JP2519151Y2 - 化学気相生成装置 - Google Patents
化学気相生成装置Info
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- JP2519151Y2 JP2519151Y2 JP1989119096U JP11909689U JP2519151Y2 JP 2519151 Y2 JP2519151 Y2 JP 2519151Y2 JP 1989119096 U JP1989119096 U JP 1989119096U JP 11909689 U JP11909689 U JP 11909689U JP 2519151 Y2 JP2519151 Y2 JP 2519151Y2
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- Japan
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- wafer
- reaction tube
- chemical vapor
- reaction
- phase generator
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Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、半導体素子材料であるシリコンウェーハに
各種薄膜を形成させる化学気相生成装置、特に縦型化学
気相生成装置に関するものである。
各種薄膜を形成させる化学気相生成装置、特に縦型化学
気相生成装置に関するものである。
［従来の技術］ ICチップ等の半導体素子を製造する一工程として、シ
リコンウェーハに多結晶シリコン、不純物添加多結晶シ
リコン、窒化ケイ素、２酸化ケイ素等の各種薄膜を形成
させる化学気相生成工程がある。
リコンウェーハに多結晶シリコン、不純物添加多結晶シ
リコン、窒化ケイ素、２酸化ケイ素等の各種薄膜を形成
させる化学気相生成工程がある。
化学気相生成工程は、高温低圧下で複数種の原料ガス
を化学反応させ化合物をウェーハ表面に生成させるもの
である。
を化学反応させ化合物をウェーハ表面に生成させるもの
である。
斯かる化学気相生成工程に供される化学気相生成装置
として従来第５図に示すものがある。
として従来第５図に示すものがある。
第５図で示される化学気相生成装置は特に縦型形式を
示しており、筒状の反応管１の内部に同心にインナチュ
ーブ２が設けられ、該インナチューブ２によって仕切ら
れる中心室３と周辺室４とは上部に於いて連通してい
る。
示しており、筒状の反応管１の内部に同心にインナチュ
ーブ２が設けられ、該インナチューブ２によって仕切ら
れる中心室３と周辺室４とは上部に於いて連通してい
る。
前記中心室３と周辺室４とはそれぞれ気密に密閉され
ており、中心室３にはキャップ５を介してボート６が設
けられ、該ボート６には多数のウェーハ７が中心線方向
に多段に装填されている。
ており、中心室３にはキャップ５を介してボート６が設
けられ、該ボート６には多数のウェーハ７が中心線方向
に多段に装填されている。
前記反応管１の周囲はヒータ８により囲れており、反
応管１の内部が所要の温度（200℃〜900℃）に均一に加
熱される様になっている。
応管１の内部が所要の温度（200℃〜900℃）に均一に加
熱される様になっている。
均一に加熱された反応管１の内部より、排気ポンプ
（図示せず）で真空引（例えば、10-3〜10-4 torr）す
る。
（図示せず）で真空引（例えば、10-3〜10-4 torr）す
る。
次に、複数種の原料ガス（例えばSiH4、PH4）が所定
流量で注入される。
流量で注入される。
原料ガスは中心室３の下部より供給され、中心室３を
上昇し、上端部で折返し、周辺室４を下降し、排気管９
を経て排気される。
上昇し、上端部で折返し、周辺室４を下降し、排気管９
を経て排気される。
尚、10は反応管１の内部を所定の圧力に保持する為の
圧力制御弁である。
圧力制御弁である。
前記２種類の原料ガスは上昇する過程で混合され、高
温化で反応し、ウェーハ７の表面に被着して薄膜が生成
される。
温化で反応し、ウェーハ７の表面に被着して薄膜が生成
される。
［考案が解決しようとする課題］ 上記した薄膜生成の過程に於いて、製品品質の向上、
歩溜の向上を図るには、生成膜の均一性を確保すること
が重要である。
歩溜の向上を図るには、生成膜の均一性を確保すること
が重要である。
従来の化学気相生成装置に於いて、生成膜の均一性を
向上する手段としては、ウェーハ７の周囲を覆う様にイ
ンナチューブ２を設け、反応管１の内壁近傍（周辺室
４）とウェーハ収納部（中心室３）とを区画し、両領域
の雰囲気を分けることが行われている。
向上する手段としては、ウェーハ７の周囲を覆う様にイ
ンナチューブ２を設け、反応管１の内壁近傍（周辺室
４）とウェーハ収納部（中心室３）とを区画し、両領域
の雰囲気を分けることが行われている。
然し乍ら、斯かる従来の手段であるとインナチューブ
２の内面と、ウェーハ７の周縁との距離に対し薄膜の生
成が鋭敏となり、ウェーハ７周縁とインナチューブ２内
面との距離にバラツキがある場合には、かえって生成膜
の均一性が悪くなる場合がある。又、反応管内部の空間
がインナチューブにより周辺室と中心室に区画されるこ
とで膜生成速度が遅くなるという現象も生じる。
２の内面と、ウェーハ７の周縁との距離に対し薄膜の生
成が鋭敏となり、ウェーハ７周縁とインナチューブ２内
面との距離にバラツキがある場合には、かえって生成膜
の均一性が悪くなる場合がある。又、反応管内部の空間
がインナチューブにより周辺室と中心室に区画されるこ
とで膜生成速度が遅くなるという現象も生じる。
本考案は、斯かる実情を鑑み、生成膜の均一性の向
上、膜生成速度の向上を図り得る化学気相生成装置を提
供しようとするものである。
上、膜生成速度の向上を図り得る化学気相生成装置を提
供しようとするものである。
［課題を解決するための手段］ 本考案は、筒状の気密な反応管の中心部に中心線方向
に沿ってウェーハが多段に装入され、加熱された状態で
原料ガスを供給し、反応薄膜を生成する縦型化学気相生
成装置に於いて、余分な反応生成物を除去する複数の細
長案内板を、ウェーハの周囲に沿って略均等間隔に、反
応管の中心線と平行に、該反応管中心側に延長した案内
板の延長仮想面が前記ウェーハの表面に対して垂直方向
に交差する様に、配設したものである。
に沿ってウェーハが多段に装入され、加熱された状態で
原料ガスを供給し、反応薄膜を生成する縦型化学気相生
成装置に於いて、余分な反応生成物を除去する複数の細
長案内板を、ウェーハの周囲に沿って略均等間隔に、反
応管の中心線と平行に、該反応管中心側に延長した案内
板の延長仮想面が前記ウェーハの表面に対して垂直方向
に交差する様に、配設したものである。
［作用］ 供給された原料ガスは、案内板に沿って流れつつ、ウ
ェーハとウェーハとの間に拡散してゆく。案内板に沿っ
て流れる途中で生成した反応生成物は、案内板に付着
し、ウェーハの表面に生成される薄膜の厚み分布は均一
化される。
ェーハとウェーハとの間に拡散してゆく。案内板に沿っ
て流れる途中で生成した反応生成物は、案内板に付着
し、ウェーハの表面に生成される薄膜の厚み分布は均一
化される。
［実施例］ 以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。
尚、第１図中、第５図中で示したものと同一のものに
は同符号を付し、同一の構成を有する部分の説明は省略
する。
は同符号を付し、同一の構成を有する部分の説明は省略
する。
装填されたウェーハ７とインナチューブ２との間に形
成される円筒状の空間12に複数の案内板13を配設する。
成される円筒状の空間12に複数の案内板13を配設する。
該案内板13は細長短形形状であり、インナチューブ２
の中心線と平行に且案内板13の板厚の中心を通る仮想平
面の延長が、インナチューブ２の中心線を含む様放射状
に且つ第２図に示す様にウェーハ周囲に略均等間隔に配
置する。
の中心線と平行に且案内板13の板厚の中心を通る仮想平
面の延長が、インナチューブ２の中心線を含む様放射状
に且つ第２図に示す様にウェーハ周囲に略均等間隔に配
置する。
上記構成に於いて、インナチューブ２の下部に供給さ
れた原料ガスは、前記案内板13に沿って上昇し、上昇す
る過程でウェーハ７とウェーハ７との間に拡散してゆ
き、気相反応してウェーハ表面に薄膜を生成する。
れた原料ガスは、前記案内板13に沿って上昇し、上昇す
る過程でウェーハ７とウェーハ７との間に拡散してゆ
き、気相反応してウェーハ表面に薄膜を生成する。
又、原料ガスが案内板13に沿って上昇する際に気相反
応による生成する成分は、案内板13の表面に付着する。
而して、ウェーハ７とウェーハ７との間に拡散してゆく
原料ガスからは余分な反応生成物、例えば反応活性ガス
が除去されており、ウェーハ周辺部にのみ厚く膜生成し
なくなり、ウェーハ表面に生成される膜厚分布は均一化
される。
応による生成する成分は、案内板13の表面に付着する。
而して、ウェーハ７とウェーハ７との間に拡散してゆく
原料ガスからは余分な反応生成物、例えば反応活性ガス
が除去されており、ウェーハ周辺部にのみ厚く膜生成し
なくなり、ウェーハ表面に生成される膜厚分布は均一化
される。
又、ウェーハ周縁とインナチューブ内面との間に前記
案内板13を介在させることで、ウェーハ表面への薄膜生
成条件がウェーハ周縁とインナチューブ内面との距離に
対して鋭敏でなくなる。
案内板13を介在させることで、ウェーハ表面への薄膜生
成条件がウェーハ周縁とインナチューブ内面との距離に
対して鋭敏でなくなる。
第３図、第４図に示すものは、インナチューブを省略
し、反応管１の中心線を通る平面に案内板13を傾斜させ
たものである。
し、反応管１の中心線を通る平面に案内板13を傾斜させ
たものである。
該実施例に於いても、前記した実施例と同等な作用、
効果を奏する。
効果を奏する。
尚、該実施例では、反応管１の頂部より原料ガスを供
給する様にしてある。
給する様にしてある。
尚、案内板13は特に図示しないが、インナチューブ
に、又はインナチューブが省略されたものでは反応管１
に一体的に設けてもよいことは勿論である。
に、又はインナチューブが省略されたものでは反応管１
に一体的に設けてもよいことは勿論である。
［考案の効果］ 以上述べた如く本考案によれば、反応管内部に収納さ
れたウェーハの周囲に略均等間隔に案内板を設けたの
で、ウェーハの膜生成に不要な反応生成分が除去され、
生成膜厚分布の均一性が向上する。又、反応管、インナ
チューブとウェーハ周縁との距離を大きくしても、生成
膜厚分布の均一性に影響を与えないので、該距離を大き
くでき、その為反応管、インナチューブに対するウェー
ハの位置ずれによる生成膜厚分布の悪化を防止し得ると
共に排気速度を大きくでき、更に反応管内の拡散速度を
大きくすることができるのでウェーハ同士の膜生成状態
の均一化が向上するという優れた効果を発揮する。
れたウェーハの周囲に略均等間隔に案内板を設けたの
で、ウェーハの膜生成に不要な反応生成分が除去され、
生成膜厚分布の均一性が向上する。又、反応管、インナ
チューブとウェーハ周縁との距離を大きくしても、生成
膜厚分布の均一性に影響を与えないので、該距離を大き
くでき、その為反応管、インナチューブに対するウェー
ハの位置ずれによる生成膜厚分布の悪化を防止し得ると
共に排気速度を大きくでき、更に反応管内の拡散速度を
大きくすることができるのでウェーハ同士の膜生成状態
の均一化が向上するという優れた効果を発揮する。
第１図は本考案の１実施例を示す断面概略図、第２図は
第１図のＡ−Ａ矢視図、第３図は他の実施例の断面概略
図、第４図は第３図のＢ−Ｂ矢視図、第５図は従来例の
断面概略図である。 １は反応管、２はインナチューブ、７はウェーハ、８は
ヒータ、12は空間、13は案内板を示す。
第１図のＡ−Ａ矢視図、第３図は他の実施例の断面概略
図、第４図は第３図のＢ−Ｂ矢視図、第５図は従来例の
断面概略図である。 １は反応管、２はインナチューブ、７はウェーハ、８は
ヒータ、12は空間、13は案内板を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】筒状の気密な反応管の中心部に中心線方向
に沿ってウェーハが多段に装入され、加熱された状態で
原料ガスを供給し、反応薄膜を生成する縦型化学気相生
成装置に於いて、余分な反応生成物を除去する複数の細
長案内板を、ウェーハの周囲に沿って略均等間隔に、反
応管の中心線と平行に、該反応管中心側に延長した案内
板の延長仮想面が前記ウェーハの表面に対して垂直方向
に交差する様に、配設したことを特徴とする化学気相生
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989119096U JP2519151Y2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 化学気相生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989119096U JP2519151Y2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 化学気相生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357931U JPH0357931U (ja) | 1991-06-05 |
| JP2519151Y2 true JP2519151Y2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=31667237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989119096U Expired - Lifetime JP2519151Y2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 化学気相生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2519151Y2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53137084A (en) * | 1977-05-04 | 1978-11-30 | Fujitsu Ltd | Reaction tube with uniform flow rate |
| JPS62154722A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS62190337U (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | ||
| JPH01100431U (ja) * | 1987-12-23 | 1989-07-05 |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP1989119096U patent/JP2519151Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0357931U (ja) | 1991-06-05 |
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Legal Events
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