KR102128150B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102128150B1
KR102128150B1 KR1020170037025A KR20170037025A KR102128150B1 KR 102128150 B1 KR102128150 B1 KR 102128150B1 KR 1020170037025 A KR1020170037025 A KR 1020170037025A KR 20170037025 A KR20170037025 A KR 20170037025A KR 102128150 B1 KR102128150 B1 KR 102128150B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circumferential side
partition plate
outer circumferential
substrate
inner circumferential
Prior art date
Application number
KR1020170037025A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170113218A (ko
Inventor
히로미 니타도리
사토루 고이케
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20170113218A publication Critical patent/KR20170113218A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102128150B1 publication Critical patent/KR102128150B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H01L21/205—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45517—Confinement of gases to vicinity of substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H01J37/32761—Continuous moving
    • H01J37/32779—Continuous moving of batches of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은, 가스 및 파티클의 구획 영역간의 왕래를 억제할 수 있어, 면간 균일성 및 면내 균일성이 양호함과 함께, 파티클의 기판 상에의 산포를 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 복수의 기판(W)을 연직 방향으로 간격을 두고 다단으로 적재 가능하고, 상기 복수의 기판이 적재되는 영역을 연직 방향으로 구획하는 복수의 구획판(62)을 가지는 기판 유지구(60)와, 해당 기판 유지구를 수용 가능한 처리 용기(4)와, 해당 처리 용기 내의 상기 구획판의 외주측면(63)과 대향하는 내주벽면(80)으로부터 상기 구획판의 외주측면을 향해서 내측으로 돌출되도록 연장되고, 돌출된 선단에 형성된 내주측면(82)과 상기 구획판의 외주측면과의 사이에 간극(70)을 형성하는 돌출부(81)와, 해당 돌출부의 상기 내주측면과 상기 구획판의 외주측면과의 사이에 형성된 상기 간극에 불활성 가스를 공급해서 주위보다도 압력이 높은 양압부를 형성 가능한 가스 공급 수단(90)을 가진다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터, 가열 장치에 의해 외주를 둘러싸도록 설치된 반응관의 내부에 설치된 처리실에 기판 처리면에 대하여 수직 방향으로 복수매 배치된 기판을 반입하는 공정과, 반응관의 내부이며 기판을 처리하는 영역에서의 반응관의 측면에 적어도 가열 장치의 외측까지 달하도록 설치된 가스 도입관에 가스를 도입하고, 기판 처리면에 대하여 수직 방향으로 적어도 2매 이상의 기판에 걸치는 크기로 슬릿 형상으로 형성된 분출구로부터 처리실에 가스를 분출하여, 기판을 처리하는 공정을 가지는 반도체 장치의 제조 방법이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
이러한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 기판 처리 공정에서, 가스 도입관 내에 설치되고 기판 처리면에 대하여 수직 방향으로 구획벽에 의해 구획된 복수의 가스 도입 구획부에 가스를 도입하고, 복수의 가스 도입 구획부 각각에 형성된 분출구로부터 처리실에 가스를 분출하여, 복수의 가스 도입 구획부마다 사이드 플로우를 형성하고, 기판 사이에 들어가는 가스량을 균일하게 하여, 복수매의 기판의 면내·면간의 균일성을 향상시키려고 하고 있다.
일본 특허 공개 제2009-135551호 공보
그러나, 상술한 특허문헌 1에 기재된 구성에서는, 가스 도입 구획부가 구획벽에 의해 구획되어 있어도, 구획벽과 기판과의 사이에는, 수직 방향으로 구획되어 있지 않은 간극이 있어, 그 간극을 통해서 가스가 상하로 왕래할 수 있는 상태로 되어 있기 때문에, 가스 도입 구획부 내에 균일한 가스량을 가지는 사이드 플로우를 형성하는 것은 곤란하다는 문제가 있었다.
또한, 처리실 내에서는, 상부와 하부에 파티클이 발생하기 쉬운데, 그러한 파티클도 상술한 간극에서 상하로 자유롭게 이동 가능하기 때문에, 기판 상에 파티클이 산포되는 것을 효과적으로 억제하는 것은 곤란하였다.
따라서, 본 발명은, 가스 및 파티클의 구획 영역간의 왕래를 억제할 수 있어, 면간 균일성 및 면내 균일성이 양호함과 함께, 파티클의 기판 상에의 산포를 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 형태에 관한 기판 처리 장치는, 복수의 기판을 연직 방향으로 간격을 두고 다단으로 적재 가능하고, 상기 복수의 기판이 적재되는 영역을 연직 방향으로 구획하는 복수의 구획판을 가지는 기판 유지구와,
해당 기판 유지구를 수용 가능한 처리 용기와,
해당 처리 용기 내의 상기 구획판의 외주측면과 대향하는 내주벽면으로부터 상기 구획판의 외주측면을 향해서 내측으로 돌출되도록 연장되고, 돌출된 선단에 형성된 내주측면과 상기 구획판의 외주측면과의 사이에 간극을 형성하는 돌출부와,
해당 돌출부의 상기 내주측면과 상기 구획판의 외주측면과의 사이에 형성된 상기 간극에 불활성 가스를 공급해서 주위보다도 압력이 높은 양압부를 형성 가능한 가스 공급 수단을 갖는다.
본 발명에 따르면, 복수의 기판에 균일한 기판 처리를 행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례의 전체 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 웨이퍼 보트 및 이너 관의 대향면 부근의 구성을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태의 설명을 행한다.
〔제1 실시 형태〕
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례의 전체 구성을 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는, 내부에 복수매의 기판(이하, 웨이퍼(W))이 상하 방향으로 소정의 간격으로 적층되어 수용되는 처리 용기(4)와, 처리 용기(4)의 측면 및 상면을 덮는 가열 장치(48)를 갖고 있다.
처리 용기(4)는, 덮개가 있는 원통 형상을 가지는 아우터 관(6)과, 덮개가 있는 원통 형상을 가지고, 아우터 관(6)의 내측에 동심 형상으로 배치되는 이너 관(8)으로 구성된다. 아우터 관(6) 및 이너 관(8)은, 내열성을 가지는 재료, 예를 들어 석영으로 형성된다. 또한, 아우터 관(6) 및 이너 관(8)은, 그 하단부로부터, 예를 들어 스테인레스 스틸이나 알루미늄 등의 금속으로 제작되는 매니폴드(10)에 의해 유지된다. 또한, 매니폴드(10)는, 베이스 플레이트(12)에 고정된다.
매니폴드(10)의 하단부의 개구부에는, 예를 들어 스테인레스 스틸이나 알루미늄 등의 금속으로 제작되는 원반 형상의 캡부(14)가, O링 등의 시일 부재(16)를 개재해서 기밀하게 설치되어 있다. 또한, 캡부(14)의 중심부에는, 예를 들어 자성 유체 시일(18)에 의해 기밀하고 회전 가능한 회전축(20)이 삽입 관통되어 있다. 이 회전축(20)의 하단은, 회전 기구(22)에 접속되어 있다. 회전축(20)의 상단은, 예를 들어 금속으로 이루어지는 테이블(24)이 고정되어 있다.
테이블(24) 상에는, 예를 들어 석영제의 보온통(26)이 설치되어 있다. 또한, 보온통(26) 상에는, 기판 유지구로서 예를 들어 석영제의 웨이퍼 보트(60)가 적재된다. 웨이퍼 보트(60)에는, 예를 들어 50 내지 150매의 웨이퍼(W)가, 소정의 간격, 예를 들어 10mm 정도 간격의 피치로, 연직 방향으로 적재된다. 웨이퍼 보트(60)는, 예를 들어 3 내지 4개의 지주(61)를 가진다. 그리고, 지주(61)의 내주면에 형성되고, 수평 방향으로 파진 홈(도시하지 않음)의 저면 상에 웨이퍼(W)가 적재된다. 웨이퍼 보트(60), 보온통(26), 테이블(24) 및 캡부(14)는, 예를 들어 보트 엘리베이터인 승강 기구(30)에 의해, 처리 용기(4) 내에 일체로 되어 로드되고, 언로드된다.
웨이퍼 보트(60)는, 적재된 웨이퍼(W)를 연직 방향으로 구획하는 복수매의 구획판(62)을 가진다. 구획판(62)은, 연직 방향으로 구획된 복수의 영역을 웨이퍼 보트(60)에 형성하고, 구획된 영역마다 사이드 플로우를 형성해서 처리 가스를 공급하여, 웨이퍼(W)에 균일한 기판 처리를 행하기 위해서 설치된다. 구획판(62)은, 웨이퍼(W)보다도 두께가 두꺼운 판상 부재로 구성된다. 웨이퍼(W)는, 기본적으로 원반 형상의 형상을 가지고, 이너 관(8)도 원통 형상을 가지므로, 구획판도 원반 형상을 가지는 원판 부재로서 구성된다.
구획판(62)은, 연직 방향에 있어서의 구획벽으로서의 기능을 가지므로, 웨이퍼(W) 및 웨이퍼(W)를 지지하고 있는 지주(61)보다도 외측으로 외주단이 돌출되도록 구성되어, 웨이퍼(W)와 평행하게 수평으로 설치된다. 웨이퍼 보트(60)에는, 이러한 직경이 지주(61)보다도 크고, 두께도 웨이퍼(W)보다 두꺼운 구획판(62)이 복수 개소에 설치되어, 적재된 복수매의 웨이퍼(W)를 연직 방향으로 복수의 영역으로 분할해서 구획한다.
도 1에 도시되는 바와 같이, 구획판(62)은, 적어도 상단 및 하단에는 설치되는 것이 바람직하다. 상세는 후술하지만, 이너 관(8) 내부의 하부에는, 상압 복귀 시의 가스의 말려 올라감 등에 의해 파티클이 발생하기 쉽고, 또한 상부로부터는 파티클이 낙하해 오기 때문에, 역시 파티클이 발생하기 쉽다. 따라서, 파티클의 침입을 방지하는 관점에서, 구획판(62)은, 적어도 적재된 웨이퍼(W)의 상단 및 하단을 둘러싸도록, 적재된 최상단의 웨이퍼(W)보다도 상방, 최하단의 웨이퍼(W)보다도 하방에 설치되는 것이 바람직하다.
이너 관(8)의 내주벽면(80)의 구획판(62)과 대향하는 위치에는, 구획판(62)의 외주측면을 향해서 내측으로 돌출된 돌출부(81)가 형성된다. 돌출부(81)는, 거의 구획판(62)의 두께와 동일 정도의 두께를 가지고, 구획판(62)의 외주측면을 향해서 돌출된 형상을 가진다. 따라서, 구획판(62)의 외주측면과, 돌출부(81)의 내주측면은 대향하고, 대향 공간에 좁은 간극(70)이 형성된다. 상세는 후술하지만, 간극(70)에 불활성 가스가 공급되어 주위와 비교해서 양압으로 되어, 양압부가 형성된다. 이에 의해, 구획판(62) 및 돌출부(81)로 형성되는 영역이 구획되어, 영역 내에 사이드 플로우를 형성하는 것이 가능하게 된다. 또한, 구획판(62)이 원반 형상을 갖고 있으면, 돌출부(81)의 내주면도 원형으로 되어, 양압부는 원환 형상의 환상 양압부가 된다.
이너 관(8)의 내주벽면(80)의 돌출부(81)끼리의 사이의 영역에는, 배기구(85)가 형성된다. 이에 의해, 구획판(62)으로 구획된 영역 내에서의 처리 가스의 공급과 개별 배기가 가능하게 되어, 사이드 플로우를 형성하기 쉬워진다.
또한, 이들 구획판(62)에 관련된 구성에 관한 상세는 후술하는 것으로 하고, 다른 구성 요소에 대해서 설명한다.
매니폴드(10)의 하부에는, 일단부에 있어서 매니폴드(10)를 기밀하게 관통하여, 이너 관(8)의 내주면을 따라서 상방으로 굴곡되는 가스 노즐(34)이 설치되어 있다. 가스 노즐(34)의 타단부는, 소정의 배관을 통해서 도시하지 않은 가스 공급원에 접속되어 있다. 또한, 배관에는, 예를 들어 매스 플로우 컨트롤러 등의 유량 제어 장치나 개폐 밸브(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이에 의해 가스 노즐(34)로부터 처리 용기(4) 내에 공급되는 가스의 공급 개시, 공급 정지 및 유량 등이 제어된다. 또한, 도 1에서는, 1개의 가스 노즐(34)이 기재되어 있지만, 사용하는 가스종에 따라서 복수개의 가스 노즐(34)을 설치해도 된다. 예를 들어, 기판 처리 장치에 의해 웨이퍼(W)에 산화 실리콘막을 성막하는 경우에는, 실리콘 함유 가스용 가스 노즐(34), 산화 가스용 가스 노즐(34) 및 퍼지 가스용 가스 노즐(34)을 설치해도 된다.
매니폴드(10)의 상부에는 가스 배기구(36)이 형성되어 있고, 가스 배기구(36)에는 배기계(38)가 연결되어 있다. 배기계(38)는, 가스 배기구(36)에 접속된 배기 통로(40)와, 배기 통로(40) 도중에 순차적으로 접속되는 압력 조정 밸브(42) 및 진공 펌프(44)를 갖고 있다. 배기계(38)에 의해, 처리 용기(4)에 공급된 가스가 배기됨과 함께, 처리 용기(4) 내의 압력이 조정된다.
또한, 매니폴드(10)를 설치하지 않고, 처리 용기(4) 전체가 예를 들어 석영에 의해 제작되어도 된다.
가열 장치(48)는, 덮개가 있는 원통체 형상을 가지는 단열체(50)를 가진다. 단열체(50)는, 예를 들어 열전도성이 낮고, 무정형의 실리카 및 알루미나의 혼합물에 의해 형성된다. 단열체(50)의 두께는, 통상 약 30mm 내지 약 40mm이다. 또한, 단열체(50)의 내경은, 처리 용기(4)의 외경보다도 소정의 길이만큼 크고, 이에 의해, 단열체(50)의 내면과 처리 용기(4)의 외면과의 사이에 소정의 공간이 형성된다. 또한, 단열체(50)의 외주면에는, 예를 들어 스테인레스 스틸로 이루어지는 보호 커버(51)가, 단열체(50) 전체를 덮도록 설치되어 있다.
또한, 단열체(50)의 내면에는 히터 소선(52)이 코일 형상으로 권회되어 있고, 전체로서 원통 형상으로 처리 용기(4)를 둘러싸는 히터를 구성하고 있다.
이어서, 구획판(62) 및 돌출부(81)에 관련된 구성에 대해서, 보다 상세하게 설명한다.
도 2는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 웨이퍼 보트 및 이너 관의 대향면 부근의 구성을 확대해서 나타낸 단면도이다. 또한, 도 2에서는, 웨이퍼 보트(60)의 구획판(62)과 이너 관(8)의 돌출부(81)와의 위치 관계가, 도 1과는 좌우 반대로 도시되어 있는데, 도 1의 이면측에서 보면 그러한 구성으로 되므로, 도 1과 모순되는 것이 아니다.
도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 보트(60)의 웨이퍼(W)가 적재된 영역의 상단보다도 상방, 하단보다도 하방에 구획판(62)이 설치되고, 그 사이에 2매의 구획판(62)이 더 설치되어, 연직 방향으로 3개의 영역(100)으로 복수매의 웨이퍼(W)가 분할되어 있다. 웨이퍼(W)는, 예를 들어 50 내지 100매의 다수의 웨이퍼(W)가 적재되기 때문에, 구획판(62)으로 구획된 복수의 영역(100) 내의 각각에 복수매의 웨이퍼(W)가 유지되어 있다.
구획판(62)의 각각은, 웨이퍼(W) 및 지주(61)보다도 큰 직경을 가져, 외측으로 돌출되어 있고, 구획판(62)의 외주측면(63)은, 웨이퍼(W) 및 지주(61)보다도 외측이 되도록 설치되어 있다. 구획판(62)의 두께는, 웨이퍼(W)를 몇 매 합친 두께보다도 훨씬 두껍게 구성되어 있다.
이너 관(8)의 내주벽면(80) 중, 웨이퍼 보트(60)의 구획판(62)과 대향하는 영역에는, 내측에, 구획판(62)의 외주측면(63)을 향해서 돌출되어 연장되는 돌출부(81)가 형성되어 있다. 돌출부(81)는, 구획판(62)의 외주측면(63) 가까이까지 연장되어, 돌출부(81)의 내주측면(82)과 구획판(62)의 외주측면(63)과의 사이에, 간극(70)이 형성되어 있다.
웨이퍼 보트(60)의 지주(61) 및 구획판(62)의 내부에는, 가스 공급관로(90)가 설치되어 있다. 가스 공급관로(90)는, 간극(70)에 불활성 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단이다. 가스 공급관로(90)는, 지주(61)의 내부를 관통해서 설치되는 합류관로(91)와, 각 구획판(62)의 내부를 관통해서 설치되는 분기관로(92)를 가진다. 합류관로(91)로부터 공급된 불활성 가스는, 각 분기관로(92)에 분기하여, 구획판(62)의 외주측면(63)과 돌출부(81)의 내주측면(82)과의 사이에 형성된 간극(70)에, 불활성 가스를 공급한다. 이에 의해, 간극(70)을 주위의 분위기보다도 압력이 높은 양압으로 할 수 있어, 구획판(62)으로 구획된 영역(100)끼리의 처리 가스의 왕래를 방지할 수 있다.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 이너 관(8)의 돌출부(81)에는, 돌출부(81)의 상면을 따라 더 내측으로 돌출된 돌출 구조부(83)가 설치되고, 구획판(62)에는, 구획판의 하면을 따라 더 외측으로 돌출된 돌출 구조부(64)가 설치되어 있다. 돌출 구조부(64, 83)는, 간극(70)을 둘러싸도록 설치된 래비린스 구조부이다. 즉, 돌출 구조부(64, 83)가 서로 협동해서 래비린스 시일을 구성한다. 이에 의해, 구획판(62)으로 구획된 복수의 영역(100)끼리를 확실하게 시일할 수 있다.
또한, 래비린스 구조부를 설치하는 것은 필수가 아니라, 간극(70)에의 불활성 가스의 공급만으로 충분하면, 돌출 구조부(64, 83)는 반드시 설치할 필요가 있는 것은 아니며, 돌출부(81)의 내주측면(82) 및 구획판(62)의 외주측면(63)을 평탄면으로 구성해도 된다.
또한, 반대로, 더욱 시일성을 높이고 싶은 경우에는, 돌출 구조부(64, 83)의 수를 증가시켜도 된다.
또한, 간극(70)에 가스 공급관로(90)를 통해서 공급하는 불활성 가스는, 처리 가스와 반응하지 않는 가스라면, 다양한 가스를 사용해도 되지만, 예를 들어 질소나 아르곤을 사용하도록 해도 된다.
또한, 이너 관(8)의 내주벽면(80)에는, 각 영역(100)마다 배기구(85)를 설치하는 것이 바람직하다. 즉, 돌출부(81)의 사이의 내주벽면(80)에, 배기구(85)를 형성하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 구획판(62)으로 구획된 각 영역(100)마다 처리 가스가 공급되었을 때, 각 영역(100)마다 처리 가스의 배기를 행할 수 있어, 각 영역(100) 내에서 사이드 플로우를 형성하기 쉬워진다. 사이드 플로우의 형성에 의해, 각 영역(100) 내에서 일방향(수평 방향)의 층류를 형성할 수 있고, 웨이퍼(W)의 중심 영역, 외주 영역에 큰 차가 없는 균일류를 형성할 수 있다. 이러한 처리 가스의 공급을 행할 수 있으면, 웨이퍼(W)의 기판 처리의 웨이퍼간(세로 방향) 및 웨이퍼 면내(수평 방향)에서의 균일성을 모두 높일 수 있다.
또한, 구획판(62)의 수는, 용도에 따라서 적절히 정해져도 되지만, 최상단에 배치된 웨이퍼(W)보다도 상방에 1매 구획판(62)을 설치하고, 최하단에 배치된 웨이퍼(W)보다도 하방에 1매 구획판(62)을 설치하는 것이 바람직하다. 이너 관(8)의 하부에서는, 진공에서 상압으로 복귀했을 때 말려 올라가는 파티클이 많이 발생하고, 상부에서는, 천장으로부터 낙하하는 파티클이 많이 발생하기 때문에, 이들 파티클의 침입을 상단 및 하단에서 방지하는 구성으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 파티클이 영역(100)에 침입한 경우에도, 간극(70)이 양압으로 되어, 환상 양압부를 구성하고 있기 때문에, 파티클의 상하간의 왕래는 억제된다.
이와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 처리 가스 및 파티클 모두, 구획판(62)으로 구획된 영역(100)끼리의 왕래가 억제되어, 영역(100)간의 완전한 분단이 가능하게 되어, 면간 및 면내 균일성이 높은 기판 처리를 행할 수 있다.
또한, 도 2에서, 구획판(62)은, 상단으로부터 하단을 향해서 서서히 직경이 커지고, 그것에 수반하여 돌출부(81)도, 상단으로부터 하단을 향해서 돌출량이 작아지도록 구성되어 있다. 이것은, 웨이퍼 보트(60)의 반출 시에, 돌출 구조부(64)가 하단의 돌출 구조부(83)에 접촉하지 않는 구조로 하기 위해서이다. 즉, 구획판(62)을 모두 동일한 직경으로 하고, 도 2와 같이 구성하면, 웨이퍼 보트(60)를 반출할 때, 구획판(62)의 돌출 구조부(64)가 하방에 있는 돌출부(81)의 돌출 구조부(83)에 걸려버려, 웨이퍼 보트(60)가 빠지지 않게 되어버린다.
따라서, 이와 같이 끝이 넓어지는 구성으로 구획판(62)을 구성하고 있다.
〔제2 실시 형태〕
도 3은, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에서는, 가스 공급관로(90a)를, 웨이퍼 보트(60)의 내부가 아니라, 이너 관(8)에 설치하고 있다. 이와 같이, 가스 공급관로(90)는, 웨이퍼 보트(60)가 아니라, 이너 관(8)에 설치해도 된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 분기관로(92a)는, 돌출부(81)의 내부를 관통하도록 설치되어 있다. 한편, 합류관로(91a)는, 이너 관(8)의 외측에 설치되어 있다. 이와 같이, 이너 관(8)의 외부에 합류관로(91a)를 설치하고, 분기관로(92a)만 돌출부(81)의 내부를 관통시켜서 설치해도 된다. 또한, 합류관로(91a)도 이너 관(8)의 내부를 관통시켜서 설치하는 것이 더 낫다면, 그렇게 구성해도 된다.
이와 같이, 간극(70)에 불활성 가스를 공급할 수 있으면, 가스 공급관로(90, 90a)는 다양한 위치에 설치할 수 있다. 제1 및 제2 실시 형태에서는, 가스 공급관로(90, 90a)를 웨이퍼 보트(60) 및 이너 관(8)에 설치한 예를 들어서 설명했지만, 이들에 한정되는 것은 아니며, 간극(70)에 불활성 가스를 공급하여, 간극(70)을 양압로 할 수 있으면, 전용의 가스 공급관로(90, 90a)를 다양한 위치에 설치할 수 있다.
또한, 제2 실시 형태에서, 다른 구성 요소에 대해서는, 제1 실시 형태와 마찬가지이므로, 대응하는 구성 요소에 동일한 참조 부호를 붙임과 함께, 그 설명을 생략한다.
제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 의하면, 가스 공급관로(90a)를, 이동이 없는 이너 관(8) 내에 고정해서 설치할 수 있어, 안정된 가스의 공급이 가능하게 된다.
〔제3 실시 형태〕
도 4는, 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치는, 래비린스 구조부를 구성하는 돌출 구조부(83a)가 상하 모두 이너 관(8)의 돌출부(81a)의 내주측면(82a)으로부터 돌출되어 있고, 구획판(62a)의 외주측면(63a)은 평탄면으로 되어 있는 점에서, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치와 상이하다.
이와 같이, 이너 관(8)측의 돌출부(81a)에만, 래비린스 구조부를 설치할 수도 있다. 이 경우에도, 상하에 있어서 대향면끼리의 간격이 좁은 부분이 구성되어, 래비린스 시일을 구성할 수 있어, 상하의 영역(100)끼리의 기밀성을 확보할 수 있다.
이러한 구성을 채용함으로써, 웨이퍼 보트(60a)의 복수의 구획판(62a)의 직경을 모두 동일하게 할 수 있음과 함께, 그 외주측면(63a)을 모두 평탄면으로 할 수 있어, 웨이퍼 보트(60a)의 구조를 간소화할 수 있다.
또한, 가스 공급관로(90)도, 제2 실시 형태와 같은 이너 관(8)측에 설치하도록 구성하면, 더욱 웨이퍼 보트(60a)를 간소화할 수 있다.
이와 같이, 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 의하면, 웨이퍼 보트(60a)의 구성을 간소화하면서, 기판 처리의 면간 및 면내 균일성을 높일 수 있다.
또한, 기타 구성 요소에 대해서, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치와 마찬가지이므로, 대응하는 구성 요소에 동일한 참조 부호를 붙임과 함께, 그 설명을 생략한다.
〔제4 실시 형태〕
도 5는, 본 발명의 제4 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 5에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 제4 실시 형태에 관한 기판 처리 장치는, 래비린스 구조부를 구성하는 돌출 구조부(64b)가 상하 모두 웨이퍼 보트(60b)의 구획판(62b)의 외주측면(63b)으로부터 돌출되어 있고, 이너 관(8)의 돌출부(81b)의 내주측면(82b)은 평탄면으로 되어 있는 점에서, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치와 상이하다.
이와 같이, 웨이퍼 보트(60b)의 구획판(62b)에만, 래비린스 구조부를 설치할 수도 있다. 이 경우에도, 상하에 있어서 대향면끼리의 간격이 좁은 부분이 구성되어, 래비린스 시일을 구성할 수 있어, 상하의 영역(100)끼리의 기밀성을 확보할 수 있다.
또한, 이러한 구성을 채용함으로써, 이너 관(8)의 복수의 돌출부(81b)의 돌출량을 모두 동일하게 할 수 있음과 함께, 그 내주측면(82b)을 모두 평탄면으로 할 수 있어, 이너 관(8)의 내주벽면(80b)의 구조를 간소화할 수 있다.
또한, 웨이퍼 보트(60b)에 대해서도, 구획판(60b)의 외주측면(63b)의 구조는 복잡화되지만, 구획판(62b)의 직경은 모드 동일하게 할 수 있어, 취급을 용이하게 할 수 있다.
또한, 가스 공급관로(90)도, 제2 실시 형태와 같은 이너 관(8)측에 설치하도록 구성하면, 더욱 웨이퍼 보트(60b)를 간소화할 수 있다.
이와 같이, 제4 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 의하면, 이너 관(8)의 돌출부(81b)의 구성을 간소화하면서, 기판 처리의 면간 및 면내 균일성을 높일 수 있다.
또한, 기타 구성 요소에 대해서, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치와 마찬가지이므로, 대응하는 구성 요소에 동일한 참조 부호를 붙임과 함께, 그 설명을 생략한다.
이와 같이, 본 발명의 제1 내지 제4 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 의하면, 환상 양압부를 설치함으로써, 구획판(62, 62a, 62b)으로 구획된 영역(100)끼리의 시일성을 높이어, 서로의 영역(100)을 왕래하는 처리 가스 및 파티클을 억제하여, 기판 처리의 면간 및 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 제1 내지 제4 실시 형태에서는 나타내지 않았지만, 래비린스 구조에 대해서는, 구획판(62)의 외주측면(63) 및 돌출부(81)의 내주측면(82)의 양쪽에 서로 대향하는 돌출 구조가 설치되는 구조도 가능하다.
또한, 제1 내지 제4 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)가 원형이고 이너 관(8)이 원통형인 예를 나타냈지만, 처리 대상의 기판이 다각형인 경우에도, 처리 용기의 내주측면의 돌출부의 내주측면이, 기판의 외주측면에 일정 거리의 간극을 두고 대향하는 구조라면, 그러한 기판 처리 장치에도 적용 가능하다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 상술한 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.
4 : 처리 용기 8 : 이너 관
34 : 가스 노즐 48 : 가열 장치
52 : 히터 소선 60 : 웨이퍼 보트
61 : 지주 62, 62a, 62b : 구획판
63, 63a, 63b : 외주측면 64, 64b, 83, 83a : 돌출 구조부
70 : 간극 80 : 내주벽면
81, 81a, 81b : 돌출부 82, 82a, 82b : 내주측면
90, 90a : 가스 공급관로 91, 91a : 합류관로
92, 92a : 분기관로 100 : 영역

Claims (8)

  1. 복수의 기판을 연직 방향으로 간격을 두고 다단으로 적재 가능하고, 상기 복수의 기판이 적재되는 영역을 연직 방향으로 구획하는 복수의 원판 형상의 구획판을 포함하는 기판 유지구와,
    상기 기판 유지구를 수용 가능한 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내의 상기 구획판의 외주측면과 대향하는 내주벽면으로부터 상기 구획판의 외주측면을 향해서 내측으로 돌출되도록 연장되고, 돌출된 선단에 형성된 내주측면과 상기 구획판의 외주측면과의 사이에 간극을 형성하는 돌출부와,
    상기 돌출부의 상기 내주측면과 상기 구획판의 외주측면과의 사이에 형성된 상기 간극에 불활성 가스를 공급해서 상기 복수의 기판이 적재되는 영역보다도 압력이 높은 환상 양압부를 형성 가능한 가스 공급 수단을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급 수단은, 상기 구획판 및 상기 돌출부 중 적어도 한쪽의 내부를 관통해서 설치되어 있는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 돌출부의 상기 내주측면 및 상기 구획판의 외주측면 중 적어도 한쪽에는 래비린스 구조가 설치되어 있는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 래비린스 구조는, 대향면을 향해서 돌출된 복수의 돌출 구조를 가지고,
    상기 복수의 돌출 구조는, 상기 돌출부의 상기 내주측면 및 상기 구획판의 외주측면 중 적어도 한쪽의 상면과, 상기 돌출부의 상기 내주측면 및 상기 구획판의 외주측면 중 적어도 한쪽의 하면을 따라 설치된 돌출 구조를 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 구획판 및 상기 돌출부는, 상기 기판이 적재되는 영역의 상단 및 하단을 둘러싸도록 형성되는 구획판 및 돌출부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 용기 내의 연직 방향에 걸쳐서 가로 방향으로 처리 가스를 토출하는 처리 가스 공급 수단을 더 포함하고,
    상기 처리 용기 내의 상기 내주벽면의 상기 돌출부의 사이의 영역에는 배기구가 형성되고, 상기 구획판 사이의 영역에서 사이드 플로우의 형성이 가능하게 구성된, 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 용기는 세로로 긴 반응관이며,
    상기 처리 용기 내의 상기 내주벽면은 상기 반응관 내에 설치된 이너 관의 내주벽면이며,
    상기 처리 용기의 주위에는, 상기 복수의 기판을 가열하는 히터가 설치된, 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 돌출부의 상기 내주측면과 상기 구획판의 외주측면 사이에 형성된 상기 간극은, 상기 가스 공급 수단이 상기 불활성 가스를 공급하는 부분의 상하에 있어서 간격이 좁은 부분이 구성되고, 상기 환상 양압부가 상기 간극의 간격이 좁은 부분에 상하로 끼워진 영역에 형성되는, 기판 처리 장치.
KR1020170037025A 2016-03-29 2017-03-23 기판 처리 장치 KR102128150B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016065250A JP6566904B2 (ja) 2016-03-29 2016-03-29 基板処理装置
JPJP-P-2016-065250 2016-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170113218A KR20170113218A (ko) 2017-10-12
KR102128150B1 true KR102128150B1 (ko) 2020-06-29

Family

ID=59959730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170037025A KR102128150B1 (ko) 2016-03-29 2017-03-23 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10720312B2 (ko)
JP (1) JP6566904B2 (ko)
KR (1) KR102128150B1 (ko)
CN (1) CN107240567B (ko)
TW (1) TWI714741B (ko)

Families Citing this family (316)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7169857B2 (ja) * 2018-11-22 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
WO2020188857A1 (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、反応容器、半導体装置の製造方法および記録媒体
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
WO2021059492A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、昇降機構、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014207435A (ja) * 2013-03-21 2014-10-30 東京エレクトロン株式会社 バッチ式縦型基板処理装置および基板保持具

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2931991B2 (ja) 1990-05-22 1999-08-09 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JPH06302533A (ja) * 1993-04-19 1994-10-28 Kokusai Electric Co Ltd 縦型反応炉
JPH11233447A (ja) 1998-02-10 1999-08-27 Rohm Co Ltd 半導体基板に対する縦型表面処理装置の構造
JP2008172205A (ja) 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応容器
US20080173238A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction vessel

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014207435A (ja) * 2013-03-21 2014-10-30 東京エレクトロン株式会社 バッチ式縦型基板処理装置および基板保持具

Also Published As

Publication number Publication date
US20170287681A1 (en) 2017-10-05
TW201801183A (zh) 2018-01-01
CN107240567B (zh) 2022-03-08
JP2017183380A (ja) 2017-10-05
CN107240567A (zh) 2017-10-10
TWI714741B (zh) 2021-01-01
KR20170113218A (ko) 2017-10-12
US10720312B2 (en) 2020-07-21
JP6566904B2 (ja) 2019-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102128150B1 (ko) 기판 처리 장치
US10570508B2 (en) Film forming apparatus, film forming method and heat insulating member
KR101691255B1 (ko) 성막 장치
TWI610395B (zh) 支持體構造、處理容器構造及處理設備
JP6464990B2 (ja) 縦型熱処理装置
US10961625B2 (en) Substrate processing apparatus, reaction tube and method of manufacturing semiconductor device
JP5589878B2 (ja) 成膜装置
KR101994514B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2009088473A (ja) 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
KR20160129712A (ko) 다중-구역 반응기, 반응기를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US20110309562A1 (en) Support structure and processing apparatus
TW201827640A (zh) 時間性原子層沉積處理腔室
US20160265107A1 (en) Substrate holder and substrate processing apparatus
JP6710149B2 (ja) 基板処理装置
KR20170095734A (ko) 성막 장치, 성막 방법, 프로그램 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
TWI731226B (zh) 基板處理裝置
JP7329034B2 (ja) コーティング装置
JP2014132674A (ja) 支持体構造及び処理装置
KR20210045025A (ko) 기판처리장치
JP6339029B2 (ja) 成膜装置
KR20070081833A (ko) 기판 처리 설비
JP2006012994A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant