JP3580358B2 - 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱伝導性に優れた熱伝導性シリコーン組成物及びそれを用いた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
プリント配線基板上に実装される電子部品であるCPU等のICパッケージは、使用時の発熱による温度上昇によって性能が低下したり破損したりすることがあるため、従来、ICパッケージと放熱フィン等の間に熱伝導性のよい放熱シートや放熱グリースが用いられている。放熱シートは手軽にマウントできるメリットはあるが、CPUや放熱フィン等の表面は一見平滑に見えてもミクロ的に観れば凹凸があるため、実際はそれらの被着面へ確実に密着ができず、空気層が介在する結果、放熱効果を性能通りに発揮できないデメリットがある。それを解決するために放熱シートの表面に粘着層等を設けて密着性を向上させたものも提案されているが、十分なものではない。放熱グリースはCPUや放熱フィン等の表面の凹凸に影響されることなく、それら被着面に追随、密着できるが、他の部品を汚したり、長時間使用するとオイルの流出等の問題があった。このような理由から、液状シリコーンゴム組成物をポッティング剤や接着剤として用いる方法が提案されている(特開昭61−157569号、特開平8−208993号公報)。しかしながら、これらは、熱伝導性を付与する充填剤含有量が少ないために熱伝導率が不足するし、また硬化後CPU等から受ける熱又は外気中に存在する水分等により、組成物が徐々に硬くなってしまい、柔軟性を失うことからCPU等の基材から剥がれてしまい、その結果経時で熱抵抗が上昇してしまう等の問題点があった。
【0003】
本発明は、上記事情を改善したもので、長時間熱に曝されても柔軟性を失うことがない高い熱伝導率をもつ熱伝導性シリコーン組成物及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、(A)1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンと、(B)1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを含む付加反応硬化型のシリコーン組成物において、上記(B)成分として下記一般式(1)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを特定量用いると共に、アルミニウム粉末と酸化亜鉛粉末とを重量比1〜10:1の割合で併用した充填剤を配合し、かつ下記一般式(2)で示される長鎖アルキル基を有するオルガノシランを配合することにより、充填剤の充填量を増加でき、その結果十分な熱伝導率が得られると共に、長時間熱に曝されても柔軟性を失うことがない熱伝導性シリコーン組成物が得られることを見出した。そして、この組成物の硬化皮膜を半導体素子と放熱体との間に介在させること、プリント配線基板上に実装したICパッケージと、そのICパッケージの表面に設けられた放熱体とを備えているICパッケージの放熱装置において、CPU等のICパッケージの表面と放熱体との間にこの熱伝導性シリコーン組成物の硬化皮膜を25〜100μmの厚さで流し込み、熱により硬化させて介在させることにより、優れた放熱性を与えることを知見し、本発明をなすに至ったものである。
【0005】
従って、本発明は、
(A)1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン 100重量部
(B)1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有する下記一般式(1)
【化2】
(式中、R1は炭素数1〜6のアルキル基、n,mは0.01≦n/(n+m)≦0.3を満足する整数である。)
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン:(B)成分のSi−H基の個数と、(A)成分のアルケニル基の個数の比{Si−H基の個数}/{アルケニル基の個数}が0.8〜1.5となる量、
(C)アルミニウム粉末と酸化亜鉛粉末とを重量比としてアルミニウム粉末/酸化亜鉛粉末=1〜10の割合で併用してなる充填剤
800〜1,200重量部
(D)下記一般式(2)で示されるオルガノシラン 0.01〜10重量部
R2 aR3 bSi(OR4)4-a-b (2)
(式中、R2は炭素数9〜15のアルキル基、R3は炭素数1〜8の1価炭化水素基、R4は炭素数1〜6のアルキル基であり、aは1〜3の整数、bは0〜2の整数、a+bは1〜3の整数である。)
(E)白金及び白金化合物からなる群より選択される、白金原子として(A)成分の0.1〜500ppmとなる配合量の触媒
(F)反応制御剤 0.01〜1重量部
を必須成分とすることを特徴とする熱伝導性シリコーン組成物を提供する。また、本発明は、半導体素子と放熱体との間に熱伝導性シリコーン組成物の硬化皮膜を25〜100μmの厚さで設置してなる半導体装置、更には、プリント配線基板上に実装したICパッケージと、そのICパッケージの表面に設けられた放熱体とを備えているICパッケージの放熱装置であって、前記ICパッケージの表面と放熱体との間に上記熱伝導性シリコーン組成物の硬化皮膜を25〜100μmの厚さで介在させてなることを特徴とするICパッケージの半導体装置を提供する。
【0006】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物を構成する(A)成分のオルガノポリシロキサンは、ケイ素原子に直結したアルケニル基を1分子中に少なくとも2個有するもので、直鎖状でも分岐状でもよく、また2種以上の異なる粘度の混合物でもよい。このオルガノポリシロキサンとしては、下記平均組成式(3)で示されるものを使用することができる。
R5 cSiO(4−c)/2 (3)
(式中、R5は互いに同一又は異種の炭素数1〜18、好ましくは1〜3の非置換又は置換の1価炭化水素基であり、cは1.5〜2.8、好ましくは1.8〜2.5、より好ましくは1.95〜2.05の範囲の正数である。)
【0007】
上記R5で示されるケイ素原子に結合した非置換又は置換の1価炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、2−フェニルプロピル基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、1−ブテニル基、1−ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基や、これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、3,3,3−トリフロロプロピル基、シアノエチル基等が挙げられる。
【0008】
この場合、R5のうち少なくとも2個はアルケニル基(特に炭素数2〜8のものが好ましく、更に好ましくは2〜6である)であることが必要である。なお、アルケニル基の含有量は、ケイ素原子に結合する全有機基中(即ち、上記式(3)におけるR5としての非置換又は置換の1価炭化水素基中)0.001〜20モル%、特に0.01〜10モル%とすることが好ましい。このアルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよいが、組成物の硬化速度、硬化物の物性等の点から、本発明で用いるオルガノポリシロキサンは、少なくとも分子鎖末端のケイ素原子に結合したアルケニル基を含んだものであることが好ましい。
【0009】
上記(A)成分のオルガノポリシロキサンの25℃における粘度は、10mm2/sより低いと組成物の保存安定性が悪くなるし、100,000mm2/sより大きくなると得られる組成物の伸展性が悪くなるため、10〜100,000mm2/sの範囲、好ましくは100〜50,000mm2/sがよい。
【0010】
また、(B)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、1分子中に少なくとも2個、好ましくは3個以上のケイ素原子結合水素原子(Si−H基)を有するもので、下記一般式(1)で示される直鎖状で、Si−H基を側鎖に有するものを使用する。
【0011】
【化3】
(式中、R1は炭素数1〜6のアルキル基、n,mは0.01≦n/(n+m)≦0.3を満足する整数である。)
【0012】
ここで、R1としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等から選択されるアルキル基で、これらのうち合成のし易さ、コストの面からメチル基が好ましい。また、式(1)のオルガノハイドロジェンポリシロキサンのn/(n+m)は、0.01より小さいと架橋により組成を網状化できないし、0.3より大きいと初期硬化後の未反応のSi−H基の存在が多くなり、水分などにより余剰の架橋反応が経時で進んでしまい、組成物の柔軟性が失われるため、0.01〜0.3の範囲、好ましくは0.05〜0.2がよい。なお、n+mは特に制限されないが5〜500、特に10〜300程度とする。
【0013】
(B)成分の配合量は、(A)成分中のアルケニル基の数に対し、(B)成分中のSi−H基の数、即ち{Si−H基の個数}/{(A)成分のアルケニル基の個数}が0.8より小さいと十分な網状構造をとれず硬化後の必要な硬さが得られず、1.5より大きいと未反応のSi−H基が水分などにより余剰の架橋反応を起こし硬くなり、組成物の柔軟性が失われるため、0.8〜1.5の範囲がよい。好ましくは0.9〜1.3である。なお、(B)成分は、(A)成分100部(重量部、以下同じ)に対し、通常0.1〜50部、特に0.5〜30部の範囲で配合することができる。
【0014】
本発明の(C)成分の充填剤は、本発明の組成物に熱伝導性を付与するためのものであり、アルミニウム粉末と酸化亜鉛粉末とを併用したものである。この場合、アルミニウム粉末の平均粒径は、0.1μmより小さいと得られる組成物の粘度が高くなりすぎ、伸展性の乏しいものとなるおそれがあり、50μmより大きいと得られる組成物が不均一となるおそれがあるため、0.1〜50μmの範囲、好ましくは1〜20μmがよい。酸化亜鉛粉末の平均粒径は、0.1μmより小さいと得られる組成物の粘度が高くなりすぎ、伸展性の乏しいものとなるおそれがあり、5μmより大きいと得られる組成物が不均一となるおそれがあるため、0.1〜5μmの範囲、好ましくは1〜4μmがよい。また、アルミニウム粉末、酸化亜鉛粉末の形状は、球状、不定形状いずれでもよい。
【0015】
これら鉱物の熱伝導率は、アルミニウム粉末、酸化亜鉛粉末はそれぞれ約237W/mK、約20W/mKとアルミニウム粉末単独の方が高い熱伝導率を得るためには有利であるが、アルミニウム粉末単独であると、得られる組成物の安定性が悪くなり、オイル分離等が起こり易くなる。種々検討した結果、酸化亜鉛粉末と混合することでオイル分離を防ぐことができることを見出した。その割合は、重量比でアルミニウム粉末/酸化亜鉛粉末が1より小さくなると得られる組成物の熱伝導率の乏しいものとなるし、10より大きいと経時でのオイル分離が激しくなるので1〜10の範囲、好ましくは2〜8がよい。
【0016】
これらアルミニウム粉末と酸化亜鉛粉末との混合物の配合量は、(A)成分100部に対し800部より少ないと得られる組成物の熱伝導率が乏しいものとなるし、1,200部より多いと伸展性の乏しいものとなるため、800〜1,200部の範囲、好ましくは850〜1,150部がよい。
【0017】
本発明の(D)成分は、下記一般式(2)
R2 aR3 bSi(OR4)4−a−b (2)
(式中、R2は炭素数9〜15のアルキル基、R3は炭素数1〜8の1価炭化水素基、R4は炭素数1〜6のアルキル基であり、aは1〜3の整数、bは0〜2の整数、a+bは1〜3の整数である。)
で示されるオルガノシランである。
【0018】
これは、ウエッターとして用いられるものであり、上記(A)成分は充填剤との濡れ性が悪く、ウエッターを添加して混合しないと十分な充填量が得られない。そこで種々検討した結果、上記一般式(2)のオルガノシランを添加することで、著しく充填剤の充填量を上げられることを見出したものである。
【0019】
ここで、式(2)において、R2は炭素数9〜15のアルキル基であり、例えばノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基等が挙げられる。炭素数が9より小さいと充填剤との濡れ性が十分でなく、15より大きいとオルガノシランが常温で固化するので取り扱いが不便な上、得られた組成物の低温特性が低下する。また、aは1,2又は3であるが、特に1であることが好ましい。上記式(2)中のR3は炭素数1〜8の飽和又は不飽和の1価炭化水素基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、2−フェニルエチル基等のアラルキル基、3,3,3−トリフロロプロピル基、2−(パーフロロブチル)エチル基、p−クロロフェニル基等のハロゲン化炭化水素基が挙げられるが、特にメチル基、エチル基が好ましい。R4はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数1〜6のアルキル基であり、特にメチル基、エチル基が好ましい。
【0020】
上記一般式(2)で表されるオルガノシランの具体例としては、下記のものを挙げることができる。
C10H21Si(OCH3)3、
C12H25Si(OCH3)3、
C10H21Si(CH3)(OCH3)2、
C10H21Si(C6H5)(OCH3)2、
C10H21Si(CH3)(OC2H5)2、
C10H21Si(CH=CH2)(OCH3)2、
C10H21Si(CH2CH2CF3)(OCH3)2
【0021】
このオルガノシランの配合量は、(A)成分100部に対し、0.01部より少ないと濡れ性の乏しいものとなるし、10部より多く配合しても効果が増大することがなく不経済であるので、0.01〜10部の範囲がよく、より好ましくは0.1〜5部である。
【0022】
(E)成分の白金及び白金化合物から選ばれる触媒は、(A)成分のアルケニル基と(B)成分のSi−H基との間の付加反応の促進成分である。この(E)成分は、例えば白金の単体、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−アルコール錯体、白金配位化合物などが挙げられる。(E)成分の配合量は、(A)成分100部に対し、白金原子として0.1ppmより少ないと触媒としての効果がなく、500ppmより多く配合しても、特に硬化速度の向上は期待できないため0.1〜500ppmの範囲がよい。
【0023】
(F)成分の反応制御剤は、室温でのヒドロシリル化反応の進行を抑え、シェルフライフ、ポットライフを延長させるものである。(F)成分の反応制御剤としては公知のものを使用することができ、アセチレン化合物、各種窒素化合物、有機りん化合物、オキシム化合物、有機クロロ化合物等が利用できる。(F)成分の配合量は(A)成分100部に対し、0.01部より少ないと十分なシェルフライフ、ポットライフが得られず、1部より多いと硬化性が低下するため、0.01〜1部の範囲がよい。
【0024】
また、本発明の熱伝導性シリコーン組成物には上記した(A)〜(F)成分以外に、必要に応じて、CPUなどのICパッケージとヒートシンク等の放熱体とを化学的に接着、固定するために接着助剤等を添加してもよいし、劣化を防ぐために酸化防止剤等を添加してもよい。
【0025】
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、上記(A)〜(F)成分、その他の任意成分を混合し、一液付加タイプとして長期低温保存できる。
【0026】
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、半導体素子と放熱体との間に介在させて、半導体素子からの発熱を放熱体に伝熱させるための伝熱体等として好適に用いられる。この組成物をこのような伝熱体、その他の用途に用いる場合、その硬化条件は適宜調整することができるが、例えば60〜200℃で5〜120分程度とすることができる。
【0027】
本発明の半導体装置は、上記熱伝導性シリコーン組成物の硬化皮膜を半導体素子と放熱体との間に介在させたものであり、またプリント配線基板上に実装したICパッケージとそのICパッケージの表面に設けられた放熱体とを備えたICパッケージの放熱装置において、上記ICパッケージの表面と放熱体との間に上記熱伝導性シリコーン組成物の硬化皮膜を介在させたものである。
【0028】
本発明の半導体装置組み立て時には、この熱伝導性シリコーン組成物は市販されているシリンジに詰めてCPU等のICパッケージ表面上にディスペンスされる。このため、粘度が100Pa・sより低いとディスペンス時に液垂れを起こしてしまうおそれがあるし、1,000Pa・sより高いとディスペンス効率が悪くなるおそれがあるため、100〜1,000Pa・sの範囲で使用することが好ましく、より好ましくは200〜400Pa・sがよい。
【0029】
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、放熱体とプリント配線基板をクランプ等で締め付けることにより、ICパッケージと放熱体の間に固定、押圧されるが、その時のICパッケージと放熱体の間に挟み込まれる熱伝導性シリコーン組成物の厚さは、25μmより小さいとその押圧の僅かなずれによりICパッケージと放熱体の間に隙間が生じてしまうおそれがあり、100μmより大きいとその厚みのため熱抵抗が大きくなり放熱効果が悪くなるおそれがあることから、25〜100μmの範囲、好ましくは25〜50μmがよい。
【0030】
ディスペンスされた後、ICパッケージからの発熱によって硬化し、硬化後はこの組成物はタック性を有するのでずれたり、また経時においても安定した柔軟性を持つことから基材から剥がれたりすることはない。また、ディスペンス後、積極的に加熱硬化させてもよい。
【0031】
上記の構成によれば、ICパッケージと放熱体との間に介在させる熱伝導性シリコーン組成物がペースト状で伸展性があるためにその上から放熱体を圧接固定すると、ICパッケージ及び放熱体の表面に凹凸が存在する場合でもその隙間を押圧により熱伝導性シリコーン組成物で均一に埋めることができる。また、ICパッケージによる発熱等により硬化密着し、また経時においても柔軟性が失われることがないため剥がれたりすることなく、放熱効果を確実に発揮することができ、電子部品全体の信頼性を向上させることができる。
【0032】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【0033】
[実施例、比較例]
まず、以下の成分を用意した。
(A)成分
A−1:両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖され、25℃における粘度が600mm2/sのジメチルポリシロキサン
A−2:両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖され、25℃における粘度が30,000mm2/sのジメチルポリシロキサン
【0034】
(B)成分
下記式B−1〜B−4で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン
【化4】
【0035】
(C)成分
下記のアルミニウム粉末と酸化亜鉛粉末を、5リットルプラネタリーミキサー(井上製作所(株)製)を用いて、表1に示す混合比で室温にて15分間混合し、C−1〜C−6を得た。
平均粒径4.9μmのアルミニウム粉末
平均粒径15.0μmのアルミニウム粉末
平均粒径1.0μmの酸化亜鉛粉末
【0036】
【表1】
【0037】
(D)成分
下記に示すD−1〜D−7のオルガノシラン
D−1:C10H21Si(OCH3)3
D−2:C12H25Si(OCH3)3
D−3:C14H29Si(OCH3)3
【化5】
D−5:CH3Si(OCH3)3(比較用)
D−6:C6H13Si(OCH3)3(比較用)
D−7:C8H17Si(OCH3)3(比較用)
【0038】
(E)成分
E−1:白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のA−1溶液、白金原子として1%含有
(F)成分
F−1:1−エチニル−1−シクロヘキサノール
【0039】
上記(A)〜(F)成分を以下のように混合して、実施例1〜7及び比較例1〜11の熱伝導性シリコーン組成物を得た。即ち、5リットルプラネタリーミキサー(井上製作所(株)製)に(A)成分を取り、表2,3に示す配合量で(C)、(D)成分を加え、70℃で1時間混合した。常温になるまで冷却し、次に(B)、(E)、(F)成分を表2,3に示す配合量で加えて、均一になるように混合した。
【0040】
得られた組成物について、下記方法でその特性を評価した。結果を表2,3に示す。
(1)粘度:回転粘度計にて測定(25℃)
(2)熱伝導率:各組成物を6mm厚の型に流し込み、120℃で1時間加熱して、厚み6mmのシート状のゴム成形物を成形したのち、25℃に戻した。これを4枚重ねて計24mm厚のブロック片を作った。このブロック片を京都電子工業(株)製のModel QTM−500で測定した。
(3)保存安定性:各組成物を−5℃に保存し、1ケ月後の外観を目視観察した。
○:分離なし
×:オイル浮き多い
(4)硬度測定:JIS K6253(JIS−A硬度)に準じて、組成物の経時での柔軟性を硬度を測定することで評価した。6mm厚の型に流し込み、120℃で1時間加熱して、厚み6mmのシート状のゴム成形物を成形したのち、25℃に戻し、初期硬度を測定した。その後、温度130℃、湿度100%、2気圧の条件下に100時間放置後、25℃に戻し、再び硬度を測定した。
【0041】
【表2】
* 130℃/100%湿度/2気圧/100時間後
【0042】
【表3】
* 130℃/100%湿度/2気圧/100時間後
** ペースト状にならず
【0043】
次に、上記実施例の熱伝導性シリコーン組成物を半導体装置に適用した例を示す。図1は本発明に係るICパッケージの半導体装置の一実施例の縦断面図である。
【0044】
図1に示すように、本半導体装置は、プリント配線基板3の上に実装されたCPU2と、CPU2の上に配設された放熱体4と、これらCPU2と放熱体4との間に介在されている熱伝導性シリコーン組成物の硬化皮膜1により構成されている。ここで、放熱体4はアルミニウムによって形成され、表面積を広くとって放熱作用を向上させるためにフィン付き構造となっている。また、放熱体4とプリント配線基板3はクランプ5で締め付け固定することにより押圧されている。
【0045】
半導体装置には2cm×2cmの平面上に0.2gの上記実施例の放熱用シリコーン組成物を挟み込んだ。このときの熱伝導性シリコーン組成物硬化皮膜の厚みは45μmであった。
【0046】
以上の構成を有するICパッケージの放熱装置を、ホストコンピュータ、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ等に使用される発熱温度が150℃レベルのCPUに適用したところ、安定した放熱と熱拡散とが可能となり、蓄熱によるCPUの性能低下や破損を防止することができた。
【0047】
【発明の効果】
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、長時間熱に曝されても柔軟性を失うことがなく、高い熱伝導率を有しているものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る半導体装置の縦断面図である。
【符号の説明】
1 熱伝導性シリコーン組成物の硬化皮膜
2 セントラル・プロセッシング・ユニット(CPU)等のICパッケージ
3 プリント配線基板
4 放熱体
5 クランプ
Claims (7)
- (A)1分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン 100重量部
(B)1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有する下記一般式(1)
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン:(B)成分のSi−H基の個数と、(A)成分のアルケニル基の個数の比{Si−H基の個数}/{アルケニル基の個数}が0.8〜1.5となる量、
(C)アルミニウム粉末と酸化亜鉛粉末とを重量比としてアルミニウム粉末/酸化亜鉛粉末=1〜10の割合で併用してなる充填剤
800〜1,200重量部
(D)下記一般式(2)で示されるオルガノシラン 0.01〜10重量部
R2 aR3 bSi(OR4)4-a-b (2)
(式中、R2は炭素数9〜15のアルキル基、R3は炭素数1〜8の1価炭化水素基、R4は炭素数1〜6のアルキル基であり、aは1〜3の整数、bは0〜2の整数、a+bは1〜3の整数である。)
(E)白金及び白金化合物からなる群より選択される、白金原子として(A)成分の0.1〜500ppmとなる配合量の触媒
(F)反応制御剤 0.01〜1重量部
を必須成分とすることを特徴とする熱伝導性シリコーン組成物。 - (A)成分の粘度が25℃で10〜100,000mm2/sである請求項1記載の組成物。
- (C)成分が平均粒径0.1〜50μmのアルミニウム粉末と平均粒径0.1〜5μmの酸化亜鉛粉末とを混合してなる充填剤である請求項1又は2記載の組成物。
- (F)成分がアセチレン化合物、窒素化合物、有機りん化合物、オキシム化合物、及び有機クロロ化合物より選択される反応制御剤である請求項1乃至3のいずれか1項記載の組成物。
- 粘度が25℃において100〜1,000Pa・sである請求項1乃至4のいずれか1項記載の組成物。
- 半導体素子と放熱体との間に請求項1乃至5のいずれか1項に記載された熱伝導性シリコーン組成物の硬化皮膜を25〜100μmの厚さで設置してなることを特徴とする半導体装置。
- プリント配線基板上に実装したICパッケージと、そのICパッケージの表面に設けられた放熱体とを備えているICパッケージの放熱装置であって、前記ICパッケージの表面と放熱体との間に請求項1乃至5のいずれか1項に記載の熱伝導性シリコーン組成物の硬化皮膜を25〜100μmの厚さで介在させてなることを特徴とするICパッケージの半導体装置。
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