JP2785614B2 - シリンダー型エピタキシャル層成長装置 - Google Patents
シリンダー型エピタキシャル層成長装置Info
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- JP2785614B2 JP2785614B2 JP4282552A JP28255292A JP2785614B2 JP 2785614 B2 JP2785614 B2 JP 2785614B2 JP 4282552 A JP4282552 A JP 4282552A JP 28255292 A JP28255292 A JP 28255292A JP 2785614 B2 JP2785614 B2 JP 2785614B2
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- Japan
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- susceptor
- bell jar
- epitaxial layer
- substrate
- peripheral surface
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリンダー型エピタキ
シャル層成長装置におけるサセプタとベルジャーとの組
合わせ構造に関する。
シャル層成長装置におけるサセプタとベルジャーとの組
合わせ構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリンダー型エピタキシャル層成長装置
は図７に示す構造を有しており、石英製のベルジャー２
１内にサセプタ２２を回転自在に設け、このサセプタ２
２の側壁面に形成された円形凹部のポケット２３にシリ
コン単結晶基板のような基板（図示せず）を仕込み、ヒ
ータ２４によりベルジャー２１を通してサセプタ２２お
よび基板を加熱し、サセプタ２２を回転させると共に、
エピタキシャル成長原料ガス２５をベルジャー２１内に
下向流で流過させることにより、前記基板上にエピタキ
シャル層を成長させるものである。
は図７に示す構造を有しており、石英製のベルジャー２
１内にサセプタ２２を回転自在に設け、このサセプタ２
２の側壁面に形成された円形凹部のポケット２３にシリ
コン単結晶基板のような基板（図示せず）を仕込み、ヒ
ータ２４によりベルジャー２１を通してサセプタ２２お
よび基板を加熱し、サセプタ２２を回転させると共に、
エピタキシャル成長原料ガス２５をベルジャー２１内に
下向流で流過させることにより、前記基板上にエピタキ
シャル層を成長させるものである。
【０００３】上記成長装置では、サセプタ２２上の基板
に対峙するベルジャー２１の側壁部分Ｒにおいて、ベル
ジャー２１が直胴形をしているのに対し、サセプタ２２
は基板を保持するために下底面が上底面よりも大きい多
角錐台状（側面は台形）となっている。このため、図９
に示すように、サセプタ２２の外周面２２ａとベルジャ
ー２１の内周面２１ａとの隙間面積（サセプタ外周の多
角形とベルジャー内周の円形とで囲まれた面積）は、ベ
ルジャーの側壁部分Ｒにおいて上方部ほど大きく、下方
部ほど小さくなっている。
に対峙するベルジャー２１の側壁部分Ｒにおいて、ベル
ジャー２１が直胴形をしているのに対し、サセプタ２２
は基板を保持するために下底面が上底面よりも大きい多
角錐台状（側面は台形）となっている。このため、図９
に示すように、サセプタ２２の外周面２２ａとベルジャ
ー２１の内周面２１ａとの隙間面積（サセプタ外周の多
角形とベルジャー内周の円形とで囲まれた面積）は、ベ
ルジャーの側壁部分Ｒにおいて上方部ほど大きく、下方
部ほど小さくなっている。
【０００４】ところで、シリンダー型エピタキシャル層
成長装置を用いて基板上にエピタキシャル層を成長する
場合、基板面内の膜厚分布は、図８に示すように一般に
基板３１の中心点および外周部４点の計５点における
膜厚の最大値と最小値を用いて求められる〔フーリエ変
換赤外分光光度計（以下ＦＴＩＲと称する）による測
定〕。ここで「外周部４点」とは図８の破線で示す、基
板輪郭線より５ｍｍ内側に位置する同心曲線Ｃ上に採っ
た４点，，およびであって、はオリエンテー
ションフラット部３１ａの中心点直下にあり、点と
を結ぶ直線と点とを結ぶ直線とが互いに直交するよ
うに、これらの点の位置が設定されている。
成長装置を用いて基板上にエピタキシャル層を成長する
場合、基板面内の膜厚分布は、図８に示すように一般に
基板３１の中心点および外周部４点の計５点における
膜厚の最大値と最小値を用いて求められる〔フーリエ変
換赤外分光光度計（以下ＦＴＩＲと称する）による測
定〕。ここで「外周部４点」とは図８の破線で示す、基
板輪郭線より５ｍｍ内側に位置する同心曲線Ｃ上に採っ
た４点，，およびであって、はオリエンテー
ションフラット部３１ａの中心点直下にあり、点と
を結ぶ直線と点とを結ぶ直線とが互いに直交するよ
うに、これらの点の位置が設定されている。
【０００５】エピタキシャル基板では、上記５点におけ
る膜厚の最大値と最小値が近いほど好ましいことは言う
までもない。また、シリンダー型エピタキシャル層成長
装置において基板上のエピタキシャル層の膜厚を論じる
場合、サセプタ長軸方向の分布よりもサセプタ回転方向
の分布が問題になることが多く、図８に示すようにオリ
エンテーションフラット部３１ａを上側にして仕込んだ
場合、特に点，およびにおける膜厚を管理する必
要がある。この目的で、下記の［数１］で定義されるデ
ィッシング比Ｄを管理項目とする場合がある。このディ
ッシング比Ｄが１に近いほど望ましいことは勿論であ
る。
る膜厚の最大値と最小値が近いほど好ましいことは言う
までもない。また、シリンダー型エピタキシャル層成長
装置において基板上のエピタキシャル層の膜厚を論じる
場合、サセプタ長軸方向の分布よりもサセプタ回転方向
の分布が問題になることが多く、図８に示すようにオリ
エンテーションフラット部３１ａを上側にして仕込んだ
場合、特に点，およびにおける膜厚を管理する必
要がある。この目的で、下記の［数１］で定義されるデ
ィッシング比Ｄを管理項目とする場合がある。このディ
ッシング比Ｄが１に近いほど望ましいことは勿論であ
る。
【０００６】
【数１】Ｄ＝（ａ＋ｂ）／２ｃ （但し、ａは点における膜厚、ｂは点における膜
厚、ｃは点における膜厚である。）
厚、ｃは点における膜厚である。）
【０００７】ところで、図７に示すような３段型サセプ
タ２２（一つの面に上、中、下３枚の基板を収納できる
もの）を備えたシリンダー型エピタキシャル層成長装置
では、同一の段位置に限って言えば上記ディッシング比
は、ベルジャー２１内を流れる原料ガス２５の流量が多
いほど小さくなることが知られているが、従来、エピタ
キシャル層成長操作１バッチ内のエピタキシャル層の膜
厚分布を均一にするために行われてきた管理手段は、サ
セプタ２２の中段ポケット内の基板におけるディッシン
グ比が１となるように原料ガス流量を設定することのみ
であった。
タ２２（一つの面に上、中、下３枚の基板を収納できる
もの）を備えたシリンダー型エピタキシャル層成長装置
では、同一の段位置に限って言えば上記ディッシング比
は、ベルジャー２１内を流れる原料ガス２５の流量が多
いほど小さくなることが知られているが、従来、エピタ
キシャル層成長操作１バッチ内のエピタキシャル層の膜
厚分布を均一にするために行われてきた管理手段は、サ
セプタ２２の中段ポケット内の基板におけるディッシン
グ比が１となるように原料ガス流量を設定することのみ
であった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一般的にディ
ッシング比はサセプタ上段、中段、下段の段位置により
異なるものであり、上段ほどディッシング比が小さく、
下段ほど大きくなる。その結果、上段では基板の中央部
が外周部に比較してシリコンエピタキシャル層が厚くな
り、逆に下段では中央部が外周部に比較して薄くなる現
象が生じる。そのため、バッチ内で最もエピタキシャル
層が厚くなるのは上段の中央部、反対に最もエピタキシ
ャル層が薄くなるのは下段の外周部となり、下記の［数
２］で定義されるバッチ内膜厚分布が８％を超えること
がしばしばであった。
ッシング比はサセプタ上段、中段、下段の段位置により
異なるものであり、上段ほどディッシング比が小さく、
下段ほど大きくなる。その結果、上段では基板の中央部
が外周部に比較してシリコンエピタキシャル層が厚くな
り、逆に下段では中央部が外周部に比較して薄くなる現
象が生じる。そのため、バッチ内で最もエピタキシャル
層が厚くなるのは上段の中央部、反対に最もエピタキシ
ャル層が薄くなるのは下段の外周部となり、下記の［数
２］で定義されるバッチ内膜厚分布が８％を超えること
がしばしばであった。
【０００９】
【数２】バッチ内膜厚分布（％）＝（Ｔａ−Ｔｂ）×１
００／（Ｔａ＋Ｔｂ） （但し、Ｔａはバッチ内の膜厚測定点中の最大値、Ｔｂ
は同最小値である。）
００／（Ｔａ＋Ｔｂ） （但し、Ｔａはバッチ内の膜厚測定点中の最大値、Ｔｂ
は同最小値である。）
【００１０】また、上記シリンダー型エピタキシャル層
成長装置では、下記の［数３］で定義される基板内膜厚
分布（面内エピタキシャル層厚分布）も大きくなるとい
う問題点があった。
成長装置では、下記の［数３］で定義される基板内膜厚
分布（面内エピタキシャル層厚分布）も大きくなるとい
う問題点があった。
【００１１】
【数３】基板内膜厚分布（％）＝（Ｔｍ−Ｔｎ）×１０
０／（Ｔｍ＋Ｔｎ） （但し、Ｔｍは基板内の膜厚測定点中の最大値、Ｔｎは
同最小値である。）
０／（Ｔｍ＋Ｔｎ） （但し、Ｔｍは基板内の膜厚測定点中の最大値、Ｔｎは
同最小値である。）
【００１２】なお、上記バッチ内膜厚分布、および基板
内膜厚分布は前述の５点測定法（図８）により求められ
るものである。
内膜厚分布は前述の５点測定法（図８）により求められ
るものである。
【００１３】上記説明で明らかなように、本発明が解決
しようとする課題は、図７に示すようなシリンダー型エ
ピタキシャル層成長装置において、サセプタの上、中、
下段のポケット間でのディッシング比の差を小さくする
ことにより、前記バッチ内膜厚分布及び基板内膜厚分布
を従来のものに比べて著しく小さくすることにある。
しようとする課題は、図７に示すようなシリンダー型エ
ピタキシャル層成長装置において、サセプタの上、中、
下段のポケット間でのディッシング比の差を小さくする
ことにより、前記バッチ内膜厚分布及び基板内膜厚分布
を従来のものに比べて著しく小さくすることにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは実験によ
り、図９に示すようにサセプタ２２上の基板に対峙する
ベルジャー２１の側壁部分Ｒにおいて、サセプタ２２外
周面とベルジャー２１内周面との隙間面積（サセプタ外
周の多角形とベルジャー内周の円形とで囲まれた面積）
と、ディッシング比との間に直線関係が成立することを
見出し、この知見に基づいて、前記サセプタ２２の基板
仕込み位置、すなわち上、中、下段のポケット２３の全
てにわたって前記隙間面積を均一にすればディッシング
比が各段とも等しくなると考え、さらに実験を重ねた結
果、本発明を完成したものである。
り、図９に示すようにサセプタ２２上の基板に対峙する
ベルジャー２１の側壁部分Ｒにおいて、サセプタ２２外
周面とベルジャー２１内周面との隙間面積（サセプタ外
周の多角形とベルジャー内周の円形とで囲まれた面積）
と、ディッシング比との間に直線関係が成立することを
見出し、この知見に基づいて、前記サセプタ２２の基板
仕込み位置、すなわち上、中、下段のポケット２３の全
てにわたって前記隙間面積を均一にすればディッシング
比が各段とも等しくなると考え、さらに実験を重ねた結
果、本発明を完成したものである。
【００１５】すなわち本発明は、基板保持用のポケット
を備えたサセプタをベルジャー内に設けたシリンダー型
エピタキシャル層成長装置において、前記サセプタを多
角錐台状に形成し、前記ベルジャーを少なくとも前記サ
セプタ上の基板に対峙するベルジャーの側壁部分におい
て僅かに下方に拡がった円筒状に形成し、前記サセプタ
外周面とベルジャー内周面との隙間面積を、少なくとも
サセプタ上の基板に対峙するベルジャーの側壁部分にお
いて等しくしたことを特徴とする。
を備えたサセプタをベルジャー内に設けたシリンダー型
エピタキシャル層成長装置において、前記サセプタを多
角錐台状に形成し、前記ベルジャーを少なくとも前記サ
セプタ上の基板に対峙するベルジャーの側壁部分におい
て僅かに下方に拡がった円筒状に形成し、前記サセプタ
外周面とベルジャー内周面との隙間面積を、少なくとも
サセプタ上の基板に対峙するベルジャーの側壁部分にお
いて等しくしたことを特徴とする。
【００１６】つまり、サセプタとして多角錐台状のもの
を設けたシリンダー型エピタキシャル層成長装置におい
て、サセプタ外周面とベルジャー内周面との隙間面積を
サセプタ上の基板に対峙するベルジャー側壁部分におい
て等しくするために、ベルジャーの内径を下方ほど大き
くしたものである。前記ベルジャーは、前記サセプタの
幅が下方に向かって増加するのに対応させて、サセプタ
外周面とベルジャー内周面との距離を次第に小さくして
構成することが好ましい。
を設けたシリンダー型エピタキシャル層成長装置におい
て、サセプタ外周面とベルジャー内周面との隙間面積を
サセプタ上の基板に対峙するベルジャー側壁部分におい
て等しくするために、ベルジャーの内径を下方ほど大き
くしたものである。前記ベルジャーは、前記サセプタの
幅が下方に向かって増加するのに対応させて、サセプタ
外周面とベルジャー内周面との距離を次第に小さくして
構成することが好ましい。
【００１７】
【作用】ベルジャー内周面とサセプタ外周面との隙間面
積と、ディッシング比との関係については未だ詳細は不
明であるが、このディッシング比は、前記隙間面積によ
り決まるベルジャー内原料ガスの流速に関係するものと
推察される。ベルジャー内の原料ガス流は上方から下方
に流れる成分の他、サセプタの回転によりサセプタ回転
方向に流れる成分も考えられ、後者の成分がディッシン
グ比と関連していると思われる。すなわち、サセプタ上
部で隙間面積が大きければこの成分は小さく、逆にサセ
プタ下部で隙間面積が小さければこの成分は大きくな
り、回転方向の原料ガス流速の成分が大きくなればディ
ッシング比は大きくなるようである。
積と、ディッシング比との関係については未だ詳細は不
明であるが、このディッシング比は、前記隙間面積によ
り決まるベルジャー内原料ガスの流速に関係するものと
推察される。ベルジャー内の原料ガス流は上方から下方
に流れる成分の他、サセプタの回転によりサセプタ回転
方向に流れる成分も考えられ、後者の成分がディッシン
グ比と関連していると思われる。すなわち、サセプタ上
部で隙間面積が大きければこの成分は小さく、逆にサセ
プタ下部で隙間面積が小さければこの成分は大きくな
り、回転方向の原料ガス流速の成分が大きくなればディ
ッシング比は大きくなるようである。
【００１８】
【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。 実施例 図１はこの実施例の骨子を示すシリンダー型エピタキシ
ャル層成長装置の概略説明図であり、石英製ベルジャー
１は図２のように改造してその胴部内周面を、サセプタ
上の基板に対峙するベルジャーの側壁部分において円錐
状とし、サセプタ１１は図３に示すように従来と同様の
六角錐台状の３段型としたものである。また、図２、３
において各部の寸法は「ｍｍ」の単位で示してあり、図
３において符号１２はポケットを示している。
明する。 実施例 図１はこの実施例の骨子を示すシリンダー型エピタキシ
ャル層成長装置の概略説明図であり、石英製ベルジャー
１は図２のように改造してその胴部内周面を、サセプタ
上の基板に対峙するベルジャーの側壁部分において円錐
状とし、サセプタ１１は図３に示すように従来と同様の
六角錐台状の３段型としたものである。また、図２、３
において各部の寸法は「ｍｍ」の単位で示してあり、図
３において符号１２はポケットを示している。
【００１９】改造前のサセプタ中段ポケット中央位置に
おけるベルジャーとサセプタとの隙間は図５に示すよう
な形状をしており、その面積は３８６．７ｃｍ2 であっ
た。そこで、サセプタの上段ポケット中央位置および下
段ポケット中央位置における隙間面積が中段ポケット中
央位置における前記面積と等しくなるように、それぞれ
図４、６のとおりベルジャー１の内径を上段ポケット中
央位置に対応する箇所では３３６．８ｍｍ、下段ポケッ
ト中央位置に対応する箇所では３５８．７ｍｍに設計し
た。実際には製作精度の関係で、ベルジャー１の内径は
サセプタの上、中、下段ポケット中央位置に対応する箇
所でそれぞれ３３７．０、３４７．５、３５８．５ｍｍ
であった。そして、図２における「内径変更区間」に
上、中、下段ポケットの全体が位置するように図３のサ
セプタ１１を配置して、この実施例のシリンダー型エピ
タキシャル層成長装置を構成した。
おけるベルジャーとサセプタとの隙間は図５に示すよう
な形状をしており、その面積は３８６．７ｃｍ2 であっ
た。そこで、サセプタの上段ポケット中央位置および下
段ポケット中央位置における隙間面積が中段ポケット中
央位置における前記面積と等しくなるように、それぞれ
図４、６のとおりベルジャー１の内径を上段ポケット中
央位置に対応する箇所では３３６．８ｍｍ、下段ポケッ
ト中央位置に対応する箇所では３５８．７ｍｍに設計し
た。実際には製作精度の関係で、ベルジャー１の内径は
サセプタの上、中、下段ポケット中央位置に対応する箇
所でそれぞれ３３７．０、３４７．５、３５８．５ｍｍ
であった。そして、図２における「内径変更区間」に
上、中、下段ポケットの全体が位置するように図３のサ
セプタ１１を配置して、この実施例のシリンダー型エピ
タキシャル層成長装置を構成した。
【００２０】この成長装置を用いて１２５ｍｍφ、ＣＺ
−高濃度Ｎ型＜１００＞シリコン単結晶基板、厚さ＝６
００μｍを１８枚、サセプタ１１に仕込み、１１３０
℃、１．０μｍ／ｍｉｎの成長速度で１０．０μｍのエ
ピタキシャル層を成長させた。この反応を２バッチ行
い、各基板のエピタキシャル層厚を前述の方法で５点ず
つＦＴＩＲを用いて測定したところ、１バッチ目では基
板内膜厚分布は最大値が３．３２％、最小値が１．２７
％であり、バッチ内膜厚分布は４．０３％であった。ま
た、２バッチ目では１８枚中、基板内膜厚分布は最大値
が３．５７％、最小値が０．８３％であり、バッチ内膜
厚分布は４．３９％であった。
−高濃度Ｎ型＜１００＞シリコン単結晶基板、厚さ＝６
００μｍを１８枚、サセプタ１１に仕込み、１１３０
℃、１．０μｍ／ｍｉｎの成長速度で１０．０μｍのエ
ピタキシャル層を成長させた。この反応を２バッチ行
い、各基板のエピタキシャル層厚を前述の方法で５点ず
つＦＴＩＲを用いて測定したところ、１バッチ目では基
板内膜厚分布は最大値が３．３２％、最小値が１．２７
％であり、バッチ内膜厚分布は４．０３％であった。ま
た、２バッチ目では１８枚中、基板内膜厚分布は最大値
が３．５７％、最小値が０．８３％であり、バッチ内膜
厚分布は４．３９％であった。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明は
サセプタを多角錐台状に形成し、ベルジャーを少なくと
も前記サセプタ上の基板に対峙するベルジャーの側壁部
分において僅かに下方に拡がった円筒状に形成し、前記
サセプタ外周面とベルジャー内周面との隙間面積を、少
なくともサセプタ上の基板に対峙するベルジャーの側壁
部分において等しくしたものであり、これによって、成
長装置内原料ガスの流速が均一となって、バッチ内のエ
ピタキシャル層膜厚分布を５％以内に抑えることが可能
となり、また基板内のエピタキシャル層膜厚分布も小さ
くすることができる効果がある。
サセプタを多角錐台状に形成し、ベルジャーを少なくと
も前記サセプタ上の基板に対峙するベルジャーの側壁部
分において僅かに下方に拡がった円筒状に形成し、前記
サセプタ外周面とベルジャー内周面との隙間面積を、少
なくともサセプタ上の基板に対峙するベルジャーの側壁
部分において等しくしたものであり、これによって、成
長装置内原料ガスの流速が均一となって、バッチ内のエ
ピタキシャル層膜厚分布を５％以内に抑えることが可能
となり、また基板内のエピタキシャル層膜厚分布も小さ
くすることができる効果がある。
【図１】本発明の実施例の概略説明図である。
【図２】図１実施例におけるベルジャーの縦断面図であ
る。
る。
【図３】図１実施例におけるサセプタの正面図である。
【図４】上段ポケット中央位置におけるベルジャーとサ
セプタとの隙間面積を示す横断面図である。
セプタとの隙間面積を示す横断面図である。
【図５】中段ポケット中央位置におけるベルジャーとサ
セプタとの隙間面積を示す横断面図である。
セプタとの隙間面積を示す横断面図である。
【図６】下段ポケット中央位置におけるベルジャーとサ
セプタとの隙間面積を示す横断面図である。
セプタとの隙間面積を示す横断面図である。
【図７】従来のシリンダー型エピタキシャル層成長装置
の概略縦断面図である。
の概略縦断面図である。
【図８】シリコン基板面内のエピタキシャル層膜厚分布
を求める要領の説明図である。
を求める要領の説明図である。
【図９】図７の装置におけるベルジャーとサセプタとの
隙間面積と、ディッシング比との関係を示すグラフであ
る。
隙間面積と、ディッシング比との関係を示すグラフであ
る。
【符号の説明】 １ ベルジャー １１ サセプタ １２ ポケット ２１ ベルジャー ２１ａ 内周面 ２２ サセプタ ２２ａ 外周面 ２３ ポケット ２４ ヒータ ２５ 原料ガス ３１ 基板 ３１ａ オリエンテーションフラット部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭61−156229（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭44−17664（ＪＰ，Ｂ１) 実公 昭46−24882（ＪＰ，Ｙ１) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 C30B 25/08
Claims (2)
- 【請求項１】 基板保持用のポケットを備えたサセプタ
をベルジャー内に設けたシリンダー型エピタキシャル層
成長装置において、前記サセプタを多角錐台状に形成
し、前記ベルジャーを少なくとも前記サセプタ上の基板
に対峙するベルジャーの側壁部分において僅かに下方に
拡がった円筒状に形成し、前記サセプタ外周面とベルジ
ャー内周面との隙間面積を、少なくともサセプタ上の基
板に対峙するベルジャーの側壁部分において等しくした
ことを特徴とするシリンダー型エピタキシャル層成長装
置。 - 【請求項２】 前記ベルジャーは、前記サセプタの幅が
下方に向かって増加するのに対応させて、サセプタ外周
面とベルジャー内周面との距離を次第に小さくして構成
することを特徴とする請求項１記載のシリンダー型エピ
タキシャル層成長装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4282552A JP2785614B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | シリンダー型エピタキシャル層成長装置 |
| EP93307614A EP0590900B1 (en) | 1992-09-28 | 1993-09-24 | Cylindrical apparatus for growth of epitaxial layers |
| DE69315525T DE69315525T2 (de) | 1992-09-28 | 1993-09-24 | Zylindrische Vorrichtung für die Abscheidung epitaktischer Schichten |
| US08/127,729 US5441571A (en) | 1992-09-28 | 1993-09-28 | Cylindrical apparatus for growth of epitaxial layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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