JP2008028014A - 縦型拡散炉 - Google Patents
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Abstract
【課題】各半導体基板に対するプロセスガスの供給量を均一にする。
【解決手段】プロセスチューブ11内にボート13に収容した半導体基板14が装填される。プロセスチューブ11内には、インジェクタ18が配され、このインジェクタ18を通してプロセスチューブ11内にプロセスガスが導入される。インジェクタ18は、プロセスガスの供給量が不足する半導体基板14側の一端がそれに近づくようにその垂直に伸びた部分が垂直方向に対して傾けられた姿勢で配される。
【選択図】図1
【解決手段】プロセスチューブ11内にボート13に収容した半導体基板14が装填される。プロセスチューブ11内には、インジェクタ18が配され、このインジェクタ18を通してプロセスチューブ11内にプロセスガスが導入される。インジェクタ18は、プロセスガスの供給量が不足する半導体基板14側の一端がそれに近づくようにその垂直に伸びた部分が垂直方向に対して傾けられた姿勢で配される。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体の製造に用いられる縦型拡散炉に関するものである。
半導体装置の製造時における熱拡散工程では、例えば縦型拡散炉が用いられる。この縦型拡散炉では、ボートに収納した多数の半導体基板(シリコンウエハ)を、縦型管状のプロセスチューブに装填しプロセスチューブの外側に配したヒータで加熱しながら、プロセスチューブ内に、キャリアガスで希釈された拡散源となる不純物ガスを導入することにより行う。このような縦型拡散炉では、プロセスチューブ内には、その内部への不純物ガス等からなるプロセスガスを導入するためにインジェクタが設けられており、インジェクタは、縦方向に長くされた管状で半導体基板に向けてガスが噴出されるように複数のガス吹出し口が設けられている。
半導体基板に供給される不純物ガスの量が不均一であると、半導体基板ごとあるいは半導体基板内での不純物濃度の均一にならなくなる。このため半導体装置の特性にバラツキが生じ、歩留まりが悪くなるといった問題が生じる。
上記のような問題を解消するために、複数のインジェクタを設けたり、インジェクタの管径やガス吹出し口の径に変化をつけたりすることによって各半導体基板に供給される不純物ガスの量を均一にし、半導体基板での不純物濃度を一定にしようとする技術が特許文献1〜4によって知られている。
特開平11−121389号公報
特開平6−53154号公報
特開平9−97768号公報
特開平10−335253号公報
しかしながら、特許文献1〜4のような手法では、既存の装置に対しては、インジェクタを追加するための改造が必要であり、あるいは新たに設計・作成したインジェクタを用意する必要があり、容易に実施できないという問題があった。また、例えば1度に処理できる半分程度の半導体基板を不純物ガスの量がほぼ均一となる位置にだけ装填することも考えられるが、工程能力の低下を招くという問題がある。
本発明は上記問題を解消するためになされたもので、容易に各半導体基板、同一半導体基板の各部に供給される不純物ガスの量を均一にすることができる縦型拡散炉を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、請求項1記載の縦型拡散炉では、縦型管状のプロセスチューブと、前記プロセスチューブ内に挿入され、所定の間隔で多数の半導体基板を前記プロセスチューブの軸心に沿って並べて保持するボートと、前記プロセスチューブ内に配され、ガス供給口から供給されるガスを前記半導体基板に向けて噴出する複数のガス吹出し口を有する縦方向に伸びた管状のインジェクタとを備えた縦型拡散炉において、インジェクタを、一方の端部を前記半導体基板に近づけるように垂直方向に対して傾斜させて配したものである。
請求項2記載の縦型拡散炉では、インジェクタからプロセスチューブ内に導入されたガスを外部に排出するためのガス排出口を有し、インジェクタを、ガス排出口が設けた側の端部を半導体基板に近づけるように垂直方向に対して傾斜させたものである。
請求項3記載の縦型拡散炉では、プロセスチューブの下部に、インジェクタからプロセスチューブ内に導入されたガスを外部に排出するためのガス排出口を有し、インジェクタを、供給されるガスを下から上に向けて通し、この下から上に向けてガスが通る経路に各ガス吹出し口を設けるとともに、下端部を半導体基板に近づけるように垂直方向に対して傾斜させて配したものでる。
請求項4記載の縦型拡散炉では、ガス排出口を、インジェクタがガスを噴出する位置に対して、ガス排出口との位置とがプロセスチューブの軸心を中心にして80°ずらした回転位置となるように設けものである。また、請求項5記載の縦型拡散炉では、ボートとともに半導体基板を垂直方向の軸を中心に回転させる回転手段を備えたものである。
本発明の縦型拡散炉によれば、インジェクタの一端側がプロセスチューブ内に装填される半導体基板に近づくように、インジェクタを垂直方向に対して傾斜させることにより、極めて容易に各半導体基板に対するプロセスガスの供給量が均一とすることができ、歩留まりの向上を図ることができる。
本発明を実施した縦型拡散炉の構成を図1に示す。縦型拡散炉10のプロセスチューブ11は、一端が閉じた縦長の管状(円筒形状)としてある。このプロセスチューブ11の外周には、ヒータ12を配置してあり、このヒータで12によってプロセスチューブ11内が加熱される。プロセスチューブ11内の温度管理のために温度センサや温度制御回路(図示省略)を設けてあり、これらによってプロセスチューブ11内の温度が制御される。
石英ボート13は、処理対象となる多数、例えば150枚の半導体基板(シリコンウエハ)14を、その面を水平にした状態で、互いに適当な間隔をあけた状態で縦方向に配列して収容・保持する。
昇降台16に回転機構17を組み付けてあり、上記ボート13は昇降台16の上面側で回転装置17に連結してある。昇降台16は、拡散処理を行うために、図示されるボート13をプロセスチューブ11内に装填し、プロセスチューブ11の下端を昇降台16の上面で塞いだ上昇位置と、処理済みの半導体基板14を取り出しまた新たな半導体基板14をボート13に収容するために、上昇位置から下方に移動し、ボート13をプロセスチューブ11から引き抜いた下降位置との間で移動自在としてある。
回転装置17は、モータ17aやこのモータ17aの回転がベルト17bで伝えられるプーリー17c、このプーリー17cの回転をボート13に伝達する伝達機構17d等から構成してあり、プロセスチューブ11の軸心を回転中心にしてボート13とともに、半導体基板14を回転させる。
プロセスチューブ11内には、ボート13に収容されている各半導体基板14に向けて、拡散源となる例えばオキシ塩化リン等の不純物ガスと不純物ガスを希釈するキャリアガスとからなるプロセスガスを吹き出す小孔18aを設けたインジェクタ18を配してある。このインジェクタ18は、上下方向に伸びた垂直管部18vと、この垂直管部18vの上端から水平方向に伸びた水平管部18hとからなり、垂直管部18vの下端には、ガス供給管19を一体に形成してある。このガス供給管19は、プロセスチューブ11を貫通して外側に伸びており、図示しないガス供給装置に接続される。これにより、インジェクタ18は、下端からプロセスガスが供給されて上方に向かってガスが流れるようになっている。
垂直管部18vは、プロセスチューブ11の内面と適当な間隔をあけて配してあり、少なくともボート13に対向する管面部分に多数の小孔18aが上下方向に一定のピッチでライン状に並べて設けてある。また、水平管部18hは、垂直管部18vの上端からプロセスチューブ11の中心方向に向かうようにL字状に折り曲げられている。この水平管部18hの下側の管面部分に水平方向に一定のピッチでライン状に並ぶように小孔18aを設けてある。なお、水平管部18hを省略してもよい。
図示しない外部のガス排出装置が接続されたガス排出管21を設けてあり、その一端がプロセスチューブ11の下部内側にガス排出口21aとして露呈しているインジェクタ18によってプロセスチューブ11に内に導入されたプロセスガスは、このガス排出口21aを通して外部に排出される。
各半導体基板14の相互間での不純物の拡散濃度を均一にし、また半導体基板14のそれぞれにおける不純物の拡散濃度を均一とするために、インジェクタ18に傾斜を与えてある。すなわち、インジェクタ18の垂直管部18vの一方の端部がボート13に近づくように、垂直方向に対して傾きを持つようにインジェクタ18を組み付けることにより、プロセスガスの流れを調整し、不純物の拡散濃度にバラツキが生じないようにしている。
なお、垂直管部18vを垂直(角度α=0°)としたときに、ボート13に収容された半導体基板14のうち不純物の拡散濃度が不足しバラツキが大きい傾向にある側を垂直管部18vのボートに近づけるようにすればよく、その傾向が大きいほど角度αを大きくするようにすればよい。
この例では、図2に模式的に示すように、垂直管部18vの下端側をボートに近づけ、垂直方向に対して角度αで傾斜させてある。このような傾斜は、インジェクタ18の取り付け姿勢の変更だけで与えることができるので容易に実現できる。具体的には、インジェクタ18は、プロセスチューブ11の内面に設けた石英製のフック22(図1参照)に上部が掛けられているので、プロセスチューブ11を貫通するガス供給管19のプロセスチューブ11内への押し込み量を増減することによって所望とする角度αを得ている。
なお、ガス排出口21aの位置によって、インジェクタ18から吹き出されたプロセスガスの流れが変化し、ガス排出管21を設けた側(上方、あるいは下方)の半導体基板14に十分にまた均一にプロセスガスが供給されない傾向にあるので、垂直管部18vのガス排出管21を設けた側の端部をボート13に近づけるようにインジェクタ18を傾斜させ方向を決めることもできる。
上記の縦型拡散炉10によれば、ヒータ12によりプロスセチューブ11内が高温に加熱され、そのプロスセチューブ11内に多数の半導体基板14を収容したボート13が昇降台16の上昇で装填される。この後、回転装置17により、ボート13の回転が開始されてから、ガス供給管19にプロセスガスの供給が開始される。
供給されたプロセスガスは、インジェクタ18の各小孔18aからボート13に収容されている各半導体基板14に向けて吹き出され、半導体基板14の表面への例えば不純物の拡散処理が行われる。
垂直管部18vの下端側をボート13に近づけるようにしてプロセスガスの供給量が各半導体基板14に対して均一となるようにインジェクタ18を垂直方向に対して傾斜させてあるので、各半導体基板14の相互間に対し、また半導体基板14ごとに不純物の拡散濃度を均一にすることができる。
上記のように構成される縦型拡散炉10において、半導体基板14への不純物の拡散が均一になっていることを確認した実施例について説明する。この実施例では、半導体基板14に対してリン(P)を拡散させ、半導体基板14のシート抵抗(表面抵抗率)を測定した結果によって不純物の拡散濃度の均一性を評価した。
実施例に用いた縦型拡散炉10は、プロセスチューブ11の外径271mm、高さ190cmであった。また、図3に示すように、プロセスチューブ11の軸心(半導体基板14の回転中心)を中心として、半導体基板14の回転方向におけるガス排出口21aからインジェクタ18の垂直管部18vへの角度βが「80°」であった。
インジェクタ18は、垂直管部18vを垂直とする姿勢よりもガス供給管19を約10mmプロセスチューブ11内に押し込んだ位置で固定することにより、角度αを0.5°とした。このときに、インジェクタ18の最下端に設けられ最下層の半導体基板14に対応する小孔18aがボート13に対して約8mm近づいた状態となった。
拡散処理では、プロセスチューブ11内には、1ロットが25枚からなるA〜Fロットの計150枚の収容可能枚数の最大枚数の半導体基板14を収容したボート13を装填した状態で処理を行った。
この実施例におけるA〜Fロットの半導体基板14のシート抵抗(Ω/sq)を各半導体基板14に対して複数点のシート抵抗を測定した結果を図4(a)に示す。また、実施例と同じ構成において実際の半導体製品の製造時に連続して実施した処理における第1回目と第2回目のA〜Fロットのシート抵抗(Ω/sq)の測定結果を図4(b),(c)にそれぞれ示す。さらに、比較例として、垂直管部18vを垂直とした他は同一の条件で処理を行った場合のA〜Fロットのシート抵抗(Ω/sq)の測定結果を図4(d)に示す。また、実施例と比較例における均一性、すなわち平均値に対する最大・最小値の振れ幅を表1に示す。
なお、図4,表1では、ボート13に収容される半導体基板14のロットを下側から順番にAロット、Bロット・・・Fロットとし、ロットごとには下側の半導体基板14から順番に1,2,3・・・25の番号を付与して、各半導体基板14の位置を示してある。例えば、「A1」はボート13の最下層に収容されている半導体基板14であり、「F25」はボート13の最上層に収容されている半導体基板14を示す。
また、表1中のA1,B1,C1,D1,E1,F25に対する値は、それぞれの半導体基板14内における均一性、すなわち面内均一性である。「All」は、全て(A1,A2,・・・・F25)の半導体基板14のそれぞれについて複数点のシート抵抗を測定した結果を用いて求めた平均値に対する最大・最小値の振れ幅であるチャージ内均一性である。さらに、「WtoW」は、全て(A1,A2,・・・・F25)の半導体基板14についてそれぞれ求めた平均値を1枚ごとの代表値として、それら代表値の平均に対する最大・最小値の振れ幅を示す面間均一性を示している。
さらに、図5に拡散処理を繰り返した場合のシート抵抗の推移を示すトレンドグラフを示す。各1回の処理は、左側からF25,E1,D1,C1,B1,A1の順番で、平均値と最大値と最小値をプロットしてある。なお、プロット数が6個に満たない処理は、そのプロット数が1回の処理において処理したロット数となっている。1回目〜14回目まで拡散処理は、比較例と同様にインジェクタ18を傾けずに行い、14回目の処理の完了後に、インジェクタ18の傾きの角度αを0.5°として15回目以降の処理を行っている。
以上からわかるように、イジェクタ18に傾斜を与えない場合には、チャージ内、面間,面内の各均一性が悪く、すなわちバラツキが大きく、各半導体基板14に対して不純物の拡散が均一でないことがわかる。また、下層になるほど、バラツキが大きくなるとともに、シート抵抗が高いことから十分に不純物が拡散されないことがわかる。これに対して、インジェクタ18を傾斜させた場合には、チャージ内(各ロット間)、面間,面内の各均一性が良く、また、下層の半導体基板14についてもシート抵抗が下がっており、十分に不純物が拡散されていることがわかる。さらに、拡散処理の回数を重ねても、バラツキが小さい状態を維持で安定した結果が得られることがわかる。
上記では不純物を拡散させた領域を半導体基板に作成する場合について説明したが、本発明は、半導体基板から金属不純物などを除去するゲッタリングにも利用することができる。
10 縦型拡散炉
11 プロセスチューブ
13 ボート
14 半導体基板
18 インジェクタ
11 プロセスチューブ
13 ボート
14 半導体基板
18 インジェクタ
Claims (5)
- 縦型管状のプロセスチューブと、前記プロセスチューブ内に挿入され、所定の間隔で多数の半導体基板を前記プロセスチューブの軸心に沿って並べて保持するボートと、前記プロセスチューブ内に配され、ガス供給口から供給されるガスを前記半導体基板に向けて噴出する複数のガス吹出し口を有する縦方向に伸びた管状のインジェクタとを備えた縦型拡散炉において、
前記インジェクタは、一方の端部を前記半導体基板に近づけるように垂直方向に対して傾斜させて配してあることを特徴とする縦型拡散炉。 - 前記インジェクタから前記プロセスチューブ内に導入されたガスを外部に排出するためのガス排出口を有し、前記インジェクタは、前記ガス排出口が設けた側の端部を前記半導体基板に近づけるように垂直方向に対して傾斜させたことを特徴とする請求項1記載の縦型拡散炉。
- 前記プロセスチューブの下部に設けられ、前記インジェクタから前記プロセスチューブ内に導入されたガスを外部に排出するためのガス排出口を有し、前記インジェクタは、供給されるガスを下から上に向けて通し、この下から上に向けてガスが通る経路に各ガス吹出し口が設けられるとともに、下端部を前記半導体基板に近づけるように垂直方向に対して傾斜させて配してあることを特徴する請求項1記載の縦型拡散炉。
- 前記ガス排出口は、前記インジェクタがガスを噴出する位置に対して、前記ガス排出口との位置とが、前記プロセスチューブの軸心を中心にして80°ずらした回転位置となるように設けたことを特徴とする請求項3記載の縦型拡散炉。
- 前記ボートとともに半導体基板を垂直方向の軸を中心に回転させる回転手段を備えたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の縦型拡散炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006196747A JP2008028014A (ja) | 2006-07-19 | 2006-07-19 | 縦型拡散炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006196747A JP2008028014A (ja) | 2006-07-19 | 2006-07-19 | 縦型拡散炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008028014A true JP2008028014A (ja) | 2008-02-07 |
Family
ID=39118367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006196747A Pending JP2008028014A (ja) | 2006-07-19 | 2006-07-19 | 縦型拡散炉 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2008028014A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023004891A1 (zh) * | 2021-07-28 | 2023-02-02 | 长鑫存储技术有限公司 | 扩散炉 |
-
2006
- 2006-07-19 JP JP2006196747A patent/JP2008028014A/ja active Pending
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WO2023004891A1 (zh) * | 2021-07-28 | 2023-02-02 | 长鑫存储技术有限公司 | 扩散炉 |
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