置在载置机构上。
11.如权利要求9所述的基板输送装置，其特征在于，具备：
跳起检测装置，设在上述输送臂上，检测有无将基板载置在载置机构上后的状态下的基板的跳起；
控制机构，根据来自上述跳起检测装置的检测信号控制移动机构；
在由上述跳起检测装置检测到载置于载置机构上的基板的跳起的情况下，根据来自上述控制机构的控制信号驱动上述移动机构，在通过输送臂使基板暂时上升后，使其下降而将基板载置在载置机构上。
12.如权利要求10所述的基板输送装置，其特征在于，
具有根据来自上述控制机构的控制信号、在检测到载置于载置机构上的基板的跳起的情况下发出警报的警报机构。
13.如权利要求11所述的基板输送装置，其特征在于，
具有根据来自上述控制机构的控制信号、在检测到载置于载置机构上的基板的跳起的情况下发出警报的警报机构。
CNB2006101641501A 2005-12-06 2006-12-06 基板输送方法及基板输送装置 Active CN100517630C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005351397 2005-12-06
JP2005351397A JP4439464B2 (ja) 2005-12-06 2005-12-06 基板搬送方法及び基板搬送装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1979792A true CN1979792A (zh) 2007-06-13
CN100517630C CN100517630C (zh) 2009-07-22

Family

ID=38130898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006101641501A Active CN100517630C (zh) 2005-12-06 2006-12-06 基板输送方法及基板输送装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7987019B2 (zh)
JP (1) JP4439464B2 (zh)
KR (1) KR101139180B1 (zh)
CN (1) CN100517630C (zh)
TW (1) TWI330395B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101748389A (zh) * 2008-11-28 2010-06-23 东京毅力科创株式会社 成膜装置、成膜方法、半导体制造装置及其所用的基座
CN101807059A (zh) * 2009-02-13 2010-08-18 株式会社日立国际电气 基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法
CN101859693A (zh) * 2009-04-09 2010-10-13 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
CN101859694A (zh) * 2009-04-09 2010-10-13 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
CN102646612A (zh) * 2010-11-24 2012-08-22 台湾积体电路制造股份有限公司 用于将尺寸不同的晶圆居中的可重构导销设计
CN103227129A (zh) * 2012-01-26 2013-07-31 株式会社安川电机 机器人手和机器人
WO2016082746A1 (zh) * 2014-11-26 2016-06-02 上海微电子装备有限公司 一种硅片处理装置及方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102130033B (zh) * 2005-07-08 2014-05-14 交叉自动控制公司 工件支撑结构及其使用设备
US9437469B2 (en) * 2007-04-27 2016-09-06 Brooks Automation, Inc. Inertial wafer centering end effector and transport apparatus
US20090092470A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Bonora Anthony C End effector with sensing capabilities
US8444129B2 (en) * 2008-07-22 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Methods of verifying effectiveness of a put of a substrate onto a substrate support
JP2011071293A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Tokyo Electron Ltd プロセスモジュール、基板処理装置、および基板搬送方法
JP2011129651A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法、基板処理装置、および、プログラム
JP5396264B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
TWM389927U (en) * 2010-05-04 2010-10-01 Rexchip Electronics Corp Robot arm for delivering a wafer, wafer-operating machine and member thereof
JP5433783B2 (ja) * 2010-05-26 2014-03-05 株式会社アルバック 搬送方法
US8864202B1 (en) * 2013-04-12 2014-10-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Spring retained end effector contact pad
JP6090035B2 (ja) * 2013-07-25 2017-03-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6183137B2 (ja) * 2013-10-17 2017-08-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US9666465B2 (en) 2013-12-12 2017-05-30 Seagate Technology Llc Positioning apparatus
JP6303556B2 (ja) * 2014-02-05 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構の位置検出方法、記憶媒体及び基板搬送機構の位置検出装置
US11183401B2 (en) 2015-05-15 2021-11-23 Suss Microtec Lithography Gmbh System and related techniques for handling aligned substrate pairs
US10825705B2 (en) * 2015-05-15 2020-11-03 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus, system, and method for handling aligned wafer pairs
KR102063322B1 (ko) 2016-05-27 2020-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6858041B2 (ja) * 2017-03-16 2021-04-14 川崎重工業株式会社 基板搬送装置
US10399231B2 (en) * 2017-05-22 2019-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate handling contacts and methods

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6456480B1 (en) * 1997-03-25 2002-09-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and a processing method
JP3774314B2 (ja) 1998-02-24 2006-05-10 東京エレクトロン株式会社 基板の保持装置
JP2002124556A (ja) 2000-10-13 2002-04-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウエハ搬送装置
JP4106948B2 (ja) * 2002-03-29 2008-06-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の跳上り検出装置、被処理体の跳上り検出方法、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2004172480A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Olympus Corp ウェハ検査装置
JP4276440B2 (ja) * 2003-01-06 2009-06-10 東京エレクトロン株式会社 基板検出方法及び装置並びに基板処理装置
KR101015778B1 (ko) * 2003-06-03 2011-02-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리장치 및 기판 수수 위치의 조정 방법
US8101934B2 (en) * 2006-03-07 2012-01-24 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for detecting a substrate notch or flat

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101748389A (zh) * 2008-11-28 2010-06-23 东京毅力科创株式会社 成膜装置、成膜方法、半导体制造装置及其所用的基座
CN101807059A (zh) * 2009-02-13 2010-08-18 株式会社日立国际电气 基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法
CN101807059B (zh) * 2009-02-13 2013-11-27 株式会社日立国际电气 基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法
CN101859693B (zh) * 2009-04-09 2013-03-27 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
CN101859694B (zh) * 2009-04-09 2013-03-27 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
CN101859694A (zh) * 2009-04-09 2010-10-13 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
CN101859693A (zh) * 2009-04-09 2010-10-13 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
CN102646612A (zh) * 2010-11-24 2012-08-22 台湾积体电路制造股份有限公司 用于将尺寸不同的晶圆居中的可重构导销设计
US9099515B2 (en) 2010-11-24 2015-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reconfigurable guide pin design for centering wafers having different sizes
CN103227129A (zh) * 2012-01-26 2013-07-31 株式会社安川电机 机器人手和机器人
CN103227129B (zh) * 2012-01-26 2015-10-14 株式会社安川电机 机器人手和机器人
WO2016082746A1 (zh) * 2014-11-26 2016-06-02 上海微电子装备有限公司 一种硅片处理装置及方法
US10658214B2 (en) 2014-11-26 2020-05-19 Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. Wafer processing device and method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
US20110257783A1 (en) 2011-10-20
KR101139180B1 (ko) 2012-04-26
TW200739792A (en) 2007-10-16
JP4439464B2 (ja) 2010-03-24
CN100517630C (zh) 2009-07-22
US7987019B2 (en) 2011-07-26
JP2007158032A (ja) 2007-06-21
KR20070059980A (ko) 2007-06-12
TWI330395B (en) 2010-09-11
US8554360B2 (en) 2013-10-08
US20070128008A1 (en) 2007-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100517630C (zh) 基板输送方法及基板输送装置
JP4887332B2 (ja) 基板の処理装置
JP5344734B2 (ja) 基板処理装置
KR101930555B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP2000331922A (ja) 基板処理装置
TW200810004A (en) Substrate processing apparatus
KR102000013B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4665037B2 (ja) 基板処理システム
JP2011205004A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20100090643A (ko) 기판 처리 시스템
JP2005093812A (ja) 基板搬送装置および基板処理装置
TWI747074B (zh) 基板處理裝置
JPH08222618A (ja) 搬送方法及び搬送装置
KR102037900B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP3647330B2 (ja) 半導体製造装置およびデバイス製造方法
KR102174207B1 (ko) 마이크로리소그래피에서 로딩하는 기판
KR102010265B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JPH0414237A (ja) 半導体製造装置
JP2002299409A (ja) 基板搬送装置および基板搬送方法
JP2010192685A (ja) 基板搬送装置及び基板処理システム
JP2001168167A (ja) 処理システム及び処理方法
JP2013165177A (ja) ストッカー装置
KR102315666B1 (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR101958638B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20230149530A (ko) 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant