JP4352964B2 - 二次元像検出器 - Google Patents
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Description
なお、水冷機構が配設された側とは反対側となる増幅型電気回路部の他側に配設された保持基板に外乱要因が伝わるのを、増幅型電気回路部の他側と保持基板との間に介在する(すなわち保持基板と増幅型電気回路部との間に密着配置された)第1の外乱阻止用緩衝材が防止する。その結果、保持基板、ひいては保持基板に保持されたアクティブマトリックス基板で外乱が混入することを阻止することができる。
また、第2の外乱阻止用緩衝材が水冷機構から機械的振動などの電気信号の外乱要因が増幅型電気回路部に伝わるのを防止するのと並行して、増幅型電気回路部で発生した熱は、増幅型電気回路部の一側では熱伝導性ゲル材料からなる第2の外乱阻止用緩衝材で促される。第2の外乱阻止用緩衝材が熱伝導性ゲル材料からなり、第2の外乱阻止用緩衝材は密着性に優れるので、増幅型電気回路部で発生した熱は水冷機構に速やかに流れ込む結果、増幅型電気回路部の冷却が促進される。
また、第1の外乱阻止用緩衝材が断熱性を有するので、増幅型電気回路部で発生した熱は、増幅型電気回路部の一側では熱伝導性ゲル材料からなる第2の外乱阻止用緩衝材で促され、増幅型電気回路部の他側では断熱材からなる第1の外乱阻止用緩衝材によって流出を阻まれ、逃散することなく集中的に水冷機構へ流れ込む結果、増幅型電気回路部の冷却が滞り無く進行する。
なお、水冷機構が配設された側とは反対側となる増幅型電気回路部の他側に配設された保持基板に外乱要因が伝わるのを、増幅型電気回路部の他側と保持基板との間に介在する(すなわち保持基板と増幅型電気回路部との間に密着配置された)第1の外乱阻止用緩衝材が防止する。その結果、保持基板、ひいては保持基板に保持されたアクティブマトリックス基板で外乱が混入することを阻止することができる。
また、第2の外乱阻止用緩衝材が水冷機構から機械的振動などの電気信号の外乱要因が増幅型電気回路部に伝わるのを防止するのと並行して、増幅型電気回路部で発生した熱は、増幅型電気回路部の一側では熱伝導性ゲル材料からなる第2の外乱阻止用緩衝材で促される。第2の外乱阻止用緩衝材が熱伝導性ゲル材料からなり、第2の外乱阻止用緩衝材は密着性に優れるので、増幅型電気回路部で発生した熱は水冷機構に速やかに流れ込む結果、増幅型電気回路部の冷却が促進される。
また、第1の外乱阻止用緩衝材が断熱性を有するので、増幅型電気回路部で発生した熱は、増幅型電気回路部の一側では熱伝導性ゲル材料からなる第2の外乱阻止用緩衝材で促され、増幅型電気回路部の他側では断熱材からなる第1の外乱阻止用緩衝材によって流出を阻まれ、逃散することなく集中的に水冷機構へ流れ込む結果、増幅型電気回路部の冷却が滞り無く進行する。
2 …アクティブマトリックス基板
4 …基板保持部(保持基板)
8 …増幅型電気回路部
9,10 …フレキシブル配線基板(フレキシブル基板)
14 …画像処理回路
15 …冷却システム(水冷機構)
16,17…外乱阻止用緩衝材(第2、第1の外乱阻止用緩衝材)
Claims (1)
- 保持基板と、検出対象の二次元像に対応する光情報または放射線情報を電荷情報に変換する感応型半導体膜と、感応型半導体膜で変換された電荷情報を読み出すアクティブマトリックス基板と、フレキシブル基板上に搭載され、アクティブマトリックス基板で読み出された電荷情報を増幅して画像用の電気信号に変換する増幅型電気回路部と、画像用の電気信号を検出対象の二次元放射線像に対応させた画像信号に纏める画像処理回路と、水冷機構とを有し、前記アクティブマトリックス基板および前記画像処理回路は、前記保持基板に保持されるとともに、前記フレキシブル基板の両端は、前記アクティブマトリックス基板および前記画像処理回路に接続され、前記保持基板と前記増幅型電気回路部との間に、増幅型電気回路部で変換される電気信号に外乱を生じる要因となる外乱要因の伝搬を阻み、かつ断熱性を有する第1の外乱阻止用緩衝材を密着配置するとともに、前記増幅型電気回路部と前記水冷機構との間に、熱伝導性ゲル材料からなる第2の外乱阻止用緩衝材を密着配置したことを特徴とする二次元像検出器。
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