JPH11168343A - 厚み縦圧電共振子 - Google Patents

厚み縦圧電共振子

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JPH11168343A
JPH11168343A JP9334027A JP33402797A JPH11168343A JP H11168343 A JPH11168343 A JP H11168343A JP 9334027 A JP9334027 A JP 9334027A JP 33402797 A JP33402797 A JP 33402797A JP H11168343 A JPH11168343 A JP H11168343A
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electrode
excitation
piezoelectric resonator
thickness
electrodes
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JP9334027A
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Masaya Wajima
正哉 輪島
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/177Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of the energy-trap type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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    • H03H9/02007Details of bulk acoustic wave devices
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    • H03H9/0207Details relating to the vibration mode the vibration mode being harmonic
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基本波に起因するスプリアスを効果的に抑圧
し得ると共に小型化を図り得る、厚み縦振動モードの高
調波を利用した厚み縦圧電共振子を得る。 【解決手段】 厚み縦振動モードの高調波を利用したエ
ネルギー閉じ込め型の圧電共振子であって、圧電基板2
の両主面において部分的にかつ圧電基板2を介して表裏
対向するように第1,第2の励振電極3a,4aを形成
してなり、第1,第2の励振電極3a,4aにそれぞれ
第1,第2の引き出し電極3b,4bを連ね、第1,第
2の引き出し電極3b,4bに、それぞれ、圧電基板の
一端縁に沿うように形成されている第1,第2の端子電
極5,6を接続してなり、第1,第2の引き出し電極3
b,4bの少なくとも一方の一部にスプリアス抑制電極
部を連ねた厚み縦圧電共振子1。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、厚み縦振動モード
の高調波を利用した厚み縦圧電共振子に関し、より詳細
には、電極形状の改良により基本波に起因するスプリア
スの抑圧を可能とした厚み縦圧電共振子に関する。
【0002】
【従来の技術】例えばマイクロコンピュータなどのクロ
ック信号を発生するのに用いられるMHz帯の圧電発振
子として、厚み縦振動モードの高調波を利用した圧電共
振子が知られている。この種の圧電共振子においては、
厚み縦振動の高調波を利用するものであるため、厚み縦
振動の基本波による応答がスプリアスとなる。従って、
基本波に起因するスプリアスの抑圧が強く求められてい
る。
【0003】特開平4−216208号公報には、浮き
電極を用いて基本波に起因するスプリアスを抑圧するこ
とを可能とした、厚み縦振動の3倍波を利用した圧電共
振子が開示されている。
【0004】図15に、上記先行技術に記載の圧電共振
子の構造を示す。圧電共振子61では、矩形の圧電基板
62の上面中央に振動電極63が、下面中央に振動電極
64が形成されている。振動電極63,64は、圧電基
板62を介して表裏対向されている。
【0005】振動電極63は、引き出し電極65aを介
して圧電基板62の短辺側の端縁に沿って形成された端
子電極65bに接続されている。他方、振動電極64
は、圧電基板62の下面において、引き出し電極66a
を介して短辺側の端縁に沿って形成された端子電極66
bに電気的に接続されている。
【0006】また、圧電基板62の上面には、一対の長
辺側端縁に沿うように浮き電極67a,67bが、下面
においては、浮き電極67a,67bに対して圧電基板
62を介して表裏対向するように浮き電極67c,67
dがそれぞれ形成されている。
【0007】圧電共振子61では、振動電極63,64
が対向している部分が振動部を構成しており、厚み縦振
動の3倍波が該振動部に閉じ込められる。基本波は、振
動部を中心としてその周囲に伝搬するが、浮き電極67
a〜67dの機械的負荷と圧電短絡効果とにより、浮き
電極67a〜67dが形成されている部分に基本波の振
動エネルギーが吸収され、基本波に起因する不要スプリ
アスの抑圧が図られるとされている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記圧
電共振子61では、浮き電極67a〜67dを、圧電基
板62の短辺に沿う方向において振動部の両側に形成し
なければならず、従って浮き電極67a〜67dを形成
した分だけ小型化を進めることができないという問題が
あった。特に、基本波を浮き電極67a〜67dが設け
られている領域に誘導するには、浮き電極67a〜67
dの面積を大きくしなければならないため、基本波に起
因するスプリアスの抑圧と圧電共振子61の小型化とを
両立することは非常に困難であった。
【0009】本発明の目的は、厚み縦振動モードの高調
波を利用した厚み縦圧電共振子において、基本波に起因
する不要スプリアスを効果的に抑圧することができると
共に、小型化を図り得る厚み縦圧電共振子を提供するこ
とにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、厚み縦振動モードの高調波を利用したエネルギー閉
じ込め型の圧電共振子であって、圧電基板と、圧電基板
の両主面において部分的に設けられており、かつ圧電基
板を介して表裏対向するように形成されている第1,第
2の励振電極と、第1,第2の励振電極にそれぞれ連ね
られており、かつ圧電基板の一端縁に向かって延ばされ
ている第1,第2の引き出し電極と、第1または第2の
引き出し電極に接続されており、かつ圧電基板の一端縁
に沿うように形成されている第1,第2の端子電極とを
備え、前記第1,第2の引き出し電極の少なくとも一方
の一部に連ねられて設けられたスプリアス抑制電極部を
さらに備えることを特徴とする。
【0011】また、請求項2に記載の発明では、前記ス
プリアス抑制電極部が前記引き出し電極の幅を増加させ
るように引き出し電極の引き出し方向と交差する方向に
形成されている。
【0012】請求項3に記載の発明では、前記引き出し
電極のスプリアス抑制電極部が設けられている部分の幅
方向寸法が、励振電極の該幅方向寸法の1/2以上とさ
れている。
【0013】好ましくは、請求項4に記載のように、引
き出し電極のスプリアス抑制電極が設けられている部分
の幅方向寸法が、励振電極の該幅方向寸法以上とされて
いる。
【0014】請求項5に記載の発明では、第1の励振電
極が圧電基板の一方主面において略中央に設けられた円
形の形状を有し、第2の励振電極、第2の引き出し電極
及び第2の端子電極が第1の励振電極と表裏対向する領
域を含む一つの矩形の電極膜により構成されており、該
矩形の電極膜の内、第1の励振電極と表裏対向する領域
が第2の励振電極部とされている。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明に
係る厚み縦圧電共振子の非限定的な実施例を挙げること
より、本発明を明らかにする。
【0016】図1は、本発明の第1の実施例に係る厚み
縦圧電共振子を示す斜視図である。厚み縦圧電共振子1
は、矩形板状の圧電基板2を用いて構成されている。圧
電基板2は、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミッ
クスのような圧電セラミックス、あるいは水晶、LiT
aO3 、LiNbO3 などの圧電単結晶により構成され
得る。圧電基板2が圧電セラミックスにより構成されて
いる場合には、厚み方向に分極処理されている。
【0017】圧電基板2の上面2aには、矩形の第1の
励振電極3aが略中央に形成されている。第1の励振電
極3aと連ねられて、引き出し電極3bが第1の励振電
極3aから圧電基板2の短辺側の端縁2bに向かって延
びるように形成されている。引き出し電極3bの外側端
部は、圧電基板2の短辺側端縁2bに沿うように形成さ
れた端子電極5に電気的に接続されている。
【0018】ところで、第1の励振電極3aは、円形の
形状を有し、その引き出し電極3bと連ねられている部
分の外縁を一点鎖線で示す。すなわち、本実施例では、
引き出し電極3bの幅と第1の励振電極3aの該幅方向
に沿う寸法、すなわち径とが等しくされており、かつ引
き出し電極3bが励振電極3aに連ねられている。な
お、本明細書において、第1,第2の引き出し電極の幅
方向寸法とは、第1,第2の引き出し電極の引き出し方
向と直交する方向の寸法をいうものとする。
【0019】第1の端子電極5は、圧電基板2の上面2
aにおいて、短辺側端縁2bに沿うように形成されてお
り、その幅寸法は、第1の引き出し電極3bの幅よりも
大きくされている。また、第1の端子電極5は、圧電基
板2の上面2aから端面2cを経て下面2dに至るよう
に形成されている。
【0020】他方、圧電基板2の下面においても、略中
央領域に円形の第2の励振電極4aが形成されている。
第2の励振電極4aは、第1の励振電極3aと圧電基板
2を介して表裏対向するように形成されている。第2の
励振電極4aには、第2の引き出し電極4bが連ねられ
ている。第2の引き出し電極4bは、その幅方向寸法
が、第2の励振電極4aの径、すなわち上記幅方向寸法
と同一とされている。
【0021】また、第2の引き出し電極4bは、圧電基
板2の下面2dにおいて短辺側端縁2eに沿うように形
成された第2の端子電極6に電気的に接続されている。
第2の端子電極6の幅方向寸法は、第2の引き出し電極
4bの幅方向寸法よりも大きくされている。
【0022】厚み縦圧電共振子1では、端子電極5,6
が、いずれも圧電基板2の下面2dに至る部分を有する
ため、図示の向きのまま例えばプリント回路基板などに
容易に表面実装することができる。
【0023】厚み縦圧電共振子1では、端子電極5,6
から交流電圧を印加することにより、第1,第2の励振
電極3a,4aが表裏対向している振動部が圧電効果に
より厚み縦振動モードで励振される。この場合、厚み縦
振動の3倍波が振動部に閉じ込められるが、厚み縦振動
の基本波については、振動部外へ伝搬する。従って、上
記厚み縦振動の基本波の振動に起因するスプリアスが問
題となる。
【0024】本実施例の厚み縦圧電共振子1では、上記
基本波に起因する不要スプリアスを抑圧するために、引
き出し電極3b,4bの幅を拡げ、引き出し電極3b,
4bにスプリアス抑制電極部が設けられている。すなわ
ち、本実施例の厚み縦圧電共振子1では、第1,第2の
引き出し電極3b,4bは、単に第1,第2の励振電極
3a,4aと端子電極5,6とをそれぞれ電気的に接続
する機能を果たすだけでなく、基本波に起因するスプリ
アスを抑圧する機能も果たす。
【0025】上記のように、引き出し電極3b,4bの
幅方向寸法を増大させることにより、すなわちスプリア
ス抑制電極部を設けることにより、基本波に起因するス
プリアスが効果的に抑圧されるのは、該スプリアス抑制
電極部を設けたことにより、基本波が引き出し電極3
b,4bに誘導され、圧電基板2の長手方向両端まで基
本波が効果的に導かれることによる。
【0026】他方、端子電極5,6は、導電性接合剤な
どを介して外部と電気的に接続される部分であると共に
機械的に固定される部分でもある。従って、上記スプリ
アス抑制電極部により端子電極5,6が設けられている
部分、すなわち圧電基板2の長手方向両端部分まで基本
波が効果的に導かれた後、該基本波が上記固定部分によ
り効果的にダンピングされ、基本波に起因するスプリア
スが抑圧される。
【0027】また、スプリアス抑制電極部は引き出し電
極3b,4bに一体に設けられており、圧電基板2の短
辺方向においては振動部の両側に浮き電極等を形成する
必要がないため、厚み縦圧電共振子1の小型化を妨げる
こともない。
【0028】なお、スプリアス抑制電極部が設けられた
引き出し電極3b,4bの幅方向寸法については、基本
波に起因するスプリアスを抑制し得る限り特に限定され
るわけではないが、好ましくは、第1,第2の励振電極
3a,4aの幅方向寸法を図2に示すようにdとした場
合、第1,第2の引き出し電極3b,4bの幅Dは、D
=(1/2)d以上とすることが望ましい。1/2未満
の場合には、引き出し電極3b,4bの幅を増大させて
スプリアス抑制電極部を設けたことによる効果、すなわ
ち基本波に起因するスプリアスを抑制する効果が十分に
得られないことがある。
【0029】上記第1,第2の励振電極3a,4aの幅
方向寸法dを一定とし、第1,第2の引き出し電極3
b,4bの幅Dを種々変化させた場合の基本波スプリア
スの大きさの変化を図14に示す。図14は、平面形状
が2.2×1.1mmであり、中心周波数が30MHz
であり、第1,第2の励振電極3a,4aの幅方向寸法
dが0.7mmの圧電共振子1において、第1,第2の
引き出し電極3b,4bの幅Dを0.2〜0.7mmま
で変化させた場合の基本波に起因するスプリアス、すな
わち基本波の位相差の最大値を示す。図14から明らか
なように、Dを0.35mm以上とした場合、基本波に
起因するスプリアスが低減されることがわかる。より好
ましくは、上記第1,第2の引き出し電極3b,4bの
幅Dは、第1,第2の励振電極3a,4aの幅方向寸法
d以上とすることが望ましい。
【0030】次に、具体的な実験例を挙げることによ
り、上記第1,第2の引き出し電極にスプリアス抑制電
極部を設けたことによる基本波スプリアス抑制効果を説
明する。
【0031】上記厚み縦圧電共振子1を用い、図3及び
図4に示すチップ型圧電共振部品を作製した。すなわ
ち、絶縁材料からなり、上方に矩形の開口8aを有する
ケース本体8と、平板状の絶縁材料からなる蓋材9とに
よりケースを構成し、該ケース内に厚み縦圧電共振子1
を収納した。
【0032】ケース本体8には、外部電極10a,10
bが形成されている。外部電極10a,10bは、ケー
ス本体8の長手方向両端近傍において形成されている。
また、外部電極10a,10bは、それぞれ、開口8a
内、ケース本体8の一対の側面8b,8c及び下面8d
に至るように形成されている。
【0033】他方、ケース本体8の開口8a内では、導
電性接着剤11a,11bを介して厚み縦圧電共振子1
が接合されている。この場合、導電性接着剤11aによ
り端子電極6が外部電極10aに接続される。また、導
電性接着剤11bにより端子電極5が外部電極10bに
接続される。
【0034】また、蓋材9は、図示しない絶縁性接着剤
を用いてケース本体8に接合されており、それによって
ケース内が封止される。このようにして得られたチップ
型圧電共振部品11では、外部電極10a,10bが、
ケース本体8の側面8b,8c及び下面8dに至るよう
に形成されているため、プリント回路基板などに容易に
表面実装することができる。
【0035】また、厚み縦圧電共振子1では、上記のよ
うに、基本波が、スプリアス抑制電極部が設けられた第
1,第2の引き出し電極3b,4bにより圧電基板2の
両端に効果的に導かれる。加えて、圧電基板2の両端近
傍が、導電性接着剤11a,11bを介してケース本体
8に接合されるため、漏洩してきた基本波が該固定構造
により効果的にダンピングされる。従って、基本波に起
因する不要スプリアスを効果的に抑圧することができ
る。
【0036】いま、上記チップ型圧電共振部品を以下の
仕様で作製し、厚み縦振動モードの3倍波及び基本波の
応答を測定した。結果を図5及び図6に示す。なお、厚
み縦圧電共振子1としては、圧電基板が2.2×1.1
×厚み0.25mmであり、チタン酸鉛からなるものを
用い、第1,第2の励振電極3a,4aの径は0.7m
mとし、厚み縦振動の3倍波が30MHzの周波数位置
に表れるように構成した。
【0037】比較のために、図7に示すスプリアス抑制
電極部を有しない厚み縦圧電共振子71を作製し、同様
にケース本体8及びケース9並びに導電性接着剤11
a,11bを用いてチップ型圧電共振部品を作製し、そ
の特性を測定した。なお、図7に示す比較例の厚み縦圧
電共振子71では、実施例の厚み縦圧電共振子1と同じ
圧電基板を用い、第1,第2の励振電極についても、実
施例と同様に直径0.7mmとした。すなわち、引き出
し電極73b,74bの幅を、0.3mmとしたことを
除いては、上記実施例の厚み縦圧電共振子1と同様に構
成した。
【0038】図8及び図9に、比較例のチップ型圧電共
振部品の厚み縦振動の3倍波及び厚み縦振動の基本波の
応答をそれぞれ示す。図8,図9に示した特性と、図5
及び図6に示した特性とを比較すれば明らかなように、
比較例の厚み縦圧電共振子71を用いた場合、基本波の
スプリアスは、基本波の位相最大値で78.6度と大き
いのに対し、実施例では、基本波スプリアスの位相最大
値が61.5度と小さく、従って基本波に起因するスプ
リアスが効果的に抑圧されていることがわかる。
【0039】なお、上記第1,第2の励振電極、第1,
第2の引き出し電極及び第1,第2の端子電極等を構成
する材料については、特に限定されず、従来より圧電共
振子に用いられている適宜の電極材料、例えばAg、C
u、Ag−Pd合金などを用いることができる。また、
第1,第2の励振電極については、上記実施例のように
平面形状が円形のものに限られず、正方形や長方形など
任意の形状とすることができる。
【0040】図10は、本発明の第2の実施例に係る厚
み縦圧電共振子を示す斜視図である。第2の実施例の厚
み縦圧電共振子21では、圧電基板22の一方主面にの
みスプリアス抑制電極部が設けられた引き出し電極が構
成されている。
【0041】すなわち、圧電基板22の上面22aの略
中央には、平面形状が円形の第1の励振電極23aが形
成されている。第1の励振電極23aは、引き出し電極
23bを介して端子電極25に接続されている。端子電
極25は、圧電基板22の上面22aから端面22bを
経て下面22cに至るように形成されている。
【0042】他方、圧電基板22の下面22cにおいて
は、圧電基板22の短辺側端縁22dから中央に向かっ
て圧電基板22の全幅に至る幅寸法を有する矩形の電極
26が形成されている。電極26は、第1の励振電極2
3aと圧電基板22を介して表裏対向する位置まで延ば
されている。本実施例では、電極26のうち、第1の励
振電極23aと圧電基板22を介して表裏対向する電極
部分、すなわち図10に示す円形の電極部分26aが第
2の励振電極を構成している。また、電極26のうち、
端縁22d近傍部分が外部と接続するための端子電極部
分を構成し、その他の部分、すなわち端子電極部分と第
2の励振電極部26aとを結ぶ部分が、第2の引き出し
電極と第2の引き出し電極の引き出し方向側方に連ねら
れたスプリアス抑制電極部とを構成している。
【0043】すなわち、厚み縦圧電共振子21では、圧
電基板22の上面22aにおいては、従来の厚み縦圧電
共振子と同様に、励振電極23a及び引き出し電極23
bが形成されているのに対し、圧電基板22の下面にお
いて、本発明に従ってスプリアス抑制電極が連ねられた
第2の引き出し電極が構成されている。
【0044】本実施例においても、端子電極25と電極
26との間に交流電圧を印加した場合、振動部(第1の
励振電極23aと第2の励振電極部26aが表裏対向し
ている部分)が厚み縦振動モードで励振され、厚み縦振
動の3倍波が振動部に効果的に閉じ込められる。また、
厚み縦振動の基本波については、振動部外に伝搬する
が、矩形の電極26が設けられているため、すなわち第
2の引き出し電極及び第2の引き出し電極に一体に設け
られたスプリアス抑制電極により、基本波が端縁22d
側に効果的に導かれる。従って、電極26を端縁22d
近傍で固定することにより、基本波をダンピングするこ
とができ、基本波に起因するスプリアスを効果的に抑制
することができる。
【0045】圧電共振子21において、基本波に起因す
るスプリアスを効果的に抑圧し得ることを、具体的な実
験例に基づき説明する。上記圧電共振子21として、以
下の仕様のものを作製した。
【0046】すなわち、上述した第1の実施例の実験例
と同様の圧電基板を用い、上面に、直径0.7mmの円
形の第1の励振電極23aと、幅0.3mmの第1の引
き出し電極23bを形成した。すなわち、上面の電極構
造は上述した比較例と同様とした。また、圧電基板22
の下面には、幅1.1×長さ1.45mmの矩形の電極
26を形成した。
【0047】上記のようにして得られた3倍波の波長が
34MHzである厚み縦圧電共振子21を用い、図3及
び図4に示したチップ型圧電共振部品と同様にしてチッ
プ型部品を作製し、その特性を測定した。厚み縦振動の
3倍波及び基本波の応答を、それぞれ、図11及び図1
2に示す。
【0048】図12から明らかなように、第2の実施例
に係る圧電共振子21を用いた場合においても、基本波
に起因するスプリアスの位相最大値は57度と小さく、
従って、上述した比較例の厚み縦圧電共振子を用いた場
合に比べ、基本波に起因するスプリアスを効果的に抑圧
し得ることがわかる。
【0049】また、第2の実施例に係る厚み縦圧電共振
子21では、下面に形成された電極26が矩形の形状を
有し、圧電基板22の下面の全幅に至るように形成され
ているため、励振電極23aと第2の励振電極部26a
との重なり精度を高めることもできる。
【0050】すなわち、図13(a)に示すように、第
1の励振電極23aが矩形の電極26と正しく重ねられ
ている場合に対し、第1の励振電極23a、引き出し電
極23b及び端子電極25の印刷位置が、圧電基板22
の長さ方向にずれたとしても、図13(b)に示すよう
に、第1の励振電極23aが矩形の電極26に表裏対向
し得る領域にある限り、振動部の面積が変化することは
ない。すなわち、一方の励振電極が矩形の電極26の一
部を用いて構成されているので、電極26と第1の励振
電極23aとの重なり面積の精度を高めることができ、
あるいは第1の励振電極23aの印刷に際しての許容度
を拡げることができる。
【0051】また、第1の励振電極23aの幅方向に第
1の励振電極23aの印刷位置がずれた場合であって
も、同様に、第1の励振電極23aを下方に投影した部
分が矩形の電極26内に収まる限り、所望とする面積の
振動部を確実に構成することができる。
【0052】なお、本発明においては、上記スプリアス
抑制電極部におけるスプリアス抑制効果を高めるため
に、スプリアス抑制電極部にさらに樹脂層を積層しダン
ピング効果を高めてもよい。このような樹脂層を構成す
る材料としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂
など適宜の樹脂を用いることができ、特にスプリアス抑
制電極部上への形成が容易であるため、シリコーン系接
着剤やエポキシ系接着剤などの接着剤を用いることが望
ましい。
【0053】
【発明の効果】請求項1に記載の発明に係る厚み縦圧電
共振子では、第1,第2の励振電極に連ねられている第
1,第2の引き出し電極の少なくとも一方の一部にスプ
リアス抑制電極部が連ねられているため、厚み縦振動モ
ードの基本波が第1,第2の引き出し電極により圧電基
板の端部に向かって効果的に導かれる。従って、第1,
第2の引き出し電極に接続された第1,第2の端子電極
を用いて厚み縦圧電共振子を固定することにより、導か
れてきた基本波を効果的にダンピングすることができ、
基本波に起因するスプリアスを抑圧することができ、良
好な共振特性を有する厚み縦振動モードの高調波を利用
した厚み縦圧電共振子を提供することができる。
【0054】また、従来の厚み縦圧電共振子では、圧電
基板の短辺に沿う方向において振動部の両側に浮き電極
を形成する必要があったため、基本波の抑圧を浮き電極
により図った場合、圧電共振子の小型化が妨げられてい
たのに対し、請求項1に記載の発明では、上記スプリア
ス抑制電極部は引き出し電極の一部に連ねられて設けら
れているので、小型化を妨げることもない。
【0055】請求項2に記載の発明では、スプリアス抑
制電極部が、引き出し電極の幅を増加させるように引き
出し電極の引き出し方向と交差する方向に連ねられて形
成されているので、引き出し電極の形成に際し、同一工
程により上記スプリアス抑制電極部を容易に形成するこ
とができる。
【0056】請求項2に記載の発明に係る厚み縦圧電共
振子では、スプリアス抑制電極部が引き出し電極の幅を
増加させるように引き出し電極の引き出し方向と交差す
る方向に形成されているので、引き出し電極の形成に際
し、その幅を増大させるだけでスプリアス抑制電極部を
容易に形成することができると共に、基本波に起因する
スプリアスを抑制しつつ厚み縦圧電共振子の小型化を図
ることができる。
【0057】請求項5に記載の発明に係る厚み縦圧電共
振子では、第1の励振電極が圧電基板の一方主面におい
て略中央に設けられた円形の形状を有し、第2の励振電
極、第2の引き出し電極及び第2の端子電極が第1の励
振電極と表裏対向する領域を含む一つの矩形の電極膜に
より構成されており、該矩形の電極膜の内第1の励振電
極と表裏対向する領域が第2の励振電極部とされている
ため、該矩形の電極膜において第2の引き出し電極の側
方にスプリアス抑圧電極部が構成されて基本波に起因す
るスプリアスを抑圧し得ると共に、第1の励振電極と第
2の励振電極部との重なり面積のばらつきを低減するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る厚み縦圧電共振子
を示す斜視図。
【図2】第1の実施例に係る厚み縦圧電共振子の平面
図。
【図3】第1の実施例に係る厚み縦圧電共振子を用いた
チップ型圧電共振部品の斜視図。
【図4】第1の実施例の厚み縦圧電共振子を用いて構成
されたチップ型圧電共振部品の外観を示す斜視図。
【図5】第1の実施例に係る厚み縦圧電共振子を用いた
チップ型圧電共振子の厚み縦振動モードの3倍波の応答
を説明するための共振特性を示す図。
【図6】第1の実施例に係る厚み縦圧電共振子を用いた
チップ型圧電共振部品における基本波の応答を説明する
ための共振特性を示す図。
【図7】比較のために用意した厚み縦圧電共振子を説明
するための平面図。
【図8】比較例の厚み縦圧電共振子を用いて構成された
チップ型圧電共振部品の厚み縦振動の3倍波の応答を説
明するための共振特性を示す図。
【図9】比較例の厚み縦圧電共振子を用いて構成された
チップ型圧電共振部品の厚み縦振動の基本波の応答を説
明するための共振特性を示す図。
【図10】本発明の第2の実施例に係る厚み縦圧電共振
子を示す斜視図。
【図11】第2の実施例に係る厚み縦圧電共振子を用い
て構成されたチップ型圧電共振部品における厚み縦振動
の3倍波の応答を説明するための共振特性を示す図。
【図12】第2の実施例に係る厚み縦圧電共振子を用い
て構成されたチップ型圧電共振部品における厚み縦振動
の基本波の応答を説明するための共振特性を示す図。
【図13】(a)及び(b)は、それぞれ、第2の実施
例に係る厚み縦圧電共振子における励振電極の重なり状
態を説明するための各平面図。
【図14】第1の実施例に係る厚み縦圧電共振子におい
て、引き出し電極の幅方向寸法Dを変化させた場合の基
本波に起因するスプリアスの変化を示す図。
【図15】従来の厚み縦圧電共振子の一例を示す斜視
図。
【符号の説明】 1…厚み縦圧電共振子 2…圧電基板 2a…上面 2b…短辺側端縁 2c…端面 2d…下面 2e…短辺側端縁 3a,4a…第1,第2の励振電極 3b,4b…第1,第2の引き出し電極 5…第1の端子電極 6…第2の端子電極 D…第1,第2の引き出し電極の幅方向寸法 d…第1,第2の励振電極の幅方向寸法 21…厚み縦圧電共振子 22…圧電基板 22a…上面 22b…端面 22c…下面 22d…短辺側の端縁 23a…第1の励振電極 23b…第1の引き出し電極 25…第1の端子電極 26…電極 26a…第2の励振電極部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 厚み縦振動モードの高調波を利用したエ
    ネルギー閉じ込め型の圧電共振子であって、 圧電基板と、 圧電基板の両主面において部分的に設けられており、か
    つ圧電基板を介して表裏対向するように形成されている
    第1,第2の励振電極と、 第1,第2の励振電極にそれぞれ連ねられており、かつ
    圧電基板の一端縁に向かって延ばされている第1,第2
    の引き出し電極と、 第1または第2の引き出し電極に接続されており、かつ
    圧電基板の一端縁に沿うように形成されている第1,第
    2の端子電極とを備え、 前記第1,第2の引き出し電極の少なくとも一方の一部
    に連ねられて設けられたスプリアス抑制電極部をさらに
    備えることを特徴とする、厚み縦圧電共振子。
  2. 【請求項2】 前記スプリアス抑制電極部が前記引き出
    し電極の幅を増加させるように引き出し電極の引き出し
    方向と交差する方向に形成されている、請求項1に記載
    の厚み縦圧電共振子。
  3. 【請求項3】 前記引き出し電極のスプリアス抑制電極
    部が設けられている部分の幅方向寸法が、励振電極の該
    幅方向寸法の1/2以上とされている、請求項1または
    2に記載の厚み縦圧電共振子。
  4. 【請求項4】 引き出し電極のスプリアス抑制電極が設
    けられている部分の幅方向寸法が、励振電極の該幅方向
    寸法以上とされていることを特徴とする、請求項1また
    は2に記載の厚み縦圧電共振子。
  5. 【請求項5】 第1の励振電極が圧電基板の一方主面に
    おいて略中央に設けられた円形の形状を有し、第2の励
    振電極、第2の引き出し電極及び第2の端子電極が第1
    の励振電極と表裏対向する領域を含む一つの矩形の電極
    膜により構成されており、該矩形の電極膜の内、第1の
    励振電極と表裏対向する領域が第2の励振電極部とされ
    ている、請求項1〜4のいずれかに記載の厚み縦圧電共
    振子。
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