JPH05308099A - 半導体基板の熱処理用支持具 - Google Patents
半導体基板の熱処理用支持具Info
- Publication number
- JPH05308099A JPH05308099A JP8431592A JP8431592A JPH05308099A JP H05308099 A JPH05308099 A JP H05308099A JP 8431592 A JP8431592 A JP 8431592A JP 8431592 A JP8431592 A JP 8431592A JP H05308099 A JPH05308099 A JP H05308099A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- supporting
- boat
- heat treatment
- semiconductor
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】縦置き姿勢の半導体基板の熱処理炉に用いるボ
ートにおいて、半導体基板の支持点、特に半導体基板の
直径幅に位置する２つの支持点で半導体基板に発生する
著しく長いスリップを防止する。 【構成】半導体基板の熱処理時の支持ボートにおいて、
半導体基板１のほぼ半円周部分を複数個所で支持する固
定軸５と、半導体基板１を固定軸５で支持後、残りのほ
ぼ円周部分を支持する移動軸６とを有し、半導体基板の
自重により半導体基板の直径幅の支持点にかかる機械的
ストレスの発生を防止する。
ートにおいて、半導体基板の支持点、特に半導体基板の
直径幅に位置する２つの支持点で半導体基板に発生する
著しく長いスリップを防止する。 【構成】半導体基板の熱処理時の支持ボートにおいて、
半導体基板１のほぼ半円周部分を複数個所で支持する固
定軸５と、半導体基板１を固定軸５で支持後、残りのほ
ぼ円周部分を支持する移動軸６とを有し、半導体基板の
自重により半導体基板の直径幅の支持点にかかる機械的
ストレスの発生を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の熱処理用支
持具（以下ボートと称する）に関し、特に縦置き姿勢の
炉芯管にて使用するボートに関する。
持具（以下ボートと称する）に関し、特に縦置き姿勢の
炉芯管にて使用するボートに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板の熱処理用ボートを図
４（ａ）の上面図、および図４（ｂ）の縦断面図（図
（ａ）のＡ−Ａ断面）を用いて説明する。従来の縦置き
姿勢の熱処理炉においては、図４（ｂ）の縦断面図に示
すように縦置きのボート２に対し、側面方向より半導体
基板１を出し入れする構造のため、図４（ａ）の上面図
に示すように、半導体基板１を直接支える軸５は半導体
基板の片側半分に限定されてしまう。この図４に示した
ボートは現在使用されている中で最も一般的な形状のも
のであって、半導体基板の直径軸で２点、その２点を結
ぶ半円周上に更にもう２点の計４点の支点のある構造と
なっている。
４（ａ）の上面図、および図４（ｂ）の縦断面図（図
（ａ）のＡ−Ａ断面）を用いて説明する。従来の縦置き
姿勢の熱処理炉においては、図４（ｂ）の縦断面図に示
すように縦置きのボート２に対し、側面方向より半導体
基板１を出し入れする構造のため、図４（ａ）の上面図
に示すように、半導体基板１を直接支える軸５は半導体
基板の片側半分に限定されてしまう。この図４に示した
ボートは現在使用されている中で最も一般的な形状のも
のであって、半導体基板の直径軸で２点、その２点を結
ぶ半円周上に更にもう２点の計４点の支点のある構造と
なっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のボートにお
いては、半導体基板を出し入れする側の半導体基板の円
周部には全く支点がない。このような状態で１０００℃
以上の高温処理を行うと、半導体基板に結晶欠陥の一種
であるスリップがボートの支点部より発生することが一
般的に知られている。図５（ａ）に示したのは、従来の
ボートを用いて１２００℃の熱処理を５時間施した後の
半導体基板を、エックス線トポグラフ法にて撮影したも
のを図示したものである。ボートの支点跡からスリップ
１０が発生しており、特に直径幅の２点の支持点から発
生するものが著しく長い。
いては、半導体基板を出し入れする側の半導体基板の円
周部には全く支点がない。このような状態で１０００℃
以上の高温処理を行うと、半導体基板に結晶欠陥の一種
であるスリップがボートの支点部より発生することが一
般的に知られている。図５（ａ）に示したのは、従来の
ボートを用いて１２００℃の熱処理を５時間施した後の
半導体基板を、エックス線トポグラフ法にて撮影したも
のを図示したものである。ボートの支点跡からスリップ
１０が発生しており、特に直径幅の２点の支持点から発
生するものが著しく長い。
【０００４】スリップは熱処理時の半導体基板の面内の
温度差による熱ストレスと機械的なストレスが原因で発
生する。従来例で示したボートの場合、半導体基板の片
側半分に支点が無い為に、半導体基板１にかかる重力に
より特に直径幅の２つの支点に機械的ストレス発生が避
けられない。このような状態で１２００℃の高温の熱処
理を行ったために、直径幅の２つの支点から著しく長い
スリップが発生したものである。
温度差による熱ストレスと機械的なストレスが原因で発
生する。従来例で示したボートの場合、半導体基板の片
側半分に支点が無い為に、半導体基板１にかかる重力に
より特に直径幅の２つの支点に機械的ストレス発生が避
けられない。このような状態で１２００℃の高温の熱処
理を行ったために、直径幅の２つの支点から著しく長い
スリップが発生したものである。
【０００５】半導体基板上に発生したスリップは接合リ
ーク等の発生の原因となり、半導体ＩＣの製造歩留りを
著しく低下させることが知られている。また上述した熱
的、機械的なストレスは半導体基板の大口径化に伴う熱
容量の増大、質量の増加によって著しく増加する傾向に
あり、また一方で半導体素子の微細化に伴って微小な接
合リークもＩＣ不良の原因となるため、上述した問題は
近年更に重要になってきている。
ーク等の発生の原因となり、半導体ＩＣの製造歩留りを
著しく低下させることが知られている。また上述した熱
的、機械的なストレスは半導体基板の大口径化に伴う熱
容量の増大、質量の増加によって著しく増加する傾向に
あり、また一方で半導体素子の微細化に伴って微小な接
合リークもＩＣ不良の原因となるため、上述した問題は
近年更に重要になってきている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の縦置き姿勢の半
導体熱処理炉用のボートは、半導体基板を支える全ての
支持点を半導体基板の円周に沿ってほぼ等間隔になるよ
うに配置する。
導体熱処理炉用のボートは、半導体基板を支える全ての
支持点を半導体基板の円周に沿ってほぼ等間隔になるよ
うに配置する。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す図で、図１（ａ）は
本実施例のボートへ半導体基板を挿入した直後の上面
図、図１（ｂ）は熱処理炉へ本実施例のボートを入炉す
る時のボートの上面図、図１（ｃ）は熱処理炉へ本実施
例のボートを入炉する時の縦断面図（図（ｂ）のＡ−Ａ
断面）である。図２（ａ）〜（ｄ）は本実施例のボート
における半導体基板１のボート２への挿入から縦置き熱
処理炉への入炉可能な状態に到る迄の動作を順を追って
示した縦断面図である。
る。図１は本発明の一実施例を示す図で、図１（ａ）は
本実施例のボートへ半導体基板を挿入した直後の上面
図、図１（ｂ）は熱処理炉へ本実施例のボートを入炉す
る時のボートの上面図、図１（ｃ）は熱処理炉へ本実施
例のボートを入炉する時の縦断面図（図（ｂ）のＡ−Ａ
断面）である。図２（ａ）〜（ｄ）は本実施例のボート
における半導体基板１のボート２への挿入から縦置き熱
処理炉への入炉可能な状態に到る迄の動作を順を追って
示した縦断面図である。
【０００８】以下図２を用いて本実施例のボートの動作
を順を追って説明する。図２（ａ）はボート２へ半導体
基板１を搬送アーム８を用いて挿入したところである。
その後、半導体基板１はボート２の固定軸５に支持さ
れ、搬送アーム８は後退する。この時の様子を図２
（ｂ）に示す。また、この時の上面図を図１（ａ）に示
してある。すなわち、弓形状の板に支持された２本の移
動軸６を有している。次に図２（ｃ）に示すように、移
動軸６が半導体基板１に接触しないように固定軸５より
わずかに低い高さで移動し、半導体基板１を支持する位
置に到る。その後、図２（ｄ）に示すように移動軸６が
わずかに上昇し、固定軸５と同じ高さで停止し、半導体
基板１を支持する。この時の上面図を図１（ｂ）、全体
の縦断面図を図１（ｃ）に示す。すなわち、半導体基板
１は４本の固定軸５と２本の移動軸６で支持される。こ
の際、６本の支持軸において、各軸の両隣りの軸位置が
中心角で１２０°未満になるように配置する。
を順を追って説明する。図２（ａ）はボート２へ半導体
基板１を搬送アーム８を用いて挿入したところである。
その後、半導体基板１はボート２の固定軸５に支持さ
れ、搬送アーム８は後退する。この時の様子を図２
（ｂ）に示す。また、この時の上面図を図１（ａ）に示
してある。すなわち、弓形状の板に支持された２本の移
動軸６を有している。次に図２（ｃ）に示すように、移
動軸６が半導体基板１に接触しないように固定軸５より
わずかに低い高さで移動し、半導体基板１を支持する位
置に到る。その後、図２（ｄ）に示すように移動軸６が
わずかに上昇し、固定軸５と同じ高さで停止し、半導体
基板１を支持する。この時の上面図を図１（ｂ）、全体
の縦断面図を図１（ｃ）に示す。すなわち、半導体基板
１は４本の固定軸５と２本の移動軸６で支持される。こ
の際、６本の支持軸において、各軸の両隣りの軸位置が
中心角で１２０°未満になるように配置する。
【０００９】本実施例では移動軸６の駆動をボート下部
の移動軸搬送機７で行っている。本実施例のボートを用
いて、従来例で示したものと同様の処理を施した半導体
基板のエックス線トポグラフ像を図５（ｂ）に示す。従
来例の図５（ａ）に比べ、著しく長いスリップを短くす
ることができる。
の移動軸搬送機７で行っている。本実施例のボートを用
いて、従来例で示したものと同様の処理を施した半導体
基板のエックス線トポグラフ像を図５（ｂ）に示す。従
来例の図５（ａ）に比べ、著しく長いスリップを短くす
ることができる。
【００１０】図３に本発明の第２実施例を示し、図３
（ａ）は上面図、図３（ｂ）は縦断面図である。本実施
例では、第１実施例で述べたような移動軸６を使用せ
ず、支持板９を固定軸５へ取り付けることによって固定
軸の無い側へ支持面積を増やすことができる。
（ａ）は上面図、図３（ｂ）は縦断面図である。本実施
例では、第１実施例で述べたような移動軸６を使用せ
ず、支持板９を固定軸５へ取り付けることによって固定
軸の無い側へ支持面積を増やすことができる。
【００１１】本実施例は、第１実施例のような移動軸搬
送機構が不要で機構が簡単となる利点がある。
送機構が不要で機構が簡単となる利点がある。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の縦置き姿
勢の半導体熱処理炉に用いるボートは、半導体基板を支
える全ての支持点を半導体基板の円周に沿ってほぼ等間
隔になるように配置することができるので、半導体基板
の自重による機械的ストレスを低減でき、熱処理時に半
導体基板に発生する著しいスリップを防止することがで
きる。
勢の半導体熱処理炉に用いるボートは、半導体基板を支
える全ての支持点を半導体基板の円周に沿ってほぼ等間
隔になるように配置することができるので、半導体基板
の自重による機械的ストレスを低減でき、熱処理時に半
導体基板に発生する著しいスリップを防止することがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図で、同図（ａ）
はボートへの半導体基板挿入時の上面図、同図（ｂ）は
ボートの入炉時の上面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ
−Ａにおける縦断面図である。
はボートへの半導体基板挿入時の上面図、同図（ｂ）は
ボートの入炉時の上面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ
−Ａにおける縦断面図である。
【図２】本発明の一実施例のボートの半導体基板挿入時
より入炉時までの動作を順を追って同図（ａ）〜（ｄ）
で図示した縦断面図である。
より入炉時までの動作を順を追って同図（ａ）〜（ｄ）
で図示した縦断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す図で、同図（ａ）
は上面図、同図（ｂ）は縦断面図である。
は上面図、同図（ｂ）は縦断面図である。
【図４】従来のボートを示す図で、同図（ａ）は上面
図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａにおける縦断面図
である。
図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａにおける縦断面図
である。
【図５】半導体基板のエックス線トポグラフ像を示す図
で、同図（ａ）は従来例のボートにより処理を行った場
合の図、同図（ｂ）は本発明の第１の実施例のボートに
より処理を行った場合の図である。
で、同図（ａ）は従来例のボートにより処理を行った場
合の図、同図（ｂ）は本発明の第１の実施例のボートに
より処理を行った場合の図である。
１ 半導体基板 ２ ボート ３ 保温筒 ４ キャップ ５ 固定軸 ６ 移動軸 ７ 移動軸搬送機 ８ 搬送アーム ９ 支持板 １０ クリップ
Claims (1)
- 【請求項１】 縦置き姿勢の炉芯管内に多数の半導体基
板を一括して熱処理するために挿入する際に用いる半導
体基板の熱処理用支持具において、半導体基板のほぼ半
円周部分を複数個所で水平に支持する固定軸と、前記半
導体基板を固定軸で支持後、残りのほぼ半円周部分を支
持する移動軸とを有することを特徴とする半導体基板の
熱処理用支持具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8431592A JP2850635B2 (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 半導体基板の熱処理用支持具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8431592A JP2850635B2 (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 半導体基板の熱処理用支持具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05308099A true JPH05308099A (ja) | 1993-11-19 |
| JP2850635B2 JP2850635B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=13827080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8431592A Expired - Lifetime JP2850635B2 (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 半導体基板の熱処理用支持具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850635B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229932A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Shinetsu Sekiei Kk | 縦型収納治具 |
| JPH0265122A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Nec Corp | 半導体基板支持ボート |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP8431592A patent/JP2850635B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229932A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Shinetsu Sekiei Kk | 縦型収納治具 |
| JPH0265122A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Nec Corp | 半導体基板支持ボート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2850635B2 (ja) | 1999-01-27 |
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