CN102099905A - 半导体装置及显示装置 - Google Patents
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Abstract
在本发明的COF(10),将散热材料(7)设置成如下:通过设置越靠近其端部(7a、7b)周边的区域而面积越大的开口部等,使所述散热材料(7)的体积(面积)减少。通过所述构成,可提高弯折COF(10)时的弯折性,以及防止由所述弯折所产生的应力集中在散热材料(7)的端部(7a、7b),从而避免绝缘膜(1)上的布线(2)发生断线。而且,当将COF(10)安装在显示装置(30)时,能够使接合COF(10)与显示面板(15)时所使用的各向异性导电树脂不发生剥离。
Description
技术领域
本发明涉及一种作为设置着金属性散热材料的COF(Chip On Film,覆晶薄膜)的半导体装置及包含该半导体装置的显示装置,本发明尤其涉及一种设置着所述金属性散热材料并提高了弯折性的半导体装置及包含该半导体装置的显示装置。
背景技术
以往,作为COF中的半导体元件所放出的热的散热对策,设计了下述技术:在COF的绝缘膜的搭载着半导体元件的面的相反面,在与搭载着半导体元件的位置相当的部位或整个面,设置金属性散热材料(参照专利文献1)。以下,使用图9(a)对使用该技术的COF进行简单说明。
如图所示,作为使用所述技术的COF的COF110包括:绝缘膜101;布线102,设置在绝缘膜101的其中一面;及阻焊剂103,以覆盖绝缘膜101及布线102的一部分的方式设置;且设置在半导体元件104上的凸块电极104a与布线102接合。并且,COF110包括:密封树脂106,填充在半导体元件104周边,将半导体元件104固定在绝缘膜101上,且保护其免受外部影响;及散热材料107(具体而言为板状且由铜所构成),设置在绝缘膜101的所述其中一面的相反面(背面)。COF110中包含散热材料107,由此可提高半导体元件104所放出的热的散热性。
专利文献1:日本国公开专利公报,特开2006-108356号公报(公开日:2006年4月20日)。
专利文献2:日本国公开专利公报,特开2005-294639号公报(公开日:2005年10月20日)。
发明内容
当将COF110安装在例如显示面板中时,是将该COF110弯折来进行安装的,但此时,散热材料107会妨碍弯折,由弯折所产生的应力集中在弯折性较差的区域与容易弯折的区域的边界部分即散热材料107端部,从而会产生设置在散热材料107端部的相反面的布线102发生断线的问题。并且,如果因散热材料107导致COF110的弯折性劣化,那么会产生因自弯折恢复原状的恢复力而导致显示面板与COF110的接合中所使用的各向异性导电树脂剥离的问题。
本发明是鉴于所述问题而完成的,其目的在于提供一种设置着散热材料并提高了弯折性从而不会产生布线的断线等不良情况的半导体装置、及包含该半导体装置的显示装置。
为了解决所述课题,本发明的半导体装置包括:绝缘膜;布线,设置在所述绝缘膜的其中一面且具有外部连接用端子与半导体元件连接用端子;及散热构件,设置在所述绝缘膜的其中一面的相反面;且半导体元件接合于所述布线中的所述半导体元件连接用端子,所述半导体装置的特征在于:比起所述散热构件中的相当于所述半导体元件及其周边的区域即第一区域,与该第一区域邻接的相当于所述散热构件端部周边的区域即第二区域的所述散热构件的每单位面积的体积更少,且比起所述第二区域中的与所述第一区域邻接的区域即第三区域,与该第三区域邻接且与所述散热构件端部邻接的区域即第四区域的所述散热构件的每单位面积的体积更少。
另外,为了解决所述课题,本发明的半导体装置包括:绝缘膜;布线,设置在所述绝缘膜的其中一面且具有外部连接用端子与半导体元件连接用端子;及散热构件,设置在所述绝缘膜的其中一面的相反面;且半导体元件接合于所述布线中的所述半导体元件连接用端子,所述半导体装置优选:比起所述散热构件中的相当于所述半导体元件及其周边的区域即第一区域,与该第一区域邻接的相当于所述散热构件端部周边的区域即第二区域的所述散热构件的每单位长度的面积更少,且比起所述第二区域中的与所述第一区域邻接的区域即第三区域,与该第三区域邻接且与所述散热构件端部邻接的区域即第四区域的所述散热构件的每单位长度的面积更少。
另外,为了解决所述课题,本发明的显示装置的特征在于包括使用所述半导体装置安装而成的用于驱动显示装置的显示装置驱动模块。
根据所述构成,本发明的半导体装置中,散热构件设置成越靠近其端部周边的区域,每单位面积的体积(每单位长度的面积)越少。通过所述构成,使弯折所述半导体装置时的弯折性提高,可防止由该弯折所产生的应力集中在所述散热构件端部,从而可防止绝缘膜上的布线断线。而且,通过使所述半导体装置的弯折性提高,当将所述半导体装置安装在显示面板中时,能够使所述半导体装置与所述显示面板的接合中所使用的各向异性导电树脂不会发生剥离。
而且,所述半导体装置是在相当于半导体元件及其周边的区域中确保了所述散热构件的体积(面积),因而使弯折性提高的同时,也维持了所述散热构件原本的功能(所述半导体元件所放出的热的散热)。
另外,根据所述构成,本发明的显示装置包括使用提高了弯折性、不会产生布线的断线等不良情况且具有散热功能的所述或下述半导体装置安装而成的用于驱动显示装置的显示装置驱动模块,因此可确保所述显示装置的运作具有高可靠性。
根据以上内容,所述半导体装置发挥可提供设置着散热材料并提高了弯折性而不会发生布线的断线等不良情况的半导体装置、及包含该半导体装置的显示装置的效果。
本发明的半导体装置优选:在所述第二区域中设置着贯通至所述绝缘膜为止的多个孔即开口,其中所述孔即开口未设置在所述第一区域,该开口中分别设置着多个第一开口部及第二开口部;所述第一开口部是面积小于所述第二开口部的开口;所述第一开口部设置在所述第三区域,所述第二开口部设置在所述第四区域。
根据所述构成,设置越靠近所述散热构件端部周边的区域而面积越大的开口部,从而减少所述散热构件的面积。通过所述构成,可发挥如上所述的提高所述半导体装置的弯折性以防止所述布线断线等各种效果。
本发明的半导体装置优选:在所述第二区域设置多个贯通至所述绝缘膜为止的孔即开口,其中所述孔即开口未设置在所述第一区域,该开口中设置多个第一开口部;所述第一开口部在所述第四区域设置得比所述第三区域多。
根据所述构成,越靠近所述散热构件端部周边的区域,设置的开口部越多,从而减少所述散热构件的面积。通过所述构成,可发挥如上所述的提高所述半导体装置的弯折性以防止所述布线断线等各种效果。
本发明的半导体装置优选:所述开口部分别为不具有90°以下的角的形状。
另外,本发明的半导体装置优选:所述开口部为圆形或五边形以上的多边形的形状。另外,所述五边形以上的多边形是指例如六边形,即由五条以上的线段所包围的多边形。
如果设置在所述散热构件中的开口部为具有90°以下的角的形状,那么应力会集中在所述角,从而有可能产生以该角为起点的弯折及龟裂。因此,如所述构成所示,通过将设置在所述散热构件中的开口部设为不具有90°以下的角的形状,例如圆形或五边形以上的多边形的形状,则可缓和应力集中在所述开口部的角的情况,从而防止产生所述弯折及所述龟裂。另外,尤其优选为圆形。
本发明的半导体装置优选:在所述第二区域设置多个缺口,所述多个缺口未设置在所述第一区域,且越朝向所述散热构件端部,所述第二区域的所述散热构件的每单位长度的面积越少。
根据所述构成,设置越朝向所述散热构件端部,所述第二区域的所述散热构件的面积越少的多个缺口,从而减少所述散热构件的每单位长度的面积。通过所述构成,可发挥如上所述的提高所述半导体装置的弯折性以防止布线断线等各种效果。另外,该构成中,随着朝向所述散热构件端部,所述散热构件的面积连续地变少,因而与设置所述开口部的构成相比,可进一步防止由弯折所产生的应力集中在所述散热构件端部,而更显著地发挥防止所述布线断线等各种效果。
本发明的半导体装置优选:所述缺口设置在所述第二区域中的所述散热构件端部的除中央部的区域以外的区域。
而且,本发明的半导体装置优选:所述缺口仅设置在所述第二区域中的所述散热构件端部的中央部的区域。
根据所述构成,将越朝向所述散热构件端部,所述第二区域的所述散热构件的面积越少的多个缺口设置在所述散热构件端部的除中央部的区域以外的区域,或者仅设置在中央部的区域,从而减少所述散热构件的面积。通过所述构成,可发挥如上所述的提高所述半导体装置的弯折性以防止布线断线等各种效果。
另外,根据所述构成,也可发挥如下所示的效果。所述半导体装置是在以产品的形式出厂的阶段中,在所述半导体元件周边填充着树脂,以将所述半导体元件固定在所述绝缘膜上,且保护所述半导体元件免受外部的水分等的影响。所述树脂有时会由于安装所述半导体装置时所施加的热而收缩,导致所述半导体装置产生翘曲。而且,有时也会由于散热构件的热膨胀与绝缘膜的热膨胀的失配而导致产生翘曲。如果在产生所述翘曲的状态下安装所述半导体装置,那么例如当安装在显示面板时,应力会集中在所述散热构件端部,从而产生所述显示面板与所述半导体装置的接合中所使用的各向异性导电树脂发生剥离等问题。因此,通过将所述多个缺口设置在所述散热构件端部的除中央部的区域以外的区域,或者仅设置在中央部的区域,则可缓和由于所述翘曲而导致应力集中在所述散热构件端部,从而可防止所述各向异性导电树脂的剥离。
优选设置所述缺口的区域根据所述半导体装置的翘曲的方向与弯折的方向来改变。具体而言,在以中央部隆起的方式翘曲的情况下,将所述缺口仅设置在所述散热构件端部的中央部的区域,而在以中央部凹陷的方式翘曲的情况下,则将所述缺口设置在所述散热构件端部的除中央部的区域以外的区域。
本发明的半导体装置优选在所述散热构件中设置着狭缝。
根据所述构成,通过在所述散热构件中设置着狭缝,可防止且缓和所述散热构件的热膨胀,从而可防止以往由散热构件的热膨胀所产生的布线的变形或断线。另外,如果例如所述散热构件为长方形的散热构件,那么所述狭缝根据其功能而设置在所述散热构件的长边方向。
(发明的效果)
本发明的半导体装置包括:绝缘膜;布线,设置在所述绝缘膜的其中一面且具有外部连接用端子与半导体元件连接用端子;及散热构件,设置在与所述绝缘膜的其中一面相反的面;且半导体元件接合于所述布线中的所述半导体元件连接用端子,所述半导体装置的特征在于:比起所述散热构件中的相当于所述半导体元件及其周边的区域即第一区域,与该第一区域邻接的相当于所述散热构件端部周边的区域即第二区域的所述散热构件的每单位面积的体积更少,且比起所述第二区域中的与所述第一区域邻接的区域即第三区域,与该第三区域邻接且与所述散热构件端部邻接的区域即第四区域的所述散热构件的每单位面积的体积更少。
另外,本发明的半导体装置包括:绝缘膜;布线,设置在所述绝缘膜的其中一面且具有外部连接用端子与半导体元件连接用端子;及散热构件,设置在与所述绝缘膜的其中一面相反的面;且半导体元件接合于所述布线中的所述半导体元件连接用端子,所述半导体装置优选:比起所述散热构件中的相当于所述半导体元件及其周边的区域即第一区域,与该第一区域邻接的相当于所述散热构件端部周边的区域即第二区域的所述散热构件的每单位长度的面积更少,且比起所述第二区域中的与所述第一区域邻接的区域即第三区域,与该第三区域邻接且与所述散热构件端部邻接的区域即第四区域的所述散热构件的每单位长度的面积更少。
而且,为了解决所述课题,本发明的显示装置的特征在于包含使用所述半导体装置安装而成的用于驱动显示装置的显示装置驱动模块。
根据所述构成,在本发明的半导体装置中,散热构件设置成越靠近其端部周边的区域,每单位面积的体积(每单位长度的面积)越少。通过所述构成,弯折所述半导体装置时的弯折性提高,可防止由该弯折所产生的应力集中在所述散热构件端部,从而可防止绝缘膜上的布线断线。另外,通过使所述半导体装置的弯折性提高,当将所述半导体装置安装在显示面板中时,能够使所述半导体装置与所述显示面板的接合中所使用的各向异性导电树脂不会发生剥离。
另外,所述半导体装置中,在相当于半导体元件及其周边的区域中,确保了所述散热构件的体积(面积),因此,提高了弯折性的同时,也维持了所述散热构件原本的功能(所述半导体元件所放出的热的散热)。
另外,根据所述构成,本发明的显示装置包括使用提高了弯折性、不会发生布线的断线等不良情况且具有散热功能的所述或下述半导体装置安装而成的用于驱动显示装置的显示装置驱动模块,因此可确保所述显示装置的运作具有高可靠性。
根据以上内容可知,所述半导体装置发挥可提供设置着散热材料并提高了弯折性而不会发生布线的断线等不良情况的半导体装置、及包含该半导体装置的显示装置。
本发明的其他目的、特征及优点可通过以下所示的记载充分了解。另外,本发明的益处可通过参照随附图式的以下说明而明白。
附图说明
图1表示本发明的一实施方式的COF,图1(a)是所述COF的背面的俯视图,图1(b)及图1(c)是表示图1(a)中的“a”区域的构成例的放大图。
图2是表示使用图1所示的COF的显示装置的一部分构成的图。
图3是表示散热材料的厚度与包含散热材料的图1所示的COF的温度的关系的图表。
图4是表示图1所示的COF中的散热材料上所设置的开口部的形状例的俯视图。
图5是表示图1所示的COF中的散热材料的构成例的图。
图6是表示图1所示的COF中的散热材料的构成例的图,且是表示设置着缺口时的一例的俯视图。
图7是表示图1所示的COF中的散热材料的构成例的图,且是表示设置着缺口时的其他例的俯视图。
图8表示本发明的其他实施方式的COF,图8(a)及图8(c)是所述COF的背面的俯视图,图8(b)是图8(a)及图8(c)中的“c”区域的放大图。
图9表示背景技术的COF,图9(a)是所述COF的截面图,图9(b)是半导体元件的设置着凸块电极的面的俯视图。
<附图标记说明>
1 绝缘膜,
2 布线,
4 半导体元件,
7 散热材料,
8 狭缝,
10、10a COF(半导体装置),
30 显示装置,
area1 区域(第一区域),
area2 区域(第二区域),
area3 区域(第三区域),
area4 区域(第四区域),
O1 开口部(第一开口部),
O2 开口部(第二开口部),
N 缺口。
具体实施方式
本说明书中,在本发明的半导体装置中的构件为长方形的情况下,将该长边方向称为“横”,将短边方向称为“纵”。
(实施方式1)
如果使用图1~图7对本发明的一实施方式加以说明,则为如下所述。
图1表示本实施方式的COF(半导体装置)10,图1(a)表示所述COF的背面,图1(b)及图1(c)将图1(a)中的“a”区域的构成例放大表示。
如图5所示,COF10的构成与图9(a)所示的COF110相同。COF10包括:绝缘膜1,具有半导体元件等的搬送中所使用的输送孔(sprocket hole)1a;布线2,设置在绝缘膜1的其中一面且具有外部连接用端子(未图示)及半导体元件连接用端子(未图示);及阻焊剂3,以覆盖绝缘膜1及布线2的一部分的方式设置。而且,COF10中,具有凸块电极4a的半导体元件4隔着该凸块电极4a而接合于布线2中的半导体元件连接用端子。另外,COF10构成为包括:密封树脂6,填充在半导体元件4附近,将半导体元件4固定在绝缘膜1上且保护其免受外部水分等的影响;及散热材料(散热构件)7,设置在绝缘膜1的所述其中一面的相反面(背面)。COF10中,通过包含散热材料7,可提高半导体元件4所放出的热的散热性。
图2表示搭载着COF10的显示装置30的一部分的构成。显示装置30为普通的液晶显示装置,省略其详细说明。
显示装置30包括显示面板15、背光装置20、及作为用于在显示面板15进行显示的显示装置驱动模块的(用于安装显示装置驱动模块的)COF10。如图所示,将COF10弯折搭载。详细内容如后所述,COF10中,例如设置着散热材料7并提高弯折性从而可防止布线2的断线。显示装置30中,利用具有如上所述的效果的COF10来安装显示装置驱动模块,因此可确保该显示装置的运作具有高可靠性。另外,尤其在显示面板15为高功能化及多输出化的大型面板的情况下,可确保所述高可靠性的效果变得显著。另外,显示装置30并不限于液晶显示装置,例如也可为使用有机EL(Electroluminescence,电致发光)的显示装置。
以下,对COF10的详细内容加以说明,因绝缘膜1、布线2、阻焊剂3及密封树脂6利用以往众所周知的材料及形成方法形成,所以这里省略所述各构件的说明,而主要对散热材料7加以说明。
散热材料7优选为板状,且为了实现优异的散热性,由导热率大的材料形成。具体而言,优选由导热率为10W/(m·K)以上的材料形成。换言之,优选由铜、铝或SUS(Stainless Steel,不锈钢)形成。所述散热材料7的形成方法为普通的溅镀等。本实施方式中,所述散热材料7由铜构成。另外,优选利用与散热材料7的形成材料不同的材料来对散热材料7的表面进行镀敷或涂布。散热材料7如所述般完全由金属形成,因此有时会引起氧化,但通过以上的构成,可防止散热材料7的氧化。具体而言,进行镀锡或利用阻焊剂进行涂布。
散热材料7的厚度优选为5μm以上且30μm以下,更优选为8μm以上且15μm以下。图3是表示散热材料7的厚度与COF10的温度的关系的图表。根据该图表可知,在厚度为8μm以上且15μm以下的情况下,温度的下降最显著,而即便散热材料7的厚度增加,所述效果的提高也不怎么明显。另外,为了维持COF10的薄型,散热材料7也优选为较薄。因此,散热材料7的厚度更优选为8μm以上且15μm以下,通过所述构成,可维持COF10的薄型并可提高散热性。本实施方式中,以8μm或15μm构成所述散热材料7。
另外,为了实现COF10的薄型化及高散热性,半导体元件4与散热材料7的垂直方向上的距离(图9(a)所示的“b|”距离)优选为0.1mm以下。
散热材料7优选形成在COF10的整个背面。通过所述构成,可实现高散热性。然而,因COF10如所述般弯折而安装,所以考虑到所述COF10的弯折性,优选散热材料7形成在COF10的背面的一部分,具体而言形成在COF10的背面中的相当于半导体元件4及其周边的位置。
另外,COF中,对打孔部分进行打孔后加以安装,因此在COF10中,对于散热材料7的横宽7B,两侧分别取与打孔部分1c相距0.5mm以上的余裕度(图1(a)中的“d1”区域)来加以设定。在本实施方式中,d1=1mm。通过所述构成,可提高散热性而不会妨碍到安装时的打孔。
另外,因本实施方式中将半导体元件4设为长方形,所以为了配合所述半导体元件4,将散热材料7的形状也设为长方形,但并不限定于此,例如也可为正方形。
其次,就本实施方式中最应关注的方面而言,散热材料7具有相当于半导体元件4及其周边的区域即区域area1(第一区域)、及与区域area1的两侧邻接的相当于散热材料7的横方向的端部7a、7b周边的区域即一对区域area2(第二区域)。各区域area2具有与区域area1邻接且在横方向上呈带状延伸的区域area3(第三区域)、及与区域area3的外侧邻接且在横方向上呈带状延伸的区域area4(第四区域)。在区域area3中配置着沿着横方向隔开规定间隔形成的多个开口部O1。在区域area4中的与各开口部O1相向的位置处配置着沿着横方向隔开规定间隔形成的多个开口部O2。
所述多个开口部O1、O2构成开口部O。开口部O1、O2如图1(b)所示般为正方形,开口部O2的面积要大于开口部O1的面积。开口部O1设置在区域area2内的区域area3中,开口部O2设置在区域area2内的区域area4中。即,与整体地设置的散热材料相比,散热材料7通过设置着开口部O而使其体积(面积)变少。另外,以区域area1>区域area2、区域area3>区域area4的方式,来设置越靠近端部7a、7b周边的区域而面积越大的开口部O,从而散热材料的每单位面积的体积(每单位长度的面积)变少。
通过所述构成,散热材料7可提高弯折COF10时的弯折性,防止由该弯折所产生的应力集中在散热材料7的端部7a、7b,从而可防止绝缘膜1上的布线2断线。另外,通过使COF10的弯折性提高,当将COF10安装在显示装置30中时,能够使COF10与显示面板15的接合中所使用的各向异性导电树脂不会发生剥离。
另外,COF10是在相当于半导体元件4及其周边的区域area1中,不设置开口部O而确保了散热材料7的体积(面积),因此提高了弯折性的同时,也维持了散热材料7原本的功能(半导体元件4所放出的热的散热)。就该点换言之,开口部O可以说是设置在不怎么会影响到散热材料7的功能即散热的部位。具体来说,区域area2设为从端部7a、7b起朝向半导体元件4周边1~3(mm)左右即可。
另外,如图1(c)所示,开口部O也可不包含开口部O1、O2而仅由开口部O1构成,且通过在区域area4中设置比区域area3中更多的开口部O1来实现开口部O2的功能。此时,可发挥与设置开口部O1、O2的情况相同的效果。
另外,开口部O优选为不具有90°以下的角的形状。这是因如果开口部O为具有90°以下的角的形状,那么应力会集中在该角,有可能发生以该角为起点的弯折及龟裂。所述不具有90°以下的角的形状例如可列举图4所示的五边形或五边形以上的多边形、或者圆形,尤其优选为圆形。另外,所述五边形以上的多边形是指例如六边形,即由五条以上的线段所包围的多边形。
另外,散热材料7为了发挥如上所述的提高COF10的弯折性以防止布线2断线等各种效果,也可不设置所述开口部O,而是如图5所示,采取随着靠近端部7a、7b,阶段性地或连续性地使散热材料7的厚度变薄的构成。或者,也可如图6及图7所示,设置越靠近散热材料7的端部7a、7b,区域area2的散热材料的面积越少的多个缺口N。图6及图7表示设置着缺口N的散热材料7,且省略了COF10的其他构成的图示。
如上所述,设置随着朝向散热材料7的端部7a、7b,使散热材料7的厚度越薄且区域area2的散热材料的面积越少的缺口N,由此随着朝向端部7a、7b,散热材料7的面积阶段性地或连续性地变少。因此,与设置所述开口部O的构成相比,可进一步防止由弯折所产生的应力集中在端部7a、7b,从而可更显著地发挥防止布线2断线等各种效果。
另外,如果为图7所示的缺口N的设置方法,即在端部7a、7b的除中央部的区域以外的区域或者仅在中央部的区域设置缺口N的构成,那么除了发挥防止由安装COF10时的弯折所引起的布线2的断线等所述各种效果以外,还可发挥以下所示的效果。
如上所述,COF10中,在半导体元件4周边填充着将半导体元件4固定在绝缘膜1上且保护其免受外部水分等的影响的密封树脂6。所述密封树脂6有时会因安装COF10时所施加的热而收缩,由此COF10产生翘曲(散热材料7的横方向的翘曲)。而且,也有时由于散热材料7的热膨胀与绝缘膜1的热膨胀的失配而产生翘曲。如果在产生该翘曲的状态下安装COF10,那么例如当如所述般安装在显示面板中时,应力会集中在端部7a、7b,从而产生显示面板与COF10的接合中所使用的各向异性导电树脂发生剥离等问题。因此,通过在端部7a、7b的除中央部的区域以外的区域或仅在中央部的区域设置缺口N,可缓和由于所述翘曲而导致应力集中在端部7a、7b,从而可防止所述各向异性导电树脂的剥离。另外,从端部7a、7b的中央部朝向散热材料7的纵方向的端部7c、7d,散热材料7的面积变少的构成(极端而言为如菱形之类的形状)也可解决由所述翘曲所引起的问题。
另外,优选设置缺口N的区域根据COF10的翘曲的方向与弯折的方向来改变。具体而言,在以中央部隆起的方式翘曲的情况下,将缺口N仅设置在散热材料7的端部7a、7b的中央部的区域,而在以中央部凹陷的方式翘曲的情况下,将缺口N设置在散热材料7的端部7a、7b的除中央部的区域以外的区域。
如上所述,本实施方式的COF10中,散热材料7设置成越靠近其端部7a、7b周边的区域,每单位面积的体积(每单位长度的面积)越少。通过所述构成,弯折COF10时的弯折性提高,可防止由该弯折所产生的应力集中在散热材料7的端部7a、7b,从而可防止绝缘膜1上的布线2断线。另外,通过使COF10的弯折性提高,当将COF10安装在显示装置30中时,能够使COF10与显示面板15的接合中所使用的各向异性导电树脂不会发生剥离。另外,在相当于半导体元件4及其周边的区域area1中,不设置开口部O而确保了散热材料7的体积(面积),因此提高了弯折性的同时,也维持了散热材料7原本的功能(半导体元件4所放出的热的散热)。
另外,专利文献2中揭示了为了使构成刚挠(rigid-flex)布线板的挠性基板增大该挠性基板的弯曲部的弯曲程度且不易引起导体电路的断线等,而设置着虚设图案(dummy pattern),并且在该虚设图案上设置各种形状的开口。具体而言,格子状地形成具有相同大小的面积的开口,或者在中央部形成较大面积的开口,且相对于该开口而在端部侧设置着面积较小的开口。
如上所述,就所述虚设图案中的开口而言,并非构成为如本发明所示般设置越靠近端部而面积越大的开口,因而至少在这方面与本发明不同(参照专利文献2的段落[0042]~段落[0049]及图3)。
(实施方式2)
若使用图8对本发明的其他实施方式加以说明,则为如下所述。
图8表示本实施方式的COF10a,图8(a)及图8(c)表示所述COF10a的背面,图8(b)将图8(a)及图8(c)中的“c”区域放大表示。另外,为了方便说明,对于具有与COF10的构件相同的功能的构件标注相同的构件编号,并省略其说明。另外,基本上仅对与COF10不同的方面进行说明。
相对于COF10的构成,COF10a是在散热材料7上进一步设置图8所示的狭缝8。以下,对该狭缝8进行详细说明。
在以往的COF110中,当将半导体元件104的凸块电极104a接合于布线102时,如图9(a)所示,是在加热至约120℃左右的平台115上配置COF110,并且在半导体元件104上配置被加热至约400℃左右的加热工具117且通过按压来施加压力,将该状态维持约1秒左右,利用热压接来进行接合。
此时,图中的“A”区域的散热材料107由平台115与加热工具117固定,而图中的“B”区域的散热材料107未由所述两者加以固定,因此由于平台115与加热工具117的热所引起的热膨胀,会向长边方向(图中的虚线的箭头方向)伸长。另外,认为所述现象在树脂密封后的树脂硬化等的加热过程中也同样存在。结果,会产生如下问题:随着散热材料107的伸长,绝缘膜101伸长,从而引起布线102的变形或断线。图9(b)是半导体元件104的设置着凸块电极104a的面的俯视图。如上所述,散热材料107及绝缘膜101向其长边方向伸长,因此半导体元件104的短边侧(图中的“C”区域)的布线102的变形或断线显著可见。
狭缝8是用于解决所述问题的构件,利用该狭缝8,对于散热材料7不会破坏其作为散热材料的功能,且缓和将半导体元件4的凸块电极4a接合于布线2时的热压接及树脂密封后的树脂硬化等的加热过程的热膨胀以防止伸长,结果防止布线2的变形或断线。
狭缝8优选根据其功能而基本上设置在散热材料7中的相当于半导体元件4及其周边的位置(区域area1)。另外,优选设置成相对于半导体元件4的中心线L1、L2(一例)成线对称。通过以上构成,将狭缝8设置在半导体元件4附近,且是均等地设置在该半导体元件4附近,因此可确实地缓和热膨胀,结果可确实地防止布线2的变形或断线。另外,所述狭缝8优选具有与半导体元件4的一边平行的第一狭缝,且所述第一狭缝与位于最接近所述第一狭缝的半导体元件4的一边的凸块端面的水平方向上的距离为0.1mm以上且2.0mm以下。根据所述构成,因所述第一狭缝设置成横切散热材料7的膨胀路径,所以对于缓和热膨胀非常有效,因此可更确实地缓和热膨胀,结果可更确实地防止布线2的变形或断线。
就图示的狭缝8而言,是对应于散热材料7由于所述热压接或所述树脂硬化等的加热过程而尤其向长边方向伸长的示例来形成的,因此尤其在半导体元件4的短边侧呈放射状地设置多个狭缝。更具体而言,如图8(b)所示,以在散热材料7中形成“7a”、“7b”、“7c”、“7d(未图示)”的区域,且在所述各区域中包含半导体元件4的一边中的凸块电极4a的方式来设置狭缝(例如,在区域“7a”中包含半导体元件4的短边侧的凸块电极4a)。
另外,图示的狭缝8具有作为所述第一狭缝的狭缝8a(图8(b))。狭缝8a与位于最接近狭缝8a的半导体元件4的短边的凸块端面的水平方向上的距离(图8(b)中的“d2”)设为0.5mm。另外,图示的狭缝8可如图8(a)所示,考虑到散热性,以不分离散热材料7的方式具有裂缝而形成,或者也可如图8(c)所示,以分离散热材料7的方式形成。
另外,狭缝8的宽度优选为0.02mm以上且1.0mm以下。通过所述构成,形成较小的狭缝8而不会损害散热材料7的散热性,且可防止布线的变形或断线。在本实施方式中,以0.05mm形成所述狭缝8。狭缝8的形成方法为普通的蚀刻。
以上说明的狭缝8的位置及形状仅为单纯一例。散热材料的伸长的原因在于,由于用于进行所述热压接的装置(图9(a)所示的平台115及加热工具117)与散热板的形状及大小的不同,而存在无法固定的部位(另外,有可能所述现象在树脂密封后的树脂硬化等的加热过程中也同样存在),因此散热材料伸长的形态多种多样。由此,用于避免所述散热板的伸长的狭缝的位置及形状也为多种多样。
本发明并不限定于所述各实施方式,在权利要求所示的范围内可进行各种变更,适当组合不同的实施方式中分别所揭示的技术单元所得的实施方式也包含在本发明的技术范围中。
另外,用于实施发明的形态的项目中所完成的具体实施态样或实施例仅使本发明的技术内容变得清楚明白,不应狭义地解释为仅限定于所述具体例,在本发明的精神与以上所记载的权利要求范围内可进行各种变更而加以实施。
(工业上的可利用性)
本发明可较佳地用作在背面设置着散热材料并提高了弯折性而不会产生布线的断线等不良情况的COF,即各种半导体元件的安装中所使用的COF。
Claims (11)
1. 一种半导体装置,包括:
绝缘膜;
布线,设置在所述绝缘膜的其中一面且具有外部连接用端子与半导体元件连接用端子;及
散热构件,设置在所述绝缘膜的其中一面的相反面;且半导体元件接合于所述布线中的所述半导体元件连接用端子;
所述半导体装置的特征在于:
比起所述散热构件的相当于所述半导体元件及其周边的区域即第一区域,与所述第一区域邻接的相当于所述散热构件端部周边的区域即第二区域的所述散热构件的每单位面积的体积更少;且
比起所述第二区域中的与所述第一区域邻接的区域即第三区域,与所述第三区域邻接且与所述散热构件端部邻接的区域即第四区域的所述散热构件的每单位面积的体积更少。
2. 一种半导体装置,包括:
绝缘膜;
布线,设置在所述绝缘膜的其中一面且具有外部连接用端子与半导体元件连接用端子;及
散热构件,设置在所述绝缘膜的其中一面的相反面;且半导体元件接合于所述布线中的所述半导体元件连接用端子;
所述半导体装置的特征在于:
比起所述散热构件的相当于所述半导体元件及其周边的区域即第一区域,与所述第一区域邻接的相当于所述散热构件端部周边的区域即第二区域的所述散热构件的每单位长度的面积更少;且
比起所述第二区域中的与所述第一区域邻接的区域即第三区域,与该第三区域邻接且与所述散热构件端部邻接的区域即第四区域的所述散热构件的每单位长度的面积更少。
3. 根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:
在所述第二区域设置着多个贯通至所述绝缘膜为止的孔即开口,其中所述孔即开口未设置在所述第一区域,该开口中分别设置着多个第一开口部及第二开口部;
所述第一开口部是面积小于所述第二开口部的开口;
所述第一开口部设置在所述第三区域,所述第二开口部设置在所述第四区域。
4. 根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:
在所述第二区域设置着多个贯通至所述绝缘膜为止的孔即开口,其中所述孔即开口未设置在所述第一区域,该开口中设置着多个第一开口部;
所述第一开口部在所述第四区域设置得比所述第三区域多。
5. 根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于:
所述开口部分别为不具有90°以下的角的形状。
6. 根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:
所述开口部为圆形或五边形以上的多边形的形状。
7. 根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:
在所述第二区域中设置着多个缺口,所述缺口未设置在所述第一区域,且越朝向所述散热构件端部,所述第二区域的所述散热构件的每单位长度的面积越少。
8. 根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于:
所述缺口设置在所述第二区域中的所述散热构件端部的除中央部的区域以外的区域。
9. 根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于:
所述缺口仅设置在所述第二区域中的所述散热构件端部的中央部的区域。
10. 根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
在所述散热构件中设置着狭缝。
11. 一种显示装置,其特征在于包含使用半导体装置安装而成的用于驱动显示装置的显示装置驱动模块,所述半导体装置包含:
绝缘膜;
布线,设置在所述绝缘膜的其中一面且具有外部连接用端子与半导体元件连接用端子;及
散热构件,设置在所述绝缘膜的其中一面的相反面;且半导体元件接合于所述布线中的所述半导体元件连接用端子;
所述半导体装置的特征在于:
比起所述散热构件的相当于所述半导体元件及其周边的区域即第一区域,与该第一区域邻接的相当于所述散热构件端部周边的区域即第二区域的所述散热构件的每单位面积的体积更少;且
比起所述第二区域中的与所述第一区域邻接的区域即第三区域,与该第三区域邻接且与所述散热构件端部邻接的区域即第四区域的所述散热构件的每单位面积的体积更少。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110189650A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-30 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示模组及显示装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5218273B2 (ja) * | 2009-05-14 | 2013-06-26 | 日立電線株式会社 | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
KR101955465B1 (ko) | 2012-08-16 | 2019-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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EP2871672B1 (en) | 2013-11-06 | 2018-09-26 | Nxp B.V. | Semiconductor device |
EP2871673A1 (en) | 2013-11-06 | 2015-05-13 | Nxp B.V. | Semiconductor device |
US9978663B2 (en) | 2015-12-09 | 2018-05-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Integrated circuit assembly with heat spreader and method of making the same |
KR20210105723A (ko) | 2020-02-19 | 2021-08-27 | 삼성전자주식회사 | 칩-온-필름 패키지, 및 이를 포함하는 디스플레이 모듈 및 전자 장치 |
CN111755389B (zh) * | 2020-06-29 | 2022-06-21 | 无锡睿勤科技有限公司 | 覆晶薄膜组件 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS616848A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Nec Corp | 配線基板 |
US5289039A (en) * | 1988-02-05 | 1994-02-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Resin encapsulated semiconductor device |
JP2808952B2 (ja) * | 1991-11-27 | 1998-10-08 | 日立電線株式会社 | 半導体素子搭載用基板 |
JP3063422B2 (ja) * | 1992-10-05 | 2000-07-12 | 富士電機株式会社 | 磁気誘導素子用コイル |
KR0128164B1 (ko) * | 1994-06-21 | 1998-04-02 | 황인길 | 반도체 패키지용 범용 히트스프레더 |
JPH0955459A (ja) * | 1995-06-06 | 1997-02-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP2959480B2 (ja) * | 1996-08-12 | 1999-10-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH10163386A (ja) * | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Toshiba Corp | 半導体装置、半導体パッケージおよび実装回路装置 |
US5942795A (en) * | 1997-07-03 | 1999-08-24 | National Semiconductor Corporation | Leaded substrate carrier for integrated circuit device and leaded substrate carrier device assembly |
DE19736962B4 (de) * | 1997-08-25 | 2009-08-06 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung, umfassend ein Trägersubstrat für Leistungsbauelemente und einen Kühlkörper sowie Verfahren zur Herstellung derselben |
US5901041A (en) * | 1997-12-02 | 1999-05-04 | Northern Telecom Limited | Flexible integrated circuit package |
US6156980A (en) * | 1998-06-04 | 2000-12-05 | Delco Electronics Corp. | Flip chip on circuit board with enhanced heat dissipation and method therefor |
JP2000294894A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-10-20 | Seiko Epson Corp | 回路基板およびその製造方法ならびに回路基板を用いた表示装置および電子機器 |
TW413874B (en) * | 1999-04-12 | 2000-12-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | BGA semiconductor package having exposed heat dissipation layer and its manufacturing method |
JP3550057B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2004-08-04 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | テープフィルム及び半導体パッケージ |
US6238954B1 (en) * | 1999-09-28 | 2001-05-29 | Intel Corporation | COF packaged semiconductor |
US6580159B1 (en) * | 1999-11-05 | 2003-06-17 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit device packages and substrates for making the packages |
TW462121B (en) * | 2000-09-19 | 2001-11-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Heat sink type ball grid array package |
US6611055B1 (en) * | 2000-11-15 | 2003-08-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Leadless flip chip carrier design and structure |
US6960824B1 (en) * | 2000-11-15 | 2005-11-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Structure and method for fabrication of a leadless chip carrier |
US20020079572A1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-06-27 | Khan Reza-Ur Rahman | Enhanced die-up ball grid array and method for making the same |
US7259448B2 (en) * | 2001-05-07 | 2007-08-21 | Broadcom Corporation | Die-up ball grid array package with a heat spreader and method for making the same |
JP3804861B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2006-08-02 | 株式会社デンソー | 電気装置および配線基板 |
JP2004214258A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Renesas Technology Corp | 半導体モジュール |
WO2004073064A1 (ja) * | 2003-02-17 | 2004-08-26 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置 |
US20050051893A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | SBGA design for low-k integrated circuits (IC) |
JP4352964B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2009-10-28 | 株式会社島津製作所 | 二次元像検出器 |
JP4437051B2 (ja) * | 2004-04-01 | 2010-03-24 | イビデン株式会社 | フレックスリジッド配線板 |
JP4014591B2 (ja) * | 2004-10-05 | 2007-11-28 | シャープ株式会社 | 半導体装置および電子機器 |
KR100652519B1 (ko) * | 2005-07-18 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 금속층을 갖는 테이프 배선기판 및 그를 이용한 칩 온필름 패키지 |
JP5489394B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2014-05-14 | 三星電子株式会社 | Cof型半導体パッケージ |
US7808013B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-10-05 | Cree, Inc. | Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies |
JP2008160019A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
-
2008
- 2008-07-16 JP JP2008184669A patent/JP5236377B2/ja active Active
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110189650A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-30 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示模组及显示装置 |
Also Published As
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