CN102341459B - 热界面材料和它们的制备与使用方法 - Google Patents

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Abstract

可固化的组合物包含：(A)具有平均每分子至少两个脂肪族不饱和的有机基团的聚有机硅氧烷基础聚合物，任选地(B)具有平均每分子至少两个硅连接的氢原子的交联剂，(C)催化剂，(D)导热填充剂，和(E)有机增塑剂。组合物可以固化以形成导热的有机硅凝胶或硅橡胶。导热的硅橡胶在TIM1和TIM2应用中可用作热界面材料。可固化的组合物可以被湿分散并且然后原位在(光)电子装置中固化，或者可固化的组合物可以被固化以形成垫，其在安装在(光)电子装置中之前含或不含支撑物。

Description

热界面材料和它们的制备与使用方法
相关申请的交叉引用
根据美国法典第35条第119款第(e)项，本申请要求2009年3月12日提交的美国临时专利申请序列号61/159,569的权益。美国临时专利申请序列号61/159,569据此通过引用并入。
关于联邦资助的研究和开发的声明
无
发明背景
发明领域
本发明涉及热界面材料(TIM)。更具体地，本发明涉及包括通过固化可固化的硅氧烷组合物(“组合物”)制备的固化的硅氧烷的TIM，其包括有机增塑剂、导热填充剂和可固化的硅氧烷组合物。
背景
(光)电子元件如半导体、晶体管、集成电路(IC)、分立装置、发光二级管(LED)和本领域已知的其它元件被设计为在正常的工作温度下或在正常的工作温度范围内工作。然而，(光)电子元件的工作产生热量。如果不除去足够的热量，(光)电子元件将在显著地高于其正常工作温度的温度下工作。过度的温度可以不利地影响(光)电子元件的性能和与其相关的装置的工作并且消极地影响平均故障间隔时间。
为了避免这些问题，可以通过热传导将热量从(光)电子元件传递至散热片(heat sink)。然后可以通过任何便利的手段如对流或辐射技术将散热片冷却。在热传导过程中，通过(光)电子元件与散热片之间的表面接触或通过(光)电子元件和散热片与TIM(TIM1应用)的接触，热量可以从(光)电子元件被传递到散热片。可选地，TIM可以与(光)电子装置的散热片和另一元件例如散热器如盖(lid)或盖(cover)(TIM2应用)接触。
(光)电子元件和散热片的表面通常不完全是光滑的，因此，难以达到表面之间完全的接触。气隙，是差的热导体，在表面之间出现并且妨碍热量的除去。在(光)电子元件与散热片的表面之间插入TIM可以填充这些空隙以促进有效的热量传递。TIM的热阻抗越低，从(光)电子元件向散热片的热流越大。
大多数TIM基于热固性或热塑性聚合物基质。然而，适合的聚合物的热导率相当低，通常在0.15W/mK至0.30W/mK的范围内。为了增加TIM的热导率，可以将导热填充剂加到聚合物基质中。这些填充的TIM的热导率取决于各种因素，包括填充剂的热导率和如填充剂粒度和填充剂粒度分布所表明的填充剂在聚合物基质中的填充。
通过TIM的在两种基材之间的热量传递的有效性以热阻抗或热阻的方式来表达。热阻抗或热阻是TIM的体电阻和TIM与基材之间的界面电阻的总和。在(光)电子行业存在持续需要：产生具有更高的热导率，更低的热阻抗，具有为了(光)电子装置的有用的寿命而留在适当位置的能力的TIM。在(光)电子行业存在持续的需要：产生具有低柔软性、高的可压缩性和低的杂质渗出的TIM以增强热导率和降低热阻抗。
发明概述
组合物可用于热界面材料应用。该组合物包含：
(A)具有平均每分子至少两个脂肪族不饱和的有机基团的聚有机硅氧烷基础聚合物，
任选地(B)具有平均每分子至少两个硅连接的氢原子的交联剂，
(C)催化剂，
(D)导热填充剂，和
(E)有机增塑剂。
制备热界面材料的方法可以包括：1)将上面描述的组合物沿着热路径(thermal path)插入以分散来自热源如(光)电子装置的热量，和2)固化该组合物。可以在步骤1)之前或之后进行步骤2)。
附图简述
图1是示例性界面材料的部分横截面。
图2是示例性(光)电子装置的横截面。
参考数字
100    界面材料
101    支撑物
102    导热的固化的硅氧烷
103    剥离衬垫
200    根据本发明的装置
201    散热片
202    第二界面材料(TIM2)
203    电子元件
204    基材
205    焊球
206    第一界面材料(TIM1)
207    金属盖
208    热路径
209    芯片底部填充
210    垫
211    焊球阵列
发明详述
除非另外说明，所有的量、比率和百分数按体积计。以下是定义的列表，如本文所用。
术语的定义和用法
冠词“一个(a)”、“一个(an)和“该(the)”各自指一个或多个。
“组合”指通过任何方法放在一起的两个或更多个项目。
“有机增塑剂”指与不包含非硅氧烷化合物的固化的硅氧烷的压缩变定(compression set)相比，降低固化的硅氧烷的压缩变定的非硅氧烷化合物。
“可溶的”指：当在固化组合物的方法期间混合组合物的成分时，产生的混合物保持为均一的混合物，例如，增塑剂不形成单独的相。
以(W/m K)为单位的热导率(k)涉及将热量(Q)传递穿过厚度Δx和面积A的材料的能力，产生ΔT的温差，并且在算术上由以下方程定义：
Q · = k A Δx ΔT .
以(cm2K/W)为单位的热阻抗(R)涉及2个界面之间的材料的热传递的效率，并且在算术上由以下方程定义：
R = A Q · ΔT = Δx k .
“表面处理的”指填充剂颗粒上的所有或部分反应性基团已经通过任何便利的化学或不起反应的手段变得较低反应性的。
组合物
一种包含以下的组合物：
(A)具有平均每分子至少两个脂肪族不饱和的有机基团的聚有机硅氧烷基础聚合物，
任选地(B)具有平均每分子至少两个硅连接的氢原子的交联剂，
(C)催化剂，其选自氢化硅烷化反应催化剂和过氧化物固化催化剂，
(D)导热填充剂，和
(E)在成分(A)中可溶的有机增塑剂，其不抑制组合物的固化。
组合物可以是例如通过氢化硅烷化或过氧化物固化可固化的。在氢化硅烷化可固化的组合物中，存在成分(B)。在过氧化物可固化的组合物中，成分(B)是任选的。
氢化硅烷化可固化的组合物
氢化硅烷化可固化的组合物可以包含：按重量计100份的(A’)聚有机硅氧烷基础聚合物，其具有平均每分子至少两个脂肪族不饱和的有机基团；(B’)交联剂，如硅烷或硅氧烷，其具有平均每分子至少两个硅连接的氢原子；和足以开始组合物的固化的量的(C’)铂族金属催化剂，其中成分和量可以被选择为使得通过固化组合物制备的固化的硅氧烷是硅橡胶。
成分(A’)基础聚合物
氢化硅烷化可固化的组合物的成分(A’)可包括具有平均每分子至少两个脂肪族不饱和的有机基团的聚有机硅氧烷。成分(A’)可以具有直链或支链结构。成分(A’)可以是均聚物或共聚物。脂肪族不饱和的有机基团可以是烯基，例如但不限于：乙烯基、烯丙基、丁烯基和己烯基。不饱和的有机基团可以是炔基，例如但不限于：乙炔基、丙炔基和丁炔基。成分(A’)中脂肪族不饱和的有机基团可以位于末端、侧链、或末端和侧链两者的位置。
成分(A’)中剩余的硅连接的有机基团可以是无脂肪族不饱和的单价有机基团。这些单价有机基团可以具有1至20个碳原子，可选地1至10个碳原子，并且例如但不限于烷基如甲基、乙基、丙基、戊基、辛基、十一烷基和十八烷基；环烷基如环戊基和环己基；以及芳族基团如苯基、甲苯基、二甲苯基、苄基和2-苯基乙基。
成分(A’)可以包括以下聚有机硅氧烷
式(VII)：R6 2R7SiO(R6 2SiO)d(R6R7SiO)eSiR6 2R7，
式(VIII)：R6 3SiO(R6 2SiO)f(R6R7SiO)gSiR6 3，
或其组合。
在式(VII)和(VIII)中，每个R6独立地是无脂肪族不饱和的单价有机基团并且每个R7独立地是脂肪族不饱和的有机基团。下标d具有至少2的平均值，可选地下标d可以具有2至2000范围内的值。下标e可以是0或正数。可选地，下标e可以具有0至2000范围内的平均值。下标f可以是0或正数。可选地，下标f可以具有0至2000范围内的平均值。下标g具有至少2的平均值。可选地，下标g可以具有2至2000范围内的平均值。对于R6适合的单价有机基团包括但不限于烷基如甲基、乙基、丙基、戊基、辛基、十一烷基和十八烷基；环烷基如环戊基和环己基；和芳基如苯基、甲苯基、二甲苯基、苄基和2-苯基乙基。每个R7独立地是脂肪族不饱和的单价有机基团。R7例如烯基如乙烯基、烯丙基和丁烯基，以及炔基如乙炔基和丙炔基。
成分(A’)可以包括聚二有机硅氧烷，例如：
i)二甲基乙烯基甲硅烷氧基-封端的聚二甲基硅氧烷，
ii)二甲基乙烯基甲硅烷氧基-封端的聚(二甲基硅氧烷/甲基乙烯基硅氧烷)，
iii)二甲基乙烯基甲硅烷氧基-封端的聚甲基乙烯基硅氧烷，
iv)三甲基甲硅烷氧基-封端的聚(二甲基硅氧烷/甲基乙烯基硅氧烷)，
v)三甲基甲硅烷氧基-封端的聚甲基乙烯基硅氧烷，
vi)二甲基乙烯基甲硅烷氧基-封端的聚(二甲基硅氧烷/甲基苯基硅氧烷)，
vii)二甲基乙烯基甲硅烷氧基-封端的聚(二甲基硅氧烷/二苯基硅氧烷)，
viii)苯基甲硅烷氧基-封端的聚二甲基硅氧烷、甲基甲硅烷氧基-封端的聚二甲基硅氧烷、乙烯基甲硅烷氧基-封端的聚二甲基硅氧烷，
ix)二甲基己烯基甲硅烷氧基-封端的聚二甲基硅氧烷，
x)二甲基己烯基甲硅烷氧基-封端的聚(二甲基硅氧烷/甲基己烯基硅氧烷)，
xi)二甲基己烯基甲硅烷氧基-封端的聚甲基己烯基硅氧烷，
xii)三甲基甲硅烷氧基-封端的聚(二甲基硅氧烷/甲基己烯基硅氧烷)，
xiii)其组合。
制备适合用作成分(A’)的聚二有机硅氧烷流体的方法，如相应的有机卤代硅烷的水解和缩合或环状聚二有机硅氧烷的平衡是本领域熟知的。
除了上面描述的聚二有机硅氧烷之外，成分(A’)还可以包括树脂，如基本上由R8 3SiO1/2单元和SiO4/2单元组成的MQ树脂，基本上由R8SiO3/2单元和R8 2SiO2/2单元组成的TD树脂，基本上由R8 3SiO1/2单元和R8SiO3/2单元组成的MT树脂，基本上由R8 3SiO1/2单元、R8SiO3/2单元和R8 2SiO2/2单元组成的MTD树脂，或其组合。
每个R8是单价有机基团。由R8表示的单价有机基团可以具有1至20个碳原子。单价有机基团的实例包括但不限于单价烃基团和单价卤化烃基团。单价烃基团包括但不限于：烷基如甲基、乙基、丙基、戊基、辛基、十一烷基和十八烷基；环烷基如环己基；烯基如乙烯基、烯丙基、丁烯基和己烯基；炔基如乙炔基、丙炔基和丁炔基；以及芳基如苯基、甲苯基、二甲苯基、苄基和2-苯基乙基。
树脂可以包含平均3至30摩尔百分数的脂肪族不饱和的有机基团。脂肪族不饱和的有机基团可以是烯基、炔基或其组合。树脂中脂肪族不饱和有机基团的摩尔百分数是树脂中含不饱和基团的硅氧烷单元的摩尔数与树脂中硅氧烷单元的总摩尔数的比乘以100。
制备树脂的方法是本领域熟知的。例如，树脂可以通过处理树脂共聚物来制备，树脂共聚物通过Daudt等人的二氧化硅水溶胶封盖方法用至少含烯基的端基封闭试剂来产生。Daudt等人的方法被公开在美国专利2,676,182中。
简洁地说明，Daudt等人的方法包括使二氧化硅水溶胶在酸性条件下与可水解的三有机硅烷如三甲基氯硅烷、硅氧烷如六甲基二硅氧烷或其混合物反应并回收具有M和Q单元的共聚物。产生的共聚物一般包含按重量计百分之2至5的羟基。
通常包含按重量计少于百分之2的硅连接的羟基的树脂，可以通过使Daudt等人的产物与含不饱和的有机基团的端基封闭剂和无脂肪族不饱和的端基封闭剂以足以提供最终产物中3至30摩尔百分数的不饱和的有机基团的量进行反应来制备。端基封闭剂的实例包括但不限于硅氮烷、硅氧烷和硅烷。适合的端基封闭剂是本领域已知的并且在美国专利4,584,355；4,591,622和4,585,836中举例说明。单一的端基封闭剂或这些剂的混合物可以被用于制备树脂。
成分(A’)可以是一种单一基础聚合物或包括在以下性质中的至少一种中不同的两种或更多种基础聚合物的组合：结构、粘度、平均分子量、硅氧烷单元和顺序。
成分(B’)交联剂
氢化硅烷化固化包装中的成分(B’)可以是硅烷或具有平均每分子至少两个硅连接的氢原子的有机氢聚硅氧烷。氢化硅烷化可固化的组合物中的成分(B’)的量取决于包括以下的各种因素：成分(B’)的SiH含量、成分(A’)的不饱和的基团含量和期望的组合物的固化产物的性质，然而，成分(B’)的量可以足以提供在0.3∶1至5∶1的范围内的成分(B’)中SiH基团与成分(A’)中脂肪族不饱和的有机基团的摩尔比(通常称作SiH∶Vi比率)。成分(B’)可以是均聚物或共聚物。成分(B’)可以具有直链、支链、环状或树脂状结构。成分(B’)中硅连接的氢原子可以位于末端、侧链、或末端和侧链两者的位置。
成分(B’)可以包括硅氧烷单元，其包括但不限于：HR9 2SiO1/2、R9 3SiO1/2、HR9SiO2/2、R9 2SiO2/2、R9SiO3/2和SiO4/2单元。在前面的式中，每个R9独立地选自无脂肪族不饱和的单价有机基团。
成分(B’)可以包括下式的化合物：
(IX)R9 3SiO(R9 2SiO)h(R9HSiO)iSiR9 3，
(X)R9 2HSiO(R9 2SiO)j(R9HSiO)kSiR9 2H或其组合。
在上面的式(IX)和(X)中，下标h具有0至2000范围内的平均值，下标i具有2至2000范围内的平均值，下标j具有0至2000范围内的平均值以及下标k具有0至2000范围内的平均值。每个R9独立地是单价有机基团。适合的单价有机基团包括：烷基如甲基、乙基、丙基、戊基、辛基、十一烷基和十八烷基；环烷基如环戊基和环己基；烯基如乙烯基、烯丙基、丁烯基和己烯基；炔基如乙炔基、丙炔基和丁炔基；以及芳基如苯基、甲苯基、二甲苯基、苄基和2-苯基乙基。
成分(B’)例如：
a)二甲基氢甲硅烷氧基-封端的聚二甲基硅氧烷，
b)二甲基氢甲硅烷氧基-封端的聚(二甲基硅氧烷/甲基氢硅氧烷)，
c)二甲基氢甲硅烷氧基-封端的聚甲基氢硅氧烷，
d)三甲基甲硅烷氧基-封端的聚(二甲基硅氧烷/甲基氢硅氧烷)，
e)三甲基甲硅烷氧基-封端的聚甲基氢硅氧烷，
f)基本上由H(CH3)2SiO1/2单元和SiO4/2单元组成的树脂，和g)其组合。
成分(B’)可以是在以下性质中的至少一种中不同的两种或更多种的有机氢聚硅氧烷的组合：结构、平均分子量、粘度、硅氧烷单元和顺序。具有相对低的聚合度(例如，DP在3至50的范围内)的二甲基氢甲硅烷氧基-封端的聚二甲基硅氧烷通常被称为增链剂，并且成分(B’)的一部分可以是增链剂。
制备适合用作成分(B’)的直链、支链和环状有机氢聚硅氧烷的方法，如有机卤代硅烷的水解和缩合，是本领域熟知的。制备适合用作成分(B’)的有机氢聚硅氧烷树脂的方法也是熟知的，如在美国专利5,310,843；4,370,358和4,707,531中举例说明。
成分(C’)氢化硅烷化催化剂
氢化硅烷化可固化的组合物的成分(C’)是氢化硅烷化催化剂。成分(C’)以基于可固化的组合物的重量按重量计可以在0.1ppm至1000ppm，可选地1至500ppm，可选地2至200，可选地5至150ppm的范围的铂族金属的量，被加到氢化硅烷化可固化的组合物。
适合的氢化硅烷化催化剂是本领域已知的并且是商业可获得的。成分(C’)可以包括选自以下的铂族金属：铂、铑、钌、钯、锇或铱金属或其有机金属化合物，或其组合。成分(C’)例如化合物如氯铂酸、氯铂酸六水合物、二氯化铂和所述化合物与微囊密封在基质或核壳(coreshell)型结构中的低分子量有机聚硅氧烷或铂化合物的复合物。铂与低分子量的有机聚硅氧烷的复合物包括1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷与铂的复合物。这些复合物可以被微囊密封在树脂基质中。可选地，催化剂可以包括1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷与铂的复合物。当催化剂是铂与低分子量有机聚硅氧烷的复合物时，催化剂的量可以在基于可固化的硅氧烷组合物的重量的0.04％至0.4％的范围内。
对于成分(C’)适合的氢化硅烷化催化剂描述在，例如美国专利3,159,601；3,220,972；3,296,291；3,419,593；3,516,946；3,814,730；3,989,668；4,784,879；5,036,117和5,175,325以及EP 0 347 895 B中。微囊密封的氢化硅烷化催化剂和制备它们的方法是本领域已知的，如例如在美国专利第4,766,176号和美国专利第5,017,654号中。
过氧化物可固化的组合物
可选地，过氧化物可固化的组合物可以包含：按重量计100份的(A”)基础聚合物，任选地足以固化组合物的量的(B”)交联剂，和足以促进组合物的固化的量的(C”)过氧化物催化剂，其中成分和量被选择为使得组合物的固化的产物可以是硅橡胶。
成分(A’)基础聚合物
过氧化物固化包装的成分(A’)可以包括具有平均每分子至少两个脂肪族不饱和的有机基团的聚二有机硅氧烷，如上面描述为氢化硅烷化固化包装的成分(A’)的聚有机硅氧烷。
任选的成分(B”)交联剂
成分(B”)是交联剂，其可以任选地被加到过氧化物可固化的组合物中，以提高(降低)通过固化这一组合物制备的固化的硅氧烷的压缩变定。过氧化物可固化的组合物中的成分(B”)的量取决于包括以下的各种因素：成分(B”)的SiH含量、成分(A”)的不饱和的基团含量、和期望的组合物的固化产物的性质，然而，成分(B”)的量可以足以提供在0.3∶1至5∶1的范围内的成分(B”)中SiH基团与成分(A”)中脂肪族不饱和的有机基团的摩尔比(通常称作SiH∶Vi比率)。组合物中成分(B”)的量可以在按重量计每100份的成分(A’)0至15份(按重量计)的范围。成分(B”)可以包括聚二有机氢硅氧烷，其具有平均每分子至少两个硅连接的氢原子。成分(B”)例如被描述为氢化硅烷化可固化的组合物中的成分(B’)的聚二有机氢硅氧烷。
成分(C’)催化剂
过氧化物可固化的组合物中的成分(C’)包括过氧化物化合物。加到组合物的成分(C’)的量取决于选作成分(C’)的具体的过氧化物化合物，然而，量可以在按重量计每100份的成分(A’)0.2至5份(按重量计)的范围。适合成分(C’)的过氧化物化合物的实例包括但不限于：2，4-二氯过氧化苯甲酰、过氧化二异丙苯和其组合；以及这些过氧化物与苯甲酸酯化合物如过苯甲酸叔丁酯的混合物。适合的过氧化物可固化的组合物是本领域已知的，并且公开在，例如美国专利4,774,281中。
导热填充剂
成分(D)是导热填充剂。成分(D)可以是导热的且导电的。可选地，成分(D)可以是导热的且电绝缘的。成分(D)可以选自由以下组成的组：氮化铝、氧化铝、三水合铝、钛酸钡、氧化铍、氮化硼、碳纤维、金刚石、石墨、氢氧化镁、氧化镁、金属微粒、缟玛瑙、碳化硅、碳化钨、氧化锌和其组合。成分(D)可以包括金属填充剂、无机填充剂、可熔的填充剂或其组合。金属填充剂包括金属粒子和在粒子表面具有层的金属粒子。这些层可以是，例如，粒子表面的金属氮化物层或金属氧化物层。适合的金属填充剂例如选自由以下组成的组的金属粒子：铝、铜、金、镍、银和其组合，且可选地是铝。适合的金属填充剂还例如在其表面具有选自由以下组成的组的层的上面列出的金属粒子：氮化铝、氧化铝、氧化铜、氧化镍、氧化银和其组合。例如，金属填充剂可以包括在其表面具有氧化铝层的铝粒子。
无机填充剂例如缟玛瑙；三水合铝、金属氧化物如氧化铝、氧化铍、氧化镁和氧化锌；氮化物如氮化铝和氮化硼；碳化物如碳化硅和碳化钨；及其组合。可选地，无机填充剂例如氧化铝、氧化锌及其组合。可熔的填充剂可以包括Bi、Ga、In、Sn或其合金。可熔的填充剂可以还任选地包括Ag、Au、Cd、Cu、Pb、Sb、Zn或其组合。适合的可熔的填充剂的实例包括：Ga、In-Bi-Sn合金、Sn-In-Zn合金、Sn-In-Ag合金、Sn-Ag-Bi合金、Sn-Bi-Cu-Ag合金、Sn-Ag-Cu-Sb合金、Sn-Ag-Cu合金、Sn-Ag合金、Sn-Ag-Cu-Zn合金及其组合。可熔的填充剂可以具有在50℃至250℃，可选地50℃至225℃的范围内的熔点。可熔的填充剂可以是共晶合金、非共晶合金或纯金属。可熔的填充剂是商业上可获得的。
例如，可熔的填充剂可以获自Indium Corporation of America，Utica，N.Y.，U.S.A.；Arconium，Providence，R.I.，U.S.A.；和AIM Solder，Cranston，R.I.，U.S.A。铝填充剂是商业上可获得的，例如，获自Toyal America，Inc.ofNaperville，Illinois，U.S.A.和Valimet Inc.，of Stockton，California，U.S.A。银填充剂在商业上获自Metalor Technologies U.S.A.Corp.of Attleboro，Massachusetts，U.S.A。
导热填充剂是本领域已知的并且是商业上可获得的，参见例如，美国专利6,169,142(第4栏，第7-33行)。例如，CB-A20S和Al-43-Me是不同粒度的氧化铝填充剂，商业上获自Showa-Denko，并且AA-04、AA-2和AA18是商业上获自Sumitomo Chemical Company的氧化铝填充剂。氧化锌，如具有商标
Figure BDA0000089579530000121
和
Figure BDA0000089579530000122
的氧化锌在商业上获自Zinc Corporationof America of Monaca，Pennsylvania，U.S.A。
导热填充剂粒子的形状不受特定的限制，然而，圆形或球形粒子可以在组合物中高度加载导热填充剂之后防止粘度增加至不期望的水平。
成分(D)可以是单一的导热填充剂或在至少一种性质如粒子形状、平均粒度、粒度分布和填充剂类型方面不同的两种或更多种导热填充剂的组合。例如，期望使用无机填充剂的组合，如具有较大的平均粒度的第一氧化铝和具有较小的平均粒度的第二氧化铝。可选地，期望，例如，使用具有较大的平均粒度的氧化铝与具有较小的平均粒度的氧化锌的组合。可选地，可以期望使用金属填充剂的组合，如具有较大的平均粒度的第一铝和具有较小的平均粒度的第二铝。可选地，可以期望使用金属填充剂和无机填充剂的组合，如铝填充剂和氧化铝填充剂的组合；铝填充剂和氧化锌填充剂的组合；或铝填充剂、氧化铝填充剂和氧化锌填充剂的组合。使用具有较大平均粒度的第一填充剂和具有比第一填充剂小的平均粒度的第二填充剂可以改进充填效率，可以减小粘度，并可以增强热量传递。
导热填充剂的平均粒度将取决于各种因素，包括选作成分(D)的导热填充剂的类型和加入到可固化的组合物的准确的量，以及装置的粘合层厚度，其中当固化的产物将被用作TIM时，组合物的固化的产物将被使用。然而，导热填充剂可以具有0.1微米至80微米，可选地0.1微米至50微米和可选地0.1微米至10微米范围内的平均粒度。
组合物中成分(D)的量取决于各种因素，包括为组合物选择的硅氧烷固化机理和选作成分(D)的导热填充剂。然而，成分(D)的量可以在按体积计组合物的30％至80％，可选地50％至75％的范围。不期望受理论束缚，认为：当填充剂的量大于80％时，组合物可以交联以形成固化的硅氧烷，其对于一些应用具有不足的尺寸完整性，并且当填充剂的量小于30％时，对于TIM应用，由组合物制备的固化的硅氧烷可能具有不足的热导率。
有机增塑剂
组合物包含有机增塑剂。不期望受理论束缚，有机增塑剂可以改进由固化组合物制备的固化的硅氧烷的压缩变定性质。增塑剂具有平均每分子至少一个式(I)的基团。
Figure BDA0000089579530000131
其中R表示氢原子或单价有机基团。可选地，R可以表示支链的或直链的单价烃基团。单价有机基团可以是支链的或直链的单价烃基团，如4至15个碳原子可选地9至12个碳原子的烷基。适合的增塑剂可以选自由以下组成的组：己二酸酯、羧酸酯、邻苯二甲酸酯和其组合。
可选地，增塑剂可以具有平均每分子至少两个连接到环状烃中碳原子的式(I)的基团。增塑剂可以具有通式(II)：
Figure BDA0000089579530000141
在式(II)中，基团X表示具有3个或更多个碳原子，可选地3个至15个碳原子的环状烃基团。(下标x可以具有1至12范围内的值。)基团X可以是饱和的或芳族的。每个R”独立地是氢原子或支链的或直链的单价有机基团。对于R”，单价有机基团可以是烷基如甲基、乙基或丁基。可选地，对于R”，单价有机基团可以是酯官能团。每个R1独立地是支链或直链的单价烃基团，如4至15个碳原子的烷基。
式(II)的有机增塑剂的实例可以具有下面列出的式(III)、(IV)、(V)或(VI)。
Figure BDA0000089579530000142
Figure BDA0000089579530000151
在式(III)、(IV)、(V)和(VI)中，R1如上面所描述。式(III)和(IV)表示这样的情形，其中式(III)中的环烷基和式(IV)中的芳基是未被取代的。式(V)和(VI)显示式(V)中的环烷基和式(VI)中的芳基可以用有机基团取代，其中在所示出的式(III)的环烷基中或式(IV)的芳基中，与成员原子连接的氢原子中的一个或多个用R’表示的另一个单价有机基团取代。每个R’可以是烷基如甲基、乙基或丁基。可选地，对于R’，单价有机基团可以是酯官能团。
适合的增塑剂是本领域已知的并且是商业是可获得的。增塑剂可以包括：双(2-乙基己基)对苯二酸酯；双(2-乙基己基)-1，4-苯二甲酸酯；2-乙基己基甲基-1，4-苯二甲酸酯；支链的和直链的1，2环己烷二羧酸二壬酯；双(2-丙基庚基)邻苯二甲酸酯；己二酸二异壬酯；偏苯三酸三辛酯；三乙二醇双(2-乙基己酸酯)；二(2-乙基己基)邻苯二甲酸酯；三醋精；双(2-乙基己基)己二酸酯；邻苯二甲酸二甲酯；邻苯二甲酸二乙酯；邻苯二甲酸二丁酯；二-2-乙基己基己二酸酯；1，2，4-苯三羧酸、三(2-乙基己基)酯；脂肪酸酯及其组合。可选地，增塑剂可以选自由以下组成的组：双(2-乙基己基)对苯二酸酯；双(2-乙基己基)-1，4-苯二甲酸酯；2-乙基己基甲基-1，4-苯二甲酸酯；支链的和直链的1，2环己烷二羧酸二壬酯；双(2-丙基庚基)邻苯二甲酸酯；己二酸二异壬酯；及其组合。适合的增塑剂的实例和它们的商业来源包括下面表1中列出的那些。
加到组合物的增塑剂的量取决于各种因素，包括所选择的增塑剂的类型和组合物的其它成分。增塑剂在组合物中可以是可溶的。增塑剂可以被选择为使得增塑剂不抑制组合物的固化反应。然而，增塑剂的量基于下面描述的基础聚合物和交联剂的组合可以在2wt％至50wt％，可选地3wt％至25wt％的范围内。不期望受理论束缚，认为少于2wt％可能不足以改进通过固化组合物制备的固化的硅氧烷的压缩变定，并且多于50wt％在组合物中可以是不溶的，导致稳定性的丧失或增塑剂渗出通过固化组合物制备的固化的硅氧烷。
表1
Figure BDA0000089579530000161
可选的成分
组合物还可以任选地包括一种或多种另外的成分。另外的成分可以选自由以下组成的组：(F)间隔物，(G)增强填充剂或增容填充剂，(H)填充剂处理剂，(I)粘合增进剂，(J)媒介物，(K)表面活性剂，(L)助熔剂，(M)酸性接受体，(N)稳定剂(例如，氢化硅烷化固化稳定剂、热稳定剂或UV稳定剂)，及其组合。
(F)间隔物
成分(F)是间隔物。间隔物可以包括有机粒子、无机粒子或其组合。间隔物可以是导热的、导电的或两者。间隔物可以具有至少25微米直至125微米的粒度。间隔物可以包括单分散珠，如玻璃或聚合物(例如，聚苯乙烯)珠。间隔物可以包括导热填充剂如氧化铝、氮化铝、雾化的金属粉末、氮化硼、铜和银。成分(F)的量取决于各种因素，包括粒度分布、在可固化的组合物或由其制备的固化的产物的放置过程中施用的压力，和放置过程中的温度。然而，组合物可以包含在0.05％至2％，可选地0.1％至1％的范围内的量的成分(F)。可以加入成分(F)以控制可固化的组合物的固化的产物的粘合层厚度。
(G)填充剂
成分(G)是增强填充剂和/或增容填充剂。组合物中成分(G)的量取决于各种因素，包括选作成分(A)、(B)、(C)、(D)和(E)的材料和组合物的最终用途。然而，成分(G)的量可以在基于组合物的重量的0.1wt％至10wt％的范围内。适合的增强填充剂和增容填充剂是本领域已知的并且例如沉淀二氧化硅和二氧化硅粉、沉淀碳酸钙和重质碳酸钙、石英、滑石、短纤维如短的
Figure BDA0000089579530000171
或其组合。
(H)填充剂处理剂
成分(D)的导热填充剂和成分(G)的增强填充剂和/或增容填充剂和/或成分(F)的间隔物(如果存在的话)可以任选地用成分(H)的处理剂来表面处理。处理剂和处理方法是本领域已知的，参见例如，美国专利6,169,142(第4栏第42行到第5栏第2行)。
成分(H)的量可以不同，这取决于各种因素，包括选作成分(D)和(G)的填充剂的类型和量以及填充剂是在原位还是在与组合物的其它成分混合之前用成分(H)来处理。然而，组合物可以包含0.1％至2％的范围的量的成分(H)。
成分(H)可以包括具有下式的烷氧基硅烷：R10 mSi(OR11)(4-m)，其中下标m是1、2或3；可选地m是3。每个R10独立地是单价有机基团，如1至50个碳原子，可选地6至18个碳原子的烃基团。R10例如烷基如己基、辛基、十二烷基、十四烷基、十六烷基和十八烷基；和芳族基团如苄基、苯基和苯乙基。R10可以是饱和的或不饱和的、支链的或非支链的和未被取代的。R10可以是饱和的、非支链的和未被取代的。
每个R11可以是未被取代的、饱和的1至4个碳原子，可选地1至2个碳原子的烃基团。成分(H)的烷氧基硅烷例如己基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十四烷基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基乙基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷和其组合。
烷氧基官能的低聚硅氧烷也可以被用作处理剂。烷氧基官能的低聚硅氧烷和它们的制备方法是本领域已知的，参见例如，EP 1 101 167 A2。例如，适合的烷氧基官能的低聚硅氧烷包括式(R14O)nSi(OSiR12 2R13)(4-n)的那些。在该式中，下标n是1、2或3，可选地n是3。每个R12可以独立地选自1至10个碳原子的饱和的和不饱和的单价烃基团。每个R13可以是具有至少11个碳原子的饱和的或不饱和的单价烃基团。每个R14可以是烷基。
金属填充剂可以用烷基硫醇如十八烷基硫醇和其它以及脂肪酸如油酸、硬脂酸、钛酸酯、钛酸酯偶联剂、锆酸酯偶联剂和其组合来处理。
氧化铝或钝化的氮化铝的处理剂可以包括烷氧基甲硅烷基官能的烷基甲基聚硅氧烷(例如，R15 oR16 pSi(OR17)(4-o-p)的部分水解缩合物或共水解缩合物或混合物)，或类似的物质，其中可水解的基团可以包括硅氮烷、酰氧基或肟基(oximo)。在所有这些中，连接到Si的基团，如上面式中R15，是长链不饱和的单价烃或单价芳族官能的烃。每个R16独立地是单价烃基团，并且每个R17独立地是1至4个碳原子的单价烃基团。在上面式中，下标o是1、2或3并且下标p是0、1或2，条件是o+p总和是1、2或3。本领域技术人员可优化填充剂的酸分散的具体的处理而不需过多的实验。
(I)粘合增进剂
成分(I)是粘合增进剂。适合的粘合增进剂可以包括式R18 qSi(OR19)(4-q)的烷氧基硅烷，其中下标q是1、2或3，可选地q是3。每个R18独立地是单价有机官能团。R18可以是环氧官能团如缩水甘油氧基丙基或(环氧环己基)乙基，氨基官能团如氨基乙基氨基丙基或氨基丙基、甲基丙烯酰氧基丙基或不饱和的有机基团。每个R19独立地是至少1个碳原子的未被取代的、饱和的烃基团。R19可以具有1至4个碳原子，可选地1至2个碳原子。R19例如甲基、乙基、正丙基和异丙基。
适合的粘合增进剂的实例包括缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷和缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷与铝螯合物或锆螯合物的组合。用于氢化硅烷化可固化的组合物的粘合增进剂的实例可以见于美国专利4,087,585和美国专利5,194,649。可固化的组合物可以包含基于组合物的重量的2％至5％的粘合增进剂。
(J)媒介物
成分(J)是媒介物如溶剂或稀释剂。成分(J)可以在组合物的制备过程中被加入，例如以帮助混合和递送。成分(J)的全部或一部分可以任选地在制备组合物之后被除去。
(K)表面活性剂
成分(K)是表面活性剂。适合的表面活性剂包括硅氧烷聚醚、环氧乙烷聚合物、环氧丙烷聚合物、环氧乙烷和环氧丙烷的共聚物、其它非离子型表面活性剂和其组合。组合物可以包含基于组合物的重量的高达0.05％的表面活性剂。
(L)助熔剂
成分(L)是助熔剂。组合物可以包含基于组合物的重量的高达2％的助熔剂。包含化学活性官能团的分子如羧酸和胺可以被用作助熔剂。这些助熔剂可以包括脂肪酸如琥珀酸、松香酸、油酸和己二酸；芳族酸如苯甲酸；脂族胺和它们的衍生物，如三乙醇胺、胺的盐酸盐和胺的氢溴酸盐。助熔剂是本领域已知的并且是商业是可获得的。
(M)酸性接受体
成分(M)是酸性接受体。适合的酸性接受体包括氧化镁、氧化钙和其组合。组合物可以包含基于组合物的重量的高达2％的成分(M)。
(N)稳定剂
成分(N)是稳定剂。氢化硅烷化可固化的组合物的稳定剂例如炔醇，如甲基丁炔醇、乙炔环己醇、二甲基己炔醇和3，5-二甲基-1-己炔-3-醇、1，1-二甲基-2-丙炔基)氧基)三甲基硅烷、甲基(三(1，1-二甲基-2-丙炔基氧基))硅烷和其组合；环烯基硅氧烷如甲基乙烯基环硅氧烷，例如1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷、1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四己烯基环四硅氧烷和其组合；烯-炔化合物如3-甲基-3-戊烯-1-炔、3，5-二甲基-3-己烯-1-炔；三唑如苯并三唑；膦；硫醇；肼；胺如四甲基乙二胺、延胡索酸二烷基酯、延胡索酸二烯基酯、延胡索酸二烷氧基烷基酯；马来酸酯如马来酸二烯丙酯和其组合。可选地，稳定剂可以包括炔醇。适合的氢化硅烷化固化稳定剂由例如美国专利3,445,420；3,989,667；4,584,361和5,036,117公开。
加到组合物的稳定剂的量将取决于所使用的特定的稳定剂和组合物以及交联剂的量。然而，氢化硅烷化固化稳定剂的量可以基于氢化硅烷化可固化的组合物的重量在0.0025％至0.025％的范围。
本领域技术人员将认识：当为上面描述的组合物选择成分时，在成分的类型之间可能存在重叠，因为本文描述的某些成分具有多于一种功能。例如，某些烷氧基硅烷可以用作填充剂处理剂和用作粘合增进剂，并且某些增塑剂如脂肪酸酯也可以用作填充剂处理剂。本领域技术人员将能够基于各种因素来辨别和选择适合的成分及其量，因素包括组合物的期望的用途和组合物是否将被制备作为一部分或多部分组合物。
组合物的制备方法
组合物可以被配制以形成具有0.2至7W/mK的范围内的热导率的固化的硅氧烷。热阻抗取决于各种因素，包括固化的硅氧烷的厚度和选作成分(D)的填充剂的量和类型。
可以通过包括通过任何便利的手段如在环境温度或高温下混合来组合所有成分的方法制备组合物。当组合物在高温下被制备时，制备过程中的温度低于组合物的固化温度。
当存在成分(H)时，组合物可以任选地通过用成分(H)表面处理成分(D)(和成分(G)，如果存在的话)并在此后混合其产物与组合物的其它成分来制备。
可选地，例如当成分(N)不存在或当组合物将在使用前被储存长的时间段时，组合物可以被制备为多部分组合物。在多部分组合物中，交联剂和催化剂被储存在单独的部分，并且这些部分在组合物的使用之前不久被组合。例如，可以通过任何便利的手段如混合在基础部分中混合包括基础聚合物、催化剂、导热填充剂和增塑剂的成分，以及一种或多种另外的成分来制备两部分可固化的硅氧烷组合物。可以通过任何便利的手段如混合来组合包括交联剂、基础聚合物、导热填充剂和增塑剂的成分，以及一种或多种另外的成分来制备固化剂部分。取决于选择的固化机理，成分可以在室温或高温下被组合。当使用两部分可固化的硅氧烷组合物时，主要成分与固化剂的重量比可以在1∶1至10∶1的范围。本领域技术人员将能够制备可固化的组合物而不需过多的实验。
使用方法
上面描述的组合物可以被用于形成TIM。形成TIM的方法可以包括：
1)沿着热路径在热源和散热器之间插入上面描述的组合物，以及
2)将组合物加热至足以固化组合物的温度，由此形成热界面材料。在步骤1)中，组合物可以被应用到热源(例如，(光)电子元件)并此后应用到散热器，组合物可以被应用到散热器并此后应用到热源，或组合物可以被同时应用到热源和散热器。
可选地，该方法可以包括：
1)固化上面描述的组合物，并且其后
2)沿着热路径在热源和散热器之间插入步骤1)的产物。在步骤2)中，步骤1)的产物可以被应用到热源(例如，(光)电子元件)并此后应用到散热器，组合物可以被应用到散热器并此后应用到热源，或组合物可以被同时应用到热源和散热器。这一方法还任选地包括在步骤1)之前将组合物应用到支撑物的步骤。这一方法的产物是界面材料。
界面材料包括：I)通过固化上面描述的组合物制备的固化的硅氧烷，其中固化的硅氧烷被形成为平的构件、半球形块(hemispherical nubbin)、凸面构件、棱锥体或圆锥体。在步骤1)之前，组合物可以任选地被应用到支撑物的表面。支撑物例如碳纤维筛、金属箔、穿孔的金属箔(筛)、填充的或未填充的塑料膜(如聚酰胺片、聚酰亚胺片、聚萘二甲酸乙二醇酯片、聚对苯二甲酸乙二醇酯聚酯片、聚砜片、聚醚酰亚胺片或聚苯硫醚片)，或纺织或非纺织的基材(如玻璃纤维布、玻璃纤维筛或芳纶纸)。组合物可以被涂布在支撑物的两侧。界面材料还可以包括II)剥离片(releasesheet)，其覆盖固化的硅氧烷的与支撑物相对的表面。
示例性界面材料100的横截面在图1中显示。界面材料100包括支撑物101，其具有在支撑物的相对的表面上的固化的硅氧烷102层。固化的硅氧烷102通过固化上面描述的组合物来制备。剥离衬垫(release liner)103覆盖固化的硅氧烷102的层的暴露的表面。剥离衬垫103在贮存和运输过程中保护表面，并且在界面材料100用于TIM应用之前被除去。
一种包括以下的装置：
a)热源，
b)上面描述的热界面材料，和
c)散热器；
其中热界面材料沿着从热源的表面向散热器的表面延伸的热路径被定位在热源与散热器之间。
图2显示本文描述的示例性装置200的横截面。装置200包括电子元件(显示为集成电路(IC)芯片)103，其通过焊球阵列211和芯片底部填充(chip underfill)209被安装到基材(例如，印刷电路板)204。基材204具有通过垫210与其连接的焊球205。第一界面材料(TIM1)206被插入到IC芯片203与金属盖207之间。金属盖207起散热器的作用。第二界面材料(TIM2)202被插入到金属盖207与散热片201之间。当装置工作时，热量沿着由箭头208表示的热路径移动。
在本文描述的方法和装置中，热源可以包括(光)电子元件如发光二级管(LED)、半导体、晶体管、集成电路或分立的装置。散热器可以包括散热片、导热板、导热盖、电扇、循环冷却剂系统或其组合。
实施例
这些实施例意欲向本领域技术人员说明本发明且不应被解释为限制权利要求中阐明的本发明的范围。以下原材料被用于制备这些实施例中的样品。成分A1)是二甲基乙烯基甲硅烷氧基-封端的聚二甲基硅氧烷，其具有在300至600厘泊(cP)范围内的粘度。成分B1)是通式Me3SiO(MeHSiO)5(Me2SiO)3SiMe3的三甲基甲硅烷氧基封端的聚(二甲基/甲基氢硅氧烷)共聚物，其中Me表示甲基。成分C1)是1.4wt％1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷与铂的复合物、6.6wt％四甲基二乙烯基二硅氧烷和余量的具有在300至600cP的范围内的粘度的二甲基乙烯基甲硅烷氧基-封端的聚二甲基硅氧烷的混合物。成分D1)是以商标名ABW-437从Toyal America，Inc.of Lockport，IL，USA出售的铝粉末。成分D1)用1wt％正辛基三乙氧基硅烷来表面处理。成分D2)是以名称ABY-499也从Toyal America，Inc.出售的铝粉末。成分D2)用1wt％正辛基三乙氧基硅烷来表面处理。成分D3)是以商标名Kadox 911由Zinc Corporation of America出售的氧化锌并用1wt％正辛基三乙氧基硅烷来表面处理。成分D4)是商业上作为AS-400从Showa Denko KK可获得的氧化铝。成分D4)用1wt％正辛基三乙氧基硅烷来表面处理。成分E1)是支链的和直链的1，2环己烷二羧酸二壬酯。成分E2)是邻苯二甲酸双十一烷酯(DUP)。成分F1)是稳定剂，即四甲基四乙烯基环四硅氧烷。
制备实施例1
两部分组合物样品通过将成分A1)加到200克杯中，在牙科用的混合器(dental mixer)上在最高的速度下混合10秒来制备。向这一成分加入75wt％的组合量的成分D1)、D2)和D3)。将产生的混合物以最高速度混合两次，每次持续5秒，在两次混合之间允许冷却时间。这一程序用剩余的量的成分D1)、D2)和D3)的填充剂来重复。用手刮杯的侧边并且将内容物再一次在最高速度混合5秒。将成分F1)加到部分B。将成分E1)作为最后的成分加到部分A。
将产生的混合物在自旋循环混合器(spin cycle mixer)中脱气15分钟并冷却至室温以形成样品的部分A和部分B。如上面所描述组合表1中的成分以制备两部分组合物。
表1-样品1和比较样品2成分
  成分   样品1部分A   样品1部分B   样品2部分A   样品2部分B
  A1   9.1重量份   9.2重量份   9.7重量份   9.8重量份
  B1   0重量份   0.2重量份   0重量份   0.2重量份
  C1   0.3重量份   0重量份   0.3重量份   0重量份
  D1   48.7重量份   48.7重量份   48.7重量份   48.7重量份
  D2   24.4重量份   24.4重量份   24.4重量份   24.4重量份
  D3   16.9重量份   16.9重量份   16.9重量份   16.9重量份
  E1   0.6重量份   0.6重量份   0重量份   0重量份
  F1   0重量份   0.01重量份   0重量份   0.01重量份
在测试之前不久将相等重量的样品1部分A和样品1部分B混合并固化以形成TIM样品1。在测试之前不久将相等重量的样品2部分A和样品2部分B混合并固化以形成无增塑剂的比较的TIM样品2。
实施例1和比较实施例2
使用具有1/2英寸直径的环状探针的物性分析仪(texture analyzer)评估TIM样品1和TIM样品2的可压缩性。将每个样品暴露于不同的载荷，并且根据ASTM标准D575测量样品的厚度变化。结果在表2中。
表2可压缩性结果
 压力(psi)   TIM样品1的％压缩   TIM样品2的％压缩
 10   16   7
 20   20   8
 30   26   12
 40   31   15
 50   35   18
 60   36   21
 70   36   23
 80   36   26
 90   36   28
 100   36   31
本领域技术人员将认识，对于大多数(光)电子装置，工作压力将高达40psi。不期望受理论束缚，认为在超过40psi的压力下运行(光)电子装置将减少该装置的使用寿命。然而，在TIM样品1制剂和TIM样品2制剂中，包含增塑剂的TIM样品1始终具有比不包含增塑剂的比较的TIM样品2更好的压缩。
样品1和2也被测试压缩变定。在100℃2天之后具有25％偏转的载荷下，结果被表达为永久变形(偏转)的百分数。对于样品1，28psi必须被应用以维持25％偏转，持续2天。样品1具有0％压缩变定。对于样品2，79psi必须被应用以在100℃维持25％偏转，持续2天。样品2具有23％的压缩变定。
实施例3和比较实施例4
两部分组合物通过将成分A1)加到Sigmablend混合器来制备。向这一成分加入75wt％的组合量的成分D1)和D4)。将产生的混合物在最高速度混合两次，在两次混合之间允许冷却时间。这一程序用剩余的量的成分D1)和D4)的填充剂来重复。将成分E1)作为最后的成分加到部分A。将成分F1)作为最后的成分加到部分B。用手刮容器的侧边并且将内容物再一次在最高速度下混合5秒。
将产生的混合物在自旋循环混合器中脱气15分钟并冷却至室温以形成样品的部分A和部分B。如上面所描述组合表4中的成分以制备两部分组合物。
表4
  成分   样品3部分A   样品3部分B   样品4部分A   样品4部分B
  A1   170重量份   172重量份   5.3重量份   5.3重量份
  B1   0   3.3重量份   0   0.1重量份
  C1   5.2重量份   0   0.16重量份   0
  D1   378重量份   378重量份   378重量份   378重量份
  D4   3403重量份   3403重量份   3403重量份   3403重量份
  E1   43.8重量份   43.8重量份   0   0
  F1   0   0.15重量份   0   0.005重量份
将部分A和部分B以1∶1的比率混合并在100℃固化0.5小时。如上面描述制备比较的样品4，除了省去增塑剂(成分E1)之外。组合物难以分散并且比较实施例4的组合物的固化产物是硬的和脆的。
实施例5-7和比较实施例8-10
如实施例3和比较实施例4制备样品，除了填充剂的量改变之外。样品5包含90wt％填充剂和10wt％基质。样品6包含92wt％填充剂和8wt％基质。样品7包含94.5wt％填充剂和5.5wt％基质。比较的样品8包含90wt％填充剂和10wt％基质。比较的样品9包含92wt％填充剂和8wt％基质。比较的样品10包含94.5wt％填充剂和5.5wt％基质。根据ASTM标准D2240在Shore 00级别测量硬度。
对于每种样品，将200cc筒填充1∶1比率的部分A和部分B。将筒吹扫，并且组合物分散通过模上的9英寸静态混合器以产生具有1英寸直径的250密耳厚的圆盘。将圆盘固化并根据ASTM标准D2240测试硬度。
表6-平均硬度结果
  ％填充剂   含Hexamol的样品5-7   不含Hexamol的样品8-10   ％改进
  90   62   77   19
  92   65   79   18
  94.5   73   83   12
实施例5-7和比较实施例8-10显示增塑剂降低样品5-7中的每个的硬度。
工业适用性
上面描述的组合物可用于形成TIM，其可以被用于TIM1或TIM2应用。组合物可以沿着装置中的热路径通过分散和固化在适当位置而被插入。可选地，组合物可以被固化以形成形式稳定的界面材料，如垫，并且然后通过挑选和放置方法放入装置。与不含增塑剂的相同的组合物相比，组合物中的有机增塑剂提供改进的(降低的)的压缩变定的益处，允许基材之间沿着热路径的改进的表面接触，并由此改进热量传递。
上面描述的组合物是多用途的并且可以被配制以固化以形成硅氧烷凝胶或更高度交联的硅橡胶。例如，在可固化的组合物中较高的增塑剂加入量和较低的填充剂加入量下，固化的产物可以是一次性凝胶。可选地，在较低的填充剂加入量下，较高的增塑剂加入量不会导致增塑剂的渗出。可选地，组合物的固化的产物可以是硅橡胶，其比凝胶更交联。

Claims (8)

1.一种包括以下的方法：
1）沿着热路径在热源和散热器之间插入组合物，以及
2）将所述组合物加热至足以固化所述组合物的温度，由此形成热界面材料，
其中所述组合物包括：
（A）具有平均每分子至少两个脂肪族不饱和的有机基团的聚有机硅氧烷基础聚合物，
任选地（B）具有平均每分子至少两个硅连接的氢原子的交联剂，
（C）催化剂，其选自氢化硅烷化反应催化剂和过氧化物固化催化剂，
（D）导热填充剂，其中成分（D）包括：氮化铝、氧化铝、三水合铝、钛酸钡、氧化铍、氮化硼、碳纤维、金刚石、石墨、氢氧化镁、氧化镁、金属微粒、缟玛瑙、碳化硅、碳化钨、氧化锌或其组合，和
（E）在成分（A）中可溶的有机增塑剂，其不抑制所述组合物的固化，其中成分（E）具有平均每分子至少一个下式的基团：
Figure FDA0000404079600000011
其中R表示氢原子或单价有机基团。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在步骤1）之前将所述组合物应用到支撑物。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述热源包括电子元件或光电子元件，并且其中所述散热器包括散热片、导热板、导热盖、风扇或循环冷却剂系统。
4.一种包括以下的界面材料：I)通过固化组合物制备的固化的硅氧烷，其中所述固化的硅氧烷被形成为平的构件、半球形块、凸面构件、棱锥体或圆锥体；
其中所述组合物被涂布在支撑物的两侧上，其中所述支撑物包括碳纤维筛、金属箔、穿孔的金属箔、填充的或未填充的塑料膜或纺织的或非纺织的基材；并且
其中所述组合物包括：
（A）具有平均每分子至少两个脂肪族不饱和的有机基团的聚有机硅氧烷基础聚合物，
任选地（B）具有平均每分子至少两个硅连接的氢原子的交联剂，
（C）催化剂，其选自氢化硅烷化反应催化剂和过氧化物固化催化剂，
（D）导热填充剂，其中成分（D）包括：氮化铝、氧化铝、三水合铝、钛酸钡、氧化铍、氮化硼、碳纤维、金刚石、石墨、氢氧化镁、氧化镁、金属微粒、缟玛瑙、碳化硅、碳化钨、氧化锌或其组合，和
（E）在成分（A）中可溶的有机增塑剂，其不抑制所述组合物的固化，其中成分（E）具有平均每分子至少一个下式的基团：
Figure FDA0000404079600000021
其中R表示氢原子或单价有机基团。
5.根据权利要求4所述的界面材料，还包括II)剥离片，其覆盖所述固化的硅氧烷的与所述支撑物相对的表面。
6.一种包括以下的装置：
a)热源，
b)权利要求4所述的界面材料，和
c)散热器；
其中所述界面材料沿着从所述热源的表面向所述散热器的表面延伸的热路径被定位在所述热源与所述散热器之间。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述热源是电子元件或光电子元件。
8.权利要求4所述的界面材料在选自由TIM1、TIM2或两者组成的组的应用中的用途。
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Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100075894A (ko) * 2007-09-11 2010-07-05 다우 코닝 코포레이션 복합재, 복합재를 포함하는 열계면재료, 그리고 이들의 제조방법 및 용도
CN102792101A (zh) * 2009-12-31 2012-11-21 西格里碳素欧洲公司 具有加热或冷却调节器的天花板元件或壁元件
JP5534837B2 (ja) * 2010-01-28 2014-07-02 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物
JP5844252B2 (ja) * 2010-04-02 2016-01-13 株式会社カネカ 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード
US8791185B2 (en) * 2010-06-21 2014-07-29 Basf Se 2-ethylhexyl methyl terephthalate as plasticizer in adhesives and sealants
CN102959031B (zh) * 2010-06-21 2016-02-10 巴斯夫欧洲公司 在粘合剂和密封剂中作为增塑剂的对苯二甲酸2-乙基己基·甲基酯
WO2012067766A2 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 3M Innovative Properties Company Light emitting diode component comprising polysilazane bonding layer
WO2012102852A1 (en) * 2011-01-26 2012-08-02 Dow Corning Corporation High temperature stable thermally conductive materials
CN103430637A (zh) * 2011-03-22 2013-12-04 道康宁公司 Led组件内的热管理
US9012585B2 (en) 2011-07-20 2015-04-21 Dow Corning Corporation Zinc containing complex and condensation reaction catalysts, methods for preparing the catalysts, and compositions containing the catalysts
WO2013036546A2 (en) 2011-09-07 2013-03-14 Dow Corning Corporation Titanium containing complex and condensation reaction catalysts, methods for preparing the catalysts, and compositions containing the catalysts
WO2013036548A2 (en) 2011-09-07 2013-03-14 Dow Corning Corporation Zirconium containing complex and condensation reaction catalysts, methods for preparing the catalysts, and compositions containing the catalysts
WO2013043785A2 (en) 2011-09-20 2013-03-28 Dow Corning Corporation Nickel containing hydrosilylation catalysts and compositions containing the catalysts
JP6117211B2 (ja) 2011-09-20 2017-04-19 ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ルテニウム含有ヒドロシリル化触媒及びこの触媒を含有する組成物
WO2014021908A1 (en) 2011-09-20 2014-02-06 Dow Corning Corporation Iridium containing hydrosilylation catalysts and compositions containing the catalysts
US9139699B2 (en) 2012-10-04 2015-09-22 Dow Corning Corporation Metal containing condensation reaction catalysts, methods for preparing the catalysts, and compositions containing the catalysts
JP6166267B2 (ja) 2011-10-04 2017-07-19 ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 鉄（ｉｉ）含有の錯体及び縮合反応触媒、該触媒を調製する方法、並びに該触媒を含む組成物
CN103958059B (zh) 2011-12-01 2017-04-26 道康宁公司 硅氢加成反应催化剂和可固化组合物及它们的制备和使用方法
JP5998639B2 (ja) * 2012-04-09 2016-09-28 信越化学工業株式会社 高電圧電気絶縁体ポリマー碍子用シリコーンゴム組成物及びポリマー碍子
JP5308564B1 (ja) * 2012-06-22 2013-10-09 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 二剤型の硬化性ポリオルガノシロキサン組成物及びその使用
CN104395406A (zh) * 2012-06-22 2015-03-04 迈图高新材料日本合同公司 双组分型固化性聚有机硅氧烷组合物及其使用
CN103568402A (zh) * 2012-07-22 2014-02-12 上海利隆化工化纤有限公司 带玻纤导热硅胶片及其制备方法
CN103087556B (zh) * 2012-12-31 2014-11-12 东莞市万钧化工新材料科技有限公司 一种导热填料的表面处理方法及应用
US10738206B2 (en) 2013-05-02 2020-08-11 Melior Innovations, Inc. Black ceramic additives, pigments, and formulations
US9481781B2 (en) 2013-05-02 2016-11-01 Melior Innovations, Inc. Black ceramic additives, pigments, and formulations
US11351652B2 (en) * 2013-05-02 2022-06-07 Melior Innovations, Inc. Polysilocarb binders and coatings
CN103408937B (zh) * 2013-07-30 2015-06-03 深圳德邦界面材料有限公司 一种粘性或非粘性的导热界面材料及其制备方法
TW201527474A (zh) * 2013-10-04 2015-07-16 Momentive Performance Mat Jp 硬化性聚有機矽氧烷組成物的硬化物、使用硬化性聚有機矽氧烷組成物的接著體、使用硬化性聚有機矽氧烷組成物之接著體的製造方法，以及其用途
US9935246B2 (en) * 2013-12-30 2018-04-03 Cree, Inc. Silazane-containing materials for light emitting diodes
US10787574B2 (en) 2014-02-28 2020-09-29 Melior Innovations, Inc. Polymer derived ceramic effects particles, uses and methods of making
WO2015131370A1 (en) * 2014-03-06 2015-09-11 Ablestik (Shanghai) Ltd. A single crystal alumina filled die attach paste
FR3029205B1 (fr) 2014-11-27 2018-05-25 Institut Vedecom Encapsulation de composants electroniques dans des materiaux polymeres
US20160168037A1 (en) * 2014-12-10 2016-06-16 Hyundai Motor Company Thermal interface material and method for manufacturing thermal interface material
CN104497574A (zh) * 2014-12-10 2015-04-08 深圳市博恩实业有限公司 多功能有机硅热界面材料
JP6789220B2 (ja) * 2014-12-24 2020-11-25 モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク 熱伝導性プラスチック組成物、熱伝導性プラスチックを製造するための押出装置および方法
JP2018507290A (ja) 2015-02-03 2018-03-15 ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 硬化性シリコーン配合物及び関連する硬化生成物、方法、物品、並びにデバイス
JP6681924B2 (ja) 2015-06-18 2020-04-15 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 熱伝導性エラストマー複合体
US9828539B2 (en) 2015-06-30 2017-11-28 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials with low secant modulus of elasticity and high thermal conductivity
US10692797B2 (en) * 2015-06-30 2020-06-23 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials with low secant modulus of elasticity and high thermal conductivity
US10155896B2 (en) 2015-06-30 2018-12-18 Laird Technologies, Inc. Thermal interface materials with low secant modulus of elasticity and high thermal conductivity
CN109072051B (zh) 2016-03-08 2023-12-26 霍尼韦尔国际公司 相变材料
EP3426716A4 (en) * 2016-03-10 2019-10-23 Melior Innovations Inc. BINDERS AND COATINGS BASED ON POLYSILOCARB
US10190031B2 (en) * 2016-06-06 2019-01-29 Jiali Wu Thermally conductive interface composition and use thereof
US20180030328A1 (en) * 2016-07-26 2018-02-01 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
EP3281994A1 (en) 2016-08-09 2018-02-14 Tianjin Laird Technologies Limited Thermal interface material assemblies and systems and methods for controllably changing surface tack of thermal interface materials
CN107699206A (zh) * 2016-08-09 2018-02-16 天津莱尔德电子材料有限公司 热界面材料组件和可控地改变其表面粘性的系统和方法
SG10201607550RA (en) * 2016-09-09 2018-04-27 3M Innovative Properties Co Thermal Interface Material
CN106747267B (zh) * 2016-12-02 2019-01-08 航天特种材料及工艺技术研究所 一种碳纤维刚性隔热瓦及其制备方法
EP3608384B1 (en) * 2017-06-27 2022-02-09 Sekisui Polymatech Co., Ltd. Heat-conductive sheet
KR20200033274A (ko) 2017-07-24 2020-03-27 다우 도레이 캄파니 리미티드 열전도성 실리콘 겔 조성물 열전도성 부재 및 방열 구조체
WO2019021824A1 (ja) * 2017-07-24 2019-01-31 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーンゲル組成物、熱伝導性部材および放熱構造体
WO2019021826A1 (ja) 2017-07-24 2019-01-31 東レ・ダウコーニング株式会社 多成分硬化型熱伝導性シリコーンゲル組成物、熱伝導性部材および放熱構造体
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
KR102191614B1 (ko) * 2017-09-15 2020-12-15 주식회사 엘지화학 복합재
KR102191615B1 (ko) * 2017-09-22 2020-12-15 주식회사 엘지화학 복합재
EP3688111A4 (en) * 2017-09-29 2021-07-28 Dow Silicones Corporation THERMAL CONDUCTIVE COMPOSITION
US10428256B2 (en) * 2017-10-23 2019-10-01 Honeywell International Inc. Releasable thermal gel
US11014850B2 (en) 2017-10-25 2021-05-25 Melior Innovations, Inc. SiOC ceramic and plastic additives for cements, concretes and structural decorative materials
KR102236924B1 (ko) * 2017-12-04 2021-04-07 주식회사 엘지화학 가소제 조성물 및 이를 포함하는 수지 조성물
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
WO2020000228A1 (en) * 2018-06-27 2020-01-02 Dow Silicones Corporation Thermal gap filler and its application for battery management system
US10923412B2 (en) 2018-08-10 2021-02-16 Cerebras Systems Inc. Apparatuses and methods for implementing a sliding thermal interface between substrates with varying coefficients of thermal expansion
FI3868835T3 (fi) * 2018-10-15 2024-01-31 Denka Company Ltd Kaksipakkauksinen kovettuva koostumussarja, lämpöä johtava kovettunut tuote ja elektroninen laite
CN113166545B (zh) * 2018-12-29 2023-05-23 陶氏环球技术有限责任公司 包含mgo填料的导热组合物以及使用所述组合物的方法和装置
KR102173228B1 (ko) * 2019-01-04 2020-11-03 한국과학기술원 연성 평판 진동형 히트파이프 및 이의 제작 방법
CA3130341A1 (en) * 2019-02-27 2020-09-03 Henkel IP & Holding GmbH Thermal interface materials
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing
TWI745704B (zh) * 2019-06-21 2021-11-11 國立陽明交通大學 氧化鎳晶片、其製備方法及用途
JP2021095569A (ja) * 2019-12-18 2021-06-24 富士高分子工業株式会社 熱伝導性組成物、熱伝導性シート及びその製造方法
CN115279856A (zh) * 2020-03-13 2022-11-01 美国特种电子材料有限责任公司 包含氢氧化镁的热界面材料
CN111423841A (zh) * 2020-04-07 2020-07-17 深圳日高胶带新材料有限公司 一种有机硅高导热阻燃压敏胶及其制备方法
EP4163962A4 (en) * 2020-06-05 2024-01-31 Denka Company Limited TWO-COMPONENT CURABLE THERMOCONDUCTIVE GREASE COMPOSITION, THERMOCONDUCTOR GREASE AND ELECTRONIC DEVICE
KR20230071158A (ko) * 2020-09-23 2023-05-23 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 낮은 분배 점도, 분배 후 낮은 수직 유동 및 경화 후 낮은 열 임피던스를 갖는 열 계면 재료
EP4264731A1 (en) 2020-12-17 2023-10-25 Zephyros Inc. Thermally conductive electrically resistive low density adhesive
CN113115557B (zh) * 2021-02-05 2022-07-26 中山市鼎兴有机硅科技有限公司 一种内嵌导热组的散热硅胶片
US11733154B2 (en) 2021-08-16 2023-08-22 International Business Machines Corporation Thermal interface material detection through compression
TW202417563A (zh) * 2022-10-18 2024-05-01 美商陶氏有機矽公司 基於矽烷改質聚合物之導熱組成物
CN116102890B (zh) * 2023-02-09 2024-08-13 广州回天新材料有限公司 一种有机硅橡胶组合物及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2938007A (en) * 1957-06-17 1960-05-24 Gen Electric Compositions comprising an organopolysiloxane, silica and a dicarboxylic acid ester plasticizer and the heat cured product thereof
TW200400997A (en) * 2002-05-31 2004-01-16 Dow Corning Toray Silicone Thermoconductive curable liquid polymer composition and semiconductor device produced with the use of this composition

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3205283A (en) 1965-09-07 Solventless liquid organopolysiloxane encapsulating compositions
US2676182A (en) 1950-09-13 1954-04-20 Dow Corning Copolymeric siloxanes and methods of preparing them
US3159601A (en) 1962-07-02 1964-12-01 Gen Electric Platinum-olefin complex catalyzed addition of hydrogen- and alkenyl-substituted siloxanes
US3220972A (en) 1962-07-02 1965-11-30 Gen Electric Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst
US3296291A (en) 1962-07-02 1967-01-03 Gen Electric Reaction of silanes with unsaturated olefinic compounds
NL131800C (zh) 1965-05-17
NL129346C (zh) 1966-06-23
US3516946A (en) 1967-09-29 1970-06-23 Gen Electric Platinum catalyst composition for hydrosilation reactions
US3814730A (en) 1970-08-06 1974-06-04 Gen Electric Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes
US3989667A (en) 1974-12-02 1976-11-02 Dow Corning Corporation Olefinic siloxanes as platinum inhibitors
US3989668A (en) 1975-07-14 1976-11-02 Dow Corning Corporation Method of making a silicone elastomer and the elastomer prepared thereby
US4087585A (en) 1977-05-23 1978-05-02 Dow Corning Corporation Self-adhering silicone compositions and preparations thereof
US4370358A (en) 1980-09-22 1983-01-25 General Electric Company Ultraviolet curable silicone adhesives
US4544696A (en) * 1984-10-29 1985-10-01 Sws Silicones Corporation Silicone elastomers having thermally conductive properties
US4584355A (en) 1984-10-29 1986-04-22 Dow Corning Corporation Silicone pressure-sensitive adhesive process and product with improved lap-shear stability-I
US4591622A (en) 1984-10-29 1986-05-27 Dow Corning Corporation Silicone pressure-sensitive adhesive process and product thereof
US4585836A (en) 1984-10-29 1986-04-29 Dow Corning Corporation Silicone pressure-sensitive adhesive process and product with improved lap-shear stability-II
JPS61195129A (ja) 1985-02-22 1986-08-29 Toray Silicone Co Ltd 有機けい素重合体の製造方法
US4584361A (en) 1985-06-03 1986-04-22 Dow Corning Corporation Storage stable, one part polyorganosiloxane compositions
US4766176A (en) 1987-07-20 1988-08-23 Dow Corning Corporation Storage stable heat curable organosiloxane compositions containing microencapsulated platinum-containing catalysts
US4774281A (en) 1987-09-04 1988-09-27 Dow Corning Corporation Low compression set silicone rubber
JPH0214244A (ja) 1988-06-30 1990-01-18 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 加熱硬化性オルガノポリシロキサン組成物
US5036117A (en) 1989-11-03 1991-07-30 Dow Corning Corporation Heat-curable silicone compositions having improved bath life
JP3029680B2 (ja) 1991-01-29 2000-04-04 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 オルガノペンタシロキサンおよびその製造方法
JP2511348B2 (ja) 1991-10-17 1996-06-26 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
US6197859B1 (en) 1993-06-14 2001-03-06 The Bergquist Company Thermally conductive interface pads for electronic devices
JPH10130504A (ja) * 1996-10-29 1998-05-19 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シリコーンゴム組成物
JP3413718B2 (ja) * 1997-05-21 2003-06-09 信越化学工業株式会社 シリコーンゴム組成物の製造方法
US6020387A (en) 1997-09-22 2000-02-01 Caschem, Inc. Low density polymers and methods of making and using same
JP3444199B2 (ja) 1998-06-17 2003-09-08 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物及びその製造方法
DE19832688A1 (de) 1998-07-21 2000-02-03 Heidelberger Bauchemie Gmbh Schnellhärtende Silikonmassen mit guten Hafteigenschaften
DE19832687B4 (de) 1998-07-21 2007-04-26 Compact Technology Gmbh Bausatz zur Herstellung von schnellhärtenden, acetoxysilanvernetzenden Silikonmassen, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
WO2000005652A1 (en) 1998-07-24 2000-02-03 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for achieving deterministic memory allocation response in a computer system
US6399209B1 (en) 1999-04-16 2002-06-04 The Bergquist Company Integrated release films for phase-change interfaces
KR100540583B1 (ko) 1999-07-12 2006-01-10 제일모직주식회사 난연성 열가소성 수지조성물
AU6297200A (en) 1999-07-14 2001-01-30 Fibre Optic Lamp Company Limited Method of, and material for, improving thermal conductivity
FR2809406B1 (fr) 2000-05-29 2006-02-17 Von Roll Isola France S A Materiaux composites flexibles, isolants et thermiquement stables constitues d'un support impregne d'une resine acrylique
JP3580358B2 (ja) 2000-06-23 2004-10-20 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
US6573328B2 (en) 2001-01-03 2003-06-03 Loctite Corporation Low temperature, fast curing silicone compositions
AU2002332422C1 (en) 2001-07-27 2008-03-13 Eikos, Inc. Conformal coatings comprising carbon nanotubes
US20050127329A1 (en) 2001-08-17 2005-06-16 Chyi-Shan Wang Method of forming nanocomposite materials
FR2836922B1 (fr) 2002-03-08 2004-05-21 Commissariat Energie Atomique Compositions de poly(ethynylene phenylene ethynylene silylenes)
US7147367B2 (en) * 2002-06-11 2006-12-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material with low melting alloy
US6791839B2 (en) 2002-06-25 2004-09-14 Dow Corning Corporation Thermal interface materials and methods for their preparation and use
EP1832630A3 (en) * 2003-10-03 2009-08-12 Hempel A/S A tie-coat composition comprising at least two types of functional polysiloxane compounds and a method for using the same for establishing a coating on a substrate
US7452956B2 (en) 2003-10-10 2008-11-18 Dow Corning Corporation Urethane compositions containing carbinol-functional silicone resins
JP4557136B2 (ja) * 2004-05-13 2010-10-06 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物及び成型品
CN1965045B (zh) 2004-06-11 2012-08-29 Lg化学株式会社 包括空心部分的粘合片及其制备方法
CN100500766C (zh) 2004-06-30 2009-06-17 陶氏康宁公司 氟烃弹性体硅氧烷硫化橡胶
DE102004041379A1 (de) 2004-08-26 2006-03-02 Wacker-Chemie Gmbh Vernetzbare Siloxan-Harnstoff-Copolymere
EP1874868B1 (en) * 2005-04-06 2015-05-20 Dow Corning Corporation Organosiloxane compositions
JP5154010B2 (ja) * 2005-10-27 2013-02-27 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物
DE102005057460A1 (de) 2005-12-01 2007-06-06 Wacker Chemie Ag Zu hochfesten Elastomeren vernetzbare ionisch und/oder organometallisch funktionalisierte Siliconpolymere
DE102005061248B4 (de) 2005-12-20 2007-09-20 Infineon Technologies Ag Systemträger mit in Kunststoffmasse einzubettenden Oberflächen, Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers und Verwendung einer Schicht als Haftvermittlerschicht
WO2007086443A1 (ja) * 2006-01-26 2007-08-02 Momentive Performance Materials Japan Llc 放熱材及びそれを用いた半導体装置
US20070228331A1 (en) 2006-03-28 2007-10-04 Haitko Deborah A Q silicone-containing composition, optoelectronic encapsulant thereof and device thereof
US20080001140A1 (en) 2006-06-28 2008-01-03 Gelcore Llc Optoelectronic device
US20080160317A1 (en) 2006-12-29 2008-07-03 Deborah Ann Haitko Optoelectronic device
EP2115065B1 (en) 2007-02-20 2016-05-11 Dow Corning Corporation Filler treating agents based on hydrogen bonding polyorganosiloxanes
JP2008239719A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Dow Corning Toray Co Ltd シリコーンエラストマー組成物およびシリコーンエラストマー
JP5233325B2 (ja) * 2008-02-29 2013-07-10 信越化学工業株式会社 熱伝導性硬化物及びその製造方法
EP2305755B1 (en) * 2008-07-22 2014-11-26 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Resin composition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2938007A (en) * 1957-06-17 1960-05-24 Gen Electric Compositions comprising an organopolysiloxane, silica and a dicarboxylic acid ester plasticizer and the heat cured product thereof
TW200400997A (en) * 2002-05-31 2004-01-16 Dow Corning Toray Silicone Thermoconductive curable liquid polymer composition and semiconductor device produced with the use of this composition

Also Published As

Publication number Publication date
US8440312B2 (en) 2013-05-14
WO2010104534A1 (en) 2010-09-16
EP2406321A1 (en) 2012-01-18
US20110311767A1 (en) 2011-12-22
JP5640021B2 (ja) 2014-12-10
TW201035247A (en) 2010-10-01
KR20110133608A (ko) 2011-12-13
JP2012520375A (ja) 2012-09-06
CN102341459A (zh) 2012-02-01

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