JP2002134567A - チップキャリアフィルムおよびその製造方法ならびにこのチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置 - Google Patents
チップキャリアフィルムおよびその製造方法ならびにこのチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 搬送装置によってベースフィルムを保持する
際に、半導体チップの自重で発生するベースフィルムの
垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない
得るチップキャリアフィルムを提供する。 【解決手段】 ベースフィルムの表面に形成された金属
配線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッド
部を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属配
線の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベー
スフィルムに搭載された半導体チップ、および前記ベー
スフィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬
化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備
えている。
際に、半導体チップの自重で発生するベースフィルムの
垂れを防止できるとともに、マウントを支障なく行ない
得るチップキャリアフィルムを提供する。 【解決手段】 ベースフィルムの表面に形成された金属
配線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッド
部を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属配
線の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベー
スフィルムに搭載された半導体チップ、および前記ベー
スフィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬
化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備
えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベースフィルムの
表面の絶縁膜の硬化収縮率と該フィルムの裏面の絶縁膜
の硬化収縮率が異なるチップキャリアフィルムおよびそ
の製造方法ならびにこのチップキャリアフィルムを使用
した液晶表示装置に関する。
表面の絶縁膜の硬化収縮率と該フィルムの裏面の絶縁膜
の硬化収縮率が異なるチップキャリアフィルムおよびそ
の製造方法ならびにこのチップキャリアフィルムを使用
した液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示パネルおよび回路基板の接続に
は、ドライバＩＣ搭載のフィルムを介して両者を繋ぐＴ
ＣＰ（Tape Carrier Package）マウント方式が広く使用
されている（たとえば、特開平７−１６９７９３号公
報）。以下、特開平７−１６９７９３号公報を参酌し
て、ＴＣＰの構成の概略を説明する。図５にＴＣＰの平
面図を、図６に図５のＡ−Ａ線拡大断面図を示す。ポリ
イミド製ベースフィルム２０に設けられたデバイス孔２
１において、ドライバＩＣ２２はフィルム２０上の回路
パターン（銅箔に錫メッキ）２３とバンプ接続される。
回路パターン２３は、接着層２４を介してベースフィル
ム２０に形成され、この回路パターン２３の表面は、ソ
ルダーレジスト２５によって覆われて保護されている。
また、ドライバＩＣ２２の周囲には高信頼性樹脂（封止
材）２６および補強樹脂２７が設けられている。なお、
回路パターン２３は、接続端子パッド２８、２９および
それらに繋がるインナーリード３０、３１を有してい
る。
は、ドライバＩＣ搭載のフィルムを介して両者を繋ぐＴ
ＣＰ（Tape Carrier Package）マウント方式が広く使用
されている（たとえば、特開平７−１６９７９３号公
報）。以下、特開平７−１６９７９３号公報を参酌し
て、ＴＣＰの構成の概略を説明する。図５にＴＣＰの平
面図を、図６に図５のＡ−Ａ線拡大断面図を示す。ポリ
イミド製ベースフィルム２０に設けられたデバイス孔２
１において、ドライバＩＣ２２はフィルム２０上の回路
パターン（銅箔に錫メッキ）２３とバンプ接続される。
回路パターン２３は、接着層２４を介してベースフィル
ム２０に形成され、この回路パターン２３の表面は、ソ
ルダーレジスト２５によって覆われて保護されている。
また、ドライバＩＣ２２の周囲には高信頼性樹脂（封止
材）２６および補強樹脂２７が設けられている。なお、
回路パターン２３は、接続端子パッド２８、２９および
それらに繋がるインナーリード３０、３１を有してい
る。
【０００３】しかし、前記ＴＣＰにおいては、つぎのよ
うな課題があった。 （１）ファインピッチ（４０μｍピッチ相当）化 液晶表示パネルの高精細化が進むことによって、４０μ
ｍピッチ相当のファインピッチ化の実現という高度な実
装技術が望まれている。ここで、フィルムに形成された
銅配線のファインピッチ化は、その厚さに密接に関係し
ており、具体的には、従来の銅配線の厚さ（１７〜３５
μｍ）を１０μｍ程度まで薄膜化する必要があると考え
られている。しかし一方、銅配線の厚さを薄くすると、
図６中のバンプ接続部Ｂの銅配線が折れ曲がるという別
の問題が顕在化し、ＴＣＰマウント方式によって微細ピ
ッチは難しいと考えられている。
うな課題があった。 （１）ファインピッチ（４０μｍピッチ相当）化 液晶表示パネルの高精細化が進むことによって、４０μ
ｍピッチ相当のファインピッチ化の実現という高度な実
装技術が望まれている。ここで、フィルムに形成された
銅配線のファインピッチ化は、その厚さに密接に関係し
ており、具体的には、従来の銅配線の厚さ（１７〜３５
μｍ）を１０μｍ程度まで薄膜化する必要があると考え
られている。しかし一方、銅配線の厚さを薄くすると、
図６中のバンプ接続部Ｂの銅配線が折れ曲がるという別
の問題が顕在化し、ＴＣＰマウント方式によって微細ピ
ッチは難しいと考えられている。
【０００４】（２）製造コストの低減 液晶表示装置の狭額縁化の要求により、チップを搭載し
たフィルムは、これを折り曲げた状態で液晶表示装置内
に収納される。ところが、ＴＣＰチップの製造プロセス
の制約上、これに使われるフィルムの厚さ（７０μｍ程
度）を薄くすることは困難なため、フィルムの折り曲げ
部に特殊な加工を施すことを要し、このことが製造コス
トを上昇させていた。具体的には、折り曲げ部にスリッ
トを設けたのち、折り曲げ部に補強樹脂を塗布する工程
が必要である。
たフィルムは、これを折り曲げた状態で液晶表示装置内
に収納される。ところが、ＴＣＰチップの製造プロセス
の制約上、これに使われるフィルムの厚さ（７０μｍ程
度）を薄くすることは困難なため、フィルムの折り曲げ
部に特殊な加工を施すことを要し、このことが製造コス
トを上昇させていた。具体的には、折り曲げ部にスリッ
トを設けたのち、折り曲げ部に補強樹脂を塗布する工程
が必要である。
【０００５】そこで、以上の課題を達成するために、Ｔ
ＣＰマウント方式に代えて、フィルムのデバイス孔をな
くして、フィルムにドライバＩＣを表面実装させるＣＯ
Ｆ（chip on film）マウント方式が注目されている。そ
して、このＣＯＦにおいては、ベースフィルムの薄膜化
（３５〜４０μｍ）も可能と考えられている。
ＣＰマウント方式に代えて、フィルムのデバイス孔をな
くして、フィルムにドライバＩＣを表面実装させるＣＯ
Ｆ（chip on film）マウント方式が注目されている。そ
して、このＣＯＦにおいては、ベースフィルムの薄膜化
（３５〜４０μｍ）も可能と考えられている。
【０００６】図７は、ドライバＩＣを搭載した従来のＣ
ＯＦの断面図である。ベースフィルム２０（ポリイミ
ド）表面には、ドライバＩＣ２２に電気的に接続される
回路パターン２３（銅箔表面に錫メッキ）が形成され、
これをソルダーレジスト２５によって絶縁保護してい
る。このソルダーレジスト２５を覆わない回路パターン
２３の部位で、バンプ３２によりドライバＩＣ２２と回
路パターン２３は接続されている。なお、バンプ接続部
には封止材としての樹脂２６が施されている。このよう
に、ＣＯＦ技術の特徴は、デバイス孔を用いることなく
ベースフィルム２０にドライバＩＣ２２を表面実装して
いる点にある。
ＯＦの断面図である。ベースフィルム２０（ポリイミ
ド）表面には、ドライバＩＣ２２に電気的に接続される
回路パターン２３（銅箔表面に錫メッキ）が形成され、
これをソルダーレジスト２５によって絶縁保護してい
る。このソルダーレジスト２５を覆わない回路パターン
２３の部位で、バンプ３２によりドライバＩＣ２２と回
路パターン２３は接続されている。なお、バンプ接続部
には封止材としての樹脂２６が施されている。このよう
に、ＣＯＦ技術の特徴は、デバイス孔を用いることなく
ベースフィルム２０にドライバＩＣ２２を表面実装して
いる点にある。
【０００７】なお、特開平４−２１５４４８号公報に
は、チップキャリアのベースフィルムにデバイス孔を設
けることなく、半導体チップが直接搭載できるＣＯＦマ
ウント方式の基本概念が述べられている（第７欄第６〜
１１行参照）。
は、チップキャリアのベースフィルムにデバイス孔を設
けることなく、半導体チップが直接搭載できるＣＯＦマ
ウント方式の基本概念が述べられている（第７欄第６〜
１１行参照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、既存の
ＣＯＦを使用する場合、つぎのような問題があることが
判明した。１５インチ液晶表示パネルに接続されるＣＯ
Ｆの個数は、十数個もあり、ＣＯＦを液晶表示パネルに
マウントする作業は高速自動装置で行なわれている。ど
ころが、ベースフィルムの厚さを薄くしたため（３５〜
４０μｍ）、フィルムが曲げられ易くなる。このこと
が、フィルムの搬送作業を極めて煩雑なものにしてしま
い、製造上、大いに支障をきたすことがわかった。
ＣＯＦを使用する場合、つぎのような問題があることが
判明した。１５インチ液晶表示パネルに接続されるＣＯ
Ｆの個数は、十数個もあり、ＣＯＦを液晶表示パネルに
マウントする作業は高速自動装置で行なわれている。ど
ころが、ベースフィルムの厚さを薄くしたため（３５〜
４０μｍ）、フィルムが曲げられ易くなる。このこと
が、フィルムの搬送作業を極めて煩雑なものにしてしま
い、製造上、大いに支障をきたすことがわかった。
【０００９】より具体的には、高速自動装置を使用する
場合、ベースフィルムの一方端を装置のアームで保持し
た状態で、該フィルムの他方端を液晶表示パネルにマウ
ントすることが必要であるため、ドライバＩＣチップの
自重によって剛性の低いベースフィルムは垂れてしまっ
て、このことが液晶表示パネルに上手くマウントできな
いという事態に陥りやすい。
場合、ベースフィルムの一方端を装置のアームで保持し
た状態で、該フィルムの他方端を液晶表示パネルにマウ
ントすることが必要であるため、ドライバＩＣチップの
自重によって剛性の低いベースフィルムは垂れてしまっ
て、このことが液晶表示パネルに上手くマウントできな
いという事態に陥りやすい。
【００１０】本発明は、前記のような問題を解決するた
めになされたもので、第１の目的は、搬送装置によって
ベースフィルムを保持する際に、半導体チップの自重で
発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、
マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルム
を提供するものである。
めになされたもので、第１の目的は、搬送装置によって
ベースフィルムを保持する際に、半導体チップの自重で
発生するベースフィルムの垂れを防止できるとともに、
マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフィルム
を提供するものである。
【００１１】第２の目的は、搬送装置によってベースフ
ィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生する
ベースフィルムの垂れを防止でき、マウントを支障なく
行ない得るとともに、端子接続の信頼性を向上できるチ
ップキャリアフィルムを提供するものである。
ィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生する
ベースフィルムの垂れを防止でき、マウントを支障なく
行ない得るとともに、端子接続の信頼性を向上できるチ
ップキャリアフィルムを提供するものである。
【００１２】第３の目的は、搬送装置によってベースフ
ィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生する
ベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウント
を支障なく行ない得るチップキャリアフィルムの製造方
法を提供するものである。
ィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生する
ベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウント
を支障なく行ない得るチップキャリアフィルムの製造方
法を提供するものである。
【００１３】第４の目的は、搬送装置によってベースフ
ィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生する
ベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウント
を支障なく行ない得るチップキャリアフィルムを使用し
た液晶表示装置を提供するものである。
ィルムを保持する際に、半導体チップの自重で発生する
ベースフィルムの垂れを防止できるとともに、マウント
を支障なく行ない得るチップキャリアフィルムを使用し
た液晶表示装置を提供するものである。
【００１４】なお、ＬＳＩを搭載したＴＣＰフィルム基
材の反りの問題について、インナーリードを覆うソルダ
ーレジストと同じ材質（エポキシ系樹脂）の樹脂をフィ
ルム基材の裏面に塗布することにより解消できることが
前記特開平７−１６９７９３号公報に開示されている
（たとえば、公報６欄[００２８]参照）。しかし、この
公報によれば、ソルダーレジストの材質と裏面樹脂の材
質は同じエポキシ系樹脂であるため、硬化収縮率の相違
点に基づきフィルム両面に形成された膜の特性を異なら
せるという本願発明の技術的思想とまったく異なるもの
である。
材の反りの問題について、インナーリードを覆うソルダ
ーレジストと同じ材質（エポキシ系樹脂）の樹脂をフィ
ルム基材の裏面に塗布することにより解消できることが
前記特開平７−１６９７９３号公報に開示されている
（たとえば、公報６欄[００２８]参照）。しかし、この
公報によれば、ソルダーレジストの材質と裏面樹脂の材
質は同じエポキシ系樹脂であるため、硬化収縮率の相違
点に基づきフィルム両面に形成された膜の特性を異なら
せるという本願発明の技術的思想とまったく異なるもの
である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のチップキャリア
フィルムは、ベースフィルムの表面に形成された金属配
線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッド部
を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属配線
の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベース
フィルムに搭載された半導体チップ、および前記ベース
フィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化
収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備え
ることを特徴とする。
フィルムは、ベースフィルムの表面に形成された金属配
線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッド部
を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属配線
の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベース
フィルムに搭載された半導体チップ、および前記ベース
フィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化
収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備え
ることを特徴とする。
【００１６】なお、ここで、絶縁膜の硬化収縮率とは、
絶縁膜が架橋剤によって硬化する際の体積の減少率をい
う。
絶縁膜が架橋剤によって硬化する際の体積の減少率をい
う。
【００１７】前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１
の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
【００１８】前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜
が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
【００１９】前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エ
ポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好まし
い。
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エ
ポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好まし
い。
【００２０】前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹
脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂ま
たはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂ま
たはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
【００２１】前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であ
るのが好ましい。
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であ
るのが好ましい。
【００２２】前記ベースフィルムの厚さが３５〜４０μ
ｍであるのが好ましい。
ｍであるのが好ましい。
【００２３】また本発明のチップキャリアフィルムは、
ベースフィルムの表面の両端に設けられた端子接続パッ
ト部、前記両端の端子接続パッド部で挟まれた半導体チ
ップキャリア領域、前記ベースフィルムの表面の半導体
チップキャリア領域内に形成された第１の絶縁膜、前記
ベースフィルムの裏面の前記半導体チップキャリア領域
内に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬
化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴
とする。
ベースフィルムの表面の両端に設けられた端子接続パッ
ト部、前記両端の端子接続パッド部で挟まれた半導体チ
ップキャリア領域、前記ベースフィルムの表面の半導体
チップキャリア領域内に形成された第１の絶縁膜、前記
ベースフィルムの裏面の前記半導体チップキャリア領域
内に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬
化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴
とする。
【００２４】前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１
の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
【００２５】前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜
が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
【００２６】前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エ
ポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好まし
い。
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エ
ポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好まし
い。
【００２７】前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹
脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂ま
たはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂ま
たはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
【００２８】前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であ
るのが好ましい。
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であ
るのが好ましい。
【００２９】また本発明のチップキャリアフィルムの製
造方法は、ベースフィルムの表面に形成した金属膜をエ
ッチングして金属配線を形成したのち、該金属配線を覆
うように第１の絶縁膜を塗布し、ついで前記金属配線と
接続させるために半導体チップを前記ベースフィルムに
搭載させ、ついで前記ベースフィルムの裏面に、前記第
１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第
２の絶縁膜を塗布し、つぎに第１および第２の絶縁膜を
硬化させることを特徴とする。
造方法は、ベースフィルムの表面に形成した金属膜をエ
ッチングして金属配線を形成したのち、該金属配線を覆
うように第１の絶縁膜を塗布し、ついで前記金属配線と
接続させるために半導体チップを前記ベースフィルムに
搭載させ、ついで前記ベースフィルムの裏面に、前記第
１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第
２の絶縁膜を塗布し、つぎに第１および第２の絶縁膜を
硬化させることを特徴とする。
【００３０】前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高い
硬化収縮率を有する前記第２の絶縁膜を塗布したのち、
これらの絶縁膜を硬化させるのが好ましい。
硬化収縮率を有する前記第２の絶縁膜を塗布したのち、
これらの絶縁膜を硬化させるのが好ましい。
【００３１】前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜
を加熱によって硬化させるのが好ましい。
を加熱によって硬化させるのが好ましい。
【００３２】さらに本発明の液晶表示装置は、ベースフ
ィルムの表面に形成された金属配線、半導体チップ接続
パッド部および端子接続パッド部を除き前記金属配線を
覆う第１の絶縁膜、前記金属配線の前記半導体チップ接
続パッド部に接続され前記ベースフィルムに搭載された
半導体チップ、前記金属配線の前記端子接続パッド部に
接続された回路基板および液晶表示パネル、前記ベース
フィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化
収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備え
ることを特徴とする。
ィルムの表面に形成された金属配線、半導体チップ接続
パッド部および端子接続パッド部を除き前記金属配線を
覆う第１の絶縁膜、前記金属配線の前記半導体チップ接
続パッド部に接続され前記ベースフィルムに搭載された
半導体チップ、前記金属配線の前記端子接続パッド部に
接続された回路基板および液晶表示パネル、前記ベース
フィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬化
収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備え
ることを特徴とする。
【００３３】前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第１
の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
の絶縁膜の硬化収縮率よりも高いのが好ましい。
【００３４】前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜
が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
が熱硬化性樹脂からなるのが好ましい。
【００３５】前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹脂
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エ
ポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好まし
い。
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、エ
ポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂であるのが好まし
い。
【００３６】前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系樹
脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂ま
たはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂ま
たはエポキシ系樹脂であるのが好ましい。
【００３７】前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹脂
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であ
るのが好ましい。
であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂であ
るのが好ましい。
【００３８】前記端子接続パッド部が前記ベースフィル
ムの両端に設けられており、該端子接続パッド部の一方
端は前記回路基板に接続され、端子接続パッド部の他方
端は前記液晶表示パネルに接続されているのが好まし
い。
ムの両端に設けられており、該端子接続パッド部の一方
端は前記回路基板に接続され、端子接続パッド部の他方
端は前記液晶表示パネルに接続されているのが好まし
い。
【００３９】前記ベースフィルムの厚さが３５〜４０μ
ｍであるのが好ましい。
ｍであるのが好ましい。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて、本発
明のチップキャリアフィルムおよびその製造方法ならび
にこのチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置
を説明する。
明のチップキャリアフィルムおよびその製造方法ならび
にこのチップキャリアフィルムを使用した液晶表示装置
を説明する。
【００４１】図１はＣＯＦ（chip on film）を介して回
路基板と液晶表示パネルを接続した液晶表示装置の斜視
図である。図２は図１におけるＣＯＦの拡大平面図であ
る。図３は図２のＩ−Ｉ線断面図である。
路基板と液晶表示パネルを接続した液晶表示装置の斜視
図である。図２は図１におけるＣＯＦの拡大平面図であ
る。図３は図２のＩ−Ｉ線断面図である。
【００４２】図１におけるゲートバス回路基板１および
ソースバス回路基板２は、パソコン本体のコントローラ
からＲＧＢデータやクロックの信号を受け取る。これら
の回路基板１、２は、ＡＣＦ(Anisotoropic Conductive
Film：異方性導電膜)または半田によって、ドライバＩ
Ｃ４を搭載したＣＯＦ３の金属配線１２の入力側端子の
接続パッド部１３に接続されている。また液晶表示パネ
ル５は、ＡＣＦによってＣＯＦ３の金属配線１２の出力
側端子接続パッド部に接続される。図２に示すように、
金属配線１２の端子接続パッド部８、９は、ＣＯＦ３の
両端に配置されている。これらの端子接続パッド部８、
９を挟んだ半導体チップキャリア領域内６において、ド
ライバＩＣ４が金属配線１２のＩＣ接続パッド部１３で
バンプ接続されている。このようにして、図１に示され
た液晶表示装置７が得られる。なお、ドライバＩＣ４の
周囲には封止樹脂１８が設けられている。
ソースバス回路基板２は、パソコン本体のコントローラ
からＲＧＢデータやクロックの信号を受け取る。これら
の回路基板１、２は、ＡＣＦ(Anisotoropic Conductive
Film：異方性導電膜)または半田によって、ドライバＩ
Ｃ４を搭載したＣＯＦ３の金属配線１２の入力側端子の
接続パッド部１３に接続されている。また液晶表示パネ
ル５は、ＡＣＦによってＣＯＦ３の金属配線１２の出力
側端子接続パッド部に接続される。図２に示すように、
金属配線１２の端子接続パッド部８、９は、ＣＯＦ３の
両端に配置されている。これらの端子接続パッド部８、
９を挟んだ半導体チップキャリア領域内６において、ド
ライバＩＣ４が金属配線１２のＩＣ接続パッド部１３で
バンプ接続されている。このようにして、図１に示され
た液晶表示装置７が得られる。なお、ドライバＩＣ４の
周囲には封止樹脂１８が設けられている。
【００４３】図３を用いてＣＯＦの構成およびその製法
をより詳しく説明する。
をより詳しく説明する。
【００４４】ポリイミド製ベースフィルム１１の表面に
反応性イオン、中性イオン、電子または光子のいずれか
を照射して、この表面を粗面化する。ついで、このフィ
ルムに銅箔を設けて、この銅箔に無電解メッキ法で錫メ
ッキしたのち、銅箔と錫メッキの２層金属膜をエッチン
グすることで金属配線１２を形成する。
反応性イオン、中性イオン、電子または光子のいずれか
を照射して、この表面を粗面化する。ついで、このフィ
ルムに銅箔を設けて、この銅箔に無電解メッキ法で錫メ
ッキしたのち、銅箔と錫メッキの２層金属膜をエッチン
グすることで金属配線１２を形成する。
【００４５】つぎに、金属配線１２のうちインナーリー
ド１０を絶縁保護するため、端子接続パッド部８、９お
よびＩＣ接続パッド部１３を除く金属配線１２をほぼ完
全に覆うようソルダーレジスト１４（図１および図２に
おいて斜線で図示している）を硬化後の厚さで約２５μ
ｍ程度となるよに、スクリーン印刷法で形成している。
このため、端子接続パッド部８、９、および半導体ＩＣ
接続パッド部１３の金属配線１２は、ソルダーレジスト
１４に覆われることなく露出している。そして、ドライ
バＩＣ４は、ＩＣ接続パッド部１３でバンプによって金
属配線１２と接続され、ベースフィルム１１上に表面実
装されている。さらに、ドライバＩＣ４と金属配線１２
の接続を保護し、両者の熱膨張率の差異に起因する熱応
力を緩和する目的で、封止樹脂１８がドライバＩＣ４の
周囲に設けられている。
ド１０を絶縁保護するため、端子接続パッド部８、９お
よびＩＣ接続パッド部１３を除く金属配線１２をほぼ完
全に覆うようソルダーレジスト１４（図１および図２に
おいて斜線で図示している）を硬化後の厚さで約２５μ
ｍ程度となるよに、スクリーン印刷法で形成している。
このため、端子接続パッド部８、９、および半導体ＩＣ
接続パッド部１３の金属配線１２は、ソルダーレジスト
１４に覆われることなく露出している。そして、ドライ
バＩＣ４は、ＩＣ接続パッド部１３でバンプによって金
属配線１２と接続され、ベースフィルム１１上に表面実
装されている。さらに、ドライバＩＣ４と金属配線１２
の接続を保護し、両者の熱膨張率の差異に起因する熱応
力を緩和する目的で、封止樹脂１８がドライバＩＣ４の
周囲に設けられている。
【００４６】本実施の形態の特徴は、ベースフィルム１
１の裏面（ソルダーレジスト１４の形成された面と反対
面）に、ソルダーレジスト１４よりも熱硬化収縮率の高
い熱裏面樹脂１５（図３においてドットで図示してい
る）を、硬化後の厚さで約２５μｍ程度となるように、
スクリーン印刷法で形成していることにある。
１の裏面（ソルダーレジスト１４の形成された面と反対
面）に、ソルダーレジスト１４よりも熱硬化収縮率の高
い熱裏面樹脂１５（図３においてドットで図示してい
る）を、硬化後の厚さで約２５μｍ程度となるように、
スクリーン印刷法で形成していることにある。
【００４７】なお、ここで、前記回路基板１、２や液晶
表示パネル５の外部回路と接続される端子接続パッド部
８、９を平坦に保つことは、端子部の接続信頼性を図る
上で極めて重要である。このため、裏面樹脂１５は、接
続端子パット部８、９を覆わないように、端子接続パッ
ド部８、９で挟まれたチップキャリア領域１７内であっ
てベースフィルム１１の裏面に形成する必要がある。ま
た、ソルダーレジスト１４も、同様にチップキャリア領
域１７内に形成する必要がある。
表示パネル５の外部回路と接続される端子接続パッド部
８、９を平坦に保つことは、端子部の接続信頼性を図る
上で極めて重要である。このため、裏面樹脂１５は、接
続端子パット部８、９を覆わないように、端子接続パッ
ド部８、９で挟まれたチップキャリア領域１７内であっ
てベースフィルム１１の裏面に形成する必要がある。ま
た、ソルダーレジスト１４も、同様にチップキャリア領
域１７内に形成する必要がある。
【００４８】仮に裏面樹脂１５がなければ、フィルム裏
面一端を自動搬送のアームで保持すると、ベースフィル
ム１１の厚さが３５〜４０μｍと薄膜であるため、ドラ
イバＩＣ４の自重でベースフィルム１１は垂れてしま
う。この現象を回避するため、ベースフィルム１１のソ
ルダーレジスト１４よりも熱硬化収縮率の高い裏面樹脂
１５を塗布して硬化させる。こうすると、ソルダーレジ
スト１４の熱硬化収縮よりも裏面樹脂１５の熱硬化収縮
が打ち勝って、ベースフィルム１１を裏面からみて凹状
に反らせることができる。したがって、裏面樹脂１５の
熱硬化収縮に起因するベースフィルム１１の反りと、搬
送時のドライバＩＣ自重によるベースフィルム１１の垂
れが打ち消しあって、ＣＯＦ３を水平に保って、液晶表
示パネル５にスムーズにＣＯＦ３をマウントできる。
面一端を自動搬送のアームで保持すると、ベースフィル
ム１１の厚さが３５〜４０μｍと薄膜であるため、ドラ
イバＩＣ４の自重でベースフィルム１１は垂れてしま
う。この現象を回避するため、ベースフィルム１１のソ
ルダーレジスト１４よりも熱硬化収縮率の高い裏面樹脂
１５を塗布して硬化させる。こうすると、ソルダーレジ
スト１４の熱硬化収縮よりも裏面樹脂１５の熱硬化収縮
が打ち勝って、ベースフィルム１１を裏面からみて凹状
に反らせることができる。したがって、裏面樹脂１５の
熱硬化収縮に起因するベースフィルム１１の反りと、搬
送時のドライバＩＣ自重によるベースフィルム１１の垂
れが打ち消しあって、ＣＯＦ３を水平に保って、液晶表
示パネル５にスムーズにＣＯＦ３をマウントできる。
【００４９】以下、樹脂の収縮によってベースフィルム
を反らすメカニズムを説明する。
を反らすメカニズムを説明する。
【００５０】図４の（ａ）は熱硬化性樹脂を塗布したベ
ースフィルムにおける樹脂硬化前の状態を示す断面図で
あり、図４の（ｂ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフ
ィルムにおける樹脂硬化後の状態を示す断面図である。
ースフィルムにおける樹脂硬化前の状態を示す断面図で
あり、図４の（ｂ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフ
ィルムにおける樹脂硬化後の状態を示す断面図である。
【００５１】加熱を加えて架橋剤を反応させて、図４の
（ａ）の熱硬化性樹脂１７を熱硬化させると、この硬化
過程で樹脂は体積収縮する。すなわち、図４の（ｂ）に
示すように、ベースフィルム１６との界面を除いて熱硬
化性樹脂１７全体が所定の熱硬化収縮率に基づいて熱収
縮する。ところが、熱硬化性樹脂１７とベースフィルム
１６の界面については、熱硬化性樹脂１７はベースフィ
ルム１６に密着して自由に収縮できずに、熱硬化性樹脂
１７の硬化収縮に基づくベースフィルム１６と熱硬化性
樹脂１７とのあいだにせん断応力Ｘが生じる。
（ａ）の熱硬化性樹脂１７を熱硬化させると、この硬化
過程で樹脂は体積収縮する。すなわち、図４の（ｂ）に
示すように、ベースフィルム１６との界面を除いて熱硬
化性樹脂１７全体が所定の熱硬化収縮率に基づいて熱収
縮する。ところが、熱硬化性樹脂１７とベースフィルム
１６の界面については、熱硬化性樹脂１７はベースフィ
ルム１６に密着して自由に収縮できずに、熱硬化性樹脂
１７の硬化収縮に基づくベースフィルム１６と熱硬化性
樹脂１７とのあいだにせん断応力Ｘが生じる。
【００５２】このせん断応力Ｘが、樹脂１７の上面側か
ら見てベースフィルム１６を凹状に曲げ、ベースフィル
ム１６を反らせようとする作用を生じさせる。
ら見てベースフィルム１６を凹状に曲げ、ベースフィル
ム１６を反らせようとする作用を生じさせる。
【００５３】
【実施例】アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系およ
びウレタン系の４種類の熱硬化性樹脂を使って、ベース
フィルムの反り観察実験を行なった。以下の実験結果
（実験例１〜３）からつぎの（１）〜（３）の知見を得
た。
びウレタン系の４種類の熱硬化性樹脂を使って、ベース
フィルムの反り観察実験を行なった。以下の実験結果
（実験例１〜３）からつぎの（１）〜（３）の知見を得
た。
【００５４】（１）ベースフィルムの表面のソルダーレ
ジストにウレタン系樹脂を使用する場合、裏面樹脂に
は、ウレタン系樹脂よりも収縮率の高いポリイミド系樹
脂、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂を使用できる
ことがわかった。 （２）ベースフィルムの表面のソルダーレジストにポリ
イミド系樹脂を使用する場合、裏面樹脂には、ポリイミ
ド系樹脂よりも収縮率の高いエポキシ系樹脂またはアク
リル系樹脂を使用できることがわかった。 （３）ベースフィルムの表面のソルダーレジストにエポ
キシ系樹脂を使用する場合、裏面樹脂には、エポキシ系
樹脂よりも収縮率の高いアクリル系樹脂を使用できるこ
とがわかった。
ジストにウレタン系樹脂を使用する場合、裏面樹脂に
は、ウレタン系樹脂よりも収縮率の高いポリイミド系樹
脂、エポキシ系樹脂またはアクリル系樹脂を使用できる
ことがわかった。 （２）ベースフィルムの表面のソルダーレジストにポリ
イミド系樹脂を使用する場合、裏面樹脂には、ポリイミ
ド系樹脂よりも収縮率の高いエポキシ系樹脂またはアク
リル系樹脂を使用できることがわかった。 （３）ベースフィルムの表面のソルダーレジストにエポ
キシ系樹脂を使用する場合、裏面樹脂には、エポキシ系
樹脂よりも収縮率の高いアクリル系樹脂を使用できるこ
とがわかった。
【００５５】実施例１実験条件 ベースフィルムはポリイミド樹脂（厚さ３８μｍ）で
ある。 ベースフィルムの裏面の樹脂材質はアクリル系樹脂で
ある。 アクリル系樹脂の熱硬化収縮率は０．０４〜０．０５×
１０-3／℃である。 ベースフィルム表面の樹脂材質はエポキシ系樹脂であ
る。
ある。 ベースフィルムの裏面の樹脂材質はアクリル系樹脂で
ある。 アクリル系樹脂の熱硬化収縮率は０．０４〜０．０５×
１０-3／℃である。 ベースフィルム表面の樹脂材質はエポキシ系樹脂であ
る。
【００５６】エポキシ系樹脂の熱硬化収縮率は０．０２
〜０．０３×１０-3／℃である。
〜０．０３×１０-3／℃である。
【００５７】実験結果 ベースフィルムの両面に塗布した樹脂を熱硬化させ、こ
れの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面から
みて凹状に曲げられた。
れの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面から
みて凹状に曲げられた。
【００５８】実施例２実験条件 ベースフィルムはポリイミド樹脂（厚さ３８μｍ）で
ある。 ベースフィルム裏面の樹脂材質はエポキシ系樹脂であ
る。エポキシ系樹脂の熱硬化収縮率は０．０２〜０．０
３である。 ベースフィルム表面の樹脂材質はポリイミド系樹脂で
ある。
ある。 ベースフィルム裏面の樹脂材質はエポキシ系樹脂であ
る。エポキシ系樹脂の熱硬化収縮率は０．０２〜０．０
３である。 ベースフィルム表面の樹脂材質はポリイミド系樹脂で
ある。
【００５９】ポリイミド系樹脂の熱硬化収縮率はエポキ
シ系樹脂の熱硬化収縮率より小である。
シ系樹脂の熱硬化収縮率より小である。
【００６０】実験結果 ベースフィルムの両面に塗布した樹脂を熱硬化させ、こ
れの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面から
みて凹状に曲げられた。
れの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面から
みて凹状に曲げられた。
【００６１】実施例３実験条件 ベースフィルムはポリイミド樹脂（厚さ３８μｍ）で
ある。 ベースフィルム裏面の樹脂材質はポリイミド系樹脂で
ある。 ベースフィルム表面の樹脂材質はウレタン系樹脂であ
る。ウレタン系樹脂の熱硬化収縮率はポリイミド系樹脂
の熱硬化収縮率より小である。
ある。 ベースフィルム裏面の樹脂材質はポリイミド系樹脂で
ある。 ベースフィルム表面の樹脂材質はウレタン系樹脂であ
る。ウレタン系樹脂の熱硬化収縮率はポリイミド系樹脂
の熱硬化収縮率より小である。
【００６２】実験結果 ベースフィルムの両面に塗布した樹脂を熱硬化させ、こ
れの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面から
みて凹状に曲げられた。
れの状態を観察した。ベースフィルムは、その裏面から
みて凹状に曲げられた。
【００６３】なお、本実施の形態では、熱硬化型樹脂を
例に説明したが、本発明においては、これに限定される
ものではなく、たとえばＵＶ硬化型樹脂を用いても同様
の効果が得られる。
例に説明したが、本発明においては、これに限定される
ものではなく、たとえばＵＶ硬化型樹脂を用いても同様
の効果が得られる。
【００６４】
【発明の効果】請求項１〜７にかかわる発明によれば、
ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏面の
絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベース
フィルムを反らせることができる。このため、搬送装置
によってベースフィルムを保持する際に半導体チップの
自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとと
もに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフ
ィルムが得られる。
ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏面の
絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベース
フィルムを反らせることができる。このため、搬送装置
によってベースフィルムを保持する際に半導体チップの
自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できるとと
もに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリアフ
ィルムが得られる。
【００６５】請求項８〜１３にかかわる発明によれば、
ベースフィルム表面の半導体チップ領域内に第１の絶縁
膜を形成し、それの裏面の半導体チップ領域内に第２の
絶縁膜を形成し、第１および第２の絶縁膜の硬化収縮率
を異ならせたため、ベースフィルムを反らすことができ
る。このため、搬送装置によってベースフィルムを保持
する際に半導体チップの自重で発生するベースフィルム
の垂れを防止してマウントを支障なく行ない得るととも
に、端子接続パッドの平坦性を確保でき接続の信頼性が
向上できるチップキャリアフィルムが得られる。
ベースフィルム表面の半導体チップ領域内に第１の絶縁
膜を形成し、それの裏面の半導体チップ領域内に第２の
絶縁膜を形成し、第１および第２の絶縁膜の硬化収縮率
を異ならせたため、ベースフィルムを反らすことができ
る。このため、搬送装置によってベースフィルムを保持
する際に半導体チップの自重で発生するベースフィルム
の垂れを防止してマウントを支障なく行ない得るととも
に、端子接続パッドの平坦性を確保でき接続の信頼性が
向上できるチップキャリアフィルムが得られる。
【００６６】請求項１４〜１６にかかわる発明によれ
ば、ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏
面の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベ
ースフィルムを反らせることができる。このため、搬送
装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チッ
プの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できる
とともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリ
アフィルムの製造方法が得られる。
ば、ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏
面の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベ
ースフィルムを反らせることができる。このため、搬送
装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チッ
プの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できる
とともに、マウントを支障なく行ない得るチップキャリ
アフィルムの製造方法が得られる。
【００６７】請求項１７〜２４にかかわる発明によれ
ば、ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏
面の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベ
ースフィルムを反らせることができる。このため、搬送
装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チッ
プの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できる
とともに、液晶表示パネルに支障なくマウントできる液
晶表示装置が得られる。
ば、ベースフィルム表面の絶縁膜の硬化収縮率とその裏
面の絶縁膜の硬化収縮率を異ならせることによって、ベ
ースフィルムを反らせることができる。このため、搬送
装置によってベースフィルムを保持する際に半導体チッ
プの自重で発生するベースフィルムの垂れを防止できる
とともに、液晶表示パネルに支障なくマウントできる液
晶表示装置が得られる。
【図１】液晶表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態で説明するＣＯＦの平面図であ
る。
る。
【図３】本実施の形態で説明するＣＯＦの断面図であ
る。
る。
【図４】図４の（ａ）は熱硬化性樹脂を塗布したベース
フィルムにおける樹脂硬化前の状態を示す断面図であ
り、図４の（ｂ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフィ
ルムにおける樹脂硬化後の状態を示す断面図である。
フィルムにおける樹脂硬化前の状態を示す断面図であ
り、図４の（ｂ）は熱硬化性樹脂を塗布したベースフィ
ルムにおける樹脂硬化後の状態を示す断面図である。
【図５】従来の技術として説明するＴＣＰの平面図であ
る。
る。
【図６】従来の技術として説明するＴＣＰのＡ−Ａ線拡
大断面図である。
大断面図である。
【図７】従来のＣＯＦの断面図である。
１ ゲートバス回路基板 ２ ソースバス回路基板 ３ ＣＯＦ ４ ドライバＩＣ ５ 液晶表示パネル ６ 半導体チップキャリア領域 ７ 液晶表示装置 ８、９ 端子接続パッド部 １０ インナーリード １１、１６ ベースフィルム １２ 金属配線 １３ ＩＣ接続パッド部 １４ ソルダーレジスト １５ 裏面樹脂 １７ 熱硬化性樹脂 １８ 封止樹脂
Claims (24)
- 【請求項１】 ベースフィルムの表面に形成された金属
配線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッド
部を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属配
線の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベー
スフィルムに搭載された半導体チップ、および前記ベー
スフィルムの裏面に形成される、前記第１の絶縁膜の硬
化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備
えることを特徴とするチップキャリアフィルム。 - 【請求項２】 前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第
１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高い請求項１記載のチッ
プキャリアフィルム。 - 【請求項３】 前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁
膜が熱硬化性樹脂からなる請求項１または２記載のチッ
プキャリアフィルム。 - 【請求項４】 前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系樹
脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂、
エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂である請求項
１、２または３記載のチップキャリアフィルム。 - 【請求項５】 前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド系
樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂
またはエポキシ系樹脂である請求項１、２または３記載
のチップキャリアフィルム。 - 【請求項６】 前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系樹
脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂で
ある請求項１、２または３記載のチップキャリアフィル
ム。 - 【請求項７】 前記ベースフィルムの厚さが３５〜４０
μｍである請求項１、２、３、４、５または６記載のチ
ップキャリアフィルム。 - 【請求項８】 ベースフィルムの表面の両端に設けられ
た端子接続パット部、前記両端の端子接続パッド部で挟
まれた半導体チップキャリア領域、前記ベースフィルム
の表面の半導体チップキャリア領域内に形成された第１
の絶縁膜、前記ベースフィルムの裏面の前記半導体チッ
プキャリア領域内に形成される、前記第１の絶縁膜の硬
化収縮率とは硬化収縮率を異ならせた第２の絶縁膜を備
えることを特徴とするチップキャリアフィルム。 - 【請求項９】 前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記第
１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高い請求項８記載のチッ
プキャリアフィルム。 - 【請求項１０】 前記第１の絶縁膜および前記第２の絶
縁膜が熱硬化性樹脂からなる請求項８または９記載のチ
ップキャリアフィルム。 - 【請求項１１】 前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系
樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹
脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂である請求
項８、９または１０記載のチップキャリアフィルム。 - 【請求項１２】 前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド
系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹
脂またはエポキシ系樹脂である請求項８、９または１０
記載のチップキャリアフィルム。 - 【請求項１３】 前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系
樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂
である請求項８、９または１０記載のチップキャリアフ
ィルム。 - 【請求項１４】 ベースフィルムの表面に形成した金属
膜をエッチングして金属配線を形成したのち、該金属配
線を覆うように第１の絶縁膜を塗布し、ついで前記金属
配線と接続させるために半導体チップを前記ベースフィ
ルムに搭載し、ついで前記ベースフィルムの裏面に、前
記第１の絶縁膜の硬化収縮率と硬化収縮率を異ならせた
第２の絶縁膜を塗布し、つぎに第１および第２の絶縁膜
を硬化させることを特徴とするチップキャリアフィルム
の製造方法。 - 【請求項１５】 前記第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも
高い硬化収縮率を有する前記第２の絶縁膜を塗布したの
ち、第１および第２の絶縁膜を硬化させる請求項１４記
載のチップキャリアフィルムの製造方法。 - 【請求項１６】 前記第１の絶縁膜および前記第２の絶
縁膜を加熱によって硬化させる請求項１４または１５記
載のチップキャリアフィルムの製造方法。 - 【請求項１７】 ベースフィルムの表面に形成された金
属配線、半導体チップ接続パッド部および端子接続パッ
ド部を除き前記金属配線を覆う第１の絶縁膜、前記金属
配線の前記半導体チップ接続パッド部に接続され前記ベ
ースフィルムに搭載された半導体チップ、前記金属配線
の前記端子接続パッド部に接続された回路基板および液
晶表示パネル、前記ベースフィルムの裏面に形成され
る、前記第１の絶縁膜の硬化収縮率とは硬化収縮率を異
ならせた第２の絶縁膜を備えることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項１８】 前記第２の絶縁膜の硬化収縮率が前記
第１の絶縁膜の硬化収縮率よりも高い請求項１７記載の
液晶表示装置。 - 【請求項１９】 前記第１の絶縁膜および前記第２の絶
縁膜が熱硬化性樹脂からなる請求項１７または１８記載
の液晶表示装置。 - 【請求項２０】 前記第１の絶縁膜の材質がウレタン系
樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹
脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂である請求
項１７、１８または１９記載の液晶表示装置。 - 【請求項２１】 前記第１の絶縁膜の材質がポリイミド
系樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹
脂またはエポキシ系樹脂である請求項１７、１８または
１９記載の液晶表示装置。 - 【請求項２２】 前記第１の絶縁膜の材質がエポキシ系
樹脂であり、前記第２の絶縁膜の材質がアクリル系樹脂
である請求項１７、１８、１９記載の液晶表示装置。 - 【請求項２３】 前記端子接続パッド部が前記ベースフ
ィルムの両端に設けられており、該端子接続パッド部の
一方端は前記回路基板に接続され、端子接続パッド部の
他方端は前記液晶表示パネルに接続されている請求項１
７、１８、１９、２０、２１または２２記載の液晶表示
装置。 - 【請求項２４】 前記ベースフィルムの厚さが３５〜４
０μｍである請求項１７、１８、１９、２０、２１、２
２または２３記載の液晶表示装置。
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