JPH0555543U - 縦型減圧ｃｖｄ装置用ボート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 生成膜厚の均一性を向上させる。 【構成】 ボート７を構成するボート柱５をウェーハ端
よりボートカバー４及びこれと対のカバー３と等距離ｄ
に配置する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は薄膜生成技術のうち縦型減圧ＣＶＤ装置に係り、特に該装置に用いる ボートに関する。

【０００２】

【従来の技術】

図３は従来ボートの１例の構成を示す横断面図である。 従来ボートは、図３に示すように真空容器１内にウェーハ２をボート爪６によ り保持するボート柱５、ボートカバー４及びこれと対になるカバー３よりなるボ ート７を縦設し、高温の反応ガス雰囲気中でＣＶＤ法（化学気相成長法）により ウェーハ表面に半導体薄膜又は絶縁保護膜を生成する縦型減圧ＣＶＤ装置におい て、ボート柱をボートカバー４の内側に配置している。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

このように従来ボートは、ボート柱５をボートカバー４の内側に配置している ために、ボート柱５がボートカバー４及びこれと対のカバー３によりウェーハ２ に接近しているため、ボート柱５によりガスの流れが阻まれて生成膜厚の均一性 が悪くなるという課題がある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

本考案ボートは、上記の課題を解決するため、図１に示すように真空容器１内 にウェーハ２を保持するボート柱５、ボートカバー４及びこれと対になるカバー ３よりなるボート７を縦設置し、高温の反応ガス雰囲気中でＣＶＤ法によりウェ ーハ表面にＣＶＤ膜を生成する縦型減圧ＣＶＤ装置において、前記ボート柱５を ウェーハ端よりボートカバー４及びこれと対のカバー３と等距離ｄに配置してな る。

【０００５】

【作用】 このようにボート柱５をウェーハ端よりカバー３及びボートカバー４と等距離 ｄまで遠ざけることによりガスの流れが均一になり、生成膜厚の均一性が向上す ることになる。

【０００６】

【実施例】

図１は本考案ボートの第１実施例の構成を示す横断面図である。 この第１実施例は、真空容器（反応管）１内にウェーハ２を保持するボート柱 ５、ボートカバー４及びこれと対になるカバー３よりなるボート７を縦設し、高 温の反応ガス雰囲気中でＣＶＤ法によりウェーハ表面に半導体薄膜又は絶縁保護 膜を生成する縦型減圧ＣＶＤ装置において、前記ボート柱５の内面を、ウェーハ 端よりボートカバー４及びこれと対のカバー３の内面と等しい距離ｄに配置して なる。

【０００７】 このようにボート柱５の内面をウェーハ端よりボートカバー４及びこれと対の カバー３の内面と等しい距離ｄだけ遠ざけることによりボート柱５がガスの流れ を阻むことがなくなってガスの流れが均一になり、生成膜厚の均一性が向上する ことになる。

【０００８】 図２は第２実施例の構成を示す横断面図である。 この第２実施例は、ボート爪６をボートカバー４の内面に設けて、該ボートカ バー４の部分４Ａにボート柱を兼ねさせた構成とした例であり、上記第１実施例 と全く同様の作用効果を奏するものである。

【０００９】

【考案の効果】

上述のように本考案によれば、ボート７を構成するボート柱５をウェーハ端よ りボートカバー４及びこれと対のカバー３と等距離ｄに配置することにより生成 膜厚の均一性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案ボートの第１実施例の構成を示す横断面
図である。

【図２】第２実施例の構成を示す横断面図である。

【図３】従来ボートの１例の構成を示す横断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 真空容器（反応管） ２ ウェーハ ３ カバー ４ ボートカバー ５ ボート柱 ６ ボート爪 ７ ボート ｄ 距離

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空容器（１）内にウェーハ（２）を保
   持するボート柱（５）、ボートカバー（４）及びこれと
   対になるカバー（３）よりなるボート（７）を縦設し、
   高温の反応ガス雰囲気中でＣＶＤ法によりウェーハ表面
   にＣＶＤ膜を生成する縦型減圧ＣＶＤ装置において、前
   記ボート柱（５）をウェーハ端よりボートカバー（４）
   及びこれと対のカバー（３）と等距離（ｄ）に配置して
   なる縦型減圧ＣＶＤ装置用ボート。
2. 【請求項２】 ボート柱（５）をボートカバー（４）に
   兼ねさせる請求項１の縦型減圧ＣＶＤ装置用ボート。