JPH0740765U - 方形基板処理用ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 方形基板上に膜を形成するさいに膜厚の均一
性を向上させることができるＣＶＤ装置を提供する。 【構成】 インナチューブ２の横断面形状が、四隅が丸
みを帯びた方形であり、方形基板５周縁各点とインナチ
ューブ２内壁との最短距離がすべて等しくなされてい
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は、シリコン酸化膜、ポリシリコン膜、ドープドポリシリコン膜、シ リコン窒化膜などの化学気相成長を行うＣＶＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

インナチューブ内において原料ガスを反応させることにより方形基板上にシリ コン酸化膜などの膜を形成するＣＶＤ装置は、従来より知られている。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

最近、ＣＶＤ装置により液晶用の方形基板上に膜を形成することが行われてい る。この際の膜厚均一性は極めて重要な特性であり、インナチューブ内温度分布 均一性などに考慮が払われて、ＣＶＤ装置が設計されているが、方形基板の膜厚 均一性については、十分な均一性が得られないという問題があった。

【０００４】 この考案者らは、インナチューブの形状に着目して鋭意研究を重ねた結果、方 形基板上に十分な均一性を有する膜を形成するのに適したＣＶＤ装置を見出した 。

【０００５】 この考案の目的は、方形基板上に膜を形成するさいに膜厚の均一性を向上させ ることができるＣＶＤ装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

この考案によるＣＶＤ装置は、インナチューブ内において原料ガスを反応させ ることにより方形基板上に膜を形成するＣＶＤ装置において、インナチューブの 横断面形状が、四隅が丸みを帯びた方形であることを特徴とするものである。

【０００７】

【作用】 この考案によるＣＶＤ装置は、インナチューブの横断面形状が、四隅が丸みを 帯びた方形であるから、方形基板を処理するに際し、基板周縁各点とインナチュ ーブ内壁との最短距離がほぼ等しくなる。

【０００８】

【実施例】

この考案の実施例を、以下図面を参照して説明する。

【０００９】 図１は、この考案のＣＶＤ装置を示すもので、ＣＶＤ装置は、周壁にヒーター (6) が設けられた縦型炉体(7) と、炉体(7) 内に配置されかつ下端が開口し上端 が閉鎖されている石英製アウタチューブ(1) と、アウタチューブ(1) 内に配置さ れかつ上下端ともに開口した石英製インナチューブ(2) と、多数の方形基板(5) が上下に所定間隔をおいて水平に支持されたボート(3) をインナチューブ(2) 内 にローディングするための昇降自在のエレベータ(11)とを備えている。

【００１０】 アウタチューブ(1) の下端部はアウタチューブホルダ(8) に支持されており、 このアウタチューブホルダ(8) には真空排気用パイプ(10)が接続されている。ま た、インナチューブ(2) の下端部およびアウタチューブホルダ(8) はインナチュ ーブホルダ(9) に支持されており、このインナチューブホルダ(9) にはガス導入 用パイプ(12)が接続されている。

【００１１】 図１はボート(3) が上昇し方形基板(5) に処理を行うときの状態を示すもので 、ボート(3) および方形基板(5) がインナチューブ(2) 内上部の処理部に位置さ せられ、インナチューブ(2) 内の処理部よりも下の部分に位置させられたヒート バリア(4) とインナチューブ(2) 下部との間を通って処理部に至る反応ガス通路 が形成され、インナチューブホルダ(9) の下端にエレベータフロア(11)が当接さ せられることにより炉体(7) 内が密閉されている。

【００１２】 図２に示すように、アウタチューブ(1) は横断面円形となされている。これに 対して、インナチューブ(2) の横断面形状は、処理される方形基板(5) に対応し かつ四隅が丸みを帯びた方形となされている。この実施例では、インナチューブ (2) の四隅は横断面が４分の１円であり、方形基板(5) 周縁各点とインナチュー ブ(2) 内壁との最短距離がすべて等しくなされている。

【００１３】 上記ＣＶＤ装置において、ガス導入用パイプ(12)よりインナチューブ(2) 内に 供給された反応ガスは、方形基板(5) とインナチューブ(2) との間を反応しなが ら上昇し、この間に方形基板(5) の表面に所望の薄膜が形成される。反応残ガス は、インナチューブ(2) とアウタチューブ(1) との間を下降し、アウタチューブ ホルダ(8) に装備されている真空排気用パイプ(10)を通り、真空ポンプ（図示略 ）により排出される。

【００１４】 上記装置において、横断面方形のインナチューブ(2) と、従来からある円筒形 のインナチューブとをそれぞれ用いて膜厚均一性比較を行ったところ、円筒形の インナチューブ内で処理した方形基板(5) では、基板(5) 四隅の膜厚と基板各辺 の中心に近いところの膜厚との差が相対的に大きいに対して、横断面方形のイン ナチューブ(2) 内で処理した方形基板(5) では、基板(5) 四隅の膜厚と基板各辺 の中心に近いところの膜厚とがほぼ等しいという結果が得られた。すなわち、円 筒形のインナチューブでは、方形基板(5) の隅からインナチューブ内壁までの最 短距離と方形基板(5) の辺からインナチューブ内壁までの最短距離とが大きく異 なっているため、膜厚の不均一が生じ、これに対して、横断面方形のインナチュ ーブ(2) では、方形基板(5) の周縁のすべての点からインナチューブ(2) 内壁ま での最短距離が等しくなるため、これによって、膜厚の均一性が向上することが わかった。

【００１５】 上記実験においては、実施例のインナチューブ(2) の対向する辺同士の距離は ３８０ｍｍ、円筒形のインナチューブの直径は５０５ｍｍとし、一辺の長さが３ ００ｍｍの正方形基板上にポリシリコン膜を形成して、膜厚均一性を比較してい る。

【００１６】 なお、上記実施例では、方形基板(5) の周縁のすべての点からインナチューブ (2) 内壁までの最短距離が等しくなされているが、方形基板(5) の隅とインナチ ューブ(2) の内壁の円弧部分との距離が、方形基板(5) の辺とインナチューブ(2 ) の内壁との距離の１００％以上１４０％以下であれば、十分な膜厚均一性が得 られる。

【００１７】 また、上記実施例では、多数の方形基板(5) がボート(3) に水平に支持された 状態で処理されているが、上記ＣＶＤ装置は、複数の方形基板(5) がボートに垂 直に支持された状態で処理される場合にも使用可能である。この場合には、１枚 の方形基板(5) における膜厚の均一性ではなく、各方形基板(5) 間の膜厚の均一 性が向上する。

【００１８】

【考案の効果】

この考案のＣＶＤ装置によると、方形基板を処理するに際し、基板周縁各点と インナチューブ内壁との最短距離がほぼ等しくなるので、形成される膜厚の均一 性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案によるＣＶＤ装置を示す垂直断面図で
ある。

【図２】同水平断面図である。

【符号の説明】

(2) インナチューブ (5) 方形基板

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 インナチューブ内において原料ガスを反
   応させることにより方形基板上に膜を形成するＣＶＤ装
   置において、インナチューブの横断面形状が、四隅が丸
   みを帯びた方形であることを特徴とするＣＶＤ装置。