JPH11346139A - 圧電共振子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージを構成する部材の多様化を招くこ
となく、かつ厚み縦振動の３倍波の共振特性にあまり影
響を与えることなく、スプリアスとなる基本波の漏洩振
動を効果的に抑圧し得る、厚み縦振動の３倍波を利用し
たエネルギー閉じ込め型の圧電共振子を得る。 【解決手段】 圧電基板２ａの両主面に第１，第２の励
振電極２ｂ，２ｃを形成することにより振動部が構成さ
れている、厚み縦振動の３倍波を利用したエネルギー閉
じ込め型の圧電共振素子２の上下に凹部３ａ，４ａを有
する封止基板３，４が積層されており、凹部３ａ，４ａ
により振動部の振動を妨げないための空間が形成されて
おり、該空間の周囲に漏洩振動をダンピングするために
封止部が構成されている圧電共振子において、圧電共振
素子２の面方向において、上記振動部の中心が凹部３
ａ，４ａで構成される空間の中央からはずれた位置とな
るように振動部が形成されている圧電共振子１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばトラップ回
路、エスプリミネータなどに用いられる圧電共振子に関
し、より詳細には、エネルギー閉じ込め型の圧電共振素
子の振動部の振動を妨げないための空間をパッケージに
構成してなる圧電共振子に関する。

【０００２】

【従来の技術】特公平７−７０９４１号公報には、厚み
縦振動モードを利用したエネルギー閉じ込め型圧電共振
素子を用いて構成された圧電共振子が開示されている。
この圧電共振子の構造を、図１０及び図１１を参照して
説明する。

【０００３】図１０は、圧電共振子の分解斜視図であ
り、図１１はその縦断面図である。圧電共振子５１は、
厚み縦振動モードを利用した板状のエネルギー閉じ込め
型圧電共振素子５２を用いて構成されている。圧電共振
素子５２は、矩形の圧電基板５２ａを有する。圧電基板
５２ａの上面中央には、第１の励振電極５２ｂが形成さ
れている。また、圧電基板５２ａの下面には、励振電極
５２ｂと表裏対向するように中央に第２の励振電極５２
ｃが形成されている。

【０００４】励振電極５２ｂ，５２ｃは、それぞれ、引
出電極５２ｄ，５２ｅに接続されている。引出電極５２
ｄは、圧電基板５２ａの上面において一端縁に引き出さ
れている。また、引出電極５２ｅは、圧電基板５２ａの
下面において一端縁に引き出されている。

【０００５】圧電共振素子５２の上下には、封止基板５
２，５４が積層されている。封止基板５３，５４は、ア
ルミナなどの絶縁性セラミックスからなり、矩形板状の
形状を有する。また、封止基板５３の下面には凹部５３
ａが形成されている。他方、封止基板５４の上面には凹
部５４ａが形成されている。凹部５３ａと、凹部５４ａ
とは、積層された際に部分的に重なり合わないように配
置されている。

【０００６】圧電共振子５１では、絶縁性接着剤を用い
て、圧電基板５２の上下に封止基板５３，５３が貼り合
わされている。図１１に示すように、第１，第２の励振
電極５２ｂ，５２ｃが対向している部分、すなわち振動
部は、凹部５３ａ及び凹部５４ａ内に配置されている。
従って、圧電共振素子５２の振動部が励振された場合、
凹部５３ａ，５４ａで構成される空間によりその振動が
妨げられない。

【０００７】なお、５５，５６は、それぞれ、外部電極
を示す。外部電極５５は引出電極５２ｄに電気的に接続
されるように形成されており、外部電極５６は引出電極
５２ｅに電気的に接続されるように形成されている。

【０００８】圧電共振子５１では、振動部で励振された
基本波の漏洩振動が、圧電共振素子５２と封止基板５
３，５４との接合部分によりダンピングされる。例え
ば、封止基板５３と圧電共振素子５２の上面とが絶縁性
接着剤（図示せず）を介して接合されている部分におい
て、基本波の漏洩振動がダンピングされる。従って、上
記凹部５３ａと凹部５４ａとのずれ量を調整することに
より、基本波の漏洩振動のダンピング処理量を調整する
ことができ、それによって所望の周波数特性が得られ
る。

【０００９】近年、圧電共振子５１と同様の構造を用い
て、高周波化を図るために、３次高調波を利用すること
が試みられている。３次高調波を利用した圧電共振子で
は、基本波及び５次以上の奇数次高調波がスプリアスと
なる。従って、３次高調波を利用しようとした場合、基
本波を確実にダンピングしなければ異常発振を生じるお
それがある。一般に、ＩＣの利得は周波数に対して減少
傾向にあるため、最も周波数が低い基本波は発振条件を
満足しやすく、従って異常発振の原因となりやすい。そ
こで、基本波を確実にダンピングすることが強く求めさ
れている。

【００１０】ところで、３次高調波に影響を与えずに基
本波を抑制するには、振動部外において、基本波が漏洩
してくる領域をダンピングすればよい。もっとも、基本
波が漏洩してくる領域は、励振電極５２ｂ，５２ｃの径
に依存して同心円状に変化する。従って、励振電極の径
に応じて、凹部５３ａ，５４ａの寸法を変更する必要が
ある。

【００１１】従って、振動部の振動を妨げないための空
間をパッケージ内に構成してなる圧電共振子において実
現するには、励振電極の径に応じて振動を妨げないた
めの空間の大きさを変更する方法、あるいは圧電共振
子５１のように、上下の凹部５３ａ，５４ａの位置を相
対的にずらす方法が考えられる。

【００１２】しかしながら、電極の径に応じて空間の
大きさを変更する方法では、凹部の径が異なる複数種の
封止基板などを必要とする。従って、金型費用が高くつ
くだけでなく、作業管理が煩雑となり、コストも上昇す
る。

【００１３】他方、凹部５３ａ，５４ａの相対位置を
ずらす方法では、金型加工や端面研磨により意図的に凹
部５３ａ，５４ａの位置をずらしたとしても、やはり用
意すべき封止基板の種類が多くなる。従って、金型費用
が高くつき、作業管理が煩雑であり、コストが高くつく
ことになる。

【００１４】加えて、封止基板に凹部を形成した後に端
面を研磨して凹部の位置をずらす場合には、端面研磨に
より精度が左右されることになるため、制御が困難とな
りかつ十分な精度を得ることができなくなる。

【００１５】本発明の目的は、厚み縦振動モードの３倍
波を利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振子におい
て、パッケージ材の種類を増加させることなく、従って
安価にかつ容易に基本波を確実にダンピングし得る圧電
共振子を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、圧電板と、圧電板の両主面に部分的に形成されてお
りかつ圧電板を介して表裏対向するように形成された一
対の励振電極とを有し、上記励振電極が対向されている
部分により振動部が構成されている、厚み縦振動の３倍
波を利用したエネルギー閉じ込め型圧電共振素子と、前
記圧電共振素子の振動部の振動を妨げないように、少な
くとも前記振動部を密閉する空間を形成するように配置
されたパッケージ材とを備え、前記空間の周囲に、漏れ
振動をダンピングするための封止部が構成されている圧
電共振子において、前記圧電共振素子の面方向におい
て、前記振動部の中心が前記空間の中心から外れた位置
となるように振動部が形成されていることを特徴とす
る。

【００１７】請求項２に記載の発明では、前記パッケー
ジ材が、圧電共振素子の両主面に積層された第１，第２
の封止基板を有し、第１，第２の封止基板の圧電共振素
子に積層される側の面に前記空間を形成するための凹部
が形成されており、該凹部の周囲において第１，第２の
封止基板が圧電共振素子に接合されており、該接合部分
により前記封止部が構成されている。

【００１８】請求項３に記載の発明では、前記パッケー
ジ材が、圧電共振素子の振動を妨げないように圧電共振
素子が上面に積層されているベース基板と、下方に開口
を有し、該開口周縁部において前記ベース基板に接合さ
れているキャップ材とを備え、前記圧電共振素子が前記
ベース基板に接合されている部分が前記封止部を構成し
ている。

【００１９】請求項４に記載の発明では、前記圧電共振
素子の厚みをｔとし、前記振動部から封止部までの最短
距離をＧとしたときに、０＜Ｇ／ｔ≦５とされている。
請求項５に記載の発明では、前記圧電共振素子の振動部
の振動を妨げないための空間の中心が、前記圧電共振素
子の面方向において圧電共振素子の中心と一致するよう
に形成されている。

【００２０】請求項６に記載の発明では、前記圧電共振
素子の振動を妨げないための空間の中心が、圧電共振素
子の面方向において、該圧電共振素子の面方向中心から
ずらされた位置に配置されている。請求項７に記載の発
明では、上記封止部が接着剤層により構成されている。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例を
図面を参照しつつ説明することにより、本発明を明らか
にする。

【００２２】図１は、本発明の第１の実施例に係るチッ
プ型圧電共振子の縦断面図であり、図２はその分解斜視
図である。圧電共振子１では、矩形板状のエネルギー閉
じ込め型の圧電共振素子２が用いられている。この圧電
共振素子には、厚み縦振動モードの３倍波を利用したエ
ネルギー閉じ込め型圧電共振素子である。

【００２３】圧電共振素子２は、矩形の圧電基板２ａを
用いて構成されている。圧電基板２ａは、例えば、チタ
ン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミッ
クスにより構成されており、厚み方向に分極処理されて
いる。もっとも、圧電基板２ａは、圧電セラミックス以
外の圧電材料、例えば水晶、ＬｉＴａＯ₃ などの圧電単
結晶により構成されていてもよい。

【００２４】圧電基板２ａの上面には、円形の第１の励
振電極２ｂが形成されており、下面には、励振電極２ｂ
と表裏対向するように円形の第２の励振電極２ｃが形成
されている。なお、励振電極２ｂ，２ｃは、矩形等の他
の形状であってもよい。

【００２５】本実施例では、上記励振電極２ｂ，２ｃ
は、圧電基板２ａの中央から図２において左側にずらさ
れて配置されている。励振電極２ｂ，２ｃは、それぞ
れ、圧電基板２ａの上面及び下面に形成された引出電極
２ｄ，２ｅに電気的に接続されている。引出電極２ｄ，
２ｅは、それぞれ、圧電基板２ａの上面及び下面におい
て外側端縁に至るように形成されている。

【００２６】圧電共振素子２では、励振電極２ｂ，２ｃ
間に交流電圧を印加することにより、励振電極２ｂ，２
ｃが表裏対向している部分、すなわち振動部が励振され
る。この振動エネルギーは、振動部外に漏洩されるが、
振動部が部分的に設けられているため振動部に厚み縦振
動の３倍波が効果的に閉じ込められる。

【００２７】もっとも、生じた振動の一部は、振動部外
へ漏洩する。そして、漏洩する振動の中でも、前述した
通り基本波が大きなスプリアスとなるため、本実施例で
は、後述のパッケージ構造により基本波の漏洩振動が封
止部によりダンピングされる。

【００２８】圧電共振素子２の上下には、第１，第２の
封止基板３，４が積層されている。封止基板３，４は、
例えばアルミナなどの絶縁性セラミックスにより構成さ
れている。もっとも、封止基板３，４は、合成樹脂など
の他の絶縁性材料で構成されていてもよい。

【００２９】封止基板３の下面には、振動部の振動を妨
げたいための空間を形成するために、凹部３ａが形成さ
れている。封止基板４の上面には、同様の目的で凹部４
ａが形成されている。

【００３０】封止基板３，４は、絶縁性接着剤（図示せ
ず）により、凹部３ａ，４ａの外側部分が、圧電共振素
子２に接着されており、この接着剤部分により封止部が
構成されている。従って、図１では、凹部の外側の領域
が封止部となる。

【００３１】図１に示すように、圧電共振素子２及び封
止基板３，４からなる積層体の両端面それぞれに、外部
電極５，６が形成されている。外部電極５は引出電極２
ｄに接続されており、外部電極６は引出電極２ｅに接続
されている。

【００３２】図１から明らかなように、上記凹部３ａ，
４ａにより、振動部の振動を妨げないための空間が構成
されている。また、凹部３ａと凹部４ａとは、圧電共振
素子２の面方向においてずらされておらず、従って、厚
み方向に重なり合うように配置されている。よって、封
止基板３，４を構成する部材としては、絶縁性基板に凹
部を形成してなる単一の基板材料を用いることができ
る。従って、金型費用を低減することができると共に、
作業管理も容易である。

【００３３】本実施例の圧電共振子１では、外部電極
５，６から交流電圧を印加し、上記振動部を励振させ、
厚み縦振動の３倍波を利用してその共振特性を得る。と
ころで、大きなスプリアスとなる基本波は、振動部外に
漏洩するが、漏洩してきた基本波の振動エネルギーは、
封止部でダンピングされる。封止部は、上述した通り、
圧電共振素子２と封止基板３，４とが接合されている部
分で構成されている。

【００３４】しかも、基本波の漏洩振動領域は、本実施
例のように、励振電極２ｂ，２ｃが円形の場合、励振電
極２ｂ，２ｃの周りに同心円上に位置することになる。
振動部が凹部３ａ，４ａにより形成される空間の中央に
位置している場合には、基本波の漏洩振動は封止部でダ
ンピングされがたい。

【００３５】これに対して、本実施例では、振動部が空
間の中央から圧電共振素子の面方向においてずらされて
いるため、基本波の漏れ振動領域の一部が封止部に至
り、従って基本波の漏洩振動が効果的にダンピングされ
る。

【００３６】すなわち、図１に示すように、圧電共振素
子２の面方向において、凹部３ａ，４ａで構成される空
間の中央よりも図１の左側に、振動部がずらされてい
る。従って、振動部外へ漏洩した基本波の振動は、封止
部、特に図１の左側に位置する封止部において効果的に
ダンピングされることになる。よって、凹部３ａ，４ａ
の中央に振動部を配置した構造に比べて、スプリアスと
なる基本波をより効果的に抑圧することができる。

【００３７】よって、本実施例のチップ型圧電共振子１
では、上記振動部の面方向におけるずらし量を制御する
ことにより、厚み縦振動の３倍波により得られる共振特
性にあまり影響を与えることなく、大きなスプリアスと
なる基本波の漏洩振動を効果的に抑圧することができ
る。

【００３８】なお、上記実施例では、振動部は、凹部３
ａ，４ａで構成される空間において、圧電共振素子２の
面方向に沿って図１の左側、すなわち外部電極６側にず
らされていたが、この振動部の面方向におけるずらし方
については、特に限定されるものではない。例えば、図
３（ａ）〜（ｃ）に示すように、面方向において任意の
方向に振動部をずらすことができる。なお、図３（ａ）
〜（ｃ）は、封止部、空間及び振動部の相対的な位置関
係を示す略図的平面図である。図３（ａ）〜（ｃ）にお
いて、７は封止部、８は空間、実線Ａは封止部の外側端
縁を、実線Ｂは封止の内側端縁すなわち空間の外側端縁
を示し、円Ｃは振動部を、破線Ｄは空間の中央に振動部
が形成されている状態を示す。

【００３９】また、図１に示した圧電共振子５１では、
凹部３ａ，４ａより構成される空間の平面形状は円形で
あったが、図３（ａ）〜（ｃ）では、空間８の平面形状
は矩形とされている。このように、空間の平面形状につ
いても円形に限らず、矩形などの様々な形状とすること
ができる。このような変形例を図４（ａ）〜（ｃ）に示
す。

【００４０】図４（ａ）では、空間８の平面形状が圧電
共振子１の場合と同様に円形とされており、振動部Ｃの
中心が空間８の中心からずらされている。図４（ｂ）で
は、空間８の平面形状はひし形とされている。さらに、
図４（ｃ）では、空間８の平面形状は長楕円形状とされ
ている。

【００４１】さらに、図５に略図的平面図で示すよう
に、振動部Ｃの平面形状についても、円形ではなく、矩
形としてもよい。図５では、矩形の振動部Ｃが、矩形の
平面形状を有する空間Ｂの中心位置から対角線方向にず
らされて配置されている。

【００４２】また、第１の実施例のチップ型圧電共振子
１では、凹部３ａ，４ａについては、その中心が圧電共
振素子２の面方向において中心に位置するように配置さ
れていたが、振動部の振動を妨げないための空間につい
ても、圧電共振素子の面方向の中心位置からその中心が
ずらされて配置されていてもよい。このような変形例を
図６（ａ），（ｂ）に示す。

【００４３】図６（ａ）に矢印で示すように、空間８
は、破線で示す位置から左側にずらされている。すなわ
ち、図６（ｂ）に示すように、封止基板３，４に形成さ
れている凹部３ａ，４ａは、それぞれ、圧電共振素子の
面方向中心位置から図面上左側にずらされている。

【００４４】これに対して、励振電極２ｂ，２ｃで構成
される振動部は圧電共振素子２の面方向において中心に
配置されている。従って、凹部３ａ，４ａの面方向位置
がずらされているため、凹部３ａ，４ａで構成される空
間の中心に対し、振動部が相対的に右側にずらされてい
る。

【００４５】このように、本発明においては、振動部が
圧電共振素子の面方向において空間の中心からずられて
いる限り、空間及び振動部のいずれが圧電共振素子の面
方向においてずらされていてもよく、双方が圧電共振素
子２の中心位置からずらされていてもよい。

【００４６】図６に示す変形例においても、封止基板
３，４としては、同一の基板を用いることができるた
め、図１に示した実施例の圧電共振子１の場合と同様
に、金型費用の低減及び作業管理の簡略化を果たし得
る。

【００４７】次に、具体的な実験例に基づき、本発明に
従ってチップ型圧電共振子を構成した場合、上記空間と
振動部との圧電共振子の面方向における相対的なずれに
より基本波が効果的に抑制されることを明らかにする。

【００４８】チップ型圧電共振子１として、以下の仕様
のものを作製した。すなわち、圧電共振素子２として、
３．７ｍｍ×３．１ｍｍ×１２６μｍの圧電基板２ａの
両主面に直径０．４ｍｍの励振電極２ｂ，２ｃを、該圧
電基板の中心位置から外部電極６側の封止部に向かって
所定の距離だけずらして形成することにより、種々の圧
電共振素子２を得た。

【００４９】上記圧電共振素子２の上面及び下面に、
３．７×３．１×０．４ｍｍの封止基板３，４を絶縁性
接着剤を介して貼り合わせた。なお、封止基板３，４と
しては、上記絶縁性基板の一方面中央に矩形２．６×
２．０（×０．１）ｍｍの凹部３ａ，４ａを形成したも
のを用いた。

【００５０】また、圧電共振素子２の上面及び下面に封
止基板３，４を積層した後、外部電極５，６を形成し、
種々の圧電共振子を作製し、この位相差を測定した。結
果を図７及び図８に示す。

【００５１】なお、図７及び図８における封止部までの
最短距離Ｇとは、図３に示すように、振動部と、振動部
に最も近い封止部との間の面方向に沿う距離を示すもの
とする。平面視矩形状の凹部３ａ，４ａの短辺の長さが
２０ｍｍであり、振動部の直径が０．４ｍｍであるた
め、Ｇ＝０．８ｍｍの場合、振動部が空間の面方向中央
に位置されていることになる。

【００５２】図７及び図８において、○は基本波の位相
を、●は厚み縦振動の３倍波の位相を示す。図７から明
らかなように振動部と封止部との間の最短距離Ｇが小さ
いほど、すなわち振動部の圧電共振素子の面方向からの
ずれ量が大きいほど、基本波を効果的に抑制し得ること
がわかる。

【００５３】また、封止部までの最短距離Ｇが０．３ｍ
ｍの場合、基本波の位相は約５０度となり、Ｇ＝０．９
ｍｍの場合に比べて約２５度改善されることがわかる。
図８から明らかなように圧電共振素子の厚みｔに対する
最短距離Ｇの比Ｇ／ｔが０より大きく、５以下の場合、
基本波の位相が７０度以下となり、基本波を効果的に抑
圧し得ることがわかる。

【００５４】なお、上述した実施例及び変形例では、圧
電共振素子の上下に封止基板を積層し、封止基板の内側
主面に凹部を形成することにより振動部の振動を妨げな
いための空間が構成されていた。しかしながら、本発明
は、このような積層構造の圧電共振子に限らず、キャッ
プ材を用いたパッケージ構造を有するチップ型圧電共振
子にも適用することができる。図９は、このような変形
例を説明するための分解図である。

【００５５】図９において、ベース基板２１は、矩形板
状の絶縁性基板により構成されている。ベース基板２１
の上面には、凹部２１ａが形成されている。凹部２１ａ
は、振動部の振動を妨げないための空間を構成するため
に設けられている。

【００５６】ベース基板２１上には、封止部を構成する
ための絶縁性接着剤２２，２３を介して圧電共振素子２
が接合される。圧電共振素子２は、図１に示したチップ
型圧電共振子１で用いられている圧電共振素子２と同様
に構成されている。

【００５７】さらに、圧電共振素子２を囲繞するよう
に、下方に開口２４ａを有するキャップ材２４がベース
基板２１上に絶縁性接着剤（図示せず）を用いて接合さ
れる。キャップ材２４としては、金属あるいは合成樹脂
などの適宜の材料からなるものを用いることができる。

【００５８】図９に示した構造では、絶縁性接着剤２
２，２３により封止部が構成され、該封止部間に、振動
部の振動を妨げないための空間が構成される。この場合
においても、振動部の振動を妨げないための空間の中心
位置から圧電共振素子２の面方向において振動部の位置
をずらすことにより、チップ型圧電共振子１と同様に基
本波の漏洩振動を効果的に抑圧することができる。

【００５９】すなわち、図９に示すように、振動部が図
面上右側にずらされている場合、振動部と封止部を構成
している一方の絶縁性接着剤２３との間の距離が短くな
るため、基本波の漏洩振動が効果的に抑圧される。

【００６０】

【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る圧電共振子
では、厚み縦振動の３倍波を利用したエネルギー閉じ込
め型圧電共振素子の振動部の振動部を妨げないために、
少なくとも振動部を密閉する空間を形成するようにパッ
ケージ材が配置されており、該空間の周囲に漏れ振動を
ダンピングするための封止部が構成されており、該圧電
共振素子の面方向において該振動部の中心が空間の中心
からはずれた位置となるように振動部が形成されてい
る。従って、厚み縦振動の３倍波の共振特性にあまり影
響を与えることなく、大きなスプリアスとなる基本波の
漏洩振動を効果的に抑圧することができる。

【００６１】よって、基本波に起因する不要スプリアス
を効果的に抑圧することができ、例えば圧電発振子とし
て用いた場合には異常発振を防止することが可能とな
る。加えて、上記のように振動部の中心がを空間の中心
からはずれた位置となるように振動部形成すればよいた
め、空間を構成するパッケージ材については、特殊なも
のを必要としない。従って、空間を構成するための凹部
等を形成するのに必要な金型費用の節約や作業工程の簡
略化を果たし得る。よって、共振特性に優れ、かつ安価
である、厚み縦振動の３倍波を利用したエネルギー閉じ
込め型の圧電共振子を提供することが可能となる。

【００６２】請求項２に記載の発明では、パッケージ材
が、第１，第２の封止基板を有し、第１，第２の封止基
板の圧電共振素子に積層される側の面に上記空間を形成
するための凹部が形成されており、凹部の周囲において
第１，第２の封止基板が圧電共振素子に接合されて該接
合部分により封止部が構成されているので、第１，第２
の圧電共振素子としては、同一の基板を用いることがで
きる。すなわち、振動部ずれ量が、圧電共振素子におけ
る励振電極の形成位置をコントロールすることにより行
われ得る。従って、第１，第２の封止基板に形成される
凹部については、第１，第２の封止基板間において相対
的にずらす必要がないため、凹部が形成された第１，第
２の封止基板としては、一種類の材料を用いることがで
きる。

【００６３】請求項３に記載の発明では、パッケージ材
が、圧電共振素子の振動を妨げないように圧電共振素子
が上面に積層されているベース基板と、下方に開口を有
し、該開口周縁部においてベース基板に接合されている
キャップ材とを備え、圧電共振素子がベース基板に接合
されている部分により上記封止部が構成されている。従
って、このキャップ材を用いたパッケージ構造において
も、圧電共振素子における励振電極の形成位置を制御す
ることにより、振動を妨げないための空間の中心からず
らされた位置に振動部を構成することができるので、ベ
ース基板及びキャップ材については、特殊なものを必要
としない。従って、パッケージ材を構成するのに必要な
コストを低減することができるとともに、作業管理の簡
略化を果たし得る。

【００６４】請求項４に記載の発明では、圧電共振素子
の厚みをｔとし、振動部から封止部までの最短距離をＧ
として時に、０＜Ｇ／ｔ≦５とされているので、基本波
の漏洩振動に基づく不要スプリアスを、より一層効果的
に抑圧することができ、厚み縦振動の３倍波を利用し
た、良好な共振特性を有する圧電共振子を提供すること
が可能となる。

【００６５】請求項５に記載の発明では、上記空間の中
心が、圧電共振素子の面方向において共振素子の中心と
一致するように形成されているので、空間を構成するた
めの凹部等が形成されているパッケージ材を容易に提供
することができ、より一層圧電共振子のコストを低減す
ることができる。

【００６６】請求項６に記載の発明では、圧電共振素子
の振動を妨げないための空間の中心が、圧電共振素子の
面方向において、圧電共振素子の面方向中心からずられ
た位置に配置されているので、逆に圧電共振素子につい
ては、振動部が該圧電共振素子の面方向の中心に位置さ
れていたとしても、本発明に従って振動部が空間の中心
位置から面方向においてずらされていることになる。従
って、圧電共振素子としては、従来から製造されていた
中心位置に励振電極が配置されているものをそのまま用
いることができ、圧電共振子のコストを低減することが
できる。

【００６７】請求項７に記載の発明では、封止部が接着
剤層により構成されており、従って、圧電共振素子をパ
ッケージを構成する封止基板などの部材に接着するだけ
で上記封止部を容易に構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る圧電共振子を説明する
ための縦断面図。

【図２】本発明の第１の実施例に係る圧電共振子の分解
斜視図。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、実施例の圧電共
振子の変形例を説明するための略図的平面図であり、封
止部、空間及び振動部を位置関係を説明するための各平
面図。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、実施例の圧電共
振子の他の変形例を説明するための略図的平面図であ
り、封止部、空間及び振動部を位置関係を説明するため
の各平面図。

【図５】本実施例の圧電共振子のさらに他の変形例を説
明するための略図的平面図であり、矩形の平面形状を有
する空間内に平面形状が矩形の振動部を構成した場合の
空間と振動電極との位置関係を説明するための平面図。

【図６】（ａ），（ｂ）は、実施例の圧電共振子の他の
変形例を説明するための模式的平面図及び縦断面図。

【図７】実施例の圧電共振子において、振動部と封止部
までの最短距離Ｇと、厚み縦振動の基本波及び３倍波の
位相差との関係を示す。

【図８】実施例の圧電共振子において、比Ｇ／ｔと位相
差との関係を示す。

【図９】本発明のさらに他の変形例を示し、パッケージ
がベース基板とキャップ材とにより構成されている例を
示す分解図。

【図１０】従来のチップ型圧電共振子の一例を説明する
ための分解斜視図。

【図１１】従来のチップ型圧電共振子の他の例を説明す
るための縦断面図。

【符号の説明】

１…圧電共振子 ２…圧電共振素子 ２ａ…圧電基板 ２ｂ，２ｃ…第１，第２の励振電極 ２ｄ，２ｅ…引出電極 ３，４…第１，第２の封止基板 ３ａ，４ａ…凹部

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電板と、圧電板の両主面に部分的に形
   成されておりかつ圧電板を介して表裏対向するように形
   成された一対の励振電極とを有し、上記励振電極が対向
   されている部分により振動部が構成されている、厚み縦
   振動の３倍波を利用したエネルギー閉じ込め型圧電共振
   素子と、 前記圧電共振素子の振動部の振動を妨げないように、少
   なくとも前記振動部を密閉する空間を形成するように配
   置されたパッケージ材とを備え、 前記空間の周囲に、漏れ振動をダンピングするための封
   止部が構成されている圧電共振子において、 前記圧電共振素子の面方向において、前記振動部の中心
   が前記空間の中心から外れた位置となるように振動部が
   形成されていることを特徴とする、圧電共振子。
2. 【請求項２】 前記パッケージ材が、圧電共振素子の両
   主面に積層された第１，第２の封止基板を有し、 第１，第２の封止基板の圧電共振素子に積層される側の
   面に前記空間を形成するための凹部が形成されており、
   該凹部の周囲において第１，第２の封止基板が圧電共振
   素子に接合されており、該接合部分により前記封止部が
   構成されている、請求項１に記載の圧電共振子。
3. 【請求項３】 前記パッケージ材が、圧電共振素子の振
   動を妨げないように圧電共振素子が上面に積層されてい
   るベース基板と、下方に開口を有し、該開口周縁部にお
   いて前記ベース基板に接合されているキャップ材とを備
   え、 前記圧電共振素子が前記ベース基板に接合されている部
   分が前記封止部を構成している、請求項１に記載の圧電
   共振子。
4. 【請求項４】 前記圧電共振素子の厚みをｔとし、前記
   振動部から封止部までの最短距離をＧとしたときに、０
   ＜Ｇ／ｔ≦５とされている、請求項１〜３の何れかに記
   載の圧電共振子。
5. 【請求項５】 前記圧電共振素子の振動部の振動を妨げ
   ないための空間の中心が、前記圧電共振素子の面方向に
   おいて圧電共振素子の中心と一致するように形成されて
   いる、請求項１〜４の何れかに記載の圧電共振子。
6. 【請求項６】 前記圧電共振素子の振動を妨げないため
   の空間の中心が、圧電共振素子の面方向において、該圧
   電共振素子の面方向中心からずらされた位置に配置され
   ている請求項１〜４の何れかに記載の圧電共振子。
7. 【請求項７】 前記封止部が、接着剤により構成されて
   いる、請求項１〜６の何れかに記載の圧電共振子。