CN103098192B - 电子零件用粘接剂及半导体芯片安装体的制造方法 - Google Patents

电子零件用粘接剂及半导体芯片安装体的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103098192B
CN103098192B CN201280002481.9A CN201280002481A CN103098192B CN 103098192 B CN103098192 B CN 103098192B CN 201280002481 A CN201280002481 A CN 201280002481A CN 103098192 B CN103098192 B CN 103098192B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic component
bonding agent
component bonding
inorganic filler
mentioned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280002481.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103098192A (zh
Inventor
卡尔·阿尔文·迪朗
早川明伸
定永周治郎
畠井宗宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Publication of CN103098192A publication Critical patent/CN103098192A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103098192B publication Critical patent/CN103098192B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/04Non-macromolecular additives inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J185/00Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing atoms other than silicon, sulfur, nitrogen, oxygen, and carbon; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04Ingredients treated with organic substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29386Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供抑制空隙的产生,并且不易发生沿半导体芯片上面往上爬的电子零件用粘接剂。另外,本发明的目的还在于提供使用了所述电子零件用粘接剂的半导体芯片安装体的制造方法。本发明为一种电子零件用粘接剂,其是含有固化性化合物、固化剂和无机填充剂的电子零件用粘接剂,其中,将在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1(Pa·s),将0.5rpm下的粘度设为A2(Pa·s)时,A1和A2/A1在图1的由实线和虚线所包围的范围内(但是,包含实线上的点,而不包含虚线上的点),相对于100重量份的所述固化性化合物,所述固化剂的配合量为5~150重量份,所述无机填充剂的配合量为60~400重量份。

Description

电子零件用粘接剂及半导体芯片安装体的制造方法
技术领域
本发明涉及抑制空隙的产生,并且不易发生沿半导体芯片上面往上爬的电子零件用粘接剂。另外,本发明还涉及使用了所述电子零件用粘接剂的半导体芯片安装体的制造方法。
背景技术
近年来,为了应对日益发展的半导体装置的小型化、高集成化,多采用利用了具有由焊料等构成的突起状电极(凸出)的半导体芯片的倒装式安装。例如,在专利文献1中记载了将半导体装置的凸出电极与基板的端子电极电连接后,将密封材料填充于上述半导体装置与基板的间隙的半导体装置的制造方法。
专利文献1中记载了其目的在于查明为了得到密封材料良好的密封特性所需的粘度和触变性特性的界限,记载了若是由粘度为100Pa·s以下、触变性指数为1.1以下的组合物构成的密封材料,则在注入密封材料时可迅速且不产生气泡地充分浸透到间隙中,而且也可充分浸透到小间隙中。
另外,专利文献2中记载了实质上含有球形的非凝聚、无定形且固体的表面处理纳米粒子的固化性底充粘接用组合物作为底充材料。专利文献2中记载了通过使用表面改性纳米粒子,从而可提供在具有所希望的热膨胀率(CTE)的、并且为了用于毛细管底充法而提供有用的粘度范围的底充粘接剂。
但是,近年来,由于随着半导体芯片不断小型化,凸出间的间距越来越窄,而且与之相伴的是半导体芯片彼此或半导体芯片与基板之间的缝隙变窄,由此在填充密封树脂(底充材料)时容易卷入空气,从而容易产生空隙。
为解决此问题,例如研究了不在电极接合后填充密封树脂而预先将密封树脂设置于接合区域的方法。例如,专利文献3中记载了一种半导体装置的制造方法,所述方法是在无机基板或有机基板电路形成面的搭载半导体元件的位置涂布规定的液态密封树脂组合物,然后在借助凸出将上述半导体元件的电极与上述基板的电路接合的同时,进行上述液态密封树脂组合物的固化的方法。
但是,即使通过专利文献3中记载的方法,也无法充分排除产生空隙的可能性。另外,就专利文献3中记载的方法而言,还存在密封树脂易沿半导体芯片的上面往上爬,因而污染焊接(bongding)装置的配件的问题。另外,例如在将专利文献2中记载的底充材料适用于专利文献3中记载的方法的情况下,也存在易产生空隙的问题。
专利文献
专利文献1:日本专利第3093621号公报
专利文献2:日本特表2005-527113号公报
专利文献3:日本特开2009-96886号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的在于提供抑制空隙的产生,并且不易发生沿半导体芯片上面往上爬的电子零件用粘接剂。另外,本发明的目的还在于提供使用了所述电子零件用粘接剂的半导体芯片安装体的制造方法。
解决课题的手段
本发明为一种电子零件用粘接剂,其是含有固化性化合物、固化剂和无机填充剂的电子零件用粘接剂,其中,将在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1(Pa·s)、将0.5rpm下的粘度设为A2(Pa·s)时,A1和A2/A1在图1的由实线和虚线所包围的范围内(但是,包含实线上的点,而不包含虚线上的点),相对于100重量份的上述固化性化合物,上述固化剂的配合量为5~150重量份,上述无机填充剂的配合量为60~400重量份。
以下对本发明进行详细说明。
本发明人等发现,在将具有突起状电极的半导体芯片通过倒装式安装接合于基板的同时进行密封的半导体芯片安装体的制造方法中,作为预先设置于基板上的电子零件用粘接剂,通过使用以规定的配合比含有固化性化合物、固化剂和无机填充剂且粘度特性和触变性特性在规定的范围内的电子零件用粘接剂,从而可抑制空隙的产生,并且可抑制电子零件用粘接剂沿半导体芯片上面往上爬,从而完成了本发明。
本发明的电子零件用粘接剂是含有固化性化合物、固化剂和无机填充剂的电子零件用粘接剂,将在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1(Pa·s)、将0.5rpm下的粘度设为A2(Pa·s)时,A1和A2/A1在图1的由实线和虚线所包围的范围内。但是,应包含实线上的点,而不包含虚线上的点。
在本说明书中,电子零件用粘接剂的粘度的测定使用VISCOMETERTV-22(TOKAISANGYOCO.LTD公司制造)等E型粘度测定装置进行。另外,所谓A2/A1指电子零件用粘接剂的在25℃下使用E型粘度计测得的0.5rpm下的粘度A2(Pa·s)除以5rpm下的粘度A1(Pa·s)而得到的值,是表示电子零件用粘接剂的触变性特性的指标。
需说明的是,图1的由实线和虚线所包围的范围是由在实施例和比较例中测得的电子零件用粘接剂的粘度特性和触变性特性导出的范围。
在图1中,横轴为A1(Pa·s),纵轴为A2/A1。通过将A1和A2/A1设定在图1的由实线和虚线所包围的范围内,从而在使半导体芯片的突起状电极与基板的电极部接触的同时将电子零件用粘接剂填充于密封区域的工序中,即使在包入气泡的情况下也可抑制空隙的产生,此外可抑制电子零件用粘接剂沿半导体芯片上面往上爬。需说明的是,推测可如此抑制空隙的产生的原因在于,在将电子零件用粘接剂填充于密封区域时,若为呈现出上述物性的电子零件用粘接剂,则通过润湿展开而在填充于密封区域的过程中发挥挤出气泡的作用。
在因A1过小而导致A1和A2/A1不满足在图1的由实线和虚线所包围的范围内的情况下,电子零件用粘接剂的流动性过度升高。因此,在将电子零件用粘接剂设置于基板上的工序中,电子零件用粘接剂的润湿展开过度变大,重叠在位于封止区域附近的校准标志(alignmentmark)上,从而难以进行校准。另外,在使半导体芯片的突起状电极与基板的电极部接触的同时将电子零件用粘接剂填充于密封区域的工序中,凸缘(fillet)会变长。上述基板的配线部分往往因此而受到污染。
在因A1过大而导致A1和A2/A1不满足在图1的由实线和虚线所包围的范围内的情况下,在将电子零件用粘接剂填充于密封区域时电子零件用粘接剂未充分润湿展开,因而难以抑制空隙的产生。
就A1的值而言,若A1和A2/A1满足在图1的由实线和虚线所包围的范围内,则无特殊限定,但优选下限为25Pa·s,优选上限为150Pa·s,更优选下限为30Pa·s,更优选上限为130Pa·s。
在因A2/A1过小而导致A1和A2/A1不满足在图1的由实线和虚线所包围的范围内的情况下,难以抑制空隙的产生。另外,在将电子零件用粘接剂设置于基板上的工序、与在使半导体芯片的突起状电极与基板的电极部接触的同时将电子零件用粘接剂填充于密封区域的工序之间,难以维持电子零件用粘接剂的形状。
在因A2/A1过大而导致A1和A2/A1不满足在图1的由实线和虚线所包围的范围内的情况下,在将半导体芯片的突起状电极与基板的电极部接触或接合时,无法充分抑制电子零件用粘接剂沿半导体芯片上面往上爬,因而使得电子零件用粘接剂容易附着于焊接装置的配件。
就A2/A1的值而言,若A1和A2/A1满足在图1的由实线和虚线所包围的范围内,则无特殊限定,但优选下限为2.2,优选上限为4.5,更优选下限为2.5,更优选上限为4,进一步优选上限为3.8,特别优选上限为3.5。
即使在由图1的实线和虚线所包围的范围内,A1和A2/A1也特别优选在图3的由实线所包围的范围内。
需说明的是,图3的由实线所包围的范围是在实施例中得到的(A1,A2/A1)的点中通过连接位于最外侧的点而得到的范围。
通过调整本发明的电子零件用粘接剂中含有的固化性化合物、固化剂、无机填充剂、根据需要的表面活性剂等各种成分的种类和配合量,从而可使A1和A2/A1处于图1的由实线和虚线所包围的范围内。
通过含有上述固化性化合物,从而本发明的电子零件用粘接剂的固化性和固化后的可靠性优异。从将电子零件用粘接剂的粘度特性和触变性两者调整至所需的范围的观点出发,上述固化性化合物的SP值优选为8~14左右。
上述固化性化合物无特殊限定,但优选含有选自环氧化合物、双马来酰亚胺化合物、环硫化物中的至少1种化合物。
上述环氧化合物无特殊限定,例如可举出双酚A型、双酚F型、双酚AD型、双酚S型等双酚型环氧化合物,苯酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型等酚醛清漆型环氧化合物,间苯二酚型环氧化合物,三苯酚甲烷三缩水甘油醚等芳族环氧化合物,萘型环氧化合物,芴型环氧化合物,二环戊二烯型环氧化合物,聚醚改性环氧化合物,二苯甲酮型环氧化合物,苯胺型环氧化合物,NBR改性环氧化合物,CTBN改性环氧化合物,以及它们的氢化物等。其中,从易于得到快速固化性出发,优选为二苯甲酮型环氧化合物。这些环氧化合物可单独使用或合用2种以上。
在上述双酚F型环氧化合物中,作为市售品,例如可举出EXA-830-LVP、EXA-830-CRP(以上均为DIC公司制造)等。
在上述间苯二酚型环氧化合物中,作为市售品,例如可举出EX-201(NAGASECHEMTEXCORPORATION制造)等。
在上述聚醚改性环氧化合物中,作为市售品,例如可举出EX-931(NAGASECHEMTEXCORPORATION制造)、EXA-4850-150(DIC公司制造)、EP-4005(ADEKA公司制造)等。
在本发明的电子零件用粘接剂含有上述环氧化合物的情况下,上述环氧化合物的配合量无特殊限定,但在100重量份的电子零件用粘接剂中所占的优选下限为15重量份,优选上限为60重量份,更优选下限为25重量份,更优选上限为50重量份。
上述双马来酰亚胺化合物无特殊限定,例如可列举出由KICHEMICALINDUSTRYCO.,LTD制造、大和化成工业公司制造、CIBASPECIALTYCHEMICALSINC.制造、NATIONALSTARCHANDCHEMICALCOMPANY制造等市售的热引发型自由基固化性双马来酰亚胺化合物等。
在本发明的电子零件用粘接剂含有上述双马来酰亚胺化合物的情况下,上述双马来酰亚胺化合物的配合量无特殊限定,但在100重量份的电子零件用粘接剂中所占的优选下限为15重量份,优选上限为60重量份,更优选下限为25重量份,更优选上限为50重量份。
上述环硫化物若具有环硫基,则无特殊限定,例如可列举出将环氧化合物的环氧基的氧原子取代为硫原子而得的化合物。
作为上述环硫化物,具体而言例如可举出双酚型环硫化物(将双酚型环氧化合物的环氧基的氧原子取代为硫原子而得的化合物)、氢化双酚型环硫化物、二环戊二烯型环硫化物、联苯型环硫化物、苯酚酚醛清漆型环硫化物、芴型环硫化物、聚醚改性环硫化物、丁二烯改性环硫化物、三嗪环硫化物、萘型环硫化物等。其中,优选萘型环硫化物。这些环硫化物可单独使用或合用2种以上。
需说明的是,从氧原子向硫原子的取代可以是环氧基的至少一部分的取代、还可以是全部环氧基的氧原子被取代为硫原子。
在上述环硫化物中,作为市售品,例如可列举出YL-7007(氢化双酚A型环硫化物,三菱化学公司制造)等。另外,上述环硫化物例如可使用硫氰酸钾、硫脲等硫化剂而由环氧化合物容易地合成。
在本发明的电子零件用粘接剂含有上述环硫化物的情况下,上述环硫化物的配合量无特殊限定,在100重量份的电子零件用粘接剂中所占的优选下限为3重量份,优选上限为12重量份,更优选下限为6重量份,更优选上限为9重量份。
本发明的电子零件用粘接剂可含有具有能与上述固化性化合物反应的官能团的高分子化合物(以下也简称为具有可反应的官能团的高分子化合物)。通过含有上述具有可反应的官能团的高分子化合物,从而电子零件用粘接剂在发生由热导致的变形时的接合可靠性提高。
作为上述具有可反应的官能团的高分子化合物,在作为上述固化性化合物而使用环氧化合物的情况下,例如可列举出具有氨基、尿烷基、酰亚胺基、羟基、羧基、环氧基等的高分子化合物等。其中,优选为具有环氧基的高分子化合物。通过含有上述具有环氧基的高分子化合物,从而电子零件用粘接剂的固化物显示出优异的挠性。即,可兼具源于作为上述固化性化合物的环氧化合物的优异的机械强度、耐热性和耐湿性与源于上述具有环氧基的高分子化合物的优异的挠性,耐冷热循环性、耐焊料回流性和尺寸稳定性等优异,显示出很高的粘接可靠性和很高的导通可靠性。
上述具有环氧基的高分子化合物无特殊限定,只要是末端和/或侧链(侧位)具有环氧基的高分子化合物即可,例如可列举出含有环氧基的丙烯酸橡胶、含有环氧基的丁二烯橡胶、双酚型高分子量环氧化合物、含有环氧基的苯氧基树脂、含有环氧基的丙烯酸树脂、含有环氧基的聚氨酯树脂、含有环氧基的聚酯树脂等。其中,因为可含有大量环氧基,且使电子零件用粘接剂的固化物的机械强度和耐热性更加优异,所以优选为含有环氧基的丙烯酸树脂。这些具有环氧基的高分子化合物可单独使用或合用2种以上。
作为上述具有可反应的官能团的高分子化合物,在使用上述具有环氧基的高分子化合物、特别是含有环氧基的丙烯酸树脂的情况下,上述具有环氧基的高分子化合物的重均分子量优选下限为1万。若上述具有环氧基的高分子化合物的重均分子量不足1万,则电子零件用粘接剂的固化物的挠性往往没有充分提高。
作为上述具有可反应的官能团的高分子化合物,在使用上述具有环氧基的高分子化合物、特别是含有环氧基的丙烯酸树脂的情况下,上述具有环氧基的高分子化合物的环氧当量优选下限为200,优选上限为1000。若上述具有环氧基的高分子化合物的环氧当量不足200,则电子零件用粘接剂的固化物的挠性往往没有充分提高。若上述具有环氧基的高分子化合物的环氧当量超过1000,则电子零件用粘接剂的固化物的机械强度和耐热性往往降低。
在本发明的电子零件用粘接剂含有上述具有可反应的官能团的高分子化合物的情况下,上述具有可反应的官能团的高分子化合物的配合量无特殊限定,但相对于100重量份的上述固化性化合物的优选下限为1重量份,优选上限为30重量份。若上述具有可反应的官能团的高分子化合物的配合量不足1重量份,则电子零件用粘接剂在发生由热导致的变形时的接合可靠性往往降低。若上述具有可反应的官能团的高分子化合物的配合量超过30重量份,则电子零件用粘接剂的固化物的机械强度、耐热性和耐湿性往往降低。
上述固化剂无特殊限定,可根据上述固化性化合物适宜选择以往公知的固化剂。在作为上述固化性化合物而使用环氧化合物的情况下,作为上述固化剂,例如可列举出三烷基四氢邻苯二甲酸酐等加热固化型酸酐系固化剂、苯酚系固化剂、胺系固化剂、双氰胺等潜在性固化剂、阳离子系催化剂型固化剂等。这些固化剂可单独使用或合用2种以上。
就上述固化剂的配合量而言,相对于100重量份的上述固化性化合物的下限为5重量份,上限为150重量份。若上述固化剂的配合量不足5重量份,则电子零件用粘接剂的固化物变脆弱,或成为引起上述固化剂固化不充分等不良现象的原因。若上述固化剂的配合量超过150重量份,则电子零件用粘接剂的固化物的耐热性降低。
本发明的电子零件用粘接剂在调整固化速度或固化温度的目的下优选在含有上述固化剂的基础上还含有固化促进剂。
上述固化促进剂无特殊限定,例如可列举出咪唑系固化促进剂、叔胺系固化促进剂等。其中,因而易控制固化速度,所以优选咪唑系固化促进剂。这些固化促进剂可单独使用或合用2种以上。
上述咪唑系固化促进剂无特殊限定,例如可列举出将咪唑的1位用氰基乙基保护而得的1-氰基乙基-2-苯基咪唑、用异氰尿酸保护了碱性的咪唑系固化促进剂(商品名“2MA-OK”,四国化成工业社公司制造)等。这些咪唑系固化促进剂可单独使用或合用2种以上。
作为上述固化促进剂,例如可举出2MZ、2MZ-P、2PZ、2PZ-PW、2P4MZ、C11Z-CNS、2PZ-CNS、2PZCNS-PW、2MZ-A、2MZA-PW、C11Z-A、2E4MZ-A、2MAOK-PW、2PZ-OK、2MZ-OK、2PHZ、2PHZ-PW、2P4MHZ、2P4MHZ-PW、2E4MZ·BIS、VT、VT-OK、MAVT、MAVT-OK(以上均为四国化成工业社公司制造)等。
上述固化促进剂的配合量无特殊限定,相对于100重量份的上述固化性化合物,优选下限为1重量份,优选上限为10重量份。
作为上述固化性化合物,在使用环氧化合物且将上述固化剂与上述固化促进剂合用的情况下,优选将所使用固化剂的配合量相对于所使用的环氧化合物中的环氧基而言设定为理论上所需的当量以下。若上述固化剂的配合量超过理论上所需的当量,则氯离子往往容易因水分而从将电子零件用粘接剂固化而得到的固化物中溶出。即,若固化剂过剩,则例如在用热水从电子零件用粘接剂的固化物中提取溶出成分时,提取水的pH为4~5左右,因此氯离子往往从环氧化合物中大量溶出。因而,优选在用10g的100℃纯水浸泡1g的电子零件用粘接剂的固化物2小时后的纯水的pH为6~8,更优选pH为6.5~7.5。
优选本发明的电子零件用粘接剂还含有具有溶解度参数(SP值)为13以上的官能团和溶解度参数(SP值)为9以上且不足13的官能团的表面活性剂(在本说明书中也称为表面活性剂(1)),无机填充剂的疏水化度(M值)为20以下(在本说明书中也称为无机填充剂(1))。
或者,优选本发明的电子零件用粘接剂还含有具有溶解度参数(SP值)为不足9的官能团和溶解度参数(SP值)为9以上且不足13的官能团的表面活性剂(在本说明书中也称为表面活性剂(2)),无机填充剂的疏水化度(M值)为45以上(在本说明书中也称为无机填充剂(2))。
在电子零件用粘接剂中,触变性特性大时容易抑制空隙的产生。但是,通常为了提高可靠性而需要配合一定程度以上的无机填充剂,而配合了一定程度以上的无机填充剂的电子零件用粘接剂容易形成高粘度。若以增大触变性为目的而在这样的高粘度的电子零件用粘接剂中进一步配合触变剂,则粘度会进一步升高,涂布性降低,而且也难以调整触变性特性。
本发明人发现:只要在选择显示出特定的疏水化度(M值)的无机填充剂、和具有显示出特定的溶解度参数(SP值)的官能团的表面活性剂而进行组合的情况下,即使是以可得到充分的可靠性的程度配合无机填充剂的情况,也可通过无机填充剂和表面活性剂良好的相互作用来将粘度特性和触变性这两者容易地调整为规定的范围。
合用无机填充剂(1)和表面活性剂(1)、或无机填充剂(2)和表面活性剂(2),由此在低剪切时由于表面活性剂被吸附于无机填充剂表面且将无机填充剂彼此相接,因而粘度升高,另一方面,在高剪切时由于表面活性剂缓和无机填充剂彼此的碰撞,因而粘度降低。即,触变性变大,可抑制空隙的产生。
另外,就含有无机填充剂(1)和表面活性剂(1)、或无机填充剂(2)和表面活性剂(2)的电子零件用粘接剂而言,即使如此地触变性大,也不会增稠至必要限度以上,因而涂布性也优异。此外,因而粘度特性和触变性这两者被调整至所需的范围,所以也可抑制电子零件用粘接剂沿半导体芯片上面往上爬。
需说明的是,疏水化度(M值)是表示疏水性的指标。疏水化度(M值)是指在向添加有无机填充剂的水中滴加甲醇,无机填充剂完全膨润时的甲醇浓度(重量%)。
作为调整无机填充剂的M值的方法,例如可举出对无机填充剂实施表面处理,从而改变存在于表面的亲水性基团的数量的方法等。具体而言,例如可列举出通过用-CH3修饰氧化硅微粒的表面而调整碳含量,从而调整M值的方法等。通过这样的方法调整了碳含量后的氧化硅微粒例如由TOKUYAMACORPORATION等市售。
另一方面,溶解度参数(SP值)是表示亲水性的指标。溶解度参数(SP值)可通过Fedor的方法,由δ2=∑E/∑V公式以计算值的形式求得。在这里,δ是指SP值,E是指凝聚能,V是指摩尔体积。
首先,对无机填充剂(1)与表面活性剂(1)的组合进行说明。
上述无机填充剂(1)的疏水化度(M值)为20以下,上述表面活性剂(1)具有溶解度参数(SP值)为13以上的官能团和溶解度参数(SP值)为9以上且不足13的官能团。
若是M值超过20的无机填充剂,则无法得到与上述表面活性剂(1)良好的相互作用,调整触变性的效果降低。上述无机填充剂(1)更优选M值为18以下。
作为上述无机填充剂(1),例如可列举出M值为20以下的由氧化硅、碳化钛、碳黑、氧化铝、石墨烯、云母等构成的微粒。其中,优选M值为20以下的氧化硅微粒。这些无机填充剂(1)可单独使用或合用2种以上。
作为上述无机填充剂(1)的市售品,例如可列举出SE-2050(M值为0,碳含量为0重量%,ADMATECHSCO.,LTD.制造)、SE-2050-SET(M值为20,碳含量为0重量%,ADMATECHSCO.,LTD.制造)、SE-2050-SEJ(M值为20,碳含量为0重量%,ADMATECHSCO.,LTD.制造)、SE-1050(M值为0、碳含量为0重量%,ADMATECHSCO.,LTD.制造)、SE-4050(M值为0、碳含量为0重量%,ADMATECHSCO.,LTD.制造)、UFP-80(M值为20,电气化学公司制造)、QS-40(M值为0,碳含量为0重量%,TOKUYAMACORPORATION制造)等。
若在不妨碍本发明的效果的范围内,则含有上述无机填充剂(1)和上述表面活性剂(1)的电子零件用粘接剂例如可以以降低电子零件用粘接剂的线膨胀率、提高可靠性为目的而含有M值超过20的无机填充剂。需说明的是,在此情况下,在全部无机填充剂中,上述无机填充剂(1)的配合量的优选下限为10重量%。若配合量不足10重量%,则往往无法充分得到调整触变性的效果。在全部无机填充剂中,上述无机填充剂(1)的配合量的更优选下限为15重量%。
另一方面,若是不带有上述SP值为13以上的官能团或上述SP值为9以上且不足13的官能团的表面活性剂,则无法得到与上述无机填充剂(1)良好的相互作用,调整触变性的效果降低。上述SP值为13以上的官能团更优选SP值为16以上。另外,上述SP值为9以上且不足13的官能团的SP值的更优选下限为9.5,更优选上限为12.5。
作为上述SP值为13以上的官能团,例如可列举出伯胺基(SP值为16.5)、甲醇基(SP值为16.58)、羧基(SP值为15.28)、磷酸基(SP值为13.36)等。另外,作为上述SP值为9以上且不足13的官能团,例如可举出环氧基(SP值为12.04)、丙氧基甲基环氧乙烷基(SP值为9.78)、巯基(SP值为11.07)、甲基丙烯酰基(SP值为9.60)、苯酚基(SP值11.5)、聚醚基(SP值9.71)等。
作为上述表面活性剂(1),例如可列举出具有上述SP值为13以上的官能团和上述SP值为9以上且不足13的官能团的硅酮化合物、阴离子系表面活性剂、阳离子系表面活性剂、两性表面活性剂、非离子性表面活性剂等。其中,从可调整官能团出发,优选为硅酮化合物。这些表面活性剂(1)可单独使用或合用2种以上。
作为上述表面活性剂(1)的市售品,例如可列举出BYK-W9010(BYKJAPANKK制造,具有SP值为13.36的磷酸基和SP值为9.71的聚醚基)、X-22-3939A(氨基·聚醚改性硅酮油,信越化学工业公司制造,具有SP值为16.5的伯胺基和SP值为9.71的聚醚基)等。
相对于100重量份的上述无机填充剂(1),上述表面活性剂(1)的配合量的优选下限为0.4重量份,优选上限为4重量份。若配合量不足0.4重量份,则往往无法充分得到调整触变性的效果。若配合量超过4重量份,则在将得到的电子零件用粘接剂热固化时上述表面活性剂(1)挥发,往往成为产生空隙的原因。相对于100重量份的上述无机填充剂(1),上述表面活性剂(1)的配合量的更优选下限为0.8重量份,更优选上限为2重量份。
其次,对无机填充剂(2)与表面活性剂(2)的组合进行说明。
上述无机填充剂(2)的疏水化度(M值)为45以上,上述表面活性剂(2)具有溶解度参数(SP值)为不足9的官能团和溶解度参数(SP值)为9以上且不足13的官能团。
若是M值为不足45的无机填充剂,则无法得到与上述表面活性剂(2)良好的相互作用,调整触变性的效果降低。
作为上述无机填充剂(2),例如可列举出M值为45以上的由氧化硅、氧化钛、碳黑、氧化铝、石墨烯、云母等构成的微粒。其中,优选M值为45以上的氧化硅微粒。这些无机填充剂(2)可单独使用或合用2种以上。
作为上述无机填充剂(2)的市售品,例如可列举出SE-2050-STJ(M值为64,ADMATECHSCO.,LTD.制造)、SE-1050-STT(M值为64,ADMATECHSCO.,LTD.制造)、锻制氧化硅(MT-10,M值为47,碳含量为0.9重量%,TOKUYAMACORPORATION制造)、锻制氧化硅(HM-20L,M值为64,碳含量为2.4重量%,TOKUYAMACORPORATION制造)、锻制氧化硅(PM-20L,M值为65,碳含量为5.5重量%,TOKUYAMACORPORATION制造)等。
若在不妨碍本发明的效果的范围内,则含有上述无机填充剂(2)和上述表面活性剂(2)的电子零件用粘接剂例如可以以降低电子零件用粘接剂的线膨胀率、提高可靠性为目的而含有M值为不足45的无机填充剂。需说明的是,在此情况下,在全部无机填充剂中,上述无机填充剂(2)的配合量的优选下限为10重量%。若配合量不足10重量%,则往往无法充分得到调整触变性的效果。在全部无机填充剂中,上述无机填充剂(2)的配合量的更优选下限为15重量%。
另一方面,若是不带有上述SP值为不足9的官能团或上述SP值为9以上且不足13的官能团的表面活性剂,则无法得到与上述无机填充剂(2)良好的相互作用,调整触变性的效果降低。
作为上述SP值为不足9的官能团,例如可列举出甲基(SP值为6.44)、乙基(SP值为6.97)、丁基(SP值为7.39)、二甲基硅氧烷基(SP值为7.40)等。另外,作为上述SP值为9以上且不足13的官能团,例如可列举出环氧基(SP值为12.04)、丙氧基甲基环氧乙烷基(SP值为9.78)、巯基(SP值为11.07)、甲基丙烯酰基(SP值为9.60)、苯酚基(SP值为11.5)、聚醚基(SP值9.71)等。
作为上述表面活性剂(2),例如可列举出具有上述SP值为不足9的官能团和上述SP值为9以上且不足13的官能团的硅酮化合物、阴离子系表面活性剂、阳离子系表面活性剂、两性表面活性剂、非离子性表面活性剂等。其中,从可调整官能团出发,优选硅酮化合物。这些表面活性剂(1)可单独使用或合用2种以上。
作为上述表面活性剂(2)的市售品,例如可列举出环氧基改性硅酮油(KF-101,信越化学工业公司制造,具有SP值为12.04的环氧基和SP值为7.40的二甲基硅氧烷基)、羧基改性硅酮油(X-22-162C,信越化学工业公司制造,具有SP值为11.10的羧基乙基和SP值为7.40的二甲基硅氧烷基)、环氧基·聚醚改性硅酮油(X-22-4741,信越化学工业公司制造,具有SP值为12.04的环氧基、SP值为9.71的聚醚基和SP值为7.55的二甲基硅氧烷基)等。
相对于100重量份的上述无机填充剂(2),上述表面活性剂(2)的配合量的优选下限为0.4重量份,优选上限为4重量份。若配合量不足0.4重量份,则往往无法充分得到调整触变性的效果。若配合量超过4重量份,则在将得到的电子零件用粘接剂热固化时上述表面活性剂(2)挥发,往往成为产生空隙的原因。相对于100重量份的上述无机填充剂(2),上述表面活性剂(2)的配合量的更优选下限为0.8重量份,更优选上限为2重量份。
在本说明书中,当对无机填充剂(1)和无机填充剂(2)共通的事项进行叙述时,简称为无机填充剂。
就上述无机填充剂而言,平均粒径的优选下限为0.1μm,优选上限为3μm。若上述平均粒径在上述范围内,则易于将A1和A2/A1调整至图1的由实线和虚线所包围的范围内,可更好地抑制空隙的产生和电子零件用粘接剂沿半导体芯片上面往上爬。若上述平均粒径不足0.1μm,则电子零件用粘接剂容易增稠,在将电子零件用粘接剂填充于密封区域时电子零件用粘接剂未充分润湿展开,往往无法抑制空隙的产生。若上述平均粒径超过3μm,则在电极间往往会包入上述无机填充剂。上述无机填充剂的平均粒径的更优选下限为0.3μm,更优选上限为1μm,进一步优选上限为0.5μm。
上述无机填充剂优选实施了表面处理,其结果优选在表面具有源自表面处理剂的基团。若对上述无机填充剂实施了表面处理,则即使是在电子零件用粘接剂中高度填充上述无机填充剂的情况,也易于将A1和A2/A1调整至图1的由实线和虚线所包围的范围内,可更好地抑制空隙的产生和电子零件用粘接剂沿半导体芯片上面往上爬。另外,若在电子零件用粘接剂中高度填充上述无机填充剂,则可将电子零件用粘接剂的固化后的线膨胀系数维持在低水平,电子零件用粘接剂的接合可靠性提高。
作为上述表面处理剂,例如可列举出氨基硅烷化合物、甲基硅烷化合物、乙烯基硅烷化合物、苯乙烯基硅烷化合物、巯基硅烷化合物、苯基硅烷化合物、(甲基)丙烯酰基硅烷化合物、环氧基硅烷化合物等。其中,优选苯基硅烷化合物或(甲基)丙烯酰基硅烷化合物。
作为上述苯基硅烷化合物,例如可列举出N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷等。
作为上述(甲基)丙烯酰基硅烷化合物,例如可列举出3-甲基丙烯酰基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰基丙基甲基二乙氧基硅烷等。
作为上述环氧基硅烷化合物,例如可列举出2-(3,4-环氧基环记基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。
相对于100重量份的上述固化性化合物,上述无机填充剂的配合量的下限为60重量份,上限为400重量份。若上述无机填充剂的配合量不足60重量份,则电子零件用粘接剂无法保持充分的接合可靠性。若上述无机填充剂的配合量超过400重量份,则电子零件用粘接剂容易增稠,在将电子零件用粘接剂填充于密封区域时电子零件用粘接剂未充分润湿展开,因而无法抑制空隙的产生。相对于100重量份的上述固化性化合物,上述无机填充剂的配合量的优选下限为66重量份,优选上限为300重量份。
另外,若作为上述无机填充剂而仅使用表面具有源自上述苯基硅烷化合物或上述(甲基)丙烯酰基硅烷化合物的基团的无机填充剂来进行高度填充,则A1和A2/A1往往不在图1的由实线和虚线所包围的范围内。在这样的情况下,优选通过将表面具有源自上述苯基硅烷化合物或上述(甲基)丙烯酰基硅烷化合物的基团的无机填充剂与表面具有源自上述环氧基硅烷化合物的基团的无机填充剂合用,从而将A1和A2/A1调整至图1的由实线和虚线所包围的范围内。
在将表面具有源自上述苯基硅烷化合物或上述(甲基)丙烯酰基硅烷化合物的基团的无机填充剂与表面具有源自上述环氧基硅烷化合物的基团的无机填充剂合用的情况下,相对于100重量份的表面具有源自上述苯基硅烷化合物或上述(甲基)丙烯酰基硅烷化合物的基团的无机填充剂,表面具有源自上述环氧基硅烷化合物的基团的无机填充剂的配合量的优选下限为20重量份,优选上限为150重量份。
另外,作为上述无机填充剂,也可使用触变剂。
通过含有上述触变剂,从而易于将A1和A2/A1调整至图1的由实线和虚线所包围的范围内,可更好地抑制空隙的产生和电子零件用粘接剂沿半导体芯片上面往上爬。
上述触变剂无特殊限定,例如可列举出金属微粒、碳酸钙、锻制氧化硅、氧化铝、氮化硼、氮化铝、硼酸铝等无机微粒等。其中,优选锻制氧化硅。
另外,上述触变剂可根据需要实施表面处理。上述实施过表面处理的触变剂无特殊限定,但优选表面具有疏水基团的粒子,具体而言,例如可列举出将表面疏水化后而得的锻制氧化硅等。
在上述触变剂为粒状的情况下,所述粒状触变剂的平均粒径无特殊限定,但优选上限为1μm。若上述粒状触变剂的平均粒径超过1μm,则电子零件用粘接剂往往无法显示出所需的触变性。
本发明的电子零件用粘接剂中的上述触变剂的配合量无特殊限定,但在未对上述触变剂实施表面处理的情况下,优选下限为0.5重量%,优选上限为20重量%。若上述触变剂的配合量不足0.5重量%,则往往无法对电子零件用粘接剂赋予充分的触变性。若上述触变剂的配合量超过20重量%,则在制造半导体装置时电子零件用粘接剂的排除性往往会降低。上述触变剂的配合量的更优选下限为3重量%,更优选上限为10重量%。
本发明的电子零件用粘接剂为了降低粘度也可含有稀释剂。
上述稀释剂优选具有环氧基,1分子中的环氧基数量的优选下限为2,优选上限为4。若1分子中的环氧基数量不足2,则电子零件用粘接剂在固化后往往没有显示出充分的耐热性。若1分子中的环氧基数量超过4,则往往发生因固化导致的变形或残留未固化的环氧基,由此往往发生因接合强度降低或因反复的热应力而导致的接合不良。上述稀释剂的1分子中环氧基数量的更优选上限为3。
另外,上述稀释剂优选具有芳香环和/或二环戊二烯结构。
上述稀释剂在120℃下的重量减少量和在150℃下的重量减少量的优选上限为1%。若在120℃下的重量减少量和在150℃下的重量减少量超过1%,则在电子零件用粘接剂固化过程中或固化后未反应物会挥发,往往对生产率或所得的半导体装置的性能造成不良影响。
另外,上述稀释剂与上述固化性化合物相比优选固化开始温度更低,固化速度更大。
在本发明的电子零件用粘接剂含有上述稀释剂的情况下,本发明的电子零件用粘接剂中上述稀释剂的配合量的优选下限为1重量%,优选上限为20重量%。若上述稀释剂的配合量在上述范围以外,则往往无法充分降低电子零件用粘接剂的粘度。
本发明的电子零件用粘接剂也可根据需要含有溶剂。
上述溶剂无特殊限定,例如可列举出芳族烃类、氯化芳族烃类、氯化脂族烃类、醇类、酯类、醚类、酮类、二醇醚(溶纤剂)类、脂环式烃类、脂族烃类等。
本发明的电子零件用粘接剂也可根据需要含有无机离子交换剂。
在上述无机离子交换剂中,作为市售品,例如可列举出IXE系列(东亚合成公司制造)等。在本发明的电子零件用粘接剂含有上述无机离子交换剂的情况下,上述无机离子交换剂的配合量无特殊限定,但优选上限为10重量%,优选下限为1重量%。
另外,本发明的电子零件用粘接剂也可根据需要含有防渗剂、咪唑硅烷偶联剂等增粘剂等其它的添加剂。
就本发明的电子零件用粘接剂而言,固化后的40~80℃下的线膨胀系数的优选下限为20ppm/℃,优选上限为50ppm/℃。若上述线膨胀系数不足20ppm/℃,则由于与半导体芯片的突起状电极和基板等相比线膨胀系数变得更低,所以应力因突起状电极和基板等的热膨胀而集中于接合部,往往发生剥离。即,电子零件用粘接剂往往无法保持充分的接合可靠性。若上述线膨胀系数超过50ppm/℃,则在发生由热导致的变形时,对所接合的半导体芯片的应力变大,导致在突起状电极等导通部分容易发生裂缝。即,电子零件用粘接剂往往无法保持充分的接合可靠性。就本发明的电子零件用粘接剂而言,固化后的40~80℃下的线膨胀系数的更优选下限为25ppm/℃,更优选上限为45ppm/℃。
制造本发明的电子零件用粘接剂的方法无特殊限定,例如可列举出使用均质分散机等将固化性化合物、固化剂、无机填充剂、根据需要而添加的表面活性剂等各种成分搅拌混合的方法等。
本发明的电子零件用粘接剂的用途无特殊限定,但优选用于在将具有突起状电极的半导体芯片通过倒装式安装接合于基板的同时进行密封的半导体芯片安装体的制造方法。
以下的半导体芯片安装体的制造方法也属于本发明之一,其是在将具有突起状电极的半导体芯片通过倒装式安装接合于基板的同时进行密封的半导体芯片安装体的制造方法,具有以下工序:将本发明的电子零件用粘接剂设置于基板上的工序,在借助上述电子零件用粘接剂使半导体芯片的突起状电极与上述基板的电极部接触的同时将上述电子零件用粘接剂填充于密封区域的工序,在将上述半导体芯片的突起状电极与上述基板的电极部接合的同时使接合部的上述电子零件用粘接剂固化的工序,以及使上述电子零件用粘接剂完全固化的工序。
本发明的半导体芯片安装体的制造方法是在将具有突起状电极的半导体芯片通过倒装式安装接合于基板的同时进行密封的半导体芯片安装体的制造方法。
就本发明的半导体芯片安装体的制造方法而言,首先进行将本发明的电子零件用粘接剂设置于基板上的工序。
将电子零件用粘接剂设置于上述基板上的方法无特殊限定,例如可列举出将安装有精密喷嘴的注射器等与分配器等组合使用,从而涂布电子零件用粘接剂的方法等。
就本发明的半导体芯片安装体的制造方法而言,接着进行在借助电子零件用粘接剂使半导体芯片的突起状电极与上述基板的电极部接触的同时将电子零件用粘接剂填充于密封区域的工序。
就上述工序而言,优选对上述半导体芯片进行按压,在使上述半导体芯片的突起状电极与上述基板的电极部接触的同时将电子零件用粘接剂填充于密封区域。上述按压时的压力无特殊限定,但优选对每个突起状电极而言为0.1~10N。若上述压力不足0.1N,则上述半导体芯片的突起状电极与上述基板的电极往往不接触。若上述压力超过10N,则上述半导体芯片的突起状电极被过度压坏而与邻近的突起状电极接触,往往发生短路。
另外,在使上述半导体芯片的突起状电极与上述基板的电极部接触的同时将电子零件用粘接剂填充于密封区域时的温度和时间若在不妨碍本发明的效果的范围内则无特殊限定,例如可列举出120~220℃、1~30N、0.1~60秒钟等。在上述半导体芯片的突起状电极等为焊料的情况下,只要在焊料的熔融温度以下的温度下加热即可。
就本发明的半导体芯片安装体的制造方法而言,接着进行在将上述半导体芯片的突起状电极与上述基板的电极部接合的同时使接合部的电子零件用粘接剂固化的工序。
在将上述半导体芯片的突起状电极与上述基板的电极部接合的同时使接合部的电子零件用粘接剂固化时的温度和时间若在不妨碍本发明的效果的范围内则无特殊限定,例如可列举出230~300℃、1~30N、0.1~60秒钟等。在上述半导体芯片的突起状电极等为焊料的情况下,只要在焊料的熔融温度以上的温度下进行加热即可。
就本发明的半导体芯片安装体的制造方法而言,进一步进行使电子零件用粘接剂完全固化的工序。由此电子零件用粘接剂完全固化,从而得到上述半导体芯片的突起状电极与上述基板的电极部被接合的半导体芯片安装体。
使电子零件用粘接剂完全固化时的固化条件无特殊限定,可适当选择采用与电子零件用粘接剂的固化特性相应的固化条件,例如可列举出120℃下30分钟、170℃下30分钟等。
就本发明的半导体芯片安装体的制造方法而言,通过使A1和A2/A1处于图1的由实线和虚线所包围的范围内,从而在使半导体芯片的突起状电极与基板的电极部接触的同时将电子零件用粘接剂填充于密封区域的工序中,即使在包入了气泡的情况下也可抑制空隙的产生,此外,可抑制电子零件用粘接剂沿半导体芯片上面往上爬。
发明的效果
根据本发明,可提供抑制空隙的产生、并且不易发生沿半导体芯片上面往上爬的电子零件用粘接剂。另外,根据本发明,可提供使用了上述电子零件用粘接剂的半导体芯片安装体的制造方法。
附图说明
图1是将电子零件用粘接剂在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1(Pa·s)、将0.5rpm下的粘度设为A2(Pa·s)时,表示本发明所规定的A1和A2/A1的范围(但是,包含实线上的点,而不包含虚线上的点)的曲线图。
图2是将电子零件用粘接剂在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1(Pa·s)、将0.5rpm下的粘度设为A2(Pa·s)时,将在实施例和比较例中得到的A1和A2/A1的关系作图,并且表示本发明所规定的A1和A2/A1的范围(但是,包含实线上的点,而不包含虚线上的点)的曲线图。
图3是将电子零件用粘接剂在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1(Pa·s)、将0.5rpm下的粘度设为A2(Pa·s)时,将在实施例和比较例中得到的A1和A2/A1的关系进行作图,并且表示A1和A2/A1的优选范围的曲线图。
具体实施方式
以下列举实施例对本发明的实施方式进行更详细的说明,但本发明不仅限定于这些实施例。
(实施例1~33和比较例1~20)
(1)电子零件用粘接剂的制造
根据如表1~4所示的组成,使用均质分散器将如下所示的各种材料(重量份)搅拌混合,从而制备出电子零件用粘接剂。针对得到的电子零件用粘接剂,使用E型粘度测定装置(VISCOMETERTV-22,TOKAISANGYOCO.LTD公司制造)在25℃的设定温度下测定5rpm转速下的粘度A1和0.5rpm下的粘度A2。将A1、A2和A2/A1示于表1~4中。另外,以A1(Pa·s)为横轴,以A2/A1为纵轴,将在实施例1~33、比较例1~12和14~20中得到的A1和A2/A1的关系作图而得的曲线图示于图2中。需说明的是,用圆形(空心)对实施例进行作图,用菱形(涂实)对比较例进行作图。
另外,针对得到的电子零件用粘接剂,使其在170℃、30分钟的条件下固化后,使用TMA/SS6000(SeikoInstruments公司制造),在拉伸模式下进行2次循环的30~300℃(10℃升温)伸缩,根据第2次循环的曲线求出线膨胀系数。
1.环氧化合物
苯胺型环氧化合物(EP-3900S,ADEKA公司制造)
萘型环氧化合物(EXA-4710,ADEKA公司制造)
缩水甘油胺型环氧化合物(YH-434L,新日铁化学公司制造)
双酚F型环氧化合物(EXA-830CRP,DIC公司制造)
2.环硫化物
萘型环硫化物(向烧瓶内投入100g的萘型环氧化合物(DIC公司制造HP-4032D,环氧当量=140g/eq.)和200g的四氢呋喃,在室温下搅拌,从而使环氧化合物溶解。在溶解后,添加100g的硫脲和200g的甲醇,在30~35℃的温度下在搅拌的同时进行5小时的反应。在反应结束后,添加300g的甲基异丁基酮,然后用250g的纯水水洗5次。在水洗后,使用旋转蒸发器在减压下于90℃的温度下将甲基异丁基酮馏去,得到101.2g的无色透明液体的萘型环硫化物。)
3.双马来酰亚胺化合物
双马来酰亚胺化合物(BMI-1000、大和化成工业公司制)
4.固化剂
酸酐固化剂(YH-307,JER公司制造)
酸酐固化剂(YH-306,JER公司制造)
苯酚固化剂(MEH-8000H,明和化成公司制造)
5.固化促进剂
咪唑化合物(2MA-OK,四国化成工业公司制造)
6.无机填充剂
6-1.M值为20以下的无机填充剂(无机填充剂(1))
SE-2050(氧化硅填充剂,ADMATECHSCO.,LTD.制造,平均粒径为0.5μm,最大粒径为3μm,无表面处理,M值为0)
SE-1050(氧化硅填充剂,ADMATECHSCO.,LTD.制造,平均粒径为0.3μm,最大粒径为1μm,无表面处理,M值为0)
SE-4050(氧化硅填充剂,ADMATECHSCO.,LTD.制造,平均粒径为1μm,最大粒径为5μm,无表面处理,M值为0)
SE-1050-SET(氧化硅填充剂,ADMATECHSCO.,LTD.制造,平均粒径为0.3μm,最大粒径为1μm,具有源自环氧基硅烷化合物的基团的无机填充剂,M值为20)
6-2.M值为45以上的无机填充剂(无机填充剂(2))
MT-10(锻制氧化硅,TOKUYAMACORPORATION制造,M值为47)
SE-2050-STJ(氧化硅填充剂,ADMATECHSCO.,LTD.制造,平均粒径为0.5μm,最大粒径为3μm,具有源自甲基硅烷化合物的基团的无机填充剂,M值为64)
SE-1050-STT(氧化硅填充剂,ADMATECHSCO.,LTD.制造,平均粒径为0.3μm,最大粒径为1μm,具有源自甲基硅烷化合物的基团的无机填充剂,M值为64)
PM-20L(锻制氧化硅,TOKUYAMACORPORATION制造,M值为65)
6-3.其它的无机填充剂
SE-2050-SPJ(氧化硅填充剂,ADMATECHSCO.,LTD.制造,平均粒径为0.5μm,最大粒径为3μm,具有源自苯基硅烷化合物的基团的无机填充剂,M值为30)
SE-1050-SPT(氧化硅填充剂,ADMATECHSCO.,LTD.制造,平均粒径为0.3μm,最大粒径为1μm,具有源自苯基硅烷化合物的基团的无机填充剂,M值为30)
SE-1050-SMT(氧化硅填充剂,ADMATECHSCO.,LTD.制造,平均粒径为0.3μm,最大粒径为1μm,具有源自甲基丙烯基硅烷化合物的基团的无机填充剂,M值为40)
SE-2050-SMJ(氧化硅填充剂,ADMATECHSCO.,LTD.制造,平均粒径为0.5μm,最大粒径为3μm,具有源自甲基丙烯基硅烷化合物的基团的无机填充剂,M值为40)
7.表面活性剂
7-1.具有SP值为13以上的官能团和SP值为9以上且不足13的官能团的表面活性剂(表面活性剂(1))
BYK-W9010(硅酮化合物,BYKJAPANKK制造,具有SP值为13.36的磷酸基和SP值为9.71的聚醚基)
X-22-3939A(氨基·聚醚改性硅酮油,信越化学工业公司制造,具有SP值为16.5的伯胺基和SP值为9.71的聚醚基)
7-2.具有SP值为不足9的官能团和SP值为9以上且不足13的官能团的表面活性剂(表面活性剂(2))
KF-101(环氧基改性硅酮油,信越化学工业公司制造,具有SP值为12.04的环氧基和SP值为7.40的二甲基硅氧烷基)
X-22-4741(环氧基·聚醚改性硅酮油,信越化学工业公司制造,具有SP值为12.04的环氧基和SP值为7.55二甲基硅氧烷基)
(2)半导体芯片安装体的制造
将得到的电子零件用粘接剂填充于10mL注射器(IWASHITAENGINEERINGINC.制造)中,在注射器前端安装精密喷嘴(IWASHITAENGINEERINGINC.制造,喷嘴前端直径为0.3mm),使用分配装置(SHOTMASTER300,MUSASHIENGINEERINGINC.制造),在排出压力为0.4MPa、基板与针的间隙为200μm、涂布量为3.3μL的条件下涂布于基板(WALTS-KITMB50-0101JY,WALTSCO.,LTD.制造)上。
借助所涂布的电子零件用粘接剂,使用倒装式焊接机(FC3000S,TORAYENGINEERINGCO.,LTD.制造),通过在140℃、20N下按压1秒钟,从而在使具有由焊料构成的突起状电极的半导体芯片(WALTS-TEGMB50-0101JY,焊料的熔融温度为235℃,WALTSCO.,LTD.制造)的突起状电极与基板的电极部接触的同时使电子零件用粘接剂填充于密封区域。接着,通过在260℃、1N下加热3秒钟,从而使接合部的电子零件用粘接剂固化。接着,通过在170℃的烘箱中熟化30分钟而使电子零件用粘接剂完全固化,从而得到半导体芯片安装体。
<评价>
针对在实施例和比较例中得到的半导体芯片安装体,进行以下评价。将结果示于表1~4中。
(1)往上爬(在配件上的附着)评价
通过观察将半导体芯片向基板上安装过程中和安装后的电子零件用粘接剂的流动,从而按照下列标准对电子零件用粘接剂在倒装式焊接机(FC-3000S,TORAYENGINEERINGCO.,LTD.制造)的配件上的附着进行了评价。
○电子零件用粘接剂没有往上爬至半导体芯片的厚度以上,未附着于配件上。
×电子零件用粘接剂往上爬至半导体芯片的厚度以上,附着于配件上。
(2)有无产生空隙
使用超声探测影像装置(mi-scopehyperII,HITACHICONSTRUCTIONMACHINERYCO.,LTD.制造),观察得到的半导体芯片安装体的空隙,按照下列标准进行评价。
○基本未观察到空隙。
△观察到很少的空隙。
×观察到由空隙导致的明显的剥离。
(3)涂布性
在与制造上述半导体芯片安装体时相同的条件下将电子零件用粘接剂涂布于基板上。此时,观察连续对16个基板进行涂布时的画线。
○可在基板内和基板间不断开地制备10条长度为10cm的画线。
△虽然可在基板内和基板间不断开地制备10条长度为10cm的画线,但存在线宽达到50%以下的部分或达到100%以上的部分。
×在基板内或基板间,画线在途中断开(包括存在线宽达到50%以下的部分或达到100%以上的部分的情况)。
(4)涂布后的电子零件用粘接剂的保型性
将如上制备而得的涂布后的电子零件用粘接剂置于80℃的热板上,观察粘接剂形状的破坏。
○形状保持时间为1小时以上。
△形状保持时间为30分钟以上且不足1小时。
×形状保持时间为不足30分钟。
[表1]
[表3]
[表4]
产业上的可利用性
根据本发明,可提供抑制空隙的产生,并且不易发生沿半导体芯片上面往上爬的电子零件用粘接剂。另外,根据本发明,还可提供使用了上述电子零件用粘接剂的半导体芯片安装体的制造方法。

Claims (12)

1.一种电子零件用粘接剂,其特征在于,是含有固化性化合物、固化剂和无机填充剂的电子零件用粘接剂,其中,
将在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1Pa·s、将0.5rpm下的粘度设为A2Pa·s时,A1和A2/A1在图1的由实线和虚线所包围的范围内,但是包含实线上的点而不包含虚线上的点,
相对于100重量份的所述固化性化合物,所述固化剂的配合量为5~150重量份,所述无机填充剂的配合量为60~400重量份,
所述电子零件用粘接剂还含有具有溶解度参数SP值为13以上的官能团和溶解度参数SP值为9以上且不足13的官能团的表面活性剂,
所述无机填充剂的疏水化度M值为20以下,
2.一种电子零件用粘接剂,其特征在于,是含有固化性化合物、固化剂和无机填充剂的电子零件用粘接剂,其中,
将在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1Pa·s、将0.5rpm下的粘度设为A2Pa·s时,A1和A2/A1在图1的由实线和虚线所包围的范围内,但是包含实线上的点而不包含虚线上的点,
相对于100重量份的所述固化性化合物,所述固化剂的配合量为5~150重量份,所述无机填充剂的配合量为60~400重量份,
所述电子零件用粘接剂还含有具有溶解度参数SP值为不足9的官能团和溶解度参数SP值为9以上且不足13的官能团的表面活性剂,
所述无机填充剂的疏水化度M值为45以上,
3.根据权利要求1或2所述的电子零件用粘接剂,其特征在于,无机填充剂的平均粒径为0.1~3μm。
4.根据权利要求1或2所述的电子零件用粘接剂,其特征在于,固化后在40~80℃下的线膨胀系数为20~50ppm/℃。
5.根据权利要求3所述的电子零件用粘接剂,其特征在于,固化后在40~80℃下的线膨胀系数为20~50ppm/℃。
6.根据权利要求1或2所述的电子零件用粘接剂,其特征在于,固化性化合物含有选自环氧化合物、双马来酰亚胺化合物、环硫化物中的至少1种化合物。
7.根据权利要求3所述的电子零件用粘接剂,其特征在于,固化性化合物含有选自环氧化合物、双马来酰亚胺化合物、环硫化物中的至少1种化合物。
8.根据权利要求1或2所述的电子零件用粘接剂,其特征在于,无机填充剂含有在表面具有来自苯基硅烷化合物或(甲基)丙烯酰基硅烷化合物的基团的无机填充剂。
9.根据权利要求3所述的电子零件用粘接剂,其特征在于,无机填充剂含有在表面具有来自苯基硅烷化合物或(甲基)丙烯酰基硅烷化合物的基团的无机填充剂。
10.根据权利要求8的电子零件用粘接剂,其特征在于,无机填充剂还含有在表面具有来自环氧硅烷化合物的基团的无机填充剂。
11.根据权利要求9的电子零件用粘接剂,其特征在于,无机填充剂还含有在表面具有来自环氧硅烷化合物的基团的无机填充剂。
12.一种半导体芯片安装体的制造方法,其特征在于,是通过倒装式安装将具有突起状电极的半导体芯片接合于基板的同时进行密封的半导体芯片安装体的制造方法,所述半导体芯片安装体的制造方法具有:
将权利要求1~11中任一项所述的电子零件用粘接剂设置于基板上的工序,
借助所述电子零件用粘接剂来使半导体芯片的突起状电极与所述基板的电极部接触的同时将所述电子零件用粘接剂填充于密封区域的工序,
将所述半导体芯片的突起状电极与所述基板的电极部接合的同时使接合部的所述电子零件用粘接剂固化的工序,以及
使所述电子零件用粘接剂完全固化的工序。
CN201280002481.9A 2011-03-09 2012-03-08 电子零件用粘接剂及半导体芯片安装体的制造方法 Active CN103098192B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011051886 2011-03-09
JP2011-051886 2011-03-09
JP2011-235361 2011-10-26
JP2011235361 2011-10-26
PCT/JP2012/055985 WO2012121336A1 (ja) 2011-03-09 2012-03-08 電子部品用接着剤及び半導体チップ実装体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103098192A CN103098192A (zh) 2013-05-08
CN103098192B true CN103098192B (zh) 2015-11-25

Family

ID=46798291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280002481.9A Active CN103098192B (zh) 2011-03-09 2012-03-08 电子零件用粘接剂及半导体芯片安装体的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9011629B2 (zh)
JP (2) JP5176000B1 (zh)
KR (1) KR101456397B1 (zh)
CN (1) CN103098192B (zh)
TW (1) TWI464229B (zh)
WO (1) WO2012121336A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014077122A (ja) * 2012-09-24 2014-05-01 Sekisui Chem Co Ltd 電子部品用接着剤及び半導体チップ実装体の製造方法
KR101477353B1 (ko) * 2012-11-09 2014-12-29 주식회사 두산 수지 조성물 및 이를 포함하는 인쇄 회로 기판용 적층체
JP6423793B2 (ja) * 2013-09-11 2018-11-14 三洋化成工業株式会社 活性エネルギー線硬化性樹脂組成物及び硬化物
WO2015163080A1 (ja) * 2014-04-22 2015-10-29 積水化学工業株式会社 貫通電極付き半導体チップ用接着フィルム
KR102012788B1 (ko) * 2015-09-23 2019-08-21 주식회사 엘지화학 접착 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
EP3467028B1 (en) * 2016-05-31 2024-04-24 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, laminate, semiconductor wafer with resin composition layer, substrate for mounting semiconductor with resin composition layer, and semiconductor device
JP7000698B2 (ja) * 2017-03-31 2022-01-19 昭和電工マテリアルズ株式会社 アンダーフィル用樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP6904112B2 (ja) * 2017-06-30 2021-07-14 株式会社オートネットワーク技術研究所 車両用シール部材および車両用電気中継部品
CN116731291A (zh) * 2018-01-26 2023-09-12 纳美仕有限公司 树脂组合物及其固化物、电子零部件用粘接剂、半导体装置、以及电子零部件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6555187B1 (en) * 1999-04-01 2003-04-29 Mitsui Chemicals, Inc. Sealing material composition for liquid crystal
CN1575096A (zh) * 2003-06-06 2005-02-02 松下电器产业株式会社 电子电路装置及其制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0393621A (ja) 1989-09-06 1991-04-18 Kokusai Chiyoudendou Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 酸化物超電導体の製造方法
JP2003258034A (ja) * 2002-03-06 2003-09-12 Mitsubishi Electric Corp 多層配線基体の製造方法および多層配線基体
WO2003101164A1 (en) 2002-05-23 2003-12-04 3M Innovative Properties Company Nanoparticle filled underfill
JP3912342B2 (ja) * 2003-07-08 2007-05-09 松下電器産業株式会社 電子部品実装方法
JP2006286916A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Nippon Steel Chem Co Ltd 電子部品の実装方法
JP5277537B2 (ja) * 2005-12-08 2013-08-28 日立化成株式会社 電子部品用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置
JP2007258508A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着剤、これを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
KR100923901B1 (ko) * 2006-07-20 2009-10-28 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 전자 부품용 접착제, 반도체 칩 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치
JP4339927B2 (ja) 2007-07-25 2009-10-07 積水化学工業株式会社 半導体チップの積層方法
JP5387874B2 (ja) 2007-10-17 2014-01-15 日立化成株式会社 液状封止樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法
JP4966221B2 (ja) * 2008-02-26 2012-07-04 パナソニック株式会社 先塗布アンダーフィル封止方法
JP5353449B2 (ja) * 2008-05-28 2013-11-27 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、半導体封止用接着剤及び半導体装置
TWI496168B (zh) * 2008-07-03 2015-08-11 Henkel IP & Holding GmbH 觸變型導電組合物
JP4729130B2 (ja) * 2009-01-29 2011-07-20 積水化学工業株式会社 電子部品用接着剤
US9072204B2 (en) * 2009-07-17 2015-06-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electronic module and production method therefor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6555187B1 (en) * 1999-04-01 2003-04-29 Mitsui Chemicals, Inc. Sealing material composition for liquid crystal
CN1575096A (zh) * 2003-06-06 2005-02-02 松下电器产业株式会社 电子电路装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201243017A (en) 2012-11-01
JPWO2012121336A1 (ja) 2014-07-17
CN103098192A (zh) 2013-05-08
WO2012121336A1 (ja) 2012-09-13
US20130237018A1 (en) 2013-09-12
KR20130058035A (ko) 2013-06-03
KR101456397B1 (ko) 2014-10-31
JP5176000B1 (ja) 2013-04-03
US9011629B2 (en) 2015-04-21
JP2013110422A (ja) 2013-06-06
TWI464229B (zh) 2014-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103098192B (zh) 电子零件用粘接剂及半导体芯片安装体的制造方法
CN103183925B (zh) 电子部件用液状树脂组合物及其制造方法、以及电子部件装置
CN106537571B (zh) 半导体安装品及其制造方法
JP5736122B2 (ja) 構造用接着剤
CN104170070A (zh) 半导体装置的制造方法及倒装片安装用粘接剂
KR20110095172A (ko) 에폭시 수지 조성물
CN105308730A (zh) 半导体用粘接剂
JP4729130B2 (ja) 電子部品用接着剤
CN1970623A (zh) 液状环氧树脂组成物
JP4176619B2 (ja) フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置
JP6013906B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物
WO2018198992A1 (ja) 液状封止樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP5593259B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物
WO2006019055A1 (ja) 電子部品装置
JP6134597B2 (ja) ダイアタッチ剤
JP2012007004A (ja) 実装用封止材及びそれを用いて封止した半導体装置
JP5411774B2 (ja) 先供給型液状半導体封止樹脂組成物
WO2014046128A1 (ja) 電子部品用接着剤及び半導体チップ実装体の製造方法
JP6388228B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置
CN114761459B (zh) 密封用树脂组合物及半导体装置
WO2021117582A1 (ja) 封止用樹脂組成物、及び半導体装置
JP5723665B2 (ja) 先供給型液状半導体封止樹脂組成物
JP4508435B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2014107354A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2017045973A (ja) 半導体デバイスの製造法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant