JP3278938B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JP3278938B2 JP3278938B2 JP32351192A JP32351192A JP3278938B2 JP 3278938 B2 JP3278938 B2 JP 3278938B2 JP 32351192 A JP32351192 A JP 32351192A JP 32351192 A JP32351192 A JP 32351192A JP 3278938 B2 JP3278938 B2 JP 3278938B2
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- Japan
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- support ring
- semiconductor device
- tape
- tab tape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はTAB(Tape Automated Bon
ding) テープを用い樹脂封止する半導体装置と製造方法
に関する。
ding) テープを用い樹脂封止する半導体装置と製造方法
に関する。
【０００２】近年, 電子機器の小型化および軽薄化によ
り, テープキャリアパッケージ(TCP；Tape Carrier Pac
kage) が多用されており，その性能と信頼性の向上と原
価の低減が要望されている。そのため，TAB テープの新
たな構造が求められている。
り, テープキャリアパッケージ(TCP；Tape Carrier Pac
kage) が多用されており，その性能と信頼性の向上と原
価の低減が要望されている。そのため，TAB テープの新
たな構造が求められている。
【０００３】
【従来の技術】図２(A),(B) は従来例によるTAB テープ
の説明図である。図２(B) はTAB テープの平面図で，図
２(A) は図２(B) の矢印で示される箇所の断面図であ
る。
の説明図である。図２(B) はTAB テープの平面図で，図
２(A) は図２(B) の矢印で示される箇所の断面図であ
る。
【０００４】図において， 1はTAB テープ（ポリイミド
膜等）, 1AはTAB テープのリードを保持する部分でサポ
ートリング, 1Bはサポートリングを保持するサポートバ
ー,1CはTAB テープ上に形成された試験用パッド, 2は
インナリード, 3はアウタリード, 4はリードをTAB テ
ープに接着するエポキシ系接着剤, 5は半導体チップ,
6は封止樹脂, 7はソルダレジストである。
膜等）, 1AはTAB テープのリードを保持する部分でサポ
ートリング, 1Bはサポートリングを保持するサポートバ
ー,1CはTAB テープ上に形成された試験用パッド, 2は
インナリード, 3はアウタリード, 4はリードをTAB テ
ープに接着するエポキシ系接着剤, 5は半導体チップ,
6は封止樹脂, 7はソルダレジストである。
【０００５】インナリード 2は半導体チップ 5上に形成
されたボンディングバンプにインナリードボンディング
(ILB) によって接合され，アウタリード 3はTAB テープ
1上に設けられた試験用パッド1Cに接続されており，こ
の試験用パッドを利用して試験を行った後アウタリード
3はサポートリングの直ぐ外側でアウタリードボンディ
ング(0LB) により実装され, ボンディング部の外側でリ
ード切断を行いチップ周辺のTAB テープ不要部が除去さ
れる。
されたボンディングバンプにインナリードボンディング
(ILB) によって接合され，アウタリード 3はTAB テープ
1上に設けられた試験用パッド1Cに接続されており，こ
の試験用パッドを利用して試験を行った後アウタリード
3はサポートリングの直ぐ外側でアウタリードボンディ
ング(0LB) により実装され, ボンディング部の外側でリ
ード切断を行いチップ周辺のTAB テープ不要部が除去さ
れる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のILB 時の熱によ
るポリイミド膜の収縮によりインナリードの位置ズレや
反り等によりバンプとの接合不良を起こしたり，また，
0LB 時の熱によるポリイミド膜の収縮や, 樹脂封止時の
樹脂硬化に伴い起こる収縮によるパッケージ自体の反り
を発生していた。
るポリイミド膜の収縮によりインナリードの位置ズレや
反り等によりバンプとの接合不良を起こしたり，また，
0LB 時の熱によるポリイミド膜の収縮や, 樹脂封止時の
樹脂硬化に伴い起こる収縮によるパッケージ自体の反り
を発生していた。
【０００７】また，テープキャリアパッケージはリード
等の放熱面積が小さいことから熱抵抗が高いという欠点
がある。さらに, TAB テープを多層化する場合はコスト
高となっていた。
等の放熱面積が小さいことから熱抵抗が高いという欠点
がある。さらに, TAB テープを多層化する場合はコスト
高となっていた。
【０００８】本発明はテープキャリアパッケージを用い
た半導体装置において，リードのボンディング時に発生
する熱の影響や封樹脂硬化時の収縮に伴う影響を緩和
し，また熱抵抗を下げ，さらにTAB テープを低コストで
多層化できるようにすることを目的とする。
た半導体装置において，リードのボンディング時に発生
する熱の影響や封樹脂硬化時の収縮に伴う影響を緩和
し，また熱抵抗を下げ，さらにTAB テープを低コストで
多層化できるようにすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）半導体チップの周囲に枠状のサポートリングを有し
且つ該サポートリングにその内外を結び延在する複数の
リードが被着されているテープが用いられ，該サポート
リングの内側に延在する該リードは該半導体チップに接
続され，該半導体チップが樹脂封止された半導体装置で
あって，該テープの該サポートリング上にスルーホール
導体を有する枠状の非可撓性基板が取りつけられている
半導体装置，あるいは ２）上記１）に記載の半導体装置の該基板の取りつけ
が，接着剤を用いて貼着する，若しくは該テープに該ス
ルーホール導体に対応する位置で孔を開け該スルーホー
ル導体と該リードを接合する，又は両者を併用すること
により行われる半導体装置の製造方法により達成され
る。
且つ該サポートリングにその内外を結び延在する複数の
リードが被着されているテープが用いられ，該サポート
リングの内側に延在する該リードは該半導体チップに接
続され，該半導体チップが樹脂封止された半導体装置で
あって，該テープの該サポートリング上にスルーホール
導体を有する枠状の非可撓性基板が取りつけられている
半導体装置，あるいは ２）上記１）に記載の半導体装置の該基板の取りつけ
が，接着剤を用いて貼着する，若しくは該テープに該ス
ルーホール導体に対応する位置で孔を開け該スルーホー
ル導体と該リードを接合する，又は両者を併用すること
により行われる半導体装置の製造方法により達成され
る。
【００１０】
【作用】本発明では，TAB テープのサポートリング上に
スルーホール導体を有する枠状の基板を設けることによ
り, 半導体チップで発生する熱をこの基板に逃がすこと
により半導体装置の熱抵抗を下げ，また，サポートリン
グが基板で補強されるため反りのないテープキャリアパ
ッケージが得られた。また，枠状の基板はサポートリン
グを保持するサポートバーの上にも一部接着されるた
め，サポートバーの補強も行っている。さらに，基板に
回路パターンを形成することにより半導体装置に電気的
特性を付加でき，低コストで多層TAB テープと同等の性
能を与えることができる。
スルーホール導体を有する枠状の基板を設けることによ
り, 半導体チップで発生する熱をこの基板に逃がすこと
により半導体装置の熱抵抗を下げ，また，サポートリン
グが基板で補強されるため反りのないテープキャリアパ
ッケージが得られた。また，枠状の基板はサポートリン
グを保持するサポートバーの上にも一部接着されるた
め，サポートバーの補強も行っている。さらに，基板に
回路パターンを形成することにより半導体装置に電気的
特性を付加でき，低コストで多層TAB テープと同等の性
能を与えることができる。
【００１１】
【実施例】図１(A) 〜(C) は本発明の実施例によるTAB
テープの説明図である。図１(C) はTAB テープの平面図
で，図１(A) は図１(C) の矢印で示される箇所の断面
図，図１(B) は拡大断面図である。
テープの説明図である。図１(C) はTAB テープの平面図
で，図１(A) は図１(C) の矢印で示される箇所の断面
図，図１(B) は拡大断面図である。
【００１２】図において， 1はTAB テープ（ポリイミド
膜等）, 1AはTAB テープのリードを保持する部分でサポ
ートリング, 1Bはサポートリングを保持するサポートバ
ー,1CはTAB テープ上に形成された試験用パッド, 2 は
インナリード, 3はアウタリード, 4はリードをTAB テ
ープに接着するエポキシ系接着剤, 5は半導体チップ,
6は封止樹脂, 8は本発明の基板で，例えばガラスエポ
キシ系または金属ベース等からなる基板, 8Aはスルーホ
ール導体(VIA), 8Bは回路パターンである。
膜等）, 1AはTAB テープのリードを保持する部分でサポ
ートリング, 1Bはサポートリングを保持するサポートバ
ー,1CはTAB テープ上に形成された試験用パッド, 2 は
インナリード, 3はアウタリード, 4はリードをTAB テ
ープに接着するエポキシ系接着剤, 5は半導体チップ,
6は封止樹脂, 8は本発明の基板で，例えばガラスエポ
キシ系または金属ベース等からなる基板, 8Aはスルーホ
ール導体(VIA), 8Bは回路パターンである。
【００１３】ここで，枠状基板をサポートリングに取り
つける方法は以下のようにする。 (1) 枠状基板のスルーホール導体とテープ上のリードと
をレーザ溶接する。 (2) エポキシ系接着剤で枠状基板をサポートリングに接
着する。
つける方法は以下のようにする。 (1) 枠状基板のスルーホール導体とテープ上のリードと
をレーザ溶接する。 (2) エポキシ系接着剤で枠状基板をサポートリングに接
着する。
【００１４】このいずれかの方法または両方の方法を用
いて, サポートリング上に枠状基板を設ける。また，基
板の取りつけ時期は，ILB 前に取りつける場合と,ILB後
に取りつける場合と二通りなる。
いて, サポートリング上に枠状基板を設ける。また，基
板の取りつけ時期は，ILB 前に取りつける場合と,ILB後
に取りつける場合と二通りなる。
【００１５】このように, 枠状基板をサポートリング上
に設けることにより, ILO 時の熱によるポリイミドの収
縮により発生するインナリードの位置ズレやバンプとの
接合不良がなくなった。また，OLB 時のポリイミドの収
縮や樹脂封止時の樹脂硬化収縮によるパッケージ自体の
反りの発生を抑制することができた。
に設けることにより, ILO 時の熱によるポリイミドの収
縮により発生するインナリードの位置ズレやバンプとの
接合不良がなくなった。また，OLB 時のポリイミドの収
縮や樹脂封止時の樹脂硬化収縮によるパッケージ自体の
反りの発生を抑制することができた。
【００１６】また, 基板の回路パターンにより, 放熱面
積が大きくなって放熱性を向上し，電気的特性を向上さ
せることができた。さらに, 基板上に形成する回路パタ
ーンを多層化することにより, 低コストで多層TAB テー
プと同等の性能を持つテープキャリアパッケージが得ら
れた。
積が大きくなって放熱性を向上し，電気的特性を向上さ
せることができた。さらに, 基板上に形成する回路パタ
ーンを多層化することにより, 低コストで多層TAB テー
プと同等の性能を持つテープキャリアパッケージが得ら
れた。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば, テープキャリアパッケ
ージを用いた半導体装置において，リードのボンディン
グ時に発生する熱の影響や封樹脂硬化時の収縮に伴う影
響を緩和し，また半導体装置の熱抵抗を下げ，さらにTA
B テープを低コストで多層化できるようになった。
ージを用いた半導体装置において，リードのボンディン
グ時に発生する熱の影響や封樹脂硬化時の収縮に伴う影
響を緩和し，また半導体装置の熱抵抗を下げ，さらにTA
B テープを低コストで多層化できるようになった。
【図１】 本発明の実施例によるTAB テープの説明図
【図２】 従来例によるTAB テープの説明図
1 TAB テープ（ポリイミド膜等） 1A TABテープのリードを保持する部分でサポートリン
グ 1B サポートリングを保持するサポートバー 1C TAB テープ上に形成された試験用パッド 2 インナリード 3 アウタリード 4 リードをTAB テープに接着するエポキシ系接着剤 5 半導体チップ 6 封止樹脂 8 本発明の枠状基板 8A スルーホール導体(VIA) 8B 回路パターン
グ 1B サポートリングを保持するサポートバー 1C TAB テープ上に形成された試験用パッド 2 インナリード 3 アウタリード 4 リードをTAB テープに接着するエポキシ系接着剤 5 半導体チップ 6 封止樹脂 8 本発明の枠状基板 8A スルーホール導体(VIA) 8B 回路パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−159013（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−93040（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−191542（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 311 H01L 23/50
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップの周囲に枠状のサポートリ
ングを有し且つ該サポートリングにその内外を結び延在
する複数のリードが被着されているテープが用いられ，
該サポートリングの内側に延在する該リードは該半導体
チップに接続され，該半導体チップが樹脂封止された半
導体装置であって，該テープの該サポートリング上にス
ルーホール導体を有する枠状の非可撓性基板が取りつけ
られていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の該基板の取
りつけが，接着剤を用いて貼着する，若しくは該テープ
に該スルーホール導体に対応する位置で孔を開け該スル
ーホール導体と該リードを接合する，又は両者を併用す
ることにより行われることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32351192A JP3278938B2 (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32351192A JP3278938B2 (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177203A JPH06177203A (ja) | 1994-06-24 |
| JP3278938B2 true JP3278938B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=18155508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32351192A Expired - Fee Related JP3278938B2 (ja) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278938B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2904123B2 (ja) * | 1996-05-10 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | 多層フィルムキャリアの製造方法 |
-
1992
- 1992-12-03 JP JP32351192A patent/JP3278938B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06177203A (ja) | 1994-06-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020122 |
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