CN102111117A

CN102111117A - 压电振子

Info

Publication number: CN102111117A
Application number: CN2010105230266A
Authority: CN
Inventors: 山下刚; 小峰贤二; 村上资郎
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2009-10-27
Filing date: 2010-10-26
Publication date: 2011-06-29
Anticipated expiration: 2030-10-26
Also published as: US20130307377A1; CN102111117B; CN104124937A; US8638022B2; US20110095657A1; JP5471303B2; US8536761B2; JP2011097183A

Abstract

本发明的目的在于提供压电振子，其生产性优异，即使在比以往增大台面部的蚀刻量的情况下，也不会使CI值发生劣化。用于达到该目的压电振子的特征在于具备如下压电振动片(12)：在设压电板的长边尺寸为X、厚壁部(14)的厚度尺寸为t、厚壁部(14)的长边尺寸为Mx、激励电极(22)的长边尺寸为Ex、弯曲振动波长为λ时，满足以下关系：λ/2＝(1.332/f)-0.0024、(Mx-Ex)/2＝λ/2、Mx/2＝[(l/2)+(1/4)]λ、X≥20t，其中f是压电振子的谐振频率，l是1、2、3、...中的任意一个；凸部(18)的尺寸Dx和从厚壁部(14)到凸部(18)的尺寸Sx分别满足如下关系：Dx＝(λ/2)×m、Sx＝(λ/2)×n±0.1λ，其中m是1、2、3、...中的任意一个，n是1、2、3、...中的任意一个。

Description

压电振子

技术领域

本发明涉及压电振子，特别涉及安装振动部的厚度尺寸比周边部大的台面型压电振动片的压电振子。

背景技术

根据符合斜面(bevel)型或凸面(convex)型压电振动片的标准的方式，作为能够将振动能量封闭在内、并且生产性优异的压电振动片的方式，公知有台面型的压电振动片。

但是，对于振动部与周边部之间的边界具有阶梯的台面型压电振动片而言，有时会由于该阶梯的影响而导致作为不必要振动的弯曲振动等的寄生振动增大。在这样的背景下，在专利文献1中公开了这样的技术：通过对振动部与周边部间形成的阶梯部的位置进行优化，来抑制寄生(spurious)。

另外，在专利文献2中公开了下述技术：除了阶梯部的位置以外，还对阶梯部的大小(深度)进行优化来抑制寄生、实现CI值的降低。而且，在专利文献3中记载了下述内容：使激励电极的形成位置扩展至薄壁的周边部，将激励电极的端部固定在不必要振动的波腹的位置，由此来提高寄生的抑制效果。

这样，关于采用台面型压电振动片的压电振子，在利用与弯曲振动的位移之间的关系对台面即厚壁部的端缘部分的位置、激励电极的端缘部分的位置进行优化、由此来抑制弯曲振动的方面，已经提出了各种方案。

但是，如在专利文献2中公开的那样，厚壁部的蚀刻量(diggingquantity)的比例越大，越能够降低CI值，但当蚀刻量的比例超过一定范围后，CI值不再发生变化，有时会产生CI值增大(劣化)的现象。对于这样的现象，在专利文献4中公开下述内容：通过将台面部形成为多级，来确保蚀刻量(阶梯部的深陷)并降低CI值。

专利文献1：日本特开2006-340023号公报

专利文献2：日本特开2008-263387号公报

专利文献3：日本特开2008-306594号公报

专利文献4：日本特开平10-308645号公报

如上述专利文献所示，在台面型构造中，能够通过指定其阶梯部的位置来抑制不必要的波。另外，虽然阶梯部的蚀刻量的比例越大，越能够降低主振动的CI值，但是，当蚀刻量的比例超过一定值时，会产生CI值劣化即CI值增大的现象，在考虑到生产误差等的情况下，实际上无法将蚀刻量增大到极限值。

另外，在为了增大相对蚀刻量而将台面部形成为多级的专利文献4公开的结构中，虽然能够实现CI值的降低，但下述情况令人担心，即：用于形成多级台面部的光学工序(photo process)增加，因而导致生产性极端恶化。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种压电振子，其生产性优异，与以往相比，即使在进一步增大台面部的蚀刻量的情况下也不会产生CI值的劣化。

本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，可作为如下方式或应用例来实现。

(应用例1)一种压电振子，该压电振子具有：压电板，其以厚度切变振动为主振动，且具有振动部，该振动部被周边部包围，且厚度尺寸比该周边部大；以及配置在所述压电板的主面上的激励电极，该压电振子的特征在于，所述振动部的长边和所述激励电极的长边均与所述压电板的长边平行，在设所述压电板的长边尺寸为X、所述振动部的厚度尺寸为t、所述振动部的长边尺寸为Mx、所述激励电极的长边尺寸为Ex、在所述压电板的长度方向上产生的弯曲振动的波长为λ时，满足以下关系：

λ/2＝(1.332/f)-0.0024

(Mx-Ex)/2＝λ/2

Mx/2＝[(l/2)+(1/4)]λ

X≥20t

其中，f是压电振子的谐振频率，l是1、2、3、…中的任意一个，该压电振子具有凸部，该凸部与所述振动部的短边方向平行地配置在所述振动部的长度方向的延长线上，在将所述凸部在所述主振动的位移方向上的尺寸设为Dx时，满足如下关系：

Dx＝(λ/2)×m

其中，m是1、2、3、…中的任意一个，在将所述振动部与所述凸部之间的尺寸设为Sx时，满足如下关系：

Sx＝(λ/2)×n±0.1λ

其中，n是1、2、3、…中的任意一个。

根据具有这种特征的压电振子，生产性优异，与以往相比，即使在进一步增大台面部的蚀刻量的情况下，也不会产生CI值的劣化。

(应用例2)根据应用例1所述的压电振子，其特征在于，所述激励电极从所述振动部的主面延伸设置到位于所述振动部与所述凸部之间的所述周边部，所述振动部与延伸设置到所述周边部的激励电极的端缘部分之间的距离L1满足如下关系：

L1＝(λ/2)×p

其中，p是1、2、3、…中的任意一个。

具有这种特征的压电振子也能够获得与具有上述特征的压电振子相同的效果。

(应用例3)根据应用例1或2所述的压电振子，其特征在于，所述压电板为石英板，所述振动部与周边部之间的阶梯部以及所述周边部与所述凸部之间的阶梯部具有倾斜面，所述振动部的尺寸、从所述振动部到所述凸部的尺寸、以及所述凸部的尺寸分别是以所述倾斜面的中心为基准而确定的。

根据具有这种特征的压电振子，即使在通过湿法蚀刻来形成压电振动片的情况下，也能够得到用于确定尺寸的基准。

(应用例4)根据应用例1～3中任意一例所述的压电振子，其特征在于，所述凸部仅设置在所述振动部的长度方向侧的任意一方的端部侧。

即使在安装了具有这种特征的压电振动片的情况下，也能够获得与具有上述特征的压电振子相同的效果。

(应用例5)根据应用例1～4中任意一例所述的压电振子，其特征在于，所述凸部的短边尺寸与所述振动部的短边尺寸一致。

通过具有这样的特征，能够抑制至少在振动部的范围内产生的弯曲振动。

(应用例6)根据应用例1～5中任意一例所述的压电振子，其特征在于，以所述周边部为基准的、所述振动部的高度与所述凸部的高度相同。

通过具有这样的特征，能够通过一次的蚀刻工序来形成凸部的和振动部。因此，能够提高压电振动片的生产性，还能够提高压电振子自身的生产性。

附图说明

图1是示出第1实施方式的压电振子的结构的图。

图2是定义第1实施方式的压电振动片中的各部分尺寸的图。

图3是示出压电振动片的各部分与弯曲振动的位移之间关系的图。

图4是示出台面蚀刻量的比例的变化与CI值的变化之间的关系的曲线图。

图5是用于说明随着振动部与凸部之间的尺寸的变化，CI值发生的劣化及其容许范围的图。

图6是示出第2实施方式的压电振子的结构的图。

图7是定义第2实施方式的压电振动片中的各部分尺寸的图。

图8是示出用于证明第2实施方式的压电振子的效果的仿真的曲线图。

图9是示出第3实施方式的压电振子的结构的图。

图10是示出用于证明第3实施方式的压电振子的效果的仿真的曲线图。

标号说明

10压电振子、12压电振动片、14厚壁部、16薄壁部、18凸部、20电极膜、22激励电极、24引出电极、26输入输出电极、30封装、32封装基座、34盖体、36接缝环(seam ring)、38内部安装端子、40外部端子、42接合材料。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的压电振子的实施方式进行详细说明。首先，参照图1，对本发明的压电振子的第1实施方式进行说明。在图1中，图1(A)是表示压电振子的正面结构的图，图1(B)是表示透过盖体的状态的平面结构的图。

本实施方式的压电振子10是以压电振动片12和封装30为基础而构成的。压电振动片12由以称为AT切或BT切的切角而切出的石英板(压电板)构成，该石英板以厚度切变振动为主振动受到激励。在该石英板(压电振动片12)中，将与石英的X轴平行的边设为长边，将与石英的Z′轴平行的边设为短边，将所述石英板的厚度方向设为与Y′轴平行。

由这样的石英板构成的压电振动片12是由厚壁部(振动部)14、薄壁部(周边部)16、凸部18以及电极膜20构成的。厚壁部14是根据与薄壁部16之间的关系定义的，薄壁部16设置在厚壁部14的周围。在本实施方式中，利用一个板构成了如下形态：长边彼此平行的、平面为矩形状的厚壁部14，叠置在上述将与石英的X轴平行的方向设为长边的矩形状的平板上而一体化。厚壁部14被设置为在薄壁部16的两主面上凸出。

在与这样设置的厚壁部14的长边平行的方向即与厚壁部14中的主振动的位移方向(图中X轴方向)平行的方向上，设有在与其垂直的方向上延伸的凸部18。以薄壁部16的表面为基准，凸部18在Y′轴方向上的厚度具有与厚壁部14在Y′轴方向上的厚度相同的高度(蚀刻量)。另外，凸部18的延伸方向被设置为与厚壁部14的宽度方向(图中Z′轴方向)平行。在本实施方式中，凸部18在Z′轴方向上的长度被设为与厚壁部14的宽度相同的尺寸。

电极膜20具有激励电极22、引出电极24以及输入输出电极26。在本实施方式中，激励电极22形成在厚壁部14的一方的面(14a)和另一方的面(14b)双方上。另外，激励电极22的形态没有特别限定，而在本实施方式中，如图1(B)所示，将其设为与厚壁部14的平面形状相似的形状。输入输出电极26设置在薄壁部16的长度方向上的一方的端部(称为基部侧端部)的另一方的面上。引出电极24被引绕成，使得形成在厚壁部14的一方的面和另一方的面上的激励电极22、与形成在薄壁部16的基部侧端部的另一方的面上的输入输出电极26电连接。

在具有这种基本结构的压电振动片12中，作为不必要波的弯曲振动的波长λ是由构成振动部的厚壁部14的板厚t(mm)决定的。这里，厚壁部14的板厚t(mm)与压电振动片12的主振动即厚度切变振动的频率f(MHz)之间的关系可用下式(1)表示。

f＝k/t 式(1)

其中，在石英板为AT切的情况下，频率常数k为1.670(MHz·mm)，在为BT切的情况下，频率常数k为2.560(MHz·mm)。并且，在考虑了由电极引起的频率下降量的情况下，式2成立，可表示出弯曲振动的波长λ(mm)与厚壁部14的板厚t(mm)之间的关系。

λ/t＝(1.332/f)-0.0024式(2)

如专利文献1、3所记载的那样，下述情况是公知的：在厚壁部14的端缘部分与激励电极22的端缘部分均处于弯曲振动的波形(弯曲位移)的波腹位置的情况下，弯曲振动成分得到抑制。因此，当使用与弯曲振动的波形λ之间的关系来表示用于使厚壁部14的端缘部分、激励电极22的端缘部分与弯曲位移的波腹位置一致的尺寸时，则成为式(3)。根据图2，将激励电极22的长边尺寸设为Ex(mm)，将厚壁部14的长边尺寸设为Mx(mm)。

(Mx-Ex)/2＝λ/2式(3)

这里，对于式(3)所示的关系例的情况，前提是使厚壁部14的中心位置与激励电极22的中心位置一致。

另外，厚壁部的长边尺寸Mx(mm)与波长λ(mm)之间的关系可以表示为式(4)。

Mx/2＝[(l/2)+(1/4)]λ

(其中，l是1、2、3、...中的任意一个)式(4)

上述关系式的前提是，石英板的长边尺寸x(mm)远大于厚壁部14的厚度尺寸t(mm)。具体而言，只要满足式(5)的关系即可。

X≥20t 式(5)

根据满足上述关系的压电振动片12，弯曲振动成分得到抑制。但是，众所周知，如果仅满足这样的关系，则在厚壁部14的蚀刻量超过一定比例的情况下，CI值将发生极端的劣化。

因此，在本实施方式中，进一步想到了以下方式：如图2、图3所示，在薄壁部16上设置凸部18，并且，以使凸部18的端缘部分与弯曲位移的波腹一致的方式，来建立该凸部18与弯曲振动的关系。

并且，为了满足这样的关系，只要根据与弯曲位移的波长λ之间的关系，求出凸部18在X轴方向上的尺寸Dx(mm)和从厚壁部14的端缘部分到凸部18的端缘部分的尺寸Sx(mm)，使得满足这种关系即可。

在以上述方式为基础的情况下，凸部18在X轴方向上的尺寸Dx(mm)可表示为式(6)。

Dx＝(λ/2)×m

(其中，m是1、2、3、...中的任意一个)式(6)

另外，压电振动片12的从厚壁部14的端缘部分到凸部18的端缘部分的尺寸Sx(mm)可表示为式(7)。

Sx＝(λ/2)×n±0.1λ

(其中，n是1、2、3、...中的任意一个)式(7)

通过满足所有这样的关系，能够使得厚壁部14的端缘部分、激励电极22的端缘部分以及凸部18的端缘部分全部位于弯曲位移的波腹，能够实现弯曲振动的抑制。

另外，通过设为这样的结构，能够抑制增大厚壁部14的高度(蚀刻量)时的CI值的劣化。图4中示出了相对于未设置凸部而使厚壁部的端缘部分以及激励电极的端缘部分与弯曲位移的波腹一致的台面型压电振子(现有技术)与本实施方式(本发明)的具有所述凸部的台面型压电振子的蚀刻量(Md)在比例上的差异，CI值发生的变化。观察图4，对Md彼此相同的现有构造与本发明进行比较，可知：通过设置所述凸部，CI值有下降的趋势，而且在将压电板的长边的长度设为X＝1.375(mm)时，最有效果。

由图4可知，对于现有技术的压电振子，在所有的尺寸(X尺寸)下，在使Md从15％(相对于厚度尺寸t的比例)增加到20％的情况下，均能确认到CI值的劣化。与此相对，对于本发明的压电振动片12，可知：当Md的值从15％增加到20％时，与Md＝15％时的CI值相比，几乎未发生劣化(X＝1.375mm)，而在X＝1.385(mm)的情况下，与Md＝15％时相比，观察到CI值稍微有所劣化，但是，也存在CI值进一步下降(X＝1.365mm时)的条件。

这样，根据采用了满足上述结构的压电振动片12的本实施方式的压电振子10，即使在增大了厚壁部14的蚀刻量比例(Md)的情况下，也能够抑制CI值的劣化。因此，能够在无需顾及因过蚀刻(over etching)导致的CI值的劣化的情况下，对具有可获得期望的CI值的蚀刻量比例的压电振子进行量产。

这里，对于石英板而言，当通过湿法蚀刻(下面简称为蚀刻)来形成其形状时，有时由于结晶方向的各向异性而在截面中产生倾斜。对于本实施方式所采用的AT切石英板而言，如图3所示，厚壁部14与薄壁部16之间的阶梯部分为倾斜面，但在本实施方式中，只要采用以下结构即可实现CI特性良好的压电振子，所述结构是：将因结晶方向的各向异性而产生的倾斜面的中间点确定为端缘部分，使该部分与弯曲位移的波腹一致。

另外，对于本实施方式的压电振动片12，在厚壁部14与凸部18之间的配置关系上，可以具有±0.1λ左右的容许误差。从图5所示的CI特性的评价结果可知，在使厚壁部4与凸部18之间的间隔偏移的情况下，CI值会发生劣化，基于该情况，由图5(A)可知，厚壁部4与凸部18之间每变化10μm，CI值会劣化10Ω左右。图5(A)中举例说明的压电振子的频率f为24(MHz)、X尺寸为1.375(mm)、Md为20％，而弯曲振动的波长λ约为107(μm)。图5(A)中作为基准的曲线图是右边的曲线图，在该曲线图中，表示从厚壁部14到凸部18的尺寸的台面端-凸部间的值最接近于表示凸部18的宽度的凸部宽度Dx值的两倍。

以图5(A)的右边的曲线图为基准，Sx的值(台面-凸部间的值)偏移变化了10μm时的CI值优于现有构造中的压电振子的CI值(参照图4)，而在偏移量为20(μm)时观察到了CI值的劣化，由此可知，该偏移量10(μm)是实质的容许范围。

另外，对于将频率f设为26(MHz)的压电振子，如图5(B)所示，即使在使凸部位置变化了10(μm)的情况下，也未观察到CI值的劣化。这里，在图5(B)中，是以台面-凸部间的值与凸部宽度的值一致的正中间的曲线图为基准。另外，弯曲振动的波长λ约为98(μm)。

基于这些仿真评价，可认为对于本实施方式的压电振子而言，即使在Sx的值产生了±10μm左右的误差时，也几乎不会导致CI值劣化。因此，在本实施方式中，将Sx的容许误差确定为±10(μm)。另外，f＝24(MHz)的压电振子的弯曲位移的波长λ约为107(μm)，f＝26(MHz)的压电振子的弯曲位移的波长λ约为98(μm)，由此，如果将这些压电振子的弯曲位移的波长假设为100(μm)，则可表示为式(8)。

±10(μm)＝±0.1λ式(8)

由此，在式7中利用与波长λ之间的关系示出了容许误差。

接着，构成压电振子的封装是由封装基座和盖体构成的。图1所示的封装基座32呈矩形箱状，且在内部底面上具有内部安装端子38，在外部底面上具有外部端子40。内部安装端子38与外部安装端子40通过未图示的布线图案而电连接。

上述压电振动片12通过导电性粘接剂等接合材料42安装在封装基座32上。作为安装工序，是在封装基座32中的内部安装端子38上涂覆接合材料，以输入输出电极位于所涂覆的接合材料42上部的方式，安装压电振动片12。

如图1所示，在采用了箱形的封装基座32的情况下，作为盖体34，采用平板状的盖(lid)。盖体34隔着作为焊接材料的接缝环与封装基座32接合。

这种结构的压电振子10通过如下工序来制造。

首先，在AT切或BT切的石英板上形成耐蚀膜。然后，以覆盖耐蚀膜的方式构成抗蚀剂膜(resist film)，对抗蚀剂膜进行构图处理，在构图处理中，将除厚壁部14和凸部18以外的部分形成为开口。将经过构图的抗蚀剂膜作为掩膜对耐蚀膜进行蚀刻，然后将抗蚀剂膜和耐蚀膜作为掩膜对石英板进行蚀刻。

这里，由蚀刻实现的石英的蚀刻量和因结晶方向的各向异性而产生的结晶面的角度是已知的，所以进行蚀刻时的抗蚀剂膜的构图是考虑到这些情况而进行的。

从已利用蚀刻形成了外形的石英板上剥离抗蚀剂膜和耐蚀膜，形成金属膜，该金属膜用于形成激励电极22、输入输出电极26和引出电极24。金属膜可通过蒸镀或溅射等方法来形成。

在金属膜形成后，用抗蚀剂膜将金属膜覆盖，沿着激励电极22、输入输出电极26和引出电极24的形状，对抗蚀剂膜进行构图。在对抗蚀剂膜进行构图后，将进行了构图的抗蚀剂膜作为掩膜对金属膜进行蚀刻，得到电极膜20，由此构成压电振动片12。

然后，剥离抗蚀剂膜，将压电振动片12安装到另外形成的封装基座32上。在将压电振动片12安装到封装基座32上，通过盖体34将封装基座32的开口部密封，构成压电振子10。

根据这样结构的压电振子10，其生产性优异，与以往相比，即使在进一步增大台面部(厚壁部14)的蚀刻量的情况下，也能够抑制CI值劣化。因此，能够在不必考虑过蚀刻的情况下，按照使CI值变得良好的恰当值来确定蚀刻量的比例Md。

另外，在上述实施方式中，记载了如下内容：构成压电振子10的封装30是由箱状的封装基座32和平板状的盖体34构成的。但是，本发明的压电振子10也可以采用所谓的帽的形式，即：将封装基座设为平板状、将盖体设为箱形。

下面，参照图6详细说明本发明的压电振子的第2实施方式。本实施方式的压电振子的大部分结构与上述第1实施方式的压电振子相同。因此，对于与其结构相同的部位，标注在第1实施方式的附图标号上加上100后的标号，省略详细的说明。另外，在图6中，图6(A)是示出台面型压电振子的正面结构的图，图6(B)是示出透过盖体的状态的平面结构的图。

本实施方式的压电振子110的特征在于，激励电极122延伸设置到位于厚壁部114的长边的延长线上(主振动的位移方向)上的薄壁部116。

关于本实施方式的厚壁部114的长边尺寸Mx、激励电极的长边尺寸Ex1以及弯曲位移的波形λ之间的关系，可设为下述关系(参照图7)。首先，假设厚壁部114的长边尺寸Mx满足式(4)的关系。

接着，假设厚壁部114的长边尺寸与激励电极122的长边尺寸Ex1之间的关系满足式(9)。

Ex1＝Mx+(L1+L2) 式(9)

这里，如也在第1实施方式中说明的那样，需要使作为激励电极端缘部分的L1、L2的端缘部分彼此与弯曲位移的波腹一致，所以要满足如下关系。

L1＝(λ/2)×p(其中，p是1、2、3、...中的任意一个)式(10)

L2＝(λ/2)×q(其中，q是1、2、3、...中的任意一个)式(11)

L2-L1＝r×λ(其中，r是整数) 式(12)

另外，关于凸部118与激励电极122的端缘部分之间的关系，通过设为L1≤Sx、L2≤Sx的关系，由此，在一些情况下，凸部118的端缘部分与激励电极122的端缘部分也是一致的。

对于满足这样的关系的本实施方式的压电振子110而言，如图8所示，可以理解到，即使在增加了厚壁部114的蚀刻量的比例Md的情况下，也几乎没有发生CI值的劣化(增加)。因此，在采用了这种结构的情况下，也能够获得与上述第1实施方式的压电振子10相同的效果。

接着，参照图9，详细说明本发明的压电振子的第3实施方式。本实施方式的压电振子的大部分结构与上述第1实施方式的压电振子相同。因此，对于与其结构相同的部位，标注在第1实施方式的附图标号上加上相加200后的标号，省略详细的说明。

本实施方式的压电振子210的特征在于，设于薄壁部216上的凸部218仅设置在薄壁部216的另一方的端部侧(末端侧端部)。在采用这种结构的情况下，也构成为厚壁部214、激励电极222和凸部218的端缘部分分别位于弯曲位移的波腹的位置。

在采用这种结构的情况下，将隔着厚壁部214而配置的凸部218仅设置在末端侧端部上，因此，在使厚壁部214的蚀刻量的比例Md增加时，是否会对CI值的劣化产生影响成为所要考虑的问题。因此，针对安装有除设置在基部侧端部的凸部以外的条件均相同的本发明的压电振动片的压电振子，对CI值随该压电振子的蚀刻量比例Md的变化而发生的变化进行仿真，并在图10中示出。在图10中，作为两侧凸部而示出的曲线图表示第1实施方式的压电振子10的CI值变化，作为单侧凸部而示出的曲线图表示本实施方式的压电振子210的CI值变化。

从图10中可知，即使在将凸部218仅设置在单侧的情况下，也能够得到与上述第1实施方式的压电振子10相同的效果。因此，这种结构的压电振子210也可作为本发明的一部分。

Claims

1.一种压电振子，该压电振子具有：压电板，其以厚度切变振动为主振动，且具有振动部，该振动部被周边部包围，且厚度尺寸比该周边部大；以及配置在所述压电板的主面上的激励电极，该压电振子的特征在于，

所述振动部的长边和所述激励电极的长边均与所述压电板的长边平行，

在设所述压电板的长边尺寸为X、所述振动部的厚度尺寸为t、所述振动部的长边尺寸为Mx、所述激励电极的长边尺寸为Ex、在所述压电板的长度方向上产生的弯曲振动的波长为λ时，满足以下关系：

λ/2＝(1.332/f)-0.0024

(Mx-Ex)/2＝λ/2

Mx/2＝[(l/2)+(1/4)]λ

X≥20t

其中，f是压电振子的谐振频率，l是1、2、3、...中的任意一个，

该压电振子具有凸部，该凸部与所述振动部的短边方向平行地配置在所述振动部的长度方向的延长线上，

在将所述凸部在所述主振动的位移方向上的尺寸设为Dx时，满足如下关系：

Dx＝(λ/2)×m

其中，m是1、2、3、...中的任意一个，

在将所述振动部与所述凸部之间的尺寸设为Sx时，满足如下关系：

Sx＝(λ/2)×n±0.1λ

其中，n是1、2、3、...中的任意一个。

2.根据权利要求1所述的压电振子，其特征在于，

所述激励电极从所述振动部的主面延伸设置到位于所述振动部与所述凸部之间的所述周边部，所述振动部与延伸设置到所述周边部的激励电极的端缘部分之间的距离L1满足如下关系：

L1＝(λ/2)×p

其中，p是1、2、3、...中的任意一个。

3.根据权利要求1或2所述的压电振子，其特征在于，

所述压电板为石英板，

所述振动部与周边部之间的阶梯部以及所述周边部与所述凸部之间的阶梯部具有倾斜面，所述振动部的尺寸、从所述振动部到所述凸部的尺寸、以及所述凸部的尺寸分别是以所述倾斜面的中心为基准而确定的。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的压电振子，其特征在于，

所述凸部仅设置在所述振动部的长度方向侧的任意一方的端部侧。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的压电振子，其特征在于，

所述凸部的短边尺寸与所述振动部的短边尺寸一致。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的压电振子，其特征在于，

以所述周边部为基准的、所述振动部的高度与所述凸部的高度相同。