CN102699794B - 研磨装置和研磨方法 - Google Patents

研磨装置和研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102699794B
CN102699794B CN201210083648.0A CN201210083648A CN102699794B CN 102699794 B CN102699794 B CN 102699794B CN 201210083648 A CN201210083648 A CN 201210083648A CN 102699794 B CN102699794 B CN 102699794B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
lapping
lapping tape
grinding
pressing member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210083648.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102699794A (zh
Inventor
关正也
户川哲二
中西正行
松田尚起
吉田笃史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of CN102699794A publication Critical patent/CN102699794A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102699794B publication Critical patent/CN102699794B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/002Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding edges or bevels
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/004Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor using abrasive rolled strips
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/006Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for special purposes, e.g. for television tubes, car bumpers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/008Machines comprising two or more tools or having several working posts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/18Accessories
    • B24B21/20Accessories for controlling or adjusting the tracking or the tension of the grinding belt
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

本发明提供一种研磨装置和研磨方法,研磨装置具有能够通过研磨衬底的周缘部而形成直角的截面形状的研磨单元。研磨单元包括:具有将研磨带相对于衬底(W)的周缘部从上方压靠的按压构件的研磨头;向研磨头供给研磨带,并从研磨头回收研磨带的带供给回收机构;使研磨头沿衬底(W)的半径方向移动的第1移动机构;以及使带供给回收机构沿衬底(W)的半径方向移动的第2移动机构。引导辊以研磨带与衬底(W)的切线方向平行地延伸且研磨带的研磨面与衬底(W)的表面平行的方式配置。

Description

研磨装置和研磨方法
技术领域
本发明涉及研磨半导体晶片等衬底的周缘部的研磨装置和研磨方法,特别是涉及通过将研磨带压靠于衬底的周缘部而研磨该周缘部的研磨装置和研磨方法。
背景技术
从提高半导体器件的制造成品率的观点出发,衬底的表面状态的管理近年来引人注目。在半导体器件的制造工序中,各种材料被用于在硅晶片上成膜。因此,在衬底的周缘部形成不需要的膜、表面粗糙。近年来,利用臂仅保持衬底的周缘部地输送衬底的方法变得普及。在这样的背景下,残留于周缘部的不需要的膜在经过各种工序的期间剥离,并附着于形成在衬底上的器件,使成品率降低。因此,为了去除形成于衬底的周缘部的不需要的膜,使用研磨装置研磨衬底的周缘部。
这种研磨装置通过使研磨带的研磨面与衬底的周缘部滑动接触而研磨衬底的周缘部。在这里,在本说明书中,将衬底的周缘部定义为包含位于衬底的最外周的斜面部和位于该斜面部的半径方向内侧的顶部边缘部以及底部边缘部的区域。
图1A和图1B是表示衬底的周缘部的放大剖视图。更加详细而言,图1A是所谓的平直型衬底的剖视图,图1B是所谓的圆弧型衬底的剖视图。在图1A的衬底W中,斜面部是由上侧倾斜部(上侧斜面部)P、下侧倾斜部(下侧斜面部)Q和侧部(顶部)R构成的衬底W的最外周面(以附图标记B表示)。在图1B的衬底W中,斜面部是构成衬底W的最外周面的、具有弯曲的截面的部分(以附图标记B表示)。顶部边缘部是位于斜面部B的半径方向内侧的区域且位于用于形成器件的区域D的半径方向外侧的平坦部E1。底部边缘部是位于与顶部边缘部相反的一侧且位于斜面部B的半径方向内侧的平坦部E2。这些顶部边缘部E1和底部边缘部E2有时也被总称为近接边缘部。
在以往的研磨装置中,通过利用研磨头将研磨带按压在衬底的周缘部而研磨该周缘部(例如参照日本特开2002-126981号公报)。如图2所示,研磨衬底的顶部边缘部时,在使研磨头300和研磨带301倾斜的状态下,利用研磨头300将研磨带301压靠于衬底的顶部边缘部。
可是,在倾斜研磨带的状态下研磨衬底的周缘部的结果,如图3所示,器件层的端面变倾斜。具有这样的倾斜端面的器件层在SOI(SiliconOnInsulator,绝缘层硅)衬底的制造工序中产生如下那样的问题。S01衬底是通过贴合器件衬底和硅衬底而制造的。更加具体而言,如图4A和图4B所示,贴合器件衬底W1和硅衬底W2,如图4C所示,通过利用磨床从器件衬底W1的背面研磨该器件衬底W1,得到图4D所示那样的SOI衬底。
如图4D所示,由于器件层具有倾斜的端面,所以器件层具有锐角端部。这样的锐角端部容易破损,其碎片有可能作为微粒而附着在器件层的表面。附着在器件层上的微粒使器件产生缺陷,使成品率降低。
在日本特开平8-97111号公报中,公开了使用直角构件将研磨带压靠于衬底的周缘部的研磨装置。可是,由于研磨带具有某种程度的厚度和硬度,所以在微观的程度上研磨带不会沿着直角构件呈直角弯曲,而是带有某种程度的圆角。作为结果,器件层的端面变倾斜。
另外,由于经由研磨带施加于衬底的研磨载荷,衬底在研磨中弯曲或研磨带的位置错位,结果,器件层的倾斜面有时被研磨得倾斜。在日本特开2009-208214号公报中公开了以下的研磨装置,即,通过使从外周部支承机构喷射的液体的按压力与研磨机构的按压力平衡,将衬底维持在原本的位置。可是,该外周部支承机构被配置在与研磨带相对应的位置,在这些按压力不平衡时通过调整互相的按压力而使衬底W返回初期位置,因此有时衬底被不均匀地研磨。结果,器件层的端面无法垂直地被研磨。
发明内容
本发明是为了解决上述以往的问题点而提出的,其目的在于提供一种通过研磨衬底的周缘部而能形成直角的截面形状的研磨装置和研磨方法。
为了实现上述的目的,本发明的一技术方案是一种研磨装置,其特征在于,该研磨装置包括:衬底保持部,保持衬底并使该衬底旋转;以及至少1个研磨单元,研磨上述衬底的周缘部,上述研磨单元包括:研磨头,具有将研磨带相对于上述衬底的周缘部从上方压靠的按压构件;带供给回收机构,向上述研磨头供给上述研磨带,并从上述研磨头回收上述研磨带;第1移动机构,使上述研磨头沿上述衬底的半径方向移动;以及第2移动机构,使上述带供给回收机构沿上述衬底的半径方向移动,上述带供给回收机构具有支承上述研磨带的多个引导辊,该多个引导辊以使上述研磨带与上述衬底的切线方向平行地延伸且使上述研磨带的研磨面与上述衬底的表面平行的方式配置。
本发明优选的技术方案的研磨装置,其特征在于,该研磨装置还具有使上述研磨单元沿上述衬底的切线方向移动的研磨单元移动机构。
本发明优选的技术方案的研磨装置,其特征在于,该研磨装置还具有检测上述研磨带的缘部的位置的带边缘检测传感器。
本发明优选的技术方案的研磨装置,其特征在于,上述第1移动机构使上述按压构件移动到规定的研磨位置,上述第2移动机构基于由上述带边缘检测传感器检测出的上述研磨带的端部的位置,使上述研磨带供给回收机构移动,使得上述研磨带的缘部与位于上述研磨位置的上述按压构件的缘部对齐。
本发明优选的技术方案的研磨装置,其特征在于,上述按压构件具有沿铅垂方向延伸的贯穿孔,上述贯穿孔连接于真空管线。
本发明优选的技术方案的研磨装置,其特征在于,该研磨装置具有多个上述研磨单元。
本发明优选的技术方案的研磨装置,其特征在于,上述研磨头具有检测上述按压构件的铅垂方向的位置的位置传感器。
本发明另一技术方案是一种研磨方法,其特征在于,使衬底旋转,将与衬底的切线方向平行地延伸的研磨带以其研磨面与上述衬底的表面平行的方式配置在上述衬底的周缘部的上方,利用按压构件将上述研磨带相对于上述衬底的周缘部从上方压靠而研磨上述衬底的周缘部。
本发明优选的技术方案的研磨方法,其特征在于,一边将上述研磨带压靠在上述衬底的周缘部,一边使上述研磨带沿上述衬底的切线方向摆动。
本发明优选的技术方案的研磨方法,其特征在于,在上述按压构件的缘部与上述研磨带的缘部对齐的状态下,将上述研磨带压靠在上述衬底的周缘部。
本发明优选的技术方案的研磨方法,其特征在于,在通过真空抽吸将上述按压构件与上述研磨带相互固定的状态下,将上述研磨带压靠在上述衬底的周缘部。
本发明优选的技术方案的研磨方法,其特征在于,基于上述按压构件的铅垂方向的位置结束上述衬底的周缘部的研磨。
本发明另一技术方案是一种研磨装置,其特征在于,该研磨装置包括:衬底保持部,保持衬底并使该衬底旋转;多个引导辊,支承研磨带;以及研磨头,具有将上述研磨带的缘部相对于上述衬底的周缘部从上方压靠的按压构件,上述多个引导辊以使研磨带与上述衬底的切线方向平行地延伸且使上述研磨带的研磨面与上述衬底的表面平行的方式配置,上述衬底保持部包括:保持上述衬底的保持台;以及支承由该保持台保持的上述衬底的周缘部整个下表面的支承台,上述支承台与上述保持台一体旋转。
本发明优选的技术方案的研磨装置,其特征在于,上述保持台相对于上述支承台能够相对地沿上下方向移动。
本发明另一技术方案是一种研磨装置,其特征在于,该研磨装置包括:衬底保持部,保持衬底并使该衬底旋转;多个引导辊,支承研磨带;以及研磨头,具有将上述研磨带的缘部相对于上述衬底的周缘部从上方压靠的按压构件,上述多个引导辊以使研磨带与上述衬底的切线方向平行地延伸且使上述研磨带的研磨面与上述衬底的表面平行的方式配置,上述研磨头具有限制上述研磨带的水平方向的移动的带止挡件,上述带止挡件在上述衬底的半径方向上被配置在上述研磨带的外侧。
本发明优选的技术方案的研磨装置,其特征在于,上述研磨头还具有接近上述研磨带的研磨面配置的带覆盖件。
本发明优选的技术方案的研磨装置,其特征在于,在上述带覆盖件与上述按压构件之间,具有比上述研磨带的厚度大的间隙。
本发明优选的技术方案的研磨装置,其特征在于,上述研磨头具有固定于上述按压构件的突起构件和阻止上述突起构件的水平方向的移动的侧止挡件,上述侧止挡件在上述衬底的半径方向上被配置在上述突起构件的外侧。
根据本发明,通过将研磨带的研磨面相对于衬底的周缘部从上方按压而研磨衬底的顶部边缘部。在衬底的研磨中,因为研磨带的缘部被压靠在衬底上,所以能够使被研磨了的部分的截面形状为直角。另外,根据本发明,因为研磨头与研磨带能够独立移动,所以能够使研磨带移动取决于研磨带的宽度而决定的距离,使得研磨带的缘部与研磨头的按压构件的缘部对齐。因此,研磨头能够在按压构件的缘部与研磨带的缘部对齐的状态下将研磨带相对于衬底压靠,能够形成直角的研磨截面形状。
另外,根据本发明,通过设置支承衬底的周缘部下表面的支承台,能够防止衬底产生弯曲。因此,能够通过利用研磨带的缘部研磨衬底的周缘部而形成直角的截面形状。
另外,根据本发明,通过设置带止挡件,能防止研磨带跑到衬底的外侧。因此,能够通过利用研磨带的缘部研磨衬底的周缘部而形成直角的截面形状。
附图说明
图1A和图1B是表示衬底的周缘部的放大剖视图。
图2是表示研磨衬底的周缘部的以往的方法的示意图。
图3是通过图2所示的方法研磨了的衬底的剖视图。
图4A~图4D是用于说明SOI衬底的制造工序的图。
图5是表示本发明的一实施方式的研磨装置的俯视图。
图6是图5的F-F剖视图。
图7是从图6的箭头G所示的方向观察图。
图8是研磨头和研磨带供给回收机构的俯视图。
图9是研磨头和研磨带供给回收机构的主视图。
图10是图9所示的H-H剖视图。
图11是图9所示的研磨带供给回收机构的侧视图。
图12是从箭头I所示的方向观察图9所示的研磨头的纵剖视图。
图13是从上方观察位置传感器和凸块的图。
图14是表示移动到规定的研磨位置的研磨头和研磨带供给回收机构的图。
图15是从横向观察位于研磨位置的按压构件、研磨带和衬底的示意图。
图16是表示利用按压构件将研磨带压靠在衬底上的状态的图。
图17A是从衬底的径向观察位于研磨位置的研磨带和按压构件的图,图17B是表示按压构件的下表面接触研磨带的上表面的状态的图,图17C是表示按压构件将研磨带从上方压靠于衬底的状态的图。
图18是表示由研磨带研磨的衬底的周缘部的放大图。
图19是表示被研磨了的衬底的周缘部的截面形状的剖视图。
图20A~图20C是说明检测研磨带的缘部时的动作的图。
图21是表示衬底被搬入研磨装置中的状况的图。
图22是表示研磨单元移动到退避位置的状况的图。
图23是表示衬底被保持在保持台上的状况的图。
图24是表示衬底从研磨装置被搬出的状况的图。
图25是表示具有多个研磨单元的研磨装置的俯视图。
图26是表示具有顶部边缘研磨单元和斜面研磨单元的研磨装置的俯视图。
图27是图26所示的研磨装置的纵剖视图。
图28是图27所示的研磨头的放大图。
图29是图28所示的按压构件的主视图。
图30是图29所示的按压构件的侧视图。
图31是图29的J-J剖视图。
图32是表示斜面研磨单元研磨衬底的斜面部的状况的图。
图33是表示斜面研磨单元研磨衬底的顶部边缘部的状况的图。
图34是表示斜面研磨单元研磨衬底的底部边缘部的状况的图。
图35A是表示利用按压构件将研磨带压靠在衬底上、结果衬底弯曲的状态的图,图35B是在图35A所示的状态下被研磨了的衬底的剖视图。
图36是表示具有支承台的衬底保持部的纵剖视图。
图37是支承台的立体图。
图38是表示保持台及被保持在其上表面的衬底相对于支承台相对地上升的状态的图。
图39是表示在研磨带上施加水平方向的载荷的状态的图。
图40是表示设有带止挡件的实施方式的图。
图41是表示研磨带受到水平方向的载荷而翘曲的状态的图。
图42是表示设有带止挡件和带覆盖件的实施方式的图。
图43是表示设有限制按压构件向外侧移动的移动限制机构的实施方式的图。
图44表示组合图36所示的实施方式与图43所示的实施方式的例子的图。
图45是表示具有包含研磨组件的多个衬底处理组件的衬底处理装置的俯视图。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的实施方式。
图5是表示本发明的一实施方式的研磨装置的俯视图,图6是图5的F-F剖视图,图7是从图6的箭头G所示的方向观察图。
本实施方式的研磨装置具有衬底保持部3,该衬底保持部3将作为研磨对象物的衬底W水平地保持并使其旋转。图5表示衬底保持部3保持衬底W的状态。衬底保持部3包括:通过真空抽吸保持衬底W的下表面的保持台4;连结于保持台4的中央部的中空轴5;以及使该中空轴5旋转的电动机M1。衬底W以衬底W的中心与中空轴5的轴心对准的方式被载置在保持台4上。保持台4被配置在由间隔壁20和底板21形成的研磨室22内。
中空轴5由球形花键轴承(平动轴承)6以上下移动自如的方式支承。在保持台4的上表面形成槽4a,该槽4a与穿过中空轴5而延伸的连通路7连通。连通路7经由安装在中空轴5的下端的旋转接头8连接于真空管线9。连通路7也连接于用于使处理后的衬底W自保持台4脱离的氮气供给管线10。通过切换这些真空管线9和氮气供给管线10,将衬底W保持在保持台4的上表面或使衬底W自保持台4的上表面脱离。
中空轴5借助连结于该中空轴5的皮带轮p1、安装于电动机M1的旋转轴上的皮带轮p2、和架设于这些皮带轮p1、p2上的皮带b1,在电动机M1的作用下旋转。球形花键轴承6是允许中空轴5向其长度方向自由地移动的轴承。球形花键轴承6被固定于圆筒状的外壳12上。因此,中空轴5相对于外壳12能够上下直线移动,中空轴5与外壳12一体旋转。中空轴5连结于气缸(升降机构)15,利用气缸15,中空轴5和保持台4能够上升以及下降。
在外壳12与同心地配置在其外侧的圆筒状的外壳14之间夹装有径向轴承18,外壳12由轴承18以旋转自如的方式支承。利用这样的结构,衬底保持部3能够使衬底W绕其中心轴线旋转且使衬底W沿着其中心轴线上升、下降。
在保持于衬底保持部3的衬底W的半径方向外侧,配置有研磨衬底W的周缘部的研磨单元25。该研磨单元25被配置在研磨室22的内部。如图7所示,研磨单元25整体被固定在设置台27上。该设置台27经由臂构件8连结于研磨单元移动机构30。
研磨单元移动机构30包括:以滑动自如的方式保持臂构件28的滚珠丝杠机构31;驱动该滚珠丝杠机构31的电动机32;以及连结滚珠丝杠机构31与电动机32的动力传递机构33。动力传递机构33由皮带轮和皮带等构成。在使电动机32动作时,滚珠丝杠机构31使臂构件28向图7的箭头所示的方向移动,研磨单元25整体向衬底W的切线方向移动。该研磨单元移动机构30也作为使研磨单元25以规定的振幅和规定的速度摆动的振荡机构而发挥作用。
研磨单元25包括:使用研磨带38研磨衬底W的周缘部的研磨头50;以及向研磨头50供给研磨带38且从研磨头50回收研磨带38的研磨带供给回收机构70。研磨头50是通过将研磨带38的研磨面从上方压靠在衬底W的周缘部而研磨衬底W的顶部边缘部的顶部边缘研磨头。
图8是研磨头50和研磨带供给回收机构70的俯视图,图9是研磨头50和研磨带供给回收机构70的主视图,图10是图9所示的H-H剖视图,图11是图9所示的研磨带供给回收机构70的侧视图,图12是从箭头I所示的方向观察图9所示的研磨头50的纵剖视图。
在设置台27上配置有与衬底W的半径方向平行延伸的2个平动引导件40A、40B。研磨头50和平动引导件40A经由连结构件41A连结。另外,研磨头50连结于使该研磨头50沿着平动引导件40A(即沿衬底W的半径方向)移动的电动机42A以及滚珠丝杠43A。更加具体而言,滚珠丝杠43A被固定在连结构件41A上,电动机42A借助支承部件44A被固定在设置台27上。电动机42A构成为使滚珠丝杠43A的螺纹轴旋转,由此,连结构件41A和连结于该连结构件41A的研磨头50沿着平动引导件40A移动。电动机42A、滚珠丝杠43A和平动引导件40A构成使研磨头50沿保持于衬底保持部3的衬底W的半径方向移动的第1移动机构。
同样,研磨带供给回收机构70与平动引导件40B经由连结构件41B连结。另外,研磨带供给回收机构70连结于使该研磨带供给回收机构70沿着平动引导件40B(即沿衬底W的半径方向)移动的电动机42B和滚珠丝杠43B。更加具体而言,滚珠丝杠43B被固定在连结构件41B上,电动机42B经由支承部件44B被固定在设置台27上。电动机42B构成为使滚珠丝杠43B的螺纹轴旋转,由此,连结构件41B和连结于该连结构件41B的研磨带供给回收机构70沿着平动引导件40B移动。电动机42B、滚珠丝杠43B和平动引导件40B构成使研磨带供给回收机构70沿保持于衬底保持部3的衬底W的半径方向移动的第2移动机构。
如图12所示,研磨头50包括:将研磨带38相对于衬底W压靠的按压构件51;保持按压构件51的按压构件保持架52;以及压下该按压构件保持架52(和按压构件51)的作为驱动器的气缸53。气缸53被保持在保持构件55上。另外,保持构件55经由沿铅垂方向延伸的平动引导件54,连结于作为升降机构的气缸56。在空气等气体从未图示的气体供给源供给到气缸56中时,气缸56上推保持构件55。由此,保持构件55、气缸53、按压构件保持架52和按压构件51沿着平动引导件54被举起。
气缸56被固定在固定于连结构件41A的固定构件57上。固定构件57与按压构件保持架52经由沿铅垂方向延伸的平动引导件58连结。在利用气缸53压下按压构件保持架52时,按压构件51沿着平动引导件58向下方移动,将研磨带38相对于衬底W的周缘部压靠。按压构件51由PEEK(聚醚醚酮)等树脂、不锈钢等金属、或SiC(碳化硅)等陶瓷形成。
在按压构件51上具有沿铅垂方向延伸的多个贯穿孔51a,在该贯穿孔51a中连接有真空管线60。在真空管线60中设有未图示的阀,通过打开阀,在按压构件51的贯穿孔51a内形成真空。在按压构件51接触研磨带38的上表面的状态下在贯穿孔51a中形成真空时,研磨带38的上表面被保持在按压构件51的下表面。另外,按压构件51的贯穿孔51a也可以是1个。
按压构件保持架52、气缸53、保持构件55、气缸56和固定构件57被收容在箱体62内。按压构件保持架52的下部从箱体62的底部突出,在按压构件保持架52的下部安装有按压构件51。在箱体62内配置有检测按压构件51的铅垂方向的位置的位置传感器63。该位置传感器63被安装在固定构件57上。在按压构件保持架52上设有作为传感器目标的凸块64,位置传感器63根据凸块64的铅垂方向的位置检测按压构件51的铅垂方向的位置。
图13是从上方观察位置传感器63和凸块64的图。位置传感器63具有投光部63A和受光部63B。在凸块64随着按压构件保持架52(和按压构件51)下降时,从投光部63A发出的光的一部分被凸块64遮挡。因此,能够根据由受光部63B所接受的光量检测凸块64的位置,即按压构件51的铅垂方向的位置。另外,图13所示的位置传感器63是所谓的透过型的光学式传感器,但是也可以使用其他类型的位置传感器。
研磨带供给回收机构70包括供给研磨带38的供给卷轴71和回收研磨带38的回收卷轴72。供给卷轴71和回收卷轴72分别连结于张力电动机73、74。这些张力电动机73、74对供给卷轴71和回收卷轴72给予规定的转矩,从而能够对研磨带38施加规定的张力。
在供给卷轴71与回收卷轴72之间设有研磨带进给机构76。该研磨带进给机构76包括:进给研磨带38的带进给辊77;将研磨带38相对于带进给辊77压靠的夹持辊78;以及使带进给辊77旋转的带进给电动机79。研磨带38被夹在夹持辊78与带进给辊77之间。通过使带进给辊77向图9的箭头所示的方向旋转,研磨带38从供给卷轴71被进给到回收卷轴72。
张力电动机73、74和带进给电动机79被设置在基台81上。该基台81被固定于连结构件41B。基台81具有从供给卷轴71和回收卷轴72朝向研磨头50延伸的2个支承臂82、83。在支承臂82、83上安装有支承研磨带38的多个引导辊84A、84B、84C、84D、84E。研磨带38被这些引导辊84A~84E以围绕研磨头50的方式引导。
从上方看时,研磨带38的延伸方向相对于衬底W的半径方向垂直。位于研磨头50的下方的2个引导辊84D、84E以研磨带38的研磨面与衬底W的表面(上表面)平行的方式支承研磨带38。另外,位于这2个引导辊84D、84E之间的研磨带38与衬底W的切线方向平行地延伸。在研磨带38与衬底W之间,在铅垂方向上形成有间隙。
研磨装置还包括检测研磨带38的缘部的位置的带边缘检测传感器100。带边缘检测传感器100与上述的位置传感器63同样地是透过型的光学式传感器。带边缘检测传感器100具有投光部100A和受光部100B。如图8所示,投光部100A被固定在设置台27上,如图6所示,受光部100B被固定在形成研磨室22的底板21上。该带边缘检测传感器100根据由受光部100B接受的光量检测研磨带38的缘部的位置。
如图14所示,在研磨衬底W时,研磨头50和研磨带供给回收机构70利用电动机42A、42B和滚珠丝杠43A、43B分别移动到规定的研磨位置。位于研磨位置的研磨带38沿衬底W的切线方向延伸。图15是从横向观察位于研磨位置的按压构件51、研磨带38和衬底W的示意图。如图15所示,研磨带38位于衬底W的周缘部的上方,而且按压构件51位于研磨带38的上方。图16是表示利用按压构件51将研磨带38压靠在衬底W上的状态的图。如图16所示,位于研磨位置的按压构件51的缘部与研磨带38的缘部对齐。即,为了使按压构件51的缘部与研磨带38的缘部对齐,研磨头50和研磨带供给回收机构70分别独立地移动至研磨位置。
接着,说明像上述那样构成的研磨装置的研磨动作。以下说明的研磨装置的动作由图5所示的动作控制部11控制。衬底W以形成在其表面上的膜(例如器件层)朝上的方式被保持在衬底保持部3上,而且绕衬底W的中心旋转。从未图示的液体供给机构向旋转的衬底W的中心供给液体(例如纯水)。如图15所示,研磨头50的按压构件51和研磨带38分别移动到规定的研磨位置。
图17A表示从衬底W的径向观察位于研磨位置的研磨带38和按压构件51的图。图17A所示的按压构件51处于由气缸56(参照图12)举起的状态,按压构件51位于研磨带38的上方。接着,使气缸56的动作停止,降低其活塞杆,如图17B所示,按压构件51下降直到其下表面接触研磨带38的上表面。在该状态下,借助真空管线60在按压构件51的贯穿孔51a中形成真空,使研磨带38保持在按压构件51的下表面。在保持有研磨带38的状态下,按压构件51利用气缸53(参照图12)下降,如图17C所示,按压构件51以规定的研磨载荷将研磨带38的研磨面压靠在衬底W的周缘部。通过供给气缸53的气体的压力能够调整研磨载荷。
通过旋转的衬底W与研磨带38的滑动接触,衬底W的周缘部被研磨。为了提高衬底W的研磨率,也可以在衬底W研磨中利用研磨单元移动机构30使研磨带38沿着衬底W的切线方向摆动。研磨中,向旋转的衬底W的中心部供给液体(例如纯水),衬底W在水存在的状态下被研磨。被供给到衬底W的液体由于离心力而在衬底W的整个上表面扩展,由此防止研磨屑附着于形成在衬底W上的器件。如上所述,研磨中,因为研磨带38利用真空抽吸而被保持在按压构件51上,所以防止研磨带38与按压构件51的位置错位。因此,能使研磨位置和研磨形状稳定。另外,即使增大研磨载荷,由于研磨带38与按压构件51的位置不产生错位,所以能缩短研磨时间。
因为利用按压构件51从上方按压研磨带38,所以能够研磨衬底W的顶部边缘部(参照图1A和图1B)。图18是表示由研磨带38研磨的衬底W的周缘部的放大图15。如图18所示,在研磨带38的缘部与按压构件51的缘部对齐的状态下,研磨带38的包含缘部的平坦部被压靠在衬底W的周缘部。研磨带38的缘部是直角的角部,该直角的缘部被按压构件51的缘部从上方按压到衬底W的周缘部。因此,如图19所示,能够使被研磨了的衬底W的截面形状为直角。即,能形成相对于衬底W的表面垂直的器件层的端面。
衬底W的研磨中的按压构件51的铅垂方向的位置由位置传感器63检测。因此,能根据按压构件51的铅垂方向的位置检测研磨终点。例如,在按压构件51的铅垂方向的位置到达规定的目标位置时,能结束衬底W的周缘部的研磨。该规定的目标位置根据作为目标的研磨量决定。
在衬底W的研磨结束时,停止向气缸53供给气体,由此按压构件51上升到图17B所示的位置。同时,停止研磨带38的真空抽吸。另外,按压构件51利用气缸56上升到图17A所示的位置。然后,研磨头50和研磨带供给回收机构70被移动到图8所示的退避位置。被研磨了的衬底W利用衬底保持部3上升,由未图示的输送机构的机械手搬出到研磨室22外。在下一个衬底的研磨开始前,研磨带38由带进给机构76从供给卷轴71向回收卷轴72进给规定的距离。由此,新的研磨面被使用于下一个衬底的研磨。在推定研磨带38被研磨屑堵塞时,也可以在进给研磨带38规定的距离之后,以新的研磨面再次研磨被研磨了的衬底W。研磨带38的堵塞例如能从研磨时间和研磨载荷推定。也可以一边利用带进给机构76以规定的速度进给研磨带38,一边研磨衬底W。在该情况下,无需通过真空抽吸保持研磨带38。另外,也能够在通过真空抽吸保持有研磨带38的状态下,利用带进给机构76进给研磨带38。
研磨带38是细长的带状的研磨具。研磨带38的宽度沿着其全长基本上是恒定的,但是有时根据研磨带38的部分不同而在其宽度上存在少许偏差。因此,有可能位于研磨位置的研磨带38的缘部的位置在每个衬底不同。另一方面,位于研磨位置的按压构件51的位置始终是恒定。因此,为了使按压研磨带38的缘部与按压构件51的缘部对准,在被移动到研磨位置之前,由上述的带边缘检测传感器100检测研磨带38的缘部的位置。
图20A~图20C是说明检测研磨带38的缘部的动作的图。在衬底W的研磨之前,研磨带38从图20A所示的退避位置被移动到图20B所示的带边缘检测位置。在该带边缘检测位置上,利用带边缘检测传感器100检测研磨带38的衬底侧的缘部的位置。然后,如图20C所示,研磨带38被移动到研磨位置,以使研磨带38的缘部与按压构件51的缘部对齐。因为研磨带38相对于研磨头50能够独立地移动,所以能够使研磨带38移动可取决于研磨带38的宽度而变化的距离。
位于研磨位置的按压构件51的缘部的位置预先被存储在动作控制部11(参照图5)。因此,动作控制部11根据检测到的研磨带38的缘部的位置和按压构件51的缘部的位置,能够算出为了使研磨带38的缘部与按压构件51的缘部对齐的研磨带38的移动距离。这样,因为基于检测到的研磨带38的缘部的位置而决定研磨带38的移动距离,所以与研磨带38的宽度的偏差无关,能够始终使研磨带38的缘部与按压构件51的缘部对准。其结果,能够利用研磨带38的缘部在衬底W上形成直角的截面形状。
如图5~图7所示,间隔壁20包括用于将衬底W相对于研磨室22搬入和搬出的输送口20a。输送口20a形成为水平地延伸的缺口。该输送口20a能够利用闸门23关闭。如图21所示,要研磨的衬底W在闸门23打开的状态下,利用输送机构的机械手105从输送口20a被搬入研磨室22内。如图22所示,为了防止衬底W碰到研磨单元25,研磨单元25利用上述的研磨单元移动机构30移动到退避位置。
在衬底W被搬入研磨室22内时,如图23所示,气缸15动作,保持台4上升,衬底W被保持在保持台4的上表面。之后,保持台4与衬底W一起下降到规定的研磨位置。图6表示衬底W位于研磨位置的情况。然后,研磨单元25从图22所示的退避位置移动到图7所示的衬底研磨位置,如上述那样研磨衬底W。在衬底W的研磨中,输送口20a由闸门23关闭。
在衬底W的研磨结束时,研磨单元25利用上述的研磨单元移动机构30再次被移动到图22所示的退避位置。之后,机械手105进入研磨室22内。另外,保持台4与衬底W一起再次上升到图23所示的衬底输送位置。机械手105把持衬底W,如图24所示那样从研磨室22搬出衬底W。这样,由机械手105把持的衬底W能够一边保持水平的状态一边通过输送口20a而横穿研磨室22内。
图25是表示具有多个像上述那样构成的研磨单元的研磨装置的俯视图。对于该研磨装置,在研磨室22内设有第1研磨单元25A和第2研磨单元25B。这2个研磨单元25A、25B的配置相对于被保持在衬底保持部3上的衬底W是对称的。第1研磨单元25A可利用第1研磨单元移动机构(未图示)移动,第2研磨单元25B可利用第2研磨单元移动机构(未图示)移动。这些第1和第2研磨单元移动机构具有与上述的研磨单元移动机构30相同的结构。
对于第1研磨单元25A和第2研磨单元25B,能使用不同类型的研磨带。例如,用第1研磨单元25A能够进行衬底W的粗研磨,用第2研磨单元25B能够进行衬底W的精研磨。
图26是表示包括能够研磨顶部边缘部的上述的研磨单元25(以下称为顶部边缘研磨单元)和能够研磨斜面部(参照图1A和图1B的附图标记B)的斜面研磨单元110的研磨装置的俯视图。图27是图26所示的研磨装置的纵剖视图。
如图26和图27所示,斜面研磨单元110包括:通过将研磨带123压靠在衬底W的斜面部而研磨该斜面部的研磨头组装体111;以及向该研磨头组装体111供给研磨带123的研磨带供给回收机构112。研磨头组装体111被配置在研磨室22的内部,研磨带供给回收机构112被配置在研磨室22外。
研磨带供给回收机构112包括:向研磨头组装体111供给研磨带123的供给卷轴124;以及回收研磨衬底W所使用的研磨带123的回收卷轴125。在供给卷轴124和回收卷轴125上分别连结有电动机129、129(在图26中仅表示连结于供给卷轴124的电动机129)。各自的电动机129、129分别对供给卷轴124和回收卷轴125给予规定的转矩,能够对研磨带123上施加规定的张力。
研磨头组装体111包括用于使研磨带123抵接于衬底W的周缘部的研磨头131。研磨带123以研磨带123的研磨面朝向衬底W的方式向研磨头131供给。研磨带123通过设于间隔壁20的开口部20b,从供给卷轴124向研磨头131供给,所使用的研磨带123通过开口部20b,被回收到回收卷轴125上。
研磨头131被固定于臂135的一端,臂135绕与衬底W的切线方向平行的旋转轴线Ct旋转自如。臂135的另一端经由皮带轮p3、p4以及皮带b2连结于电动机138。通过电动机138绕顺时针和逆时针旋转规定的角度,臂135绕轴线Ct旋转规定的角度。在本实施方式中,由电动机138、臂135、皮带轮p3、p4和皮带b2构成使研磨头131相对于衬底W的表面倾斜的倾斜机构。
倾斜机构被装载在移动台140上。移动台140经由平动引导件141,移动自如地连结于底板21。平动引导件141沿着被保持于衬底保持部3的衬底W的半径方向呈直线地延伸,移动台140能够沿衬底W的半径方向直线移动。在移动台140上安装有贯穿底板21的连结板143,在连结板143上借助连接器146连结有线性驱动器145。线性驱动器145直接或间接地被固定于底板21。
作为线性驱动器145,能采用气缸或定位用电动机和滚珠丝杠的组合等。由该线性驱动器145和平动引导件141构成使研磨头131沿衬底W的半径方向直线移动的移动机构。即,移动机构动作,使得研磨头131沿着平动引导件141接近以及远离衬底W。另一方面,研磨带供给回收机构112被固定于底板21。
图28是图27所示的研磨头131的放大图。如图28所示,研磨头131具有以规定的力使研磨带123的研磨面相对于衬底W按压的按压机构150。此外,研磨头131具有将研磨带123从供给卷轴124向回收卷轴125输送的带进给机构151。研磨头131具有多个引导辊153A、153B、153C、153D、153E、153F、153G,这些引导辊以研磨带123沿与衬底W的切线方向正交的方向行进的方式引导研磨带123。
设于研磨头131的带进给机构151包括带进给辊151a、夹持辊151b和使带进给辊151a旋转的电动机151c。电动机151c设于研磨头131的侧面,在电动机151c的旋转轴上安装有带进给辊151a。夹持辊151b与带进给辊151a相邻地配置。夹持辊151b以向图28的箭头NF所示的方向(朝向带进给辊151a的方向)产生力的方式由未图示的机构支承,按压带进给辊151a。
在电动机151c向以图28所示的箭头方向旋转时,带进给辊151a旋转,将研磨头131从供给卷轴124经由研磨带123向回收卷轴125输送。夹持辊151b能够绕其自身的轴线旋转。
按压机构150包括被配置于研磨带123的背面侧的按压构件155和使该按压构件155朝向衬底W的周缘部移动的气缸156。通过控制向气缸156供给的气体的压力,调整施加于衬底W的研磨载荷。
图29是图28所示的按压构件155的主视图,图30是图29所示的按压构件155的侧视图,图31是图29的J-J剖视图。如图29~图31所示,按压构件155具有形成在其前表面的两个突起部161a、161b。这些突起部161a、161b具有如轨道那样的形状,被并列配置。突起部161a、161b沿着衬底W的周向弯曲。更加具体而言,突起部161a、161b具有圆弧形状,该圆弧形状具有与衬底W的曲率实质上相同的曲率。
两个突起部161a、161b相对于旋转轴线Ct对称配置,如图29所示,从按压构件155的正面看时突起部161a、161b朝向旋转轴线Ct向内侧弯曲。研磨头131被设置成,突起部161a、161b的顶端间的中心线(即旋转轴线Ct)与衬底W的厚度方向的中心对准。突起部161a、161b比配置于研磨头131的前表面的引导辊153D、153E更接近衬底W地配置,研磨带123由突起部161a、161b从背面支承。突起部161a、161b由PEEK(聚醚醚酮)等树脂形成。
在两个突起部161a、161b之间配置有按压垫(斜面垫)162。按压垫162由硅橡胶等具有弹力的独立发泡材料构成。按压垫162的高度比突起部161a、161b的高度稍低。在水平地维持研磨头131的状态下按压构件155利用气缸156朝向衬底W移动时,按压垫162将研磨带123从背面侧相对于衬底W的斜面部按压。
在研磨衬底W的斜面部时,如图32所示,一边利用上述的倾斜机构使研磨头131的倾斜角度连续变化,一边利用按压垫162将研磨带123压靠在衬底W的斜面部。研磨中,研磨带123由带进给机构151以规定的速度进给。另外,研磨头131能研磨衬底W的顶部边缘部和底部边缘部。即,如图33所示,使研磨头131向上方倾斜,利用突起部161a将研磨带123按压在衬底W的顶部边缘部并研磨顶部边缘部。接着,如图34所示,使研磨头131向下方倾斜,利用突起部161b将研磨带123按压在衬底W的底部边缘部并研磨底部边缘部。
图26和图27所示的研磨装置能研磨包含顶部边缘部、斜面部和底部边缘部在内的衬底W的整个周缘部。例如能够利用斜面研磨单元110研磨衬底W的斜面部,之后,利用顶部边缘研磨单元25研磨衬底W的顶部边缘部。在该研磨装置中,衬底W的顶部边缘部能够使用顶部边缘研磨单元25和斜面研磨单元110当中的任一者或两者进行研磨。虽未图示,但是也可以设有多个斜面研磨单元110。
图35A是表示利用按压构件51将研磨带38压靠在衬底W上、结果衬底W弯曲的状态的图,图35B是在图35A所示的状态下被研磨了的衬底W的剖视图。如图35A所示,在增大施加于衬底W的研磨载荷的情况下,衬底W因按压构件51的研磨载荷而产生较大弯曲,其结果,如图35B所示,衬底W的被研磨面会变得倾斜。
因此,在图36所示的实施方式中,在衬底保持部3上设有从下方支撑衬底W的周缘部的支承台180。不特别说明的其他的结构与图6所示的结构相同,所以省略其重复的说明。支承台180被固定于支承台座181。该支承台座181被固定于外壳12的上端,与外壳12一体旋转。因此,支承台180与外壳12和保持台4一体旋转。
支承台180为了遍及衬底W的周缘部整个下表面地支承该衬底W的周缘部下表面,具有如图37所示那样的倒圆锥台形。由支承台180支承的衬底W的周缘部下表面是至少包含图1A和图1B所示的底部边缘部E2的区域。支承台180的环状的上表面180a构成支承衬底W的周缘部下表面的支承面。在研磨衬底W时,支承台180的最外周端与衬底W的最外周端大致对齐。
通过使用这样的支承台180,即使按压构件51将研磨带38压靠在衬底W上,衬底W也不会产生弯曲。因此,通过利用研磨带38的缘部研磨衬底W的周缘部,能形成器件层的垂直的端面。此外,因为支承台180支承衬底W的周缘部整个下表面,所以与日本特开2009-208214号公报公开的仅支承衬底的一部分的衬底支承机构相比,能均匀地研磨衬底W的周缘部。
因为在中空轴5与外壳12之间配置有球形花键轴承6,所以中空轴5能够相对于外壳12沿上下方向移动。因此,被连结于中空轴5的上端的保持台4能够相对于外壳12和支承台180沿上下方向相对地移动。图38表示保持台4及被保持在其上表面的衬底W相对于支承台180相对地上升的状态。
在衬底W被输送机构的机械手105搬入研磨室22时,气缸15动作,保持台4上升(参照图23)。此时,支承台180不上升。并且,在保持台4上保持衬底W时,保持台4与衬底W一起下降到规定的研磨位置,衬底W的周缘部整个下表面由支承台180的支承面180a支承。在该状态下,衬底W由研磨带38研磨。在衬底W被研磨时,支承台180与衬底W一起旋转。衬底W的研磨结束时,为了搬出衬底W,保持台4与衬底W一起上升。即使保持台4上升支承台180也不上升,所以机械手105能可靠地把持衬底W。
按压构件51在使按压构件51的缘部与研磨带38的缘部对齐的状态下,真空吸附研磨带38,将研磨带38的研磨面压靠在衬底W的周缘部(参照图17C和图18)。由此,形成于衬底W表面的器件层的端面相对于衬底W的表面垂直地被研磨。
研磨带38有时受与衬底W的接触状况、衬底W的周缘部的形状的影响,受到水平方向的载荷。结果,如图39的箭头K所示,有时研磨带38会跑到衬底W的外侧。因此,如图40所示,在按压构件51上设有限制研磨带38的水平方向的移动的带止挡件185。带止挡件185在衬底W的半径方向上被配置在研磨带38的外侧,限制研磨带38向外侧移动。利用这样地配置的带止挡件185,能防止研磨带38跑到衬底W的外侧。因此,能使衬底W的研磨形状和研磨宽度稳定。带止挡件185的内侧面185a与按压构件51的缘部51b的距离dp被设定得比研磨带38的宽度稍大。
在研磨带38向外侧的移动被带止挡件185阻止时,如图41所示,研磨带38有时会翘曲。因此,在图42所示的实施方式中,为了防止研磨带38翘曲,接近研磨带38的研磨面地设有带覆盖件186。带覆盖件186被固定于带止挡件185,被配置成覆盖研磨带38的研磨面的大部分。带覆盖件186被配置在研磨带38的下方,在研磨带385的研磨面与带覆盖件186的上表面之间形成有微小的间隙dg。研磨带38被配置在按压构件51与带覆盖件186之间。通过设有这样的带覆盖件186,防止研磨带38翘曲,能平坦地保持研磨带38。因此,能够使衬底W的研磨形状和研磨宽度稳定。
如图42所示,在由按压构件51、带止挡件185和带覆盖件186围绕的空间中配置研磨带38。按压构件51的下表面与带覆盖件186的上表面的间隙h被设定得比研磨带38的厚度大。研磨带38与带覆盖件186的间隙dg比衬底W的厚度小。
带覆盖件186的内侧面186a位于比按压构件51的缘部51b更靠衬底W的半径方向外侧。因此,研磨带38的研磨面露出按压构件51的缘部51b与带覆盖件186的内侧面186a之间的距离dw。衬底W的研磨利用该露出的研磨面进行。在研磨中为了防止衬底W接触带覆盖件186,距离dw被设定得比衬底W应该研磨的区域的宽度稍大。
在图42所示的构造中,由于带止挡件185承受作用于研磨带38的水平方向的载荷,所以有时按压构件51与研磨带38一起向外侧移动。这样的按压构件51的动作会使研磨形状和研磨宽度不稳定。因此,在图43所示的实施方式中,设有限制按压构件51向外侧移动的移动限制机构。该移动限制机构具有固定于按压构件51的突起构件190和限制该突起构件190的水平方向的移动的侧止挡件191。在本实施方式中,作为突起构件190而使用柱塞。
柱塞(突起构件)190以贯穿按压构件51的方式设置。侧止挡件191在衬底W的半径方向上被配置在柱塞190的外侧,阻止柱塞190向外侧移动。侧止挡件191被固定在研磨头50的箱体62的下表面,侧止挡件191的位置被固定。柱塞190与侧止挡件191互相接近地配置,柱塞190与侧止挡件191的间隙dr是10μm~100μm。根据这样的结构,在研磨中按压构件51受到来自研磨带38的水平载荷而向外侧移动时,柱塞190接触侧止挡件191,由此按压构件51和研磨带38向外侧的移动被限制。因此,能使衬底W的研磨形状和研磨宽度稳定。
图36~图43所示的实施方式能适当组合。例如,图44表示组合图36所示的支承台180和图43所示的研磨头50的例子。根据该图44所示的结构,防止衬底W的弯曲,并且防止研磨带38的移动、翘曲。图36~图44所示的实施方式能应用于图5和图26所示的研磨装置。
图45是表示具有多个包含研磨组件的衬底处理组件的衬底处理装置的俯视图。如图45所示,衬底处理装置包括:将衬底W投入衬底处理装置中的两个装载部240;从装载部240上的晶片盒(未图示)中取出衬底W的第1输送机器手245;检测衬底W的凹口位置,并且使衬底W旋转使得衬底W的凹口部成为规定位置的凹口调准器248;使凹口调准器248移动的凹口调准器移动机构250;研磨衬底W的凹口部的凹口研磨组件(第1研磨组件)255;从凹口调准器248向凹口研磨组件255输送衬底W的第2输送机器手257;研磨衬底W的顶部边缘部的顶部边缘研磨组件(第2研磨组件)256;清洗被研磨了的衬底W的清洗组件260;干燥被清洗了的衬底W的干燥组件265;从凹口研磨组件255以顶部边缘研磨组件256、清洗组件260、干燥组件265的顺序输送衬底W的输送机构270。
作为凹口研磨组件255,能使用例如日本特开2009-154285号公报所公开那样的公知的凹口研磨装置。作为顶部边缘研磨组件256,能使用上述的图5或图26所示的研磨装置。作为清洗组件260,能够使用一边向旋转的衬底W供给液体一边使旋转的海绵卷接触衬底W的上表面和下表面的海绵卷型的清洗机。作为干燥组件265,能使用使衬底W高速旋转的旋转干燥机。
凹口研磨组件255、顶部边缘研磨组件256、清洗组件260、干燥组件265(以下适当总称为衬底处理组件)排列成一列,输送机构270沿着这些衬底处理组件的排列方向配置。输送机构270具有机械手单元270A、机械手单元270B和机械手单元270C。各机械手单元具有保持衬底W的1组机械手271,在相邻的衬底处理组件间输送衬底W。即,机械手单元270A从凹口研磨组件255取出衬底W向顶部边缘研磨组件256输送,机械手单元270B从顶部边缘研磨组件256取出衬底W向清洗组件260输送。然后,机械手单元270C从清洗组件260取出衬底W向干燥组件265输送。
机械手单元270A,机械手单元270B、机械手单元270C构成为沿着衬底处理组件的排列方向能够直线移动。机械手单元270A、机械手单元270B、机械手单元270C同时从处理组件取出衬底W,同时移动,同时将衬底W搬入相邻的衬底处理组件。
接着说明衬底W的处理的整个流程。第1输送机器手245从晶片盒取出衬底W,将衬底W载置到凹口调准器248上。凹口调准器248与衬底W一起利用凹口调准器移动机构250,移动到第2输送机器手257的附近位置。此时,凹口调准器248检测衬底W的凹口位置,使衬底W旋转使得凹口部成为规定位置。
然后,第2输送机器手257从凹口调准器248接受衬底W,搬入凹口研磨组件255。衬底W的凹口部由凹口研磨组件255研磨。被研磨了的衬底W像上述那样利用输送机构270的3个机械手单元270A、270B、270C依次按顺序被输送到顶部边缘研磨组件256、清洗组件260、干燥组件265,由各个衬底处理组件进行处理。被处理了的衬底W利用第1输送机器手245被收容到装载部240上的晶片盒中。
凹口研磨组件255以及顶部边缘研磨组件256能够装卸地被设置于衬底处理装置中。因此,也能够取出凹口研磨组件255和/或顶部边缘研磨组件256,将不同类型的研磨组件装入衬底处理装置中。例如,作为第1研磨组件,能够使用能研磨衬底W的顶部边缘部的上述实施方式的研磨装置,作为第2研磨组件,能够使用能研磨衬底W的斜面部的公知的斜面研磨装置。
上述的实施方式是以本发明所属的技术领域中的具有通常知识的人能实施本发明为目的而记载的。上述实施方式的各种变形例只要是本领域技术人员就当然能够得到,本发明的技术思想也能够应用于其他的实施方式。因此,本发明不限定于记载的实施方式,被解释为遵循由权利要求所定义的技术思想的最大的范围。

Claims (22)

1.一种研磨装置,其特征在于,
该研磨装置包括:
衬底保持部,保持衬底并使该衬底旋转;以及
至少1个研磨单元,研磨所述衬底的周缘部,
所述研磨单元包括:
研磨头,具有将研磨带相对于所述衬底的周缘部从上方压靠的按压构件;
带供给回收机构,向所述研磨头供给所述研磨带,并从所述研磨头回收所述研磨带;
第1移动机构,使所述研磨头沿所述衬底的半径方向移动;以及
第2移动机构,使所述带供给回收机构沿所述衬底的半径方向移动,
所述带供给回收机构具有支承所述研磨带的多个引导辊,该多个引导辊以使所述研磨带与所述衬底的切线方向平行地延伸且使所述研磨带的研磨面与所述衬底的表面平行的方式配置。
2.根据权利要求1所述的研磨装置,其特征在于,
该研磨装置还具有使所述研磨单元沿所述衬底的切线方向移动的研磨单元移动机构。
3.根据权利要求1所述的研磨装置,其特征在于,
该研磨装置还具有检测所述研磨带的缘部的位置的带边缘检测传感器。
4.根据权利要求3所述的研磨装置,其特征在于,
所述第1移动机构使所述按压构件移动到规定的研磨位置,
所述第2移动机构基于由所述带边缘检测传感器检测出的所述研磨带的端部的位置,使所述研磨带供给回收机构移动,使得所述研磨带的缘部与位于所述研磨位置的所述按压构件的缘部对齐。
5.根据权利要求1所述的研磨装置,其特征在于,
所述按压构件具有沿铅垂方向延伸的贯穿孔,所述贯穿孔连接于真空管线。
6.根据权利要求1所述的研磨装置,其特征在于,
该研磨装置具有多个所述研磨单元。
7.根据权利要求1所述的研磨装置,其特征在于,
所述研磨头具有检测所述按压构件的铅垂方向的位置的位置传感器。
8.一种研磨方法,其特征在于,
使衬底旋转,
将与衬底的切线方向平行地延伸的研磨带以其研磨面与所述衬底的表面平行的方式配置在所述衬底的周缘部的上方,
利用按压构件将所述研磨带相对于所述衬底的周缘部从上方压靠而研磨所述衬底的周缘部。
9.根据权利要求8所述的研磨方法,其特征在于,
一边将所述研磨带压靠在所述衬底的周缘部,一边使所述研磨带沿所述衬底的切线方向摆动。
10.根据权利要求8所述的研磨方法,其特征在于,
在使所述按压构件的缘部与所述研磨带的缘部对齐的状态下,将所述研磨带压靠在所述衬底的周缘部。
11.根据权利要求8所述的研磨方法,其特征在于,
在通过真空抽吸将所述按压构件与所述研磨带相互固定的状态下,将所述研磨带压靠在所述衬底的周缘部。
12.根据权利要求8所述的研磨方法,其特征在于,
根据所述按压构件的铅垂方向的位置结束所述衬底的周缘部的研磨。
13.一种研磨装置,其特征在于,
该研磨装置包括:
衬底保持部,保持衬底并使该衬底旋转;
多个引导辊,支承研磨带;以及
研磨头,具有将所述研磨带的缘部相对于所述衬底的周缘部从上方压靠的按压构件,
所述多个引导辊以使研磨带与所述衬底的切线方向平行地延伸且使所述研磨带的研磨面与所述衬底的表面平行的方式配置,
所述衬底保持部包括:保持所述衬底的保持台;以及支承由该保持台保持的所述衬底的周缘部整个下表面的支承台,
所述支承台与所述保持台一体旋转。
14.根据权利要求13所述的研磨装置,其特征在于,
所述保持台相对于所述支承台能够相对地沿上下方向移动。
15.根据权利要求13所述的研磨装置,其特征在于,
所述保持台被配置成通过真空吸引保持所述衬底的下表面,所述支承台被配置成支承所述衬底的周缘部整个下表面。
16.根据权利要求13所述的研磨装置,其特征在于,
所述支承台具有倒圆锥台形。
17.根据权利要求13所述的研磨装置,其特征在于,
所述支承台具有环状的上表面,以构成支承所述衬底的周缘部下表面的支承面。
18.根据权利要求13所述的研磨装置,其特征在于,
所述支承台的最外周端与所述衬底的最外周端对齐。
19.一种研磨装置,其特征在于,
该研磨装置包括:
衬底保持部,保持衬底并使该衬底旋转;
多个引导辊,支承研磨带;以及
研磨头,具有将所述研磨带的缘部相对于所述衬底的周缘部从上方压靠的按压构件,
所述多个引导辊以使研磨带与所述衬底的切线方向平行地延伸且使所述研磨带的研磨面与所述衬底的表面平行的方式配置,
所述研磨头具有限制所述研磨带的水平方向的移动的带止挡件,所述带止挡件在所述衬底的半径方向上被配置在所述研磨带的外侧。
20.根据权利要求19所述的研磨装置,其特征在于,
所述研磨头还具有接近所述研磨带的研磨面地配置的带覆盖件。
21.根据权利要求20所述的研磨装置,其特征在于,
在所述带覆盖件与所述按压构件之间,具有比所述研磨带的厚度大的间隙。
22.根据权利要求19所述的研磨装置,其特征在于,
所述研磨头具有固定于所述按压构件的突起构件和阻止所述突起构件的水平方向的移动的侧止挡件,所述侧止挡件在所述衬底的半径方向上被配置在所述突起构件的外侧。
CN201210083648.0A 2011-03-25 2012-03-22 研磨装置和研磨方法 Active CN102699794B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-067211 2011-03-25
JP2011067211 2011-03-25
JP2011-247228 2011-11-11
JP2011247228A JP5886602B2 (ja) 2011-03-25 2011-11-11 研磨装置および研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102699794A CN102699794A (zh) 2012-10-03
CN102699794B true CN102699794B (zh) 2016-06-22

Family

ID=46044140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210083648.0A Active CN102699794B (zh) 2011-03-25 2012-03-22 研磨装置和研磨方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8979615B2 (zh)
EP (1) EP2502701B1 (zh)
JP (2) JP5886602B2 (zh)
KR (1) KR101872903B1 (zh)
CN (1) CN102699794B (zh)
TW (1) TWI523092B (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011224680A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Ebara Corp 研磨方法及び研磨装置
JP5886602B2 (ja) 2011-03-25 2016-03-16 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
US9457447B2 (en) * 2011-03-28 2016-10-04 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
US9492910B2 (en) 2012-07-25 2016-11-15 Ebara Corporation Polishing method
JP6190108B2 (ja) * 2012-11-27 2017-08-30 Mipox株式会社 板ガラス等ワークの周縁部を研磨テープにより研磨する研磨装置及び研磨方法
JP6100541B2 (ja) 2013-01-30 2017-03-22 株式会社荏原製作所 研磨方法
JP6130677B2 (ja) 2013-01-31 2017-05-17 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6113624B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP6204848B2 (ja) 2014-02-17 2017-09-27 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6293519B2 (ja) * 2014-03-05 2018-03-14 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6223873B2 (ja) * 2014-03-14 2017-11-01 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
US10478937B2 (en) * 2015-03-05 2019-11-19 Applied Materials, Inc. Acoustic emission monitoring and endpoint for chemical mechanical polishing
KR102330017B1 (ko) 2015-04-14 2021-11-24 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN106041685B (zh) * 2016-05-13 2018-10-02 宁波方太厨具有限公司 一种定尺寸圆角打磨装置
CN106217280B (zh) * 2016-08-01 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 一种研磨带及研磨设备
JP2018075644A (ja) * 2016-11-07 2018-05-17 光雄 柏木 刃物研ぎ装置
JP6974117B2 (ja) * 2016-12-15 2021-12-01 株式会社荏原製作所 研磨装置、および研磨具を押圧する押圧パッド
CN106736880B (zh) * 2016-12-28 2018-08-31 沪东重机有限公司 用于燃气控制块倒圆锥腔底密封面的研磨方法
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
JP6840617B2 (ja) * 2017-05-15 2021-03-10 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
CN107336115A (zh) * 2017-06-30 2017-11-10 太仓宝达齿条有限公司 一种齿条浸没打磨抛光设备
CN107214603A (zh) * 2017-06-30 2017-09-29 太仓宝达齿条有限公司 一种齿条高效除锈清洗设备
WO2019043796A1 (ja) * 2017-08-29 2019-03-07 株式会社 荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP2019091746A (ja) * 2017-11-13 2019-06-13 株式会社荏原製作所 基板の表面を処理する装置および方法
JP7121572B2 (ja) 2018-07-20 2022-08-18 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
CN109048601B (zh) * 2018-09-29 2024-01-09 江阴市天利化工机械有限公司 一种炉筒全自动抛光机
JP2021091033A (ja) * 2019-12-10 2021-06-17 キオクシア株式会社 研磨装置、研磨ヘッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法
JP7041184B2 (ja) * 2020-03-19 2022-03-23 株式会社サンシン 電動機用回転子研磨方法及びその装置
JP7451324B2 (ja) 2020-06-26 2024-03-18 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
CN111941201B (zh) * 2020-08-21 2021-12-07 许昌学院 一种用于法布里-珀罗干涉仪镜板的高精度制造装置
CN113441291B (zh) * 2021-06-30 2022-07-26 成都导胜生物技术有限公司 一种用于获得存活单细胞的离心研磨装置
CN114523395B (zh) * 2022-04-22 2022-07-05 睢宁县桃园镇陈海峰森鑫板材厂 一种自预紧式板材打磨抛光装置及其使用方法
CN115106858B (zh) * 2022-08-01 2023-11-24 赣州天文磁业有限公司 一种钕铁硼磁铁打磨装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6110025A (en) * 1997-05-07 2000-08-29 Obsidian, Inc. Containment ring for substrate carrier apparatus
CN1287040A (zh) * 1999-09-03 2001-03-14 索尼公司 抛光装置

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT302097B (de) * 1970-09-15 1972-09-25 Heesemann Karl Schleifvorrichtung zum abrundenden Brechen con Kanten an Werkstücken
JPS578068A (en) * 1980-06-13 1982-01-16 Nec Corp Disk grinder
JPS58165958A (ja) 1982-03-20 1983-10-01 Takegawa Tekko Kk 曲面サンダ−機
JPS6067842A (ja) 1983-09-22 1985-04-18 Sumitomo Metal Ind Ltd 芳香族炭化水素のニトロ化反応率測定方法
JPS6067842U (ja) * 1983-10-17 1985-05-14 日本電気株式会社 ウエハ研ま装置
JPS60106029A (ja) * 1983-11-14 1985-06-11 Fujitsu Ltd 磁気デイスクの製造装置
JPS6239170A (ja) * 1985-08-13 1987-02-20 Hitachi Zosen Corp 円盤状工作物の鏡面加工装置
JPH01306167A (ja) * 1988-06-06 1989-12-11 Sony Corp ハードディスク用基板研磨装置
JPH0485827A (ja) 1990-07-26 1992-03-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH04135701A (ja) 1990-09-27 1992-05-11 Aica Kogyo Co Ltd 寸法安定性向上木材の製法
JP2857816B2 (ja) * 1992-05-29 1999-02-17 株式会社サンシン ウエハー材縁端面研磨装置
JPH081494A (ja) 1994-06-27 1996-01-09 Sanshin:Kk ウエハー材縁端部研磨装置
JPH0897111A (ja) 1994-09-26 1996-04-12 Kyushu Komatsu Denshi Kk Soi基板の製造方法
US5885143A (en) * 1997-07-17 1999-03-23 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Disk texturing apparatus
JP3436877B2 (ja) * 1998-02-12 2003-08-18 ワイエイシイ株式会社 磁気ディスク加工装置
US6283838B1 (en) * 1999-10-19 2001-09-04 Komag Incorporated Burnishing tape handling apparatus and method
JP3342686B2 (ja) * 1999-12-28 2002-11-11 信越半導体株式会社 ウェーハ研磨方法及びウェーハ研磨装置
JP2001198781A (ja) 2000-01-12 2001-07-24 Speedfam Co Ltd 基板エッジ部の研磨方法およびその装置
JP2001205549A (ja) 2000-01-25 2001-07-31 Speedfam Co Ltd 基板エッジ部の片面研磨方法およびその装置
JP2001347447A (ja) 2000-06-08 2001-12-18 Fujikoshi Mach Corp テープ研磨装置
JP2002126981A (ja) 2000-10-25 2002-05-08 Sanshin:Kk 円板状部材周縁部研磨装置
JP4156200B2 (ja) * 2001-01-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
JP3949941B2 (ja) * 2001-11-26 2007-07-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および研磨装置
JP4090247B2 (ja) * 2002-02-12 2008-05-28 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP4125148B2 (ja) * 2003-02-03 2008-07-30 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP4772679B2 (ja) * 2004-02-25 2011-09-14 株式会社荏原製作所 研磨装置及び基板処理装置
JP2005305586A (ja) 2004-04-20 2005-11-04 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨装置
JP4077439B2 (ja) * 2004-10-15 2008-04-16 株式会社東芝 基板処理方法及び基板処理装置
US7115023B1 (en) * 2005-06-29 2006-10-03 Lam Research Corporation Process tape for cleaning or processing the edge of a semiconductor wafer
JP2008306180A (ja) 2007-05-21 2008-12-18 Applied Materials Inc 膜の基板斜面及び縁部の研磨プロファイルを制御する方法及び装置
JP2008042220A (ja) * 2007-09-25 2008-02-21 Ebara Corp 基板処理方法及び装置
JP2009119537A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
JP5274993B2 (ja) * 2007-12-03 2013-08-28 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP5393039B2 (ja) * 2008-03-06 2014-01-22 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP5211835B2 (ja) * 2008-04-30 2013-06-12 ソニー株式会社 ウエハ研磨装置およびウエハ研磨方法
US20100105291A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a notch of a substrate
JP2010162624A (ja) 2009-01-13 2010-07-29 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP2010201546A (ja) 2009-03-03 2010-09-16 Lasertec Corp 欠陥修正方法及び装置
US8192249B2 (en) * 2009-03-12 2012-06-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Systems and methods for polishing a magnetic disk
JP5886602B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-16 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6110025A (en) * 1997-05-07 2000-08-29 Obsidian, Inc. Containment ring for substrate carrier apparatus
CN1287040A (zh) * 1999-09-03 2001-03-14 索尼公司 抛光装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101872903B1 (ko) 2018-06-29
US20120244787A1 (en) 2012-09-27
JP6080936B2 (ja) 2017-02-15
EP2502701B1 (en) 2018-02-28
CN102699794A (zh) 2012-10-03
JP5886602B2 (ja) 2016-03-16
US20150151398A1 (en) 2015-06-04
EP2502701A3 (en) 2016-12-14
TWI523092B (zh) 2016-02-21
KR20120109342A (ko) 2012-10-08
JP2016028845A (ja) 2016-03-03
US10493588B2 (en) 2019-12-03
JP2012213849A (ja) 2012-11-08
TW201246348A (en) 2012-11-16
EP2502701A2 (en) 2012-09-26
US8979615B2 (en) 2015-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102699794B (zh) 研磨装置和研磨方法
KR101522972B1 (ko) 연마장치, 연마방법, 연마구를 가압하는 가압부재
US9457447B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
JP6752367B2 (ja) 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
US7708621B2 (en) Polishing apparatus and method of reconditioning polishing pad
CN103962939B (zh) 研磨装置及研磨方法
KR20180061240A (ko) 연마 방법 및 연마 장치
KR102104430B1 (ko) 연마 방법
US20110256811A1 (en) Polishing method
US9914196B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
JP6283434B2 (ja) 研磨装置
TWI433754B (zh) 研磨裝置
KR20180069713A (ko) 연마 장치, 및 연마구를 압박하는 압박 패드
WO2019176413A1 (ja) 研磨装置
JP7117996B2 (ja) 移載機及びベベル研磨装置
CN210115769U (zh) 倒角研削装置
JP2001162505A (ja) リニア駆動ベルト式の研磨装置
JP5948199B2 (ja) 研磨方法
KR20190078213A (ko) 기판 고정 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant