JPH0265122A - 半導体基板支持ボート - Google Patents
半導体基板支持ボートInfo
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- JPH0265122A JPH0265122A JP63215803A JP21580388A JPH0265122A JP H0265122 A JPH0265122 A JP H0265122A JP 63215803 A JP63215803 A JP 63215803A JP 21580388 A JP21580388 A JP 21580388A JP H0265122 A JPH0265122 A JP H0265122A
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- Japan
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- boat
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000017260 vegetative to reproductive phase transition of meristem Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は減圧気相成長時に用いられる半導体基板上持ボ
ート、特に縦型減圧気相成長装置に用いて好適な半導体
基板支持ボート(以下、ボートという)に関する。
ート、特に縦型減圧気相成長装置に用いて好適な半導体
基板支持ボート(以下、ボートという)に関する。
半導体装置の製造においては減圧気相成長法を用いて種
々の膜を半導体基板上に形成する。ところが、それらの
膜の中でもウェハ面内均一性の悪い膜が存在する。例え
ば、シラン(SiH,)とホスフィン(PH,)を原料
ガスにして熱分解によって成膜された、リンを不純物と
して含む多結晶シリコン膜は一般的にウェハ面内均一性
が悪い。しかし、適切な寸法のもとで作製された第3図
に示すような半導体基板支持ボートを用いると、ウェハ
面内均一性を著しく向上させることができる。そのため
、この種の半導体基板支持ボートは横型減圧気相成長装
置にしばしば用いられる。
々の膜を半導体基板上に形成する。ところが、それらの
膜の中でもウェハ面内均一性の悪い膜が存在する。例え
ば、シラン(SiH,)とホスフィン(PH,)を原料
ガスにして熱分解によって成膜された、リンを不純物と
して含む多結晶シリコン膜は一般的にウェハ面内均一性
が悪い。しかし、適切な寸法のもとで作製された第3図
に示すような半導体基板支持ボートを用いると、ウェハ
面内均一性を著しく向上させることができる。そのため
、この種の半導体基板支持ボートは横型減圧気相成長装
置にしばしば用いられる。
図に示すように従来の半導体基板支持ボートは筒体を半
割りにした左右対称な一対の半円筒形の第1のボートセ
グメント32と第2のボートセグメント33とからなり
、この2つのセグメントを筒体状に組合せることにより
、図示しないウェハを同心円で包む円筒構造としたもの
である。一方のポートセグメン1−32はボート支持具
34に横架され。
割りにした左右対称な一対の半円筒形の第1のボートセ
グメント32と第2のボートセグメント33とからなり
、この2つのセグメントを筒体状に組合せることにより
、図示しないウェハを同心円で包む円筒構造としたもの
である。一方のポートセグメン1−32はボート支持具
34に横架され。
第1のボートセグメント32の四隅に形成された四部3
1a、31a+・・・に第2のボートセグメント33の
四隅に形成された凸部31b、31b、・・・をはめ合
せて第1のボートセグメント32上に第2のボートセグ
メント33を重ね合せて筒体状に組合される。
1a、31a+・・・に第2のボートセグメント33の
四隅に形成された凸部31b、31b、・・・をはめ合
せて第1のボートセグメント32上に第2のボートセグ
メント33を重ね合せて筒体状に組合される。
また、各ボートセグメント32.33の円筒面には多数
の穴が開口されている。
の穴が開口されている。
上述した従来の横型減圧気相成長装置用の半導体基板支
持ボートは、ボート支持具34に横向きに支持された一
方のボートセグメントに他方のボートセグメントを重ね
合せる構造のため、ずれ防止のための簡単な凹・凸構造
を用いて第1のボートセグメント1aと第2のボートセ
グメント1bが分離しないように固定することが可能で
あった。
持ボートは、ボート支持具34に横向きに支持された一
方のボートセグメントに他方のボートセグメントを重ね
合せる構造のため、ずれ防止のための簡単な凹・凸構造
を用いて第1のボートセグメント1aと第2のボートセ
グメント1bが分離しないように固定することが可能で
あった。
しかし、この構造ではボートの円筒中心軸を重力方向に
90度回転させて、縦型減圧気相成長装置に使用する場
合、微小な傾き、振動等でも第1゜第2のボートセグメ
ントla、 lbが左右に分離しやすく、ウェハが支持
されずに落下して破損するという欠点があった。
90度回転させて、縦型減圧気相成長装置に使用する場
合、微小な傾き、振動等でも第1゜第2のボートセグメ
ントla、 lbが左右に分離しやすく、ウェハが支持
されずに落下して破損するという欠点があった。
本発明の目的は上記課題を解消したボートを提供するこ
とにある。
とにある。
上述した従来の半導体基板支持ボートに対し、本発明は
縦型減圧気相成長装置に応用させた場合に、傾き、振動
等が生じても両ボートセグメントが分離しないという相
違点を有する。
縦型減圧気相成長装置に応用させた場合に、傾き、振動
等が生じても両ボートセグメントが分離しないという相
違点を有する。
上記目的を達成するため、本発明は筒体を半割りにした
第1及び第2の半円筒状ボートセグメントの対を有し、
両セグメントの組合せにより筒体を形成させ、一方のボ
ートセグメントの内壁に基板支持部を設けた半導体基板
支持ボートにおいて、前記半円筒状ボートセグメントの
軸方向の両端開口を閉止し、さらに対をなす他のセグメ
ントの端部側に延長させる円板状端板をそれぞれのセグ
メントに有し、 両セグメントの組合せにより内外に重ね合された一方の
セグメントの端板と他方のセグメントの端板との板面に
、軸方向に相互に脱着可能に結合される凹凸部を設けた
ものである。
第1及び第2の半円筒状ボートセグメントの対を有し、
両セグメントの組合せにより筒体を形成させ、一方のボ
ートセグメントの内壁に基板支持部を設けた半導体基板
支持ボートにおいて、前記半円筒状ボートセグメントの
軸方向の両端開口を閉止し、さらに対をなす他のセグメ
ントの端部側に延長させる円板状端板をそれぞれのセグ
メントに有し、 両セグメントの組合せにより内外に重ね合された一方の
セグメントの端板と他方のセグメントの端板との板面に
、軸方向に相互に脱着可能に結合される凹凸部を設けた
ものである。
[実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1)
第1図(a) 、 (b) 、 (c)は本発明の実施
例1を示すものであり、(a)は第1のボートセグメン
トを示す図。
例1を示すものであり、(a)は第1のボートセグメン
トを示す図。
(b)は第2のボートセグメントを示す図、(c)は第
1のボートセグメントと第2のボートセグメントとを組
合せた状態を示す図である。
1のボートセグメントと第2のボートセグメントとを組
合せた状態を示す図である。
図において、発明に係る半導体基板支持ボートは筒体を
半割りにした左右対称の対をなす半円筒状の第1のボー
トセグメント1aと第2のボートセグメント1bとを組
合せたもので、半円筒状ボートセグメントLa、 lb
の両端には完全な円板状をなす端板2a、 2bを備え
ている。
半割りにした左右対称の対をなす半円筒状の第1のボー
トセグメント1aと第2のボートセグメント1bとを組
合せたもので、半円筒状ボートセグメントLa、 lb
の両端には完全な円板状をなす端板2a、 2bを備え
ている。
第1図(a)に示すように第1のボートセグメント1a
の半円筒部3aの上下端に設けた端板2a、 2aは該
半円筒部3aの内径と同径で中心に開孔部(四部)11
゜11が開口してあり、該半円筒部3aには多数の丸い
穴がおいている。第1図(b)に示すように第2のボー
トセグメント1bの半円筒部3bの上下端に設けた端板
2b、 2bは半円筒部3aの外径と同径であり、その
下面には、第1のボートセグメント1aの端板2a。
の半円筒部3aの上下端に設けた端板2a、 2aは該
半円筒部3aの内径と同径で中心に開孔部(四部)11
゜11が開口してあり、該半円筒部3aには多数の丸い
穴がおいている。第1図(b)に示すように第2のボー
トセグメント1bの半円筒部3bの上下端に設けた端板
2b、 2bは半円筒部3aの外径と同径であり、その
下面には、第1のボートセグメント1aの端板2a。
2aの前記開孔部11.11に着脱可能に結合する凸部
12、12を形成しである。半円筒部3bには第1のボ
ートセグメントと同様に多数の丸い穴がおいている。ま
た第2のボートセグメント1bの半円筒部3bの内面に
は図示しない半導体ウェハを固定するために等間隔に溝
13aを切った棒13が取付けである。
12、12を形成しである。半円筒部3bには第1のボ
ートセグメントと同様に多数の丸い穴がおいている。ま
た第2のボートセグメント1bの半円筒部3bの内面に
は図示しない半導体ウェハを固定するために等間隔に溝
13aを切った棒13が取付けである。
第1図(c)に示すように第1のボートセグメント1a
と第2のボートセグメントlbとを筒体状に組合せ、第
2のボートセグメント1bの端板2b、 2bの凸部1
2゜12を第1のボートセグメント1aの端板2aの開
孔部!、1.11にかみ合せることにより第1のボート
セグメント1aと第2のボートセグメント1bとを固定
させて1つの円筒形ボートを完成させる。
と第2のボートセグメントlbとを筒体状に組合せ、第
2のボートセグメント1bの端板2b、 2bの凸部1
2゜12を第1のボートセグメント1aの端板2aの開
孔部!、1.11にかみ合せることにより第1のボート
セグメント1aと第2のボートセグメント1bとを固定
させて1つの円筒形ボートを完成させる。
本発明に係る半導体基板支持ボートは第1のポートセグ
メン1−1aと第2のボートセグメンl−1bとを筒体
状に組合せた際に互いに重畳する対をなす端板2aと2
bとの対向面に凹凸構造を有するため、組合せた第1の
ボートセグメント1aと第2のボートセグメント1bと
を縦置きに向けた場合でも前記開孔部11.11と凸部
12.12との噛み合いで確実に固定されているため、
傾き、振動等が加えられても分離することはなく、縦型
減圧気相成長装置に用いることができる。
メン1−1aと第2のボートセグメンl−1bとを筒体
状に組合せた際に互いに重畳する対をなす端板2aと2
bとの対向面に凹凸構造を有するため、組合せた第1の
ボートセグメント1aと第2のボートセグメント1bと
を縦置きに向けた場合でも前記開孔部11.11と凸部
12.12との噛み合いで確実に固定されているため、
傾き、振動等が加えられても分離することはなく、縦型
減圧気相成長装置に用いることができる。
(実施例2)
第2図(a) 、 (b) 、 (c)は本発明の実施
例2を示す図である。
例2を示す図である。
本実施例は、第1図に示したボート固定用の開孔部11
及び凸部12の数を増した例を示している。
及び凸部12の数を増した例を示している。
第2図(a)に示すように第1のボートセグメント1a
はその半円筒部3aの上下に端板4a、 4aを有し。
はその半円筒部3aの上下に端板4a、 4aを有し。
各端板4a、4aは該半円筒部3aの内径と同径であり
、かつ中心に開孔部11が形成され、さらに開孔部11
を中心としてのその対向する位置に該開孔部11よりも
小径の補助開孔部11’、1.1’が形成されている。
、かつ中心に開孔部11が形成され、さらに開孔部11
を中心としてのその対向する位置に該開孔部11よりも
小径の補助開孔部11’、1.1’が形成されている。
第2のボートセグメント1bは第2図(b)に示すよう
に半円筒部3bの上下に端板4b、 4bを有し、該端
板4b、 4bは半円筒部3bの外径と同径であり、か
つ前記開孔部11及び補助開孔部11’、 11’には
め込み可能な凸部12及び補助凸部1.2’、12’が
下面に形成されている。13は図示しない半導体ウェハ
を固定する1fl13a、 13a・・・を有する第2
のボートセグメント1bの棒である。端板4bの凸部1
2及び補助凸部12′。
に半円筒部3bの上下に端板4b、 4bを有し、該端
板4b、 4bは半円筒部3bの外径と同径であり、か
つ前記開孔部11及び補助開孔部11’、 11’には
め込み可能な凸部12及び補助凸部1.2’、12’が
下面に形成されている。13は図示しない半導体ウェハ
を固定する1fl13a、 13a・・・を有する第2
のボートセグメント1bの棒である。端板4bの凸部1
2及び補助凸部12′。
12′を第1のボートセグメント1aの端板4aの開孔
部11及び補助開孔部11’、 11’にかみ合せるこ
とで第1のボートセグメント1aと第2のボー1−セグ
メント1bとを固定させて円筒形ボートを完成させる。
部11及び補助開孔部11’、 11’にかみ合せるこ
とで第1のボートセグメント1aと第2のボー1−セグ
メント1bとを固定させて円筒形ボートを完成させる。
補助開花部11’、11’及び補助凸部1.2’、12
’を付加することで軸方向により確実に両ボートセグメ
ント1a、 lbを固定することができ、ボートの回動
によるずれを防止することができる。
’を付加することで軸方向により確実に両ボートセグメ
ント1a、 lbを固定することができ、ボートの回動
によるずれを防止することができる。
尚、実施例ではボートセグメントla、 lbの半円筒
部3a、3bに円形の穴を設けたが、短冊状の穴を設け
ても良い。
部3a、3bに円形の穴を設けたが、短冊状の穴を設け
ても良い。
上述したように本発明のボートは縦型減圧気相成長装置
に使用した場合にも第1のポートセグメン1−と第2の
ボートセグメントとが分離しにくいために、2つのボー
トセグメントの分離によるウェハ割れの危険性が非常に
小さく、安全、かつ安定に操作することができるという
効果がある。
に使用した場合にも第1のポートセグメン1−と第2の
ボートセグメントとが分離しにくいために、2つのボー
トセグメントの分離によるウェハ割れの危険性が非常に
小さく、安全、かつ安定に操作することができるという
効果がある。
第1図は本発明の実施例1を示すもので、(a)は第1
.のボートセグメントを示す斜視図、(b)は第2のボ
ートセグメントを示す斜視図、(C)は第1.第2のボ
ートセグメントを組合せた状態を示す斜視図、第2図は
本発明の実施例2を示すもので、(a)は第1のボート
セグメントを示す斜視図、(b)は第2のボートセグメ
ントを示す斜視図、(c)は第1゜第2のボートセグメ
ントを組合せた状態を示す斜視図、第3図は従来例を示
す斜視図である。 1a・・・第1のボートセグメント 1b・・・第2のボートセグメント 2a、2b、4a、4b一端板 3a 、 3b−
半円筒部11・・・開孔部 12・・・凸部 13・・棒
.のボートセグメントを示す斜視図、(b)は第2のボ
ートセグメントを示す斜視図、(C)は第1.第2のボ
ートセグメントを組合せた状態を示す斜視図、第2図は
本発明の実施例2を示すもので、(a)は第1のボート
セグメントを示す斜視図、(b)は第2のボートセグメ
ントを示す斜視図、(c)は第1゜第2のボートセグメ
ントを組合せた状態を示す斜視図、第3図は従来例を示
す斜視図である。 1a・・・第1のボートセグメント 1b・・・第2のボートセグメント 2a、2b、4a、4b一端板 3a 、 3b−
半円筒部11・・・開孔部 12・・・凸部 13・・棒
Claims (1)
- (1)筒体を半割りにした第1及び第2の半円筒状ボー
トセグメントの対を有し、両セグメントの組合せにより
筒体を形成させ、一方のボートセグメントの内壁に基板
支持部を設けた半導体基板支持ボートにおいて、前記半
円筒状ボートセグメントの軸方向の両端開口を閉止し、
さらに対をなす他のセグメントの端部側に延長させる円
板状端板をそれぞれのセグメントに有し、 両セグメントの組合せにより内外に重ね合された一方の
セグメントの端板と他方のセグメントの端板との板面に
、軸方向に相互に脱着可能に結合される凹凸部を設けた
ことを特徴とする半導体基板支持ボート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63215803A JPH0265122A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体基板支持ボート |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63215803A JPH0265122A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体基板支持ボート |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0265122A true JPH0265122A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16678512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63215803A Pending JPH0265122A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 半導体基板支持ボート |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0265122A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0555543U (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-23 | 国際電気株式会社 | 縦型減圧cvd装置用ボート |
JPH05308099A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-19 | Nec Corp | 半導体基板の熱処理用支持具 |
JP2005051187A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 熱処理用縦型ボート及びその製造方法 |
JP2005072277A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 熱処理用縦型ボート及びその製造方法 |
JP2008241198A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Sanki Eng Co Ltd | フレキシブルダクトと風量調整装置との接続構造 |
US20120258414A1 (en) * | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate support instrument, and vertical heat treatment apparatus and driving method thereof |
CN110779015A (zh) * | 2016-03-18 | 2020-02-11 | 三浦工业株式会社 | 文丘里喷嘴以及具备该文丘里喷嘴的燃料供给装置 |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63215803A patent/JPH0265122A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0555543U (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-23 | 国際電気株式会社 | 縦型減圧cvd装置用ボート |
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JP4506125B2 (ja) * | 2003-07-16 | 2010-07-21 | 信越半導体株式会社 | 熱処理用縦型ボート及びその製造方法 |
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CN110779015B (zh) * | 2016-03-18 | 2021-03-26 | 三浦工业株式会社 | 文丘里喷嘴以及具备该文丘里喷嘴的燃料供给装置 |
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