CN101910475A - 具有改善的厚度均匀性的外延筒形基座 - Google Patents

具有改善的厚度均匀性的外延筒形基座 Download PDF

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    • C23C16/4588—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically the substrate being rotated

Abstract

一种用于在具有内部空间的加热室中支撑半导体晶片的筒形基座。每一个所述晶片具有前表面、背表面以及周边侧部。所述基座包括体，所述体具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面。每一个面具有外表面和从所述外表面横向向内延伸到所述体中的凹陷。每一个凹陷被限定各自的凹陷的边沿围绕。所述基座还包括从所述体向外延伸的多个凸缘。每一个所述凸缘位于所述凹陷中的一个中并包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中容纳的半导体晶片。每一个所述支撑表面与各自的面的所述外表面分隔。

Description

具有改善的厚度均匀性的外延筒形基座
技术领域
本发明通常涉及外延筒形基座(epitaxial barrel susceptor)，更具体地涉及包括改进的凹口(pocket)的外延筒形基座。
背景技术
化学气相沉积是用于在半导体晶片上生长材料薄层的方法，因此沉积的材料的晶格结构与晶片相同。使用该方法，可将具有不同导电性的层施加到半导体晶片以获得需要的电特性。化学气相沉积广泛用于半导体晶片制造以构建外延层，由此可以直接在外延层上制造器件。例如，在重掺杂的衬底上沉积的轻掺杂的外延层允许最优化CMOS器件，从而不受由衬底的低电阻所导致的闩锁的影响。可以实现其他优点，例如，可以精确地控制掺杂剂浓度分布和不存在氧。在美国专利5,904,769和5,769,942中公开了常规外延沉积方法，通过引用将其并入到这里。
外延沉积发生在反应器中。一种类型的反应器称为筒形反应器(barrelreactor)或分批处理反应器(batch reactor)。筒形反应器具有反应室，该反应室容纳有用于在外延沉积期间保持晶片的基座。图1示例了常规筒形基座，其整个用参考标号10表示。基座10具有大体上为垂直的但稍微倾斜的面12。每一个面12具有沿大体上垂直的列(column)对准的两个或更多的浅凹陷14。每一个凹陷14通常是圆形的并具有适宜于接收单个晶片(未示出)的直径。每一个凹陷还具有平面表面16，对应晶片的背表面靠在表面16上。在大多数情况下，基座10由被碳化硅涂覆的石墨构成，以减小诸如来自石墨的铁的污染物释放到周围工艺气体中。在美国专利6,129,4048中描述了常规筒形基座，通过引用将其并入到这里。
在外延沉积之前，半导体晶片被装载在基座的凹陷中，并将基座向下放置到沉积室中。外延沉积工艺开始于向晶片的前表面(即，背离基座的表面)引入诸如氢气或者氢气与盐酸混合物的清洁气体，以预加热和清洁晶片的前表面。清洁气体从前表面去除自然氧化物，这允许外延硅层在沉积工艺的随后的步骤期间持续且均匀地在表面上生长。通过向晶片的前表面引入诸如硅烷或氯化的硅烷的气态硅源气体来继续外延沉积工艺，从而在前表面上沉积和生长硅外延层。基座的凹陷可以包括用于在晶片的背表面上方同时注射氢气的喷孔(orifice)。在这两个步骤期间，基座在反应室中旋转。
筒形反应器是有利的，因为其可以同时处理多个晶片，并由此具有更高的吞吐量，典型地吞吐量在单次运行(run)中为六到十五个晶片之间。然而，使用常规筒形反应器所遇到的一个问题为，所处理的晶片经常不满足当前的厚度均匀性要求。当前的厚度均匀性要求的厚度均匀性小于约百分之二，优选地小于约百分之一。对于排除10毫米(mm)边缘的200毫米直径的晶片，在使用常规筒形基座的筒形反应器中处理的晶片的典型厚度均匀性在约百分之二与约百分之五之间。近年来，在单个晶片反应器中处理大多数的硅晶片，以满足更严格的厚度均匀性要求。单个晶片反应器具有比筒形反应器低得多的吞吐量，因为在单个晶片反应器中在单次运行中仅仅处理一个晶片。
因此，需要能够制造满足当前厚度均匀性要求的晶片的筒形反应器基座。
发明内容
本发明包括一种用于在具有内部空间的加热室中支撑多个半导体晶片的筒形基座。每一个所述晶片具有前表面、与所述前表面相反的背表面以及围绕所述前表面和所述背表面延伸的周边侧部(circumferential side)。所述基座的尺寸和形状适于容纳在所述室的所述内部空间内且适于支撑所述多个半导体晶片。所述基座包括体，所述体具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面。每一个面具有外表面和从所述外表面横向向内延伸到所述体中的凹陷。每一个凹陷被限定各自的凹陷的边沿(rim)围绕。此外，所述基座包括从所述体向外延伸的多个凸缘(ledge)。每一个所述凸缘位于所述凹陷中的一个中并包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中容纳的半导体晶片。每一个所述支撑表面与各自的面的所述外表面分隔。
在另一方面，本发明包括一种用于在具有内部空间的加热室中支撑多个半导体晶片的筒形基座。每一个所述晶片具有前表面、与所述前表面相反的背表面以及围绕所述前表面和所述背表面延伸的周边侧部。所述基座的尺寸和形状适于容纳在所述室的所述内部空间内且适于支撑所述多个半导体晶片。所述基座包括体，所述体具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面。每一个面具有外表面和从所述外表面横向向内延伸到所述体中的凹陷。每一个凹陷被限定各自的凹陷的边沿围绕。此外，所述基座包括在每一个所述凹陷中从所述体向外延伸的多个凸缘。每一个所述凸缘包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中容纳的半导体晶片。
本发明还包括一种用于在具有内部空间的加热室中支撑多个半导体晶片的筒形基座。每一个所述晶片具有前表面、与所述前表面相反的背表面以及围绕所述前表面和所述背表面延伸的周边侧部。所述基座的尺寸和形状适于容纳在所述室的所述内部空间内且适于支撑所述多个半导体晶片。所述基座包括体，所述体具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面。每一个面具有外表面和从所述外表面横向向内延伸到所述体中的多个邻近的凹陷。每一个凹陷至少部分地被限定各自的凹陷的边沿围绕。此外，所述基座包括从所述体向外延伸的多个凸缘。每一个所述凸缘被限定所述凹陷的所述边沿中的至少一个边沿限定并包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中的至少一个中容纳的半导体晶片。
在又一方面，本发明包括一种用于在具有内部空间的加热室中支撑多个半导体晶片的筒形基座。每一个所述晶片具有前表面、与所述前表面相反的背表面以及围绕所述前表面和所述背表面延伸的周边侧部。所述基座的尺寸和形状适于容纳在所述室的所述内部空间内且适于支撑所述半导体晶片。所述基座包括体，所述体具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面。每一个面具有外表面和从所述外表面横向向内延伸到所述体中的凹陷。每一个凹陷的深度不大于约0.045英寸(1.143mm)。所述基座还包括从所述体向外延伸的多个凸缘。每一个所述凸缘包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中的一个中容纳的半导体晶片。
在再一方面，本发明包括一种用于在具有内部空间的加热室中支撑多个半导体晶片的筒形基座。每一个所述晶片具有前表面、与所述前表面相反的背表面、在所述前表面与所述背表面之间测量的厚度、以及围绕所述前表面和所述背表面延伸的周边侧部。所述基座的尺寸和形状适于容纳在所述室的所述内部空间内且适于支撑所述多个半导体晶片。所述基座包括体，所述体具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面。每一个面具有外表面和凹陷，所述凹陷从所述外表面横向向内延伸到所述体中至这样的深度，该深度等于各自的晶片的厚度。所述基座还包括从所述体向外延伸的多个凸缘。每一个所述凸缘包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中的一个中容纳的半导体晶片。
在下文中，其他目的和特征将部分地显而易见且被部分地指出。
附图说明
图1为常规的筒形反应器基座的透视图；
图2为本发明的第一实施例的基座的透视图；
图3为第二实施例的基座的透视图；以及
图4为第三实施例的基座的透视图。
在所有附图中，对应的参考字符表示对应的部分。
具体实施方式
现在参考附图，更具体地参考图2，用于在筒形反应器中支撑多个晶片的筒形基座大体上由参考标号20示出。基座20包括多面体22，该多面体22具有对称地围绕该体的假想中心轴26设置的多个(例如，三个)梯形面(其通常由24表示)。三角形的拐角部分(corner piece)28可以分隔基座20的面24。应理解，体22可以具有其他的形状而不背离本发明的范围。体22具有中空的内部(未示出)，该中空的内部与贯通体的顶部32的端口30流体连通。
参考图2，基座20的每一个面24包括平面的外表面40，该外表面40具有从面的底部44延伸到该面的与底部相反的顶部46的假想纵轴42。每一个面24在顶部46处朝体22的中心轴26向内倾斜。每一个面24还具有以对应的纵轴42为中心的浅凹陷50、52、54的列(column)和邻近该面的底部44的两个评估段凹陷(evaluation piece recess)56。虽然评估段凹陷56可以具有不背离本发明的范围的其他尺寸，但在一个实施例中，每一个评估凹陷具有约0.050英寸(1.270mm)的深度和约1.3英寸(33.020mm)的直径。评估凹陷用于保持较小的评估晶片，可以破坏性地测试所述评估晶片以评估外延工艺而不会牺牲产品晶片。
虽然底凹陷(bottom recess)50可以具有不背离本发明的范围的其他深度，但在一个实施例中，底凹陷具有约0.045英寸(1.143mm)的深度。底凹陷50以由60大体表示的边沿(rim)为边界，该边沿具有适于在外延处理期间保持半导体晶片(未示出)的窄的、倒圆的(rounded)下部62。底凹陷50的边沿60具有窄的、直的侧部64和倒圆的上部66，在外延处理期间所有的侧部64和上部66与晶片分隔，以允许在上边缘以及在底凹陷50中的晶片的前边缘和后边缘处的气体循环。
中间凹陷52位于底凹陷50上方。虽然中间凹陷52可以具有不背离本发明的范围的其他深度，但在一个实施例中，中间凹陷具有约0.045英寸(1.143mm)的深度。中间凹陷52具有适于在外延处理期间保持和围绕半导体晶片(未示出)的通常为圆形的边沿70。通过在中间凹陷的圆形边沿70与底凹陷的边沿60的倒圆的上部66之间形成的曲形凸缘或凸出部72，分隔底凹陷50和中间凹陷52。虽然凸缘72可以具有不背离本发明的范围的其他尺寸，但在一个实施例中，凸缘具有约0.138英寸(3.5052mm)的宽度并与基座20的面24平齐。因此，凸缘72具有用于在外延处理期间支撑半导体晶片的周边侧部的面向上的支撑表面74，该支撑表面74具有约0.045英寸(1.143mm)的宽度。
顶凹陷54围绕中间凹陷52的上部。虽然顶凹陷54可以具有不背离本发明的范围的其他深度，但在一个实施例中，顶凹陷具有约0.0165英寸(0.4191mm)的深度。顶凹陷54以边沿80为边界，边沿80具有窄的、直的侧部82和窄的、直的上部84，该侧部82和上部84在外延处理期间与晶片间隔，以允许在上边缘以及在晶片的前边缘和后边缘处的气体循环。虽然中间凹陷52的凸缘72和底凹陷50的边沿60的倒圆的下部62可以具有不背离本发明的范围的其他深度，但在一个实施例中，这些特征中的每一个具有约120°的弧长以及这样的半径，该半径约等于希望使用基座20处理的晶片的半径(例如，约3.97英寸(100.838mm))。在其他实施例中，不同凹陷的尺寸可以彼此不同。因为基座20的使用和制造是常规的并是本领域所公知的，因此没有对其进行更详细的描述。
在一个特定的实施例中，中间凹陷52的深度与顶凹陷54的深度之间的差异大体上等于晶片的厚度，以便晶片的外表面与顶凹陷的表面基本上齐平。作为晶片表面与顶凹陷表面齐平的结果，气体平稳地流过晶片流动而不会在晶片的前边缘处分裂。因为气体平稳地流动，因此与气流被分裂的情况相比，边界层保持为较薄。反应剂气体必须扩散穿进边界层，并且反应剂副产物必须扩散穿出边界层。较薄的边界层改善了扩散，导致了较厚的边界层。
使用上述基座20的测试所获得的外延厚度分布在排除了三毫米边缘的整个200毫米(mm)直径晶片内的变化小于约一微米。此外，实际外延厚度在晶片的前侧边缘和后侧边缘附近增加。这有利地与在背景技术中描述的常规基座10形成了对比。常规基座获得的外延厚度分布在排除了三毫米的边缘的整个200毫米(mm)直径晶片内的变化大于约1.2微米(μm)。此外，相比于与晶片边缘间隔的厚度位置，在晶片边缘附近的外延厚度减小了约一微米。
图3示例了本发明的第二实施例，其中用参考标号120大体表示用于在筒形反应器中支撑多个晶片的筒形基座。因为基座20与前一实施例的基座20相似，因此通过将对应的参考标号增加100来表示相似的部件。基座120包括多面体22，多面体22具有关于体的假想中心轴126对称地设置的多个梯形面(其大体由124表示)。三角形的拐角部分128可以分隔基座120的面124。体122可以具有其他的形状而不背离本发明的范围。
基座120的每一个面24具有平面的外表面140，该外表面140具有从面的底部144延伸到该面的与该底部相反的顶部146的假想纵轴142。每一个面124还具有以对应的纵轴142为中心的浅凹陷150。每一个面124在顶部146处朝体122的中心轴126向内倾斜。另外，每一个面124具有邻近该面的底部144的两个评估段凹陷156。虽然凹陷150可以具有不背离本发明的范围的其他深度，但在一个实施例中，该凹陷具有约0.045英寸(1.143mm)的深度。凹陷150以由160大体上表示的边沿为边界，该边沿具有适于在外延处理期间保持半导体晶片(未示出)的窄的、倒圆的下部162。凹陷150的边沿160具有窄的、直的侧部164和直的上部166。在凹陷150中设置曲形凸缘或凸出部172，以在外延处理期间保持第二半导体晶片(未示出)。虽然凸缘172可以具有不背离本发明的范围的其他尺寸，但在一个实施例中，该凸缘具有约0.138英寸(3.5052mm)的宽度并与基座120的面124平齐。因此，凸缘172具有用于在外延处理期间支撑半导体晶片的周边侧部的面向上的支撑表面174，该支撑表面74具有约0.045英寸(1.143mm)的宽度。在外延处理期间，凹陷150的边沿160的侧部164和上部166与晶片间隔，从而允许在上边缘以及在凹陷中的晶片的前边缘和后边缘处的气体循环。虽然凸缘172和凹陷150的边沿160的倒圆的下部162可以具有不背离本发明的范围的其他尺寸，但在一个实施例中，这些特征中的每一个具有约120°的孤长以及约3.97英寸(100.838mm)的半径。在其他实施例中，不同凹陷的尺寸可以彼此不同。以同心圆形图形设置的一系列的孔180位于在凸缘172和边沿160的倒圆的下部162上方的凹陷150中。当晶片被放置在凹陷150中时，孔190位于晶片之后以减小自动掺杂。因为基座120的孔90和其他特征是常规的，所以没有对其进行进一步的描述。对具有上述配置的基座120的测试所得到的外延厚度分布在排除了三毫米的边缘的整个200毫米(mm)直径晶片内的变化小于约一微米。与第一实施例的基座20相同，实际外延厚度在晶片的前和后侧边缘附近增加。
图4示例了本发明的第三实施例，其中用参考标号220大体上表示用于在筒形反应器中支撑多个晶片的筒形基座。因为基座220与前一实施例的基座120相似，因此通过将对应的参考标号增加100来表示相似的部件。基座220包括多面体222，多面体222具有关于体的假想中心轴226对称地设置的多个梯形面224。三角形的拐角部分228分隔基座220的面224。体222可以具有其他的形状而不背离本发明的范围。
基座220的每一个面224具有平面的外表面240，该外表面240具有从面的底部244延伸到该面的与该底部相反的顶部246的假想纵轴242。每一个面224还具有以对应的纵轴242为中心并以边沿(大体上由260表示)为边界的浅矩形凹陷250。每一个面224在顶部246处朝体222的中心轴226向内倾斜。虽然凹陷250可以具有不背离本发明的范围的其他深度，但在一个实施例中，该凹陷具有约0.045英寸(1.143mm)的深度。在凹陷250中设置多个凸缘或凸出部272(例如四个)，以在外延处理期间保持半导体晶片(未示出)。虽然凸缘272可以具有不背离本发明的范围的其他尺寸，但在一个实施例中，每一个凸缘具有约0.125英寸(3.1750mm)的宽度、约0.250英寸(6.3500mm)的长度、并与基座220的面224平齐。因此，每一个凸缘272具有用于在外延处理期间支撑半导体晶片的周边侧部的面向上的支撑表面274，该支撑表面274具有约0.045英寸(1.143mm)的宽度。此外，在一个实施例中，凸缘272被设置为从面224的纵轴242偏离50°并且半径为约3.94英寸(100.0760mm)。在外延处理期间凹陷250的边沿260与晶片相间隔，以允许气体循环完全围绕凹陷中的晶片。一系列的孔290位于凹陷150中以减小自动掺杂。对具有上述配置的基座220的测试所得到的外延厚度分布在排除了三毫米的边缘的整个200毫米(mm)直径晶片内的变化小于约一微米。与第一实施例的基座20相同，实际外延厚度在晶片的前和后侧边缘附近增加。
当介绍本发明或其优选实施例的部件时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或多个部件。术语“包括”、“包含”以及“具有”旨在为包容性的，并且表示可以存在除所列出的部件之外的其他部件。
鉴于以上描述，将可以看出本发明实现的几个优点。
由于可以对上述构造、产品以及方法做出各种改变而不背离本发明的范围，因此旨在将包含在上述说明中并由附图示出的所有事项理解为是示例性的而不是限制性的。

Claims (22)

1.一种用于在具有内部空间的加热室中支撑多个半导体晶片的筒形基座，每一个所述晶片具有前表面、与所述前表面相反的背表面以及围绕所述前表面和所述背表面延伸的周边侧部，所述基座的尺寸和形状适于容纳在所述室的所述内部空间内且适于支撑所述多个半导体晶片，所述基座包括：
体，其具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面，每一个面具有外表面和从所述外表面横向向内延伸到所述体中的凹陷，每一个凹陷被限定各自的凹陷的边沿围绕；以及
从所述体向外延伸的多个凸缘，每一个所述凸缘位于所述凹陷中的一个中并包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中容纳的半导体晶片，每一个所述支撑表面与各自的面的所述外表面分隔。
2.根据权利要求1的基座，其中所述凹陷横向向内延伸到所述体中至这样的深度，该深度被选择为使各自的晶片与所述外表面大体上平齐。
3.根据权利要求1的基座，其中每一个所述凸缘具有与各自的面的所述外表面平齐的外表面。
4.根据权利要求1的基座，其中每一个所述凸缘的所述支撑表面具有对应于由所述支撑表面支撑的所述半导体晶片的半径。
5.根据权利要求1的基座，其中每一个所述凸缘具有不大于约120°的弧长。
6.根据权利要求1的基座，其中每一个所述凸缘具有约0.250英寸(6.350mm)的长度。
7.根据权利要求1的基座，其中每一个所述凹陷具有不大于约0.045英寸(1.143mm)的深度。
8.根据权利要求7的基座，其中每一个所述凸缘具有约等于所述凹陷的深度的高度。
9.根据权利要求1的基座，其中四个所述凸缘被定位在每一个所述凹陷中。
10.根据权利要求9的基座，其中位于每一个凹陷中的所述四个凸缘中的第一对凸缘保持第一晶片，而位于每一个凹陷中的第二对凸缘保持第二晶片。
11.根据权利要求10的基座，其中每一个所述凸缘具有约0.250英寸(6.3500mm)的长度。
12.根据权利要求11的基座，其中每一个所述凸缘具有约0.125英寸(3.1750mm)的宽度。
13.根据权利要求11的基座，其中每一个所述凸缘具有与各自的面的所述外表面平齐的外表面。
14.根据权利要求11的基座，其中每一个所述凹陷具有不大于约0.045英寸(1.143mm)的深度。
15.根据权利要求1的基座，其中每一个面具有从所述外表面横向向内延伸到所述体中的多个邻近的凹陷，并且所述邻近的凹陷中的至少两个具有不同的深度。
16.一种用于在具有内部空间的加热室中支撑多个半导体晶片的筒形基座，每一个所述晶片具有前表面、与所述前表面相反的背表面以及围绕所述前表面和所述背表面延伸的周边侧部，所述基座的尺寸和形状适于容纳在所述室的所述内部空间内且适于支撑所述多个半导体晶片，所述基座包括：
体，其具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面，每一个面具有外表面和从所述外表面横向向内延伸到所述体中的凹陷，每一个凹陷被限定各自的凹陷的边沿围绕；以及
在每一个所述凹陷中从所述体向外延伸的多个凸缘，每一个所述凸缘包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中容纳的半导体晶片。
17.根据权利要求16的基座，其中，在每一个所述凹陷中从所述体向外延伸的多个凸缘中的每一个包括用于在各自的凹陷中保持第一晶片而设置的第一凸缘对和用于在各自的凹陷中保持第二晶片而设置的第二凸缘对。
18.根据权利要求16的基座，其中每一个所述凸缘具有不大于约0.250英寸(6.3500mm)的长度。
19.根据权利要求16的基座，其中每一个所述凸缘具有与各自的面的所述外表面平齐的外表面。
20.一种用于在具有内部空间的加热室中支撑多个半导体晶片的筒形基座，每一个所述晶片具有前表面、与所述前表面相反的背表面以及围绕所述前表面和所述背表面延伸的周边侧部，所述基座的尺寸和形状适于容纳在所述室的所述内部空间内且适于支撑所述多个半导体晶片，所述基座包括：
体，其具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面，每一个面具有外表面和从所述外表面横向向内延伸到所述体中的多个邻近的凹陷，每一个凹陷至少部分地被限定各自的凹陷的边沿围绕；以及
从所述体向外延伸的多个凸缘，每一个所述凸缘被限定所述凹陷的所述边沿中的至少一个边沿限定并包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中的至少一个中容纳的半导体晶片。
21.一种用于在具有内部空间的加热室中支撑多个半导体晶片的筒形基座，每一个所述晶片具有前表面、与所述前表面相反的背表面以及围绕所述前表面和所述背表面延伸的周边侧部，所述基座的尺寸和形状适于容纳在所述室的所述内部空间内且适于支撑所述多个半导体晶片，所述基座包括：
体，其具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面，每一个面具有外表面和从所述外表面横向向内延伸到所述体中的凹陷，每一个凹陷的深度不大于约0.045英寸(1.143mm)；以及
从所述体向外延伸的多个凸缘，每一个所述凸缘包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中的一个中容纳的半导体晶片。
22.一种用于在具有内部空间的加热室中支撑多个半导体晶片的筒形基座，每一个所述晶片具有前表面、与所述前表面相反的背表面、在所述前表面与所述背表面之间测量的厚度、以及围绕所述前表面和所述背表面延伸的周边侧部，所述基座的尺寸和形状适于容纳在所述室的所述内部空间内且适于支撑所述多个半导体晶片，所述基座包括：
体，其具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面，每一个面具有外表面和凹陷，所述凹陷从所述外表面横向向内延伸到所述体中至这样的深度，该深度等于各自的晶片的厚度；以及
从所述体向外延伸的多个凸缘，每一个所述凸缘包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中的一个中容纳的半导体晶片。
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